JP2006152377A - めっき装置及びめっき方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】
本発明の目的は、深い穴や深い溝又はアスペクト比の高い穴や溝を有する被めっき物表面に新しいめっき液を供給し易くし、高速でめっきができるめっき装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、めっき槽と、該めっき槽に配設した陽極板と、該陽極板に対向して配設する被めっき物を保持する保持手段とを有するめっき装置において、前記めっき槽はめっき液を一方向に流すめっき液流路を形成する流路壁を有し、該流路壁は前記被めっき物のめっきしたい被めっき物表面に対応した開口部を有することを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体基板上に金属皮膜を形成できる新規なめっき装置及びめっき方法に関する。
従来の半導体基板用めっき装置においては、被めっき物表面におけるめっき液流の形成は主に被めっき面にて消費される金属イオンや添加剤を供給することにあったため、高速でめっき液を流す必要はなく、めっき液貯槽からめっき液を被めっき面に供給し、そしてめっき液のイオン及び添加剤の濃度が均一になるように攪拌する程度であった。従来から行われているめっき液の攪拌では、深い穴や深い溝又はアスペクト比の高い穴や溝の中にめっきを施す場合に、これらの穴や溝の中のめっき液が更新されにくく、金属イオンや添加剤の供給は拡散によっていた。その結果、深い穴やアスペクト比の高い穴の中にめっきを施す場合は時間がかかっていた。
特許文献1には、めっき槽と、該めっき槽内に垂設した陽極板と、該陽極板に対向して垂設する被めっき物を真空保持するステージと、前記めっき槽の側面部に設けられた開口部に該ステージを押圧する押圧装置とを有するめっき装置及びめっき槽内に垂設された陽極板に対向させて垂設した被めっき物にめっきを施すめっき方法が開示され、更にめっき液攪拌部材を設けることが示されている。
特開2001-140099号公報
特許文献1においては、めっき液を攪拌する攪拌部材を有するが、その攪拌部材を高速に動作させて高速めっき液流を形成する方法も考えられるが、機構部の磨耗による塵埃の発生、故障等の発生、めっき液中への気泡の巻き込みなどが発生しやすい問題がある。
更に、小片の被めっき物の表面に高速なめっき液流は形成できても、直径200mm以上のサイズの被めっき物においても全面において一様な流速分布をもつ高速めっき液流を形成するのは困難であり、高速めっきが困難である。
本発明の目的は、深い穴や深い溝又はアスペクト比の高い穴や溝を有する被めっき物表面に新しいめっき液を供給し易くし、高速でめっきができるめっき装置及びめっき方法を提供することにある。
本発明は、めっき槽と、該めっき槽に配設した陽極板と、該陽極板に対向して配設する被めっき物を保持する保持手段とを有するめっき装置において、前記めっき槽はめっき液を一方向に流すめっき液流路を形成する流路壁を有し、前記めっき液流路に前記被めっき物のめっきしたい被めっき物表面に対応した開口部を有することを特徴とする。
前記陽極板及び被めっき物は、前記めっき槽に対して互いに垂設又は水平に配設したこと、前記保持手段は、前記開口部に前記被めっき物を押圧する押圧装置を有することのいずれか又は組み合わせが好ましい。
前記流路壁によって形成されるめっき液流路の厚さは前記被めっき物表面において一様であり前記被めっき物表面において一様な流速分布を有し一定方向の高速めっき液流を連続して形成しながらめっきを行うこと、前記めっき槽の下部に前記めっき液に渦流を発生させる渦発生器と該渦発生器に前記めっき液を送る循環ポンプとを有し前記渦発生器と循環ポンプとによって前記めっき液流路を形成すること、前記めっき液流路における前記めっき液の流速を可変とする制御手段を有し流速が可変な高速なめっき液流を形成しながらめっきを行うことのいずれか又は組み合わせを有することが好ましい。従来の機械的な攪拌機構を用いないため、めっき液攪拌部材における磨耗による発塵、故障を極力少なくできる。
