JP2006086503A - Method and equipment for efficient perpendicular fluid transfer for cooling exoergic device - Google Patents

Method and equipment for efficient perpendicular fluid transfer for cooling exoergic device Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heat exchanger capable of reducing pressure drop between an inlet port and an outlet port. <P>SOLUTION: A heat exchanger and the method of manufacturing the same comprise a contact layer 102 for cooling a heat source. The contact layer is connected with a heat source 99. The contact layer is structured such that fluid can be flown. Further, the heat exchanger comprises a manifold layer 106 connected with the contact layer. The manifold layer is connected with the first group of individualized holes. The manifold layer comprises at least one first port 108 for circulating fluid via the first group. Further, the manifold layer is connected with the second group of individualized holes. The manifold layer comprises at least one second port 109 for circulating fluid via the second group. The holes of the first and second groups are arranged such that the shortest flow path between the first and second ports is realized in order to cool the heat source appropriately. Each of the holes of the first group is desirably arranged at the smallest optimal interval with respect to each of the holes of the second group. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

関連出願Related applications

この特許出願は、引用により本願に援用される、2002年11月1日に出願され、係属中の米国仮特許出願第60/423,009号、発明の名称「柔軟な流体輸送及びマイクロチャネルヒートシンクによるホットスポットの冷却方法(METHODS FOR FLEXIBLE FLUID DELIVERY AND HOTSPOT COOLING BY MICROCHANNEL HEAT SINKS)」、引用により本願に援用される、2003年1月24日に出願され、係属中の米国仮特許出願第60/442,383号、発明の名称「CPU冷却用に最適化されたプレートフィン熱交換器(OPTIMIZED PLATE FIN HEAT EXCHANGER FOR CPU COOLING)」及び引用により本願に援用される、2003年3月17日に出願され、係属中の米国仮特許出願第60/455,729号、発明の名称「多孔構成を有するマイクロチャネル熱交換器装置及びその製造方法(MICROCHANNEL HEAT EXCHANGER APPARATUS WITH POROUS CONFIGURATION AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF)」について、米国特許法第119条(e)項に基づく優先権を主張した、引用により本願に援用される、2003年3月16日に出願され、係属中の米国仮特許出願第60/439,635号、発明の名称「発熱デバイスにおいて必要なホットスポットを冷却するための柔軟な流体輸送のための方法及び装置(METHOD AND APPARATUS FOR FLEXIBLE FLUID DELIVERY FOR COOLING DESIRED HOT SPOTS IN A HEAT PRODUCING DEVICE)」の一部継続出願である、2003年10月6日に出願された、米国特許出願番号台10/680,584号、発明の名称「発熱デバイスを冷却するための効率的な垂直流体輸送のための方法及び装置(METHOD AND APPARATUS FOR EFFICIENT VERTICAL FLUID DELIVERY FOR COOLING A HEAT PRODUCING DEVICE)」、及び引用により本願に援用される、2003年1月24日に出願され、継続中の米国仮特許出願第60/442,383号、発明の名称「CPU冷却用に最適化されたプレートフィン熱交換器(OPTIMIZED PLATE FIN HEAT EXCHANGER FOR CPU COOLING)」並びに引用により本願に援用される、2003年3月17日に出願され、係属中の米国仮特許出願第60/455,729号、発明の名称「多孔構成を有するマイクロチャネル熱交換器装置及びその製造方法(MICROCHANNEL HEAT EXCHANGER APPARATUS WITH POROUS CONFIGURATION AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF)」の一部継続出願である。   This patent application is filed Nov. 1, 2002, which is hereby incorporated by reference, and is pending US Provisional Patent Application No. 60 / 423,009, entitled “Flexible Fluid Transport and Microchannel Heat Sink”. US Patent Application No. 60/90, filed January 24, 2003, which is hereby incorporated by reference, and is incorporated herein by reference. (METHODS FOR FLEXIBLE FLUID DELIVERY AND HOTSPOT COOLING BY MICROCHANNEL HEAT SINKS) No. 442,383, entitled “OPTIMIZED PLATE FIN HEAT EXCHANGER FOR CPU COOLING”, filed March 17, 2003, incorporated herein by reference. And pending US Provisional Patent Application No. 60 / 455,729, entitled “Microchannel Heat Exchanger Device with Porous Configuration and Method for Producing the Same” MICROCHANNEL HEAT EXCHANGER APPARATUS WITH POROUS CONFIGURATION AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF), filed on March 16, 2003, incorporated herein by reference, claiming priority under 35 USC 119 (e) And pending US Provisional Patent Application No. 60 / 439,635, entitled “Method and APPARATUS FOR FLEXIBLE FLUID for flexible fluid transport for cooling hot spots required in heat generating devices” DELIVERY FOR COOLING DESIRED HOT SPOTS IN A HEAT PRODUCING DEVICE), filed on October 6, 2003, US patent application Ser. No. 10 / 680,584. METHOD AND APPARATUS FOR EFFICIENT VERTICAL FLUID DELIVERY FOR COOLING A HEAT PRODUCING DEVICE And US Provisional Patent Application No. 60 / 442,383, filed Jan. 24, 2003, and incorporated herein by reference, entitled “Plate Fin Heat Optimized for CPU Cooling” "OPTIMIZED PLATE FIN HEAT EXCHANGER FOR CPU COOLING" and pending US Provisional Patent Application No. 60 / 455,729, filed Mar. 17, 2003, incorporated herein by reference. This is a continuation-in-part of “Microchannel Heat Exchanger APPARATUS WITH POROUS CONFIGURATION AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF”.

本発明は、包括的には、発熱デバイスを冷却する方法及び装置に関し、詳しくは、熱交換器内における圧力降下を最小限に抑えながら、電子デバイス内の所望のホットスポットを冷却するための効率的な垂直流体輸送(vertical fluid delivery)のための方法及び装置に関する。   The present invention relates generally to a method and apparatus for cooling a heat generating device, and more particularly to the efficiency of cooling a desired hot spot in an electronic device while minimizing the pressure drop in the heat exchanger. The present invention relates to a method and apparatus for vertical fluid delivery.

マイクロチャネルヒートシンクは、1980年代前半に登場して以来、高い熱流束の冷却用途への適用可能性を示し、産業界において使用されてきた。 しかしながら、既存のマイクロチャネルでは、従来の平行チャネル構成(parallel channel arrangements)が用いられており、これは、熱負荷が空間的に変化する発熱デバイスの冷却には適していない。このような発熱デバイスは、他の領域よりも多くの熱を発生する領域を有する。本明細書では、このような、より熱い領域を「ホットスポット(hot spot)」と呼び、ホットスポットより発熱量が少ない領域を「ウォームスポット(warm spot)」と呼ぶ。   Microchannel heat sinks have been used in industry since their appearance in the early 1980s, showing applicability to high heat flux cooling applications. However, existing microchannels use conventional parallel channel arrangements, which are not suitable for cooling exothermic devices where the thermal load varies spatially. Such a heat generating device has a region that generates more heat than other regions. In the present specification, such a hotter region is referred to as a “hot spot”, and a region that generates less heat than the hot spot is referred to as a “warm spot”.

図1A及び図1Bは、それぞれ、従来の熱交換器10の側面図及び平面図を示している。熱交換器10は、サーマルインターフェイス材料98を介して、例えば、マイクロプロセッサ等の電子デバイス99に連結されている。図1A及び1Bに示すように、流体は、通常、矢印によって示すように、単一のインレットポート12から流れ込み、平行なマイクロチャネル14を底面11に沿って流れ、アウトレットポート16から流れ出る。熱交換器10は、電子デバイス99を冷却するが流体は、インレットポート12からアウトレットポート16まで、均一に流れる。換言すれば、流体は、熱交換器10の底面11の全体に沿って実質的に一様に流れ、デバイス99のホットスポットに対応する底面11の領域により多くの流体が供給されることはない。更に、通常、熱交換器10の底面11に沿って流れるにつれて、インレットポート12から流れる液体の温度は、高くなる。したがって、電子デバイス99である熱源のダウンストリーム側、すなわちアウトレットポート16に近い領域には、冷たい流体は供給されず、実際には、アップストリーム側で加熱された、より温かい流体又は二相流体が供給される。このように、加熱された流体は、熱交換器10の底面11の全体と電子デバイス99である熱源の領域に亘って熱を輸送し、アウトレットポート16の近傍では、流体が非常に熱くなり、電子デバイス99である熱源を冷却する効力がなくなる。このような温度の上昇によって、底面11に流れる流体が沸騰することにより、最も多くの熱が発生している領域から流体が離れる二相フロー不安定状態(two-phase flow instabilities)が生じる。更に、1つのインレットポート12と1つのアウトレットしか有さない熱交換器10では、流体は、熱交換器10の全長に亘って、底面11の長い平行なマイクロチャネル14に沿って移動し、この結果、流体が移動する長さのために大きな圧力降下が生じる。熱交換器10において大きな圧力降下が生じると、熱交換器10に流体をポンピングすることが困難であり、動作が不安定になりやすかった。   1A and 1B show a side view and a plan view of a conventional heat exchanger 10, respectively. The heat exchanger 10 is connected to an electronic device 99 such as a microprocessor via a thermal interface material 98. As shown in FIGS. 1A and 1B, fluid typically flows from a single inlet port 12 as indicated by the arrows, flows along parallel microchannels 14 along the bottom surface 11, and flows out of the outlet port 16. The heat exchanger 10 cools the electronic device 99 but the fluid flows uniformly from the inlet port 12 to the outlet port 16. In other words, the fluid flows substantially uniformly along the entire bottom surface 11 of the heat exchanger 10 and no more fluid is supplied to the area of the bottom surface 11 corresponding to the hot spots of the device 99. . Furthermore, the temperature of the liquid flowing from the inlet port 12 generally increases as it flows along the bottom surface 11 of the heat exchanger 10. Thus, the downstream side of the heat source, which is the electronic device 99, i.e., the region near the outlet port 16, is not supplied with cold fluid, and in fact there is a warmer or two-phase fluid heated on the upstream side. Supplied. In this way, the heated fluid transports heat across the entire bottom surface 11 of the heat exchanger 10 and the area of the heat source, which is the electronic device 99, near the outlet port 16, the fluid becomes very hot, The effect of cooling the heat source which is the electronic device 99 is lost. As the temperature rises, the fluid flowing on the bottom surface 11 boils, resulting in a two-phase flow instability where the fluid leaves the region where the most heat is generated. Furthermore, in the heat exchanger 10 having only one inlet port 12 and one outlet, the fluid travels along the long parallel microchannel 14 of the bottom surface 11 over the entire length of the heat exchanger 10. The result is a large pressure drop due to the length of fluid travel. When a large pressure drop occurs in the heat exchanger 10, it is difficult to pump the fluid into the heat exchanger 10, and the operation tends to become unstable.

図1Cは、従来のマルチレベル熱交換器20の側面図である。流体は、ポート22を通ってマルチレベル熱交換器20に流入し、中間層26の複数の噴出口28を通って下方向に進み、底面27及び排出ポート24から排出される。更に、噴出口28に沿って底面27に移動する流体は、一様には流れない。更に、この図1Cに示すマルチレベル熱交換器20は、図1A及び図1Bの熱交換器10に関して説明した問題と同じ問題を有している。   FIG. 1C is a side view of a conventional multilevel heat exchanger 20. The fluid flows into the multi-level heat exchanger 20 through the port 22, travels downward through the plurality of jets 28 in the intermediate layer 26, and is discharged from the bottom surface 27 and the discharge port 24. Furthermore, the fluid that moves to the bottom surface 27 along the spout 28 does not flow uniformly. Furthermore, the multi-level heat exchanger 20 shown in FIG. 1C has the same problem as described with respect to the heat exchanger 10 of FIGS. 1A and 1B.

本発明の目的は、インレットポートとアウトレットポートの間の圧力降下を小さくできる熱交換器を提供することである。更に、本発明の目的は、熱源における適切な温度均一性を実現するよう構成されたマイクロチャネル熱交換器を提供することである。更に、本発明の目的は、熱源のホットスポットの観点から適切な温度均一性を実現する熱交換器を提供することである。   An object of the present invention is to provide a heat exchanger that can reduce a pressure drop between an inlet port and an outlet port. Furthermore, it is an object of the present invention to provide a microchannel heat exchanger configured to achieve adequate temperature uniformity in the heat source. Furthermore, an object of the present invention is to provide a heat exchanger that realizes appropriate temperature uniformity from the viewpoint of a hot spot of a heat source.

本発明に係る熱交換器は、0.3mm〜1.0mmの厚さを有し、熱源に接触し、流体が流されて熱源を冷却する接触層と、接触層に連結され、接触層に流体を流す個別化された流路の第1の組を有するマニホルド層とを備え、第1の組の個々の流路は、熱交換器内の圧力降下を最小化するよう配置されている。マニホルド層は、接触層から流体を受け取る個別化された流路の第2の組を備えていてもよい。マニホルド層は、個別化された流路の第1の組に流体を供給する第1のポートと、個別化された流路の第2の組から流体を取り除く第2のポートとを備えていてもよい。流路の第1の組は、熱源の所定の領域を所望の温度に冷却するために、接触層に沿って、最短の流路距離を提供するよう構成してもよい。流路の第1の組及び第2の組は、熱源の所定の領域を所望の温度に冷却するために、第1及び第2のポートの間で最短の流路距離を提供するよう構成してもよい。流体は、単相流状態であってもよい。流体の少なくとも一部は、二相流状態であってもよい。流体の少なくとも一部は、接触層において、単層流状態と二相流状態の間で遷移してもよい。マニホルド層は、第1及び第2の流路を内部に有する循環レベルを備え、循環レベルは、接触層に連結され、流路の第1及び第2の組を介して、接触層に及び接触層から流体を独立して流すように構成してもよい。第1の組内の各流路には、筒状の突起が接続され、各筒状の突起は、循環レベルから、所定の高さに延びていてもよい。マニホルド層は、第1のポート及び流路の第1の組の間で流体を流すよう構成された第1のレベルと、第1のレベルに連結され、第2のポート及び流路の第2の組の間で流体を流すよう構成された第2のレベルとを備え、マニホルド層において、第1のレベルを介して流される流体は、第2のレベルを介して流される流体から分離してもよい。第1のレベルは、第1のポート及び流路の第1の組に接続された第1のコリダを備え、第1のコリダ内の流体は、流路の第1の組に直接流れていてもよい。第2のレベルは、第2のポート及び流路の第2の組に接続された第2のコリダを備え、流路の第2の組内の流体は、第2のコリダに直接流れていてもよい。流路の第1の組は、流路の第2の組から熱的に絶縁され、流路の第1の組及び流路の第2の組間での熱輸送が行われなくてもよい。流路の第1の組及び流路の第2の組は、少なくとも1つの寸法に沿って、均等に配設してもよい。流路の第1の組及び流路の第2の組は、少なくとも1つの寸法に沿って、非均等に配設してもよい。第1の組の各流路は、互いに最適な最短距離に配設してもよい。流路の第1の組及び第2の組は、熱源における少なくとも1つの接触層ホットスポット領域を冷却するように配設してもよい。第1の流路の少なくとも1つは、複数の第1の孔を介して流れ、複数の第1の孔の少なくとも1つは、実質的に流路の第2の組の少なくとも1つの孔の第2の寸法に実質的に等しい第1の寸法を有していてもよい。第1の流路の少なくとも1つは、複数の第1の孔を介して流れ、複数の第1の孔の少なくとも1つは、実質的に流路の第2の組の少なくとも1つの孔の第2の寸法とは異なる第1の寸法を有していてもよい。接触層は、少なくとも100W/m−Kの熱伝導率を有する材料から形成してもよい。接触層は、少なくとも10W/m−Kの適切な熱伝導率を有するコーティングを備えていてもよい。接触層は、接触層に沿って所定のパターンで構成された複数のピラーを更に備えていてもよい。複数のピラーの少なくとも1つは、(10μm)以上(100μm)以下の範囲内の面積寸法を有していてもよい。複数のピラーの少なくとも1つは、50μm以上2mm以下の範囲内の高さ寸法を有していてもよい。少なくとも2つの複数のピラーは、10μm以上150μm以下の範囲内の間隔寸法で互いに離間して配設してもよい。複数のピラーは、少なくとも10W/m−Kの適切な熱伝導率を有するコーティングを備えていてもよい。複数のピラーの少なくとも1つは、所定の方向に沿って、少なくとも1つの変化する寸法を有していてもよい。接触層に沿って、所定の領域に適切な数のピラーが配設してもよい。接触層の少なくとも一部は、粗面化された表面を有していてもよい。接触層は、少なくとも10W/m−Kの適切な熱伝導率を有するコーティングを備えていてもよい。熱交換器は、接触層に沿って配設された、微孔構造を更に備えていてもよい。微孔構造は、50パーセント以上80パーセント以下の範囲内の多孔度を有していてもよい。微孔構造の平均孔寸法は、10μm以上200μm以下の範囲内であってもよい。微孔構造は、0.25mm以上2.00mm以下の範囲内の高さ寸法を有していてもよい。微孔構造は、所定の方向に沿って様々な寸法を有する少なくとも1つの孔を備えていてもよい。接触層に沿って、所定の構成に配設された複数のマイクロチャネルを更に備えていてもよい。複数のマイクロチャネルの少なくとも1つは、(10μm)以上(100μm)以下の範囲内の面積寸法を有していてもよい。複数のマイクロチャネルの少なくとも1つは、50μm以上2mm以下の範囲内の高さ寸法を有していてもよい。少なくとも2つの複数のマイクロチャネルは、10μm以上150μm以下の範囲内の間隔寸法で互いに離間して配設してもよい。複数のマイクロチャネルの少なくとも1つは、10μm以上100μm以下の範囲内の幅寸法を有していてもよい。複数のマイクロチャネルは、少なくとも10W/m−Kの熱伝導率を有するコーティングを備えていてもよい。接触層は、熱源に連結してもよい。接触層は、熱源と一体に形成してもよい。熱源は、集積回路であってもよい。熱交換器は、0mm以上15mm以内の範囲内の張り出し寸法を有していてもよい。 The heat exchanger according to the present invention has a thickness of 0.3 mm to 1.0 mm, is in contact with the heat source, and is connected to the contact layer that cools the heat source by flowing a fluid, and is connected to the contact layer. And a manifold layer having a first set of individualized flow paths for flowing fluid, the first set of individual flow paths being arranged to minimize the pressure drop in the heat exchanger. The manifold layer may comprise a second set of individualized channels that receive fluid from the contact layer. The manifold layer includes a first port that supplies fluid to a first set of individualized flow paths and a second port that removes fluid from the second set of individualized flow paths. Also good. The first set of channels may be configured to provide the shortest channel distance along the contact layer to cool a predetermined region of the heat source to a desired temperature. The first and second sets of flow paths are configured to provide the shortest flow path distance between the first and second ports to cool a predetermined region of the heat source to a desired temperature. May be. The fluid may be in a single phase flow state. At least a portion of the fluid may be in a two-phase flow state. At least a portion of the fluid may transition between a single laminar flow state and a two-phase flow state in the contact layer. The manifold layer includes a circulation level having first and second flow paths therein, the circulation level being coupled to the contact layer and contacting the contact layer via the first and second sets of flow paths. You may comprise so that a fluid may flow independently from a layer. A cylindrical protrusion is connected to each flow path in the first set, and each cylindrical protrusion may extend from the circulation level to a predetermined height. The manifold layer is coupled to the first level and configured to flow fluid between the first set of the first port and the flow path, and the second level of the second port and the flow path. A second level configured to flow fluid between the set of fluids, wherein fluid flowing through the first level in the manifold layer is separated from fluid flowing through the second level. Also good. The first level comprises a first corridor connected to a first port and a first set of flow paths, and the fluid in the first corridor is flowing directly into the first set of flow paths. Also good. The second level comprises a second corridor connected to a second port and a second set of flow paths, and the fluid in the second set of flow paths is flowing directly to the second corridor. Also good. The first set of flow paths is thermally insulated from the second set of flow paths and heat transfer between the first set of flow paths and the second set of flow paths may not be performed. . The first set of channels and the second set of channels may be evenly disposed along at least one dimension. The first set of flow paths and the second set of flow paths may be non-uniformly disposed along at least one dimension. Each flow path of the first set may be disposed at the optimum shortest distance from each other. The first and second sets of flow paths may be arranged to cool at least one contact layer hot spot region in the heat source. At least one of the first flow paths flows through the plurality of first holes, and at least one of the plurality of first holes is substantially at least one of the at least one hole of the second set of flow paths. The first dimension may be substantially equal to the second dimension. At least one of the first flow paths flows through the plurality of first holes, and at least one of the plurality of first holes is substantially at least one of the at least one hole of the second set of flow paths. The first dimension may be different from the second dimension. The contact layer may be formed from a material having a thermal conductivity of at least 100 W / m-K. The contact layer may comprise a coating having a suitable thermal conductivity of at least 10 W / m-K. The contact layer may further include a plurality of pillars configured in a predetermined pattern along the contact layer. At least one of the plurality of pillars may have an area size in a range of (10 μm) 2 or more and (100 μm) 2 or less. At least one of the plurality of