JP2006147715A - 薄板生成装置および薄板生成方法 - Google Patents
薄板生成装置および薄板生成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006147715A JP2006147715A JP2004333413A JP2004333413A JP2006147715A JP 2006147715 A JP2006147715 A JP 2006147715A JP 2004333413 A JP2004333413 A JP 2004333413A JP 2004333413 A JP2004333413 A JP 2004333413A JP 2006147715 A JP2006147715 A JP 2006147715A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- crucible
- substrate
- thin plate
- melt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
【課題】 半導体材料の融液の湯面における湧出し位置が、基板の浸漬方向に対して直交する方向で対称の位置になるように、また湯面の盛上がり高さが0になるように調整して薄板の板厚分布を均一にする。
【解決手段】 坩堝22内に収容される半導体材料の融液21に基板25を浸漬し引上げて薄板を生成する薄板生成装置20は、坩堝22に対するコイル23の相対位置を修正するコイル設定位置修正手段28と、融液21の湧出し位置29を検出する湧出位置検出手段30と、融液21の湯面21aの盛上がり高さを調整する湯面高さ調整手段31とを備え、制御手段32によって、湧出し位置29の検出結果に応じて、基板25の浸漬位置と湧出し位置29との配置が好適になるようにコイル23の設定位置を修正するとともに、湯面21の盛り上がり高さを調整する。
【選択図】 図1
Description
坩堝に対するコイルの相対位置を修正するコイル設定位置修正手段と、
坩堝に収容される融液の液面である湯面が最高の盛上がり高さを示す位置である湧出し位置を検出する湧出位置検出手段と、
湯面の盛上がり高さを調整する湯面高さ調整手段と、
コイル設定位置修正手段、湧出位置検出手段および湯面高さ調整手段の動作を制御する制御手段とを含むことを特徴とする薄板生成装置である。
坩堝に収容される融液に対する基板の浸漬位置を調整する基板浸漬位置調整手段と、
坩堝に収容される融液の液面である湯面が最高の盛上がり高さを示す位置である湧出し位置を検出する湧出位置検出手段と、
湯面の盛上がり高さを調整する湯面高さ調整手段と、
基板浸漬位置調整手段、湧出位置検出手段および湯面高さ調整手段の動作を制御する制御手段とを含むことを特徴とする薄板生成装置である。
坩堝に収容される融液に基板を浸漬する方向に対して直交する方向に基板を移動させる基板左右移動手段であることを特徴とする。
湯面の温度分布を検出する湯面温度分布検出手段と、
湯面温度分布検出手段によって検出される湯面の温度分布の経時変化に基づいて湯面の流動方向を検出する流動検出手段とを含むことを特徴とする。
半導体結晶成長用の基板が坩堝に収容される融液中に浸漬されるとき、高周波電源の出力をオフにすることを特徴とする薄板生成方法である。
21 融液
22,41 坩堝
23,42 コイル
24 高周波電源
25 基板
26 浸漬手段
27 基板浸漬位置調整手段
28 コイル設定位置修正手段
29 湧出し位置
30 湧出位置検出手段
31 湯面高さ調整手段
32 制御手段
Claims (8)
- 半導体材料の融液を収容する坩堝と、坩堝の周りに巻きまわされるコイルと、コイルに高周波電力を供給する高周波電源と、半導体結晶成長用の基板を坩堝に収容される半導体材料の融液に浸漬させる浸漬手段とを備える薄板生成装置において、
坩堝に対するコイルの相対位置を修正するコイル設定位置修正手段と、
坩堝に収容される融液の液面である湯面が最高の盛上がり高さを示す位置である湧出し位置を検出する湧出位置検出手段と、
湯面の盛上がり高さを調整する湯面高さ調整手段と、
コイル設定位置修正手段、湧出位置検出手段および湯面高さ調整手段の動作を制御する制御手段とを含むことを特徴とする薄板生成装置。 - コイル設定位置修正手段が、
コイルを坩堝の周方向に角変位移動させるコイル周方向移動手段であることを特徴とする請求項1記載の薄板生成装置。 - コイル設定位置修正手段が、
コイルを仮想水平面内で2次元的に移動させるコイル水平移動手段であることを特徴とする請求項1記載の薄板生成装置。 - 半導体材料の融液を収容する坩堝と、坩堝の周りに巻きまわされるコイルと、コイルに高周波電力を供給する高周波電源と、半導体結晶成長用の基板を坩堝に収容される半導体材料の融液に浸漬させる浸漬手段とを備える薄板生成装置において、
坩堝に収容される融液に対する基板の浸漬位置を調整する基板浸漬位置調整手段と、
坩堝に収容される融液の液面である湯面が最高の盛上がり高さを示す位置である湧出し位置を検出する湧出位置検出手段と、
湯面の盛上がり高さを調整する湯面高さ調整手段と、
基板浸漬位置調整手段、湧出位置検出手段および湯面高さ調整手段の動作を制御する制御手段とを含むことを特徴とする薄板生成装置。 - 基板浸漬位置調整手段が、
坩堝に収容される融液に基板を浸漬する方向に対して直交する方向に基板を移動させる基板左右移動手段であることを特徴とする請求項4記載の薄板生成装置。 - 湧出位置検出手段が、
湯面の温度分布を検出する湯面温度分布検出手段と、
湯面温度分布検出手段によって検出される湯面の温度分布の経時変化に基づいて湯面の流動方向を検出する流動検出手段とを含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の薄板生成装置。 - 湯面高さ調整手段が、
コイルと、コイルに高周波電力を供給する高周波電源とを含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の薄板生成装置。 - 前記請求項1〜7のいずれか1つに記載の薄板生成装置を用いて、坩堝に収容される半導体材料の融液中に半導体結晶成長用の基板を浸漬し、次いで引上げて薄板を生成する薄板生成方法であって、
半導体結晶成長用の基板が坩堝に収容される融液中に浸漬されるとき、高周波電源の出力をオフにすることを特徴とする薄板生成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004333413A JP4294576B2 (ja) | 2004-11-17 | 2004-11-17 | 薄板生成装置および薄板生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004333413A JP4294576B2 (ja) | 2004-11-17 | 2004-11-17 | 薄板生成装置および薄板生成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006147715A true JP2006147715A (ja) | 2006-06-08 |
JP4294576B2 JP4294576B2 (ja) | 2009-07-15 |
Family
