JP2006138761A - 半導体センサチップ及び半導体センシング装置 - Google Patents
半導体センサチップ及び半導体センシング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006138761A JP2006138761A JP2004329172A JP2004329172A JP2006138761A JP 2006138761 A JP2006138761 A JP 2006138761A JP 2004329172 A JP2004329172 A JP 2004329172A JP 2004329172 A JP2004329172 A JP 2004329172A JP 2006138761 A JP2006138761 A JP 2006138761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode terminal
- terminal wiring
- source electrode
- drain electrode
- semiconductor sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
【効果】 センサ部分と計測器部分とを簡単に分離でき、センサ部分のディスポーザルを可能にする。また、液体分析に対する十分な防水性、防液性を備える実用性に優れた半導体センサチップ及び半導体センシング装置を提供することができる。
【選択図】 図3
Description
上記半導体センサチップを備える半導体センシング装置として、上記半導体センサチップと、該半導体センサチップがそのソース電極端子配線及びドレイン電極端子配線の各々の露呈部分と直接又は異方性導電ゴムを介して着脱可能に接続される電気信号入出力端子を備え、上記半導体センサチップを接続してその電界効果型トランジスタチップにより検出された電気信号を計測する計測器とを具備することを特徴とする半導体センシング装置を提供する。
この半導体センサチップを備える半導体センシング装置として、上記半導体センサチップと、該半導体センサチップがそのソース電極端子配線パターン及びドレイン電極端子配線パターンの各々の露呈部分と直接又は異方性導電ゴムを介して着脱可能に接続される電気信号入出力端子を備え、上記半導体センサチップを接続してその電界効果型トランジスタチップにより検出された電気信号を計測する計測器とを具備することを特徴とする半導体センシング装置を提供する。
この半導体センサチップを備える半導体センシング装置として、上記半導体センサチップと、該半導体センサチップがそのソース電極端子配線パターンの延長配線及びドレイン電極端子配線パターンの延長配線の各々の露呈部分と直接又は異方性導電ゴムを介して着脱可能に接続される電気信号入出力端子を備え、上記半導体センサチップを接続してその電界効果型トランジスタチップにより検出された電気信号を計測する計測器とを具備することを特徴とする半導体センシング装置を提供する。
本発明の半導体センサチップは、ゲート絶縁層、ソース電極及びドレイン電極がシリコン基板上に集積された電界効果型トランジスタチップと、上記ソース電極と接続されたソース電極端子配線と、上記ドレイン電極と接続されたドレイン電極端子配線とを備える半導体センサチップであり、上記電界効果型トランジスタチップ、ソース電極端子配線及びドレイン電極端子配線が、上記電界効果型トランジスタチップのゲート絶縁層、上記ソース電極端子配線のソース電極と接続されていない端部及び上記ドレイン電極端子配線のドレイン電極と接続されていない端部が露呈するように封止材により、又は上記電界効果型トランジスタチップ、ソース電極端子配線及びドレイン電極端子配線が設置される基体と封止材とにより封止されているものである。
まず、本発明の半導体センサチップとして好適な第1の態様について説明する。この第1の態様は、ゲート絶縁層、ソース電極及びドレイン電極がシリコン基板上に集積された電界効果型トランジスタチップが、基体上に形成された凹陥部に埋設されると共に、基体上に、ソース電極と一のリード細線を介して接続されたソース電極端子配線パターン、及びドレイン電極と他のリード細線を介して接続されたドレイン電極端子配線パターンが形成された半導体センサチップであり、電界効果型トランジスタチップ、ソース電極端子配線パターン、ドレイン電極端子配線パターン並びに一及び他のリード細線が、電界効果型トランジスタチップのゲート絶縁層、ソース電極端子配線パターンのソース電極と接続されていない端部及びドレイン電極端子配線パターンのドレイン電極と接続されていない端部が露呈するように基体上面と封止材層との間に封止されているものである。
この第2の態様は、ゲート絶縁層、ソース電極及びドレイン電極がシリコン基板上に集積された電界効果型トランジスタチップが、基体上に形成された凹陥部に埋設されると共に、基体上に、ソース電極と一のリード細線を介して接続されたソース電極端子配線パターン、及びドレイン電極と他のリード細線を介して接続されたドレイン電極端子配線パターンが形成された半導体センサチップであり、電界効果型トランジスタチップ、ソース電極端子配線パターン、ドレイン電極端子配線パターン並びに一及び他のリード細線が、電界効果型トランジスタチップのゲート絶縁層が露呈するように基体上面と封止材層との間に封止されていると共に、基体の厚さ方向に貫通してソース電極端子配線パターンに接続し、基体下面側で端部が露呈するソース電極端子配線パターンの延長配線、及び基体の厚さ方向に貫通してドレイン電極端子配線パターンに接続し、基体下面側で端部が露呈するドレイン電極端子配線パターンの延長配線が配設されているものである。
11 基体
12 凹陥部
2 電界効果型トランジスタチップ
21 ゲート絶縁層
22 ソース電極
220 ソース電極貫通配線
23 ドレイン電極
230 ドレイン電極貫通配線
32 ソース電極端子配線パターン
320 ソース電極端子配線
321 ソース電極端子配線パターンの延長配線
33 ドレイン電極端子配線パターン
330 ドレイン電極端子配線
331 ドレイン電極端子配線パターンの延長配線
42 リード細線(一のリード細線)
43 リード細線(他のリード細線)
5 封止材層
50 封止材
61 堰部材層
62 ゴム層
63 蓋
7 計測器
72,73 電気信号入出力端子
8 異方性導電ゴム
91 液溜まり
92 キャビティ
Claims (8)
- ゲート絶縁層、ソース電極及びドレイン電極がシリコン基板上に集積された電界効果型トランジスタチップと、上記ソース電極と接続されたソース電極端子配線と、上記ドレイン電極と接続されたドレイン電極端子配線とを備える半導体センサチップであって、
