JP2006128712A

JP2006128712A - 半導体装置

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Publication number: JP2006128712A
Application number: JP2005368913A
Authority: JP
Inventors: Shinji Baba; 伸治馬場
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Current assignee: Renesas Technology Corp
Priority date: 2005-12-22
Filing date: 2005-12-22
Publication date: 2006-05-18
Anticipated expiration: 2017-08-28
Also published as: JP4372749B2

Abstract

【課題】熱膨張による熱ストレスが生じてもはんだバンプの断線や半導体チップのはがれのない信頼性の高いＢＧＡ構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】積層された複数の絶縁層１３、該複数の絶縁層それぞれの上面に設けられた複数の配線９、および異なる絶縁層上面に設けられた複数の配線を電気的に接続するために絶縁層に設けられた複数のビアホール１２からなるＢＧＡ基板１と、前記複数の配線にそれぞれ接続される複数の電極を有する半導体チップ２とを含んでなる半導体装置であって、前記複数の絶縁層の材料が、半導体装置が実装される実装基板の熱膨張特性にあわせられた有機系材料からなる半導体装置。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置のパッケージ構造に関する。さらに詳しくは、半導体装置を製品に実装するときのはんだ付に用いられるはんだボールがマトリクス状に基板の裏面に配置されたＢＧＡ（Ball Grid Array）構造を有する半導体装置のパッケージ構造に関する。

一般に、たとえば特開平８−３３０４７４号公報に開示されるように、半導体素子のパッケージングにはプラスチックパッケージ、メタルパッケージ、セラミックスパッケージが使われている。これらのうち、セラミックスパッケージは絶縁性、放熱性、耐湿性を有することからＣＭＯＳゲートアレイやＥＣＬゲートアレイなどのパッケージングに使用されている。

たとえば特開平８−８３５９号公報にはプラスチックパッケージのうち、ＢＧＡパッケージが表面実装形パッケージの一種として使用されつつあることが、開示されている。ＢＧＡパッケージは、半導体チップを配置する基板の半導体チップ側の面にはんだバンプをアレイ状に配置し、半導体チップと反対側の面に球形のはんだボールをアレイ状に配置し、基板の表面に半導体チップを配置し、モールド樹脂あるいはポッティングで封止することによって製造し、とくに２００ピンを超える多ピンパッケージとして用いられるものである。ここで、基板の裏面に外部電極となるはんだボールをマトリクス状に配置した構造をＢＧＡ構造という。また、半導体装置をこのＢＧＡ構造によってパッケージングすることをＢＧＡパッケージといい、ＢＧＡ構造となるように絶縁層を積層した基板をＢＧＡ基板という。

このＢＧＡパッケージのばあい、基板の材料としては有機系材料が用いられることがあるが、このＢＧＡパッケージの半導体装置を実装基板に表面実装するばあい、半導体チップとＢＧＡ基板と実装基板とのあいだでの熱膨張量の差が問題となる。

この熱膨張によってＢＧＡ基板の半導体チップと反対側の面に設けられる外部電極であるはんだボール、および半導体チップ側の面に設けられるはんだバンプのうち、最外周側ほどＢＧＡ基板の熱膨張量が大きいため、熱膨張によって生じるストレスが最も大きく、半導体チップとの接合のためのはんだバンプの断線や半導体チップそのもののはがれが生じるという問題がある。

ＢＧＡ基板が、セラミックス材料からなるばあいは、一体焼結法により層間の接続配線に関して微細な配線設計が可能であり、基板内の信号線の配線は任意にできたが、有機系材料のばあいは、絶縁層をまず一層形成し、この一層に対して信号線を配線し、層間の接続をとるビアホールを形成し、その上層につぎの一層を形成し、信号線およびビアホールを設ける（ビルドアップ法）製法であるため、配線設計の制約が多く、前述の熱膨張の問題を解決しうるＢＧＡ構造の材料および信号線の配線形態はえられていない。

本発明は、熱膨張による熱ストレスが生じてもはんだバンプの断線や半導体チップのはがれのない信頼性の高いＢＧＡ構造の半導体装置を提供することを目的とする。

本発明の半導体装置の製造方法は、複数の電極が形成された上面と、有機系材料のコア材からなる絶縁層と、前記コア材の両側に形成されており、有機系材料からなるビルドアップ絶縁層と、前記コア材からなる絶縁層上、及び前記ビルドアップ絶縁層上に形成された複数の配線層と、前記コア材からなる絶縁層内、及び前記ビルドアップ絶縁層内に形成され、前記複数の配線層間を電気的に接続する複数のビアホールとを有する基板であって、前記基板全体としての線膨張係数が１×１０^-5〜２×１０^-5／℃であり、前記ビルドアップ絶縁層の線膨張係数が１×１０^-5〜６×１０^-5／℃である基板を準備する工程と、
複数の電極が形成された表面を有する半導体チップを準備する工程と、
前記半導体チップを、その表面が、前記基板の上面に向かい合うように配置し、前記半導体チップの複数の電極と、前記基板上面の複数の電極を、複数のはんだバンプを介して接続する工程と、
前記半導体チップの表面と、前記基板の上面の間の間隙に樹脂を注入して、前記樹脂を硬化させて封止部材を形成する工程とを有することを特徴としている。

また、前記はんだバンプを介して接続する工程は、前記半導体チップを、その表面が前記基板の上面に向かい合うように配置した状態で、前記半導体チップ及び前記基板を熱処理炉内に投入し、溶融させたはんだバンプを介して前記半導体チップの複数の電極と、前記基板上面の複数の電極とを接続する工程を有することが好ましい。

また、前記複数のはんだバンプを、前記半導体チップの表面と、前記基板の上面が向かい合う領域にマトリクス状または千鳥状に配列して設けることが好ましい。

また、前記複数のはんだバンプを、前記半導体チップの表面と、前記基板の上面が向かい合う領域のうち、中央部を除くリング状の領域にマトリクス状または千鳥状に配列して設けることが好ましい。

また、前記基板は、前記上面と対向する裏面上に複数の外部電極を有しており、
前記複数の外部電極上に、複数のはんだボールを形成する工程を有することが好ましい。

また、前記複数のはんだボールを、前記基板の裏面上に、マトリクス状に配列して設けることが好ましい。

また、前記基板の複数の外部電極を、前記複数のはんだボールを介して実装基板に電気的に接続する工程を有することが好ましい。

また、前記実装基板には、ＦＲ４もしくはＢＴレジンが用いられていることが好ましい。

また、前記実装基板は、ガラス布基材エポキシ樹脂、またはＢＴレジンが用いられていることが好ましい。

また、前記実装基板の線膨張係数は、１×１０^-5〜２×１０^-5／℃であることが好ましい。

また、前記コア材からなる絶縁層は、前記ビルドアップ絶縁層よりも厚く形成されていることが好ましい。

また、前記ビルドアップ絶縁層は、前記コア材からなる絶縁層のそれぞれの側に、複数層積層して形成されていることが好ましい。

また、前記封止部材を形成する工程において、前記半導体チップの表面と対向する裏面が、前記封止部材から露出するように形成することが好ましい。

また、前記半導体チップの裏面上に、ヒートスプレッダを搭載する工程を有することが好ましい。

また、前記ヒートスプレッダを搭載する工程において、前記ヒートスプレッダと前記半導体チップの裏面との間に接着層を介在させることを特徴とすることが好ましい。

また、前記ヒートスプレッダは、前記半導体チップの裏面の周囲に突出しており、前記ヒートスプレッダの突出する部分と、前記基板の上面との間が、板状の部材の中央に開口が設けられたリングを介して接着されていることが好ましい。

また、前記有機系材料は、エポキシ系樹脂およびテトラフルオロエチレン系樹脂のうち少なくとも一つを含むことが好ましい。

また、前記基板は、エポキシ系樹脂およびテトラフルオロエチレン系樹脂のうち少なくとも一つを含むことが好ましい。

また、前記コア材は、前記有機系材料として、エポキシ系樹脂およびテトラフルオロエチレン系樹脂のうちの少なくとも１つを含む物であることが好ましい。

また、前記コア材には、ガラス布基材エポキシ樹脂またはＢＴレジンが用いられていることが好ましい。

また、前記コア材には、ＦＲ４もしくは、ＢＴレジンが用いられていることが好ましい。

また、前記コア材を構成する有機系材料および、前記ビルドアップ絶縁層を構成する有機系材料が、エポキシ系樹脂およびテトラフルオロエチレン系樹脂のうちの少なくとも１つを含む物であることが好ましい。

本発明の半導体装置は、積層された複数の絶縁層、該複数の絶縁層それぞれの上面に設けられた複数の配線、および異なる絶縁層上面に設けられた複数の配線を電気的に接続するために絶縁層に設けられた複数のビアホールからなるＢＧＡ基板と、前記複数の配線にそれぞれ接続される複数の電極を有する半導体チップとを含んでなる半導体装置であって、前記複数の絶縁層の材料が、半導体装置が実装される実装基板の熱膨張特性にあわせられた有機系材料からなるものであるので、熱ストレスに対する信頼性の向上した半導体装置をうる。

本発明の半導体装置は、前記実装基板の熱膨張特性が線膨張係数で示され、前記実装基板の線膨張係数が１×１０^-5〜２×１０-5／℃のばあい、前記絶縁層の線膨張係数が１×１０-5〜６×１０-5／℃であるので、実装信頼性を向上できる。

本発明の半導体装置は、前記有機系材料がエポキシ系樹脂およびテトラフルオロエチレン系樹脂のうちの少なくとも１つであることが好ましい。

本発明の半導体装置は、積層された複数の絶縁層、該複数の絶縁層それぞれの上面に設けられた複数の配線、および異なる絶縁層上面に設けられた複数の配線を電気的に接続するために絶縁層に設けられた複数のビアホールからなるＢＧＡ基板と、前記複数の配線にそれぞれ接続される複数の電極を有する半導体チップとを含んでなる半導体装置であって、前記複数の電極が前記半導体チップのリング状の領域に設けられ、最外周および最内周の列上の電極に電源および接地が接続されるものであるので、熱ストレスに対する信頼性の向上した半導体装置をうる。

本発明の半導体装置は、積層された複数の絶縁層、該複数の絶縁層それぞれの上面に設けられた複数の配線、および異なる絶縁層上面に設けられた複数の配線を電気的に接続するために絶縁層に設けられた複数のビアホールからなるＢＧＡ基板と、前記複数の配線にそれぞれ接続される複数の電極を有する半導体チップと、該半導体チップをＢＧＡ基板に密着させる封止樹脂からなる封止部材と、前記半導体チップにおいて発生した熱を外部に放散するヒートスプレッダーと、前記ＢＧＡ基板およびヒートスプレッダー間に所定の間隔を設けかつ両者を接合するためのリングとを含んでなる半導体装置であって、
前記複数の絶縁層の材料が、該半導体装置が実装される実装基板の熱膨張特性にあわせられた有機系材料からなるものであるので、熱ストレスに対する信頼性の向上した半導体装置をうる。

つぎに、本発明の半導体装置の構造の実施の形態について説明する。

実施の形態１．
図面を参照しつつ、本発明の半導体装置の一実施の形態について説明する。

本発明の半導体装置は、ＢＧＡ基板と、該ＢＧＡ基板上に配置される半導体チップと、該半導体チップにおいて発生した熱を外部に放散するヒートスプレッダーと、前記ＢＧＡ基板およびヒートスプレッダー間に所定の間隔を設けかつ両者を接合するためのリングとからなる。ＢＧＡ基板は複数の絶縁層が重ねられた多層構造であり、各絶縁層には複数の配線およびビアホールが設けられる。前記ＢＧＡ基板は、複数の絶縁層を重ねるときにビアホールを介して所定の配線を互いに接続させたものであり、複数の配線を絶縁層を介して立体的に交差させることができ、半導体装置の小型化を実現することができる。

図１は、本発明の半導体装置の一例を示す一部切欠斜視説明図であり、図２は図１中のＡ−Ａ線断面による断面構造説明図である。図１において、１はＢＧＡ基板、２は半導体チップ、３はヒートスプレッダー、４はリング、６ははんだボール、８は封止部材を示す。また、図２において、図１と同一の箇所は同じ符号を用いて示したほか、５ははんだバンプ、５ｃは最外周の列上のはんだバンプ（以下、単に「最外周はんだバンプ」という）、５ｄは最内周の列上のはんだバンプ（以下、単に「最内周はんだバンプ」という）、７ａは第１の接着層、７ｂは第２の接着層、９は配線、１２はビアホールであり、１３は絶縁層である。第１の接着層７ａは、ＢＧＡ基板１およびリング４、ならびにヒートスプレッダー３およびリング４をそれぞれ接着している。第２の接着層７ｂは、半導体チップ２およびヒートスプレッダー３を接着している。

