JP2006114916A - 計測基板、基板テーブル、リソグラフィ装置、アライメントシステムにおけるアライメントビーム角度の算出方法、およびアライメント検証システム - Google Patents
計測基板、基板テーブル、リソグラフィ装置、アライメントシステムにおけるアライメントビーム角度の算出方法、およびアライメント検証システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006114916A JP2006114916A JP2005300405A JP2005300405A JP2006114916A JP 2006114916 A JP2006114916 A JP 2006114916A JP 2005300405 A JP2005300405 A JP 2005300405A JP 2005300405 A JP2005300405 A JP 2005300405A JP 2006114916 A JP2006114916 A JP 2006114916A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
- substrate
- covered
- mark
- verification
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 163
- 238000012795 verification Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 46
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 45
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 claims description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 abstract description 4
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7019—Calibration
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
- G03F9/7011—Pre-exposure scan; original with original holder alignment; Prealignment, i.e. workpiece with workpiece holder
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】リソグラフィ装置のアライメントシステムのアライメントビームの角度の算出は、2つのアライメントマークの位置を計測し該2つのアライメントマークを計測基板上に形成するか、リソグラフィ装置の基板テーブルに配置する。第二マークを透明板でカバーし2つのマークの位置をアライメントシステムにて計測する。透明板でのアライメントビームの屈折で、アライメントシステムに戻るアライメントビームはシフトする。アライメントビームのシフトにより第二マークがずれて計測される。2つのマーク間距離が既知であるから、該シフトは算出できる。該シフトはアライメントビームの角度の算出に使用され、この角度でFTBAエラーの検証方法を改善する。
【選択図】図3A
Description
図2は、本発明の実施形態に基づくリソグラフィ装置を示したものである。本装置は、放射線ビームB(例えばUV放射線あるいは可視光波長を有する放射線)を調整するように構成された照明システム(照明装置)ILを含む。支持(例えばマスクテーブル)は、MTパターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成されており、かつ、特定のパラメータに基づいて正確にパターニングデバイスの位置決めを行うように構成された第一ポジショナPMに連結を行っている。基板テーブル(例えばウェハテーブル)WTは、基板(例えばレジスト塗布ウェハ)を保持するように構成され、かつ、特定のパラメータに基づいて正確に基板の位置決めを行うように構成された第二ポジショナPWに連結を行っている。投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSは、パターニングデバイスMAにより投影ビームBに与えられたパターンを基板Wの目標部分C(例えば、1つあるいはそれ以上のダイからを含む)に投影するように構成されている。
1.ステップモードにおいて、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTは基本的に静止状態に維持されており、投影ビームに与えられた全体パターンが1回の作動(すなわちシングル静的露光)で目標部分Cに投影される。次に基板テーブルWTがx方向および/あるいはy方向にシフトされ、異なる目標部分Cが露光可能となる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズにより、シングル静的露光にて結像される目標部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードにおいて、投影ビームに与えられたパターンが目標部分Cに投影されている間、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTは同時走査される(すなわちシングル動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)および像反転特性により判断される。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズにより、シングル動的露光における目標部分の幅(非走査方向における)が制限される。一方、走査動作長が目標部分の高さ(走査方向における)を決定する。
3.他のモードにおいて、マスクテーブルMTは、プログラム可能パターニング手段を保持し、基本的に静止状態が維持される。そして、基板テーブルWTは、放射線ビームに与えられたパターンが目標部分Cに投影されている間、移動あるいは走査される。このモードにおいては、一般にパルス放射線ソースが用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルWTの各運動後、もしくは走査中の連続的放射線パルスの間に、要求に応じて更新される。この稼動モードは、上述のようなタイプのプログラム可能ミラーアレイといった、プログラム可能パターニング手段を使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用可能である。
α=atan(shift/t+tan(β)) (1)
ここで、t=ガラス板34の厚さ、α=垂線42に対する空気中のアライメントビーム41の角度、β=垂線42に対する透明板34におけるアライメントビーム41の角度である。
β=arcsin(nl/ng)*sin(α)) (2)
ここで、nl=空気の屈折率、ng=ガラス板34のガラスの屈折率である。
2*t*tan(β)=shift_1−shift_2 (2a)
ここで、t=ガラス板34の厚さであり、shift_1は回転前の被カバーアライメントマーク33の計測されたシフトであり、shift_2は回転後の被カバーマーク33の計測されたシフトである。
dFTBA=dmeasured−doffset−dangle (3)
ここで、dangle=t・(tan(α)−tan(β’)) (4)
β’は、等式(2)および透明検証基板70の屈折率を使用して判断可能である。
Claims (11)
