JP2006099517A - メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法 - Google Patents
メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法Info
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Abstract
【解決手段】 ホストシステム4から与えられるアドレスを保持するアドレスレジスタ15を複数のアドレスレジスタA〜Jで構成し、ホストシステム4から与えられるセクタ数の情報を保持するセクタカウントレジスタ16を、複数のセクタカウントレジスタA〜Jで構成している。これにより、フラッシュメモリ2にアクセスするデータ群ごとに、ホストシステム4からアドレス、セクタ数の情報、及びコマンド情報を入力する煩雑さを解消することができる。
【選択図】 図3
Description
前記アドレス情報保持手段には、前記前置保持手段に保持されたアドレスとセクタ数に関する情報とが複写されてもよい。
図1は、本発明の実施形態に係るフラッシュメモリシステム1を概略的に示すブロック図である。
図1に示したようにフラッシュメモリシステム1は、フラッシュメモリ2と、それを制御するメモリコントローラ3とで構成されている。
以下に、フラッシュメモリ2とメモリコントローラ3の詳細を説明する。
フラッシュメモリ2は、NAND型フラッシュメモリで構成されている。例えば、1ブロックは32ページで構成されている。1ページは512バイトのユーザ領域と16バイトの冗長領域で構成されている。
ブロックとページの構成は、フラッシュメモリの仕様によって異なるが、一般的なフラッシュメモリでは、図2(a)に示したように、1ブロックが32ページ(P0〜P31)で構成され、それらの各ページが512バイトのユーザ領域と16バイトの冗長領域で構成されている。
エラ―コレクションコードとは、ユーザ領域に記憶されているデータに含まれる誤りを検出、訂正するための付加データであり、メモリコントローラ中の後述するECCブロックによって生成される。
メモリコントローラ3は、ホストインターフェース制御ブロック5と、マイクロプロセッサ6と、ホストインターフェースブロック7と、ワークエリア8と、バッファ9と、フラッシュメモリインターフェースブロック10と、ECC(エラー・コレクション・コード)ブロック11と、フラッシュメモリシーケンサブロック12とから構成される。これら機能ブロックによって構成されるメモリコントローラ3は、一つの半導体チップ上に集積されている。以下に各機能ブロックの機能を説明する。
ホストインターフェース制御ブロック5は、ホストインターフェースブロック7の動作を制御する機能ブロックである。ここで、ホストインターフェース制御ブロック5は、ホストインターフェースブロック7の動作を設定する動作設定レジスタ(図示せず)を備えており、この動作設定レジスタに基づきホストインターフェースブロック7は動作する。
ホストインターフェースブロック7には、ホストシステム4より供給されるアドレスが書き込まれるアドレスレジスタ15とホストシステム4から供給されるセクタ数が書き込まれるセクタカウントレジスタ16とが複数組設けられている。
例えば図3のように、アドレスレジスタA,B,C,……,Jと、これらに対応するセクタカウントレジスタA,B,C,……,Jとが、ホストインターフェースブロック7に設けられる。
ホストインターフェースブロック7には、さらに、ホストシステム4から供給されるコマンドが書き込まれるコマンドレジスタや、ホストシステム4にフラッシュメモリシステム1の状況を知らせるステータスレジスタや、ホストシステム4にエラーの種類を知らせるエラーレジスタ等が設けられている(図示せず)。尚、アドレスレジスタ15とセクタカウントレジスタ16の数については、フラッシュメモリシステム1の仕様に応じて適宜設定することができる。
ECCブロック11は、フラッシュメモリ2に書込むデ―タに付加されるエラーコレクションコードを生成するとともに、読出しデータに付加されたエラーコレクションコードに基づいて、読出したデータに含まれる誤りを検出・訂正する機能ブロックである。
ホストシステム4がフラッシュメモリシステム1にアクセスする場合、ホストシステム4からフラッシュメモリシステム1に書込みコマンドや読出しコマンドと共にアドレス及びセクタ数が供給される。
図4は、読み出し処理の説明図である。
この読出し処理では、まず図3に示したアドレスレジスタAに書き込まれている論理アドレスが、フラッシュメモリ2内の実アドレスである物理アドレスに変換される。通常、論理アドレスから物理アドレスへの変換は、フラッシュメモリ2のブロック単位で行なわれ、各ブロック内のページアドレスは、論理アドレスにおけるセクタのアドレス順と一致するように書き込まれる。アドレスレジスタAに書き込まれている論理アドレスに基づいて得られた物理アドレス(フラッシュメモリ2内のページアドレス)がA#0の場合、A#0のページに記憶されているデータが最初にバッファ9に読み出され、その後、A#0に続くA#1以降のページに記憶されているデータも、ページアドレスの順番でバッファ9に順次読み出されていく。
図6は、前置保持手段を用いた処理を説明する説明図である。
アドレスレジスタA〜JとセクタカウントレジスタA〜Jには、ホストシステム4が直接アドレスとセクタ数を書き込んでもよいが、この場合、ホストシステム4はアクセスするデータ群毎に異なるアドレスレジスタ15とセクタカウントレジスタ16とにアドレスとセクタ数とを書き込まなければならない。
この煩雑さを回避するために、図5に示した構成では、前置保持手段となるLBAレジスタ17とセクタ数レジスタ18を設けている。
図7は、本実施形態の利点を説明する図である。
2 フラッシュメモリ
3 メモリコントローラ
4 ホストシステム
5 ホストインターフェース制御ブロック
6 マイクロプロセッサ
7 ホストインターフェースブロック
8 ワークエリア
9 バッファ
10 フラッシュメモリインターフェースブロック
11 ECCブロック
12 フラッシュメモリシーケンサブロック
13 外部バス
14 内部バス
15 アドレスレジスタ
16 セクタカウントレジスタ
17 LBAレジスタ
18 セクタ数レジスタ
19 コマンドレジスタ
Claims (7)
- ホストシステムから供給されるアドレスとセクタ数に関する情報を数組書込むことができるアドレス情報保持手段と、
ホストシステムから供給されるコマンド情報が書込まれるコマンド情報保持手段と、
前記アドレス情報保持手段及びコマンド情報保持手段に書込まれた情報に基づいて、フラッシュメモリに対するアクセスを制御するアクセス制御手段と、
を備えることを特徴とするメモリコントローラ。 - 前記ホストシステムから供給される1組のアドレスとセクタ数に関する情報とを一時的に保持する前置保持手段を備え、
前記アドレス情報保持手段には、前記前置保持手段に保持されたアドレスとセクタ数に関する情報とが複写されることを特徴とする請求項1に記載のメモリコントローラ。 - 前記コマンド情報保持手段にコマンド情報が書込まれたときに、前記アドレス情報保持手段に保持されている複数組のアドレスとセクタ数に関する情報が、同一コマンド情報に対応したアドレスとセクタ数に関する情報として処理が実行されることを特徴とする請求項1又は2に記載のメモリコントローラ。
- 前記コマンド情報保持手段へのコマンド情報の書込みがあったことに応答して、前記アクセス制御手段が前記フラッシュメモリに対するアクセスを開始することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のメモリコントローラ。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載のメモリコントローラとフラッシュメモリを備えることを特徴とするフラッシュメモリシステム。
- ホストシステムから供給される複数組のアドレスとセクタ数に関する情報を、情報保持手段に設定する処理と、
前記情報保持手段に設定されている複数組のアドレスとセクタ数に関する情報に基づく複数のデータ群について、フラッシュメモリへのアクセスを連続して実行する処理と、
を含むことを特徴とするフラッシュメモリの制御方法。 - ホストシステムからコマンド情報が供給されたときに、前記情報保持手段に設定されている複数組のアドレスとセクタ数に基づく複数のデータ群について、フラッシュメモリへのアクセスを開始することを特徴とする請求項6に記載のフラッシュメモリの制御方法。
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