前記めっき槽は、前記めっき液流路を含む前記めっき液の循環系を有し、該循環系がほぼ密閉構造を有することにより、めっき槽を含むめっき液循環系をほぼ密閉構造とすることにより、ポンプから吐出されためっき液と同じ量のめっき液がポンプに吸引されるため、めっき液の増減がなくめっき液がめっき槽から溢れたり、或いは液量減少による液面低下を防止できること、前記めっき液流路は前記開口部において前記厚さが最も小さくなっていること、前記流路壁は前記渦発生器の部分から前記めっき液流路の厚さが順次小さくなり、前記被めっき物表面以降の前記めっき液流路の厚さが順次大きくなることのいずれか又は組み合わせを有することが好ましい。
前記渦発生器によって形成された前記渦の向きを前記めっき液流路に沿う方向とし、前記循環ポンプからの垂直方向の流れを水平方向に沿う方向にする円盤状のディフューザを有すること、そのディフューザは複数個有しそれらの各々の高さ方向の位置が可変であり、各々の高さ位置を調整することにより、前記渦の流れでる方向を調節できるようにすること、前記制御手段が周波数制御によるインバータであること、前記流路壁は、前記陽極板又は前記めっき液が通過しないセラミック多孔質板からなることのいずれか又は組み合わせを有することが好ましい。
前記めっき槽内の前記めっき液面が前記めっき液循環流路よりもわずか高く保持され、このわずかな隙間から空気が巻き込まれないように前記めっき液の循環を調整することにより、空気が巻き込まれることを防止すること、めっき槽内にある空気が自動的に排出できる構造を有すること前記被めっき物は、直径が200mm以上であることのいずれか又は組み合わせを有することが好ましい。
前記めっき槽に新たなめっき液を供給するめっき液貯槽を有し、前記めっき槽とめっき液貯槽とを繋ぐ循環経路を有し、前記めっき槽内のめっき液を常時更新できること、前記めっき液流路の断面積を可変できる構造を有し、前記被めっき物表面における前記めっき液流の流速をより高速化できること、前記めっき液流路の入口側に前記めっき液流の障害となる障害物が複数配置され、該傷害物によって前記めっき液流にカルマン渦を発生させ、前記被めっき物表面に複雑なめっき液流の乱れを形成することのいずれか又は組み合わせを有することが好ましい。
又、本発明は、めっき槽に配設した陽極板に対向して配設した被めっき物にめっきを形成するめっき方法において、前記めっき槽内に形成された所定の通路を通してめっき液を一方向に流すめっき液流路を形成し、該流路の前記めっき液に前記被めっき物のめっきしたい被めっき物表面を接触させて前記めっきを行うことを特徴とする。
前記めっき液流路における前記めっき液に乱流領域にある該高速なめっき液流を形成しながらめっきを行うことが好ましい。
即ち、本発明は、めっきしたい被めっき表面の全面にめっき液の一様な流速分布をもつ高速めっき液流を連続的に形成すると共に、機構部寿命、機構部からの発塵、高速めっき液中への空気の巻き込みなどの問題を排除する手段として、めっき液循環ポンプのみで高速めっき液流を形成するものである。
又、被めっき物表面の液流方向の流速低下を防止するために、めっき槽を含むめっき液流路をほぼ密閉空間とし、ポンプから吐出されるめっき液と同量のめっき液がポンプに吸引される循環系を形成する。
そして、被めっき物表面の液流速度を高速にするために、被めっき物とそれに対向する流路壁の間隔を狭くし、この間隔は必要なポンプを小型化するために、10mm以下が望ましい。
流路方向と直角方向の流速分布を一様とするために、被めっき物表面の流路の入口と出口をスリット状にし、またこの入口と出口に繋がる流路を曲率を持った流路とし、この入口側の流路は徐々に広くなり、出口側の流路は徐々に広くすることによって、めっき液のながれがスムースとなり流速分布を一様にすることを可能にする。
本発明によれば、深い穴や深い溝又はアスペクト比の高い穴や溝を有する被めっき物表面に新しいめっき液を供給し易くし、高速でめっきができるめっき装置及びめっき方法を提供することができる。
以下、本発明を実施するための最良の形態を具体的な実施例によって説明する。
