JP2006099055A - 可搬式エッチングチャンバ - Google Patents

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Abstract

【課題】可搬式エッチングチャンバ。
【解決手段】エッチングチャンバは、チャンバ内部にＭＥＭＳ基板を支持するように構成される。エッチングチャンバは、蒸気又は気相エッチング剤源、パージガス源及び／又は真空源を含むエッチングステーションに移動しそして取り付けることが比較的容易であるように構成される。可搬式エッチングチャンバは、その中に収容されたＭＥＭＳ基板をエッチングするための工程を容易にする。例えば、このようなエッチングチャンバ内のＭＥＭＳ基板は、チャンバをエッチングステーションに接続すること、そして、ＭＥＭＳ基板をエッチングするためにＭＥＭＳ基板をエッチング剤に曝露すること、によりエッチングされ得る。基板は、可搬式エッチングチャンバの内部のエッチングステーションへ或いはエッチングステーションから搬送されることが出来る。好ましい実施形態においては、ＭＥＭＳ基板は、光干渉変調器であり、そして、エッチング剤はＸｅＦ２である。
【選択図】 図７

Description

本発明はエッチングチャンバのためのシステム及び方法、並びにそれ等を使用するための方法、特に、光干渉変調器（interferometric modulator）基板のような微小電気機械（microelectromechanical）システム (“ＭＥＭＳ”)基板をエッチングするための方法に関する。
多くのＭＥＭＳは、元来半導体製造における使用のために開発されたものにある意味で類似する方法とシステムを使用して製作されている。半導体製造工程フローは、一般的には、半導体基板に対する洗浄、加熱、冷却、堆積、フォトリソグラフィ、マスキング、エッチング等のような多数の個別のプロセスステップを適用することを含む。プロセスステップの多くは、製造設備の中で互いに物理的に分離された個別のプロセスステーションで実行される。基板は、一般的にはプロセスステーションの間を搬送ケース（しばしば「基板キャリア」、「カセット」或いは「ポッド」、例えば集積回路製造産業において使用されるシリコンウェハのためのフロントオープニング一体型ポッド（Front Opening Unified Pod）(FOUP)、と呼ばれている）を使用して移動される。
空間光変調器は、ＭＥＭＳの一例である。種々の異なる型の空間光変調器が、画像アプリケーションのために使用されることが出来る。空間光変調器の一つの型が、光干渉変調器である。光干渉変調装置は、有利な操作特性と動作特性を有するディスプレイアセンブリを提供するためにアレイ構成に並べられることが出来る。例えば、これ等のディスプレイは、低消費電力と同時に豊富な色彩特性を有することが可能である。
光干渉変調装置は、光を反射しそして光学的干渉を創り出すことにより動作する。光干渉変調器は、少なくとも二つの状態を有し、それ等は対応する異なる外観を観察者に提供する。一つの状態においては、比較的狭いバンド反射が、観察者に、例えば赤、緑、青色の様な明瞭な色彩を与える。別の１つの状態においては、光干渉変調器は、観察者に対し反射された暗い或いは黒い外観を与えるように入射光に働くことが出来る。
［サマリー］
ここに記載されるシステム、方法及び装置は、それぞれ複数の態様を有し、そのいずれもが、その好ましい特性に単独で寄与するのではない。本発明の範囲を制限することなく、発明の一層顕著な特徴がここに簡潔に議論される。この議論を考慮した後で、そしてとりわけ「特定の実施形態の詳細な説明」と題する節を読んだ後で、人はここに説明されているシステム、方法及び装置の複数の特徴が、例えば、改善されたスループット、制御及びプロセス柔軟性を含む複数の利点を如何に与えるかを理解するであろう。
一つの実施形態は、可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバを提供し、そのチャンバは真空源への取り付けのために構成された注入口を有する密封可能容器、及び、その密封可能容器の移動中に密封可能容器内に少なくとも１枚のＭＥＭＳ基板を保持するように構成されたホールダを含む。密封可能容器は、真空源に対して相対的な移動を容易にするように構成される。ホールダは、１枚又は複数枚の光干渉変調器基板を支持するように構成され得る。
別の１つの実施形態は、エッチングステーションと密封可能容器を含むＸｅＦ２エッチングシステムを提供する。エッチングステーションは、ＸｅＦ２蒸気源、真空源及びパージガス源から選択された少なくとも１つの供給源を含む。密封可能容器は、少なくとも１つのＸｅＦ２蒸気源への取り付けのために構成された注入口、及び、密封可能容器の移動中に密封可能容器内の少なくとも１枚のＭＥＭＳ基板を保持するように構成されたホールダを含む。密封可能容器は少なくとも１つの供給源から取り外しできるように構成されており、そして、その少なくとも１つの供給源に対して相対的な移動を容易にするように構成されている。
別の１つの実施形態は、ＭＥＭＳ基板をエッチングするための方法を提供し、その方法は、可搬式エッチングチャンバをエッチング剤源に操作できる程度に近接した位置へ移動すること、及び、可搬式エッチングチャンバをエッチング剤源に取り付けることを含む。ＭＥＭＳ基板は、可搬式エッチングチャンバ内に保持され、そして、リリースされたＭＥＭＳ基板を形成するためにＭＥＭＳ基板をエッチングするために有効な期間にわたりエッチング剤に曝される。可搬式エッチングチャンバは、エッチング剤源から取り外され、エッチング剤源から引き離され、そして、リリースされたＭＥＭＳ基板は、可搬式エッチングチャンバから取り出される。
別の１つの実施形態は、ＭＥＭＳ基板をエッチングするための方法を提供し、その方法は、ＭＥＭＳ基板を可搬式エッチングチャンバ内に装入すること、ＭＥＭＳ基板をその中に収容した可搬式エッチングチャンバをエッチングステーションに操作できる程度に近接した位置へ移動することを含む。可搬式エッチングチャンバは、エッチングステーションに接続され、そして、可搬式エッチングチャンバがエッチングステーションに取り付けられている間に、ＭＥＭＳ基板は可搬式チャンバ内でエッチングされる。
別の１つの実施形態は、可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバを提供し、そのエッチングチャンバは、密封可能容器及びその容器の移動中に密封可能容器内で少なくとも１枚のＭＥＭＳ基板を保持するように構成されたホールダを含む。密封可能容器は、少なくとも１つの供給源に取り付けるように構成された注入口を含み、供給源はＸｅＦ２蒸気源、真空源及びパージガス源から選択される。密封可能容器は、少なくとも１つの供給源に対して相対的な移動を容易にするように構成される。
これ等の及びその他の実施形態は、下記に更に詳細に説明される。
［好ましい実施形態の詳細な説明］
本発明のこれらの及びその他の態様は、以下の説明と添付図（正確な縮尺ではない）から容易に明らかになる。ただし、それ等は説明を意図しており発明を限定することを意図していない。
下記に更に十分に説明されるように、好ましい実施形態において、エッチングチャンバは、チャンバ内部にＭＥＭＳ基板を保持するように構成されている。エッチングチャンバは、エッチング手段に共通する、例えば、真空ポンプ、不活性ガス源、及び／又はエッチング剤源のような、１つ或いは複数の様々な構成要素を含むエッチングステーションへ比較的容易に移動され取り付けられるように構成される。この可搬式エッチングチャンバは、その中に収容されているＭＥＭＳ基板をエッチングするためのプロセスを容易にする。例えば、このようなエッチングチャンバ内のＭＥＭＳ基板は、エッチングチャンバをエッチングステーションへ移動すること、チャンバをエッチング剤、パージガス及び／又は真空ポンプのための配管に接続すること、ＭＥＭＳ基板をエッチングするためにＭＥＭＳ基板をエッチング剤に暴露すること、によりエッチングされることが可能である。
以下の説明から明らかなように、好ましい実施形態は、動いていようと（例えば、ビデオ）静止していようとも（例えば、静止画）、そしてテキストであろうと画像であろうとも、画像を表示するために構成される任意のデバイスを作るための様々なプロセスにおいて実施されることが可能である。更に詳しくは、実施形態が、多様な電子機器を作る様々なプロセスにおいて実施されることが可能であることが予想される。多様な電子機器は、例えば、これに限定されないが、移動電話機、無線機器、パーソナルデータアシスタント（personal data assistants）（PDAs）、ハンドヘルド（hand-held）或いは携帯コンピュータ、ＧＰＳ受信機／ナビゲータ、カメラ、ＭＰ３プレーヤ、ビデオカメラ、ゲーム操作卓、腕時計、時計、計算機、テレビモニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニタ、自動車のディスプレイ（例えば、走行記録計のディスプレイ、等）、コックピット制御盤及び／又はディスプレイ、カメラ映像のディスプレイ（例えば、乗り物におけるカメラの後方映像のディスプレイ）、電子写真、電子掲示板或いは標識、投影機、建築構造（例えばタイル配置）、包装、及び、美術的構成（例えば宝飾品の映像）、である。更に一般的には、実施形態は、電子スイッチング機器を作るための様々なプロセスにおいて実施されることが可能である。
以下の詳細な説明は、本発明のある特定の実施形態に向けられている。しかしながら、本発明は、多様な異なる方式で実現可能である。本明細書では、参照符合が、図面に与えられ、全体を通して同様の部分が類似の数字を用いて表される。
ある実施形態は、可搬式又は取り外し可能なエッチングチャンバ及び可搬式エッチングチャンバをＭＥＭＳの製造のために使用するための方法に向けられている。上に記したように、多くのＭＥＭＳは、元来半導体製造において使用するために開発されたものにある意味で類似した方法とシステムを使用して製作されている。ＭＥＭＳは、典型的には移動パーツを含んでおり、従って、このようなＭＥＭＳを作るためのプロセスは、以前に形成された層を除去或いは「エッチング」することによりＭＥＭＳ基板中にキャビティ（典型的には上に乗っている又は張り出している移動パーツにより特徴付けられる）を形成することを含む。エッチングにより除かれる以前に形成された層は、しばしば「犠牲」層と呼ばれる。エッチングは、一般的に、ＭＥＭＳの他の構成要素への損傷を最小にして犠牲層を選択的に除去する「エッチング剤」へ犠牲層を曝露することにより実行される。ここで用いられているように、「ＭＥＭＳ基板」という述語は、その上にＭＥＭＳデバイスが製作される基板を言う。ＭＥＭＳ基板は、製作されているプロセス中では１つ又は好ましくは多数のＭＥＭＳを含むことができ、それゆえ、ＭＥＭＳ基板上のＭＥＭＳは、全体として或いは部分的に動作し得ない。犠牲層の除去前においては、ＭＥＭＳ、ＭＥＭＳ基板或いはその構成要素は、「未リリース（unreleased）」であると呼ばれる。除去後は、ＭＥＭＳ、ＭＥＭＳ基板或いはその構成要素は、「リリース（released）」されていると呼ばれる。
本発明は理論によって拘束されないが、しかし、エッチング剤（又はエッチング剤の構成成分）と犠牲層（又は犠牲層の構成成分）との化学反応が、ＭＥＭＳのリリースに含まれていることが信じられている。流体エッチング剤が使用され得るが、ガス又は蒸気のエッチング剤がしばしば好まれる。同様に、反応生成物は、好ましくは流体であり、更に好ましくはＭＥＭＳ基板から容易に除去されることが可能なガスである。好ましくは、エッチング剤及びエッチング剤と犠牲層の間の化学反応による生成物の両者は、ガスである。
２フッ化キセノン（ＸｅＦ２）の蒸気は多くの物質をエッチングすること、そして、エッチング速度は材料により変化すること、が見出されている。例えば、２３℃で３．８Torrの場合、以下のことが見出されている。すなわち、ＸｅＦ２蒸気のエッチング速度は、モリブデン（約45Å/sec）よりもアモルファスシリコン（約350Å/sec）のエッチングに対する方が著しく速い。そして、インジウム錫酸化物、アルミニウム、ニッケル、クロム、アルミニウム酸化物及びシリコン酸化物に対して、エッチング速度は非常に低い（上記の条件下でゼロに近い）。２３℃で２．８Torrの場合、ＸｅＦ２蒸気のエッチング速度は、タングステン（約13Å/sec）＞チタン（約5Å/sec）＞窒化シリコン（SiNx）（約2Å/min）の順で低下した。このようにして、ＸｅＦ２蒸気は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）の製作に対して選択エッチング剤として働くことができる。例えば、シリコン又はモリブデンは、インジウム錫酸化物、アルミニウム、ニッケル、クロム、アルミニウム酸化物及びシリコン酸化物のような、他の材料をほとんど又は全くエッチングせずにＭＥＭＳ基板から選択的にエッチングされることが可能である。シリコンのインジウム錫酸化物、アルミニウム、ニッケル、クロム、アルミニウム酸化物及びシリコン酸化物の内１つ或いは複数に対する相対エッチング速度（「ＸｅＦ２選択比」）は、一般的には少なくとも約１０であり、少なくとも約５０或いは少なくとも約１００であり得る。モリブデンのインジウム錫酸化物、アルミニウム、ニッケル、クロム、アルミニウム酸化物或いはシリコン酸化物に対するＸｅＦ２選択比は、一般的には少なくとも約５であり、少なくとも約１０であり得る。
ＸｅＦ２は、室温において自身の蒸気圧（３．８Torr）で昇華する固体化合物である。本発明は理論には拘束されないが、しかし、ＸｅＦ２は、気相に少なくとも部分的に分解して、ＸｅとＦ２を生成することが信じられている。ＸｅＦ２の昇華により形成される蒸気（ＸｅＦ２分解生成物を含むことがあり得る）は、ここではＸｅＦ２又はＸｅＦ２蒸気と呼ばれ、固体形は、固体ＸｅＦ２と呼ばれる。下記に説明されるある実施形態は、光干渉変調器として公知の好ましい等級のＭＥＭＳデバイスを製作する状況において、エッチング剤としてＸｅＦ２を使用することにより説明される。しかしながら、本発明が他のエッチング剤及びＭＥＭＳデバイスにも同様に適用可能であることを、当業者等は歓迎するであろう。
ＸｅＦ２蒸気を供給するためのシステムは、ザクティックス（Xactics）（米国）及びペンタバキューム（Penta Vacuum）（シンガポール）から商業的に利用可能である。そのようなシステムに一般的に含まれている特徴は、図９に模式的に示されるようなガス取扱いシステムに取り付けられるエッチングチャンバを含む。このようなシステムは、例えば、ＭＥＭＳ基板をエッチングチャンバ内に設置しそれをＸｅＦ２蒸気に曝露することにより、ＭＥＭＳの製作のために使用され得ることが、見出されてきている。特に、ＸｅＦ２が光干渉変調器の製作のために好ましいエッチング剤であることが見出されてきている。
画像アプリケーションのために使用される空間光変調器は、多くの異なる形式で手に入る。透過型液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）変調器は、光を遮る又は通すために結晶性材料の捩れ及び／又は配列を制御することにより、光を変調する。反射型空間光変調器は、画面に反射される光の量を制御するために様々な物理的効果を利用する。このような反射型変調器の例は、反射型ＬＣＤ及びディジタル微小ミラーデバイスを含む。
空間光変調器のもう一つの例は、干渉によって光を変調する光干渉変調器である。光干渉型ＭＥＭＳディスプレイの素子を含む一つの光干渉変調器ディスプレイの実施形態が、図１に示されている。これ等のデバイスにおいて、画素は、明又は暗の何れかの状態にある。明（「オン」又は「開」）状態では、ディスプレイ素子は、大部分の入射可視光線を利用者に反射する。暗（「オフ」又は「閉」）状態の時は、ディスプレイ素子は、入射可視光線を利用者にほとんど反射しない。実施形態に依存して、「オン」と「オフ」状態の光の反射率の特性は、逆にすることが出来る。ＭＥＭＳの画素は、黒と白に加えてカラーディスプレイを可能にする選択された色を主として反射するように構成されることが出来る。
図１は、視覚ディスプレイの一連の画素における２つの隣り合った画素を表す等角投影図であり、ここでは、各画素はＭＥＭＳ光干渉変調器を含む。複数の実施形態においては、光干渉変調器ディスプレイは、これ等の光干渉変調器の行／列のアレイを具備する。各光干渉変調器は、互いに可変かつ制御可能な距離に位置する一対の反射層を含み、少なくとも１つの可変寸法を持つ共鳴光学キャビティを形成する。一つの実施形態においては、反射層の一つは、２つの位置の間を動かされることが可能である。第１の位置では、ここではリリース状態と呼ぶ、可動層は、固定された半反射層から相対的に大きな距離離れた所に位置している。第２の位置では、可動層は、半反射層にもっと接近した所に位置する。２つの層から反射された入射光は、可動反射層の位置に応じて建設的或いは破壊的に干渉し、各画素に対し全面的反射或いは非反射の何れかの状態をもたらす。
図１における画素アレイの図示された部分は、２つの隣り合った光干渉変調器１２ａと１２ｂを含んでいる。左側の光干渉変調器１２ａにおいては、可動高反射層１４ａが固定半反射層１６ａから所定の距離離れたリリース位置にあることが図示されている。右側の光干渉変調器１２ｂにおいては、可動高反射層１４ｂが固定された半反射層１６ｂに近接したアクチュエート位置にあることが図示されている。
固定層１６ａ、１６ｂは、電気的に伝導性、半透明かつ半反射性であり、そして、例えば、透明基板２０の上にクロムとインジウム錫酸化物のそれぞれ１層又は複数層を堆積することにより製作されることが可能である。これ等の層は、平行なストライプにパターニングされ、そして、下記に更に説明されるように、ディスプレイデバイスにおける行電極を形成することが出来る。可動層１４ａ、１４ｂは、支柱１８の頂上部の上に及び支柱１８の間に堆積された介在犠牲材料の上に（行電極１６ａ、１６ｂに直行して）堆積された金属堆積層（単数又は複数）の、一連の平行なストライプとして形成されることが可能である。犠牲材料がエッチング除去される時、変形可能な金属層は、固定金属層から定められたエアーギャップ１９だけ分離される。アルミニウムのような高伝導度かつ高反射率材料は、変形可能層に利用可能であり、そして、これ等のストライプは、ディスプレイデバイスにおける列電極を形成できる。
電圧を印加しない状態では、キャビティ１９は、層１４ａ、１６ａの間に留まっており、そして、変形可能層は、図１の画素１２ａに図示されているように機械的にリラックス状態にある。しかしながら、選択された行と列に電位差が印加されると、対応する画素での行と列電極の交差部に形成されたキャパシタは、充電され、静電気力が電極を互いに引きつける。もし電圧が十分に高ければ、可動層は変形され、そして、図１の右側の画素１２ｂに図示されているように、固定層に対して押しつけられる（この図には示されていない誘電体材料が短絡を防止し分離距離を制御するために固定層に堆積されることができる）。この挙動は、印加電位差の極性に関係なく同じである。このようにして、反射画素状態対非反射画素状態を制御できる行／列アクチュエーションは、従来のＬＣＤや他のディスプレイ技術において利用されている動作に多くの点で類似している。
図２から図５までは、ディスプレイ応用において光干渉変調器のアレイを使用するための具体例としてのプロセスとシステムを示す。図２は、本発明の複数の態様を組み込むことができる電子機器の一実施形態を説明するシステムブロック図である。具体例としての実施形態においては、電子機器はプロセッサ２１を含む。このプロセッサは、任意の汎用目的シングルチップ又はマルチチップのマイクロプロセッサ、例えば、ＡＲＭ, Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）, Ｐｅｎｔｉｕｍ ＩＩ（登録商標）, Ｐｅｎｔｉｕｍ ＩＩＩ（登録商標）, Ｐｅｎｔｉｕｍ ＩＶ（登録商標）, Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）Ｐｒｏ，８０５１，ＭＩＰＳ（登録商標），Ｐｏｗｅｒ ＰＣ（登録商標），ＡＬＰＨＡ（登録商標），或いは、ディジタル信号プロセッサ、マイクロ制御器、又はプログラム可能ゲートアレイのような、任意の特定用途マイクロプロセッサであることができる。業界で通例のように、プロセッサ２１は、１つ又は複数のソフトウエアモジュールを実行するように構成されることが可能である。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサは、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、ｅ−メールプログラム、或いはその他のいずれかのソフトウエアアプリケーションを含む１つ又は複数のソフトウエアアプリケーションを実行するように構成されることが可能である。
一つの実施形態において、プロセッサ２１は、しかもアレイ制御装置２２と通信するように構成されている。一つの実施形態において、アレイ制御装置２２は、画素アレイ３０に信号を与える行駆動回路２４及び列駆動回路２６を含む。図１に示されているアレイの断面は、図２において線１−１により示される。
ＭＥＭＳ光干渉同調器に関して、行／列のアクチュエーションプロトコルは、図３に示されているこれ等のデバイスのヒステリシス特性を活用することが出来る。例えば、可動層をリリース状態からアクチュエート状態に変形させることを生じさせるために１０ボルトの電位差を必要とする。しかしながら、電圧がその値から減少される時、可動層は、電圧が１０ボルト以下に低下して戻ってもその状態を保持する。図３の具体例としての実施形態において、可動層は、電圧が２ボルト以下に下がるまで完全にはリリースされない。このようにして、図３に示された例において約３から７ボルトの電圧範囲があり、そこに印加電圧のウィンドウが存在し、その範囲内でリリース状態であろうとアクチュエート状態であろうとデバイスは安定である。これはここでは「ヒステリシスィンドウ」或いは「安定ウィンドウ」と呼ばれる。図３のヒステリシス特性を有するディスプレイアレイに関して、行／列のアクチュエーションプロトコルは、以下のように設計されることが出来る。すなわち、行ストローブの期間に、アクチュエートされるべきストローブされる行の画素は、約１０ボルトの電位差を受け、そして、リリースされるべき画素は、ゼロボルトに近い電位差を受ける。ストローブの後で、行ストローブが画素をどのような状態に置いたにせよ画素がその状態に留まる様に、画素は約５ボルトの定常状態電位差を受ける。書き込まれた後で、各画素は、電位差が本例において３−７ボルトの「安定ウィンドウ」の範囲内にあることを知る。この特徴は、図１に示された画素設計を、事前の状態がアクチュエート状態であろうとリリース状態であろうと、同じ印加電圧で安定にする。光干渉変調器の各画素は、アクチュエート状態或いはリリース状態何れにせよ、本質的には固定層及び可動反射層により形成されたキャパシタであるが故に、この安定状態は、ヒステリシスィンドウの範囲内の電圧でほとんど電力を消費することなく保たれることが可能である。印加電圧が固定されていれば、本質的に画素に電流は流れない。
代表的なアプリケーションにおいて、ディスプレイフレームは、第１行におけるアクチュエートされた画素の望まれるセットにしたがって列電極のセットを明示する（assert）ことにより創られることが可能である。それから、行パルスが行１の電極に印加され、明示された列ラインに対応する画素をアクチュエートする。その後、列電極の明示されたセットは、第２行におけるアクチュエートされた画素の望まれたセットに対応して変更される。次に、パルスは、行２の電極に適用され、明示された列電極と一致した行２における適切な画素をアクチュエートする。行１の画素は、行２のパルスにより影響を受けず、行１のパルスの期間に設定された状態に留まる。これは一連の行全体に対して順次繰り返され、フレームを創ることが可能である。一般的に、フレームは、毎秒ある望まれたフレーム数でこのプロセスを連続的に繰り返すことにより、新しいディスプレイデータで更新及び／又はリフレッシュされる。また、ディスプレイフレームを創るために画素アレイの行及び列電極を駆動させるための様々なプロトコルは、公知であり、本発明とともに利用されることが可能である。
図４及び図５は、図２の３×３アレイの上にディスプレイフレームを作るための一つの可能なアクチュエーションプロトコルを示す。図４は、図３のヒステリシス曲線を示す画素に対して利用され得る列と行電圧水準の可能なセットを説明している。図４の実施形態において、画素をアクチュエートすることは，適切な列を−Ｖbiasに、適切な行を＋ΔＶに設定することを含み、これはそれぞれ−５ボルト及び＋５ボルトに対応している。画素をリリースすることは、適切な列を＋Ｖbiasに、適切な行を同じ＋ΔＶに設定し、画素を横切る電位差をゼロボルトにすることにより実現される。行電圧がゼロボルトに保持されている行においては、画素は、元々どのような状態にあったにせよ、列が＋Ｖbiasか−Ｖbiasかに無関係に、その状態で安定である。
図５Ｂは、図５Ａに示されているディスプレイ配列を結果としてもたらすような、図２の３×３アレイに印加される一連の行と列信号を示すタイミング図である。ここで、図５Ａにおいてアクチュエートされた画素は、非反射である。図５Ａに示されているフレームを書き込む前に、画素は任意の状態にあることが可能であって、この例では、全ての行は０ボルトであり、全ての列は＋５ボルトである。これ等の印加電圧で、全ての画素は、現在のアクチュエート状態或いはリリース状態で安定である。
図５Ａのフレームにおいて、画素（１，１）、（１，２）、（２，２）、（３，２）及び（３，３）がアクチュエートされる。これを実現するために、行１に対する「ライン時間」の期間に、列１と２が−５ボルトに設定され、列３が＋５ボルトに設定される。これは何れの画素の状態も変えない、なぜならば、全ての画素は、３−７ボルトの安定ウィンドウ内に留まっているからである。その後、行１は、０から５ボルトに上がりそしてゼロに戻るパルスでストローブされる。これは、（１，１）と（１，２）画素をアクチュエートし、（１，３）画素をリリースする。アレイにおけるその他の画素は、影響を受けない。行２を望ましいように設定するために、列２が−５ボルトに設定され、列１と３が＋５ボルトに設定される。行２に適用される同じストローブは、それから、画素（２，２）をアクチュエートしそして画素（２，１）と（２，３）をリリースする。再びアレイのその他の画素は影響を受けない。同様に行３は、列２と３を−５ボルトに、列１を＋５ボルトに設定することにより設定される。行３のストローブは、行３の画素を図５Ａに示されているように設定する。フレームを書き込んだ後で、行電圧はゼロであり、列電圧は＋５又は−５の何れかのままである。その時ディスプレイは、図５Ａの配列で安定である。同じ手順が数十或いは数百の行と列のアレイに対して用いられ得ることが理解されるだろう。また、行と列の駆動を実行するために用いられる電圧のレベル、タイミング、及び動作順序は、上記に概要を示された一般的原理の範囲内で広く変更可能であって、上記の例は、単なる具体例であり、そして任意のアクチュエーション電圧が本発明で用いられることが出来ることも、理解されるだろう。
上記の原理に従って作動する光干渉変調器の構造の詳細は、広く変化し得る。例えば、図６Ａ−６Ｃは３つの異なる移動鏡構造の実施形態を示している。図６Ａは、図１の実施形態の断面図であって、金属材料のストライプ１４が、直交して延びる支持台１８の上に堆積される。図６Ｂにおいては、可動反射材料１４は、連結部（tether）３２で支持台の角部でのみ結合されている。図６Ｃにおいては、可動反射材料１４は、変形可能層３４から吊り下げられている。この実施形態は、反射材料１４のために使用される構造設計と材料が、光学特性に関して最適化され得るが故に、及び、変形可能層３４のために使用される構造設計と材料が、望ましい機械特性に関して最適化され得るが故に、利点を有する。様々な型の光干渉変調器の製造は、例えば、米国公開出願２００４／００５１９２９を含む、様々な公開文献に記載されている。様々な周知の技術は、一連の材料堆積、パターニング及びエッチングステップを含む上記に説明された構造を製造するために使用されることが可能である。
述語「光干渉変調器基板」は、ここでは、その上に光干渉変調器が製作される基板を指すように使われ、従って、光干渉変調器基板上の光干渉変調器は、全体として又は部分的に動作されない。光干渉変調器の製造は、一般的に光干渉変調器基板に一連の製造ステップ（例えば、堆積、マスキングそしてエッチングステップ）を実行することを包含している。例えば、図６Ａに示されている光干渉変調器の製作は、基板２０の上に第１の鏡１４を形成すること、次に基板２０を覆って犠牲層を堆積することを含んでいる。次に、開口部が犠牲層中に形成され、そして、支柱１８が開口部の中に形成される。第２の鏡１６の形成後に、犠牲層がエッチングにより除去されて、光学的キャビティ１９を形成する。光干渉変調器を作るための他の工程フローもまた、犠牲層を形成すること、次に、光学的キャビティを形成するために犠牲層を（ＸｅＦ２の様な）気体エッチング剤に曝露することによりそれを除去すること、を包含している。例えば、米国公開出願２００４／００５１９２９を参照。これに関連して、犠牲層の除去は、可動鏡を「リリースする」、従って、ここでは「リリース」エッチと呼ばれることがある。
上記に説明したように、従来の製造フローは、一般的にキャリア、例えば、カセットを使用して基板を一つの固定ステーションから別の１つのステーションへと移動することを包含している。このようなキャリアの使用は、製造中に無数のキャリアローディング及びアンローディングステップを引き起こすけれども、結局キャリアの使用は、半導体製造フローにおいては一般に望ましいと考えられている。
しかしながら、従来の工程フローは、光干渉変調器のようなＭＥＭＳの製作にとっては特に適切ではないことが、今や分かってきた。例えば、現行の工程フローは、一般に、加工されていない或いは部分的に加工された基板をキャリア中にローディングすること、基板を加工ステーションへ輸送すること、基板をキャリアからアンローディングしてそれを加工ステーションにローディングすること、基板を加工すること、加工の済んだ基板を加工ステーションからアンローディングしてそれをキャリアに戻してローディングすること、そして加工の済んだ基板を次の加工ステップへ輸送すること、を包含している。別の１つの例として、好ましい光干渉変調器基板は、従来の方法によっては洗浄することが困難なことがあるキャビティの内側或いは開口部を有している。このような基板を従来のキャリアにローディングすること及びアンローディングすることは、基板汚染の危険を望ましくなく増加させる。加えるに、従来のキャリアは、ＭＥＭＳデバイスを保管するのに特に適切ではない。
更に、ある状況では微細機械部品を環境に曝露する危険のため、リリースされたＭＥＭＳ基板の輸送は、困難なことがある。このようなＭＥＭＳ基板の移動は、機械的衝撃からの及びパーティクルや研磨剤又はその他の環境上の危険から来るＭＥＭＳ基板への損傷を防止或いは軽減するために、最小限にされるのが好ましい。リリースされた基板の安全な輸送は、１つ又は複数のこのような潜在的危険、例えば、機械的衝撃、水蒸気及び／又はパーティクル汚染、から基板を防護するチャンバを提供することにより容易になされることが分かってきた。好ましい実施形態は、その中でＭＥＭＳ基板がエッチングされリリースされることが出来る、機械的に囲まれたチャンバを提供する。そのチャンバは、密封されそして短距離（１−１０ｍ）或いは更に長距離（数千ｍ）を移動されることが可能で、機械的損傷から及び／若しくは水蒸気及び／又はパーティクルのような雰囲気的危険からＭＥＭＳ基板を保護する。
光干渉変調器の様なＭＥＭＳの製作に対して適切な可搬式エッチングチャンバ、システム及び方法が、現在開発されてきた。一つの実施形態は、ＸｅＦ２蒸気源へ取り付けのために構成された可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバを提供する。そのＸｅＦ２エッチングチャンバは、更に容器の移動中に密封可能容器内部に少なくとも１枚のＭＥＭＳ基板を収容するように構成される。ある実施形態においては、可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバは、ＸｅＦ２蒸気源への取り付けのために構成された注入口を具備する密封可能容器、及び密封可能容器内部に少なくとも１枚のＭＥＭＳ基板を支持するように構成されたホールダを具備する。密封可能容器は、システムの他の主たる構成要素、例えば、ＸｅＦ２蒸気源、真空ポンプ及び／又はパージガス源、に対して相対的な移動を容易にするように構成されている。
可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバの一実施形態が、図７に示されている。図示されている実施形態において、密封可能容器７００は、約１０ｍTorrから５０ｍTorrの範囲の気圧に安全に減圧されることを可能にするために十分に強い金属、プラスチック或いは重ガラスのような材料から作られる。図示されている実施形態において、密封可能容器７００は、光干渉変調器基板７０５を含むように構成されている。密封可能容器７００は、ドア７１０を装備されており、光干渉変調器基板７０５が開口部７１５を通して密封可能容器７００へ設置されたり取り外されたりすることを可能にしている。容器７００は、開口部７１５の縁に沿って容器７００の上に置かれた柔軟材料７２０により密封されており、そして、ドア７１０が閉位置にある時にＸｅＦ２蒸気が漏洩するのを実質的に防止するため容器７００を密封するように構成されている。柔軟材料７２０は、好ましくはエッチング剤に対する抵抗性、例えば、ＸｅＦ２による劣化に対する抵抗性を備えている。適切な耐ＸｅＦ２柔軟材料の例は、種々のフッ素化高分子、例えば、テフロン（登録商標）及びバイトン（登録商標）の商標名でデュポンダウエラストマーＬＬＣ（DuPont Dow Elastomers LLC）（Wilmington, Delaware, USA）から商業的に入手可能な商品のようなフッ素ゴム（Fluoroelastomers）、を含む。それに代わる実施形態（図示されていない）においては、柔軟材料は、開口部７１５の縁に沿った配置に加えて或いはその代わりにドア７１０の縁に沿って配置される；その他の密封構成もまた利用可能である。
密封可能容器７００は、ＸｅＦ２蒸気源（図示されていない）への取り付けのために構成された注入口７２５もまた具備しており、密封可能容器７００の内壁上の一連の支柱７３０は、１枚或いは複数枚のＭＥＭＳ基板（光干渉変調器基板７０５のような−１枚が示されているが、好ましくは複数の支柱又は溝が１枚と２０枚の間のそのような基板７０５のために与えられる）をチャンバ内部に保持するように構成されている。図示されている実施形態において、支柱７３０は、図８に示されている側面図（種々の特徴が簡略化のために図８から省略されている）に示されているように、光干渉変調器基板７０５の両側に配置されている。ＭＥＭＳ基板を保持するように構成されている他のホールダ（密封可能容器７００の壁内の溝７４０のような）もまた利用可能である。ホールダは、好ましくは複数のＭＥＭＳ基板が容器内に保持されることが出来るように、しかもなおＸｅＦ２蒸気の流れ又は拡散により効率的なエッチングがなされる程度に十分な間隔をもって、配置される。好ましくは、ホールダは、ＭＥＭＳ基板を機械的衝撃からのクッションになる（上記したもののような）耐ＸｅＦ２柔軟材料で作られるか或いは裏張りされる。
可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバは、排気口としても働くＸｅＦ２蒸気のための１個の注入口を含むことが可能である（例えば、その注入口に真空を取り付けることにより内圧を減少させ、次に真空を遮断してＸｅＦ２導入を可能にするためのバルブを開け、それから、バルブを閉じて基板をエッチングし、その後、再び真空を利用して反応生成物と一切の残留ＸｅＦ２ガスを注入口を通して除去する）。好ましい実施形態においては、ＸｅＦ２エッチングチャンバは、ＸｅＦ２注入口及び排気口を装備する。例えば、図示されている実施形態において、密封可能容器７００は、注入口７２５と、好ましくは（示されていない）真空ポンプへの取り付けのために構成されている、排気口７３５を具備する。ＸｅＦ２注入口７２５と排気口７３５は、（商業的に入手可能な迅速接続バルブのような）セルフシーリングバルブ７２６、７３６を装着し、それぞれ、ＸｅＦ２源と真空への接続を容易にしている。セルフシーリングバルブは、チャンバが分離される時にＸｅＦ２の漏れを軽減或いは防止するために好ましい。手動分離バルブ７２７、７３７は、エッチング剤の漏れを軽減或いは防止するためセルフシーリングバルブに加えて、或いはそれに代わって、使用されることが可能である。
図示されている実施形態において、密封可能容器７００は、密封可能容器７００を持ち上げられたり移動させたりすることができるように構成された把手７４０’を装備されている。把手に加えて或いはその代わりに、密封可能容器７００は、１個又は複数個の車輪、例えば、ローラ或いはキャスタや、実質的に低摩擦の滑動表面など、のような可搬式エッチングチャンバを移動するための他の手段（図示されていない）を装備することができる。そして／又は、密封可能容器７００は、ロボットで持ち上げられ手動搬送台車（manual guided vehicle）（「ＭＧＶ」、例えば、カートや手押し車）及び／又は自動搬送台車（automatic guided vehicle）（「ＡＧＶ」）を用いて輸送されるように構成されることが出来る。
可搬式エッチングチャンバは、好ましくは、更に、圧力計、電気配線などへ取り付けを可能にし、図９に示される一般的な形で（下記に更に詳細に説明される）ＸｅＦ２エッチングシステム９００を形成するように構成されている。好ましいＸｅＦ２エッチングチャンバは、エッチングの間にＭＥＭＳ基板の観察ができるように構成された窓７４５（図７）を含む。可搬式エッチングチャンバは、エッチングステーションにおいて電源への迅速接続と切り離しを容易にする電源接続（図示されていない）をオプションで含めることができ、及び／或いは、可搬式エッチングチャンバは、オプションでバッテリーを装備されることが出来て、本明細書の他の場所で説明される検出器や加熱素子のようなオプション部品への電力を供給する。
図１０Ａ及び図１０Ｂに関して、窓１０２０は、ガラス、プラスチック或いは石英のような比較的透明な材料から組み立てられることが可能であり、内部の直接目視観察を可能にする比較的大きな寸法を有することが出来る、或いは、光をチャンバの内部から外部へ運ぶ光ファイバ１００５（図１０Ｂ）又はファイバの束（図示されていない）により置き代えられることが可能である。チャンバ内部の情報を外部へ伝達する検出器を有するシステムのような、その他の工程モニタリングシステムもまた、利用されることが可能である。窓１０２０は、単純で信頼性があるという利点を持つ。エッチングの間にＭＥＭＳ基板を観察或いはモニタするために役立つ好適な光ファイバ束１００５は、例えば、スペクトラフィジクス（オリエルインスツルメンツ）（Spectra-Physics (Oriel Instruments)）やオーシャンオプティクス，インク（Ocean Optics, Inc.）から商業的に入手可能である。検出器１０２５は、チャンバ窓１０２０（図１０Ａ）を通して信号を伝達或いは受信するように構成されることが可能であり、或いは、図１０Ｂに模式的に示すようにエッチングチャンバ１０１５の壁１０１０を貫きチャンバの外へ通じる光ファイバ光学系１００５を介して信号を受信するように構成されることが可能である。検出器は、望むなら、エッチングステーション或いはエッチングチャンバの部品であることも可能である。図１０Ａと１０Ｂに説明されている構成は、容器１０１５の外部からＭＥＭＳ基板１０３０の観察を容易にする。
ＸｅＦ２エッチングチャンバは、図９に模式的に示されているようにＸｅＦ２エッチングシステム９００を形成する他の構成要素に取り付けられることが可能である。図示されている実施形態において、ＸｅＦ２エッチングシステム９００は、（例えば、上記のような）可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ９０５を具備しており、ＸｅＦ２エッチングチャンバ９０５は、システムの他の部品から容易に取り外し可能である。図示されている実施形態９００は、下記を具備する。すなわち、可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ９０５に操作可能に接続されている（固体ＸｅＦ２を含む容器９１５及び伸張室９２０のような）ＸｅＦ２蒸気源９１０；システム９００全体に亘ってＸｅＦ２や窒素（或いは他の不活性ガス）を輸送し、排気しそしてパージするための、種々の配管、圧力計及び（例えば、切り離しの前にチャンバ９０５を手動で分離するための）バルブ；真空チャンバ９０５に操作可能に接続されている真空ポンプ９２５；及び更に好ましくは、システムに操作可能に接続され、そして、エッチング工程の１或いは複数のステージを制御するようにプログラムされたコンピュータ（図示されていない）を具備する。図９の実施形態の作業は、固体ＸｅＦ２からＸｅＦ２蒸気を作ること、図９に示されている配管やバルブを通して、伸張室９２０へその蒸気の輸送、及び、ＸｅＦ２蒸気をエッチングチャンバ９０５の中への更なる輸送を包含する。エッチングチャンバ９０５に接続されている真空或いは粗引きポンプ９２５は、ＸｅＦ２蒸気の輸送を助けるためエッチングチャンバ９０５を部分的に排気するために使用されることが可能である。窒素（Ｎ2）パージが、好ましくは伸張室９２０に導入され、そして図９に示されるようにエッチングチャンバ９０５を通して排気される。窒素パージは、ＸｅＦ２エッチングが行なわれた後でシステムからＸｅＦ２をパージするために使われる。パージは、エッチングの前にも使われることが出来て、エッチングチャンバ内に均一な窒素雰囲気を確立する。他のパージガス（例えば、Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ，等）やシステム構成も、使用されることが可能である。
ＸｅＦ２エッチングシステムの一実施形態が、図１１に模式的に示されている。そのシステム１１００は、ＸｅＦ２蒸気源１１０５及び密封可能容器１１１０を具備しており、密封可能容器１１１０は、ＸｅＦ２蒸気源１１０５から取り外しできるように構成されており、そして、ＸｅＦ２蒸気源１１０５に対する移動を容易にするように構成される。密封可能容器１１１０は、上記のように可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバであることが可能である。図示されている実施形態において、密封可能容器１１１０は、ＸｅＦ２蒸気源１１０５への取り付けのために構成された注入口１１１５及び密封可能容器１１１０内部に少なくとも１枚のＭＥＭＳ基板（光干渉変調器基板１１２３のような）を支持するように構成されたホールダ１１２０を装備する。密封可能容器１１１０、注入口１１１５及びホールダ１１２０の様々な構成が、上に説明されている。
ＸｅＦ２エッチングシステム１１００は、しかも、ＸｅＦ２蒸気源１１０５から第１迅速接続バルブ１１３０へ流れるＸｅＦ２供給配管１１２５も装備する。ＸｅＦ２注入口１１１５は、第２迅速接続バルブ１１３５を装備し、この第２迅速接続バルブは第１迅速接続バルブと対になるように構成され、それによってＸｅＦ２蒸気源１１０５からの密封可能容器の取り外しを容易にしている。ＸｅＦ２エッチングシステム１１００は、しかも、真空ポンプ１１４０と真空ポンプ１１４０から第３迅速接続バルブ１１５０へ流れる排気管１１４５とを装備する。密封可能容器１１１０は、第４迅速接続バルブ１１６０を装着した排気口１１５５を装備しており、この第４迅速接続バルブは第３迅速接続バルブ１１５０と対になるように構成され、それによって真空ポンプ１１４０からの密封可能容器の取り外しを更に容易にする。ＸｅＦ２エッチングシステム１１００は、しかも、ＸｅＦ２供給配管及び真空配管上の制御バルブ１１６２，１１６５をそれぞれ装備しており、それ等はそれぞれＸｅＦ２蒸気の流れ及び密封可能容器１１１０の排気を制御するために望まれるように操作されることが可能である。図示されている実施形態において、制御バルブ１１６２，１１６５は、システム制御コンピュータ１１７０と通信するように示されている。このコンピュータは、ここで述べられているようにエッチングを実行するためにプログラムされることが出来る。
ＸｅＦ２エッチングシステム１１００は、しかも、パージガス（例えば窒素）源１１８２から第５迅速接続バルブ１１８４へ流れるパージ配管１１８０も装備している。密封可能容器１１１０は、パージガス注入口１１８６もまた装備しており、パージガス注入口１１８６は、第５迅速接続バルブ１１８４と対になるように構成された第６迅速接続バルブ１１８８を装着しており、それによってパージガス源１１８２からの密封可能容器１１１０の取り外しを容易にしている。密封可能容器１１１０は、このようにＸｅＦ２蒸気源１１０５、真空ポンプ１１４０及びパージガス源１１８２からの取り外しと取り付けを容易に出来るよう構成される。ＸｅＦ２エッチングシステム１１００は、しかも、パージガスの流れを制御するために望ましいように操作されることが出来る制御バルブ１１９０をパージ配管１１８０上に装備している。制御バルブ１１９０は、システム制御コンピュータ１１７０と通信するように示されている。
取り外しの後で、密封可能容器１１１０は、エッチングシステム１１００の他の部分（ＸｅＦ２蒸気源１１０５、真空ポンプ１１４０及びパージガス源１１８２を含む）に対して移動を容易にするよう構成されている。その理由は、密封可能容器が比較的小さく従って持ち上げて運ぶことが容易だからである。移動を容易にするために、可搬式エッチングチャンバは、好ましくは重量約１００ｋｇ以下、更に好ましくは重量約２０ｋｇ以下である。好ましくは、可搬式エッチングチャンバは、約５ｋｇと約７５ｋｇの間の重量であり、更に好ましくは約１０ｋｇと約５０ｋｇの間の重量である。その他の重量も好適であり得る。移動を容易にするためのその他の方法は、車輪（キャスタ、ローラ、等のような回転装置を含む）、滑動表面及び密封可能容器１１１０上の把手を含む。
好ましくは、ＸｅＦ２エッチングシステム１１００は、光干渉変調器基板１１２３上の色変化を検出するように構成された検出器１１７５を更に具備する。ここで色変化は、ＸｅＦ２エッチングの程度を表している。検出器１１７５は、可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ１１１０（図１１に示されていない）の内部にあることが可能であり、或いは、チャンバ１１１０の外部に（例えば、上記したような）チャンバ窓１１８５の近くに設置されることが可能である。検出器１１７５は、上記のように光ファイバ束を具備することが出来る。コンピュータ１１７０は、検出器に操作可能に接続されることが可能で、色変化をモニタすることによりコンピュータ１１７０が１或いは複数のエッチングステップを制御することを可能にしている。エッチングステップのこのような制御は、下記に更に詳細に説明される。色変化は、例えば、光干渉変調器基板上の、或いは試験片として機能するＭＥＭＳ基板の一部分上の、２つの電極の間にキャビティを開けるようにエッチングが進行するに従い生じ得る。
もう一つの実施形態は、ＭＥＭＳ基板をエッチングするための方法を提供する。この方法は、ＭＥＭＳ基板を可搬式エッチングチャンバに挿入すること、可搬式エッチングチャンバをエッチング剤源に操作可能な程度に接近した場所へ移動すること、可搬式エッチングチャンバをエッチング剤源へ取り付けること、及び、ＭＥＭＳ基板をエッチングするのに有効な期間にわたりＭＥＭＳ基板をエッチング剤に曝露すること、を具備している。ＭＥＭＳ基板をエッチングするための方法の一実施形態が、図１２に示される工程フロー図の脈絡の中で説明される。工程フロー１２００は、ステップ１２０５でＭＥＭＳ基板を可搬式エッチングチャンバ内に挿入することにより始まる。好適な可搬式エッチングチャンバの例は、上記の可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバを含む。ＭＥＭＳ基板は、一連の先行の堆積、パターニング及びエッチングステップにより形成されてきた未リリースの或いは部分的に未リリースの光干渉変調器基板であることが可能である。光干渉変調器はリリース後に損傷に対しより敏感な傾向があり、従って、損傷の可能性を減らすためリリースは、しばしば製造工程の最後近くで実行される。ステップ１２０５での可搬式エッチングチャンバ内へＭＥＭＳ基板を挿入することは、好ましくは前の製造ステップ直後に実行される。それに代わる実施形態においては、ステップ１２０５での可搬式エッチングチャンバ内へＭＥＭＳ基板を挿入することは、ステップ１２１５での可搬式エッチングチャンバのエッチング剤源への取り付けの後に実行される。好ましくは、多数の未リリースの或いは部分的に未リリースのＭＥＭＳ基板は、ステップ１２０５で可搬式エッチングチャンバ内へ設置される。
工程フローは、（ＭＥＭＳ基板を収容している）エッチング剤源を具備するエッチングステーションに操作可能な程度に接近した場所へ可搬式エッチングチャンバを移動することにより、ステップ１２１０へ続く。移動距離は、必要に応じて、少なくとも約１０ｍ、少なくとも約１００ｍ、或いは少なくとも約１ｋｍであることが可能である。例えば、未リリースのＭＥＭＳ基板は、第１工場において加工されそしてステップ１２０５でロードされ、その次にステップ１２１０で第２工場へかなりの距離を搬送されることがあり得るし、或いは、同じ工場内で前工程ステーションからエッチングステーションへ搬送されることもあり得る。ＭＥＭＳ基板は、搬送の前、中或いは後に、必要に応じて、例えば、少なくとも約１時間、少なくとも約１日、等、の期間にわたり、可搬式エッチングチャンバ内に保管されることも可能である。好ましくは、可搬式エッチングチャンバは、保管中及び／又は移動中にＭＥＭＳ基板を汚染から保護するために実質的に密封される。可搬式エッチングチャンバは、必要に応じて、多数回搬送され種々の場所で保管されることが可能である。搬送の後、可搬式エッチングチャンバは、操作可能な程度にエッチングステーション（エッチング剤源を装備されている）に接近した場所にあり、例えば、その結果、エッチング剤と可搬式エッチングチャンバとの間の供給配管が安全に取り付けられることが出来る。
工程フローは、可搬式エッチングチャンバをエッチング剤源へ取り付けることによりステップ１２１５へ続く。このような取り付けは、好ましくは迅速接続バルブ或いは当業者には公知の他の適切なコネクタを用いてなされる。取り付けの後で、可搬式エッチングシステムとエッチング源は、上記に説明されそして図９と図１１において示したように、エッチングシステム１１００の構成要素であることが出来る。工程フローは、ＭＥＭＳ基板をエッチングするのに有効な期間にわたりＭＥＭＳ基板１１２３をエッチング剤に曝露することによりステップ１２２０へ続く。例えば、可搬式エッチングチャンバ１１１０内の圧力は、チャンバをエッチング剤源１１０５に取り付けた真空源１１４０に取り付けることにより減圧されることが可能で、こうしてエッチング剤を可搬式エッチングチャンバへ引き入れる。未リリースの光干渉変調器基板とＸｅＦ２エッチング剤の場合、犠牲層除去のための一般的な曝露時間は、しばしば約１から約３０分の範囲にあり、更に一般的には約１０から２０分の範囲にある。曝露時間は、光干渉変調器基板上の色変化、例えば、犠牲層が除去されそして光学的キャビティが形成された時にもたらされる色変化、を検出する検出器１１７５を使用することにより決定されることが出来る。
可搬式エッチングチャンバとエッチング剤源は、ＸｅＦ２エッチングシステムの構成要素であり、好ましくはシステムに操作可能に接続され、そしてエッチング工程の１或いは複数のステージを制御するようにプログラムされたコンピュータを具備する上記のようなＸｅＦ２エッチングシステムの、構成要素であることが可能である。例えば、図１２に示される工程フロー図の脈絡と図１１に示されるＸｅＦ２エッチングシステム１１００において、コンピュータ１１７０は、好ましくはＸｅＦ２の供給、真空そしてガスパージ配管をそれぞれ制御するバルブ１１６２、１１６５、１１９０に操作可能に接続される。このようにして、例えば、コンピュータ１１７０は、密封可能容器１１１０内の圧力を、例えば約２０ｍTorrから０．２Torrの範囲の圧力に、減圧するためにバルブ１１６５を開き、次にバルブ１１６５を閉じ或いは部分的に閉じ、そしてバルブ１１９０を開くように、プログラムされることが可能であり、このようにして、パージガス（例えば窒素）をパージガス源１１８２から密封可能容器１１１０へ引き込む。コンピュータ１１７０は、次にパージガス制御バルブ１１９０を閉じ、そしてパージガスを除去するため真空制御バルブ１１６５を開く。オプションであるパージは、望むならば繰り返されることも可能である。
コンピュータ１１７０は、その次にバルブ１１６５を閉じ或いは部分的に閉じそしてバルブ１１６２を開くようにプログラムされることが可能であり、このようにして、ＸｅＦ２蒸気をＸｅＦ２蒸気源１１０５から（減圧された内圧を有する）密封可能容器１１１０内へ引き込む。次に、ＸｅＦ２蒸気が、ステップ１２２０の間に光干渉変調器基板をエッチングするので、バルブ１１６２は、閉じられる或いは部分的に閉じられることが可能である。エッチングの期間に密封可能容器１１１０の圧力は、好ましくは約０．４から約４Torrの範囲にあり、温度は、好ましくは約２０℃から約６０℃の範囲にある。もし加熱することが望まれるならば、密封可能容器１１１０は、加熱素子（及び対応する電力接続、図示されていない）を装備することが可能であり、或いはＸｅＦ２エッチングシステム１１００は、可搬式エッチングチャンバを加熱するように構成された加熱素子（図示されていない）を装備することが可能である。コンピュータ１１７０は、光干渉変調器基板を所定の時間にわたりＸｅＦ２蒸気に曝露するようにプログラムされることが可能であり、或いは密封可能容器１１１０内の窓１１８５を通して光干渉変調器基板１１２３上の色変化を検出しモニタする検出器１１７５の出力をモニタするようにプログラムされることが可能であり、或いは光干渉変調器基板が十分にエッチングされたと（例えば、窓１１８５を通して色変化を目視観察することにより、或いは検出器１１７５の出力をモニタすることにより）作業者が決定するまで待つようにプログラムされることが可能である。その次に、コンピュータ１１７０は、バルブ１１６５を開けて密封可能容器１１１０からエッチング反応の副生成物（及び一切の残留ＸｅＦ２蒸気）を引き出すようにプログラムされることが可能である。オプションで、コンピュータ１１７０は、反応の副生成物（及び一切の残留ＸｅＦ２蒸気）を一掃するため上記の一般的な方法で不活性ガスを用いて密封可能容器１１１０をパージするようにプログラムされることが可能である。
図１２に示される工程フローは、ステップ１２２５において可搬式エッチングチャンバをエッチング剤源から取り外すことにより継続されることが可能であり、更にステップ１２３０において可搬式エッチングチャンバをエッチングステーションから分離してＭＥＭＳデバイスを作製するための全体工程における次のステップへ移動させることにより継続されることが可能である。図示されている実施形態において、リリースされたＭＥＭＳ基板は、ステップ１２３５で先の工程の準備のために可搬式エッチングチャンバからアンロードされる。それに代わる実施形態においては、リリースされたＭＥＭＳ基板は、ステップ１２２５で可搬式エッチングチャンバをエッチング剤源から切り離す前に、ステップ１２３５で可搬式エッチングチャンバからアンロードされる。リリースされたＭＥＭＳ基板は、保管される及び／又は種々の更に先の処理ステップに供せられることが可能である。例えば、エッチングとリリースの後で、ＭＥＭＳ基板は、新しく形成された光学的キャビティの汚染を防止するために（例えば、被覆層を堆積することにより）封じ込まれることが可能である。可搬式エッチングチャンバは、そのような付加的な処理ステップの前に、リリースされたＭＥＭＳ基板に対する保管容器及び／又はキャリアとして使用されることが可能である。
図１２に示される工程フローは、このようにして、未リリースのＭＥＭＳ基板をエッチングの前にそしてリリースされたＭＥＭＳ基板をエッチングの後に輸送するためそして保管するための安全で便利な方法を提供すること；ＭＥＭＳ基板の保管と移動をＸｅＦ２蒸気源から分離することにより製造工程の柔軟性と効率を向上させること；及び、必要に応じて、種々の数の可搬式エッチングチャンバをＸｅＦ２蒸気源へ取り付ける能力を提供することにより製造プロセスのスケール対応性を向上させること、により著しい利点を提供することが出来る。図示されている工程フローは、従来のキャリア或いはカセットの使用と比較して、エッチング前にＸｅＦ２チャンバでのロード及び／又はアンロードステップを省略することにより生産を大いに速めることも可能である。また、ロード及び／又はアンロードステップの省略は、特に加工とリリースとの間における、基板の汚染の可能性を減らすことを可能にする。例えば、（１枚又は複数枚のリリースされたＭＥＭＳ基板を収容している）可搬式エッチングチャンバは、製造設備からパッケージング場所又は設備（ここは一般的に加工区域又は設備より清浄度が劣る）へリリースされたＭＥＭＳ基板をパッケージングの直前まで環境に曝露することなく搬送させることが出来る。或いは、リリースは、（１枚又は複数枚のリリースされたＭＥＭＳ基板を収容している）可搬式エッチングチャンバをパッケージング区域又は設備に配置されたエッチングチャンバに接続することにより実行されることが可能であり、これによって、移動中により壊れやすいリリースされた基板への可能性のある損傷を減少させる。可搬式エッチングチャンバは、エッチング後にリリースされた（複数の）ＭＥＭＳ基板を保管及び／又は輸送するために安全で便利な方法もまた提供する。
当業者等は、上記のシステムが複数のエッチングチャンバを具備でき、そして、複数のチャンバが同時にシステムに取り付けられることが出来ること、を理解する。このようにして、生産は、システムの他の部分へ取り付けられるチャンバの数を変更することにより比較的容易に拡大或いは縮小させることが可能である。複数のチャンバは、しかも、直列に取り付けられることも可能であり、そして、任意の特定の時間にシステムに取り付けられていないチャンバは、ＭＥＭＳ基板を安全に保管する及び／又は輸送するために使用されることが可能である。
別の１つの実施形態は、少なくとも１枚のＭＥＭＳ基板を収容するように構成され、そして、少なくとも１枚のＭＥＭＳ基板をエッチングするのに有効である量の固体ＸｅＦ２を収容するように構成された、可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバを提供する。例えば、可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ７００の内部は、必要な量の固体ＸｅＦ２を収容するための大きさにされた隔室を含むことが出来る。隔室は、小さな隔室からチャンバの残りの部分へＸｅＦ２を流すように小さな複数の穴を含むことが出来る。或いは、固体ＸｅＦ２を収容し同じような寸法の複数の穴を有する小金属容器が、チャンバ内に置かれても良い。或いは、小金属容器は、チャンバ内に置かれて、チャンバ内部で有効な量のＸｅＦ２を放出するように作動させられるまでは、小金属容器内部で大部分の固体ＸｅＦ２を固相に保つように加圧されることが可能である。
別の１つの実施形態は、少なくとも１枚のＭＥＭＳ基板を収容するように構成され、そして、その少なくとも１枚のＭＥＭＳ基板をエッチングするのに有効である量の固体ＸｅＦ２を収容するように構成された、可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバを具備するＸｅＦ２エッチングシステムを提供する。ここで、そのシステムは、固体ＸｅＦ２を可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ内へ供給するように構成される。そのシステムは、好ましくは図９に示されているように、圧力計、真空ポンプ、電気配線等を、そして固体ＸｅＦ２供給器を具備し、そして更に好ましくは、システムに操作可能に接続されそして上記したものと同様な方法でエッチング工程の１或いは複数のステージを制御するようにプログラムされたコンピュータを具備する。好ましくは、システムは、更に光干渉変調器基板上の色変化を検出するように構成された検出器を具備する。ここで色変化は、ＸｅＦ２エッチングの程度を表している。コンピュータは、検出器に操作可能に接続されることが可能で、コンピュータが色変化をモニタすることにより１或いは複数のエッチングステップを制御することを可能にする。
上記の詳細な説明は、種々の実施形態に適用されたように本発明の新規な特徴を示し、説明し、そして、指摘してきているけれども、説明された装置又は工程の形態及び詳細における種々の省略、置き換え及び変更は、本発明の趣旨から逸脱することなく当業者により実行されることが可能であることが理解される。明確に理解されるように、本発明は、ある特徴が他の特徴から分離して用いられる或いは実行されることが出来るように、ここに開示した必ずしも全ての特徴や利点を与えることのない形で具体化されることが可能である。
図１は光干渉変調器ディスプレイの１つの実施形態の一部分を表す等角投影図であり、光干渉変調器ディスプレイにおいて第１光干渉変調器の可動反射層はリリースされた位置にあり、そして、第２光干渉変調器の可動反射層はアクチュエートされた位置にある。 図２は、３×３光干渉変調器を組み込んだ電子機器の１つの実施形態を説明するシステムブロック図である。 図３は、図１の光干渉変調器の１つの具体例としての実施形態に関する可動ミラー位置対印加電圧の図である。 図４は、光干渉変調器ディスプレイを駆動するために使用され得る行及び列電圧のセットの説明図である。 図５Ａは、図２の３×３光干渉変調器ディスプレイに１フレームのディスプレイデータを書き込むために使用され得る行及び列信号のための一つの具体例としてのタイミング図を表す。 図５Ｂは、図２の３×３光干渉変調器ディスプレイに１フレームのディスプレイデータを書き込むために使用され得る行及び列信号のための一つの具体例としてのタイミング図を表す。 図６Ａは、図１のデバイスの断面図である。 図６Ｂは、代替実施形態の光干渉変調器の断面図である。 図６Ｃは、別の１つの代替実施形態の、光干渉変調器の断面図である。 図７は、密封可能容器７００を図示する透視図である。 図８、は図７における密封可能容器の側面図である。 図９は、ＸｅＦ２エッチングシステム９００の様々な特徴を説明する概略図である。 図１０Ａは、容器の外からＭＥＭＳ基板の観察を容易にするよう構成された密封可能容器を模式的に表す。 図１０Ｂは、容器の外からＭＥＭＳ基板の観察を容易にするよう構成された密封可能容器を模式的に表す。 図１１は、ＸｅＦ２エッチングシステムの様々な特徴を模式的に表す。 図１２は、ＭＥＭＳ基板をエッチングするための方法における様々なステップを表す。
符号の説明
１２…光干渉変調器、１４…可動層、１６…固定層、１８…支柱、１９…キャビティ、 ２０…基板、２２…アレイ制御装置、３０…画素アレイ、３２…連結部、３４…変形可能層、７００…密封可能容器、７０５…光干渉変調器基板、７１０…ドア、７１５…開口部、７２０…柔軟材料、７２５…注入口、７２６，７３６…セルフシーリングバルブ、７２７，７３７…手動分離バルブ、７３０…支柱、７３５…排気口、７４０…溝、７４０’…把手、７４５…窓、９００…ＸｅＦ２エッチングシステム、９１０…ＸｅＦ２蒸気源、１００５…光ファイバ、１０１０…壁、１０１５…エッチングチャンバ、１０２０…窓、１０２５…検出器、１０３０…ＭＥＭＳ基板、１１００…ＸｅＦ２エッチングシステム、１１０５…ＸｅＦ２蒸気源、１１１０…密封可能容器、１１１５…ＸｅＦ２注入口、１１２０…ホールダ、１１２３…光干渉変調器基板、１１２５…ＸｅＦ２供給配管、１１３０…第１迅速接続バルブ、１１３５…第２迅速接続バルブ、１１４０…真空ポンプ、１１４５…排気管、１１５０…第３迅速接続バルブ、１１５５…排気口、１１６０…第４迅速接続バルブ、１１６２，１１６５…制御バルブ、１１７０…システム制御コンピュータ、１１７５…検出器、１１８０…パージ配管、１１８２…パージガス源、１１８４…第５迅速接続バルブ、１１８５…窓、１１８６…パージガス注入口、１１８８…第６迅速接続バルブ、１２００…工程フロー図。

Claims (57)

  1. ＸｅＦ２エッチングシステムであって：
    ＸｅＦ２蒸気源、真空源、及びパージガス源から選択される少なくとも１つの供給源を具備するエッチングステーション；
    下記を具備する密封可能容器；
    少なくとも１つの供給源に取り付けるように構成された注入口；及び
    密封可能容器の移動中に密封可能容器内部に少なくとも１枚のＭＥＭＳ基板を支持するように構成されたホールダ；
    を具備し、
    該密封可能容器は、少なくとも１つの供給源から取り外すように構成され、そして少なくとも１つの供給源に対して移動を容易にするように構成される。
  2. 少なくとも１つの供給源は、真空源である、請求項１のＸｅＦ２エッチングシステム。
  3. 少なくとも１つの供給源は、ＸｅＦ２蒸気源である、請求項１のＸｅＦ２エッチングシステム。
  4. 少なくとも１つの供給源は、パージガス源である、請求項１のＸｅＦ２エッチングシステム。
  5. ホールダは、光干渉変調器基板を支持するように構成された、請求項１のＸｅＦ２エッチングシステム。
  6. 光干渉変調器基板上の色変化を検出するように構成された検出器、を更に具備し、該色変化は、ＸｅＦ２基板のエッチングの程度を表している、請求項５のＸｅＦ２エッチングシステム。
  7. 検出器は、光ファイバ束を具備する、請求項６のＸｅＦ２エッチングシステム。
  8. エッチングシステムは、光干渉変調器基板を照明しそれにより反射光を生成するように構成された光源を具備し、該検出器は、該反射光を検出するように構成される、請求項６のＸｅＦ２エッチングシステム。
  9. ＸｅＦ２エッチングシステムに操作可能に接続され、そして、ＸｅＦ２エッチングプロセスの１或いは複数のステージを制御するようにプログラムされたコンピュータ、を更に具備する、請求項１のＸｅＦ２エッチングシステム。
  10. コンピュータは、検出器から入力を受信するようにプログラムされる、請求項９のＸｅＦ２エッチングシステム。
  11. 検出器は、光干渉変調器基板上の色変化を検出するように構成される、請求項１０のＸｅＦ２エッチングシステム。
  12. 可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバであって：
    真空源に取り付けるように構成された注入口を具備する密封可能容器；及び
    密封可能容器の移動中に密封可能容器の内部に少なくとも１枚のＭＥＭＳ基板を支持するように構成されたホールダ；
    を具備し、
    該密封可能容器、真空源に対して移動を容易に行なえるように構成される。
  13. ホールダは、光干渉変調器基板を支持するように構成される、請求項１２の可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ。
  14. 密封可能容器は、密封可能容器の外部から光干渉変調器基板の観察を容易に行なえるように構成された窓を更に具備する、請求項１３の可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ。
  15. 窓は、光干渉変調器基板上の色変化の検出を容易にするように構成される、ここで、該色変化は、ＸｅＦ２基板のエッチングの程度を表している、請求項１４の可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ。
  16. 密封可能容器に取り付けられ、そして可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバを持ち上げることを容易にするように構成された把手、を更に具備する、請求項１３の可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ。
  17. 可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバの移動を容易にするように構成された複数の車輪、を更に具備する、請求項１３の可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ。
  18. 光干渉変調器基板をチャンバ内へ設置することを容易にするように構成されたドア、を更に具備する、請求項１３の可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ。
  19. ＸｅＦ２蒸気を収容するための密封可能な手段、及びＸｅＦ２蒸気によるＭＥＭＳ基板のエッチングを容易にするために少なくとも１枚のＭＥＭＳ基板を保持するための手段、を具備する、可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ。
  20. 保持する手段は、ＭＥＭＳ基板の対向面に設置された少なくとも２つの支持台を具備する、請求項１９の可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ。
  21. 密封可能な収容する手段は、容器を具備し、該容器は、ドア及び該ドアと接触する少なくとも１つの密封材を具備し、該密封材とドアは、ＸｅＦ２蒸気が容器から漏洩することを実質的に防止するように構成されている、請求項１９の可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ。
  22. 保持する手段は、容器の壁上に少なくとも１つの溝を具備する、請求項２１の可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ。
  23. 密封可能な手段をＸｅＦ２蒸気源に取り付けるための手段、を更に具備する、請求項１９の可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ。
  24. 取り付ける手段は、迅速接続バルブを具備する、請求項２３の可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ。
  25. 可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバを移動させるための手段、を更に具備する、請求項１９の可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ。
  26. 移動する手段は、車輪、実質的に低摩擦の滑動表面及び把手から選択される少なくとも１つを具備する、請求項２５の可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ。
  27. 車輪は、ローラである、請求項２６の可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ。
  28. 車輪は、キャスタである、請求項２６の可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ。
  29. ＭＥＭＳ基板をエッチングする方法であって：
    可搬式エッチングチャンバをエッチング剤源に操作できる程度に近接した位置へ移動すること；
    可搬式エッチングチャンバをエッチング剤源に取り付けること；
    リリースされたＭＥＭＳ基板を形成するためにＭＥＭＳ基板をエッチングするのに有効な期間にわたり可搬式チャンバ内に支持されたＭＥＭＳ基板をエッチング剤に曝露すること；
    可搬式チャンバをエッチング剤源から取り外すこと；
    可搬式チャンバをエッチング剤源から引き離すこと；及び
    リリースされたＭＥＭＳ基板を可搬式エッチングチャンバからアンロードすること、
    を具備する。
  30. 可搬式エッチングチャンバをエッチング剤源に取り付ける前に、ＭＥＭＳ基板を可搬式エッチングチャンバ内に挿入すること、を更に具備する、請求項２９の方法。
  31. 可搬式エッチングチャンバは、エッチング剤源に取り付けるように構成された注入口及び密封可能容器内部にＭＥＭＳ基板を支持するように構成されたホールダを備えた、密封可能容器を具備する、請求項２９の方法。
  32. エッチング剤は、ＸｅＦ２蒸気を具備する、請求項２９の方法。
  33. ＭＥＭＳ基板は、部分的に加工された光干渉変調器である、請求項３２の方法。
  34. 可搬式エッチングチャンバは、車輪を具備する、請求項２９の方法。
  35. 可搬式エッチングチャンバを移動するステップは、表面に沿って車輪を回転させることを具備する、請求項３４の方法。
  36. 可搬式エッチングチャンバを移動するステップは、可搬式エッチングチャンバを持ち上げることを具備する、請求項２９の方法。
  37. 可搬式エッチングチャンバは、約２０ｋｇ以下の重量である、請求項２９の方法。
  38. 可搬式エッチングチャンバは、約１００ｋｇ以下の重量である、請求項２９の方法。
  39. ＭＥＭＳ基板を可搬式エッチングチャンバに挿入するステップの後で、可搬式エッチングチャンバをエッチング剤源へ取り付けるステップの前に、ＭＥＭＳ基板は、可搬式エッチングチャンバ内に少なくとも約１時間にわたり保管される、請求項３０の方法。
  40. ＭＥＭＳ基板を可搬式エッチングチャンバに挿入するステップの後で、可搬式エッチングチャンバをエッチング剤源へ取り付けるステップの前に、ＭＥＭＳ基板は、可搬式エッチングチャンバ内に少なくとも約１日にわたり保管される、請求項３０の方法。
  41. 可搬式エッチングチャンバを真空ポンプへ取り付けること、を更に具備する、請求項２９の方法。
  42. 可搬式エッチングチャンバを移動するステップは、可搬式エッチングチャンバを少なくとも約１０ｍの距離を輸送することを具備する、請求項２９の方法。
  43. 距離は、少なくとも約１００ｍである、請求項４２の方法。
  44. 距離は、少なくとも約１ｋｍである、請求項４２の方法。
  45. ＭＥＭＳ基板は、ＭＥＭＳ基板を完全にリリースするのに有効な期間にわたりエッチング剤に曝露される、請求項２９の方法。
  46. 可搬式エッチングチャンバをエッチング剤源から引き離す前に、リリースされたＭＥＭＳ基板を可搬式エッチングチャンバからアンローディングすること、を具備する、請求項２９の方法。
  47. 可搬式エッチングチャンバをエッチング剤源から取り外した後で、リリースされたＭＥＭＳ基板を可搬式エッチングチャンバからアンローディングすること、を具備する、請求項２９の方法。
  48. 可搬式エッチングチャンバをエッチング剤源から引き離した後で、リリースされたＭＥＭＳ基板を可搬式エッチングチャンバからアンローディングすること、を具備する、請求項２９の方法。
  49. 可搬式エッチングチャンバをエッチング剤源に取り付けた後で、ＭＥＭＳ基板を可搬式エッチングチャンバ内に挿入すること、を更に具備する、請求項２９の方法。
  50. ＭＥＭＳ基板をエッチングする方法であって：
    ＭＥＭＳ基板を可搬式エッチングチャンバ内に挿入すること；
    その中に収容されたＭＥＭＳ基板を有する可搬式エッチングチャンバをエッチングステーションに操作可能な程度に接近した場所へ移動すること；
    可搬式エッチングチャンバをエッチングステーションへ接続すること；及び
    可搬式エッチングチャンバがエッチングステーションへ取り付けられている間に、可搬式エッチングチャンバ内部のＭＥＭＳ基板をエッチングすること、
    を具備する。
  51. 可搬式エッチングチャンバをエッチングステーションに接続する前に、可搬式エッチングチャンバを移動すること、を具備する、請求項５０の方法。
  52. 可搬式エッチングチャンバをエッチングステーションから引き離すこと、を具備する、請求項５０の方法。
  53. 可搬式エッチングチャンバをエッチングステーションに接続する前に、ＭＥＭＳ基板を可搬式エッチングチャンバ内に挿入すること、を具備する、請求項５０の方法。
  54. 可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバであって：
    少なくとも１つの供給源に取り付けられるように構成された注入口を具備する密封可能容器、該少なくとも１つの供給源は、ＸｅＦ２蒸気源、真空源、及びパージガス源から選択される；及び
    容器の移動中に密封可能容器内部に少なくとも１枚のＭＥＭＳ基板を支持するように構成されたホールダ、
    を具備し、
    該密封可能容器は、該少なくとも１つの供給源に関連して移動を容易にするように構成される。
  55. 少なくとも１つの供給源は、真空源、及びパージガス源から選択される、請求項５４の可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ。
  56. 密封可能容器は、少なくとも１枚のＭＥＭＳ基板をエッチングするのに有効である量の固体ＸｅＦ２を収容するように構成される、請求項５５の可搬式ＸｅＦ２エッチングチャンバ。
  57. 請求項２９又は５０の方法により形成されたエッチングされたＭＥＭＳ基板。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120244715A1 (en) * 2009-12-02 2012-09-27 Xactix, Inc. High-selectivity etching system and method
US10029908B1 (en) * 2016-12-30 2018-07-24 Texas Instruments Incorporated Dielectric cladding of microelectromechanical systems (MEMS) elements for improved reliability

Family Cites Families (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US534846A (en) * 1895-02-26 Frederick j
US4377324A (en) * 1980-08-04 1983-03-22 Honeywell Inc. Graded index Fabry-Perot optical filter device
US4571603A (en) * 1981-11-03 1986-02-18 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror electrostatic printer
US4500171A (en) * 1982-06-02 1985-02-19 Texas Instruments Incorporated Process for plastic LCD fill hole sealing
US4566935A (en) * 1984-07-31 1986-01-28 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5096279A (en) * 1984-08-31 1992-03-17 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4900136A (en) * 1987-08-11 1990-02-13 North American Philips Corporation Method of metallizing silica-containing gel and solid state light modulator incorporating the metallized gel
DE3735449A1 (de) * 1987-10-20 1989-05-03 Convac Gmbh Fertigungssystem fuer halbleitersubstrate
JP2700903B2 (ja) * 1988-09-30 1998-01-21 シャープ株式会社 液晶表示装置
US4982184A (en) * 1989-01-03 1991-01-01 General Electric Company Electrocrystallochromic display and element
US5079544A (en) * 1989-02-27 1992-01-07 Texas Instruments Incorporated Standard independent digitized video system
US5192946A (en) * 1989-02-27 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Digitized color video display system
US5287096A (en) * 1989-02-27 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Variable luminosity display system
US4900395A (en) * 1989-04-07 1990-02-13 Fsi International, Inc. HF gas etching of wafers in an acid processor
US5381253A (en) * 1991-11-14 1995-01-10 Board Of Regents Of University Of Colorado Chiral smectic liquid crystal optical modulators having variable retardation
US5002631A (en) * 1990-03-09 1991-03-26 At&T Bell Laboratories Plasma etching apparatus and method
CH682523A5 (fr) * 1990-04-20 1993-09-30 Suisse Electronique Microtech Dispositif de modulation de lumière à adressage matriciel.
DE69113150T2 (de) * 1990-06-29 1996-04-04 Texas Instruments Inc Deformierbare Spiegelvorrichtung mit aktualisiertem Raster.
US5083857A (en) * 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
US5099353A (en) * 1990-06-29 1992-03-24 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5192395A (en) * 1990-10-12 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Method of making a digital flexure beam accelerometer
US5602671A (en) * 1990-11-13 1997-02-11 Texas Instruments Incorporated Low surface energy passivation layer for micromechanical devices
CA2063744C (en) * 1991-04-01 2002-10-08 Paul M. Urbanus Digital micromirror device architecture and timing for use in a pulse-width modulated display system
FR2679057B1 (fr) * 1991-07-11 1995-10-20 Morin Francois Structure d'ecran a cristal liquide, a matrice active et a haute definition.
US5179274A (en) * 1991-07-12 1993-01-12 Texas Instruments Incorporated Method for controlling operation of optical systems and devices
US5296950A (en) * 1992-01-31 1994-03-22 Texas Instruments Incorporated Optical signal free-space conversion board
US5312513A (en) * 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
US5401983A (en) * 1992-04-08 1995-03-28 Georgia Tech Research Corporation Processes for lift-off of thin film materials or devices for fabricating three dimensional integrated circuits, optical detectors, and micromechanical devices
TW245772B (ja) * 1992-05-19 1995-04-21 Akzo Nv
JPH0651250A (ja) * 1992-05-20 1994-02-25 Texas Instr Inc <Ti> モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ
US5818095A (en) * 1992-08-11 1998-10-06 Texas Instruments Incorporated High-yield spatial light modulator with light blocking layer
US5293272A (en) * 1992-08-24 1994-03-08 Physical Optics Corporation High finesse holographic fabry-perot etalon and method of fabricating
US6674562B1 (en) * 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US5489952A (en) * 1993-07-14 1996-02-06 Texas Instruments Incorporated Method and device for multi-format television
US5497197A (en) * 1993-11-04 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated System and method for packaging data into video processor
US5500761A (en) * 1994-01-27 1996-03-19 At&T Corp. Micromechanical modulator
JPH07253594A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Fujitsu Ltd 表示装置
US6710908B2 (en) * 1994-05-05 2004-03-23 Iridigm Display Corporation Controlling micro-electro-mechanical cavities
US6680792B2 (en) * 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7550794B2 (en) * 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US7460291B2 (en) * 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US6040937A (en) * 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
US5497172A (en) * 1994-06-13 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated Pulse width modulation for spatial light modulator with split reset addressing
US5499062A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Texas Instruments Incorporated Multiplexed memory timing with block reset and secondary memory
US5610624A (en) * 1994-11-30 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator with reduced possibility of an on state defect
US5726480A (en) * 1995-01-27 1998-03-10 The Regents Of The University Of California Etchants for use in micromachining of CMOS Microaccelerometers and microelectromechanical devices and method of making the same
US5610438A (en) * 1995-03-08 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Micro-mechanical device with non-evaporable getter
US6969635B2 (en) * 2000-12-07 2005-11-29 Reflectivity, Inc. Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates
US5710656A (en) * 1996-07-30 1998-01-20 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane
US5884083A (en) * 1996-09-20 1999-03-16 Royce; Robert Computer system to compile non-incremental computer source code to execute within an incremental type computer system
EP0877272B1 (en) * 1997-05-08 2002-07-31 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to spatial light modulators
US5867302A (en) * 1997-08-07 1999-02-02 Sandia Corporation Bistable microelectromechanical actuator
EP1025711A1 (en) * 1997-10-31 2000-08-09 Daewoo Electronics Co., Ltd Method for manufacturing thin film actuated mirror array in an optical projection system
US6028690A (en) * 1997-11-26 2000-02-22 Texas Instruments Incorporated Reduced micromirror mirror gaps for improved contrast ratio
US6180428B1 (en) * 1997-12-12 2001-01-30 Xerox Corporation Monolithic scanning light emitting devices using micromachining
US6016693A (en) * 1998-02-09 2000-01-25 The Regents Of The University Of California Microfabrication of cantilevers using sacrificial templates
US6195196B1 (en) * 1998-03-13 2001-02-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof
JP4074714B2 (ja) * 1998-09-25 2008-04-09 富士フイルム株式会社 アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法
US6391675B1 (en) * 1998-11-25 2002-05-21 Raytheon Company Method and apparatus for switching high frequency signals
US6194323B1 (en) * 1998-12-16 2001-02-27 Lucent Technologies Inc. Deep sub-micron metal etch with in-situ hard mask etch
US6335831B2 (en) * 1998-12-18 2002-01-01 Eastman Kodak Company Multilevel mechanical grating device
US6537427B1 (en) * 1999-02-04 2003-03-25 Micron Technology, Inc. Deposition of smooth aluminum films
JP3592136B2 (ja) * 1999-06-04 2004-11-24 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドおよびその製造方法と微小電気機械装置の製造方法
US6201633B1 (en) * 1999-06-07 2001-03-13 Xerox Corporation Micro-electromechanical based bistable color display sheets
WO2003007049A1 (en) * 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6351329B1 (en) * 1999-10-08 2002-02-26 Lucent Technologies Inc. Optical attenuator
US6960305B2 (en) * 1999-10-26 2005-11-01 Reflectivity, Inc Methods for forming and releasing microelectromechanical structures
US6993007B2 (en) * 1999-10-27 2006-01-31 Broadcom Corporation System and method for suppressing silence in voice traffic over an asynchronous communication medium
US6531945B1 (en) * 2000-03-10 2003-03-11 Micron Technology, Inc. Integrated circuit inductor with a magnetic core
CA2352729A1 (en) * 2000-07-13 2002-01-13 Creoscitex Corporation Ltd. Blazed micro-mechanical light modulator and array thereof
US6853129B1 (en) * 2000-07-28 2005-02-08 Candescent Technologies Corporation Protected substrate structure for a field emission display device
US6522801B1 (en) * 2000-10-10 2003-02-18 Agere Systems Inc. Micro-electro-optical mechanical device having an implanted dopant included therein and a method of manufacture therefor
US6859218B1 (en) * 2000-11-07 2005-02-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electronic display devices and methods
US7005314B2 (en) * 2001-06-27 2006-02-28 Intel Corporation Sacrificial layer technique to make gaps in MEMS applications
JP4032216B2 (ja) * 2001-07-12 2008-01-16 ソニー株式会社 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置
US6930364B2 (en) * 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
US7029829B2 (en) * 2002-04-18 2006-04-18 The Regents Of The University Of Michigan Low temperature method for forming a microcavity on a substrate and article having same
US6741377B2 (en) * 2002-07-02 2004-05-25 Iridigm Display Corporation Device having a light-absorbing mask and a method for fabricating same
US7071289B2 (en) * 2002-07-11 2006-07-04 The University Of Connecticut Polymers comprising thieno [3,4-b]thiophene and methods of making and using the same
US20040058531A1 (en) * 2002-08-08 2004-03-25 United Microelectronics Corp. Method for preventing metal extrusion in a semiconductor structure.
US6674033B1 (en) * 2002-08-21 2004-01-06 Ming-Shan Wang Press button type safety switch
TW544787B (en) * 2002-09-18 2003-08-01 Promos Technologies Inc Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer
TW557395B (en) * 2003-01-29 2003-10-11 Yen Sun Technology Corp Optical interference type reflection panel and the manufacturing method thereof
TW567355B (en) * 2003-04-21 2003-12-21 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
US6829132B2 (en) * 2003-04-30 2004-12-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Charge control of micro-electromechanical device
US7190380B2 (en) * 2003-09-26 2007-03-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Generating and displaying spatially offset sub-frames
US7173314B2 (en) * 2003-08-13 2007-02-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Storage device having a probe and a storage cell with moveable parts
TWI305599B (en) * 2003-08-15 2009-01-21 Qualcomm Mems Technologies Inc Interference display panel and method thereof
TW593127B (en) * 2003-08-18 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
TWI231865B (en) * 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
US20050057442A1 (en) * 2003-08-28 2005-03-17 Olan Way Adjacent display of sequential sub-images
TWI232333B (en) * 2003-09-03 2005-05-11 Prime View Int Co Ltd Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
US6982820B2 (en) * 2003-09-26 2006-01-03 Prime View International Co., Ltd. Color changeable pixel
US20050068583A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Gutkowski Lawrence J. Organizing a digital image

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