- 被カバーアライメントマークと非被カバーアライメントマークが設けられ、および透明板計測基板が被カバーアライメントマークをカバーする。
- 被カバーアライメントマークと非被カバーアライメントマークが設けられ、および透明板が被カバーアライメントマークをカバーする計測基板を保持するように構成された基板テーブル。
- 被カバーアライメントマークと非被カバーアライメントマークが設けられ、および透明板が被カバーアライメントマークをカバーする計測基板を保持するように構成された基板テーブルから成るリソグラフィ装置。
- 計測基板に複数のアライメントマークを配置し、全てのアライメントマークより少ない数のアライメントマークを透明板でカバーして、被カバーアライメントマークと非被カバーアライメントマークを提供し、非被カバーアライメントマークの第一位置を計測し、被カバーアライメントマークの第一位置を計測し、第二アライメントマークの第一実際位置と第一計測位置間の被カバーアライメントマークの第一シフトを算出し、被カバーアライメントマークの第一シフトを使用して角度の第一値を算出することから成る、所定ラインに対するアライメントシステムにおけるアライメントビームの角度を算出する方法。
- カバーされるアライメントマーク各々の実際の位置は、カバーされるアライメントマークの各々が透明板にてカバーされる前に計測されることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 被カバーアライメントマーク各々の実際の位置は、非被カバーアライメントマークの少なくともいくつかの計測位置の外挿法により算出されることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- さらに、リソグラフィ装置の基板テーブルの基準に計測基板を配置することから成る請求項4に記載の方法。
- 計測基板を180°回転させ、非被カバーアライメントマーク各々の第二位置を計測し、被カバーアライメントマーク各々の第二位置を計測し、被カバーアライメントマーク各々の第二実際位置と第二計測位置間における被カバーアライメントマーク各々の第二シフトを算出することから成る請求項4に記載の方法。
- さらに、第二シフトを用いて角度の第二値を算出し、第一値と第二値の平均値である、角度の第三値を算出することから成る請求項8に記載の方法。
- 被カバーアライメントマーク各々の第一シフトと第二シフト間の差を用いて角度の第一値を算出する請求項8に記載の方法。
- アライメントシステムを用いて放射線のアライメントビームを供給し、
放射線のアライメントビームに対して透明な検証基板を提供し、
放射線ビームのその断面に第一パターンを形成し、
検証基板の第一面に第一パターン化放射線ビームを投影して第一検証マークを作り出し、
検証基板を反転させ、
検証基板の位置合わせを行い、
放射線ビームのその断面に第二パターンを形成し、
検証基板の第二サイドに第二パターン化放射線ビームを投影して第二検証マークを作り出し、
アライメントシステムを用いて検証基板の第一面の第一マークの位置を検出し、
アライメントシステムを用いて該基板の第二面の第二検証マークの位置を検出し、ここで、該検証基板は、基板の面における第一検証マークと第二検証マーク間のずれを計測する目的に、第一検出と第二検出の間は、検証基板を保持する基板テーブルに対して静止状態を保っており、
計測基板に複数のアライメントマークを配置し、全てのアライメントマークより少ない数のアライメントマークを透明板でカバーして、被カバーアライメントマークと非被カバーアライメントマークを提供し、非被カバーアライメントマークの第一位置を計測し、被カバーアライメントマークの第一位置を計測し、第二アライメントマークの第一実際位置と第一計測位置間の被カバーアライメントマークの第一シフトを算出し、被カバーアライメントマークの第一シフトを使用して角度の第一値を算出することから成る、所定ラインに対するアライメントシステムにおけるアライメントビームの角度を算出することから成る方法に従ってアライメントシステムにおけるアライメントビームの角度を算出し、
そして、表裏アライメントエラーを判断する目的に、該角度を用いて、計測されたずれを修正することから成る、アライメントシステムを備えたリソグラフィ装置において、明確にされた表面−裏面アライメントエラーを検証するためのアライメント検証方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/964,814 US7398177B2 (en) | 2004-10-15 | 2004-10-15 | Measurement substrate, substrate table, lithographic apparatus, method of calculating an angle of an alignment beam of an alignment system, and alignment verification method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006114916A true JP2006114916A (ja) | 2006-04-27 |
JP4264434B2 JP4264434B2 (ja) | 2009-05-20 |
Family
ID=36181840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005300405A Expired - Fee Related JP4264434B2 (ja) | 2004-10-15 | 2005-10-14 | 計測基板、基板テーブル、リソグラフィ装置、アライメントシステムにおけるアライメントビーム角度の算出方法、及びアライメント検証システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7398177B2 (ja) |
JP (1) | JP4264434B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013511826A (ja) * | 2009-11-24 | 2013-04-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | アライメント及びインプリントリソグラフィ |
JP2013251342A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Canon Inc | 計測方法、露光方法および装置 |
JP2015084437A (ja) * | 2014-12-08 | 2015-04-30 | キヤノン株式会社 | 計測方法、露光方法および装置 |
JP2015109390A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置及び物品の製造方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4777731B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-09-21 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
EP2696590B1 (en) * | 2012-08-06 | 2014-09-24 | Axis AB | Image sensor positioning apparatus and method |
JP6945316B2 (ja) * | 2017-03-24 | 2021-10-06 | キヤノン株式会社 | 検出装置、パターン形成装置、取得方法、検出方法、および物品製造方法 |
