CN115172432A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开公开了显示面板及其制备方法、显示装置。显示面板包括：衬底基板；多个发光器件，位于衬底基板的一侧；发光器件面向衬底基板一侧的表面为发光器件的出光面；驱动电路层，位于衬底基板和发光器件之间；在发光器件的发光区对应的区域，驱动电路层包括透光部，透光部包括交替堆叠设置的低折射率透光绝缘层和高折射率透光绝缘层，低折射率透光绝缘层的折射率小于高折射率透光绝缘层的折射率。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diodes，OLED)器件具有自发光、广视角、高对比度等优点，广泛应用于手机、电视、笔记本电脑等产品智能产品中，又由于其质量轻、厚度薄、具有抗弯折性能的特点，是目前国内外众多学者的研究重点。

现有技术中，底发射OLED器件出光路径需要经过较多膜层，透光损失较大，造成底发射OLED显示产品发光效率低。

发明内容

本公开实施例提供的一种显示面板，显示面板包括：

衬底基板；

多个发光器件，位于衬底基板的一侧；发光器件面向衬底基板一侧的表面为发光器件的出光面；

驱动电路层，位于衬底基板和发光器件之间；在发光器件的发光区对应的区域，驱动电路层包括透光部，透光部包括交替堆叠设置的低折射率透光绝缘层和高折射率透光绝缘层，低折射率透光绝缘层的折射率小于高折射率透光绝缘层的折射率。

在一些实施例中，相邻的低折射率透光绝缘层与高折射率透光绝缘层的折射率之差大于0.2。

在一些实施例中，衬底基板与低折射率透光绝缘层相邻，且与衬底基板相邻的低折射率透光绝缘层的折射率小于衬底基板的折射率。

在一些实施例中，驱动电路层还包括：薄膜晶体管；薄膜晶体管包括：栅极，以及位于栅极背离衬底基板一侧的源极和漏极；

透光部包括：位于衬底基板与栅极之间的缓冲层，位于栅极与源极之间的第一绝缘层，以及位于源极和漏极背离衬底基板一侧的第二绝缘层；

第一绝缘层的折射率大于缓冲层的折射率，且第一绝缘层的折射率大于第二绝缘层的折射率。

在一些实施例中，缓冲层的折射率与第二绝缘层的折射率相等。

在一些实施例中，第一绝缘层的厚度大于缓冲层的厚度，且第一绝缘层的厚度大于第二绝缘层的厚度。

在一些实施例中，缓冲层的厚度等于第二绝缘层的厚度。

在一些实施例中，第一绝缘层、缓冲层以及第二绝缘层包括的材料相同。

在一些实施例中，衬底基板还包括：

平坦化层，位于发光器件与驱动电路层之间；平坦化层包括：透光材料，以及分散于透光材料的散射粒子。

在一些实施例中，散射粒子的质量分数大于等于5％且小于等于10％。

本公开实施例提供的一种显示面板的制备方法，包括：

在衬底基板的一侧形成驱动电路层；驱动电路层包括透光部，透光部包括交替堆叠设置的低折射率透光绝缘层和高折射率透光绝缘层，低折射率透光绝缘层的折射率小于高折射率透光绝缘层的折射率；