図1は、本発明に係る高速めっき装置の全体構成図である。被めっき物4のめっきしたい表面ではめっき液の一様な流速分布を持つ高速めっき液流を形成するためのめっき液流路を有し、めっき槽1、配管2、循環ポンプ3及び渦発生器18により構成する。めっき槽1の循環経路はほぼ密閉構造を有し、循環ポンプ3からめっき槽1に送り込まれためっき液の量と同じ量が同じポンプに吸引されるため、高速でめっき液を循環してもめっき液がめっき槽1から溢れたり、液面が低下することが無い。
めっき槽1に新たなめっき液を供給するめっき液貯槽24を有し、めっき槽1とめっき液貯槽24とを繋ぐ循環ポンプ23による循環経路によりめっき液供給口9からめっき槽1に供給され、めっき槽1内のめっき液を常時更新できる。めっき槽1内に供給されためっき液は循環ポンプ3により循環しているめっき液と混ざり、循環経路の一部に開けられた開口部26を通過して、堰27及び28からオーバーフローし、めっき液貯槽24に戻る。
図2は、図1のめっき装置においてホルダ式めっき装置におけるめっき槽の平面断面図である。図2に示すように、ホルダ式めっき装置は、めっき槽1と、めっき槽1に垂設した陽極板6と、陽極板6に対向して垂設した被めっき物4を保持する保持手段31とを有し、めっき槽1はめっき液を一方向に流すめっき液流路13を形成する流路壁5を有し、流路壁5は被めっき物4のめっきしたい被めっき物表面に対応した開口部を有する。被めっき物4は、直径が200mm以上の半導体基板である。図示されていないが、被めっき物4に対して陰極電極と陽極板6との間に電解を付加するめっき電源を有する。
陽極板6及び被めっき物4は、めっき槽1に対して互いに垂設し、被めっき物4の保持手段としてホルダ31が用いられる。流路壁5によって形成されるめっき液流路13の厚さは被めっき物4の表面において一様であり、被めっき物表面において一様な流速分布を有し一定方向の高速めっき液流を連続して形成しながらめっきを行うことができる。
めっき槽1の下部にはめっき液に渦流を発生させる渦発生器18と渦発生器にめっき液を送る循環ポンプ3とを有し、渦発生器18と循環ポンプ3とによってめっき液流路13を形成する。めっき液流路13におけるめっき液の流速を可変とする制御手段として周波数制御によるインバータ25を有し、流速が可変な高速なめっき液流を形成しながらめっきを行うことができる。
めっき液流路13は被めっき物4のめっき面開口部において厚さが最も小さくなっている。流路壁5は渦発生器18の部分からめっき液流路13の厚さが順次小さくなり、又、被めっき物表面以降のめっき液流路13の厚さが順次大きくなっている。循環ポンプ3から送られるめっき液は渦発生器18によって渦流が発生し、めっき槽入口10から流路11と通ってめっき液流路13に流入し、めっき槽出口8を通って循環ポンプ3に吸引され、再び渦発生器18へと戻り循環を形成する
又、めっき槽1内のめっき液面がめっき液循環流路13よりもわずか高く保持され、このわずかな隙間から空気が巻き込まれないようにめっき液の循環を調整することにより、空気が巻き込まれることが防止される。めっき槽1内にある空気が自動的に排出できる構造を有する。
流路壁5は、陽極板6によって代用でき又はめっき液が通過しないセラミック多孔質板からなることのいずれでもよい。
従来の機械的な攪拌機構を用いないため、めっき液攪拌部材における磨耗による発塵、故障を極力少なくできる。
又、本実施例により、めっき槽1に配設した陽極板6に対向して配設した被めっき物4にめっきを形成するめっき方法において、めっき槽1内に形成された所定の通路を通してめっき液を一方向に流すめっき面において一様の流速を有するめっき液流路13を形成し、めっき液流路13のめっき液に被めっき物4のめっきしたい被めっき物表面を接触させてめっきを行うことができる。
めっき液流路13におけるめっき液に乱流領域にある高速なめっき液流を形成しながらめっきを行うことが好ましい。
図3は、図2のA-A断面図である。被めっき物4はめっき槽1内に垂設する。めっき部流路13を挟んで対向面の流路壁5は陽極板6或いは導電性のある板とする。めっき電流をこの流路壁5(陽極板)と被めっき物の間に流すことによりめっきを行う。流路壁5を陽極板としない場合は、陽極板6を設ける。
堰27及び28の高さはめっき部流路13の天井より液面が高くなるように設定してあり、めっき部流路13の天井の僅かな隙間から空気が侵入しないように、めっき液がシールの役目をしている。めっき液循環経路の中に溜まった空気は空気抜き穴29から自動的に排出される。
