JP2006147203A - 発光デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

発光デバイスおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006147203A
JP2006147203A JP2004332388A JP2004332388A JP2006147203A JP 2006147203 A JP2006147203 A JP 2006147203A JP 2004332388 A JP2004332388 A JP 2004332388A JP 2004332388 A JP2004332388 A JP 2004332388A JP 2006147203 A JP2006147203 A JP 2006147203A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
layer
emitting device
lens
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004332388A
Other languages
English (en)
Inventor
Norihisa Mino
規央 美濃
Takeo Anpo
武雄 安保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2004332388A priority Critical patent/JP2006147203A/ja
Publication of JP2006147203A publication Critical patent/JP2006147203A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】 ELデバイスの通常の発光はガラス基板上に設けられたインジウム錫酸化物合金(ITO)透明電極とその対極で挟まれた発光層と呼ばれる部分で行われるが、各層を形成する材料が異なるために屈折率も異なり、特にITO透明電極とガラス基板との界面とガラス基板と外気との間の界面では全反射が生じ、光取り出し効率は20〜30%にまで低下している。
【解決手段】 透明基板21と、前記透明基板21に対向配置される対極13と、前記透明基板21と前記対極13との間に配置される透明電極11と、前記透明電極11と前記対極13との間に配置される発光層12とを有し、さらに前記透明電極11と前記透明基板21との間に第1の光取り出し層14が配置されている。前記第1の光取り出し層14中には、前記発光層12から放出される光を前記透明基板21に向けて放出する少なくとも1つのレンズが埋設されている。
【選択図】 図1

Description

本発明は、発光デバイス及びその製造方法に関し、特にEL素子およびその製造方法に関する。
近年、携帯電話をはじめとするモバイル機器の用途や壁掛けテレビをはじめとする据え置き機器の用途で、様々な発光機構を有するディスプレイデバイスの開発研究が進められている。それらディスプレイのなかでも、EL素子は薄膜化、高輝度化、省エネルギー化が高いという期待からその実用化が積極的に進められている。
たとえば、上記の具体的な検討の例としては、基板の光取り出し側をレンズ構造にすることにより、光取り出し効率の増加を計った発光デバイスが提案され(特許文献1)、他の検討の例としては、光取り出し効率の向上を計った例が提案されている(特許文献2)。
特許第2773720号公報 特開2004−39500号公報
しかしながら、本発明者らは、上述した特許文献1、及び、特許文献2をはじめとする従来の発光デバイスでは、実用に見合う十分な光取り出し効率を未だ得られておらず、改善の余地があることを見いだした。
本発明は、上記従来技術の有する課題を鑑みて為されたものであり、光取り出し効率の減少を改善した発光デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、透明電極と発光層との間に、発光層から放出される光の集光を意図したレンズを含む層(光取り出し層)を設けることが上述した本発明の目的を達成する上で極めて有効であることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、透明基板と、前記透明基板に対向配置される対極と、前記透明基板と前記対極との間に配置される透明電極と、前記透明電極と前記対極との間に配置される発光層と、を少なくとも有する発光デバイスであって、前記透明電極は、前記発光層から放出される光に対する光透過性及び電気伝導性を有しており、前記透明基板は、前記発光層から放出される光に対する光透過性を有しており、前記電気伝導層と前記透明基板との間に配置される第1の光取り出し層がさらに配置されており、前記第1の光取り出し層中に、前記発光層から放出される光を屈折させて集光した状態で前記透明電極に向けて放出する少なくとも1つのレンズが埋設されていること、を特徴とする発光デバイスを提供する。
第1の光取り出し層を透明電極と透明基板との間に配置させた構成とし、更に、上述のように第1の光取り出し層中に少なくとも1つのレンズを設けることにより、発光層から放出される光(全方向へ放出される光)を屈折させて集光することができる。そのため、透明電極の上面(発光層からの光を放出する側の面)における、発光層から放出される光(全方向へ放出される光)の全反射の発生を従来の発光デバイスに比較して十分に低減できる。これにより、従来の発光デバイスに比較して発光層から放出される光を効率よく透明電極の上面からその外側に向けて放出させることができる。すなわち、本発明の発光デバイスでは、十分な光取り出し効率を得ることが可能となる。
ここで、本発明において、透明電極とは、電気伝導性及び発光層から放出される光に対する光透過性を有する層(たとえば、インジウム錫酸化物合金(ITO))のみからなる1層の構造からなる電極であってもよく、この層が発光層から放出される光に対する光透過性を有する透明基板(たとえばガラス基板)上に形成された積層体のような2層以上の積層体からなる電極であってもよい。
本発明では、透明電極が上記2層以上の積層体の場合であっても、上記の透明電極の上面における光の全反射、及び、各層間の界面における光の全反射を従来の発光デバイスに比較して十分に低減できるので、この場合であっても十分な光取り出し効率を得ることが可能となる。
一方、光取り出し層が設けられていないEL素子等の従来の発光デバイスの場合、例えば、ガラス基板上にITOからなる層を形成した構成の透明電極とその対極との間に配置された発光層を有するEL素子の場合には、以下のように、光の全反射による光損失の影響が大きくなっていたことを本発明者らは見出した。より詳しくは、上記従来のEL素子の場合、透明電極の各層を形成する材料が異なるために透明電極の各層の屈折率も異なっており、特に、ITO層とガラス基板との界面における光の全反射、並びに、ガラス基板の上面での光の全反射の発生が十分に低減されておらず、光取り出し効率は20〜30%にまで低下していることを本発明者らは見出した。
ここで、本発明において、レンズにおける光の集光を可能とするためには、レンズの屈折率、レンズの形状、レンズの数、レンズの大きさ、レンズの位置、更に、これらレンズの状態のばらつき、またレンズを埋包する周囲の物質の物性(特に屈折率)の関係を調節してデバイスを設計することにより行うことができる。
また、先に述べた本発明の効果をより確実に得る観点から、本発明においては、少なくとも1つのレンズは、発光層から放出され当該少なくとも1つのレンズを介して透明電極に向けて進行する光が透明電極の下面に対して略垂直に入射可能なように形成されていることが好ましい。
このように発光層から放出される全方向への発光光を透明電極の下面に対して略垂直に照射することにより、先に述べた透明電極の上面における光の全反射をより確実に防止することができる。更に、透明電極が上記2層以上の積層体の場合であっても、このように構成することにより、透明電極の上面における光の全反射とともに、各層間の界面における光の全反射もより確実に防止することができる。
すなわち、本発明は、透明電極と、前記透明電極に対向配置される対極と、前記透明電極と前記対極との間に配置される発光層と、を少なくとも有する発光デバイスであって、前記透明電極と外気との間に、第1の光取り出し層が更に配置されており、前記第1の光取り出し層中に、前記発光層から放出される光を屈折させるための少なくとも1つのレンズが埋設されていること、を特徴とする発光デバイスであり、ITO透明電極と外気の間にレンズを設けることで上記ガラス基板と外気の界面で全反射が起きる前に発光層からの全方向への発光をガラス基板面に垂直に照射することが可能となり、その結果、光取り出し効率を向上することができる。