在驱动电路层背离衬底基板的一侧形成多个发光器件；发光器件面向衬底基板一侧的表面为发光器件的出光面；透光部与发光器件的发光区对应。

在一些实施例中，在衬底基板的一侧形成驱动电路层，具体包括：

在衬底基板的一侧形成缓冲层；缓冲层的折射率小于衬底基板的折射率；

在缓冲层背离衬底基板的一侧形成第一绝缘层；第一绝缘层的折射率大于缓冲层的折射率；

在第一绝缘层背离衬底基板的一侧形成第二绝缘层；第二绝缘层的折射率小于第一绝缘层的折射率。

在一些实施例中，在衬底基板的一侧形成缓冲层，具体包括：

在硅烷与一氧化二氮之比为第一预设比例的条件下，采用化学气相沉积工艺在衬底基板的一侧形成氧化硅作为缓冲层；

在缓冲层背离衬底基板的一侧形成第一绝缘层，具体包括：

在硅烷与一氧化二氮之比为第二预设比例的条件下，采用化学气相沉积工艺在缓冲层背离衬底基板的一侧形成氧化硅作为第一绝缘层；第一预设比例大于第二预设比例；

在第一绝缘层背离衬底基板的一侧形成第二绝缘层，具体包括：

在硅烷与一氧化二氮之比为第一预设比例的条件下，采用化学气相沉积工艺在第一绝缘层背离衬底基板的一侧形成氧化硅作为第二绝缘层。

在一些实施例中，在形成多个发光器件之前，方法还包括：

在驱动电路层背离衬底基板一侧形成平坦化层；平坦化层包括：透光材料，以及分散于透光材料的散射粒子。

本公开实施例提供的一种显示装置，显示装置包括本公开实施例提供的显示面板。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图2为本公开实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图3为本公开实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图4为本公开实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。

需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。

本公开实施例提供了一种显示面板，如图1所示，显示面板包括：

衬底基板1；

多个发光器件2，位于衬底基板1的一侧；发光器件2面向衬底基板1一侧的表面为发光器件2的出光面；

驱动电路层3，位于衬底基板1和发光器件2之间；在发光器件2的发光区对应的区域，驱动电路层3包括透光部4，透光部4包括交替堆叠设置的低折射率透光绝缘层5和高折射率透光绝缘层6，低折射率透光绝缘层5的折射率小于高折射率透光绝缘层6的折射率。

本公开实施例提供的显示面板，透光部包括交替堆叠设置的低折射率透光绝缘层和高折射率透光绝缘层，即透光部包括分布式布拉格反射结构(Distributed BraggReflector，DBR)，光在低折射率透光绝缘层和高折射率透光绝缘层之间的界面处发生干涉，从而可以使得特定波长范围内的光的透过率增大。即通过对低折射率透光绝缘层和高折射率透光绝缘层的折射率进行设置，可以提高透光部的光透过率，从而提高显示面板的发光效率。

在一些实施例中，相邻的低折射率透光绝缘层5与高折射率透光绝缘层6的折射率之差大于0.2。从而更有利于光在低折射率透光绝缘层和高折射率透光绝缘层之间的界面处发生干涉，更有利于提高光的透过率。

在一些实施例中，衬底基板1与低折射率透光绝缘层5相邻，且与衬底基板1相邻的低折射率透光绝缘层5的折射率小于衬底基板1的折射率。从而可以避免在衬底基板与透光部之间的界面发生全反射而导致光无法从衬底基板出射。

在一些实施例中，衬底基板为玻璃基板，玻璃基板的折射率约为1.5，则与玻璃基板相邻的低折射率透光绝缘层的折射率小于1.5。

在具体实施时，透光部中包括的低折射率透光绝缘层的数量与高折射率透光绝缘层的数量可以相同也可以不相同，只要低折射率透光绝缘层与高折射率透光绝缘层交替设置即可构成分布式布拉格反射结构。当透光部包括多层低折射率透光绝缘层时，多层低折射率透光绝缘层的折射率可以均相同，或者，多层低折射率透光绝缘层的折射率也可以不完全相同，或者，多层低折射率透光绝缘层的折射率均不相同。当透光部包括多层高折射率透光绝缘层时，多层高折射率透光绝缘层的折射率可以均相同，或者，多层高折射率透光绝缘层的折射率也可以不完全相同，或者，多层高折射率透光绝缘层的折射率均不相同。

在一些实施例中，如图2所示，驱动电路层3还包括：薄膜晶体管TFT；薄膜晶体管TFT包括：栅极G，以及位于栅极G背离衬底基板1一侧的源极S和漏极D；

透光部4包括：位于衬底基板1与栅极G之间的缓冲层7，位于栅极G与源极S之间的第一绝缘层8，以及位于源极S和漏极D背离衬底基板1一侧的第二绝缘层9；

第一绝缘层8的折射率大于缓冲层7的折射率，且第一绝缘层8的折射率大于第二绝缘层9的折射率。

如图2所示，即第一绝缘层8延伸至发光器件2的发光区对应的区域的部分作为透光部中的高折射率透光绝缘层6，缓冲层7以及第二绝缘层9延伸至发光器件2的发光区对应的区域的作为透光部中的低折射率透光绝缘层5。两层低折射率透光绝缘层5与一层高折射率透光绝缘层6交替设置。

在一些实施例中，缓冲层7的折射率与第二绝缘层9的折射率相等。

当透光部包括多层低折射率透光绝缘层时，多层低折射率透光绝缘层的折射率相等可以简化透光部的设计难度。

在具体实施时，缓冲层以及第二绝缘层的折射率例如约为1.47，第一绝缘层的折射率例如约为1.69。

在一些实施例中，第一绝缘层8的厚度大于缓冲层7的厚度，且第一绝缘层8的厚度大于第二绝缘层9的厚度。

即高折射率透光绝缘层的厚度大于低折射率透光绝缘层的厚度，更有利于光在低折射率透光绝缘层和高折射率透光绝缘层之间的界面处发生干涉，更有利于提高光的透过率。并且，高折射率透光绝缘层为位于栅极与源漏极之间的第一绝缘层，该层的厚度较厚可以保证薄膜晶体管的所需满足的性能。

在一些实施例中，第一绝缘层的厚度大于等于750纳米且小于等于850纳米，缓冲层的厚度以及第二绝缘层的厚度大于等于250纳米且小于等于350纳米。

在一些实施例中，缓冲层7的厚度等于第二绝缘层9的厚度。

在一些实施例中，第一绝缘层、缓冲层以及第二绝缘层包括的材料相同。

在具体实施时，第一绝缘层、缓冲层以及第二绝缘层均包括氧化硅(SiO_x)。

在一些实施例中，薄膜晶体管还包括：有源层。如图2所示，有源层13位于缓冲层7与栅极G之间；驱动电路层3还包括位于栅极G与有源层13之间的栅绝缘层14。第一绝缘层8为栅极G与源极S、漏极D之间的层间绝缘层，第二绝缘层9例如为钝化层。图2中，栅绝缘层14为图案化膜层，并未延伸至发光器件2的透光区。

需要说明的是图2以薄膜晶体管为顶栅结构为例进行举例说明。当然在具体实施时，薄膜晶体管也可以为底栅结构，即有源层位于栅极与源极、漏极之间。当薄膜晶体管为底栅结构时，第一绝缘层例如为有源层与栅极之间的栅绝缘层。

在一些实施例中，电致发光器件例如为有机发光二极管(OLED)。或者，电致发光器件也可以为微型发光二极管(Micro LED)、迷你发光二极管(Mini LED)等其它发光器件。接下来，本公开实施例均以发光器件为OLED为例进行举例说明。

在一些实施例中，如图2所示，发光器件2包括：阳极16、发光功能层17、阴极18；阳极16通过贯穿第二绝缘层9的过孔与薄膜晶体管TFT的漏极D电连接；显示面板还包括像素定义层15，像素定义层15具有多个开口区19；开口区19与发光器件2一一对应，开口区19露出阳极16的部分区域，像素定义层15覆盖阳极16的边缘；阳极16、发光功能层17、阴极18在开口区19堆叠设置。

在一些实施例中，多个发光器件的阴极可以一体连接。

在一些实施例中发光功能层包括有机发光层，还可包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等。

需要说明的是，发光器件面向衬底基板一侧的表面为其出光面，即发光器件为底发射器件。底发射器件可以实现在阴极实现光路全反射效果，提高发光器件的出光效率。当发光器件包括在开口区堆叠设置的阳极、发光功能层、阴极时，阴极例如可以为厚度较厚的金属层，阴极的材料例如包括银或铝，阴极的厚度例如大于或等于800埃且小于或等于1200埃。阳极例如包括氧化铟锡(ITO)，阳极的厚度例如可以是1000埃。

在一些实施例中，发光器件的发光区在衬底基板的正投影落入透光部在衬底基板的正投影内。在具体实施时，发光器件的发光区即为像素定义层的开口区对应的区域。

在一些实施例中，不同发光器件对应的不同透光部中相同膜层的折射率相同、厚度相同。例如，不同发光器件对应的区域，缓冲层的折射率均相同、缓冲层的厚度也均相同；不同发光器件对应的区域，第一绝缘层的折射率均相同、第一绝缘层的厚度也均相同；不同发光器件对应的区域，第二绝缘层的折射率均相同、第二绝缘层的厚度也均相同。

在具体实施时，显示面板划分为多个子像素，每个子像素例如对应一个发光器件，发光器件的发光区极为子像素的发光区。多个子像素例如包括多个红色子像素、多个蓝色子像素以及多个绿色子像素。

在一些实施例中，多个发光器件的发光颜色均相同。不同发光器件对应的不同透光部中相同膜层的折射率相同、厚度相同的情况下，每个发光器件发光区对应的区域均可以实现提高透光率。

在具体实施时，多个发光器件的发光颜色均相同的情况下，可以利用色转层实现出射红光、绿光、蓝光。例如，可以在衬底基板背离发光器件一侧设置量子点彩膜进行色转。若发光器件发白光，则需要在每个子像素区对应的区域均设置色转层。若发光器件发蓝光，则仅需要在红色子像素、绿色子像素对应的区域设置色转层。

或者，在具体实施时，多个发光器件包括：多个红光发光器件、多个蓝光发光器件、以及多个绿光发光器件。不同发光器件对应的不同透光部中相同膜层的折射率相同、厚度相同的情况下，在对透光部中包括的低折射率透光绝缘层、高折射率透光绝缘层的折射率、厚度进行设计时，可以考虑至少提高一种发光器件的光透过率。在提高显示面板光透过率的情况下，还可以平衡不同子像素之间的发光效率。

在一些实施例中，如图3所示，衬底基板1还包括：

平坦化层10，位于发光器件2与驱动电路层3之间；平坦化层10包括：透光材料11，以及分散于透光材料11的散射粒子12。

本公开实施例提供的显示面板，位于发光器件与驱动电路层之间的平坦化层包括散射粒子，从而可以减少发光器件发出的光在平坦化层与透光部之间的全反射，进一步提高发光器件的出光率。

在具体实施时，如图3所示，阳极16通过贯穿平坦化层10、第二绝缘层9的过孔与薄膜晶体管TFT的漏极D电连接。

在一些实施例中，平坦化层包括的透光材料为树脂。

在一些实施例中，散射粒子的材料为氧化锆(ZrO₂)。

在一些实施例中，散射粒子的质量分数大于等于5％且小于等于10％。

在一些实施例中，散射粒子的折射率约为2。

在一些实施例中，平坦化层的厚度大于等于1微米且小于等于2微米。

基于同一发明构思本公开实施例还提供了一种显示面板的制备方法，如图4所示，包括：

S101、在衬底基板的一侧形成驱动电路层；驱动电路层包括透光部，透光部包括交替堆叠设置的低折射率透光绝缘层和高折射率透光绝缘层，低折射率透光绝缘层的折射率小于高折射率透光绝缘层的折射率；

S102、在驱动电路层背离衬底基板的一侧形成多个发光器件；发光器件面向衬底基板一侧的表面为发光器件的出光面；透光部与发光器件的发光区对应。

本公开实施例提供的显示面板的制备方法，形成的驱动电路层的透光部包括交替堆叠设置的低折射率透光绝缘层和高折射率透光绝缘层，即透光部包括分布式布拉格反射结构，光在低折射率透光绝缘层和高折射率透光绝缘层之间的界面处发生干涉，从而可以使得特定波长范围内的光的透过率增大。即通过对低折射率透光绝缘层和高折射率透光绝缘层的折射率进行设置，可以提高透光部的光透过率，从而提高显示面板的发光效率。

在一些实施例中，在衬底基板的一侧形成驱动电路层，具体包括：

在衬底基板的一侧形成缓冲层；缓冲层的折射率小于衬底基板的折射率；

在缓冲层背离衬底基板的一侧形成第一绝缘层；第一绝缘层的折射率大于缓冲层的折射率；

在第一绝缘层背离衬底基板的一侧形成第二绝缘层；第二绝缘层的折射率小于第一绝缘层的折射率。

在一些实施例中，在缓冲层背离衬底基板的一侧形成第一绝缘层之前，还包括：

在缓冲层背离衬底基板的一侧形成有源层的图案；

在有源层背离衬底基板的一侧形成栅绝缘层的图案；

在栅绝缘层背离衬底基板的一侧形成栅极的图案。

在一些实施例中，在缓冲层背离衬底基板的一侧形成第一绝缘层之后、且在第一绝缘层背离衬底基板的一侧形成第二绝缘层之前，还包括：

在缓冲层背离衬底基板的一侧形成与阿基和漏极的图案。

在一些实施例中，在衬底基板的一侧形成缓冲层，具体包括：

在硅烷与一氧化二氮之比为第一预设比例的条件下，采用化学气相沉积工艺在衬底基板的一侧形成氧化硅作为缓冲层；

在缓冲层背离衬底基板的一侧形成第一绝缘层，具体包括：

在硅烷与一氧化二氮之比为第二预设比例的条件下，采用化学气相沉积工艺在缓冲层背离衬底基板的一侧形成氧化硅作为第一绝缘层；第一预设比例大于第二预设比例；

在第一绝缘层背离衬底基板的一侧形成第二绝缘层，具体包括：

在硅烷与一氧化二氮之比为第一预设比例的条件下，采用化学气相沉积工艺在第一绝缘层背离衬底基板的一侧形成氧化硅作为第二绝缘层。

在具体实施时，第二预设比例小于第一预设比例，从而第二预设比例形成的氧化硅层的折射率大于第一预设比例形成的氧化硅层的折射率。

本公开实施例提供的显示面板的制备方法，当透光部包括的各膜层的材料相同且均包括氧化硅的情况下，通过调整气相沉积工艺硅烷与一氧化二氮的比例来调整形成的氧化硅层的折射率，工艺简单易于实现，还可以简化显示面板的设计、制备难度。

在具体实施时，以缓冲层以及第二绝缘层的折射率约为1.47，第一绝缘层的折射率约为1.69为例，则第一预设比例约为1：5，第二预设比例约为1：30。

在一些实施例中，在形成多个发光器件之前，方法还包括：

在驱动电路层背离衬底基板一侧形成平坦化层；平坦化层包括：透光材料，以及分散于透光材料的散射粒子。

在具体实施时，例如将散射粒子与树脂混合，并散在驱动电路层背离衬底基板一侧涂覆射粒子与树脂混合后的材料形成平坦化层。

本公开实施例提供的一种显示装置，显示装置包括本公开实施例提供的显示面板。

本公开实施例提供的显示装置为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施例，重复之处不再赘述。

综上所述，本公开实施例提供的显示面板及其制备方法、显示装置，透光部包括交替堆叠设置的低折射率透光绝缘层和高折射率透光绝缘层，即透光部包括分布式布拉格反射结构，光在低折射率透光绝缘层和高折射率透光绝缘层之间的界面处发生干涉，从而可以使得特定波长范围内的光的透过率增大。即通过对低折射率透光绝缘层和高折射率透光绝缘层的折射率进行设置，可以提高透光部的光透过率，从而提高显示面板的发光效率。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