ＢＧＡ基板１に設けられた各配線（図示せず）は半導体装置の外部電極（図示せず）に電気的に接続されている。はんだボール６は、はんだ材からなり、半導体装置の外部電極に電気的に接続される。半導体チップ２の複数の電極（図示せず）はそれぞれＢＧＡ基板１の所定の配線に電気的に接続される。当該接続は、たとえば、半導体チップ２の各電極表面およびＢＧＡ基板１の各配線に接続された電極表面にはんだバンプをあらかじめ設け、該はんだバンプを用いてはんだ付けすることにより実現される。封止部材８は、封止樹脂からなり、半導体チップ２をＢＧＡ基板１に密着させるために設けられる。

また、リング４は、板状の部材の中央に開口部が設けられたものである。前記開口部の形状は半導体チップ２の形状に応じて定める。ヒートスプレッダー３の形状はＢＧＡ基板１の形状と同様の薄板状である。また、半導体チップ２およびヒートスプレッダー３、ＢＧＡ基板１およびリング４、ならびにヒートスプレッダー３およびリング４は接着剤を用いて接着される。半導体チップ２およびヒートスプレッダー３を接着する接着剤は、耐熱性がよく、コスト的にメリットのあるエポキシ系接着剤である。一方、ＢＧＡ基板１およびリング４、ならびにヒートスプレッダーおよびリング４を接着する接着剤は、半導体チップ２へのストレスを和らげるヤング率（Ｅ）の小さいシリコーン系接着剤である。

はんだバンプ５は、半導体チップの表面中央部を除くリング状の領域にマトリクス状または千鳥状に設けられている。またはんだバンプ５は、半導体チップ２の外部電極およびＢＧＡ基板１の表面側の電極を接合し、はんだボール６は、ＢＧＡ基板１の裏面側の外部電極と実装基板とを接合し、半導体チップと実装基板とのあいだで、配線９およびビアホール１２を介して電源の入力や信号の入出力がおこなわれる構造とする。

本発明の半導体装置のＢＧＡ基板１は、前述した熱膨張の問題を解決するため、実装基板の熱膨張特性にあわせた有機系材料によって形成されている。熱膨張特性は、ここでは線膨張係数で示されるものとする。また、ＢＧＡ基板は複数の絶縁層からなるが、ＢＧＡ基板全体としての線膨張係数として示す。熱膨張の点に関して、実装基板の材料はたとえば、ＦＲ４（ＡＳＴＭＤ−１８６７規格によるガラス布基材エポキシ樹脂）またはＢＴレジン（商品名。三菱ガス化学（株）製樹脂）などが用いられており、その線膨張係数は１×１０^-5〜２×１０^-5／℃の範囲であるので、ＢＧＡ基板の材料は、その線膨張係数を実装信頼性の点から実装基板の線膨張係数に対して１×１０^-5〜６×１０^-5／℃の範囲となるようにあわせる。前記ＢＧＡ基板は図２に示すように実装基板で用いられるＦＲ４やＢＴレジンからなるコア材１ａの両側には線膨張係数１×１０^-5〜６×１０^-5／℃のビルドアップ絶縁層１ｂが積層されている。ＢＧＡ基板全体としての線膨張係数は１×１０^-5〜２×１０^-5／℃であり、また、ＢＧＡ基板内部での信頼性保持（各コア材１の間の剥がれ防止）のために、ビルドアップ絶縁層１ｂの線膨張係数を１×１０^-5〜６×１０^-5／℃とする。

これにより実装信頼性向上はもとよりＢＧＡ基板自身の信頼性が向上する。

ＢＧＡ基板の材料にはエポキシ系樹脂および（または）テトラフルオロエチレン系樹脂を用いる。エポキシ系樹脂とはエポキシ系樹脂にガラス繊維またはアクリル樹脂などを混入させたものをいう。また、テトラフルオロエチレン系樹脂とはテトラフルオロエチレン樹脂にアクリル樹脂などを混入させたものをいう。

ＢＧＡ基板の材料として有機系材料を用いるメリットは、(1)実装信頼性が向上し、(2)低コスト化が実現でき、さらに(3)比誘電率εが３〜５以下の絶縁層が形成でき高速対応が可能な半導体装置がえられることである。

つぎに、半導体装置の製法について説明する。図３および図４は、本発明の半導体装置の製法の一例を示す工程断面説明図である。図３および図４において、図１および図２と同一の箇所は同じ符号を用いて示した。なお、５ａは、半導体チップ２に含まれる外部電極（図示せず）に電気的に接続された第１のはんだバンプ、５ｂは、ＢＧＡ基板１に設けられた複数の配線の外部電極（図示せず）に電気的に接続された第２のはんだバンプを示す。

まず、半導体チップ２に含まれる電極上に第１のはんだバンプ５ａを設け、同様に、ＢＧＡ基板１の複数の配線の一端部上に第２のはんだバンプ５ｂを設ける（図３（ａ）参照）。ついで、ＢＧＡ基板１表面のうち第２のはんだバンプ５ｂが形成された領域にフラックス材を塗布する。ＢＧＡ基板１上に半導体チップ２を載置し、第１のはんだバンプ５ａおよび第２のはんだバンプ５ｂを接触させた状態で、ＢＧＡ基板１および半導体チップ２を熱処理炉（いわゆるリフロー炉）内に投入する。その結果、第１のはんだバンプ５ａおよび第２のはんだバンプ５ｂが溶け、互いに接触していた第１のはんだバンプ５ａおよび第２のはんだバンプ５ｂが一体となる。図３では、第１のはんだバンプおよび第２のはんだバンプが一体になったものをはんだバンプ５として示している。前記はんだバンプ５により、半導体チップ２に含まれる電極とＢＧＡ基板１の複数の配線とが電気的に接続される（図３（ｂ）参照）。さらに、フラックス材の洗浄を行ったのち、第１の接着層７ａによりＢＧＡ基板１にリング４を接着する（図３（ｃ）参照）。つぎに、ＢＧＡ基板１および半導体チップ２間の間隙部に封止樹脂を注入し固め封止部材８を形成し、半導体チップ２をＢＧＡ基板１に密着させた状態で固定する。ついで、半導体チップ２上表面に接着剤を塗布して第２の接着層７ｂを設け（図４（ａ）参照）、リング４上表面に接着剤を塗布して第１の接着層７ａを設けたのち、半導体チップ２およびリング４上にヒートスプレッダー３を載せ、半導体チップ２およびリング４にヒートスプレッダー３を接着する（図４（ｂ）参照）。最後に、ＢＧＡ基板１の複数の配線の他の端部に接続された半導体装置の外部電極上にはんだボール６を設け、半導体装置をうる（図４（ｃ）参照）。

このように、複数の絶縁層からなるプラスチック基板の材料が、実装基板の熱膨張特性にあわせられた有機系材料で形成されるので、熱ストレスに対する信頼性の向上した半導体装置がえられる。

実施の形態２．
図２に示したはんだバンプは、半導体チップ表面の周縁部であるリング状の領域に設けられている。図５は、半導体チップ表面にリング状に設けられたはんだバンプを示す平面説明図である。図１および図２と同一の箇所は同じ符号を用いて示した。最外周はんだバンプ５ｃはリング状の領域の最外周の列上に位置させているので、半導体チップの熱膨張およびＢＧＡ基板の熱膨張がそれぞれ生じた際に、その差が最も大きくなり、はんだバンプの断線が生じやすい。また、最内周はんだバンプ５ｄはリング状の領域の最内周の列上に位置させているので、封止部材の熱収縮によるストレスが大きく、はんだバンプの断線が生じやすい。

このように、最外周はんだバンプおよび最内周はんだバンプは熱膨張や熱収縮によるストレスが大きいので断線が生じやすいという問題がある。本実施の形態は、かかる問題を考慮して、半導体チップへの電源入力のための配線および接地の配線を前記最外周はんだバンプ５ｃおよび最外周から２列目のはんだバンプならびに最内周はんだバンプ５ｄに接続できるように絶縁層上の配線および絶縁層間のビアホールの位置関係をあわせたものである。電源入力のための配線および接地の配線は、それぞれ予備配線をともなっているので、半導体チップの熱膨張およびＢＧＡ基板の熱膨張によりはんだバンプの接合に問題が生じても半導体チップの動作機能に影響を与えることが全くない。さらに最外周はんだバンプに関し、半導体チップの４箇所の角部は熱ストレスが最も大きいため、はんだバンプによる接続を設けないことが望ましい。本実施の形態により熱ストレスに対する信頼性の向上した半導体装置がえられる。

実施の形態３．
実施の形態１および実施の形態２では半導体装置の一例としてヒートスプレッダーおよびリングを含んでなる半導体装置を説明したが、半導体装置がヒートスプレッダーおよびリングを含まない半導体装置であっても同様の効果がえられる。

本発明の半導体装置の実施の形態を示す一部切欠斜視説明図である。本発明の半導体装置の実施の形態を示す断面説明図である。本発明の半導体装置の実施の形態を示す工程断面説明図である。本発明の半導体装置の実施の形態を示す工程断面説明図である。半導体チップ表面にリング状に設けられたはんだバンプを示す平面説明図である。