すなわち、本発明は、前記第1の光取り出し層には、該第1の光取り出し層中における前記少なくとも1つのレンズの位置を固定するための枠体が、該第1の光取り出し層の上面、及び下面のうちの何れか一方の面に接して一体化された状態で形成されていること、を特徴とする発光デバイスであって、枠体でレンズを所定の位置に配置することにより、発光層から放出される光を均一に透明電極の上面に取り出すことができ光取り出し効率を向上することができる。
すなわち、本発明は、前記枠体が単分子膜からなり、前記単分子膜は、有機分子を用いて形成されており、かつ、前記第1の光取り出し層の上面に接する面及び前記第1の光取り出し層の下面に接する面のうちの何れか一方の面に共有結合で固定されていること、を特徴とする発光デバイスであって、枠体が単分子膜で形成されることにより枠体をナノメートルの厚みで形成することができ発光層と透明電極層との間に第1の光取り出し層を容易に構成することができる。
すなわち、本発明は、前記枠体が前記単分子膜と前記少なくとも1つのレンズと前記単分子膜により構成される凹凸面を平坦にするための平坦化層からなり、前記単分子膜は、有機分子を用いて形成されており、かつ、前記第1の光取り出し層の上面に接する面及び前記第1の光取り出し層の下面に接する面のうちの何れか一方の面に共有結合により固定されていること、かつ、前記平坦化層は、前記単分子膜及び前記レンズを被覆していること、を特徴とする発光デバイスであって、平坦化層を形成することにより発光デバイスの積層化を容易にすることができる。
ここで、本発明において、「下面」とは、1つの層が有する6つの面のうちの発光層と対峙しあう2つの面であって、対極により近い側の面を指す。
また、ここで、本発明において、「上面」とは、上記「下面」で規定した2つの面であって、対極より遠い側の面を指す。
また、ここで、本発明において、「透明電極」とは、発光層で正孔と電子との再結合により発生する光に対する光透過性を有する電極をいう。
また、ここで、本発明において、「枠体」とは、発光層で正孔と電子との再結合により発生する光に対する光透過性を有するものである。また、光取り出し層の下面、及び上面のうちの何れか一方の面に接して一体化された状態で形成されるものである。
また、ここで、本発明において「上方」とは、上記「上面」に対して、対極から遠ざかる方向を指す。
本発明によれば、高い光取り出し効率の発光デバイスを形成することが出来る。従来に比べてデバイスの光量を増加させることが出来るとともに、追加の効果として、従来と同等の光量を維持するのであれば、その駆動電力を下げることが可能になる。また、駆動電力により発光材料の劣化が著しい材料を用いた発光デバイスの場合は、その寿命を延ばすことも可能になる。
以下、図面を参照しながら本発明の発光デバイスの好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の発光デバイスの実施の形態1の基本構成を示す模式断面図である。図1に示す発光デバイス10は、透明電極11と対極13と発光層12と第1の光取り出し層14と、から構成されている。更に、当該光取り出し層14はレンズ15が埋設されている。更に、当該レンズ15は前記発光層12から放出される光を屈折させる機能を有している。更に、前記透明電極11と当該光取り出し層14は発光層12から発光する光を透過する機能を有している。更に、対極13は前記発光層12から発光される光を反射する、及び透過する機能のうちの何れか1つの機能を有している。
発光デバイス10は透明電極と対極により構成されるが、陽極と陰極という構成でもある。透明電極は陽極、陰極の何れか一方を為しており、対極は当該透明電極の対極の極を為す。
陰極材料としては、仕事関数の小さな金属、及び当該金属を含む合金、酸化物が使用される。その具体的な代表例としては、ナトリウム、リチウムなどのアルカリ金属単体、又はその合金(たとえば、アルミニウム−リチウム合金)である。また、カルシウム、マグネシウムなどのアルカリ土類金属単体、又はその合金(たとえば、マグネシウム−インジウム合金)である。合金はアルミニウム、銀、インジウムなどと為される。また、ガリウム、インジウムなど一部の第3族金属を用いることも可能である。
陽極材料としては、仕事関数の大きな金属や合金が使用可能である。インジウム錫酸化物合金(ITO)、インジウム亜鉛酸化物合金(IZO)、インジウム酸化物、スズ酸化物、金、ヨウ化銅、及びその派生材料がその代表例である。
前記発光層12は、低分子有機化合物、デンドリマー、高分子化合物が使用可能で、その代表例としては、アルミニウム−キノリノール錯体、ベリリウム−ベンゾキノリノール錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、キナクリドン誘導体、ペリレン系化合物、ジフェニルテトラセン、ルブレン、ユーロピウム錯体、白金ポルフィリン錯体、イリジウム錯体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリチオフェン類、ポリフルオレン類、ジスチルビフェニル誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ジアミノカルバゾール誘導体、クマリン系化合物、ナフタレン系化合物、ビススチリル系化合物、ピラジン系化合物、ポリベンゾカルバゾール類がある。更に、アルミニウム−キノリノール錯体の具体例としては、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(略号:Alq3)、また、ベリリウム−ベンゾキノリノール錯体の具体例としては、ビス(ベンゾキノリノラト)ベリリウム錯体、また、ユーロピウム錯体の具体例としては、トリ(ジベンゾイルメチル)フェナントロリンユーロピウム錯体、また、ジフェニルエチレン誘導体の具体例としては、ジトルイルビニルビフェニル、ポリパラフェニレンビニレン誘導体の具体例としては、ポリ(2−メトキシ−5−(2‘−エチルヘキシルオキシ)−1,4−(1−シアノビニレン)フェニレン)が挙げられる。
当該第1の光取り出し層14は、図1では、前記透明電極11の上面に設けられている。但し、前記透明電極の上面に必ずしも接して設ける必要はない。当該第1の光取り出し層にはレンズ15が配置され、発光層12で発光した光を屈折又は回折の作用を経て、当該光は外気に出射される。この操作で外気に出射する光の出射角が変更される。
次に、実施の形態1の変形形態を図2に示す。当該第1の光取り出し層14には枠体16が設けられている。当該枠体16は前記レンズ15を区分けする目的で設けられるものである。区分けは前記レンズ15の形状、位置、大きさを決定するために設けられ、本願の発光デバイスに係る光に対して透明性を有している必要がある。
次に、実施の形態1の変形形態を図3に示す。当該第1の光取り出し層14には枠体として、前記単分子膜18が設けられている。当該単分子膜18はレンズ15を区分けするために設けられる膜である。さらに平坦化膜19が設けられている。当該単分子膜18は、レンズ15を区分けするために設けられる膜である。当該平坦化膜19は、前記単分子膜と前記少なくとも1つのレンズと前記単分子膜により構成される凹凸面を平坦にするために設けられるものである。
前記単分子膜18を構成する有機分子としては、前記レンズ15を構成する材料を分離する機能を有していればよく特に限定されない。また上記分離する機能は前記単分子膜18を構成する有機分子の全体に有する必要はなく、少なくとも上記区分けの作用を及ぼす部分にあればよい。区分けの作用を及ぼす機能として例えば、疎水性、撥油性、非粘着性、非親和性が挙げられる。これは前記レンズ15を構成する材料との相関関係を示す性質であり、特定することは出来ない。上述の諸性質の列挙は常識的な見地から挙げたものである。これら諸性質を示すと考えられる具体的例としては、炭化水素基、フッ化炭素基が挙げられる。但し、前記レンズ15を構成する材料との相関関係を示すものであり、レンズ材料によっては逆の作用を及ぼすこともある。
また、前記単分子膜18は下地と共有結合により固定される。図3の例においては、下地は前記透明電極11になるが、下地はこれに定まるものではない。固定を呈する共有結合の形態は前記単分子膜18を構成する有機分子と上記下地との組合せにより決定されるものであるが、代表的な共有結合の形態として、製造の容易さの観点から、−Z−O−、−Z−N−、及び、−Z−S−からなる群より選択される少なくとも1種の構造が含まれている結合であることが好ましい。ここで、Zは、Si、Ti、Alからなる群から選択される原子である。