ID=36627068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004333413A Expired - Fee Related JP4294576B2 (ja) | 2004-11-17 | 2004-11-17 | 薄板生成装置および薄板生成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4294576B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006167777A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Shinko Electric Co Ltd | 固液界面検出装置、鋳造装置及び鋳造方法 |
JP2011513168A (ja) * | 2008-02-27 | 2011-04-28 | サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、(セーエヌエルエス) | 溶融状態における導電性材料の結晶生成方法 |
JP2012519650A (ja) * | 2009-03-09 | 2012-08-30 | 1366 テクノロジーズ インク. | 薄い半導体本体を溶融物質から作成するための方法及び装置 |
-
2004
- 2004-11-17 JP JP2004333413A patent/JP4294576B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006167777A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Shinko Electric Co Ltd | 固液界面検出装置、鋳造装置及び鋳造方法 |
JP2011513168A (ja) * | 2008-02-27 | 2011-04-28 | サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、(セーエヌエルエス) | 溶融状態における導電性材料の結晶生成方法 |
JP2012519650A (ja) * | 2009-03-09 | 2012-08-30 | 1366 テクノロジーズ インク. | 薄い半導体本体を溶融物質から作成するための方法及び装置 |
US9643342B2 (en) | 2009-03-09 | 2017-05-09 | 1366 Technologies, Inc. | Apparati for fabricating thin semiconductor bodies from molten material |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4294576B2 (ja) | 2009-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2019031436A (ja) | 低酸素シリコンインゴットの製造方法 | |
CN103255473B (zh) | 一种用于区熔炉的辅助加热装置及其单晶棒保温方法 | |
JPH107493A (ja) | シリコン半導体基板および太陽電池用基板の製造方法 | |
US20160230307A1 (en) | Apparatus and methods for producing silicon-ingots | |
TW201404956A (zh) | 用於生產錠料的設備和方法 | |
JP2011105575A (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
JP4294576B2 (ja) | 薄板生成装置および薄板生成方法 | |
KR101381326B1 (ko) | 실리콘으로 구성된 반도체 웨이퍼를 제조하는 방법 | |
US9938633B2 (en) | System for manufacturing a crystalline material by directional crystallization provided with an additional lateral heat source | |
EP2491168B1 (en) | Device for obtaining a multicrystalline semiconductor material, in particular silicon, and method for controlling the temperature therein | |
JP2011006314A (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
JP5829276B2 (ja) | 渦電流式厚さ測定装置 | |
CA2779659C (en) | Silicon electromagnetic casting apparatus | |
KR101105547B1 (ko) | 단결정 제조용 흑연 히터, 이를 포함하는 단결정 제조 장치및 방법 | |
WO2013122667A1 (en) | Method for achieving sustained anisotropic crystal growth on the surface of a melt | |
KR101411275B1 (ko) | 태양전지용 다결정 실리콘 제조장치 및 그 제조방법 | |
JP2005162507A (ja) | 多結晶半導体インゴット製造装置、多結晶半導体インゴットの製造方法および多結晶半導体インゴット | |
JP5371701B2 (ja) | 多結晶シリコンインゴットの製造装置及び多結晶シリコンインゴットの製造方法 | |
JP2019094251A (ja) | 単結晶製造方法 | |
US8912463B2 (en) | Plasma arc torch positioning apparatus | |
US20120285369A1 (en) | Method and apparatus for producing single crystals composed of semiconductor material | |
AU2013204598B2 (en) | Electromagnetic casting apparatus for silicon | |
WO2011108417A1 (ja) | サファイア単結晶の製造方法、サファイア単結晶引き上げ装置及びサファイア単結晶 | |
JP2010052993A (ja) | 単結晶育成装置用坩堝、単結晶育成方法、および単結晶育成装置 | |
JP2008156203A (ja) | 結晶成長装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060404 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090407 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090408 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120417 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120417 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130417 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130417 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |