JP2006134939A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006134939A JP2006134939A JP2004319427A JP2004319427A JP2006134939A JP 2006134939 A JP2006134939 A JP 2006134939A JP 2004319427 A JP2004319427 A JP 2004319427A JP 2004319427 A JP2004319427 A JP 2004319427A JP 2006134939 A JP2006134939 A JP 2006134939A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- dummy pattern
- semiconductor substrate
- semiconductor device
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 119
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 73
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 32
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 95
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 30
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
エッチングのばらつきと近接効果を効果的に抑制する場合であっても、層間絶縁膜のサージ破壊を起こさないようにすること。
【解決手段】
素子分離領域3aの絶縁体の表面形状内に収まる形状であって、素子分離領域3aの絶縁体上にゲート層よりなるダミーパターン7bが設けられており、ダミーパターン7bは、ゲート層より上層に配された配線層10aの直下を含む下層に設けられる。
【選択図】
図2
Description
本発明の実施形態1に係る半導体装置について図面を用いて説明する。図1は、本発明の実施形態1に係る半導体装置の構成を模式的に示した部分平面図である。図2は、本発明の実施形態1に係る半導体装置の構成を模式的に示したA−A´間の部分断面図である。図3は、本発明の実施形態1に係る半導体装置の構成を模式的に示したB−B´間の部分断面図である。図4は、本発明の実施形態1に係る半導体装置の構成を模式的に示したC−C´間の部分断面図である。
次に、本発明の実施形態2に係る半導体装置について図面を用いて説明する。図10、11は、本発明の実施形態2に係る半導体装置の構成を模式的に示した部分断面図である。なお、図10は図1のA−A´間に相当する断面図であり、図11は図1のB−B´間に相当する断面図である。
次に、本発明の実施形態3に係る半導体装置について図面を用いて説明する。図14は、本発明の実施形態3に係る半導体装置の構成を模式的に示した部分断面図である。なお、図14は図1のA−A´間に相当する断面図である。
をクランプできる。層間膜が0.7μmの場合の破壊電圧は同様の計算を行うと、700V〜1400Vとなる。このため層間膜が破壊する前に静電保護素子はサージをクランプできるので、層間膜を厚くすると破壊は起こりにくくなる。
本発明の実施形態4に係る半導体装置について図面を用いて説明する。図17は、本発明の実施形態4に係る半導体装置の構成を模式的に示した部分断面図である。なお、図14は図1のA−A´間に相当する断面図である。
2 半導体基板
2a 溝(STI溝)
3 絶縁膜
3a 素子分離領域
4 ウェル
4a (保護素子領域の)ウェル
4b (ダミー素子領域の)ウェル
5 拡散層(ソース/ドレイン領域)
6 絶縁膜
6a ゲート絶縁膜
6b、6c、6d、6e ダミー絶縁膜
7 ゲート層(ポリシリコン)
7a ゲート
7b (素子分離領域上)ダミーパターン
7c (ウェル上)ダミーパターン
7d (半導体基板上)ダミーパターン
7e (非禁止領域の)ダミーパターン
8 層間絶縁膜
8a コンタクトホール
9 コンタクト
10 配線
10a 配線層
10b ビア
10c (最下層の)配線層
10d (最下層より上層の)配線層
11 パッド
12 シリコン酸化・窒化膜
13 (素子分離領域形成用)フォトレジスト
14 反射防止膜
15 (ゲート形成用)フォトレジスト
20 保護素子領域
30 ダミー素子領域
Claims (6)
- 素子分離領域の絶縁体の表面形状内に収まる形状であって、前記絶縁体上にゲート層よりなるダミーパターンが設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 半導体基板と逆導電型のウェルの表面形状内に収まる形状であって、前記ウェル上にゲート層よりなるダミーパターンが設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 前記ダミーパターンは、前記ゲート層より上層に配された配線の直下を含む下層に設けられることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
- 半導体基板の表面形状内に収まる形状であって、前記半導体基板上にゲート層よりなるダミーパターンが設けられ、
前記ダミーパターンは、前記ゲート層より上層の配線のうち最下層の配線層よりも上層の配線層の配線、又は前記半導体基板の表面から0.7μm以上離れた配線層の配線、の直下を含む下層に設けられることを特徴とする半導体装置。 - ゲート層全体の領域のうち、前記ゲート層より上層の配線のうち最下層の配線層の配線、又は半導体基板の表面から0.7μm未満離れた配線層の配線、の直下の箇所であって、素子分離領域の絶縁体の直上、及び、前記半導体基板と逆導電型のウェルの直上でない箇所以外の領域の一部に、前記ゲート層よりなるダミーパターンが設けられることを特徴とする半導体装置。
- 前記配線は、静電放電保護素子及びパッドの一方又は両方と電気的に接続されることを特徴とする請求項3、4、及び5のいずれか一に記載の半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004319427A JP2006134939A (ja) | 2004-11-02 | 2004-11-02 | 半導体装置 |
US11/262,816 US7719113B2 (en) | 2004-11-02 | 2005-11-01 | Semiconductor device including dummy patterns |
CN2005101201047A CN1790703B (zh) | 2004-11-02 | 2005-11-02 | 半导体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004319427A JP2006134939A (ja) | 2004-11-02 | 2004-11-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006134939A true JP2006134939A (ja) | 2006-05-25 |
Family
ID=36260803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004319427A Pending JP2006134939A (ja) | 2004-11-02 | 2004-11-02 | 半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7719113B2 (ja) |
JP (1) | JP2006134939A (ja) |
CN (1) | CN1790703B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020085503A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | ミネベアミツミ株式会社 | 検出装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4790649B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2011-10-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN101458720B (zh) * | 2007-12-13 | 2010-09-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 减小sram阱邻近效应的方法 |
