JP2006114824A - 発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
【課題】 ワイヤボンディングダメージをなくする発光ダイオードを提供する。
【解決手段】 活性層5を導電型が異なる第一導電型クラッド層4と第二導電型クラッド層6で挟んだ発光層11を有し、該発光層11の第二導電型クラッド層6側に第二導電型コンタクト層7、金属酸化物窓層8、パッド電極9が順に形成された発光ダイオードにおいて、前記発光層11の上面から前記パッド電極9の上面までの距離が2.5μm以上であって、前記パッド電極9の厚さが2μm未満であることにより、ワイヤボンディングダメージを防ぐ。
【選択図】 図1
【解決手段】 活性層5を導電型が異なる第一導電型クラッド層4と第二導電型クラッド層6で挟んだ発光層11を有し、該発光層11の第二導電型クラッド層6側に第二導電型コンタクト層7、金属酸化物窓層8、パッド電極9が順に形成された発光ダイオードにおいて、前記発光層11の上面から前記パッド電極9の上面までの距離が2.5μm以上であって、前記パッド電極9の厚さが2μm未満であることにより、ワイヤボンディングダメージを防ぐ。
【選択図】 図1
Description
本発明は、電流分散層に金属酸化膜を用いた発光ダイオードに係り、ワイヤボンディングダメージをなくする発光ダイオードに関する。
従来、発光ダイオードの発光色は、GaPの緑色、AlGaAsの赤色がほとんどであった。しかし、最近では、GaN系やAlGaInP系の結晶層をMOVPE法で成長させることができるようになったことから、橙色、黄色、緑色、青色の高輝度発光ダイオードが制作できるようになった。
MOVPE法で形成したエピタキシャルウェハは、これまでに無かった短波長の発光や高輝度を示す発光ダイオードの制作を可能にした。しかし、高輝度を得るために、電流分散層の層厚を厚く成長させようとすると、エピタキシャルウェハのコストが高くなるという問題があった。
この層厚が厚くなるという問題を解決する方法として、電流分散層にできるだけ低い抵抗値が得られる材料を用いる方法がある。例えば、AlGaInP4元系の場合には、電流分散層にGaPやAlGaAsが用いられる。しかし、これらの抵抗率の低い材料を用いても、電流分散を良くするためには、電流分散層の層厚を8μm以上まで厚くする必要がある。
電流分散層の層厚を薄くするためには、電流分散層の抵抗率を低くすることが考えられる。電流分散層の抵抗率を低くするために、移動度を大幅に変えることは困難であることから、キャリア濃度を高くしようと試みられている。しかし、現段階では電流分散層の層厚を薄くできるほど、キャリア濃度を高くすることはできない。
このキャリア濃度が高くできないという問題の解決方法として、半導体からなる電流分散層の代わりに透明導電膜を用いる方法が提案されている。金属酸化膜を用いた透明導電膜は、キャリア濃度が非常に高いため、膜厚が薄くても十分な電流分散を得ることができる。よって、電流分散層の層厚が厚くなるという問題も解決できる。
ところで、前述した透明導電膜(=金属酸化膜)は、半導体エピタキシャル層の表面に形成される。このとき、発光層からパッド電極の上面までの距離(厚さ)が薄いと、ワイヤボンディング時のダメージにより、発光ダイオードが劣化したり壊れたりする問題がある。この問題を解決するため、発光層からパッド電極までの間にワイヤボンディング時のダメージを緩和するクッション層を設ける方法が提案されている。しかし、この方法では、クッション層を設ける分だけ高コストになる。
本出願人は、半導体エピタキシャル層の表面に電流分散層として金属酸化膜からなる透明導電膜を設けた発光ダイオードにおいて、クッション層を設けることなく、ワイヤボンディングダメージの問題を解決することを目指した。
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、ワイヤボンディングダメージをなくする発光ダイオードを提供することにある。
上記目的を達成するために本発明は、活性層を導電型が異なる第一導電型クラッド層と第二導電型クラッド層で挟んだ発光層を有し、該発光層の第二導電型クラッド層側に第二導電型コンタクト層、金属酸化物窓層、パッド電極が順に形成された発光ダイオードにおいて、前記発光層の上面から前記パッド電極の上面までの距離が2.5μm以上であって、前記パッド電極の厚さが2μm未満であるものである。
前記金属酸化物窓層の厚さが450nm以上、500nm以下であってもよい。
前記第二導電型コンタクト層の厚さが1nm以上、50nm以下であってもよい。
本発明は次の如き優れた効果を発揮する。
(1)ワイヤボンディングダメージをなくすることができる。
以下、本発明の一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。