そして、被めっき物4表面の液流速度を高速にするために、被めっき物4とそれに対向する流路壁5の間隔を狭くし、この間隔は必要な循環ポンプ3を小型化するために、10mm以下が望ましい。
流路方向と直角方向の流速分布を一様とするために、被めっき物1表面のめっき液流路13とその入口と出口をスリット状にし、またこの入口と出口に繋がるめっき液流路13を曲率を持った流路とし、この入口側のめっき液流路13は流れに対して徐々に厚さが小さくなり、出口側の流路は徐々に広くすることによって、めっき液のながれがスムースとなり流速分布を一様にすることを可能にする。
めっき槽1は、めっき液流路13を含むめっき液の循環経路を有し、循環経路がほぼ密閉構造を有することにより、めっき槽1を含むめっき液循環経路をほぼ密閉構造とすることにより、循環ポンプ3から吐出されためっき液と同じ量のめっき液が循環ポンプ3に吸引されるため、めっき液の増減がなくめっき液がめっき槽から溢れたり、或いは液量減少による液面低下を防止でき、高速めっきが可能となる。
図4は、めっき槽内の高速めっき液流と渦発生器による渦の形成状況を示す断面図である。渦発生器18によって形成された渦22の向きをめっき液流路13に沿う方向とし、循環ポンプ3からの垂直方向の流れを水平方向に沿う方向にする円盤状のディフューザ19を有し、そのディフューザ19は支持棒に複数個有しそれらの各々の高さ方向の位置が可変に固定され、各々の高さ位置を調整することにより、渦22の流れでる方向を調節できるようにする。
めっき槽入口7の上に複数の円盤状のディフューザ19を設け、このディフューザ19は高さが調整可能である。このディフューザ19により渦流方向を更に横向きに整流する。ディフューザ19の高さを調整することにより、縦方向位置における渦流の強さを可変とし、高速めっき液流17の流速分布を一様にする効果がある。
図5は、渦流発生器の断面図である。内部にはめっき液が通過するめっき液通過穴20が傾きを持って、円周上に並んでいる。このめっき液通過穴20を通過しためっき液は渦21を発生させる。このめっき液通過穴20の傾き方向はめっき槽前室10内の渦22の向きが流路11内の流れ方向と一致する方向とする。これにより渦の流れが運動エネルギーを保った状態で、流路11を経由してめっき部流路13に流れることにより高速めっき液流17を形成できる。
図6は、ウエハステージ式めっき装置における高速めっき槽の平面断面図である。図7は、図6のB-B断面図である。このめっき槽1の構造は被めっき物4としてウエハであり、図2の構造のホルダ31に代えてウエハステージ30を有するもので、他の構造は同一である。めっき槽入口7の周辺は円形断面で、渦が巻きやすい形状としている。渦発生器18により発生した渦流はめっき槽前室10でも渦となり流路11に押し出される。陽極板6及び被めっき物4は、めっき槽1に対して互いに垂設し、被めっき物4保持手段としてウエハステージ30は、開口部に被めっき物4を押圧する押圧装置32を有する。押圧装置32は、ウエハステージ30に球面軸受けを通して結合され、回転アームに設けられた加圧手段によって被めっき物4をめっき槽1に押し付けることができる。回転アームは被めっき物4の取り付け取り外しができるようにウエハステージ30を移動することができる。
又、渦流22を発生させない場合はめっき槽入口7からの液流の上方向のみとなり、高速めっき液流17は上部のみが極端に速い流れとなる。渦流22を生成することにより循環ポンプ3からの上方向の液流を横方向に転換する効果がある。これにより高速めっき液流17の流速分布が改善される。
流路11は壁面が曲率を持っており、徐々に狭くなっておりここで、めっき液をスムースに加速する。めっき部流路入口12、めっき部流路13及びめっき部流路出口14はスリット状になっており、ここをめっき液が高速に流れる。流路15は曲率をもっておりめっき液はここで減速されてめっき槽出口8から循環ポンプ3に吸い込まれる。これらの流路はほぼ密閉空間となっており、循環ポンプ3から送り込まれためっき液と同じ量のめっき液を吸引する循環系とすることにより、被めっき物表面に一様な流速分布の高速めっき液流が形成される。
めっき液流路13の断面積を可変できる構造とし、被めっき物4表面におけるめっき液流の流速をより高速化できる。
図8は、めっき槽1のめっき液入口7からめっき部流路13を含むめっき液流路の適当なる位置に高速めっき液流の障害となる障害物33を複数配置し、その傷害物33によって高速めっき液流にカルマン渦を発生させることにより、被めっき物表面に一定方向だけではない複雑なカルマン渦によるめっき液流の乱れ34を形成することも可能とする。
本実施例により、半導体基板などの被めっき物の深い穴や深い溝又はアスペクト比の高い穴や溝に対して新しいめっき液を供給し易くし、その結果、ボイドやシームの少ない完全充填めっきを行うことができ、又、めっきを含む被めっき面へのめっき時間を短縮することができ、直径200mm以上のサイズの被めっき物表面においても一様な流速分布を持つ高速めっき液流を形成することが可能である。
以上、本実施例によれば、被めっき物表面において一定方向からのみ高速めっき液流の流れを最適化することにより、被めっき物表面と、被めっき物の穴の中とで適当なるめっき液添加剤の濃度差が形成でき、被めっき物表面のめっき厚さを抑えながら、穴の中のめっきを促進できる。アスペクト比の高い深い穴や深い溝の中のめっき液の流れが加速され、攪拌効果により穴や溝の内部に残っているめっき液を被めっき物表面に流れるめっき液で更新することにより促進される。これにより穴や溝の内部にめっき用の金属イオンや添加剤の供給が促進され、これらの穴や溝にめっきを行うのに要する時間を大幅に短縮出来る。また、穴や溝の形状によってはカルマン渦を発生させて複雑な流れを形成することにより攪拌効果を高めることが可能である。
従来の機械的なめっき液の攪拌では、被めっき物表面の流れは断続的にならざるを得ないが、本実施例によれば、被めっき物表面において連続的に高速めっき液流を形成することができことにより、アスペクト比の高い深い穴や深い溝の中のめっき液の流れが加速され、めっき液の更新がより促進される。また、めっきの種類、めっきの形状によってはめっき中に流速を変更することによって、必要なめっき液の攪拌効果を得ることができる。
更に、本実施例によれば、被めっき面に極めて近い範囲のめっき液が更新されること、陽極板表面に極めて近い範囲のめっき液が更新されることによってめっき時間が短縮できる。
また、本実施例によれば、被めっき表面と被めっき穴の中でめっき液添加剤の濃度差が大きくなり、被めっき表面のめっき厚さを抑えながら、穴の中のめっきを促進できる。穴埋めめっきにおいては被めっき物表面のめっきは薄く保ちながら穴の中を高速にめっきできる。高速めっき液流を形成するに当たって、めっき液攪拌機構部の磨耗及び疲労等による寿命、発塵更にめっき液への空気の巻き込みの問題を排除し、量産装置に適用可能とする。
図9及び10は、被めっき物を水平に保持してめっきを行うめっき装置の正面図及び断面図である。本実施例においても、図1と同様のめっき装置として全体構成を有し、又、図2に示すめっき槽1のウエハステージ30をめっき槽1の下部に設置する構造を有する。陽極板6及び被めっき物4は、めっき槽1に対して互いに水平に配設すると共に、被めっき物4は、めっき槽1に対して上向きにし、保持手段としてウエハステージ30は、開口部に被めっき物4を押圧する押圧装置32を有する。めっき液流路13の流れ方向の厚さは可変できる構造を有し、めっき液の流速を可変にできる。
本実施例においては、そのめっき装置は実施例1の被めっき物4を水平にした点以外は同様の構造を有し、高速めっきが可能であり、同様の効果を有するものである。
本発明に係るめっき装置の全体構成図である。 図1のめっき装置においてホルダ式めっき装置におけるめっき槽の平面断面図である。 図1のA-A断面図である。 図1のめっき槽の正面断面図である。 図4の渦発生器の断面図である。 図1のめっき装置においてウエハステージ式めっき装置におけるめっき槽の平面断面図である。 図7のB-B断面図である。 図1の障害物により高速めっき液流の乱れを発生させる構造の図である。 被めっき物を水平にしてめっきを行うめっき装置におけるめっき槽の正面断面図である。 図9のC-C断面図である。
符号の説明
