JP2006134638A - 電子光学装置用電子ビーム源 - Google Patents
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Abstract
【効果】先端が先鋭化された針状形状を有するタングステン等の第1金属基体の清浄な先端表面に、パラジウム、白金等の第2金属を蒸着し、800〜1,200℃に加熱することにより、数nmの大きさのナノピラミッドが成長し、原子1個乃至数個で終端された微小構造物が得られ、点光源として高い指向性、高輝度、高干渉性を有すると共に、この構造物がイオン衝撃や吸着等によってナノピラミッドが壊れた場合にも、加熱によって再生できるため、電子源の寿命は300時間を超える。
【選択図】なし
Description
更に、微小構造体の形成位置制御の困難さに伴う別の問題がある。これまでナノ電子源はいくつか提案されているが、極微小構造物を制御性良くベース材料の決まった位置に形成することはできない。
これらの2つの大きな問題がネックとなり、おおよそ実用に供するナノ電子源を創製することは不可能である。
直径0.1ミリのタングステン線の先端を、水酸化カリウム(1N)を使った電解研磨によって、曲率半径0.1ミクロンの鋭い針を製作した。このタングステン針を超高真空の真空(10-10Torr以下の圧力)容器に導入し、2,000℃以上で加熱し、表面を清浄にし、この清浄な表面にパラジウムを1〜2原子層の厚さに蒸着し、500〜900℃に加熱すると、タングステン表面に数nmの大きさのナノピラミッドが多数成長し、タングステン面上には{211}面を側面としたナノピラミッドが成長し、その先端はタングステンの<111>軸方向に向いた構造体が得られた。
このピラミッドの先端を電界蒸発によって崩壊させ、構造を再度500〜900℃に加熱すると、単原子で終端したナノピラミッドが自己再生した。この崩壊・自己再生過程を電界放出像で観察した。ナノピラミッド先端からは、開き角度は6度で電子ビームが放出されている。なお、輝度は2.44×108A/cm2strであった。ピラミッドの崩壊によってビームの開き角は増加し、輝度は下がる。しかし、再度500〜900℃で加熱することで、開き角度6度の輝度の高い電子ビームに戻る。この電子源は加熱によって自己修復機能を持っていることを示した。
更に、このナノ電子源を大気に露出した後に、超高真空条件で500℃に加熱することによって、再度、ナノ電子源を動作させることが可能であることを確認した。
Claims (2)
- 先端が先鋭化された針状形状を有する第1金属基体の前記先端表面を覆って前記第1金属と異なる第2金属の可算個の原子が加熱修復可能に配列してなる微小構造体からなることを特徴とする電子光学装置用電子ビーム源。
- 第1金属がタングステン又はモリブデンであり、第2金属がパラジウム、白金、イリジウム、ロジウム、レニウム又はオスミウム金属である請求項1記載の電子光学装置用電子ビーム源。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008239376A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Shimadzu Corp | 単結晶タングステンチップ及びその応用機器並びに尖端をもつ単結晶チップの製造方法 |
WO2008140080A1 (ja) | 2007-05-16 | 2008-11-20 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | 電子源 |
JP2009107105A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Academia Sinica | 原子レベルで尖ったイリジウムチップ |
JP2009238443A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Univ Waseda | 電子源及び電子源の製造方法 |
JP2010517233A (ja) * | 2007-01-25 | 2010-05-20 | エヌエフエイビー・リミテッド | 改良された粒子ビーム発生装置 |
JP2011514637A (ja) * | 2008-03-03 | 2011-05-06 | カール ツァイス エヌティーエス エルエルシー | コーティングされた先端部を有するガス電界電離イオン源 |
WO2011055521A1 (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子顕微鏡 |
JP2012164674A (ja) * | 2012-04-16 | 2012-08-30 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンビーム加工・観察装置 |
JP2015167141A (ja) * | 2015-05-07 | 2015-09-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム加工・観察装置およびそれを用いたイオンビーム加工・観察方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5661733A (en) * | 1979-10-24 | 1981-05-27 | Hitachi Ltd | Field emission cathode and its manufacture |
-
2004
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5661733A (en) * | 1979-10-24 | 1981-05-27 | Hitachi Ltd | Field emission cathode and its manufacture |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010517233A (ja) * | 2007-01-25 | 2010-05-20 | エヌエフエイビー・リミテッド | 改良された粒子ビーム発生装置 |
JP2008239376A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Shimadzu Corp | 単結晶タングステンチップ及びその応用機器並びに尖端をもつ単結晶チップの製造方法 |
WO2008140080A1 (ja) | 2007-05-16 | 2008-11-20 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | 電子源 |
US8436524B2 (en) | 2007-05-16 | 2013-05-07 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Electron source |
JP2009107105A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Academia Sinica | 原子レベルで尖ったイリジウムチップ |
JP2011514637A (ja) * | 2008-03-03 | 2011-05-06 | カール ツァイス エヌティーエス エルエルシー | コーティングされた先端部を有するガス電界電離イオン源 |
JP2009238443A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Univ Waseda | 電子源及び電子源の製造方法 |
WO2011055521A1 (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子顕微鏡 |
JP5677310B2 (ja) * | 2009-11-06 | 2015-02-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子顕微鏡 |
JP2012164674A (ja) * | 2012-04-16 | 2012-08-30 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンビーム加工・観察装置 |
JP2015167141A (ja) * | 2015-05-07 | 2015-09-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム加工・観察装置およびそれを用いたイオンビーム加工・観察方法 |
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