図1に示されるように、本発明に係る発光ダイオードは、第一導電型基板1の上に、バッファ層2、DBR層3、第一導電型クラッド層4、活性層5、第二導電型クラッド層6、第二導電型コンタクト層7、金属酸化物窓層8、パッド電極9が順に形成され、第一導電型基板1の下に裏面電極10が形成されたものである。
活性層5を導電型が異なる第一導電型クラッド層4と第二導電型クラッド層6で挟んだことにより、発光が可能になり、これら3つの層4,5,6を一括して発光層11と呼ぶ。
第一導電型基板1のすぐ上のバッファ層2から第二導電型コンタクト層7まではMOVPE法で成長させたものであり、これらの層を一括して半導体エピタキシャル層12と呼ぶ。
金属酸化物窓層8は、電流分散層としての金属酸化膜のことであり、透明導電膜でもある。金属酸化物窓層8は、第二導電型コンタクト層7に金属材料を蒸着して形成される。また、パッド電極9は、金属酸化物窓層8に金属材料を蒸着して形成される。
本発明は、発光層11の最上面、つまり第二導電型クラッド層6からパッド電極9の上面までの距離が2.5μm以上であって、しかもパッド電極9の厚さが2μm未満であることに特徴を有する。
このように発光層11からパッド電極9の上面までの距離が2.5μm以上であれば、ワイヤボンディングダメージをなくすることができる。このとき、パッド電極9の厚さが2μm未満であっても、パッド電極9がワイヤボンディング装置の超音波のパワーを十分吸収できる。
本発明の効果を確認するために、発光層11からパッド電極9の上面までの距離を種々異ならせてエピタキシャルウェハを作製し、それぞれのウェハから切り出された発光ダイオードのグループについて初期性能を測定し、比較を行った。
作成の過程を以下に詳しく説明する。
(実施例)
まず、図1のような構造を有し、発光波長630nm付近の赤色発光ダイオード用エピタキシャルウェハを作製する。すなわち、n型GaAs基板1上に、MOVPE法でn型GaAsバッファ層2(厚さ400nm)、n型DBR層3、n型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層4(厚さ350nm)、アンドープ(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P活性層5(厚さ550nm)、p型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層6(厚さ300nm)、p型Al0.1Ga0.9Asコンタクト層7(厚さ2nm)を順次成長させる。n型DBR層3は、n型AlInP層(厚さ50nm)とn型GaAs層(厚さ約40nm)とからなる積層構造とし、そのペア数は10ペアとした。
まず、図1のような構造を有し、発光波長630nm付近の赤色発光ダイオード用エピタキシャルウェハを作製する。すなわち、n型GaAs基板1上に、MOVPE法でn型GaAsバッファ層2(厚さ400nm)、n型DBR層3、n型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層4(厚さ350nm)、アンドープ(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P活性層5(厚さ550nm)、p型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層6(厚さ300nm)、p型Al0.1Ga0.9Asコンタクト層7(厚さ2nm)を順次成長させる。n型DBR層3は、n型AlInP層(厚さ50nm)とn型GaAs層(厚さ約40nm)とからなる積層構造とし、そのペア数は10ペアとした。
この赤色発光ダイオード用エピタキシャルウェハをMOVPE装置から搬出した後、このエピタキシャルウェハの表面、すなわちp型コンタクト層7の上に金属酸化物窓層8としてITO膜(厚さ470nm)を形成する。このときエピタキシャルウェハと同一バッチとしてITO膜形成装置内にガラス基板を入れておき、ITO膜形成後に取り出したガラス基板をHall測定が可能なサイズに切断し、ITO膜の電気的特性を評価すると良い。例えば、ガラス基板のITO膜がキャリア濃度1.27×1021/cm3、移動度22.4cm2/Vs、抵抗率2.31×10-4Ω・cmであれば、金属酸化物窓層8も同じ特性を有することになる。
その後、金属酸化物窓層8の上面に上から見てφ130μmのパッド電極9を形成する。パッド電極9はリフトオフ法を用いて蒸着により形成する。パッド電極9は、上から見た配置がマトリクス状になるよう複数個形成する。パッド電極9は、ニッケルを厚さ20nm蒸着した後に金を蒸着する。このとき、p型クラッド層6からパッド電極9の上面までの距離が1.5μm、2.0μm、2.5μm、3.0μmになるように金の膜厚を調整することにより、パッド電極9の厚さが異なる4種類のエピタキシャルウェハを作製する。
つまり、パッド電極9の厚さは、それぞれ0.998μm、1.498μm、1.998μm、2.498μmということになる。
一方、エピタキシャルウェハの下面には、その全面にn型電極(裏面電極)10を形成する。n型電極10は、金・ゲルマニウム、ニッケル、金をそれぞれ厚さ60nm、10nm、300nmで順に蒸着し、その後、電極の合金化工程であるアロイ工程を窒素ガス雰囲気中430℃で5分間行う。
次に、これらパッド電極9の厚さが異なる4種類のエピタキシャルウェハをダイサ等の加工機械でチップサイズ300μm角のチップに加工し、ダイボンディング、ワイヤボンディングを行う。
実際にこのようにして作製した4種類の発光ダイオードチップ、すなわちp型クラッド層6からパッド電極9の上面までの距離が1.5μm、2.0μm、2.5μm、3.0μmの発光ダイオードチップについてLED特性を評価したところ、発光しなかったものの割合は、距離の順に50%、20%、0%、0%であった。つまり、p型クラッド層6からパッド電極9の上面までの距離が2.5μm、3.0μmの発光ダイオードチップは発光不良率が0%である。コンタクト層7の厚さ2nm、金属酸化物窓層8の厚さ470nmを差し引くと、パッド電極9の厚さが1.998μm、2.498μmの発光ダイオードチップは発光不良率が0%ということになる。このように金属酸化物窓層8を有するものにおいては、パッド電極9の厚さを1.998μm以上にすることで、クッション層を設けなくてもワイヤボンディングダメージを低減できることが実証された。
本発明によれば、クッション層を設ける必要がないので、クッション層の原料費が削減できると共に、成長時間も短縮できて時間当たりの生産量が多くできることになり、エピタキシャルウェハ及び発光ダイオードのコストを低くすることができる。
(比較例)
図1のような構造を有し、発光波長630nm付近の赤色発光ダイオード用エピタキシャルウェハを作製する。エピタキシャル成長方法、エピタキシャル構造、金属酸化物窓層8は前述の実施例と同じとする。パッド電極9の形成方法及び電極形状・配置も基本的に実施例と同じとする(リフトオフ法、φ130μm、マトリクス配置)。プロセス加工及びワイヤボンディング工程も実施例と同じとする。
図1のような構造を有し、発光波長630nm付近の赤色発光ダイオード用エピタキシャルウェハを作製する。エピタキシャル成長方法、エピタキシャル構造、金属酸化物窓層8は前述の実施例と同じとする。パッド電極9の形成方法及び電極形状・配置も基本的に実施例と同じとする(リフトオフ法、φ130μm、マトリクス配置)。プロセス加工及びワイヤボンディング工程も実施例と同じとする。
実施例との違いはパッド電極9の厚さである。すなわち、パッド電極9はニッケル20nmを蒸着した後、金を蒸着する。このときp型クラッド層6からパッド電極9の上面までの距離が1.0μmになるように金の膜厚を調整して比較例のエピタキシャルウェハを作製する。つまり、パッド電極9の厚さは、0.498μmである。
一方、エピタキシャルウェハの下面には、実施例と同様に、その全面にn型電極(裏面電極)10を形成する。n型電極10は、金・ゲルマニウム、ニッケル、金をそれぞれ厚さ60nm、10nm、300nmで順に蒸着し、その後、電極の合金化工程であるアロイ工程を窒素ガス雰囲気中430℃で5分間行う。
次に、実施例と同様に、エピタキシャルウェハをダイサ等の加工機械でチップサイズ300μm角のチップに加工し、ダイボンディング、ワイヤボンディングを行う。
実際にこのようにして作製した発光ダイオードチップ、すなわちp型クラッド層6からパッド電極9の上面までの距離が1.0μmの発光ダイオードチップについてLED特性を評価したところ、発光しなかったものの割合は90%であった。
以上のように、実施例及び比較例を実際に作製して試験した結果、表1と図2のグラフが得られた。これより、p型クラッド層6からパッド電極9の上面までの距離が2.5μm以上であればパッド電極の厚さが2μm未満であっても発光ダイオードを破壊することなくワイヤボンディングを行うことができることが確認された。これは、パッド電極の厚さが1.998μm以上であればワイヤボンディング装置の超音波のパワーを十分吸収できるためである。
第二導電型コンタクト層7は、Al混晶比0から0.43までのGaAsまたはAlGaAs(つまりAlXGa1-XAs;0≦X≦0.43)であることが望ましい。その理由を次に述べる。
金属酸化物窓層8(電流拡散層)としてのITO膜は基本的にn型の半導体材料に属し、また、発光ダイオードは通常、pサイドアップで作製されるのが一般的である。このため、ITO膜を電流拡散層に使用した発光ダイオードは導電型が基板1の側からn/p/nとなってしまう。このために、この発光ダイオードは、ITO膜とp型半導体層との界面に大きな電位障壁が生じ、このままでは非常に動作電圧の高い発光ダイオードとなってしまう。この問題を解決するため、p型半導体層二は非常に高いキャリア濃度を有するコンタクト層7が必要になる。それには上記したZnが追加されたGaAsから低Al混晶比のAlGaAsが適しており、詳しくは1×1019/cm3以上のキャリア濃度を有していることが好ましい。
