JP2006120817A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 乾燥むらを発生させることなく基板の表面を効果的に洗浄することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 スピンチャック５０１の上方には遮断用流体ノズル６０が設けられている。遮断用流体ノズル６０は、筒型の遮断用ノズル本体部６０ｂを有しており、遮断用ノズル本体部６０ｂ内において二流体ノズル５０が設けられている。遮断用ノズル本体部６０ｂと二流体ノズル５０との間に遮断用流体通過部６０ａが形成されている。二流体ノズル５０により生成された混合流体が基板Ｗ上に供給される際に、この混合流体を取り囲むように窒素ガスを遮断用流体ノズル６０によって基板Ｗ上に供給する。それにより、窒素ガスが供給される領域を外気の酸素から遮断する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。

半導体デバイス、液晶ディスプレイ等の製造工程では、半導体ウエハ、ガラス基板等の基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、イオン注入、レジスト剥離、層間絶縁膜の形成、熱処理等の各種処理が行われる。

上記処理のうち、基板に対する洗浄処理においては、薬液（エッチング液等）およびリンス液（純水等）が用いられる。薬液およびリンス液は、二流体スプレーノズルにより基板上に供給される。

上記の二流体スプレーノズルは、基板上にエッチング液およびリンス液をそれぞれ供給するエッチング液供給配管およびリンス液供給配管と、基板上に窒素ガスを供給する窒素ガス供給配管とにより構成されている（例えば、特許文献１参照）。この場合、エッチング液またはリンス液と窒素ガスとが二流体スプレーノズル内または二流体スプレーノズル外で混合され、エッチング液またはリンス液の液滴が基板上に供給される。
特開平２００３−１９７５９７号公報

シリコン（Ｓｉ）が露出したウエハ等のように疎水性を有する基板を処理する場合において特に、上記従来の二流体スプレーノズルによる液滴供給の処理中に、二流体スプレーノズルの周囲の外気を巻き込んでしまうため、基板上にウォーターマークが生成されてしまう。ウォーターマークとは、基板上に生じる乾燥むらであって、乾燥後に基板上にしみとして残る。一般的に、ウォーターマークは、シリコンからなる基板上に水分および酸素が存在すると生成される。

本発明の目的は、上述したような乾燥むらを発生させることなく基板の表面を効果的に洗浄することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

第１の発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板を保持しつつ回転させる基板回転手段と、処理液および気体を混合させて混合流体を生成し、混合流体を基板回転手段により保持された基板の表面に供給する混合流体供給手段と、混合流体供給手段により生成された混合流体を取り囲むように遮断用流体を基板の表面に供給する遮断用流体供給手段とを備えたものである。

本発明に係る基板処理装置においては、混合流体供給手段により生成された混合流体を取り囲むように遮断用流体が遮断用流体供給手段によって基板上に供給される。それにより、混合流体が供給される領域が外気の酸素から遮断される。これにより、基板上に酸素の存在による乾燥むらが生成されることを防止または抑制することができるとともに、混合流体により基板の表面を効果的に洗浄することができる。特に、疎水性を有する基板に対してはウォーターマークの発生を効果的に防止することができる。

遮断用流体供給手段は、遮断用流体が流通する流体流路を有し、流体流路は、混合流体供給手段を囲むように設けられてもよい。この場合、混合流体が供給される領域が外気の酸素から確実に遮断される。それにより、基板上に乾燥むらが生成されることを防止することができる。

混合流体供給手段による基板上への混合流体の供給時および遮断用流体供給手段による基板上への遮断用流体の供給時に、基板上へ液体を供給する液体供給手段をさらに備えてもよい。

液体供給手段が所定の位置に設けられている場合、混合流体供給手段による混合流体の供給後および遮断用流体供給手段による遮断用流体の供給後に、基板の乾燥を防ぐことができる。これにより、基板上に乾燥むらが生成されることを抑制することができる。

また、液体供給手段が混合流体供給手段および遮断用流体供給手段とともに移動可能に構成されている場合、液体供給手段により供給された液体によって除去された基板上の不要物が洗い流されるので、基板上に不要物が再付着することを防止することができる。

遮断用流体は、不活性ガスを含んでもよい。この場合、基板に影響を与えることなく混合流体が供給される領域を外気の酸素から遮断することができる。

遮断用流体は、水を含んでもよい。この場合、基板に影響を与えることなく混合流体が供給される領域を外気の酸素から遮断することができる。

水は純水を含んでもよい。また、水は機能水を含んでもよい。この場合、低コスト化を図りつつ基板に影響を与えることなく混合流体が供給される領域を外気の酸素から遮断することができる。

機能水は、炭酸水、水素水および電解イオン水よりなる群から選択される少なくとも１つを含んでもよい。この場合、低コスト化を図りつつ基板に影響を与えることなく混合流体が供給される領域を外気の酸素から遮断することができる。

混合流体供給手段は、処理液が流通する処理液流路と、気体が流通する気体流路と、処理液流路に連通して開口する処理液吐出口と、処理液吐出口の近傍に設けられるとともに気体流路に連通して開口する気体吐出口とを有する外部混合型二流体ノズルを含んでもよい。

この場合、処理液が処理液流路を流通して処理液吐出口から吐出されるとともに、気体が気体流路を流通して気体吐出口から吐出され、ノズルの外部において処理液と気体とが混合される。それにより、処理液の微細な液滴を含む混合流体が生成される。微細な液滴を含む混合流体が基板上に供給されることにより、基板上の不要物が効果的に除去される。

混合流体供給手段は、処理液が流通する処理液流路と、気体が流通する気体流路と、処理液流路および気体流路に連通して混合流体を生成する混合室と、混合室に連通して開口し混合流体が吐出される混合流体吐出口とを有する内部混合部二流体ノズルを含んでもよい。

この場合、処理液が処理液流路を流通するとともに、気体が気体流路を流通し、ノズル内部の混合室で混合される。この混合流体が、混合室に連通する混合流体吐出口から吐出されることにより処理液の微細な液滴を含む混合流体が生成される。微細な液滴を含む混合流体が基板上に供給されることにより、基板上の不要物が効果的に除去される。

第２の発明に係る基板処理方法は、基板を保持しつつ回転させるステップと、処理液および気体を混合させて混合流体を生成し、混合流体を回転する基板の表面に供給するステップと、生成された混合流体を取り囲むように遮断用流体を回転する基板の表面に供給するステップとを備えたものである。

本発明に係る基板処理方法においては、混合流体を取り囲むように遮断用流体が基板上に供給される。それにより、混合流体が供給される領域が外気の酸素から遮断される。これにより、基板上に酸素の存在による乾燥むらが生成されることを防止または抑制することができるとともに、混合流体により基板の表面を効果的に洗浄することができる。

本発明によれば、基板上に酸素の存在による乾燥むらが生成されることを防止または抑制することができるとともに、混合流体により基板の表面を効果的に洗浄することができる。

以下の説明において、基板とは、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。

図１は、本実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。

処理領域Ａには、制御部４、流体ボックス部２ａ、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２および流体ボックス部２ｂが配置されている。

流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２へのリンス液の供給および洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２からの廃液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、リンス液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。なお、リンス液は純水または機能水等を含み、この機能水は、炭酸を純水に溶解させた炭酸水、オゾンを純水に溶解させたオゾン水、水素を純水に溶解させた水素水または電解イオン水等を含む。

洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２では、後述の二流体ノズルおよび遮断用流体ノズルによる処理が行われる。詳細については後述する。

処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ、洗浄処理部ＭＰＣ３，ＭＰＣ４および流体ボックス部２ｄが配置されている。

流体ボックス部２ｃ，２ｄは、それぞれ洗浄処理部ＭＰＣ３，ＭＰＣ４へのリンス液の供給および洗浄処理部ＭＰＣ３，ＭＰＣ４からの廃液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、リンス液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。

洗浄処理部ＭＰＣ３，ＭＰＣ４においては、それぞれ洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２と同様の処理が行われる。

以下、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２，ＭＰＣ３，ＭＰＣ４を処理ユニットと総称する。

搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板の搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。本実施の形態においては、キャリア１として、基板Ｗを密閉した状態で収納するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を用いているが、これに限定されるものではなく、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド、ＯＣ（Open Cassette）等を用いてもよい。

インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。

基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された処理ユニットに搬送し、または、処理ユニットから受け取った基板Ｗを他の処理ユニットまたはインデクサロボットＩＲに搬送する。