上記代表的な共有結合の形態を供するために必要な前記単分子膜18を構成する有機分子の官能基としては一般式(1)で表される特性を有していることが好ましい。
−Z−Dq ・・・(1)

r
ここで、式(1)中のDは、F、Cl、Br、I、−OH、−SCN、−NCO、及び、炭素数が1〜5のアルコキシ基からなる群より選択される少なくとも1種の原子又は原子団を示す。Eは、H、及び、炭素数が1〜3のアルキル基からなる群より選択される少なくとも1種の原子又は原子団を示す。qは1〜3の整数を示し、q+rは3である。ZはSi、Ti、Alからなる群から選択される原子である。
より具体的な前記単分子膜を構成する有機分子は一般式(2)で表される。
CFxy-(CF2m-(CH2n-ZDqr ・・・(2)
ここで、xは1〜3の範囲の整数で、かつ、yは0〜2の範囲の整数で、かつ、x+yは3を満たす数である。また、mは0〜18の整数で、かつ、nは0〜18の整数で、かつ、m+nは3以上で24未満である数である。ZはSi、Ti、Alからなる群から選択される原子である。Dは、F、Cl、Br、I、−OH、−SCN、−NCO、及び、炭素数が1〜5のアルコキシ基からなる群より選択される少なくとも1種の原子又は原子団を示す。Eは、H、及び、炭素数が1〜3のアルキル基からなる群より選択される少なくとも1種の原子又は原子団を示す。qは1〜3の整数を示し、q+rは3である。
さらに、一般的に分子配向性のよい単分子膜を形成するためには、その構成する有機分子は直鎖状であることが好ましく、その分子鎖長も直鎖部分の構成原子数で10以上あることが好ましい。
さらに前記単分子膜を構成するために有機分子は溶剤可溶性が必要となり、その観点から長鎖長は不溶性となるために不適となる。官能基の種類や数などにより溶解性は変化するが、一般的に前記構成原子数の表現で22以下であることが好ましい。
一般式(1)で表される有機分子の中では、単分子膜の均一性を十分に確保する観点及び単分子膜を形成する際に配列される有機分子の分子密度を十分に確保する観点から、下記(101)〜(127)で表される有機分子が好ましい。
CF3(CF27(CH22SiCl3 ・・・(101)
CF3(CH29SiCl3 ・・・(102)
CH2F(CH29SiCl3 ・・・(103)
CF3(CF24(CH22SiCl3 ・・・(104)
CF3(CF26SiCl3 ・・・(105)
CH3(CH29SiCl3 ・・・(106)
CH3(CH25SiCl3 ・・・(107)
CH3(CH26SiCl3 ・・・(108)
CF3(CF27(CH22Si(OCH33 ・・・(109)
CH3(CH29Si(OCH33 ・・・(110)
CF3(CF26Si(OCH33 ・・・(111)
CF3(CF27(CH22SiBr3 ・・・(112)
CH3(CH29SiBr3 ・・・(113)
CF3(CF26SiBr3 ・・・(114)
CF3(CF27(CH22Si(OCN)3 ・・・(115)
CH3(CH29SiH2Cl ・・・(116)
CF3(CF26SiH2Cl ・・・(117)
CF3(CF27(CH22SiH2Cl ・・・(118)
CH3(CH29SiH2Cl ・・・(119)
CF3(CF26SiH2Cl ・・・(120)
CF3(CF27(CH22Si(CH32(OCH3) ・・・(121)
CH3(CH29Si(CH32(OCH3) ・・・(122)
CF3(CF26Si(CH32(OCH3) ・・・(123)
CF3(CF22(CH22Al(OC253・・・(124)
CH3(CH24SnCl(C372 ・・・(125)
CF2H(CF22(CH22SiH2Cl・・・(126)
CF3(CF27(CH22TiCl(CH32・・・(127)
上記のような有機分子としては、例えば信越化学工業株式会社製のシランカップリング剤、ジーイー東芝シリコーン株式会社製のシランカップリング剤、チッソ株式会社製の有機シリコン、東レ・ダウコーニング株式会社製のシランカップリング剤、アズマックス株式会社製の特殊化学品などを挙げることができる。
また、1層の単分子膜の膜厚で好ましい値を示すと、5.0×10-10m〜3.4×10-9mの範囲となる。また、単分子膜を積み重ねることも可能で、多層の場合の膜厚の好ましい値を示すと、1×10-9m〜3×10-8mの範囲となる。このように単分子膜を構成する当該有機分子を積み重ねることにより、単分子膜の膜厚を増やすことも可能であるが、一般的に単分子膜18を積み重ねることにより分子配向性は崩れる可能性が多くなる。したがって、1層の単分子膜、単分子膜の多層に関わらず、より好ましい膜厚は、1.2×10-9m〜2.0×10-9mの範囲である。
前記下地の構成は、前記単分子膜18と共有結合を形成することから、前記単分子膜18を構成する有機分子と縮合反応可能な活性水素を有していることが好ましい。有機分子と縮合反応可能な活性水素を有する特性基としては、上記の縮合反応により有機分子と結合する側の末端部分に、−OH、−NH2、=N−H、及び、−SHからなる群より選択される少なくとも1種の構造を有するものであることがより好ましい。上記以外の特性基で、有機分子と縮合反応可能な活性水素を有する特性基としては、−SO3H、−SO2H、−PO3H、−PO32、及び、−CO2Hからなる群より選択される少なくとも1種の構造を有していることがより好ましい。
なお、有機分子と縮合反応可能な活性水素を有する特性基は、全体が下地面から露出した状態だけでなく、活性水素のみ又は活性水素を含む−OH、−SH、=N−H、−NH2の部分のみ下地面から露出した状態であり活性水素以外の部分が下地の内部に含まれている状態であってもよい。例えば、活性水素以外の部分が下地の内部に含まれている場合、活性水素以外の部分が下地の構成元素と結合していてもよい。より具体的には、例えば、下地の面近傍が光透過性を有する金属酸化物を構成材料として構成されている場合であって、特性基が−PO3Hの場合、−PO3H全体が下地面から露出していてもよく、−PO3Hのうちの−OHのみ露出しており、−PO2−の部分が下地内部に含まれていてもよい。下地内部に含まれる−PO2−の部分は−PO2−の状態のままでもよく、Pに結合した酸素が金属酸化物バルク中の金属原子(金属イオン)Mと結合して、例えば、−P−O−M−のような構造を有した状態となっていてもよい。
また、前記下地が樹脂材料の場合であっても上記特性基を有しておれば使用可能である。さらに、前記下地が樹脂材料であり、且つ上記特性基を有していない場合でも、物理的手法、化学的手法により上記下地の表面に上記特性基を形成出来るならば、当該下地は使用可能である。物理的手法の代表事例としてはプラズマ酸化処理、コロナ放電処理、オゾン酸化処理がある。また、化学的手法の代表事例としては、酸化剤(過マンガン酸カリウム)による酸化反応処理がある。
さらにまた、樹脂製の前記下地の表面をメッキ、蒸着、CVDの方法により上記活性水素又は活性水素を含む特性基を有する層を新たに設ける手法もある。なお、当然のことながら下地の透明性を必要とする場合は新たに設ける層も透明性を必要とする。新たな層の代表的例として酸化ケイ素からなる層がある。
前記レンズ15は対象となる光に対して光学的な効果を有する必要があり、少なくとも屈折率と透明性が求められる。屈折率は本発明要素の基材を含む各種の光学部品を総合的に光学設計して導出されるものであり、一概に規定することは出来ないが、通常1.3から1.7の範囲になる。ただし、無機材料(高屈折率無機微粒子)を有機材料に複合させることにより、より高屈折にすることも可能である。また、透明性であることは当然であるが、透明度の最低値は各種の光学部品との関連で定まるものであり、透光性の最低値を規定することが出来ないが、通常80%以上が求められる。
さらに、前記レンズ15を構成する材料は熱硬化性またはエネルギー線硬化性を有している必要がある。ここでエネルギー線とは紫外線、可視光線、電子線、エックス線で代表される活性放射線である。また、上記材料の主剤が高分子材料である場合と低分子材料(モノマー材料、オリゴマー材料)である場合の双方とも有効である。高分子材料の代表例としては、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、シリコーン樹脂、ポリカーボネイト、ポリメチルメタクリレート、メチルフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリスチレン、ジエチレングリコール、ビスアリルカーボネイト、アクリロニトリル、スチレン共重合体、メチルメタクリレート・スチレン共重合体、ポリプロピレンが挙げられる。また、低分子材料の代表例としては、ポリアミドオリゴマー、アクリルモノマー、不飽和ポリエステルオリゴマー、ポリアクリルオリゴマー、エンチオールモノマー、アルキルポリシロキサンオリゴマーが挙げられる。
また、前記レンズ15を構成する材料として、無機材料も使用可能である。いわゆるゾル−ゲル法が適用出来る材料であればよく、金属有機化合物の例として、金属アルコキシド(一般式M(OR)nで表される。ここで、Mは金属元素、Rはアルキル基、nは金属元素の酸化数である。代表例としては、テトラエトキシシラン、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウムブトキシド、シリコンテトラエトキシド、チタンイソプロポキシド)、金属アセチルアセテート(代表例としては、インジウムアセチルアセテート、亜鉛アセチルアセテート)、金属カルボキシレート(金属有機塩酸)(代表例としては、シュウ酸バリウム、ステアリン酸イットリウム)が使用可能である。
これらレンズ形成材料の金属無機化合物、または金属有機化合物の酸化物固体は非晶質セラミック、または結晶質セラミックのいずれの形態であっても適用可能である。
レンズ形成は上述の無機材料をアルコールと水の混合溶液(ゾル)を作成する。必要に応じて加温することもある。このゾルを前記下地のレンズ載置場所に設け、その後、加熱してガラス化を行うことでレンズを形成することが出来る。有機材料によりレンズ形成するときも注意が必要であるが、特に上述の無機材料を本製法でレンズ形成した場合は体積の減少が生じることを十分に考慮することが必要である。
前記レンズ15を構成するレンズ材料は前記下地の表面を前記単分子膜18で被覆していない箇所に設けられる。上記レンズ材料が載置される前記基材表面と前記単分子膜から形成される窪みの体積は5×10-253〜2×10-163の範囲であることが好ましい。さらに、6×10-223〜1×10-193の範囲であることがより好ましい。
前記レンズ15は球面レンズ形状から低厚レンズ形状まで様々な形状を採ることが可能であるが、そのレンズ材料の嵩は3×10-243〜3×10-133であることが好ましい。さらに、1×10-193〜3×10-163であることがより好ましい。
前記下地上に前記レンズ15を載置するために前記単分子膜18のパターニングを行う手法としては全面を単分子膜で被覆した後にレンズを載置する箇所の単分子膜を除去する手法と、予めレンズを載置する箇所をカバーした後に単分子膜を形成し、その後に前記カバーを取り除く手法がある。
前者としては、単分子膜を残す部分をレジストまたは金属マスクなどで保護し、紫外線照射による有機分子分解、酸素存在下の紫外線照射により発生させたオゾンによる有機分子の酸化分解、上記カバーを行わずに紫外線や電子線など高エネルギー線の直接パターン照射による有機分子分解などが適用可能である。さらには、上述の方法以外でも、例えば、印刷法、転写法、スクリーン法、吐液法、インクジェット法、スタンプ法等の方法を採用することができる。
また、後者としては、前記下地上に半導体プロセスによるフォトレジストパターンを形成し、レジストパターンを残したままで単分子膜を形成し、その後にフォトレジストパターンを有機溶剤により除去する手法が適用可能である。除去可能であれば下地上に形成するパターンの材質は金属であってもよい。
レンズ材料の前記下地上への載置は、前記下地をレンズ材料の液中にディッピングし、前記下地を当該液から引き上げることで、前記下地上のレンズ載置場所にレンズ材料を配置することが出来る。但し、当該液の粘度、単分子膜のレンズ材料の非親和性の具合により適切な載置が出来ない場合があり、その場合はレンズ材料を適量だけ吐出する方式によりレンズ形成が出来る。適量だけ吐出する具体的な手法は、スポイトによるレンズ材料の滴下、ディスペンサーによるレンズ材料の滴下、インクジェット法によるレンズ材料の滴下が例示出来る。
なお、インクジェット法などの手法によりレンズ材料の載置量を定めることが出来ると、レンズ載置面上に半球面以上のレンズ材料を載置する、または、半球面レンズ未満のレンズ材料量を載置することが可能となり、レンズ形状は半球面状レンズ以外の形状を採ることが出来るようになる。したがって、同方法を本願に適用することによりマイクロレンズの適用範囲が拡大して好ましい。
当該平坦化膜19は、本願で扱われる光に対して透光性が要求される。当該平坦化膜を構成する材料は有機材料が主として用いられる。また、当該平坦化膜はウエットプロセスにより形成される方法(たとえば、回転塗工法)がより望ましく、具体的な例示としては、メタクリレート系化合物、アクリレート系化合物、シリコーン系化合物、ウレタン系化合物、アクリルシリコン系化合物、オルガノアルコキシシラン系化合物材料が使用される。また、無機材料としては、ケイ酸塩系化合物、アルコキシシラン系化合物材料が使用される。より具体的な材料の例示としては、アクリレート系化合物として、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレートが例示される。また、オルガノアルコキシシラン系化合物としては、グリシドキシプロピルトリメトキシシランが例示される。これらの材料は、前記レンズ15などの前記第1の光取り出し層14の構成、その前後の前記透明電極11、発光層12などの光学的な構成によって選択される。
図1〜図3に示すレンズ15は底面の形状は特に示していないが、レンズ15を形成する箇所の形状は、単分子膜18で被覆しない箇所の形状で決定されるため、正方形、長方形、多角形(六角形、八角形)などであってもよい。
また、図1〜図3に示すように、前記レンズ15は複数のレンズからなるレンズアレイの形態を構成することが可能である。個々のレンズは前記単分子膜18により分離されるが、分離間隔は、前記単分子膜18のパターン形成によって決定される。レンズアレイを形成するにふさわしい前記単分子膜18の最小パターン寸法は5×10-8mであり、その最大パターン寸法はいくらでも多く採ることが可能であるが、レンズアレイの常識的な値として5×10-1mであろう。ただし、レンズアレイを必要とする箇所がデバイス中に島状に複数箇所あり、その島状箇所間の間隔をレンズパターン間隔とするならば、最大パターン寸法は上記値よりも大きくなる場合があることは自明である。さらに最小寸法のより好適値としては1×10-7mであることが好ましい。但し、上述の最小パターン寸法は現在の半導体プロセス技術によるパターン形成の限界値により変化するものであり、今後、最小のパターン寸法は更に小さくすることも単分子膜においては可能である。
レンズアレイのレンズ密度はその適用するデバイスに応じて臨機に適合させることが出来るが、本願レンズの構成、材料、製法などから好適値が定まり、最大1×1014個/m2が可能である。さらに最大値2×1012個/m2が好ましく、より好ましくは最大値2×1011個/m2である。一方、密度の最小値はレンズ1個の場合まで可能であるので、数値にすることは出来ない。但し、当該最大値は、現在の半導体プロセス技術によるパターン形成の限界値により変化するものであり、今後、技術の進展により当該最大値は更に増やすことも単分子膜においては可能である。
当該レンズアレイの形状は、常に一定にする必要はなく、状況に応じてレンズ底面の面積に傾斜を設けること、レンズ底面の形状を変化させる、全くアトランダムなレンズ形状を配置することも十分に可能である。
なお、実施の形態1およびその変形形態では、図1〜図3に示すように図面上で上に向かって凸型のレンズを例示したが、発光デバイスの構成、プロセスに応じて、図面上で下に向かって凸型のレンズを形成する場合もあるが、その光学的な効果には変化はなく、より簡便な形態を採ればよい。
ここで、本発明の発光デバイスの製造工程について図7(a)〜(c)を参照しながら説明する。
まず、図7(a)に示すように、透明基板21の下面に光取り出し層14を形成する。
透明基板21の基材として例えばガラスなどの透光性を有する材料の板を用いる。なお、透明性を有しておれば、プラスチックの材質も使用可能であり、また、板ではなくてフィルムのような柔軟な材質、形状であってもよい。
この光取り出し層はレンズ形成の工程と枠体形成の工程で形成されている。
さらに、この枠体形成の工程は、単分子膜形成の工程で形成されている。
まず、枠体を形成するために単分子膜を透明電極11の上面に形成する。前記透明電極11の表面に発光デバイスに必要なレンズ15を配置するために汎用の半導体レジストプロセスにより単分子膜のパターンを形成する。具体的には、前記透明電極11の表面にフォトレジストを塗布し、所定のフォトマスクにより紫外線を照射してフォトレジストをパターン形成する。