また、第二導電型コンタクト層7の厚さは1nmから50nmの範囲にあることが好ましい。なぜならば、第二導電型コンタクト層7は活性層5で発光した光に対し吸収層となるバンドギャップを有しているため、厚さが厚くなるにつれ発光ダイオードとしての発光出力が低下してしまう。従って、第二導電型コンタクト層7の厚さの上限をおよそ50nmとする。また、第二導電型コンタクト層7の厚さが1nm未満になってくると、金属酸化物窓層8(電流拡散層)としてのITO膜と第二導電型コンタクト層7との間でのトンネル接合が難しくなってくるため、低動作電圧化及び動作電圧の安定化が困難になる。従って、ITO膜と接する第二導電型コンタクト層7の厚さには最適値があり、それは1nmから50nmの範囲となる。
ITO膜の膜厚は、450nmから500nmの範囲にあることが好ましい。下限が450nmである理由は、十分な電流分散効果を得るためには200nm程度以上の膜厚が必要であるが、450nm以上であることがより好ましい。上限が500nmである理由は、真空蒸着法で形成する場合、膜厚が500nm以上になってくると、ITO膜の透明性(透過率)が徐々に低下してしまうという現象があるからである。また、あまりに厚くし過ぎると製造コストが増加するので、好ましくない。従って、ITO膜の膜厚は、2000nmから500nmの範囲にあることが好ましく、より好ましくは450nmから500nmの範囲である。
なお、上記の実施例ではパッド電極9にニッケルと金を用いたが、ワイヤボンディング装置の超音波のパワーを十分吸収できる厚さであれば、他の材料を用いても本発明の効果を得ることができる。
1 基板(第一導電型基板)
2 n型バッファ層
3 n型DBR層
4 n型クラッド層(第一導電型クラッド層)
5 活性層
6 p型クラッド層(第二導電型クラッド層)
7 p型コンタクト層(第二導電型コンタクト層)
8 金属酸化物窓層(電流分散層、金属酸化膜、透明導電膜)
9 パッド電極
10 裏面電極
11 発光層
2 n型バッファ層
3 n型DBR層
4 n型クラッド層(第一導電型クラッド層)
5 活性層
6 p型クラッド層(第二導電型クラッド層)
7 p型コンタクト層(第二導電型コンタクト層)
8 金属酸化物窓層(電流分散層、金属酸化膜、透明導電膜)
9 パッド電極
10 裏面電極
11 発光層
Claims (3)
- 活性層を導電型が異なる第一導電型クラッド層と第二導電型クラッド層で挟んだ発光層を有し、該発光層の第二導電型クラッド層側に第二導電型コンタクト層、金属酸化物窓層、パッド電極が順に形成された発光ダイオードにおいて、前記発光層の上面から前記パッド電極の上面までの距離が2.5μm以上であって、前記パッド電極の厚さが2μm未満であることを特徴とする発光ダイオード。
- 前記金属酸化物窓層の厚さが450nm以上、500nm以下であることを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。
- 前記第二導電型コンタクト層の厚さが1nm以上、50nm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の発光ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004302852A JP2006114824A (ja) | 2004-10-18 | 2004-10-18 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004302852A JP2006114824A (ja) | 2004-10-18 | 2004-10-18 | 発光ダイオード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2006114824A true JP2006114824A (ja) | 2006-04-27 |
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ID=36383065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004302852A Pending JP2006114824A (ja) | 2004-10-18 | 2004-10-18 | 発光ダイオード |
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2004
- 2004-10-18 JP JP2004302852A patent/JP2006114824A/ja active Pending
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