1…めっき槽、2…配管、3…循環ポンプ、4…被めっき物、5…流路壁、6…陽極板、7…めっき槽入口、8…めっき槽出口、9…めっき液供給口、10…めっき槽前室、11…流路、12…めっき部流路入口、13…めっき液流路、14…めっき部流路出口、15…流路、16…めっき液面、17…高速めっき液流、18…渦発生器、19…ディフューザ、20…めっき液通過穴、21、22…渦流、23…循環ポンプ、24…めっき液貯槽、25…インバータ、26…開口、27、28…堰、29…空気抜き穴、30…ウェハステージ、31…ホルダ、32…押圧装置、33…障害物、34…カルマン渦による液流の乱れ、35…めっき液排出口。

Claims (20)

  1. めっき槽と、該めっき槽に配設した陽極板と、該陽極板に対向して配設する被めっき物を保持する保持手段とを有するめっき装置において、前記めっき槽はめっき液を一方向に流すめっき液流路を形成する流路壁を有し、前記めっき液流路に前記被めっき物のめっきしたい被めっき物表面に対応した開口部を有することを特徴とするめっき装置。
  2. 請求項1において、前記陽極板及び被めっき物は、前記めっき槽に対して互いに垂設又は水平に配設する配設構造を有することを特徴とするめっき装置。
  3. 請求項1又は2において、前記保持手段は、前記開口部に前記被めっき物を押圧する押圧装置に結合されていることを特徴とするめっき装置。
  4. 請求項1〜3のいずれかにおいて、前記流路壁によって形成されるめっき液流路の厚さは前記被めっき物表面において一様であり、前記被めっき物表面において一様な流速分布が形成されることを特徴とするめっき装置。
  5. 請求項1〜4のいずれかにおいて、前記めっき液に渦流を発生させる渦発生器と、該渦発生器に前記めっき液を送る循環ポンプとを有し、前記渦発生器と循環ポンプとによって前記めっき液を前記めっき槽の下部より前記めっき液流路に供給し、前記めっき槽の下部より排出させる循環経路を有することを特徴とするめっき装置。
  6. 請求項1〜5のいずれかにおいて、前記めっき槽は、前記循環ポンプから吐き出される前記めっき液の量と同じその量の前記めっき液が吸引されるように循環する前記循環経路を含めほぼ密閉構造を有することを特徴とするめっき装置。
  7. 請求項1〜6のいずれかにおいて、前記めっき液流路における前記めっき液の流量を可変とする制御手段を有することを特徴とするめっき装置。
  8. 請求項1〜7のいずれかにおいて、前記めっき液流路は前記開口部において前記厚さが最も小さくなっていることを特徴とするめっき装置。
  9. 請求項1〜8のいずれかにおいて、前記めっき液流路は、前記渦発生器の部分からその厚さが順次小さくなり、前記被めっき物表面以降の厚さが順次大きくなることを特徴とするめっき装置。
  10. 請求項5〜9のいずれかにおいて、前記渦発生器によって形成された前記渦の向きを前記めっき液流路に沿う方向とし、前記循環ポンプからの垂直方向の流れを水平方向に沿う方向にするディフューザを有することを特徴とするめっき装置。
  11. 請求項10において、前記ディフューザは、複数個有し、それらの各々の高さ方向の位置が可変であり、各々の高さ位置を調整することにより、前記渦の流れを調節できることを特徴とするめっき装置。
  12. 請求項7において、前記制御手段が周波数制御によるインバータであることを特徴とするめっき装置。
  13. 請求項1〜12のいずれかにおいて、前記流路壁は、前記陽極板又は前記めっき液が通過しないセラミック多孔質板からなることを特徴とするめっき装置。
  14. 請求項1〜13のいずれかにおいて、前記めっき槽内に配置した堰の高さにより前記めっき槽内のめっき液面が前記循環経路におけるめっき液面よりもわずか高く保持され、このわずかな隙間から空気が巻き込まれないことを特徴とするめっき装置。
  15. 請求項1〜14のいずれかにおいて、前記めっき槽に新たなめっき液を供給するめっき液貯槽と、前記めっき槽とめっき液貯槽とを繋ぐ配管とを有し、前記めっき槽内のめっき液を常時更新できることを特徴とするめっき装置。
  16. 請求項1〜15のいずれかにおいて、前記めっき液流路の断面積を可変できる構造を有し、前記被めっき物表面における前記めっき液流の流速をより高速化できることを特徴とするめっき装置。