TWI384603B (zh) | 2009-02-17 | 2013-02-01 | Advanced Semiconductor Eng | 基板結構及應用其之封裝結構 |
TWI743977B (zh) * | 2020-09-04 | 2021-10-21 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 二極體及其半導體結構 |
JP2022045697A (ja) * | 2020-09-09 | 2022-03-22 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000150806A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004153091A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW388912B (en) * | 1996-04-22 | 2000-05-01 | Toshiba Corp | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US5899706A (en) * | 1997-06-30 | 1999-05-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of reducing loading variation during etch processing |
JP3506645B2 (ja) | 1999-12-13 | 2004-03-15 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002158278A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法ならびに設計方法 |
US6498357B2 (en) * | 2001-02-09 | 2002-12-24 | United Microelectronics Corp. | Lateral SCR device for on-chip ESD protection in shallow-trench-isolation CMOS process |
-
2004
- 2004-11-02 JP JP2004319427A patent/JP2006134939A/ja active Pending
-
2005
- 2005-11-01 US US11/262,816 patent/US7719113B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-02 CN CN2005101201047A patent/CN1790703B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000150806A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004153091A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020085503A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | ミネベアミツミ株式会社 | 検出装置 |
JP7173662B2 (ja) | 2018-11-16 | 2022-11-16 | ミネベアミツミ株式会社 | 検出装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1790703A (zh) | 2006-06-21 |
CN1790703B (zh) | 2011-10-26 |
US20060091425A1 (en) | 2006-05-04 |
US7719113B2 (en) | 2010-05-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8513776B2 (en) | Semiconductor device and method capable of scribing chips with high yield | |
KR100995558B1 (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
US8253217B2 (en) | Seal ring structure in semiconductor devices | |
JP5332200B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
US8395239B2 (en) | Grounded seal ring structure in semiconductor devices | |
CN113658868B (zh) | 半导体元件及其制作方法 | |
US10607881B2 (en) | Device isolation structure and methods of manufacturing thereof | |
US9607884B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
US7719113B2 (en) | Semiconductor device including dummy patterns | |
US20050087835A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of the same | |
JP4615846B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7557408B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2007311818A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010135572A (ja) | 半導体装置 | |
CN101369552A (zh) | 浅沟槽隔离结构的保护方法及应用于其的保护层 | |
JP4421629B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5241159B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2002368077A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006303350A (ja) | 半導体装置 | |
US20180219063A1 (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
JP2005203455A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2006019379A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5163212B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR100307561B1 (ko) | 반도체소자의 금속배선 형성방법_ | |
KR20100076752A (ko) | 반도체 장치 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071010 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090901 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091102 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100105 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100518 |