制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａ，Ｂの各処理ユニットの動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。

図２は、図１の洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２，ＭＰＣ３，ＭＰＣ４の側面図である。なお、図２の一部は断面図を示している。

図２に示すように、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２，ＭＰＣ３，ＭＰＣ４は、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック５０１を備える。スピンチャック５０１は、チャック回転駆動機構５０８によって回転される回転軸５０３の上端に固定されている。基板Ｗは、後述の二流体ノズルおよび遮断用流体ノズルによる処理およびこの処理後の基板Ｗの乾燥処理を行う場合に、スピンチャック５０１により水平に保持された状態で回転する。

スピンチャック５０１の上方には遮断用流体ノズル６０が設けられている。この遮断用流体ノズル６０は、筒型の遮断用ノズル本体部６０ｂを有しており、遮断用ノズル本体部６０ｂ内において二流体ノズル５０が設けられている。二流体ノズル５０の構成については後述する。遮断用ノズル本体部６０ｂと二流体ノズル５０との間に遮断用流体通過部６０ａが形成されている。

遮断用流体通過部６０ａは、配管７１を介してガス供給源７３に接続されている。また、配管７１には第１の吐出弁７２が介挿されている。

筒型の遮断用ノズル本体部６０ｂの下端には、その遮断用ノズル本体部６０ｂよりも大きい内径を有する筒型の先端部６１が形成されている。この先端部６１の内部には徐変部６２が設けられている。徐変部６２は下方に向かうにつれて漸次増加する内径を有する。このような構成により、ガス供給源７３からの窒素ガスは、遮断用ノズル本体部６０ｂの先端におけるガス吐出口６０ｃにおいて外方へ分散される。それにより、基板Ｗ上の全体に効率よく窒素ガスが供給される。なお、窒素ガスの代わりにアルゴンガス等の他の不活性ガスを用いてもよい。

また、遮断用流体ノズル６０の遮断用ノズル本体部６０ｂにはアーム６３が接続されている。アーム６３には昇降駆動機構６４および揺動駆動機構６５が接続されている。

昇降駆動機構６４は、遮断用流体ノズル６０をスピンチャック５０１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック５０１から上方に離れた位置との間で上下動させる。揺動駆動機構６５は、遮断用流体ノズル６０を基板Ｗ上において走査させる。

遮断用流体ノズル６０は、二流体ノズル５０により生成された混合流体が基板Ｗ上に供給される際に、ガス供給源７３からの窒素ガスを基板Ｗ上に供給する。

また、スピンチャック５０１の上方に純水供給ノズル８０が設けられている。二流体ノズル５０および遮断用流体ノズル６０が基板Ｗ上の端部まで走査された場合に、基板Ｗの中心付近には混合流体が出射されにくい。その結果、基板Ｗの中心付近が乾燥する。

本実施の形態では、純水供給ノズル８０は、基板Ｗの上方における所定の位置（例えば、基板Ｗの中心から外れた位置）に設けられており、流体ノズル５０により生成された混合流体が基板Ｗ上に供給されるとともに遮断用流体ノズル６０からの窒素ガスが基板Ｗ上に供給される際に、純水を基板Ｗ上に供給する。それにより、基板Ｗの表面の乾燥を防ぐことができる。これにより、基板Ｗ上にウォーターマークが生成されることを抑制することができる。

スピンチャック５０１の回転軸５０３は中空軸からなる。回転軸５０３の内部には、薬液供給管５０４が挿通されている。薬液供給管５０４には、基板Ｗの下面を洗浄するための薬液が供給される。薬液供給管５０４は、スピンチャック５０１に保持された基板Ｗの下面に近接する位置まで延びている。薬液供給管５０４の先端には、基板Ｗの下面中央に向けて薬液を吐出する下面ノズル５０５が設けられている。

スピンチャック５０１は、処理カップ５０２内に収容されている。処理カップ５０２の内側には、筒状の仕切壁５０９が設けられている。また、処理カップ５０２と仕切壁５０９の間に基板Ｗの処理に用いられた廃液を排出するための排液空間５０６が形成されている。排液空間５０６には排液管５０７が接続されている。

ここで、二流体ノズル５０の構成について説明する。図３（ａ）は、外部混合型と呼ばれる二流体ノズル５０Ａの一例の縦断面図であり、図３（ｂ）は、内部混合型と呼ばれる二流体ノズル５０Ｂの他の一例の縦断面図である。これら２つのノズル形態の最も大きな相違点は、二流体の混合すなわち混合流体の生成が、ノズル本体の内部でされるか外部でされるかという点である。

図３（ａ）に示す外部混合型二流体ノズル５０Ａは、内部本体部５１および外部本体部５２により構成される。内部本体部５１は、例えば石英からなり、外部本体部５２は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂からなる。

内部本体部５１の中心軸に沿ってリンス液導入部５１ｂが形成されている。内部本体部５１の下端には、リンス液導入部５１ｂに連通するリンス液吐出口５１ａが形成されている。内部本体部５１は、外部本体部５２内に挿入されている。なお、内部本体部５１および外部本体部５２の上端部は互いに接合されており、下端は接合されていない。

内部本体部５１と外部本体部５２との間には円筒状の気体通過部５２ｂが形成されている。外部本体部５２の下端には、気体通過部５２ｂに連通する気体吐出口５２ａが形成されている。外部本体部５２の周壁には、気体通過部５２ｂに連通する気体導入口５２ｃが設けられている。本実施の形態では、気体導入口５２ｃから窒素ガスが導入される。

気体通過部５２ｂは、気体吐出口５２ａ近傍において、下方に向かうにつれて径小となっている。その結果、窒素ガスの流速が加速され、気体吐出口５２ａより吐出される。

図３（ａ）の外部混合型二流体ノズル５０Ａでは、リンス液吐出口５１ａから吐出されたリンス液と気体吐出口５２ａから吐出された窒素ガスとが二流体ノズル５０Ａの下端近傍の外部で混合され、リンス液の微細な液滴を含む霧状の混合流体が生成される。

この場合、霧状の混合流体は、リンス液吐出口５１ａおよび気体吐出口５２ａから吐出された後に生成されるため、リンス液および窒素ガスの流量および流速は、それぞれリンス液吐出口５１ａ内および気体吐出口５２ａ内で互いに独立した状態を維持する。これにより、リンス液および窒素ガスの流量および流速を所望の値に制御することにより、所望の混合流体を得ることができる。例えば、窒素ガスの流量を調整することにより、混合流体による基板Ｗへの衝撃を緩和することができる。

図３（ｂ）に示す内部混合型二流体ノズル５０Ｂは、気体導入管５３および本体部５４により構成される。本体部５４は、例えば石英からなり、気体導入管５３は、例えばＰＴＦＥからなる。

気体導入管５３には、上端から下端まで連通する気体導入部５３ａが形成されている。本体部５４は、径大な上部筒５４ａ、テーパ部５４ｂおよび径小な下部筒５４ｃからなる。

上部筒５４ａのテーパ部５４ｂ内に混合室５４ｄが形成され、下部筒５４ｃ内に直流部５４ｅが形成されている。下部筒５４ｃの下端には、直流部５４ｅに連通する混合流体吐出口５４ｆが形成されている。

本体部５４の上部筒５４ａには、混合室５４ｄに連通するリンス液導入部５４ｇが設けられている。気体導入管５３の下端部は、本体部５４の上部筒５４ａの混合室５４ｄ内に挿入されている。

図３（ｂ）の内部混合型二流体ノズル５０Ｂでは、気体導入部５３ａから加圧された窒素ガスが供給され、リンス液導入部５４ｇからリンス液が供給されると、混合室５４ｄで窒素ガスとリンス液とが混合され、リンス液の微細な液滴を含む霧状の混合流体が生成される。

混合室５４ｄで生成された混合流体は、テーパ部５４ｂに沿って直流部５４ｅを通過することにより加速される。加速された混合流体は、混合流体吐出口５４ｆから吐出され、基板Ｗの表面に供給される。

図３（ｂ）の内部混合型二流体ノズル５０Ｂでは、例えば、窒素ガスの流量を調整することにより、混合流体による基板Ｗへの衝撃を緩和することができる。

なお、図３（ａ）の外部混合型二流体ノズル５０Ａおよび図３（ｂ）の内部混合型二流体ノズル５０Ｂは、用途等に応じて選択的に使用することができる。

図４は、図２の洗浄処理部ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４の二流体ノズル５０にリンス液および窒素ガスを供給する構成を示す模式図である。

図３に示すように、二流体ノズル５０には、リンス液を供給するためのリンス液供給系５２０および窒素ガスを供給するための窒素ガス供給系５３０が接続されている。

リンス液供給系５２０は、リンス液源５２１、ポンプ５２２、温度調節器（以下、温調器と呼ぶ）５２３、フィルタ５２４および第２の吐出弁５２５を含む。なお、本実施の形態においては、リンス液源５２１は、純水貯留タンクあるいは半導体製品生産工場の純水ユーティリティ等に相当する。

ポンプ５２２によってリンス液源５２１から吸引されたリンス液は、温調器５２３により所定温度に加熱または冷却される。それにより、リンス液の温度が所定の温度（例えば室温２２〜２５℃程度）に調節される。その後、温度調節されたリンス液がフィルタ５２４を通過することにより、リンス液から汚染物質が除去される。その後、リンス液は、第２の吐出弁５２５を通して二流体ノズル５０に供給される。

また、窒素ガス供給系５３０は、第３の吐出弁５２６および窒素ガス源５２７を含む。窒素ガス源５２７からの加圧された窒素ガスは、第３の吐出弁５２６を通して二流体ノズル５０に供給される。なお、本実施の形態においては、窒素ガス源５２７は、窒素ガスボンベあるいは半導体製品生産工場の窒素ガスユーティリティ等に相当する。

図５は、図１の基板処理装置１００の制御系の構成を示すブロック図である。

図５に示すように、制御部４は、インデクサロボットＩＲおよび基板搬送ロボットＣＲの基板搬送動作ならびに洗浄処理部ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４の昇降駆動機構６４、揺動駆動機構６５およびチャック回転駆動機構５０８の駆動動作を制御する。

また、制御部４は、ポンプ５２２の吸引動作および温調器５２３の温度調節動作を制御する。さらに、制御部４は、第１の吐出弁７２、第２の吐出弁５２５および第３の吐出弁５２６の開閉動作を制御する。

図６は、洗浄処理部ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４における第１〜第３の吐出弁の開閉状態を示す図である。

図６に示すように、制御部４により第１の吐出弁７２は、第２の吐出弁５２５および第３の吐出弁５２６よりも前に開状態にされるとともに、第２の吐出弁５２５および第３の吐出弁５２６よりも後で閉状態にされる。それにより、基板Ｗ上の全体に十分に窒素ガスの雰囲気を生成させることができるとともに、二流体ノズル５０による混合流体の出射が終了した後も基板Ｗ上の全体に十分に窒素ガスの雰囲気を維持させることができる。

このように、本実施の形態においては、二流体ノズル５０により生成された混合流体を取り囲むように窒素ガスが遮断用流体ノズル６０によって基板Ｗ上に供給される。それにより、窒素ガスが供給される領域が外気の酸素から遮断される。これにより、基板Ｗ上に酸素の存在に起因するウォーターマークが生成されることを防止または抑制することができるとともに、混合流体により基板Ｗの表面を効果的に洗浄することができる。

（その他の例）
本例の洗浄処理部ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４の構成が、上記実施の形態の洗浄処理部ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４の構成と異なる点は、純水供給ノズル８０が移動可能に設けられている点である。純水供給ノズル８０が二流体ノズル５０および遮断用流体ノズル６０とともに基板Ｗ上を往復移動する。それにより、二流体ノズル５０から出射された混合流体により除去された基板Ｗ上の不要物が基板Ｗに再付着することを防止することができる。

なお、所定の位置に設けられた純水供給ノズル８０と基板Ｗ上を往復移動する純水供給ノズル８０とを組み合わせて用いてもよい。

また、二流体ノズル５０は、外部混合型二流体ノズル５０Ａであってもよいし、内部混合型二流体ノズル５０Ｂであってもよい。基板Ｗに対する損傷をより抑制したい場合は、液滴の粒径がより小さく、圧力や流量の調整可能な範囲が広い外部混合型二流体ノズル５０Ａがより好ましい。

