JP2006147270A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 薄膜トランジスタを用いた発光装置であって、
   前記薄膜トランジスタに接続された第１電極と、該第１電極に対向配置された第２電極と、これら第１電極と第２電極との間に配設された発光層とを有してなる発光素子がマトリクス状に複数設けられ、
   前記薄膜トランジスタは、隣合う前記発光素子の境界部に設けられるとともに、島状に形成された半導体層と、該半導体層上に設けられたゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、該ゲート電極上および前記ゲート絶縁層上に設けられた層間絶縁層と、該層間絶縁層上に設けられたソース電極及び／又はドレイン電極とを有し、
   前記層間絶縁層は、前記薄膜トランジスタの形成領域から前記発光素子の形成領域まで跨って同層で形成され、屈折率の異なる複数の透光性誘電体層を有してなることを特徴とする発光装置。
2. 前記発光素子の形成領域に配置された前記層間絶縁層は、前記発光素子から発せられた光の共振機能を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記層間絶縁層上にソース電極及びドレイン電極が形成されてなることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
4. 前記第１電極が透光性の導電材料からなるとともに前記層間絶縁層上に形成されてなり、前記発光層で発せられた光は当該第１電極側から射出されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置。
5. 前記層間絶縁層が屈折率の異なる２種の透光性誘電体層を交互に積層してなることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光装置。
6. 前記ゲート絶縁層が、該ゲート絶縁層上に形成された層間絶縁層とは屈折率の異なる透光性誘電体層を有してなることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光装置。
7. 面内にマトリクス状に配設された複数の発光領域と、該発光部間に配設された駆動領域とを有してなる発光装置の製造方法であって、
   基材上の前記駆動領域に島状の半導体層を形成する工程と、
   前記半導体層を含む前記基材上に、前記発光領域及び前記駆動領域に跨る形でゲート絶縁層を形成する工程と、
   前記ゲート絶縁層上の前記駆動領域に島状のゲート電極を形成する工程と、
   前記ゲート電極を含む前記ゲート絶縁層上に、透光性の第１誘電体層と、同じく透光性で且つ前記第１誘電体層とは屈折率の異なる第２誘電体層とを交互に積層して、前記発光領域及び前記駆動領域に跨る形で層間絶縁層を形成する工程と、
   前記層間絶縁層上の前記駆動領域にソース電極及びドレイン電極を形成する一方、該層間絶縁層上の前記発光領域に透光性の第１電極を形成する工程と、
   前記第１電極上に発光層及び第２電極をそれぞれ形成する工程とを含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
8. 請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。