次に、前記フォトレジストのパターンを残したままで単分子膜を形成する。
この単分子膜の形成材料は(ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2−テトラハイドロデシル)トリクロロシラン(信越化学工業株式会社製)のフッ素系液体(商品名:HFE−7100、住友スリーエム株式会社製)からなる溶液(濃度:1wt%)を調製したものである。この調製は、乾燥雰囲気下(乾燥窒素ガス雰囲気下、供給の窒素ガスの露点氷点下55度)で行う。
単分子膜形成は、前記の乾燥雰囲気下(乾燥窒素ガス雰囲気下、供給の窒素ガスの露点氷点下55度)のグローブボックス内で行う。単分子膜は前記単分子膜の形成材料を単分子膜を設ける前記透明電極11の表面に接することにより形成することが出来る。
一般的には単分子膜を形成する基材を前記溶液に浸漬することで形成される。
浸漬時間は5分から60分の間で行う。浸漬して前記透明電極11の表面に単分子膜の形成を行った後、前記溶媒と同じ有機溶剤により洗浄し、表面が乾いた後に前記グローブボックスから取り出す。
次に、レジスト膜をアセトン等の有機溶媒で除去し、最終的にレンズ15を配置するためにパターン化された単分子膜18を形成する。
次に、レンズ15の形成の方法を示す。
レンズ15の形成材料として、ポリエステル樹脂溶液を前記単分子膜の抜きの部分にマイクロディスペンサなどを用いて滴下する。もしくは、ポリエステル樹脂溶液に前記単分子膜18が形成された基材を浸漬し、適宜時間後に前記基材を引き上げることで前記単分子膜が形成されていない部分にレンズ形成材料を載置することが出来る。前記レンズ形成材料が載置された状態で加熱操作を行い、レンズ形成材料の熱硬化を行う。
この熱硬化条件は140〜150度の加熱で、時間は10〜30分間とし、レンズ材料の完全硬化を行いレンズ15を形成した。
次に、平坦化層19の形成方法を示す。
平坦化層19の形成材料として、グリシジルメタアクリレートと4'−メタクリロイロオキシカルコンの共重合体のシクロヘキサン溶液を調製した。この溶液を回転塗布装置でレンズ15の上面に塗布し100℃-10分間のベーキングを行う。そして、紫外線照射を行い、光硬化を行う。硬化条件は360mJ/cm2の紫外線照射である。さらに、120℃で20分間ベーキングを行い、完全に硬化させ、平坦化層19を形成した。
次に、図7(b)に示すように、透明電極11を形成する。スパッタリング法でインジウム錫酸化物(ITO)を70nmの厚さでガラス基板上にITO製透明電極11を形成した。
次に、前記透明電極11の下面に発光層13を形成する。この発光層13の形成材料としてトリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Alq3)を蒸発源として用い真空蒸着法により50nmの膜厚になるように形成する。ここで、真空蒸着機のチャンバー圧力は1.33×10-2Paであり、蒸着速度は0.1〜0.2nm/秒になるように制御することで発光層13を形成した。
次に、図7(c)に示すように前記発光層13の下面に対極12を形成する。
対極形成材料として、アルミニウムーリチウム合金(Li:15%含有)を蒸発源として用い、真空蒸着法により50nmの膜厚になるように形成する。当該対極は、発光層が形成された後に、対極形成用の金属マスクを使用して形成する。ここで、真空蒸着機のチャンバー圧力は5×10-5Paであり、蒸着速度は0.1〜0.2nm/秒になるように制御した。以上のような工程を経て発光デバイス10を作成した。
上記作成した発光デバイスの構造をZEMAX Development Corporation社製ZEMAX(光学評価設計ソフトウェア)により、光取り出し効率のシミュレーションを行った。表1に本発明のレンズ15を構成した発光デバイスとレンズ15を形成していない発光デバイスの外部取り出し光量を測定し前記レンズ15を形成していない発光デバイスの外部取り出し光量を1とした場合の本発明の発光デバイスの外部取り出し光量は1.5倍になることを確認した結果を示す。
Figure 2006147203
(実施の形態2)
図4は、本発明の発光デバイスの実施の形態2の基本構成を示す模式断面図である。
図4に示す発光デバイス30は、前記実施の形態2の前記透明基板21の上面に第2の光取り出し層31が設けられた構成になっている。更に、当該第2の光取り出し層31は、レンズ32と単分子膜33とから構成されている。
当該第2の光取り出し層31は、前記透明基板21に入射した前記発光層12からの光が更に前記透明基板21と外気との界面で生じる全反射の割合を軽減し、また前記透明基板21の上面から前面全方向に出射される光を前記透明基板21の面に垂直な方向に出射されるように指向性を整える役割も為すものである。
(実施の形態3)
図5は、本発明の発光デバイスの実施の形態3の基本構成を示す模式断面図である。
図5に示す発光デバイス40は、前記実施の形態2において、更に、発光デバイスとして必要な場合がある正孔注入層41、正孔輸送層42、電子阻止層43、正孔阻止層44、電子輸送層45、電子注入層46を構成に含むものである。
図5は、当該正孔注入層41、当該正孔輸送層42、当該電子阻止層43、当該正孔阻止層44、当該電子輸送層45、当該電子注入層46をすべて含むものとしているが、これらは必要に応じて設けられるものであり、常時、全てを必要とするものではない。また、図6は、前記透明電極11を陽極とし、前記対極を陰極とした場合の例示であり、前記透明電極11が陰極であり、且つ、前記対極が陽極の場合は、前記の正孔注入層41、正孔輸送層42、電子阻止層43、正孔阻止層44、電子輸送層45、電子注入層46の配置は逆となる。
すなわち、電子注入層46、電子輸送層45、正孔阻止層44、電子阻止層43、正孔輸送層42、正孔注入層41となる。
当該正孔注入層41は、電極から正孔が注入される効率を向上させるために設けられるもので、材料としては、銅フタロシアニンが代表例としてある。
当該正孔輸送層42は、注入された正孔を効率良く発光層に輸送するために設けるもので、材料としては、前述のα−NPDが代表例としてある。
当該電子阻止層43は、前記発光層12を正孔と再結合することなく素通りして陽極に向かって移動する電子の動きを阻止するために設けるもので、材料としては、N、N‘−ビス(3−メチルフェニル)−N、N‘−ジフェニル−(1,1‘―ビフェニル)−4,4’―ジアミン(略号:TPD)が代表例である。
当該正孔阻止層44は、前記発光層12を電子と再結合することなく素通りして陰極に向かって移動する正孔の動きを阻止するために設けるもので、材料としては、バソキュプロイン(略号:BCP)が代表例である。
当該電子輸送層45は、注入された電子を効率良く発光層に輸送するために設けるもので、材料としては、前述のAlq3が代表例である。
当該電子注入層46は、電極から電子が注入される効率を向上させるために設けられるもので、材料としては、オキサジアゾール誘導体、ビスアセチルアセトナトマグネシウム、有機金属錯体が代表例としてある。
なお、これらの層は個々に独立して設けられる場合だけでなく、複数の機能を1つの層で兼ねて形成する場合もある。また、更に発光層の追加の機能として、上記の機能を兼ねる場合もある。
当該各層並びに前記発光層、前記透明電極、前記対極、前記透明基板の例示は、先行願の特開2000−348859、特開2001−279429、特開2002−100480、特開2004−59555、特開2004−139892、特開2004−171866、特開2004−192961、特開2004−217557、特開2004−217592、及び、American Institute of Physicsの論文Applied Physics Lettersの第81巻、162頁、2002年発行に具体的に明記されている。本発明の発行デバイスとして、上記に記載の材料が、代表例として使用可能である。
本発明の発光デバイスの前記実施の形態1から前記実施の形態3の変形形態について、図6を用いて説明する。図6は、前記実施の形態1で使用した図3を基にした発光デバイス50の模式断面図である。但し、図6は例示であって、他の実施の形態2から実施の形態3においても同様の実施が可能である。
本発光デバイス50は、透明電極11と対極13と発光層12と第1の光取り出し層51と、から構成されている。更に、第1の光取り出し層51は、レンズ55、第1の単分子膜58、平坦化膜59、及び、第2の単分子膜52から構成されている。当該透明電極11、当該対極13、当該発光層12、当該第1の光取り出し層51、当該レンズ55、当該第1の単分子膜58、当該平坦化膜59の説明は前述の通りであり、その説明を省略する。