さらに、二流体ノズル５０および遮断用流体ノズル６０は、基板Ｗの一方側の外周部から基板Ｗの回転中心を通り基板Ｗの他方側の外周部までを往復移動してもよく、基板Ｗの回転中心から基板Ｗの一方側の外周部までを往復移動してもよい。

本実施の形態においては、スピンチャック５０１が基板回転手段に相当し、リンス液が処理液に相当し、窒素ガスが遮断用流体に相当し、二流体ノズル５０が混合流体供給手段に相当し、遮断用流体ノズル６０が遮断用流体供給手段に相当し、遮断用ノズル本体部６０ｂが流体流路に相当し、純水供給ノズル８０が液体供給手段に相当し、リンス液導入部５１ｂおよびリンス液導入部５４ｇが処理液流路に相当し、気体通過部５２ｂ、気体導入口５２ｃおよび気体導入部５３ａが気体流路に相当する。

本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の種々の基板に処理を行うため等に利用することができる。

本実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の洗浄処理部の側面図である。 （ａ）は、外部混合型と呼ばれる二流体ノズルの一例の縦断面図であり、（ｂ）は、内部混合型と呼ばれる二流体ノズルの他の一例の縦断面図である。 図２の洗浄処理部の二流体ノズルにリンス液および窒素ガスを供給する構成を示す模式図である。 図１の基板処理装置の制御系の構成を示すブロック図である。 洗浄処理部における第１〜第３の吐出弁の開閉状態を示す図である。

符号の説明

４ 制御部
５０ 二流体ノズル
５０Ａ 外部混合型二流体ノズル
５０Ｂ 内部混合型二流体ノズル
５１ａ リンス液吐出口
５１ｂ，５４ｇ リンス液導入部
５２ａ 気体吐出口
５２ｂ 気体通過部
５２ｃ 気体導入口
５３ａ 気体導入部
５４ｄ 混合室
５４ｆ 混合流体吐出口
６０ 遮断用流体ノズル
６０ａ 遮断用流体通過部
６０ｂ 遮断用ノズル本体部
７２ 第１の吐出弁
８０ 純水供給ノズル
１００ 基板処理装置
５０１ スピンチャック
５０８ チャック回転駆動機構
５２５ 第２の吐出弁
５２６ 第３の吐出弁
ＭＰＣ１，ＭＰＣ２，ＭＰＣ３，ＭＰＣ４ 洗浄処理部
Ｗ 基板

Claims (11)

1. 基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
   前記基板を保持しつつ回転させる基板回転手段と、
   処理液および気体を混合させて混合流体を生成し、前記混合流体を前記基板回転手段により保持された前記基板の表面に供給する混合流体供給手段と、
   前記混合流体供給手段により生成された混合流体を取り囲むように遮断用流体を前記基板の表面に供給する遮断用流体供給手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記遮断用流体供給手段は、前記遮断用流体が流通する流体流路を有し、
   前記流体流路は、前記混合流体供給手段を囲むように設けられたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記混合流体供給手段による前記基板上への混合流体の供給時および前記遮断用流体供給手段による前記基板上への遮断用流体の供給時に、前記基板上へ液体を供給する液体供給手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記遮断用流体は、不活性ガスを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記遮断用流体は、水を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記水は、純水を含むことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
7. 前記水は、機能水を含むことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
8. 前記機能水は、炭酸水、水素水および電解イオン水よりなる群から選択される少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
9. 前記混合流体供給手段は、処理液が流通する処理液流路と、気体が流通する気体流路と、前記処理液流路に連通して開口する処理液吐出口と、前記処理液吐出口の近傍に設けられるとともに前記気体流路に連通して開口する気体吐出口とを有する外部混合型二流体ノズルを含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
10. 前記混合流体供給手段は、処理液が流通する処理液流路と、気体が流通する気体流路と、前記処理液流路および前記気体流路に連通して混合流体を生成する混合室と、前記混合室に連通して開口し前記混合流体が吐出される混合流体吐出口とを有する内部混合部二流体ノズルを含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
11. 基板を保持しつつ回転させるステップと、
    処理液および気体を混合させて混合流体を生成し、前記混合流体を前記回転する基板の表面に供給するステップと、
    前記生成された混合流体を取り囲むように遮断用流体を前記回転する基板の表面に供給するステップとを備えたことを特徴とする基板処理方法。

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