  17. 請求項1〜16のいずれかにおいて、前記めっき液流路の入口側に前記めっき液流の障害となる障害物が複数配置され、該傷害物によって前記めっき液流にカルマン渦を発生させ、前記被めっき物表面に複雑なめっき液流の乱れを形成することを特徴とするめっき装置。
  18. めっき槽に配設した陽極板に対向して配設した被めっき物にめっきを形成するめっき方法において、前記めっき槽内に形成された所定の通路を通してめっき液を一方向に流れるめっき液流路を形成し、該めっき液流路の前記めっき液に前記被めっき物のめっきしたい被めっき物表面を接触させて前記めっきを行うことを特徴とするめっき方法。
  19. 請求項18において、前記めっき液流路において前記めっき液の流れが乱流領域にある高速液流を形成しながら前記めっきを行うことを特徴とするめっき方法。
  20. 請求項18又は19において、前記めっきしたい被めっき物表面の全面において前記めっき液が一様な流速分布を有することを特徴とするめっき方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010121185A (ja) * 2008-11-20 2010-06-03 C Uyemura & Co Ltd 処理液装置の処理液制御方法
CN106283166A (zh) * 2016-09-09 2017-01-04 西北工业大学 一种用于制备中空工件内表面Ni‑SiC复合镀层的装置
CN106567118A (zh) * 2016-09-30 2017-04-19 西北工业大学 制备中空工件内表面Ni‑SiC复合镀层的方法
CN107653483A (zh) * 2017-11-30 2018-02-02 河南恒星科技股份有限公司 免搅拌节能母槽
CN107675235A (zh) * 2017-11-30 2018-02-09 河南恒星科技股份有限公司 超细金刚石线锯上砂装置
CN113481574A (zh) * 2021-07-16 2021-10-08 江苏台祥自动化科技有限公司 一种自动化智能电镀系统
CN113493921A (zh) * 2020-04-08 2021-10-12 欧姆龙株式会社 局部电镀装置
KR20240020654A (ko) 2022-08-08 2024-02-15 에바라코포레이숀 정보 처리 장치, 추론 장치, 기계 학습 장치, 기판 도금 장치, 정보 처리 방법, 추론 방법, 및 기계 학습 방법

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010121185A (ja) * 2008-11-20 2010-06-03 C Uyemura & Co Ltd 処理液装置の処理液制御方法
CN106283166A (zh) * 2016-09-09 2017-01-04 西北工业大学 一种用于制备中空工件内表面Ni‑SiC复合镀层的装置
CN106567118A (zh) * 2016-09-30 2017-04-19 西北工业大学 制备中空工件内表面Ni‑SiC复合镀层的方法
CN107653483A (zh) * 2017-11-30 2018-02-02 河南恒星科技股份有限公司 免搅拌节能母槽
CN107675235A (zh) * 2017-11-30 2018-02-09 河南恒星科技股份有限公司 超细金刚石线锯上砂装置
CN113493921A (zh) * 2020-04-08 2021-10-12 欧姆龙株式会社 局部电镀装置
CN113481574A (zh) * 2021-07-16 2021-10-08 江苏台祥自动化科技有限公司 一种自动化智能电镀系统
CN113481574B (zh) * 2021-07-16 2024-03-08 江苏台祥自动化科技有限公司 一种自动化智能电镀系统
KR20240020654A (ko) 2022-08-08 2024-02-15 에바라코포레이숀 정보 처리 장치, 추론 장치, 기계 학습 장치, 기판 도금 장치, 정보 처리 방법, 추론 방법, 및 기계 학습 방법

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