JP2006156866A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 駆動用回路に対して、高周波信号を高速伝送することができる電気光学装置及
びそのような電気光学装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】 基板と、当該基板に保持された電気光学材料と、駆動用回路と、当該駆動
用回路に対して信号を外部から入力するためのインタフェース手段と、を含む電気光学装
置及びそのような電気光学装置を備えた電子機器であって、インタフェース手段の一部に
、高周波信号を送信するためのシールド線あるいはシールド線相当の伝送線を含んでいる
。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電気光学装置及び電子機器に関する。特に、駆動用回路に対して、高周波信
号を精度良くかつ安定的に高速伝送できる電気光学装置、及びそのような電気光学装置を
備えた電子機器に関する。

近年、画像表示装置として液晶表示装置が広く用いられている。このような液晶表示装
置は一般に、一対のガラス基板の間に液晶材料を封入し、周囲をシール材により貼り合わ
せることで得られる画像表示部と、その画像表示部に画像を表示させるための信号をコン
トロールする駆動用回路と、この駆動用回路と外部機器との電気的接続をとるための配線
基板および接続部と、を含むインタフェース手段からなる。
従来、このインタフェース手段として、主に、フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）を異方
性導電フィルム（ＡＣＦ）によって接続する接続方法が用いられている。ところが、近年
の高画質化や、伝送信号のシリアル化が進む中で、外部機器と、駆動用回路との間の伝送
速度の高速化が必要となってきている。
しかしながら、従来のＦＰＣ基板をＡＣＦによって接続する方法では、数百ＭＨｚ〜数
ＧＨｚの高周波信号を伝送した場合、電磁波放射に起因するノイズの影響が顕在化し、正
常な信号処理を行うことが困難であるという問題が見られた。

そこで、駆動用回路と、外部機器とのインタフェース手段ではないものの、画像表示装
置におけるノイズ対策として、液晶表示装置の回路基板内のリペア配線に対して、マイク
ロストリップラインを用いた方法が提案されている。（例えば特許文献１参照）
より具体的には、図１６に示すように、リペア配線５０２において、接地面端部からの
面方向距離Ｈ、接地面との垂直方向距離Ｄ、幅Ｗおよび厚さｈのうち少なくとも一つを調
整することにより、マイクロストリップラインとしてのリペア配線の電磁波放射を最適化
した液晶表示装置が開示されている。
特開２００１−２４９３５５号公報（特許請求の範囲、図１）

しかしながら、特許文献１は、液晶表示装置の回路基板内に形成された電気配線の修復
用のリペア配線として、マイクロストリップラインを用いており、かかるマイクロストリ
ップラインを長くする必要が生じていた。
すなわち、液晶表示装置の大画面化に伴って電気配線も長くなり、そのためリペア配線
としてのマイクロストリップラインを長くする必要が生じ、同時に配線容量の増加および
電磁波障害という新たな問題を生じさせていた。
又、マイクロストリップラインの配線容量と電磁波放射との関係を最適化する方法も提
案されているものの、液晶表示装置の大画面に対応するものであって、携帯電話などの小
型電子機器には、そのまま適用できないという問題が見られた。
さらに、リペア配線は、実質的に単機能であって、シールド線としてのマイクロストリ
ップラインと、非シールド線としての普通の配線と、を併用するものでなかった。したが
って、駆動用回路に対して、通常の低周波信号はもちろんのこと、高周波信号であっても
精度良くかつ安定的に高速伝送できる電気光学装置を提供することはできなかった。

そこで、本発明の発明者らは、以上の問題を鋭意検討した結果、外部機器と、駆動用回
路の間のインタフェース手段に対して、電磁波放射の影響を抑制したシールド線あるいは
シールド線相当の伝送線を適用することにより、駆動用回路に対して、通常の低周波信号
はもちろんのこと、高周波信号であっても精度良くかつ安定的に高速伝送することができ
、かつ省電力化のための配線設計が容易になることを見出したものである。
すなわち、本発明は、駆動用回路に信号を入力するためのインタフェース手段の一部に
シールド線あるいはシールド線相当の伝送線が設けることにより、高周波信号を精度良く
かつ安定的に高速伝送することができ、その結果、画像特性の向上や省電力化にも優れた
電気光学装置、及びそのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的とし
ている。

本発明によれば、基板と、基板に保持された電気光学材料と、駆動用回路と、駆動用回
路に対して信号を外部から入力するためのインタフェース手段と、を含む電気光学装置に
おいて、インタフェース手段の一部に、高周波信号を送信するためのシールド線を含む電
気光学装置が提供され、上述した問題を解決することができる。
すなわち、このように電気光学装置を構成することにより、電磁波放射の影響を抑制し
たシールド線を使用して、駆動用回路に対して、通常の低周波信号はもちろんのこと、高
周波信号についても精度良く、かつ安定的に高速伝送することができる。したがって、高
周波信号の高速伝送化に伴い、電気光学装置の画像特性の向上や省電力化にも資すること
ができる。

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、シールド線として、マイクロストリッ
プライン、コプレナーラインおよび同軸ラインの少なくとも一つを含んでいることが好ま
しい。
すなわち、このような汎用型シールド線を用いることにより、配線設計を低コストかつ
容易に行うことができる。

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、シールド線が複数本設けてあり、それ
らのインピーダンスが等しくしてあることが好ましい。
すなわち、インピーダンスマッチングを図ることにより、インピーダンスの不整合から
生じる高周波信号の伝送損失を最小限に抑えることができ、駆動用回路に対して、高周波
信号をさらに高速かつ安定的に伝送することができる。

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、インタフェース手段の主要素として、
フレキシブル基板を備え、その表面にシールド線を配線してあることが好ましい。
すなわち、このような電気光学装置の構成とすることにより、インタフェース手段の形
状を使用状態に容易に適合させることができる。

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、シールド線とともに、非シールド線が
所定領域に配置してあることが好ましい。
このような構成とすることにより、例えば、電磁波放射の影響が大きい高周波信号に対
してはシールド線を用い、一方、電磁波放射の影響が少ない低周波信号に対しては、非シ
ールド線を用いることができる。すなわち、高速通信が必要となる信号、例えば画像表示
系信号に対してはシールド線を使用し、低速通信であっても問題ない信号、例えば電源系
信号や設定系信号に対しては非シールド線を使用するといった使い分けが可能となる。そ
の結果、駆動用印加電圧を最小限に抑えることが可能となり、消費電力を下げることがで
きる。