上記電界効果型トランジスタチップ、ソース電極端子配線及びドレイン電極端子配線が、上記電界効果型トランジスタチップのゲート絶縁層、上記ソース電極端子配線のソース電極と接続されていない端部及び上記ドレイン電極端子配線のドレイン電極と接続されていない端部が露呈するように封止材により、又は上記電界効果型トランジスタチップ、ソース電極端子配線及びドレイン電極端子配線が設置される基体と封止材とにより封止されていることを特徴とする半導体センサチップ。 - ゲート絶縁層、ソース電極及びドレイン電極がシリコン基板上に集積された電界効果型トランジスタチップが、基体上に形成された凹陥部に埋設されると共に、上記基体上に、上記ソース電極と一のリード細線を介して接続されたソース電極端子配線パターン、及び上記ドレイン電極と他のリード細線を介して接続されたドレイン電極端子配線パターンが形成された半導体センサチップであって、
上記電界効果型トランジスタチップ、ソース電極端子配線パターン、ドレイン電極端子配線パターン並びに上記一及び他のリード細線が、上記電界効果型トランジスタチップのゲート絶縁層、上記ソース電極端子配線パターンのソース電極と接続されていない端部及び上記ドレイン電極端子配線パターンのドレイン電極と接続されていない端部が露呈するように上記基体上面と封止材層との間に封止されていることを特徴とする請求項1記載の半導体センサチップ。 - ゲート絶縁層、ソース電極及びドレイン電極がシリコン基板上に集積された電界効果型トランジスタチップが、基体上に形成された凹陥部に埋設されると共に、上記基体上に、上記ソース電極と一のリード細線を介して接続されたソース電極端子配線パターン、及び上記ドレイン電極と他のリード細線を介して接続されたドレイン電極端子配線パターンが形成された半導体センサチップであって、
上記電界効果型トランジスタチップ、ソース電極端子配線パターン、ドレイン電極端子配線パターン並びに上記一及び他のリード細線が、上記電界効果型トランジスタチップのゲート絶縁層が露呈するように上記基体上面と封止材層との間に封止されていると共に、
上記基体の厚さ方向に貫通して上記ソース電極端子配線パターンに接続し、上記基体下面側で端部が露呈するソース電極端子配線パターンの延長配線、及び上記基体の厚さ方向に貫通して上記ドレイン電極端子配線パターンに接続し、上記基体下面側で端部が露呈するドレイン電極端子配線パターンの延長配線が配設されていることを特徴とする請求項1記載の半導体センサチップ。 - 上記ゲート絶縁層上に、直接的な検出部として有機単分子膜が形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の半導体センサチップ。
- 請求項1記載の半導体センサチップと、該半導体センサチップがそのソース電極端子配線及びドレイン電極端子配線の各々の露呈部分と直接又は異方性導電ゴムを介して着脱可能に接続される電気信号入出力端子を備え、上記半導体センサチップを接続してその電界効果型トランジスタチップにより検出された電気信号を計測する計測器とを具備することを特徴とする半導体センシング装置。
- 請求項2記載の半導体センサチップと、該半導体センサチップがそのソース電極端子配線パターン及びドレイン電極端子配線パターンの各々の露呈部分と直接又は異方性導電ゴムを介して着脱可能に接続される電気信号入出力端子を備え、上記半導体センサチップを接続してその電界効果型トランジスタチップにより検出された電気信号を計測する計測器とを具備することを特徴とする半導体センシング装置。
- 請求項3記載の半導体センサチップと、該半導体センサチップがそのソース電極端子配線パターンの延長配線及びドレイン電極端子配線パターンの延長配線の各々の露呈部分と直接又は異方性導電ゴムを介して着脱可能に接続される電気信号入出力端子を備え、上記半導体センサチップを接続してその電界効果型トランジスタチップにより検出された電気信号を計測する計測器とを具備することを特徴とする半導体センシング装置。
- 上記ゲート絶縁層上に、直接的な検出部として有機単分子膜が形成されていることを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項記載の半導体センシング装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004329172A JP2006138761A (ja) | 2004-11-12 | 2004-11-12 | 半導体センサチップ及び半導体センシング装置 |
PCT/JP2005/004288 WO2006038324A1 (ja) | 2004-09-30 | 2005-03-11 | 半導体センシング用電界効果型トランジスタ、半導体センシングデバイス、半導体センサチップ及び半導体センシング装置 |
US11/660,514 US7838912B2 (en) | 2004-09-30 | 2005-03-11 | Semiconductor sensing field effect transistor, semiconductor sensing device, semiconductor sensor chip and semiconductor sensing device |
KR1020077004021A KR101137736B1 (ko) | 2004-09-30 | 2005-03-11 | 반도체 센싱용 전계 효과형 트랜지스터, 반도체 센싱디바이스, 반도체 센서 칩 및 반도체 센싱 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004329172A JP2006138761A (ja) | 2004-11-12 | 2004-11-12 | 半導体センサチップ及び半導体センシング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006138761A true JP2006138761A (ja) | 2006-06-01 |
JP2006138761A5 JP2006138761A5 (ja) | 2007-03-22 |
Family
ID=36619681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004329172A Pending JP2006138761A (ja) | 2004-09-30 | 2004-11-12 | 半導体センサチップ及び半導体センシング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006138761A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009156827A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-16 | Univ Waseda | 半導体センシング用電界効果型トランジスタ及びこれを用いた半導体センシングデバイス |
JP2012122764A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Dainippon Printing Co Ltd | バイオセンサを用いる測定方法およびバイオセンサ |
JP2012233876A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Honeywell Internatl Inc | 電子pHセンサ・ダイ・パッケージ |
WO2018025876A1 (ja) * | 2016-08-03 | 2018-02-08 | 国立大学法人東京大学 | 測定装置及び測定方法 |
-
2004
- 2004-11-12 JP JP2004329172A patent/JP2006138761A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009156827A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-16 | Univ Waseda | 半導体センシング用電界効果型トランジスタ及びこれを用いた半導体センシングデバイス |
JP2012122764A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Dainippon Printing Co Ltd | バイオセンサを用いる測定方法およびバイオセンサ |
JP2012233876A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Honeywell Internatl Inc | 電子pHセンサ・ダイ・パッケージ |
WO2018025876A1 (ja) * | 2016-08-03 | 2018-02-08 | 国立大学法人東京大学 | 測定装置及び測定方法 |
JP2018021827A (ja) * | 2016-08-03 | 2018-02-08 | 国立大学法人 東京大学 | 測定装置及び測定方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9797860B2 (en) | Manufacturing method of a graphene-based electrochemical sensor, and electrochemical sensor | |
KR101137736B1 (ko) | 반도체 센싱용 전계 효과형 트랜지스터, 반도체 센싱디바이스, 반도체 센서 칩 및 반도체 센싱 장치 | |
TW201224478A (en) | Methods and apparatus for testing ISFET arrays | |
GB2236903A (en) | "FET sensor apparatus of flow-cell adaptive type and method of manufacturing the same" | |
CN100417937C (zh) | 芯片式电容耦合非接触型电导检测器 | |
CN106501340A (zh) | 电极、离子敏感传感器、电容和离子活度的检测方法 | |
JP4456303B2 (ja) | pHセンサ | |
US11796537B2 (en) | Sealed fluid chamber with planarization for biomolecular sensors and related methods | |
CN108847424A (zh) | 薄膜晶体管、传感器、生物检测装置和方法 | |
US8999127B2 (en) | Biological sensor measuring electrochemical and/or electrical and diamond electrode and electronic integrated circuit | |
CN106104265A (zh) | 基于差分测量的离子传感器和制造方法 | |
JP2009501930A (ja) | バイオセンサのためのセンサチップ | |
Li et al. | Post-CMOS parylene packaging for on-chip biosensor arrays | |
US8166835B2 (en) | Sensor chip and inspection device | |
US20180180566A1 (en) | Reference electrode holding member and substance detection device | |
JP5402758B2 (ja) | バイオセンサキット | |
JP2006138761A (ja) | 半導体センサチップ及び半導体センシング装置 | |
US20100314699A1 (en) | Electrochemical sensor device, method of manufacturing the same | |
Abdelmalek et al. | Ellipsometry measurements and impedance spectroscopy on Langmuir–Blodgett membranes on Si/SiO2 for ion sensitive sensor | |
JP2009501929A (ja) | 短距離相互作用を有するマイクロチップアセンブリ | |
Luo et al. | CMOS-based on-chip electrochemical sensor | |
DE602007000964D1 (de) | Messelement für den Nachweis des Gesamtcholesterins in einer Blutprobe | |
JP5472520B2 (ja) | バイオセンサキット | |
Raja et al. | High-bandwidth low-current measurement system for automated and scalable probing of tunnel junctions in liquids | |
WO2024034315A1 (ja) | 標的物質の検出装置及び標的物質の検出方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060424 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071114 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071228 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080430 |