1.一种显示面板，其中，所述显示面板包括：

衬底基板；

多个发光器件，位于所述衬底基板的一侧；所述发光器件面向所述衬底基板一侧的表面为所述发光器件的出光面；

驱动电路层，位于所述衬底基板和所述发光器件之间；在所述发光器件的发光区对应的区域，所述驱动电路层包括透光部，所述透光部包括交替堆叠设置的低折射率透光绝缘层和高折射率透光绝缘层，所述低折射率透光绝缘层的折射率小于所述高折射率透光绝缘层的折射率。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，相邻的所述低折射率透光绝缘层与所述高折射率透光绝缘层的折射率之差大于0.2。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述衬底基板与所述低折射率透光绝缘层相邻，且与所述衬底基板相邻的所述低折射率透光绝缘层的折射率小于所述衬底基板的折射率。

4.根据权利要求1～3任一项所述的显示面板，其中，所述驱动电路层还包括：薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括：栅极，以及位于所述栅极背离所述衬底基板一侧的源极和漏极；

所述透光部包括：位于所述衬底基板与所述栅极之间的缓冲层，位于所述栅极与所述源极之间的第一绝缘层，以及位于所述源极和漏极背离所述衬底基板一侧的第二绝缘层；

所述第一绝缘层的折射率大于所述缓冲层的折射率，且所述第一绝缘层的折射率大于所述第二绝缘层的折射率。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述缓冲层的折射率与所述第二绝缘层的折射率相等。

6.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述第一绝缘层的厚度大于所述缓冲层的厚度，且所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述缓冲层的厚度等于所述第二绝缘层的厚度。

8.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述第一绝缘层、所述缓冲层以及所述第二绝缘层包括的材料相同。

9.根据权利要求1～3、5～8任一项所述的显示面板，其中，所述衬底基板还包括：

平坦化层，位于所述发光器件与所述驱动电路层之间；所述平坦化层包括：透光材料，以及分散于所述透光材料的散射粒子。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述散射粒子的质量分数大于等于5％且小于等于10％。

11.一种显示面板的制备方法，其中，所述方法包括：

在衬底基板的一侧形成驱动电路层；所述驱动电路层包括透光部，所述透光部包括交替堆叠设置的低折射率透光绝缘层和高折射率透光绝缘层，所述低折射率透光绝缘层的折射率小于所述高折射率透光绝缘层的折射率；

在所述驱动电路层背离所述衬底基板的一侧形成多个发光器件；所述发光器件面向所述衬底基板一侧的表面为所述发光器件的出光面；所述透光部与所述发光器件的发光区对应。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在衬底基板的一侧形成驱动电路层，具体包括：

在所述衬底基板的一侧形成缓冲层；所述缓冲层的折射率小于所述衬底基板的折射率；

在所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层；所述第一绝缘层的折射率大于所述缓冲层的折射率；

在所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘层；所述第二绝缘层的折射率小于所述第一绝缘层的折射率。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述衬底基板的一侧形成缓冲层，具体包括：

在硅烷与一氧化二氮之比为第一预设比例的条件下，采用化学气相沉积工艺在所述衬底基板的一侧形成氧化硅作为缓冲层；

在所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层，具体包括：

在硅烷与一氧化二氮之比为第二预设比例的条件下，采用化学气相沉积工艺在所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧形成氧化硅作为第一绝缘层；所述第一预设比例大于所述第二预设比例；

在所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘层，具体包括：

在硅烷与一氧化二氮之比为第一预设比例的条件下，采用化学气相沉积工艺在所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成氧化硅作为第二绝缘层。

14.根据权利要求11～13任一项所述的方法，其中，在形成所述多个发光器件之前，所述方法还包括：

在所述驱动电路层背离所述衬底基板一侧形成平坦化层；所述平坦化层包括：透光材料，以及分散于所述透光材料的散射粒子。

15.一种显示装置，其中，所述显示装置包括根据权利要求1～10任一项所述的显示面板。

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