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、シールド線と、非シールド線と、が平
面方向において交互に配置してあることが好ましい。
このような構成とすることにより、電磁波放射の影響を最小限に抑えることが可能とな
り、高周波信号を精度良く、かつ安定的に高速伝送することができる。又、隣接するシー
ルド線の間隔を広げることができることから、より優れたシールド効果を得ることができ
る。

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、シールド線と、非シールド線と、が上
下方向に多層配置してあることが好ましい。
このような構成とすることにより、シールド線と、非シールド線との配置設計が容易に
なるとともに、外部装置との電気接続についても容易となる。又、隣接するシールド線の
間隔を拡大できることから、より優れたシールド効果を得ることができる。

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、フレキシブル基板の一部に、同軸ライ
ン用コネクタが形成してあることが好ましい。
このような構成とすることにより、同軸ラインと、外部装置との接続位置を、用途に合
わせて適宜選択することができる。

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、フレキシブル基板あるいは駆動用回路
に、温度補償回路が設けてあることが好ましい。
このような構成とすることにより、周囲温度が変化した場合であっても、高周波信号を
精度良く、かつ安定的に高速伝送することができる。

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、インタフェース手段の一部に、シール
ド線のアースが形成してあることが好ましい。
このような構成とすることにより、基板上に特別なアースを設けることなく、シールド
線におけるシールド効果を効果的に発揮することができる。

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、シールド線を介して信号を伝送する通
信速度を、１８０Ｍｂｐｓ以上の値とすることが好ましい。
このような構成とすることにより、所定の高速通信が可能となるばかりか、駆動用印加
電圧を抑制し、電気光学装置の消費電力を低下することができる。

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、インタフェース手段の一部に、高周波
信号を送信するための伝送線として、ＵＴＰ（Unshielded Twist Pair）ラインを含むこ
とが好ましい。
このような構成とすることにより、駆動用回路に対して、通常の低周波信号はもちろん
のこと、高周波信号についても精度良く、かつ安定的に高速伝送することができる。
したがって、高周波信号の高速伝送化に伴い、電気光学装置の画像特性の向上や省電力
化にも資することができる。
又、基板上に特別なアース配線を設ける必要がないことから、配線設計を容易に実施す
ることができる。

又、本発明の別の態様は、上述したいずれか一つの電気光学装置を備えることを特徴と
する電子機器である。
すなわち、駆動用回路に信号を入力するためのインタフェース手段の一部に、高周波信
号を伝送するためのシールド線あるいはシールド線相当の伝送線を設けることにより、駆
動用回路に対して、したがって、電気光学装置における画像特性の向上や少電力化に資す
ることができ、そのような電気光学装置を備えた電子機器の適応性を向上させることがで
きる。

以下、図面を参照して、本発明の電気光学装置、およびそのような電気光学装置を備え
た電子機器に関する実施形態について具体的に説明する。ただし、かかる実施形態は、本
発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任
意に限定することが可能である。

［第１実施形態］
第１実施形態は、基板と、基板に保持された電気光学材料と、駆動用回路と、当該駆動
用回路に対して信号を外部から入力するためのインタフェース手段と、を含む電気光学装
置において、インタフェース手段の一部に、高周波信号を送信するためのシールド線ある
いはシールド線相当の伝送線を含むことを特徴とする。
以下、図１〜１５を適宜参照しながら、本発明の第１実施形態の電気光学装置について
、所定のインタフェース手段４を備えた液晶表示装置１００を例にとって説明する。

１．液晶表示装置の基本構造
まず、図１を参照して、本発明にかかる第１実施形態の液晶表示装置１００の基本構造
について具体的に説明する。ここで、図１は本実施形態に係る液晶表示装置１００の概略
図である。
かかる液晶表示装置１００は、画像を表示するための液晶パネル２２０を備えている。
この液晶パネル２２０は、主に、後述する画素基板１４と、カラーフィルタ基板１２と、
液晶材料２３２と、から構成されており、液晶材料２３２を電気的に制御することにより
文字、図形等の画像を表示することができる。
又、液晶表示装置１００の側面には、外形よりも外側に張り出してなる基板張り出し部
１４Ｔを備えている。この基板張り出し部１４Ｔ上には、主に出力側電気配線６５、入力
側電気配線６７と駆動用回路を含む半導体素子９１とが形成されている。

又、インタフェース手段４は、駆動用回路を含む半導体素子９１に対して信号を外部か
ら入力するための部材であるが、主要素としてフレキシブル基板９３を備えている。そし
て、そのフレキシブル基板９３の表面上に、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線
５０と、非シールド線５１と、が配線してある。
更に、フレキシブル基板９３の端部と、張り出し部１４Ｔの端部とは、上下に重なるよ
うに接触しており、接続部８を形成している。そして、かかる接続部８において、図示し
ないものの、電気配線６７と、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線５０および非
シールド線５１とは、例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）やバンプを介して電気的に
接続されている。
したがって、インタフェース手段４を介して、駆動用回路に対して、高速信号として、
駆動用信号等が外部から入力されると、それに応じて、液晶表示装置１００において所定
の画像表示を行うことができるように構成されている。

２．液晶表示装置の具体的構造
次に、図２〜図３を参照して、本発明の第１実施形態に係る液晶パネルの具体的構造、
すなわち、セル構造や配線、あるいは位相差板及び偏光板について説明する。なお、図２
は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置を構成する液晶パネル２００を示す概略斜
視図であり、図３は、液晶パネル２００の模式的な概略断面図である。
又、図２に示される液晶パネル２００は、パッシブマトリクス型構造を有する液晶パネ
ル２００であって、図示しないもののバックライトやフロントライト等の照明装置やケー
ス体などを、必要に応じて、適宜取付けることにより、液晶表示装置となる。
なお、本実施形態においてはＴＦＤ素子（Thin Film Diode）を備えたアクティブマト
リクス型構造を有する液晶パネルを例にとって説明するが、ＴＦＴ素子（Thin Film Tran
sistor）等の非線形素子を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネルやパッ
シブマトリクス型構造を有する液晶パネルであっても良い。

（１）セル構造
図２に示すように、液晶パネル２００は、ガラス板や合成樹脂板等を基体１３とする第
１の基板（カラーフィルタ基板）１２と、これに対向配置され、同様にガラス板や合成樹
脂板等を基体２７とする第２の基板（素子基板）１４とが、接着剤等のシール材２３０を
介して貼り合わせられている。そして、カラーフィルタ基板１２と、素子基板１４とが形
成する空間であって、シール材２３０の内側部分に対して、注入口２３０ａを介して液晶
を注入した後、封止材２３１にて封止されてなるセル構造を備えている。
すなわち、図３に示すように、カラーフィルタ基板１２と素子基板１４との間に液晶２
３２が充填されるとともに、密封されていることが好ましい。
なお、以下の説明においては、第１の基板の基体として第１のガラス基板を使用し、又
、第２の基板の基体として第２のガラス基板を使用した例について説明する。

（２）配線
又、図２に示すように、第２のガラス基板２７の内面（第１のガラス基板１３に対向す
る表面）上に、複数のストライプ状のデータ電極（第２の電極パターン）２６を形成し、
第１のガラス基板１３の内面（第２のガラス基板２７に対向する表面）上には、複数のス
トライプ状の走査電極（第１の電極パターン）１９を形成することが好ましい。
又、データ電極２６は、表示領域外において、電気配線２９に対して接続することが好
ましい。さらに、もう一方の走査電極１９を、第２のガラス基板２７上の電気配線２８に
対して、導電性粒子を含むシール材２３０を介して電気接続することが好ましい。
又、データ電極と走査電極との交差領域がマトリクス状に配列されて多数の画素を構成
し、これら多数の画素の配列が、全体として液晶表示領域Ａを構成することになる。
なお、以下の説明においては、第２の電極パターンには、データ電極及び電気配線を含
むものとする。

又、図２に示すように、第２のガラス基板２７は、第１のガラス基板１３の外形よりも
外側に張り出してなる基板張出部１４Ｔを有し、この基板張出部１４Ｔ上には、データ電
極２６、電気配線２８、２９及び、独立して形成された複数の配線パターンからなる入力
端子部（外部接続用端子）２１９が形成されていることが好ましい。
又、基板張出部１４Ｔ上には、これらデータ電極２６、電気配線２８、２９及び入力端
子部（外部接続用端子）２１９に対して導電接続されるように、液晶駆動回路等を内蔵し
た半導体素子（ＩＣ）９１が実装されていることが好ましい。
さらに、基板張出部１４Ｔの端部には、入力端子部（外部接続用端子）２１９に導電接
続されるように、フレキシブル配線基板９３が実装されていることが好ましい。

（３）位相差板及び偏光板
図２に示される液晶パネル２００において、図３に示すように、第１のガラス基板１３
の所定位置に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板（１／４波長板）２５０及
び偏光板２５１が配置されていることが好ましい。
そして、第２のガラス基板２７の外面においても、位相差板（１／４波長板）２４０及
び偏光板２４１が配置されていることが好ましい。

（４）第１の基板（カラーフィルタ基板）の基本的構成
カラーフィルタ基板１２は、図３に示すように、基本的に、第１のガラス基板１３と、
着色層１６と、遮光層１８と、走査電極（第１の電極パターン）１９と、から構成してあ
ることが好ましい。
又、カラーフィルタ基板１２において、反射機能が必要な場合、例えば、携帯電話等に
使用される半透過反射型の液晶表示装置においては、ガラス基板１３と、着色層１６との
間に、図３に示すように、反射層２１２ａ及び開口部２１２ｒを備えた半透過反射板２１
２を設けることが好ましい。
さらに、カラーフィルタ基板１２において、図３に示すように、画素毎に着色層１６が
形成され、その上をアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明樹脂からなる平坦化層（表面
保護層あるいはオーバーコート層）２１５により、被覆してあることが好ましい。このよ
うにして、着色層１６と平坦化層（表面保護層）２１５とによってカラーフィルタが形成
されることになる。さらに、電気絶縁性を向上させるための絶縁層（図示せず。）を設け
ることも好ましい。

（５）着色層
又、図３に示す着色層１６は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて
所定の色調を呈するものとされている。着色層の色調の一例としては原色系フィルタとし
てＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合せからなるものがあるが、これに限定され
るものではなく、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンダ）、Ｃ（シアン）等の補色系や、その他
の種々の色調で形成することができる。
かかる着色層は、通常、基板表面上に顔料や染料等の着色材を含む感光性樹脂からなる
着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術（エッチング法）によって不要部分を欠
落させることによって、所定のカラーパターンを有する着色層を形成することができる。
そして、複数の色調の着色層を形成する場合には上記工程を繰り返すことになる。
又、着色層の配列パターンとしては、ストライプ配列を採用することが多いが、このス
トライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用す
ることができる。

（６）遮光層
又、図３に示すように、画素毎に形成された着色層１６の間の画素間領域に、画像表示
の際のコントラストを向上させるために、遮光層（ブラックマトリクス、あるいはブラッ
クマスクと称する場合もある。）１８を形成することが好ましい。
このようなブラックマトリクス１８としては、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の
３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色
材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いることができる。又、カーボン等の
黒色材料を使用しなくとも優れた遮蔽効果を得ることができることから、加色法を利用し
て、Ｒ（赤）層、Ｇ（緑）層、Ｂ（青）層の三層構造とすることも好ましい。

（７）反射層
又、図３に示すように、第１のガラス基板１３の表面には、外光を利用して画像表示す
べく、反射層２１２ａが形成されている。この反射層２１２ａは、アルミニウム、アルミ
ニウム合金、クロム、クロム合金、銀、銀合金などからなる金属薄膜と、から構成されて
いる。
又、反射層２１２ａには、画素毎に、反射面を有する反射部と、開口部２１２ｒとが設
けられており、反射部においては外光を利用して画像表示を行い、開口部２１２ｒにおい
ては透過光を利用して画像表示を行うことができる。

（８）第１の電極パターン（走査電極）
又、図３に示すように、平坦化層２１５の上に、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の
透明導電体からなる走査電極（第１の電極パターン）１９が形成されている。かかる走査
電極（第１の電極パターン）１９は、通常、複数の透明電極を並列させたストライプ状に
構成されていることが好ましい。

（９）配向膜（第１の配向膜）
又、図３に示すように、第１の電極パターン（走査電極）１９の上には、ポリイミド樹
脂等からなる第１の配向膜２１７が形成されている。
このように配向膜２１７を設けることにより、カラーフィルタ基板１２を液晶表示装置
等に使用した場合に、電気光学物質（液晶材料）の配向制御を容易に実施することができ
る。

（１０）第２の基板（素子基板）基本構造
図２及び図３に示すように、カラーフィルタ基板１２と対向するもう一方の素子基板（
第２の基板）１４は、基本的に、第２のガラス基板２７と、データ電極２６と、当該デー
タ電極２６と電気接続されるＴＦＤ（Thin Film Diode）等の非線形素子と、当該非線形
素子と電気接続される画素電極２０と、外部接続するための電気配線２８、２９と、から
構成してある。
又、図３に示すように、データ電極２６上には、第１の基板１２における第１の配向膜
と同様のポリイミド樹脂等からなる第２の配向膜２２４が形成されている。
さらに、素子基板においても、カラーフィルタ基板と同様に、第２の電極パターンが形
成されていない領域に対して、セルギャップを均一に調整するためのダミー電極が形成さ
れている。
なお、第１実施形態の液晶表示装置の例では、着色層が第１のガラス基板１３上に設け
てあるが、着色層を、かかる素子基板１４の第２のガラス基板２７上に設けることもでき
る。さらに又、素子基板上に、非線形素子として、二端子型のＴＦＤの代わりに、三端子
型のＴＦＴ（Thin Film Transistor）を用いることもできる。

（１１）第２の電極パターン
又、素子基板には、図２に示すように、第２の電極パターンの一つであるデータ電極２
６が設けてある。かかるデータ電極２６は、図２に示すように、複数の透明電極が、並列
したストライプ状に構成されている。
又、データ電極は、図２に示すように、一端側が外部接続用端子２１９となる電気配線
２９に接続されるとともに、シール材２３０の外側であって、第２のガラス基板２７にお
ける基板張出し部１４Ｔまで延設されている。なお、隣接するデータ電極等の間の距離や
、データ電極の高さについては、上述の第１の電極パターンと同様とすることが可能であ
る。したがって、ここでの説明は省略する。
又、素子基板には、図２に示すように、第２の電極パターンの一つである電気配線２８
、２９が設けてある。通常、かかる電気配線２８も、複数の金属膜が並列したストライプ
状に構成されている。

３．インタフェース手段
（１）基本構成
次に、図１、図４及び図５を参照しながら、インタフェース手段４の基本構成について
説明する。
すなわち、かかるインタフェース手段４は、駆動用回路に対して信号を外部から入力す
るための部材である。したがって、その一部に、高周波信号を送信するためのシールド線
あるいはシールド線相当の伝送線を含むものであれば特に制限されるものではないが、図
１に示すように、主要素としてフレキシブル基板９３を備え、その表面にシールド線ある
いはシールド線相当の伝送線が配線してあることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、インタフェース手段の形状を使用環境に
適合させることが容易となり、又外部装置との接続部分についての配線設計も又容易にな
るためである。

又、インタフェース手段４の基本構成に関し、シールド線あるいはシールド線相当の伝
送線５０と、非シールド線５１とがそれぞれフレキシブル基板９３の表面の所定領域に形
成してあることが好ましい。
この理由は、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線５０と、非シールド線５１と
を併設することにより、電磁波放射の影響が大きい高速信号に対してはシールド線あるい
はシールド線相当の伝送線を用い、一方、電磁波放射の影響が少ない低速信号に対しては
、非シールド線を用いることができるためである。
すなわち、高速通信が必要となる信号、例えば画像表示系信号に対してはシールド線あ
るいはシールド線相当の伝送線を使用し、低速通信であっても問題ない信号、例えば電源
系信号や設定系信号に対しては非シールド線を使用するといった使い分けができる。した
がって、所定場所にシールド線あるいはシールド線相当の伝送線５０と、非シールド線５
１とを併設することにより、駆動用印加電圧を最小限に抑えることが可能となり、消費電
力を下げることができる。

又、インタフェース手段４の基本構成に関し、フレキシブル基板９３の端部に、シール
ド線５０につながる同軸ライン用コネクタ５２が形成してあることが好ましい。
この理由は、このような構成とすることにより、同軸ラインと外部装置との接続位置を
、使用用途に合わせて適宜選択することが可能となるためである。したがって、コネクタ
箇所の配置設計を容易に実施することができる。
なお、同軸ライン用コネクタ５２の構成についても特に制限されるものでなく、機械式
コネクタであっても、光方式コネクタであっても良い。

（２）シールド線あるいはシールド線相当の伝送線
次いで、インタフェース手段４に配線されるシールド線の内容について具体的に説明す
る。
まず、シールド線の種類に関して特に制限されるものではないが、例えば、マイクロス
トリップライン、コプレナーラインおよび同軸ラインの少なくとも一つを含んでいること
が好ましい。
この理由は、このような使用実績のある汎用型シールド線を用いることにより、配線設
計を低コストかつ確実に行うことができるためである。

ここで、図４（ａ）は、シールド線にマイクロストリップラインを用いた場合の、図１
におけるＡＡ断面図を表している。かかるマイクロストリップライン５０ａは、フレキシ
ブル基板９３ａの表面上に形成され、その反対側の表面にアース配線５３ａが、マイクロ
ストリップライン５０ａと上下位置が揃うように形成されている。
したがって、マイクロストリップライン５０ａの線厚、線幅、線間隔、フレキシブル基
板の厚さ、アース配線の形態及びフレキシブル基板を構成する樹脂の誘電率等を適宜調整
することにより、後述する特性インピーダンスＺを考慮して、インピーダンスマッチング
をとることができる。

又、図４（ｂ）は、コプレナーラインを用いた場合の、図１におけるＡＡ断面図を表し
ている。かかるコプレナーライン５０ｂは、フレキシブル基板９３ｂの同一表面上に形成
され、コプレナーライン５０ｂと、アース配線５３ｂと、が平面方向において交互に配置
されている。
したがって、コプレナーライン５０ｂの線厚、線幅、線間隔、フレキシブル基板厚、及
びフレキシブル基板の構成樹脂の誘電率等を適宜調整することにより、インピーダンスマ
ッチングをとることができる。又、同一表面上に配線できることから、全体として薄型化
が可能となる。

又、図４（ｃ）は、同軸ライン５０ｃを用いた場合の、図１におけるＡＡ断面図を表し
ている。かかる同軸ライン５０ｃは、導線の周囲に同軸状にシールド部が設けてある。
したがって、同軸ライン５０ｃの場合には、導線の直径、シールド部の直径、導線とシ
ールド部との間隔、フレキシブル基板の厚さ、フレキシブル基板の構成樹脂の誘電率、隣
接する同軸ライン間の距離等を適宜調整することにより、インピーダンスマッチングをと
ることができる。又、導線の回りをシールド部で覆う構造を有していることから、特に高
周波信号の伝送に適している。
なお、図示しないが、板状の導線の回りをシールド部で覆い、全体として平板形状を有
している同軸ラインとすることもできる。このような構成とすることにより、基板全体と
して薄型化が可能となる。

又、図４（ｄ）は、同軸ライン５０ｄと、マイクロストリップライン５０ｄ´を併用し
た場合の、図１におけるＡＡ断面図を表している。すなわち、同軸ライン５０ｄと、マイ
クロストリップライン５０ｄ´とは、フレキシブル基板９３ｄの表面上に併用して形成す
ることができる。又、このとき、同軸ラインとマイクロストリップラインとの平面方向に
おける配置は任意に選ぶことができる。なお、一例として、図４（ｄ）では、両端に同軸
ライン５０ｄを配置し、その間にマイクロストリップライン５０ｄ´を配置した構成を図
示してある。

又、図５（ａ）は、ＵＴＰライン５０ｒを、フレキシブル基板９３ｒ上に配置した場合
の平面図を表しており、図５（ｂ）は、図５（ａ）におけるＡＡ断面図を表している。
かかるＵＴＰライン５０ｒは、導線（＋側）５１ｒと、導線（−側）５２ｒと、絶縁性
被膜５３ｒと、から構成されており、これら一対の導線を互いにらせん状に組み合わせて
、フレキシブル基板９３ｒの表面上に形成されている。ここでＵＴＰラインとは、らせん
状に組み合わせた一対の導線からなる、シールド部を備えていない伝送線であって、フレ
キシブル基板上に特別なアース配線を設けることなく用いることができる伝送線である。
したがって、ＵＴＰライン５０ｒの場合には、導線直径、らせんピッチ等を適宜調整す
ることにより、インピーダンスマッチングをとることができる。又、らせん状に組み合わ
された構造を有していることから、各々の導線から生じる電磁波放射の影響を最小限に抑
えることが可能となるため、特に高周波信号の伝送に適している。

又、インタフェース手段４にシールド線あるいはシールド線相当の伝送線を複数配線す
る場合、それらのインピーダンスを等しくし、いわゆるインピーダンスマッチングをとる
ことが好ましい。
この理由は、インピーダンスマッチングをとることにより、インピーダンスの不整合か
ら生じる高周波信号の伝送損失を最小限に抑えることができるためである。したがって、
インピーダンスマッチングをとることにより、高周波信号を精度よく、かつ安定的に伝送
することができる。

又、インピーダンスマッチングをとるにあたり、各々のシールド線あるいはシールド線
相当の伝送線の有する特性インピーダンスＺを算出し、かかる値をもとに配線設計されて
いることが好ましい。
より具体的には、下式（１）から算出される特性インピーダンスＺを、フレキシブル基
板上に配置された全てのシールド線あるいはシールド線相当の伝送線に対して算出し、調
整する。すなわち、かかる算出値の最大値と最小値の差が、所望の範囲内の値となるよう
配線設計することにより、インピーダンスマッチングをとることができる。
Ｚ=377/［（w/h）×εr^1/2［1+（1.735εr^-0.0724）×（w/h）^-0.836］］ （１）
ここで、ｗはシールド線あるいはシールド線相当の伝送線の線幅（ｍｍ）であり、ｈは
フレキシブル基板厚（ｍｍ）であり、εｒは、フレキシブル基板の構成樹脂の比誘電率（
−）であり、さらに、ｈはシールド線あるいはシールド線相当の伝送線の厚さに比べて十
分大きい値である。

又、図６に、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線としてマイクロストリップラ
インを用いた場合に、上記式（１）を用いて特性インピーダンスを調整する方法の一例を
示してある。
図６（ａ）は、厚さｈ１のフレキシブル基板９３ｎの基板上に、幅ｗ１のマイクロスト
リップライン５０ｎが配置された場合を表している。ここで、マイクロストリップライン
５０ｎの特性インピーダンスを所望の値に変化させたい場合、図６（ｂ）に示すように、
フレキシブル基板の厚さを固定したままで、マイクロストリップラインの幅ｗ１を狭くす
ることにより、幅ｗ２のマイクロストリップライン５０ｐに変化させることができる。一
方、図６（ｃ）に示すように、マイクロストリップラインの幅ｗ１を固定したままで、フ
レキシブル基板の厚さｈ１を拡げることにより、厚さｈ２のフレキシブル基板９３ｑに変
化させることもできる。したがって、このような構成の変更を行うことにより、式（１）
における変数ｗ／ｈの値が変化し、特性インピーダンスの値を所望の値に合わせ込むこと
ができる。
又、図７は、式（１）で表される変数ｗ／ｈと特性インピーダンスＺとの関係のグラフ
を表している。かかるグラフから理解できるように、変数ｗ／ｈの増加に伴い、特性イン
ピーダンスＺは減少する傾向にあることが分かる。よって、本発明においてもインピーダ
ンスマッチングをとる際に、かかる関係を利用することができる。

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、インタフェース手段の一部に、シール
ド線あるいはシールド線相当の伝送線のアース配線が形成してあることが好ましい。
この理由は、このような構成とすることにより、フレキシブル基板上にアース接続を備
えることなく、シールド線の短絡を容易に行うことが可能となるためである。その結果、
高周波信号を精度よく、かつ安定的に伝送することができる。すなわち、図１に示すよう
に、フレキシブル基板９３と、張り出し部１４Ｔの端部と、が接続している接続界面にア
ース配線５４を設けることで、フレキシブル基板上にアース配線を配置することなくシー
ルド線あるいはシールド線相当の伝送線を短絡させることが可能となる。

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、シールド線あるいはシールド線相当の
伝送線を介して信号を伝送する通信速度を、１８０Ｍｂｐｓ以上の値とすることが好まし
い。
この理由は、このような構成とすることにより、所定の高速通信が可能となるばかりか
、駆動用印加電圧を抑制して、電気光学装置の消電力化を図ることができる。
又、このような構成とすることにより、必要な通信速度に合わせた伝送線を好適に選ぶ
ことができる。したがって、駆動用印加電圧を最小限に抑えることが可能となり、消費電
力をさらに下げることができる。
なお、通信速度を大きくする程、単位時間当たりの信号伝送量が多くなるものの、１８
０Ｍｂｐｓ以上の値であれば、画像表示系信号として好適に使用できることが判明してい
る。又、このような通信速度であれば、過度にシールド処理を施す必要が無いという利点
もある。一方、通信速度が１Ｇｂｐｓ以上の値となると、さらに優れた画像表示ができる
ものの、所定のシールド処理を施す必要が生じることが判明している。