符号の説明

１ＢＧＡ基板、２半導体チップ、３ヒートスプレッダー、４リング、５はんだバンプ、６はんだボール、８封止部材、９配線、１２ビアホール、１３絶縁層。

Claims

複数の電極が形成された上面と、有機系材料のコア材からなる絶縁層と、前記コア材の両側に形成されており、有機系材料からなるビルドアップ絶縁層と、前記コア材からなる絶縁層上、及び前記ビルドアップ絶縁層上に形成された複数の配線層と、前記コア材からなる絶縁層内、及び前記ビルドアップ絶縁層内に形成され、前記複数の配線層間を電気的に接続する複数のビアホールとを有する基板であって、前記基板全体としての線膨張係数が１×１０^-5〜２×１０^-5／℃であり、前記ビルドアップ絶縁層の線膨張係数が１×１０^-5〜６×１０^-5／℃である基板を準備する工程と、
複数の電極が形成された表面を有する半導体チップを準備する工程と、
前記半導体チップを、その表面が、前記基板の上面に向かい合うように配置し、前記半導体チップの複数の電極と、前記基板上面の複数の電極を、複数のはんだバンプを介して接続する工程と、
前記半導体チップの表面と、前記基板の上面の間の間隙に樹脂を注入して、前記樹脂を硬化させて封止部材を形成する工程とを有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
前記はんだバンプを介して接続する工程は、前記半導体チップを、その表面が前記基板の上面に向かい合うように配置した状態で、前記半導体チップ及び前記基板を熱処理炉内に投入し、溶融させたはんだバンプを介して前記半導体チップの複数の電極と、前記基板上面の複数の電極とを接続する工程を有することを特徴とする、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
前記複数のはんだバンプを、前記半導体チップの表面と、前記基板の上面が向かい合う領域にマトリクス状または千鳥状に配列して設けることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記複数のはんだバンプを、前記半導体チップの表面と、前記基板の上面が向かい合う領域のうち、中央部を除くリング状の領域にマトリクス状または千鳥状に配列して設けることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記基板は、前記上面と対向する裏面上に複数の外部電極を有しており、
前記複数の外部電極上に、複数のはんだボールを形成する工程を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記複数のはんだボールを、前記基板の裏面上に、マトリクス状に配列して設けることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
前記基板の複数の外部電極を、前記複数のはんだボールを介して実装基板に電気的に接続する工程を有することを特徴とする請求項５〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記実装基板には、ＦＲ４もしくはＢＴレジンが用いられていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
前記実装基板は、ガラス布基材エポキシ樹脂、またはＢＴレジンが用いられていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
前記実装基板の線膨張係数は、１×１０^-5〜２×１０^-5／℃であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
前記コア材からなる絶縁層は、前記ビルドアップ絶縁層よりも厚く形成されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記ビルドアップ絶縁層は、前記コア材からなる絶縁層のそれぞれの側に、複数層積層して形成されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記封止部材を形成する工程において、前記半導体チップの表面と対向する裏面が、前記封止部材から露出するように形成することを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体チップの裏面上に、ヒートスプレッダを搭載する工程を有することを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記ヒートスプレッダを搭載する工程において、前記ヒートスプレッダと前記半導体チップの裏面との間に接着層を介在させることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
前記ヒートスプレッダは、前記半導体チップの裏面の周囲に突出しており、前記ヒートスプレッダの突出する部分と、前記基板の上面との間が、板状の部材の中央に開口が設けられたリングを介して接着されていることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
前記有機系材料は、エポキシ系樹脂およびテトラフルオロエチレン系樹脂のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記基板は、エポキシ系樹脂およびテトラフルオロエチレン系樹脂のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記コア材は、前記有機系材料として、エポキシ系樹脂およびテトラフルオロエチレン系樹脂のうちの少なくとも１つを含む物であることを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記コア材には、ガラス布基材エポキシ樹脂またはＢＴレジンが用いられていることを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記コア材には、ＦＲ４もしくは、ＢＴレジンが用いられていることを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記コア材を構成する有機系材料および、前記ビルドアップ絶縁層を構成する有機系材料が、エポキシ系樹脂およびテトラフルオロエチレン系樹脂のうちの少なくとも１つを含む物であることを特徴とする請求項１〜２１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。