WO2019129485A1 (en) * | 2017-12-29 | 2019-07-04 | Asml Netherlands B.V. | Method and device for determining adjustments to sensitivity parameters |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4650983A (en) * | 1983-11-07 | 1987-03-17 | Nippon Kogaku K. K. | Focusing apparatus for projection optical system |
US5300786A (en) * | 1992-10-28 | 1994-04-05 | International Business Machines Corporation | Optical focus phase shift test pattern, monitoring system and process |
JP3422923B2 (ja) * | 1998-01-26 | 2003-07-07 | シャープ株式会社 | カラーフィルタの製造方法およびアライメントマーク |
-
2004
- 2004-10-15 US US10/964,814 patent/US7398177B2/en active Active
-
2005
- 2005-10-14 JP JP2005300405A patent/JP4264434B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013511826A (ja) * | 2009-11-24 | 2013-04-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | アライメント及びインプリントリソグラフィ |
JP2013251342A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Canon Inc | 計測方法、露光方法および装置 |
JP2015109390A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置及び物品の製造方法 |
US9939741B2 (en) | 2013-12-05 | 2018-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Lithography apparatus, and method of manufacturing article |
JP2015084437A (ja) * | 2014-12-08 | 2015-04-30 | キヤノン株式会社 | 計測方法、露光方法および装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060085161A1 (en) | 2006-04-20 |
JP4264434B2 (ja) | 2009-05-20 |
US7398177B2 (en) | 2008-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3693654B2 (ja) | 較正方法、較正基板、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US8115938B2 (en) | Method of providing alignment marks, device manufacturing method and lithographic apparatus | |
JP4583292B2 (ja) | 多層基板の各層の位置合わせを制御するためのマーカー構造及び方法 | |
TWI476538B (zh) | 定位測量系統及微影裝置 | |
JP5323875B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
KR100697298B1 (ko) | 정렬 방법 및 장치, 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법,및 정렬 툴 | |
JP5112408B2 (ja) | リソグラフィ装置及び基板非平坦性を補償する方法 | |
KR100734589B1 (ko) | 기판 테이블, 기판의 위치를 측정하는 방법, 및 리소그래피장치 | |
JP4264434B2 (ja) | 計測基板、基板テーブル、リソグラフィ装置、アライメントシステムにおけるアライメントビーム角度の算出方法、及びアライメント検証システム | |
TWI357096B (en) | Lithographic apparatus and method | |
US8351024B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a level sensor having a detection grating including three or more segments | |
JP2006054460A (ja) | 位置合せマークを提供する方法、基板を位置合せする方法、デバイス製造方法、コンピュータ・プログラム及びデバイス | |
JP4408876B2 (ja) | 焦点決定方法、デバイス製造方法、及びマスク | |
JP4418413B2 (ja) | リソグラフィ装置用可変減衰器 | |
JP2012104853A (ja) | リソグラフィ装置および二重露光オーバレイ制御を用いたデバイス製造方法 | |
TWI417679B (zh) | 微影裝置及圖案化元件 | |
TWI627512B (zh) | 微影裝置及器件製造方法 | |
JP2007173814A (ja) | 圧力シールドを組み入れたリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2007208240A (ja) | 基板テーブル、基板位置の測定方法、およびリソグラフィ装置 | |
KR20100134113A (ko) | 정렬 타겟들을 위한 회절 요소들 | |
JP2009163237A (ja) | リソグラフィ方法 | |
EP1675176B1 (en) | Method for measuring the bonding quality of bonded substrates and method of producing a device from a bonded substrate | |
US20070146669A1 (en) | Pattern alignment method and lithographic apparatus | |
JP4996637B2 (ja) | リソグラフィ装置及び方法 | |
JP2007096293A (ja) | 照明ビーム測定 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080825 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081121 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090205 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090216 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4264434 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |