JP2006093673A - 電子注入性組成物および電子注入性組成物を用いた発光素子、並びに発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】
本発明は、高い透光性を有し、安全性に優れ、電子注入性に優れた電子注入性組成物、および電子注入性組成物を用いた発光素子、発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明の電子注入性組成物は、一般式（１）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と、電子供与性を有する有機化合物とを含むことを特徴とする。
【化１】
（式中、Ａｒはアリール基を示し、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、シアノ基、アルキル基（ただし、炭素数１〜１０）、ハロアルキル基（ただし、炭素数１〜１０）、アルコキシル基（ただし、炭素数１〜１０）、置換または無置換のアリール基、置換または無置換の複素環残基を示す。）
【選択図】 図１
本発明は、高い透光性を有し、安全性に優れ、電子注入性に優れた電子注入性組成物、および電子注入性組成物を用いた発光素子、発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明の電子注入性組成物は、一般式（１）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と、電子供与性を有する有機化合物とを含むことを特徴とする。
【化１】
（式中、Ａｒはアリール基を示し、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、シアノ基、アルキル基（ただし、炭素数１〜１０）、ハロアルキル基（ただし、炭素数１〜１０）、アルコキシル基（ただし、炭素数１〜１０）、置換または無置換のアリール基、置換または無置換の複素環残基を示す。）
【選択図】 図１
Description
本発明は、一対の電極と、電界を加えることで発光が得られる有機化合物を含む層と、を有する発光素子に関する。より詳しくは、電子注入性組成物、電子注入性組成物を用いて形成された発光素子、および、発光素子を有する発光装置に関する。
発光材料を用いた発光素子は、薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有しており、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。また、発光素子をマトリクス状に配置した発光装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると言われている。
発光素子の発光機構は、一対の電極間に発光層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入されたホールが発光層の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
このような発光素子に関しては、その素子特性を向上させるために、素子構造の改良や材料開発等が行われている。
一般的な発光素子の構造を図８に示す。図８において、陽極１００１と陰極１００３との間に発光物質を含む層１００２が形成されている。発光物質を含む層１００２で発光した光を陽極側から取り出す場合には陽極を透光性の材料で形成し、光を陰極側から取り出す場合には、陰極を透光性の材料で形成する。また、光を両面から取り出す場合には、陽極と陰極とを透光性の材料で形成する必要がある。
一方、透光性の導電膜として用いられるインジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す）等は仕事関数の高い材料が多く、陰極として用いる場合には、陰極から発光物質を含む層への電子注入障壁が大きく、駆動電圧が上昇してしまうという問題が生じていた。
この問題を解決するため、発光物質を含む層と陰極との間にバッファ層（電子注入金属層、電子注入層ということもある）を設けることが提案されている。例えば、バッファ層として、仕事関数が小さい金属又はその金属の合金の超薄膜を用いる構成が特許文献１に記載されている。
特許文献１では、具体的にマグネシウム−銀合金の例が示されている。しかし、マグネシウム−銀合金は本質的に可視光を吸収する材料であり、超薄膜化することにより透光性を保っているため、透光性は高くなく、発光物質を含む層で発光した光の取り出し効率も低くなってしまっていた。
また、他にも、バッファ層（電子注入層）として、銅フタロシアニン（以下、Ｃｕ−Ｐｃと示す）や、バソキュプロイン（２，９−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ：以下、ＢＣＰと示す）等にアルカリ金属をドープして用いることが提案されている（非特許文献１および非特許文献２参照）。
しかし、Ｃｕ−Ｐｃは可視光を吸収する物質であるため、光の取り出し効率が低くなってしまうという問題点があった。また、ＢＣＰはガラス転移温度が低く、結晶化しやすい等の問題があった。
また、アルカリ金属は反応性に富んでおり、蒸着室の防着板などに薄膜状に付着したものがベント時に、もしくは大気と接することで窒素と反応し不安定な窒化物を生成する。例えば金属リチウムを蒸着した場合にベント後に窒化リチウムが生成されるが、窒化リチウムは大気中の水分と酸素に反応し発火する恐れがあり、大規模な生産においてリチウムのようなアルカリ金属を使用することは火災などの事故発生の危険をはらんでいる。
特開平８−１８５９８４号
Ｊｕｎｊｉ Ｋｉｄｏ，Ｔｏｓｈｉｏ Ｍａｔｓｕｍｏｔｏ，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．７３，Ｎｏ．２０（１６ Ｎｏｖｅｍｂｅｒ １９９８），２８６６−２８６８
Ｇ．Ｐａｒｔｈａｓａｒａｔｈｙ，Ｃ．Ａｄａｃｈｉ，Ｐ．Ｅ．Ｂｕｒｒｏｗｓ，Ｓ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔ，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．７６，Ｎｏ．１５（１０ Ａｐｒｉｌ ２０００），２１２８−２１３０
上記問題を鑑み、本発明は、高い透光性を有し、安全性に優れ、電子注入性に優れた電子注入性組成物、および電子注入性組成物を用いた発光素子、発光装置を提供することを目的とする。
本発明は、一般式（１）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と、電子供与性を有する有機化合物とを含む電子注入組成物を用い、発光素子および発光装置を構成する。
上記一般式（１）で示されるベンゾオキサゾール誘導体の具体例としては、構造式（２）に示す４，４’−Ｂｉｓ（５−ｍｅｔｈｙｌ ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｓｔｉｌｂｅｎｅ、構造式（３）に示す２−（４−Ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）−６−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ、構造式（４）に示す２，５−Ｂｉｓ（５’−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−２’−ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｙｌ）ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ等が挙げられる。
上記構成において、電子供与性を有する有機化合物としては、一般式（５）で示されるテトラチアフルバレン誘導体が挙げられる。
上記一般式（５）で示されるテトラチアフルバレン誘導体の具体例としては、構造式（６）に示す（２，２’−ｂｉ（１，３−ｄｉｔｈｉｏｌ−２−ｙｌｉｄｅｎｅ：以下ＴＴＦと示す）、構造式（７）に示すＢｉｓ（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｔｈｉｏ）ｔｅｔｒａｔｈｉａｆｌｕｖａｌｅｎｅ、構造式（８）に示すＢｉｓ（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｏ）ｔｅｔｒａｔｈｉａｆｌｕｖａｌｅｎｅ等が挙げられる。
上記構成において、ベンゾオキサゾール誘導体と電子供与性を有する有機化合物とは１：０．５〜１０（＝ベンゾオキサゾール誘導体：電子供与性を有する有機化合物）のモル比で含まれていることが好ましい。
また、本発明の発光素子は、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に発光物質を含む層とを有し、発光物質を含む層のうち陰極と接する層に、一般式（１）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と電子供与性を有する有機化合物とを含む層を設けることを特徴とする。
また、本発明の発光装置は、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に発光物質を含む層とを有し、発光物質を含む層のうち陰極と接する層に、一般式（１）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と電子供与性を有する有機化合物とを含む層が設けられた発光素子を有することを特徴とする。
本発明の電子注入組成物は透光性に優れているため、本発明の電子注入性組成物を用いて発光素子を形成した場合、発光物質から発光した光を効率よく外部へ出射することができる。
また、本発明の電子注入性組成物は、有機化合物のみで構成されており、本発明の電子注入性組成物を用いることにより、安全に発光素子および発光装置を作製することが可能となる。
また、本発明の電子注入性組成物は優れた電子注入性を有している。そのため、本発明の電子注入性組成物を用いて発光素子を構成することにより、低駆動電圧の発光素子を作製することができる。また、消費電力の小さい発光装置を作製することができる。
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の電子注入性組成物について説明する。
本実施の形態では、本発明の電子注入性組成物について説明する。
本発明の電子注入性組成物は、一般式（１）に示されるベンゾオキサゾール誘導体と、電子供与性を有する有機化合物とを含むことを特徴とする。
本発明の電子注入性組成物において、ベンゾオキサゾール誘導体は、電子受容体として機能し、電子供与性を有する有機化合物は電子供与体として機能する。そのため、本発明の電子注入性組成物は、高い電子注入性を有している。
なお、上記構成において、ベンゾオキサゾール誘導体と電子供与性を有する有機化合物とは１：０．５〜１０（＝ベンゾオキサゾール誘導体：電子供与性を有する有機化合物）のモル比で含まれていることが好ましい。
また、ベンゾオキサゾール誘導体は透光性に優れているため、本発明の電子注入性組成物も高い透光性を有している。
また、本発明の電子注入性組成物は、有機化合物のみで構成されており、アルカリ金属等の危険性の高い物質を使用していない。よって、本発明の電子注入性組成物は安全性に優れている。
また、本発明の電子注入性組成物は結晶化しにくい性質を有しているため、本発明の電子注入性組成物を用いて発光素子を形成した場合、素子寿命の長い発光素子を形成することが可能である。
また、上記一般式（１）で示されるベンゾオキサゾール誘導体の具体例としては、構造式（２）に示す４，４’−Ｂｉｓ（５−ｍｅｔｈｙｌ ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｓｔｉｌｂｅｎｅ、構造式（３）に示す２−（４−Ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）−６−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ、構造式（４）に示す２，５−Ｂｉｓ（５’−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−２’−ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｙｌ）ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ等が挙げられる。
なお、本発明の電子注入性組成物に用いるベンゾオキサゾール誘導体としては、上記構造式（２）〜（４）に示した物質に限られることはない。
本発明の電子注入性組成物に用いることができる電子供与性を有する有機化合物としては、一般式（５）で示されるテトラチアフルバレン誘導体が挙げられる。
また、上記一般式（５）で示されるテトラチアフルバレン誘導体の具体例としては、構造式（６）に示す（２，２’−ｂｉ（１，３−ｄｉｔｈｉｏｌ−２−ｙｌｉｄｅｎｅ：以下ＴＴＦと示す）、構造式（７）に示すＢｉｓ（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｔｈｉｏ）ｔｅｔｒａｔｈｉａｆｌｕｖａｌｅｎｅ、構造式（８）に示すＢｉｓ（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｏ）ｔｅｔｒａｔｈｉａｆｌｕｖａｌｅｎｅ等が挙げられる。
（実施の形態２）
図１に、本発明における発光素子の素子構成を模式的に示す。本発明の発光素子は、陽極１０１と陰極１０３との間に発光物質を含む層１０２を有する構成となっている。発光物質を含む層１０２のうち、陰極１０３と接する層１０４に、本発明の電子注入性組成物を含む層を設ける。具体的には一般式（１）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と、電子供与性を有する有機化合物とを含む電子注入性組成物を含む層を設ける。
図１に、本発明における発光素子の素子構成を模式的に示す。本発明の発光素子は、陽極１０１と陰極１０３との間に発光物質を含む層１０２を有する構成となっている。発光物質を含む層１０２のうち、陰極１０３と接する層１０４に、本発明の電子注入性組成物を含む層を設ける。具体的には一般式（１）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と、電子供与性を有する有機化合物とを含む電子注入性組成物を含む層を設ける。
陽極１０１としては、公知の材料を用いることができ、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す）、または珪素を含有したインジウム錫酸化物、２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含む酸化インジウム等の他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン：ＴｉＮ）等が挙げられる。
一方、陰極１０３としては、公知の材料を用いることができ、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、元素周期律の１族または２族に属する金属、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。ただし、本発明の電子注入組成物は高い電子注入性を有しているため、仕事関数の高い材料、すなわち、通常は陽極に用いられている材料で陰極を形成することもできる。例えば、本発明の電子注入組成物を用いることで、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ等の金属・導電性無機化合物により陰極１０３を形成することもできる。
発光物質を含む層１０２には、公知の材料を用いることができ、低分子系材料および高分子系材料のいずれを用いることもできる。なお、発光物質を含む層１０２を形成する材料の構成には、有機化合物材料のみから成る構成だけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。また、発光物質を含む層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層（ホールブロッキング層）、発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成されるが、単層で構成してもよいし、複数の層を積層させた構成としてもよい。以下に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層に用いる具体的な材料を示す。
正孔注入層を形成する正孔注入性材料としては、有機化合物であればポルフィリン系の化合物が有効であり、フタロシアニン（以下、Ｈ２−Ｐｃと示す）、銅フタロシアニン（以下、Ｃｕ−Ｐｃと示す）等を用いることができる。また、導電性高分子化合物に化学ドーピングを施した材料もあり、ポリスチレンスルホン酸（以下、ＰＳＳと示す）をドープしたポリエチレンジオキシチオフェン（以下、ＰＥＤＯＴと示す）などを用いることもできる。また、ベンゾオキサゾール誘導体と、ＴＣＱｎ、ＦｅＣｌ３、Ｃ６０またはＦ４ＴＣＮＱのいずれか一または複数の材料とを含むようにしても良い。
また、正孔輸送層を形成する正孔輸送性材料としては、芳香族アミン系（すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの）の化合物が好適である。広く用いられている材料として、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（以下、ＴＰＤと示す）の他、その誘導体である４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（以下、α−ＮＰＤと示す）や、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）−トリフェニルアミン（以下、ＴＣＴＡと示す）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（以下、ＴＤＡＴＡと示す）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（以下、ＭＴＤＡＴＡと示す）などのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。
また、発光層を形成する発光性材料としては、具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（以下、Ａｌｑ３と示す）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（以下、Ａｌｍｑ３と示す）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（以下、ＢｅＢｑ２と示す）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−（４−ヒドロキシ−ビフェニリル）−アルミニウム（以下、ＢＡｌｑと示す）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（以下、Ｚｎ（ＢＯＸ）２と示す）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（以下、Ｚｎ（ＢＴＺ）２と示す）などの金属錯体の他、各種蛍光色素が有効である。
なお、ゲスト材料と組み合わせて発光層を形成する場合には、キナクリドン、ジエチルキナクリドン（以下、ＤＥＱＤと示す）、ジメチルキナクリドン（以下、ＤＭＱＤと示す）、ルブレン、ペリレン、クマリン、クマリン５４５Ｔ（以下、Ｃ５４５Ｔと示す）、ＤＰＴ、Ｃｏ−６、ＰＭＤＦＢ、ＢＴＸ、ＡＢＴＸ、ＤＣＭ、ＤＣＪＴの他、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）３と示す）、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（以下、ＰｔＯＥＰと示す）等の三重項発光材料（燐光材料）をゲスト材料として用いることができる。
電子輸送層を形成する電子輸送性材料としては、先に述べたＡｌｑ３、Ａｌｍｑ３、ＢｅＢｑ２などのキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体や、混合配位子錯体であるＢＡｌｑなどが好適である。また、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、Ｚｎ（ＢＴＺ）２などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体もある。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（以下、ＰＢＤと示す）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（以下、ＯＸＤ−７と示す）などのオキサジアゾール誘導体、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（以下、ＴＡＺと示す）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（以下、ｐ−ＥｔＴＡＺと示す）などのトリアゾール誘導体を用いることができる。
電子注入層を形成する電子注入性材料としては、本発明の電子注入性組成物を用いることが好ましい。具体的には、実施の形態１で示したように、ベンゾオキサゾール誘導体と、電子供与性を有する有機化合物とを含む電子注入性組成物を用いるとよい。なお、ベンゾオキサゾール誘導体と電子供与性を有する有機化合物とは１：０．５〜１０（＝ベンゾオキサゾール誘導体：電子供与性を有する有機化合物）のモル比で含まれていることが好ましい。
本発明の電子注入組成物は透光性に優れているため、発光物質から発光した光を効率よく外部へ出射することができる。つまり、光の取り出し効率が向上させることができる。
また、本発明の電子注入性組成物は優れた電子注入性を有しているため、陰極に仕事関数の高い材料を用いた場合でも、駆動電圧の上昇を抑制することができる。
また、本発明の電子注入組成物は、有機化合物のみで構成されており、危険性の高いアルカリ金属等を用いていないため、アルカリ金属を使用することによる火災などの事故発生の危険性が低減され、より安全に発光素子および発光装置を作製することができる。
また、本発明の電子注入性組成物は結晶化しにくい性質を有しているため、本発明の電子注入性組成物を用いて発光素子を形成した場合、素子寿命の長い発光素子を形成することが可能である。
本実施例では、発光素子の陽極および陰極の両側から発光物質を含む層で生じた光を出射させる構造（以下、両面出射構造という）の場合であって、発光物質を含む層の一部に本発明の電子注入性組成物を設けた本発明の発光素子について図２を用いて説明する。
まず、基板２００上に発光素子の第１の電極を形成する。本実施例では、第１の電極は陽極として機能する。材料として透明導電膜であるＩＴＯを用い、スパッタリング法により１１０ｎｍの膜厚で陽極２０１を形成する。
次に、陽極２０１上に発光物質を含む層２０２が形成される。なお、本実施例における発光物質を含む層２０２は、正孔注入層２１１、正孔輸送層２１２、発光層２１３、電子輸送層２１４、電子注入層２０４からなる積層構造を有している。
陽極２０１が形成された基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに第１の電極２０１が形成された面を下方にして固定し、真空蒸着装置の内部に備えられた蒸発源にＣｕ−Ｐｃを入れ、抵抗加熱法を用いた蒸着法により２０ｎｍの膜厚で正孔注入層２１１を形成する。なお、正孔注入層２１１を形成する材料としては、公知の正孔注入性材料を用いることができる。
次に正孔輸送性に優れた材料により正孔輸送層２１２を形成する。正孔輸送層２１２を形成する材料としては、公知の正孔輸送性材料を用いることができるが、本実施例では、α−ＮＰＤを同様の方法により、４０ｎｍの膜厚で形成する。
次に発光層２１３を形成する。なお、発光層２１３において正孔と電子が再結合し、発光を生じる。本実施例では、発光層２１３を形成する材料のうちホスト材料となるＡｌｑ３と、ゲスト材料となるＤＭＱＤとを用い、ＤＭＱＤが、１ｗｔ％となるように共蒸着法により４０ｎｍの膜厚で形成する。
次に、電子輸送層２１４を形成する。電子輸送層２１４を形成する材料としては、公知の電子輸送性材料を用いることができるが、本実施例では、Ａｌｑ３を用い、２０ｎｍの膜厚で蒸着法により形成する。
次に、電子注入層２０４を形成する。電子注入層２０４には、本発明の電子注入性組成物を用いることとする。電子注入性組成物は、一般式（１）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と、一般式（５）で示されるテトラチアフルバレン誘導体とを含有するものである。なお、本実施例では、下記構造式（２）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と下記構造式（６）で示されるテトラチアフルバレン誘導体とのモル比が１：１となるようにして、１０ｎｍの膜厚で共蒸着法により形成する。
このようにして、正孔注入層２１１、正孔輸送層２１２、発光層２１３、電子輸送層２１４、および電子注入層２０４を積層して形成される発光物質を含む層２０２を形成した後、第２の電極をスパッタリング法または蒸着法により形成する。本実施例では、第２の電極は陰極として機能する。
なお、陰極２０３は、電子注入性に優れた電子注入層２０４と接して形成されることから、本実施例では、発光物質を含む層２０２上にＩＴＯ（１１０ｎｍ）をスパッタリング法により形成し、陰極２０３を得る。
以上により、両面出射構造の発光素子が形成される。
なお、本発明の電子注入組成物は透光性に優れているため、発光物質から発光した光を効率よく外部へ出射することができる。つまり、陰極側からの光の取り出し効率を向上させることができる。
また、本実施例で示すように、両面出射構造において、電子注入層を透光性の高い電子注入性組成物で構成することにより、陰極側から出射される光と、陽極側から出射させる光とをほぼ均等とすることが可能である。つまり、陰極側から見た場合と、陽極側から見た場合とで、ほぼ同質の画像を見ることが可能となる。
また、本発明の電子注入組成物は、有機化合物のみで構成されており、危険性の高いアルカリ金属等を用いていないため、より安全に発光素子を作製することができる。
また、本発明の電子注入性組成物は結晶化しにくい性質を有しているため、本発明の電子注入性組成物を用いて発光素子を形成した場合、素子寿命の長い発光素子を形成することが可能である。
なお、本実施例では、基板側に陽極を設けたが、基板側に陰極を設け、本実施例で示した順序とは逆に、発光物質を含む層を積層していく構造としてもよい。つまり、基板側に形成された陰極上に、本発明の電子注入性組成物を用いた電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極を形成する構造としてもよい。
本実施例では、発光素子の片側から発光物質を含む層で生じた光を出射させる構造の場合であって、基板とは反対側から光を出射させる構造（以下、上面出射構造という）について図３を用いて説明する。
なお、ここでは、実施例１と構成が異なる部分についてのみ説明することとし、本実施例では、第１の電極以外の構成について実施例１と同様であるので説明は省略する。
本実施例における第１の電極は、陽極として機能し発光物質を含む層３０２で生じた光を出射させない電極である。すなわち、陽極を形成する材料としては、仕事関数が大きく、かつ遮光性を有する元素周期律の第４族、第５族、又は第６族に属する元素の窒化物または炭化物、具体的には窒化チタン、窒化ジルコニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、窒化タンタル、炭化タンタル、窒化モリブデン、炭化モリブデン等を用いることができる。また、仕事関数の大きい透明導電膜と反射性（遮光性を有する場合も含む）を有する導電膜（反射性導電膜）とを積層することにより陽極を形成することもできる。
なお、本実施例では、反射性導電膜と仕事関数の大きい透明導電膜とを積層して陽極３０１を形成する場合について説明する。
具体的には、基板３００上にアルミニウム−珪素（Ａｌ−Ｓｉ）膜を３００ｎｍの膜厚で形成した後、チタン（Ｔｉ）膜を１００ｎｍの膜厚で積層することにより、反射性導電膜３２１を形成し、その上に透明導電膜３２２としてＩＴＯを２０ｎｍの膜厚で形成する。
陽極３０１を形成した後は、実施例１と同様にして、正孔注入層３１１、正孔輸送層３１２、発光層３１３、電子輸送層３１４、電子注入層３０４、および陰極３０３が順次積層形成される。
以上のようにして、陰極側からのみ光を出射させる上面出射構造の発光素子を形成することができる。本発明の電子注入組成物は透光性に優れているため、発光物質から発光した光を効率よく外部へ出射することができる。つまり、陰極側からの光の取り出し効率を向上させることができる。
なお、本実施例では、反射性導電膜と仕事関数の大きい透明導電膜とを積層して陽極を形成する場合について示したが、必ずしも積層構造である必要はなく、仕事関数が大きく、かつ遮光性を有する材料を用いるのであれば、陽極を単層構造とすることもできる。
また、本実施例では基板側に陽極を形成する構造を示したが、本発明はこの構造に限らず、基板側に陰極を設け、本実施例で示した順序とは逆に、発光物質を含む層を積層していく構造としてもよい。つまり、基板側に陰極を形成し、陰極に接するように本発明の電子注入組成物を含む層を形成し、発光物質を含む層からの発光を基板側から出射させる構造（下面出射構造）とすることも可能である。
本発明では、実施例２と同様に発光素子の片側から発光物質を含む層で生じた光を出射させる構造の場合であって、図４に示すように発光物質を含む層４０２に含まれる電子注入層４０４側から光を出射させる構造（上面出射構造）とすることもできる。
まず、基板４００上に第１の電極４０１を形成する。本実施例における第１の電極は、陽極として機能し発光物質を含む層４０２で生じた光を出射させない電極であり、仕事関数が大きく、かつ遮光性を有する元素周期律の第４族、第５族、又は第６族に属する元素の窒化物または炭化物、具体的には窒化チタン、窒化ジルコニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、窒化タンタル、炭化タンタル、窒化モリブデン、炭化モリブデン等を用いることができる。本実施例では、第１の電極４０１として、窒化チタン膜を１００ｎｍの膜厚で形成する。
次に、実施例１及び実施例２と同様に、正孔注入層４１１、正孔輸送層４１２、発光層４１３、電子輸送層４１４、電子注入層４０４を順次積層し、発光物質を含む層４０２を形成する。
次に、発光物質を含む層４０２上の一部に、第２の電極４０３を形成する。本実施例の場合には、発光物質を含む層４０２上の一部に補助電極として機能する第２の電極（陰極）４０３が形成されるため、発光物質を含む層で生じた光は、第２の電極４０３が形成されていない部分から出射される構成となる。なお、本実施例において、第２の電極４０３に用いる材料としては、仕事関数の小さい陰極材料であれば、必ずしも透光性の材料を用いる必要はなく、遮光性の材料であってもよい。
なお、実施例１から実施例３に示した構成は、適宜組み合わせて実施することが可能である。
本実施例では、実施例３に示した第２の電極を補助電極として用いる構造について、図５を用いて、より詳細に説明する。
図５（Ａ）は、発光装置の上面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）をＡ−Ａ’およびＢ−Ｂ’で切断した断面図の一部である。基板５００上には、駆動回路部（ソース側駆動回路）５０１、駆動回路部（ゲート側駆動回路）５０２、複数の画素５０４を有する画素部５０３、補助配線５０５が形成されている。
次に、断面構造について図５（Ｂ）を用いて説明する。基板上には、複数の画素が形成されているが、図５（Ｂ）では、ある一つの画素５０４の断面と、駆動回路部（ソース側駆動回路）５０１の断面とを示している。
駆動回路部５０１は、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施例では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。
また、画素５０４はスイッチング用ＴＦＴ５１１と、電流制御用ＴＦＴ５１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極５２１とを有している。なお、第１の電極５２１の端部を覆って絶縁物５１３が形成されている。
第１の電極５２１上には、発光物質を含む層が形成されている。具体的には、実施例３で示したように、陽極として機能する第１の電極上に、電子注入層以外の発光物質を含む層５２２（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等）を形成し、最上層に本発明の電子注入性組成物を含む電子注入層５２４を形成する。
そして、電子注入層５２４上の一部に、陰極として機能する第２の電極（補助電極）５２３が形成されている。第２の電極（補助電極）５２３は、第１の電極と発光物質を含む層とが積層されている発光領域５１４以外に設けることが望ましい。図５（Ｂ）では、絶縁物５１３上に第２の電極（補助電極）５２３を設けた例を示している。第２の電極（補助電極）を絶縁物５１３上に形成することにより、発光領域５１４からの発光を遮らずにすむ。よって、開口率の低下を防ぐとこができる。なお、第２の電極（補助電極）を発光領域５１４上に形成する場合は、透光性の材料を用いることが望ましい。
各画素における第２の電極（補助電極）５２３は、補助配線５０５により、電気的に接続されており、駆動回路部（ソース側駆動回路）５０１側において、すべての補助配線が一つの配線に接続されている。これにより、陰極として機能する第２の電極（補助電極）は全ての画素において、一定電圧に保たれている。
本実施例では、画素部に本発明の発光素子を有する発光装置について図６を用いて説明する。なお、図６（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図６（Ｂ）は図６（Ａ）をＡ−Ａ’およびＢ−Ｂ’で切断した断面図である。点線で示された６０１は駆動回路部（ソース側駆動回路）、６０２は画素部、６０３は駆動回路部（ゲート側駆動回路）である。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間６０７になっている。
なお、引き回し配線６０８はソース側駆動回路６０１及びゲート側駆動回路６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
次に、断面構造について図６（Ｂ）を用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路６０１と、画素部６０２中の一つの画素が示されている。
なお、ソース側駆動回路６０１はｎチャネル型ＴＦＴ６２３とｐチャネル型ＴＦＴ６２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施例では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。
また、画素部６０２はスイッチング用ＴＦＴ６１１と、電流制御用ＴＦＴ６１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁物６１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物６１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物６１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
第１の電極６１３上には、発光物質を含む層６１６、および第２の電極６１７がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極６１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ膜、または珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、２〜２０％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
また、発光物質を含む層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法によって形成される。発光物質を含む層６１６には、本発明の電子注入性組成物が含まれている。また、本発明の電子注入性組成物に組み合わせて用いる材料としては、低分子系材料、中分子材料（オリゴマー、デンドリマーを含む）、または高分子系材料であっても良い。また、発光物質を含む層に用いる材料としては、通常、有機化合物を単層もしくは積層で用いる場合が多いが、本発明においては、有機化合物からなる膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めることとする。
さらに、発光物質を含む層６１６上に形成される第２の電極（陰極）６１７に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、またはＣａＮ）を用いることが好ましい。ただし、本発明の電子注入組成物は高い電子注入性を有しているため、仕事関数の高い材料、すなわち、通常は陽極に用いられている材料で第２の電極（陰極）を形成してもよい。なお、発光物質を含む層６１６で生じた光が第２の電極６１７を透過させる場合には、第２の電極（陰極）６１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ、２〜２０％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。
なお、図６（Ｂ）では、第２の電極を発光物質を含む層上に全面に形成した場合を示したが、図５で示したように、発光物質を含む層上の一部に第２の電極を形成し、補助電極として用いてもよい。
さらにシール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光素子６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５で充填される構成も含むものとする。
なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
以上のようにして、本発明の発光素子を有する発光装置を得ることができる。
本発明の発光装置は、透光性の高い電子注入性組成物を用いているため、発光物質から発光した光を効率よく外部へ出射することができる。つまり、光の取り出し効率が向上させることができる。特に、第１の電極、第２の電極ともに、透光性を有する材料で形成した場合、どちらの面から見ても同質の画像を見ることができる。
また、優れた電子注入性を有する電子注入性組成物を用いているため、陰極に仕事関数が高い材料を用いた場合でも、駆動電圧の上昇を抑制することができる。よって、発光装置の消費電力低減を実現することができる。
また、本発明の発光装置では、危険性の高い物質が含まれていない電子注入性組成物を用いているため、より安全に発光装置を作製することが可能である。
また、結晶化しにくい電子注入性組成物を用いているため、発光素子における結晶化が抑制されており、長時間に渡って安定な発光を得ることができる。
なお、本実施例に示す発光装置は、実施例１〜実施例４に示した構成を自由に組み合わせて実施することが可能である。
本実施例では、本発明の発光素子を用いて作製された発光装置をその一部に含む様々な電気器具について説明する。
本発明の発光素子を有する発光装置を用いて作製された電気機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。これらの電気機器の具体例を図７に示す。
図７（Ａ）はテレビ受像機であり、筐体９１０１、支持台９１０２、表示部９１０３、スピーカー部９１０４、ビデオ入力端子９１０５等を含む。本発明の発光素子を有する発光装置をその表示部９１０３に用いることにより作製される。なお、テレビ受像機は、コンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用装置が含まれる。
図７（Ｂ）はコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部９２０３、キーボード９２０４、外部接続ポート９２０５、ポインティングマウス９２０６等を含む。本発明の発光素子を有する発光装置をその表示部９２０３に用いることにより作製される。
図７（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイ、本体９３０１、表示部９３０２、アーム部９３０３を含む。本発明の発光素子を有する発光装置をその表示部９３０２に用いることにより作製される。
図７（Ｄ）は携帯電話であり、本体９４０１、筐体９４０２、表示部９４０３、音声入力部９４０４、音声出力部９４０５、操作キー９４０６、外部接続ポート９４０７、アンテナ９４０８等を含む。本発明の発光素子を有する発光装置をその表示部９４０３に用いることにより作製される。なお、表示部９４０３は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
図７（Ｅ）はカメラであり、本体９５０１、表示部９５０２、筐体９５０３、外部接続ポート９５０４、リモコン受信部９５０５、受像部９５０６、バッテリー９５０７、音声入力部９５０８、操作キー９５０９、接眼部９５１０等を含む。本発明の発光素子を有する発光装置をその表示部９５０２に用いることにより作製される。
以上の様に、本発明の発光素子を有する発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電気機器に適用することが可能である。本発明の発光素子を有する発光装置を用いることにより、低消費電力の電気器具を提供することが可能となる。また、寿命の長い電気器具を提供することが可能となる。
１０１ 陽極
１０３ 陰極
１０２ 発光物質を含む層
１０４ 電子注入性組成物を含む層
２００ 基板
２０１ 陽極
２０２ 発光物質を含む層
２０３ 陰極
２０４ 電子注入層
２１１ 正孔注入層
２１２ 正孔輸送層
２１３ 発光層
２１４ 電子輸送層
３００ 基板
３０１ 陽極
３０２ 発光物質を含む層
３０３ 陰極
３０４ 電子注入層
３１１ 正孔注入層
３１２ 正孔輸送層
３１３ 発光層
３１４ 電子輸送層
３２１ 反射性導電膜
３２２ 透明導電膜
４００ 基板
４０１ 第１の電極
４０２ 発光物質を含む層
４０３ 第２の電極
４０４ 電子注入層
４１１ 正孔注入層
４１２ 正孔輸送層
４１３ 発光層
４１４ 電子輸送層
４１５ 電子注入層
５００ 基板
５０１ 駆動回路部（ソース側駆動回路）
５０２ 駆動回路部（ゲート側駆動回路）
５０３ 画素部
５０４ 画素
５０５ 補助配線
５１１ スイッチング用ＴＦＴ
５１２ 電流制御用ＴＦＴ
５１３ 絶縁物
５１４ 発光領域
５２１ 第１の電極
５２２ 発光物質を含む層
５２３ 第２の電極（補助電極）
５２４ 電子注入層
６０１ ソース側駆動回路
６０２ 画素部
６０３ ゲート側駆動回路
６０４ 封止基板
６０５ シール材
６０７ 空間
６０８ 配線
６０９ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
６１０ 素子基板
６１１ スイッチング用ＴＦＴ
６１２ 電流制御用ＴＦＴ
６１３ 第１の電極
６１４ 絶縁物
６１６ 発光物質を含む層
６１７ 第２の電極
６１８ 発光素子
６２３ ｎチャネル型ＴＦＴ
６２４ ｐチャネル型ＴＦＴ
１００１ 陽極
１００２ 陰極
１００３ 発光物質を含む層
９１０１ 筐体
９１０２ 支持台
９１０３ 表示部
９１０４ スピーカー部
９１０５ ビデオ入力端子
９２０１ 本体
９２０２ 筐体
９２０３ 表示部
９２０４ キーボード
９２０５ 外部接続ポート
９２０６ ポインティングマウス
９３０１ 本体
９３０２ 表示部
９３０３ アーム部
９４０１ 本体
９４０２ 筐体
９４０３ 表示部
９４０４ 音声入力部
９４０５ 音声出力部
９４０６ 操作キー
９４０７ 外部接続ポート
９４０８ アンテナ
９５０１ 本体
９５０２ 表示部
９５０３ 筐体
９５０４ 外部接続ポート
９５０５ リモコン受信部
９５０６ 受像部
９５０７ バッテリー
９５０８ 音声入力部
９５０９ 操作キー
９５１０ 接眼部
１０３ 陰極
１０２ 発光物質を含む層
１０４ 電子注入性組成物を含む層
２００ 基板
２０１ 陽極
２０２ 発光物質を含む層
２０３ 陰極
２０４ 電子注入層
２１１ 正孔注入層
２１２ 正孔輸送層
２１３ 発光層
２１４ 電子輸送層
３００ 基板
３０１ 陽極
３０２ 発光物質を含む層
３０３ 陰極
３０４ 電子注入層
３１１ 正孔注入層
３１２ 正孔輸送層
３１３ 発光層
３１４ 電子輸送層
３２１ 反射性導電膜
３２２ 透明導電膜
４００ 基板
４０１ 第１の電極
４０２ 発光物質を含む層
４０３ 第２の電極
４０４ 電子注入層
４１１ 正孔注入層
４１２ 正孔輸送層
４１３ 発光層
４１４ 電子輸送層
４１５ 電子注入層
５００ 基板
５０１ 駆動回路部（ソース側駆動回路）
５０２ 駆動回路部（ゲート側駆動回路）
５０３ 画素部
５０４ 画素
５０５ 補助配線
５１１ スイッチング用ＴＦＴ
５１２ 電流制御用ＴＦＴ
５１３ 絶縁物
５１４ 発光領域
５２１ 第１の電極
５２２ 発光物質を含む層
５２３ 第２の電極（補助電極）
５２４ 電子注入層
６０１ ソース側駆動回路
６０２ 画素部
６０３ ゲート側駆動回路
６０４ 封止基板
６０５ シール材
６０７ 空間
６０８ 配線
６０９ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
６１０ 素子基板
６１１ スイッチング用ＴＦＴ
６１２ 電流制御用ＴＦＴ
６１３ 第１の電極
６１４ 絶縁物
６１６ 発光物質を含む層
６１７ 第２の電極
６１８ 発光素子
６２３ ｎチャネル型ＴＦＴ
６２４ ｐチャネル型ＴＦＴ
１００１ 陽極
１００２ 陰極
１００３ 発光物質を含む層
９１０１ 筐体
９１０２ 支持台
９１０３ 表示部
９１０４ スピーカー部
９１０５ ビデオ入力端子
９２０１ 本体
９２０２ 筐体
９２０３ 表示部
９２０４ キーボード
９２０５ 外部接続ポート
９２０６ ポインティングマウス
９３０１ 本体
９３０２ 表示部
９３０３ アーム部
９４０１ 本体
９４０２ 筐体
９４０３ 表示部
９４０４ 音声入力部
９４０５ 音声出力部
９４０６ 操作キー
９４０７ 外部接続ポート
９４０８ アンテナ
９５０１ 本体
９５０２ 表示部
９５０３ 筐体
９５０４ 外部接続ポート
９５０５ リモコン受信部
９５０６ 受像部
９５０７ バッテリー
９５０８ 音声入力部
９５０９ 操作キー
９５１０ 接眼部
Claims (19)
- 一般式（１）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と、電子供与性を有する有機化合物とを含むことを特徴とする電子注入性組成物。
- 構造式（２）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と、電子供与性を有する有機化合物とを含むことを特徴とする電子注入性組成物。
- 構造式（３）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と、電子供与性を有する有機化合物とを含むことを特徴とする電子注入性組成物。
- 構造式（４）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と、電子供与性を有する有機化合物とを含むことを特徴とする電子注入性組成物。
- 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記電子供与性を有する有機化合物は一般式（５）に示されるテトラチアフルバレン誘導体であることを特徴とする電子注入性組成物。
- 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記電子供与性を有する有機化合物は構造式（６）に示されるテトラチアフルバレン誘導体であることを特徴とする電子注入性組成物。
- 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、電子供与性を有する有機化合物は構造式（７）に示されるテトラチアフルバレン誘導体であることを特徴とする電子注入性組成物。
- 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記電子供与性を有する有機化合物は構造式（８）に示されるテトラチアフルバレン誘導体であることを特徴とする電子注入性組成物。
- 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記ベンゾオキサゾール誘導体と前記電子供与性を有する有機化合物とは１：０．５〜１０のモル比で含まれていることを特徴とする電子注入性組成物。 - 陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に発光物質を含む層とを有し、発光物質を含む層のうち陰極と接する層に、一般式（１）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と電子供与性を有する有機化合物とを含む層を設けることを特徴とする発光素子。
- 陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に発光物質を含む層とを有し、発光物質を含む層のうち陰極と接する層に、構造式（２）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と電子供与性を有する有機化合物とを含む層を設けることを特徴とする発光素子。
- 陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に発光物質を含む層とを有し、発光物質を含む層のうち陰極と接する層に、構造式（３）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と電子供与性を有する有機化合物とを含む層を設けることを特徴とする発光素子。
- 陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に発光物質を含む層とを有し、発光物質を含む層のうち陰極と接する層に、構造式（４）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と電子供与性を有する有機化合物とを含む層を設けることを特徴とする発光素子。
- 請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、前記電子供与性を有する有機化合物は一般式（５）に示されるテトラチアフルバレン誘導体であることを特徴とする発光素子。
- 請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、前記電子供与性を有する有機化合物は構造式（６）に示されるテトラチアフルバレン誘導体であることを特徴とする発光素子。
- 請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、前記電子供与性を有する有機化合物は構造式（７）に示されるテトラチアフルバレン誘導体であることを特徴とする発光素子。
- 請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、前記電子供与性を有する有機化合物は構造式（８）に示されるテトラチアフルバレン誘導体であることを特徴とする発光素子。
- 請求項１０乃至請求項１７のいずれか一項において、
ベンゾオキサゾール誘導体と電子供与性を有する有機化合物とを含む層は、前記ベンゾオキサゾール誘導体と前記電子供与性を有する有機化合物とを１：０．５〜１０のモル比で含むことを特徴とする発光素子。 - 請求項１０乃至請求項１８のいずれか一項に記載の発光素子を有する発光装置。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2005
- 2005-08-23 JP JP2005240682A patent/JP4817755B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN109790132B (zh) * | 2016-07-07 | 2024-03-05 | 保土谷化学工业株式会社 | 具有苯并唑环结构的化合物及有机电致发光元件 |
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