第2の単分子膜52はレンズ材料とのぬれ性の高い官能基を有することで、レンズ材料の保持性の向上を図る目的で形成される。したがって、レンズ材料を構成する分子(高分子又は低分子)と同程度の表面エネルギーを有している必要がある。単分子膜の官能基とレンズ材料を構成する分子の主に構成している官能基の表面エネルギーの差が12mN/m以下であることが好ましい。もしくはレンズ材料からなる表面エネルギーと第2の単分子膜の表面エネルギーの差が12mN/m以下であることが好ましい。レンズ構成材料は実施の形態1に示すように様々な官能基を有しており、その表面エネルギーもいろいろな値を採りうるが、そのレンズを構成する官能基と同種の官能基を持つ有機分子で第2の単分子膜を形成すればほぼ間違いない。たとえば、ポリウレタン樹脂の表面エネルギーは38mN/m程度であるが、これに適合する単分子膜を構成する有機分子の官能基としては末端にCCl2H基を有する材料が好ましい。この有機分子で形成された単分子膜の表面エネルギーは39mN/m程度になる。ポリアミドの場合の表面エネルギーは42mN/m程度になるが、これに適した第2の単分子膜の有機分子の有する官能基としてはCCl2=CH基がふさわしく、この場合の表面エネルギーは43mN/m程度になる。また、ポリエチレンテレフタレートも表面エネルギーが42mN/m程度となるので、当該第2の単分子膜が使用可能である。また、ポリプロピレンの表面エネルギーは29mN/mとなる。このレンズ材料にふさわしい第2の単分子膜を構成する有機分子としては末端基にCH2基を有する分子が挙げられ、当該単分子膜の表面エネルギーは31mN/mである。以上のようにレンズ材料の表面エネルギーと近い第2の単分子膜を形成するとより基材と密着したレンズを形成することが出来る。
さらに、第2の単分子膜とレンズ形成材料とのその界面で化学結合させることも出来る。すなわちレンズ形成材料の重合性基と同じ特性基を第2の単分子膜に持たせることにより、形成することが出来る。たとえば、第2の単分子膜を構成する有機分子にエポキシ基を持たせることにより、エポキシ樹脂性のレンズと化学結合を形成することが出来る。また、エステル結合、アミド結合、ペプチド結合なども第2の単分子膜とレンズとの界面で形成することも可能である。この場合は上記ぬれ性の一致による密着性向上だけでなく、化学結合を形成するためより密着性の高いレンズを形成することが出来る。
また、上記のような有機分子としては、例えば以下の一般式の有機分子を挙げることができる。
CH2=CH(CH2qSiCl3・・・(201)
NC(CH2qSiCl3・・・(202)
Figure 2006147203
65(CH2qSiCl3・・・(204)
[式(201)〜(204)中、qは2〜22の整数を示す]
さらに、上記以外の第2の単分子膜を形成するために用いることができる有機分子としては、以下の有機分子を挙げることができる。
2N(CH23Si(OCH33・・・(301)
OHC(CH23Si(OCH2CH33・・・(302)
HOOC(CH25Si(OCH33・・・(303)
HO(CH25Si(OCH33・・・(304)
3COOC(CH25Si(OCH2CH33・・・(305)
(OH)2OP(CH23Si(OCH33・・・(306)
HO2S(CH23Si(OCH33・・・(307)
HS(CH23Si(OCH33・・・(308)
CH2=CH(CH26Si(OCH33・・・(309)
CH364Si(OCH33・・・(310)
ClCH264Si(OCH33・・・(311)
上記のような有機分子は、前述の第1の単分子膜を形成する場合に用いられる有機分子と同様に各化合物として入手可能である。
なお、当該第2の単分子膜と基材との結合性は、前記第1の単分子膜と基材との結合性と同じである。
また、第2の単分子膜の膜厚は第1の単分子膜の膜厚以下であることが好ましい。
当該発光デバイスとして、上記実施例に示す発光デバイスの構成に更に追加して、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、電子注入層、電子輸送層を形成しても良い。その形成構成を以下に示す。
正孔輸送層の作成工程では、正孔輸送層形成材料として、4,4‘−ビス(N−(2−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル(α−NPD)を蒸発源として用い、真空蒸着法により50nmの膜厚になるように形成する。当該正孔輸送層は、透明電極パターンが形成された後に形成する。選択的形成には金属マスクを使用する。ここで、真空蒸着機のチャンバー圧力は1.33×10-2Paであり、蒸着速度は0.1〜0.2nm/秒になるように制御した。
正孔注入層の形成工程では、正孔注入層形成材料として、銅フタロシアニンを蒸着源として、加熱蒸着法により20nmの薄膜を形成し、正孔注入層とする。マスクは正孔輸送層形成用のマスクを併用する。
電子阻止層の形成の形成工程では、電子阻止層形成材料として、前述のTPDを蒸着源として、加熱蒸着法により10nmの薄膜を形成し、電子阻止層とする。マスクは正孔輸送層形成用のマスクを併用する。
電子注入層の形成工程では、電子注入層形成材料として、前述の有機金属錯体であるビス(8−キノリノナト)マグネシウム(II)を蒸着源として、加熱蒸着法により10nmの薄膜を形成し、電子注入層とする。マスクは正孔輸送層形成用のマスクを併用する。
電子輸送層の形成工程では、電子輸送層形成材料として、前述のオキサゾール誘導体であるジベンゾオキサゾールを蒸着源として、加熱蒸着法により20nmの薄膜を形成し、電子輸送層とする。マスクは正孔輸送層形成用のマスクを併用する。
正孔阻止層の形成工程では、正孔阻止層形成材料として、前述のBCPを蒸着源として、加熱蒸着法により20nmの薄膜を形成し、正孔阻止層とする。マスクは正孔輸送層形成用のマスクを併用する。
以上のいずれの実施の形態及びその変形も、簡単のために発光層が単層である事例でもって説明したが、発光層が複数となる場合においても、本発明の光取り出し層の導入により、各発光層の光取り出し効率を向上できる。
本発明の発光デバイスの実施の形態1の基本構成を示す模式断面図である。 本発明の発光デバイスの実施の形態1の変形形態の構成を示す模式断面図である。 本発明の発光デバイスの実施の形態1の変形形態の構成を示す模式断面図である。 本発明の発光デバイスの実施の形態3の基本構成を示す模式断面図である。 本発明の発光デバイスの実施の形態4の基本構成を示す模式断面図である。 本発明の発光デバイスの実施の形態1から実施の形態4の変形形態の構成を示す模式断面図である。 本発明の発光デバイスの製造方法を示す模式断面図である。
符号の説明
10、20、30、40、50・・・発光デバイス
11・・・透明電極
12・・・発光層
13・・・対極、
14、51・・・第1の光取り出し層
15、32、55・・・レンズ
16・・・枠体
18、33、58・・・単分子膜
19、59・・・平坦化膜
31・・・第2の光取り出し層
21・・・透明基板
41・・・正孔注入層
42・・・正孔輸送層
43・・・電子阻止層
44・・・正孔阻止層
45・・・電子輸送層
46・・・電子注入層
58・・・第1の単分子膜
52・・・第2の単分子膜

Claims (26)

  1. 透明基板と、前記透明基板に対向配置される対極と、前記透明基板と前記対極との間に配置される透明電極と、前記透明電極と前記対極との間に配置される発光層と、を少なくとも有する発光デバイスであって、
    前記透明電極は、前記発光層から放出される光に対する光透過性及び電気伝導性を有しており、
    前記透明基板は、前記発光層から放出される光に対する光透過性を有しており、
    前記透明電極と前記透明基板との間に配置される第1の光取り出し層がさらに配置されており、
    前記第1の光取り出し層中に、前記発光層から放出される光を屈折させて集光した状態で前記透明基板に向けて放出する少なくとも1つのレンズが埋設されていること、
    を特徴とする発光デバイス。
  2. 前記少なくとも1つのレンズは、前記発光層から放出され当該少なくとも1つのレンズを介して前記透明基板に向けて進行する光が前記透明基板の下面に対して略垂直に入射可能なように形成されていること、
    を特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。
  3. 前記第1の光取り出し層には、該第1の光取り出し層中における前記少なくとも1つのレンズの位置を固定するための枠体が、該第1の光取り出し層の上面に接する面、及び下面に接する面のうちの何れか一方の面に接して一体化された状態で形成されていること、
    を特徴とする請求項1〜2の何れか1項に記載の発光デバイス。
  4. 前記枠体が単分子膜からなり、
    前記単分子膜は、有機分子を用いて形成されており、かつ、
    前記第1の光取り出し層の上面に接する面及び前記第1の光取り出し層の下面に接する面のうちの何れか一方の面に共有結合で固定されていること、
    を特徴とする請求項3に記載の発光デバイス。
  5. 前記枠体が前記単分子膜と前記少なくとも1つのレンズと前記単分子膜により構成される凹凸面を平坦にするための平坦化層からなり、
    前記単分子膜は、
    有機分子を用いて形成されており、かつ、
    前記第1の光取り出し層の上面に接する面及び前記第1の光取り出し層の下面に接する面のうちの何れか一方の面に共有結合により固定されていること、かつ、
    前記平坦化層は、前記単分子膜及び前記レンズを被覆していること、
    を特徴とする請求項3に記載の発光デバイス。
  6. 前記透明電極と前記透明基板の間に第1の光取り出し層が配置されており、
    更に、前記透明基板の上方に、第2の光取り出し層が配置されており、
    前記第2の光取り出し層中に、前記発光層から放出される光を屈折させるための少なくとも1つのレンズが埋設されていること、
    を特徴とする請求項1〜5のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。
  7. 前記第2の光取り出し層には、該第2の光取り出し層中における前記少なくとも1つのレンズの位置を固定するための枠体が、
    前記第2の光取り出し層の上面、及び下面のうちの何れか一方の面に接して一体化された状態で形成されていること、
    を特徴とする請求項6に記載の発光デバイス。
  8. 前記枠体が単分子膜からなり、
    前記単分子膜は、有機分子を用いて形成されており、かつ、
    前記第2の光取り出し層の上面、及び下面のうちの何れか一方の面に共有結合により固定されていること、
    を特徴とする請求項7に記載の発光デバイス。
  9. 前記枠体が単分子膜と前記少なくとも1つのレンズと前記単分子膜により構成される凹凸面を平坦にするための平坦化層からなり、
    前記単分子膜は、
    有機分子を用いて形成されており、かつ、
    前記第2の光取り出し層の上面、及び下面のうちの何れか一方の面に共有結合により固定されていること、かつ、
    前記平坦化層は、前記単分子膜及び前記レンズを被覆していること、
    を特徴とする請求項7に記載の発光デバイス。
  10. 正孔注入層、正孔輸送層、及び、電子阻止層のうちの少なくとも1つの層が、前記透明電極と前記発光層との間のうちの少なくとも1つの位置に配置していること、
    及び、該正孔注入層、該正孔輸送層、及び、該電子阻止層のうちの少なくとも2つ以上の層が配置される場合は、前記透明電極側から正孔注入層、正孔輸送層、及び、電子阻止層の順序で配置されること、
    を特徴とする請求項1〜9のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。
  11. 正孔阻止層、電子輸送層、及び、電子注入層のうちの少なくとも1つの層が、前記発光層と前記対極との間のうちの少なくとも1つの位置に配置していること、
    及び、該正孔阻止層、該電子輸送層、及び、該電子注入層のうちの少なくとも2つ以上の層が配置される場合は、前記発光層側から正孔阻止層、電子輸送層、及び、電子注入層の順序で配置されること、
    を特徴とする請求項1〜9のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。
  12. 前記レンズが金属有機化合物からなる酸化物固体であること
    を特徴とする請求項1〜11のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。
  13. 前記酸化物固体が非晶質セラミックス、及び結晶性セラミックスのうちの何れか1つであること
    を特徴とする請求項12に記載の発光デバイス。
  14. 前記酸化物固体がゾル−ゲル過程を経て形成されたこと
    を特徴とする請求項12に記載の発光デバイス。
  15. 前記レンズが熱可塑性モノマー、熱可塑性オリゴマー、及び熱可塑性ポリマーのうち何れか1つからなる高分子化合物であること
    を特徴とする請求項1〜11のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。
  16. 前記レンズが光硬化性モノマー、光硬化性オリゴマー、及び光硬化性ポリマーのうち何れか1つからなる高分子化合物であること
    を特徴とする請求項1〜11のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。
  17. 前記レンズが前記高分子化合物と無機材料の複合体であること
    を特徴とする請求項1〜11のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。
  18. 前記共有結合が、−Z−O−、−Z−N−、及び、−Z−S−からなる群より選択される少なくとも1種の構造が含まれている結合であること
    を特徴とする請求項3〜4,及び請求項8〜9のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。(ここで、Zは、Si、Ti、Alからなる群から選択される原子である。)
  19. 前記単分子膜を構成する有機分子の官能基の一般式(化1)で表されること
    を特徴とする請求項3〜4、及び、請求項8〜9のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。
    −Z−Dq ・・・(化1)

    r
    (ここで、Dは、F、Cl、Br、I、−OH、−SCN、−NCO、及び、炭素数が1〜5のアルコキシ基からなる群より選択される少なくとも1種の原子又は原子団を示す。また、Eは、H、及び、炭素数が1〜3のアルキル基からなる群より選択される少なくとも1種の原子又は原子団を示す。また、qは1〜3の整数を示し、q+rは3である。ZはSi、Ti、Alからなる群から選択される原子である。)
  20. 前記単分子膜を構成する有機分子は一般式(化2)で表されること
    を特徴とする請求項19に記載の発光デバイス。
    CFxy-(CF2m-(CH2n-ZDqr ・・・(化2)
    (ここで、xは1〜3の範囲の整数で、かつ、yは0〜2の範囲の整数で、かつ、x+yは3を満たす数である。また、mは0〜18の整数で、かつ、nは0〜18の整数で、かつ、m+nは3以上で24未満である数である。また、ZはSi、Ti、Alからなる群から選択される原子である。また、Dは、F、Cl、Br、I、−OH、−SCN、−NCO、及び、炭素数が1〜5のアルコキシ基からなる群より選択される少なくとも1種の原子又は原子団を示す。また、Eは、H、及び、炭素数が1〜3のアルキル基からなる群より選択される少なくとも1種の原子又は原子団を示す。また、qは1〜3の整数を示し、q+rは3である。)
  21. 発光デバイスは、少なくとも、透明電極の形成の工程、光取り出し層の形成の工程、発光層の形成の工程、対極の形成の工程からなること
    を特徴とする発光デバイスの製造方法。
  22. 上記発光デバイスの上記光取り出し層の形成の工程は、枠体の形成の工程とレンズの形成の工程からなること
    を特徴とする請求項21に記載の発光デバイスの製造方法。
  23. 上記枠体の形成の工程は、単分子膜の形成の工程からなること
    を特徴とする請求項22に記載の発光デバイスの製造方法。
  24. 上記枠体の形成の工程は、単分子膜の形成の工程と平坦化層の形成の構成からなること
    を特徴とする請求項23に記載の発光デバイスの製造方法。
  25. 上記発光デバイスは、請求項21に記載の工程の他に、正孔輸送層の形成の工程、正孔注入層の形成の工程、正孔阻止層の形成の工程、電子輸送層の形成の工程、電子注入層の形成の工程、電子阻止層の形成の工程の内で少なくとも1つの工程を含むこと
    を特徴とする請求項21に記載の発光デバイスの製造方法。
  26. 上記発光デバイスは、上記光取り出しの層の形成の工程の他に、第2の光取り出し層の形成の工程を含むこと
    を特徴とする請求項21に記載の発光デバイスの製造方法。
JP2004332388A 2004-11-16 2004-11-16 発光デバイスおよびその製造方法 Pending JP2006147203A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004332388A JP2006147203A (ja) 2004-11-16 2004-11-16 発光デバイスおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004332388A JP2006147203A (ja) 2004-11-16 2004-11-16 発光デバイスおよびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006147203A true JP2006147203A (ja) 2006-06-08

Family

ID=36626654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004332388A Pending JP2006147203A (ja) 2004-11-16 2004-11-16 発光デバイスおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006147203A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010157424A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機el発光装置
JP2010157421A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機el発光装置
US8853724B2 (en) 2010-09-14 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state light-emitting element, light-emitting device, and lighting device
US9401498B2 (en) 2011-03-04 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, substrate, and manufacturing method of substrate
KR101803909B1 (ko) * 2008-12-02 2017-12-04 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 돔 패턴의 형성방법

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101803909B1 (ko) * 2008-12-02 2017-12-04 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 돔 패턴의 형성방법
JP2010157424A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機el発光装置
JP2010157421A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機el発光装置
US8853724B2 (en) 2010-09-14 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state light-emitting element, light-emitting device, and lighting device
US9356209B2 (en) 2010-09-14 2016-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state light-emitting element, light-emitting device, and lighting device
JP2017152409A (ja) * 2010-09-14 2017-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 固体発光素子
US9876151B2 (en) 2010-09-14 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state light-emitting element, light-emitting device, and lighting device
US9401498B2 (en) 2011-03-04 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, substrate, and manufacturing method of substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4615520B2 (ja) マイクロレンズ、マイクロレンズアレイ及びその製造方法
JP4226835B2 (ja) 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置
KR101678704B1 (ko) 고굴절률 백필 층 및 패시베이션 층을 갖는 광 추출 필름
US20200058898A1 (en) Methods to fabricate flexible oled lighting devices
US8174187B2 (en) Light-emitting device having improved light output
KR101611650B1 (ko) 나노입자 코팅을 갖는 광 추출 필름
US7508130B2 (en) OLED device having improved light output
US20090224660A1 (en) Light-extraction layer of light-emitting device and organic electroluminescence element employing the same
KR100852110B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
KR20060059604A (ko) 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2006190573A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
KR20160113217A (ko) 전계 발광 소자, 조명 장치, 및 전계 발광 소자의 제조 방법
TWI834533B (zh) 具有uv固化填料的有機發光二極體(oled)顯示器裝置及製造方法
US20160168712A1 (en) Chemical compound being used for forming a random wrinkle structure, composition containing the compound, film having the structure, method of forming the film, and oled comprising the film
JP2006147203A (ja) 発光デバイスおよびその製造方法
JP2008293676A (ja) トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2006147206A (ja) 発光デバイスおよびその製造方法
JP2006147205A (ja) 発光デバイスおよびその製造方法
JP2006147204A (ja) 発光デバイスおよびその製造方法
JP2015011760A (ja) 半導体発光素子用積層体及びその製造方法並びに半導体発光素子
WO2014034308A1 (ja) 有機発光素子及び有機発光素子を用いた有機発光光源装置
JP2012079515A (ja) 有機el装置及びその製造方法
JP5919821B2 (ja) 光学基板及びその製造方法並びに発光表示装置
JP4382388B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子用基板、ならびにこれを用いた有機エレクトロルミネセンス素子
JP4303031B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子用基板の製造方法