（３）非シールド線
次いで、インタフェース手段４に配線される非シールド線について具体的に説明する。
一部上述したが、インタフェース手段には、シールド線あるいはシールド線相当の伝送
線と、非シールド線とを併用することが好ましく、その態様に合わせて、シールド線ある
いはシールド線相当の伝送線とともに所定領域にのみ非シールド線を配置することがさら
に好ましい。
ここで、図８（ａ）は、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線５０ｅと、非シー
ルド線５１ｅとが、フレキシブル基板９３ｅの表面上に形成され、非シールド線５１ｅが
、平面方向において片側領域にブロック的に集めて配置してある構成を示している。
このような構成とすることにより、電磁波耐性の低い非シールド線であっても、電磁障
害を最小限に抑えることが可能となる。又、同じ種類の線を集合させることにより、イン
ピーダンスマッチングを容易にとることもできる。
なお、ここではシールド線としてマイクロストリップラインを用いた例を図示してある
。よって、フレキシブル基板９３ｅの表面上の、マイクロスストリップライン５０ｅが配
置されている側と対向する側に、アース配線５３ｅがマイクロストリップラインと上下位
置が揃うように、配置されている。又、非シールド線の種類に関しては、特に制限される
ものではないが、特別に電磁障害対策を講じていない導線を意味している。

又、図８（ｂ）は、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線５０ｆと、非シールド
線５１ｆとが、フレキシブル基板９３ｆの表面上に形成され、非シールド線５１ｆが、平
面方向において中央領域にブロック的に配置してある構成を示している。
このような構成とすることにより、電磁波耐性の低い非シールド線であっても、電磁障
害を最小限に抑えることが可能となる。又、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線
を両端に配置することができるため、シールド線からの電磁波放射の影響を最小限に抑え
ることが可能となる。
なお、ここではシールド線あるいはシールド線相当の伝送線としてマイクロストリップ
ラインを用いた例を図示してある。よって、図８（ｂ）下方に示すように、フレキシブル
基板９３ｆの表面上の、マイクロスストリップライン５０ｆが配置されている側と対向す
る側に、アース配線５３ｆがマイクロストリップラインと上下位置が揃うように、配置さ
れている。

又、図８（ｃ）は、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線５０ｇと、非シールド
線５１ｇとが、フレキシブル基板９３ｇの表面上に形成され、非シールド線５１ｇが、平
面方向において両側領域に配置してある構成を示している。
このような構成とすることにより、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線を一箇
所に集中して配置することが可能となることから、電磁障害を最小限に抑えることが可能
となる。
なお、ここではシールド線あるいはシールド線相当の伝送線としてマイクロストリップ
ラインを用いた例を図示してある。よって、図８（ｃ）下方に示すように、フレキシブル
基板９３ｆの表面上の、マイクロスストリップライン５０ｆが配置されている側と対向す
る側に、アース配線５３ｆがマイクロストリップラインと上下位置が揃うように、配置さ
れている。

又、図８（ｄ）は、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線５０ｈと、非シールド
線５１ｈとが、フレキシブル基板９３ｈの表面上に形成され、シールド線あるいはシール
ド線相当の伝送線５０ｈと、非シールド線５１ｈとが平面方向において交互に配置してあ
る構成を示している。
このような構成とすることにより、高周波信号による電磁波放射の影響を最小限に抑え
ることが可能となり、高周波信号の高精度、かつ安定的な伝送ができるためである。又、
同じ種類の線の間隔を広く設けることができるようになることから、設計精度が緩やかに
なり、配線加工についても容易となるためである。
なお、ここではシールド線あるいはシールド線相当の伝送線としてマイクロストリップ
ラインを用いた例を図示してある。よって、図８（ｄ）下方に示すように、フレキシブル
基板９３ｈの表面上の、マイクロスストリップライン５０ｈが配置されている側と対向す
る側に、アース配線５３ｈがマイクロストリップラインと上下位置が揃うように、配置さ
れている。

又、インタフェース手段４において、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線及び
非シールド線の形状や配置を、フレキシブル基板９３の形態に対応して定めることが好ま
しい。
この理由は、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線を、その配線長が最短になる
よう配置することにより、電磁障害の原因となる高周波信号の伝送距離を短縮するためで
ある。つまり、そのような構成にすることにより、低周波信号はもちろんのこと、高周波
信号であっても精度良く、かつ安定的に高速伝送することができる。
ここで、図９（ａ）は、Ｌ字型形状のフレキシブル基板上に、マイクロストリップライ
ンを配置した場合の平面図およびＡＡ断面図を表している。かかるフレキシブル基板９３
ｉ上には、同一表面上に、マイクロストリップライン５０ｉおよび非シールド線５１ｉが
形成されている。又、フレキシブル基板において、入力側端部と出力側端部の間を最短距
離で結んだ直線上に、マイクロストリップラインが位置するように形成されている。すな
わち、図９（ａ）に示す構成の場合、フレキシブル基板の平面形状をＬ字型とした場合、
マイクロストリップラインの長さが比較的短くなるように配置されている。

又、図９（ｂ）は、Ｔ字型形状のフレキシブル基板の基板上に、マイクロストリップラ
インを用いた場合の平面図およびＢＢ断面図を表している。かかるフレキシブル基板９３
ｊ上には、同一表面上に、マイクロストリップライン５０ｊおよび非シールド線５１ｊが
形成されている。又、フレキシブル基板において、入力側端部と出力側端部の間を最短距
離で結んだ直線上に、マイクロストリップラインが位置するように形成されている。すな
わち、図８（ｂ）に示す構成の場合、フレキシブル基板の平面形状をＴ字型とした場合、
マイクロストリップラインの長さが比較的短くなるように、左右方向に２本均等に配置さ
れている。

又、図９（ｃ）は、十字型形状のフレキシブル基板の基板上に、マイクロストリップラ
インを用いた場合の平面図およびＣＣ断面図を表している。かかるフレキシブル基板９３
ｋ上には、同一表面上に、マイクロストリップライン５０ｋおよび非シールド線５１ｋが
形成されている。又、フレキシブル基板において、入力側端部と出力側端部の間を最短距
離で結んだ直線上に、マイクロストリップラインが位置するように形成されている。すな
わち、図９（ｃ）に示す構成の場合、フレキシブル基板の平面形状を十字型とした場合、
マイクロストリップラインの長さが比較的短くなるように、３方向に配置されている。

又、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線と、非シールド線とを併用するにあた
り、図１０（ａ）〜（ｂ）に示すように、インタフェース手段４において、シールド線あ
るいはシールド線相当の伝送線と、非シールド線と、が上下方向に多層配置されているこ
とが好ましい。
この理由は、このような構成とすることにより、電磁波放射の影響を最小限に抑えるこ
とが可能となり、高周波信号の高精度、かつ安定的な伝送ができるためである。又、外部
装置との接続部分について、ワイヤボンディングなどの接続手段を用いることが可能とな
り、接続部分の形状の制約が緩やかになることから配線設計が容易となる。

ここで、図１０（ａ）は、フレキシブル基板９３Ｌの内部にシールド線あるいはシール
ド線相当の伝送線５０Ｌを備え、表面に非シールド線５１Ｌをそれぞれ備えている状態を
表している。なお、図１０（ａ）は、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線として
マイクロストリップラインを用いた例を図示してある。よって、フレキシブル基板９３Ｌ
の表面上には、非シールド線が配置されていない側に、アース配線５３Ｌがシールド線５
０Ｌと上下位置が揃うように、配置されている。このような配置とすることにより、シー
ルド線と非シールド線との間隔を開けることが容易になる。その結果、電磁波放射の影響
を受けやすい非シールド線を、影響の受けにくい位置にのみ設計するなど、配線設計の過
程で電磁障害対策を講じやすくなる。

又、図１０（ｂ）は、フレキシブル基板として９３ｍと９３ｍ´の２枚を有している状
態を表している。そして、フレキシブル基板９３ｍの表面上にはシールド線あるいはシー
ルド線相当の伝送線５０ｍが配線されており、フレキシブル基板９３ｍ´の表面上には、
非シールド線５１ｍが配線されている。更に、図１０（ｂ）はシールド線あるいはシール
ド線相当の伝送線としてマイクロストリップラインを用いた例を図示してある。したがっ
て、フレキシブル基板９３ｍと９３ｍ´との間に挟まれるようにアース配線５３ｍが、シ
ールド線あるいはシールド線相当の伝送線５０ｍと上下位置が揃うように、配置されてい
る。このような配置とすることにより、シールド線と非シールド線との間に設けられたア
ース線が、電磁波遮蔽効果をもたらすことから、電磁波放射の影響を最小限に抑えること
が可能となる。更に、非シールド線についても、所定のノイズ低減効果を得ることができ
る。

（４）コネクタ
又、インタフェース手段４において、図１に示すように、シールド線あるいはシールド
線相当の伝送線５０の末端部には、外部装置との接続のためのコネクタ５２が配置されて
いる。このコネクタ５２は、フレキシブル基板９３上に配置されており、任意に配置場所
を選択することができる。更には、張り出し部１４Ｔ上に直接ＣＯＧにより実装すること
もできる。よって、外部装置との接続箇所を合わせ込む配線設計を、容易に行うことが可
能となる。
又、フレキシブル基板と、外部装置とを接続するにあたり、図１１に示すように、フレ
キシブル基板９３の端部に外部接続のための機械的コネクタ９３Ｔを備えることが好まし
い。又、かかる機械的コネクタ９３Ｔと、外部装置２７０に設けられたコネクタ挿入部２
７０Ｔと、が機械的および電気的に接続されていることも好ましい。例えば、機械的コネ
クタ９３Ｔを、コネクタ挿入部２７０Ｔ内に設けられた空隙２７５に挿入することにより
、機械的コネクタ９３Ｔと、コネクタ挿入部２７０Ｔとが固定治具２７４により固定され
る。したがって、コネクタ挿入部２７０Ｔ内部に設けられた上側端子２７２と、下側端子
２７３とが、フレキシブル基板９３上に配置されたシールド線５０もしくは非シールド線
５１と、それぞれ接触して電気的に接続することが可能となる。すなわち、このような構
成とすることにより、かかる接続部の接触抵抗が減少し、より高精度かつ安定的な信号伝
送が可能となる。又、コネクタの着脱が容易になることから、着脱を繰り返した場合の機
械的劣化を防ぐこともできる。

（５）外部装置
又、図１２に示すように、フレキシブル基板９３は、その端部において外部装置４００
と接続されている。かかる外部装置４００は、入力された命令を解釈し実行するＣＰＵ４
０１と、かかるＣＰＵ４０１からの信号を駆動用回路９１へ伝える信号処理回路４０２と
、電源４０３を備えている。すなわち、外部からの命令として、例えば表示ＯＮ／ＯＦＦ
や、画面切り替え等の信号が入力されることにより、ＣＰＵ４０１によりデジタル信号化
され、信号処理回路４０２に転送される。そして、信号処理回路４０２では、内蔵する記
憶手段と照合するなどして具体的な表示情報に変換される。その後、インタフェース手段
４を経由して、液晶表示装置１００に設けられた駆動用回路９１に送信されるように構成
してある。
ここで、信号処理回路４０２は、更に高速信号処理回路４０４と、低速信号処理回路４
０５と、から構成されていることが好ましい。この理由は、このような構成とすることに
より、動作モードを適宜切り替えることができるためである。すなわち、ＣＰＵ４０１は
、高速信号及び低速信号に適した駆動電圧および動作周波数になるように、動作モードを
切り替え、より少ない消費電力で動作することが可能となる。

（６）温度補償回路
又、図１に示すように、フレキシブル基板の一部、あるいは駆動用回路の一部に、温度
補償回路が設けてあることが好ましい。
この理由は、このような構成とすることにより、周囲温度が変化した場合であっても、
高周波信号を用いて、精度良く、かつ安定的に高速伝送することができるためである。
ここで、かかる温度補償回路３００は、例えば図１３に示すような回路を構成すること
が好ましい。より具体的には、温度依存性抵抗３５６の温度特性を利用し、温度依存性抵
抗３５６および抵抗３５７で分圧された第一の電圧Ｖ１と、抵抗３５８および抵抗３５９
で分圧された第二の電圧Ｖ２と、を第一のトランジスタ３６１および第二のトランジスタ
３６２から構成される比較回路３６７において比較する。次に、その出力を電圧Ｖ３とし
てＣＰＵ３６５に送り、ＣＰＵ３６５で判断処理して、環境温度が所定温度以上か否かを
判断し、その結果を駆動用回路９１に送ることで、温度変化に対応した表示情報を伝送す
ることが可能となる。

又、図１４（ａ）〜（ｃ）は、温度変化が生じた場合に、その変化に追随するように駆
動信号の印加電圧、印加時間を変化させる機構の一例を示している。
例えば、図１４（ａ）に示すように、環境温度が３０℃以下になった場合には、高温側
の場合と比較して、印加電圧の値を大きくしたり、図１４（ｂ）に示すように、温度が下
がるにつれて印加時間を長くしたりすることが好ましい。さらに、図１４（ｃ）に示すよ
うに、環境温度に対して印加電圧と印加時間の積を変化させることも好ましい。

［第２実施形態］
図１５は、本実施形態の電子機器の全体構成を示す概略構成図である。この電子機器は
、電気光学装置としての液晶パネル２０と、これを制御するための制御手段２００とを有
している。又、図１４中では、液晶パネル２０を、パネル構造体２０ａと、半導体素子（
ＩＣ）等で構成される駆動回路２０ｂと、に概念的に分けて描いてある。又、制御手段２
００は、表示情報出力源２０１と、表示処理回路２０２と、電源回路２０３と、タイミン
グジェネレータ２０４とを有することが好ましい。
又、表示情報出力源２０１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access
Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージ
ユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレー
タ２０４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信
号等の形で表示情報を表示処理回路２０２に供給するように構成されていることが好まし
い。

又、表示処理回路２０２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテー
ション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情
報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２０ｂへ供給す
ることが好ましい。さらに、駆動回路２０ｂは、第１の電極駆動回路、第２の電極駆動回
路及び検査回路を含むことが好ましい。又、電源回路２０３は、上述の各構成要素にそれ
ぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
そして、本実施形態の電子機器であれば、インタフェース手段の一部に、高周波信号を
送信するためのシールド線あるいはシールド線相当の伝送線を含んでいることから、駆動
用回路に対して、高周波信号を高速伝送することができる電気光学装置を備えており、明
るく、優れた画像表示を、少電力化に実現できる電子機器とすることができる。

本発明によれば、インタフェース手段の一部に、高周波信号を送信するためのシールド
線あるいはシールド線相当の伝送線を含んでいることから、駆動用回路に対して、高周波
信号を高速伝送することができるようになった。したがって、高周波信号の高速伝送化に
伴い、電気光学装置の画像特性の向上や少電力化に資することができるようになった。
よって、ＴＦＤ素子やＴＦＴ素子を備えた液晶表示装置等の電気光学装置や電子機器、
例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューフ
ァインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ
、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話
、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器、電子放出素子を備えた装置（ＦＥＤ:Fie
ld Emission DisplayやＳＣＥＥＤ：Surface-Conduction Electron-Emitter Display）な
どに幅広く適用することができる。

所定のインタフェース手段を備えた液晶表示装置の概略斜視図である。 液晶表示装置を構成する液晶パネルの概略斜視図である。 液晶表示装置を模式的に示す概略断面図である。 インタフェース手段におけるシールド線の配置構成を説明するために供する図である。 インタフェース手段におけるＵＴＰラインの配置構成を説明するために供する図である。 マイクロストリップラインにおけるシールド線の線幅と、フレキシブル基板の厚さとの関係を説明するために供する図である。 マイクロストリップラインにおけるシールド線の線幅と、フレキシブル基板の厚さとの比と、特性インピーダンスとの関係を説明するために供する特性図である。 インタフェース手段におけるシールド線と、非シールド線との配置構成を説明するために供する図である。 インタフェース手段における平面形状と、シールド線の配線との関係を説明するために供する図である。 インタフェース手段におけるシールド線と、非シールド線と、フレキシブル基板との配置構成を説明するために供する断面図である。 インタフェース手段と、外部装置との接続を説明するために供する図である。 液晶表示装置と、外部装置との関係を説明するために供するブロック図である。 温度補償回路の構成を説明するために供する図である。 温度補償機構における温度と、電圧と、時間との関係を説明するために供する特性図である。 本発明の電子光学装置を備えた電子機器の概略構成を説明するために供するブロック図である。 従来のシールド線を備えた液晶表示装置を説明するために供する図である。

符号の説明

４：インタフェース手段、１２：第１の基板、１３：第１のガラス基板、１４：第２の基
板、２７：第２のガラス基板、１９：第１の配線パターン（走査電極）、２０：第２の配
線パターン（画素電極）、２６：データ線、２８：引回し配線、５０：シールド線あるい
はシールド線相当の伝送線、５１：非シールド線、５３：コネクタ、５３：アース配線、
９３：フレキシブル基板、９１：駆動用回路、１００：液晶表示装置、２００：液晶パネ
ル、２３０：シール材、２３２：液晶材料、３００：温度補償回路

Claims (13)

1. 基板と、当該基板に保持された電気光学材料と、駆動用回路と、当該駆動用回路に対し
   て信号を外部から入力するためのインタフェース手段と、を含む電気光学装置において、
   前記インタフェース手段の一部に、高周波信号を送信するためのシールド線を含むこと
   を特徴とする電気光学装置。
2. 前記シールド線として、マイクロストリップライン、コプレナーラインおよび同軸ライ
   ンの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記シールド線が複数本設けてあり、それらのインピーダンスが等しくしてあることを
   特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記インタフェース手段の主要素として、フレキシブル基板を備え、その表面にシール
   ド線が配線してあることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置
   。
5. 前記シールド線とともに、非シールド線が所定領域に配置してあることを特徴とする請
   求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記シールド線と、前記非シールド線と、が平面方向において交互に配置してあること
   を特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記シールド線と、前記非シールド線と、が上下方向に多層配置してあることを特徴と
   する請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 前記フレキシブル基板の一部に、同軸ライン用コネクタが形成してあることを特徴とす
   る請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 前記フレキシブル基板あるいは駆動用回路に、温度補償回路が設けてあることを特徴と
   する請求項１〜８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 前記インタフェース手段の一部に、前記シールド線のアースが形成してあることを特徴
    とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 前記シールド線を介して信号を伝送する通信速度を、１８０Ｍｂｐｓ以上の値とするこ
    とを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
12. 基板と、当該基板に保持された電気光学材料と、駆動用回路と、当該駆動用回路に対し
    て信号を外部から入力するためのインタフェース手段と、を含む電気光学装置において、
    前記インタフェース手段の一部に、高周波信号を送信するための配線として、ＵＴＰラ
    インを含むことを特徴とする電気光学装置。
13. 請求項１〜１２に記載されたいずれか一つの電気光学装置を備えることを特徴とする電
    子機器。

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