pillars may have a height dimension within a range of 50 μm to 2 mm. At least two of the plurality of pillars may be spaced apart from each other with a spacing dimension in the range of 10 μm to 150 μm. The plurality of pillars may comprise a coating having a suitable thermal conductivity of at least 10 W / m-K. At least one of the plurality of pillars may have at least one varying dimension along a predetermined direction. An appropriate number of pillars may be disposed in a predetermined area along the contact layer. At least a portion of the contact layer may have a roughened surface. The contact layer may comprise a coating having a suitable thermal conductivity of at least 10 W / m-K. The heat exchanger may further comprise a microporous structure disposed along the contact layer. The microporous structure may have a porosity in the range of 50 percent to 80 percent. The average pore size of the microporous structure may be in the range of 10 μm to 200 μm. The microporous structure may have a height dimension within a range of 0.25 mm or more and 2.00 mm or less. The microporous structure may comprise at least one hole having various dimensions along a predetermined direction. A plurality of microchannels arranged in a predetermined configuration may be further provided along the contact layer. At least one of the plurality of microchannels may have an area dimension within a range of (10 μm) 2 or more and (100 μm) 2 or less. At least one of the plurality of microchannels may have a height dimension in the range of 50 μm to 2 mm. At least two of the plurality of microchannels may be spaced apart from each other with a spacing dimension in the range of 10 μm to 150 μm. At least one of the plurality of microchannels may have a width dimension in the range of 10 μm to 100 μm. The plurality of microchannels may comprise a coating having a thermal conductivity of at least 10 W / m-K. The contact layer may be connected to a heat source. The contact layer may be formed integrally with the heat source. The heat source may be an integrated circuit. The heat exchanger may have an overhanging dimension within a range of 0 mm or more and 15 mm or less.

本発明に係る熱交換器は、熱源を冷却するように構成された熱交換器において、0.3mm〜1.0mmの厚さを有し、熱源に接触し、流体が流されるよう構成された接触層と、接触層に連結されたマニホルド層とを備え、マニホルド層は、接触層に流体を流すよう構成され、互いの間で最適な流体移動距離を実現するように配置された複数の実質的に垂直なインレット流路を有する第1のレベルと、接触層から流体を取り除く少なくとも1つのアウトレット流路を有する第2のレベルとを有する。第1のレベルは、インレット流路に流体を流すように構成された少なくとも1つの第1のポートを備えていてもよい。第2のレベルは、少なくとも1つのアウトレット流路からの流体を流すように構成された少なくとも1つの第2のポートを備え、第2のレベルの流体は、第1のレベルを流体とは分離されて流れてもよい。第2のレベルは、接触層から流体を取り除く複数の実質的に垂直なアウトレット流路を有し、複数のインレット及びアウトレット流路は、互いの間で最適な流体移動距離を実現するように配置してもよい。マニホルド層は、接触層に連結され、内部に垂直に延び、インレット流路に沿って接触層に流体を流す複数の第1のアパーチャと、内部に垂直に延び、アウトレット流路に沿って接触層から流体を受け取る複数の第2のアパーチャとを有する循環レベルを備えていてもよい。第1のレベルは、第1のポートから第1のアパーチャに水平に流体を流すインレット流体コリダを備えていてもよい。第2のレベルは、第2のアパーチャから第2のポートに水平に流体を流すアウトレット流体コリダを備えていてもよい。第1及び第2のアパーチャは、少なくとも1つの寸法に沿って、均等に配設してもよい。第1及び第2のアパーチャは、少なくとも1つの寸法に沿って、非均等に配設してもよい。インレット流路及び少なくとも1つのアウトレット流路は、マニホルド層において、互いに密閉してもよい。接触層は、熱源に連結してもよい。接触層は、熱源と一体に形成してもよい。熱源は、集積回路であってもよい。第1及び第2のアパーチャは、熱源の少なくとも1つの接触層ホットスポット領域を冷却するよう構成してもよい。第1のアパーチャの少なくとも1つは、複数の第2のアパーチャの少なくとも1つのアウトレット寸法に実質的に等しいインレット寸法を有していてもよい。第1のアパーチャの少なくとも1つは、複数の第2のアパーチャの少なくとも1つのアウトレット寸法とは異なるインレット寸法を有していてもよい。接触層は、少なくとも100W/m−Kの熱伝導率を有する材料から形成してもよい。接触層は、少なくとも10W/m−Kの適切な熱伝導率を提供するコーティングを備えていてもよい。接触層は、接触層に沿って所定のパターンで構成された複数のピラーを更に備えていてもよい。複数のピラーの少なくとも1つは、(10μm)以上(100μm)以下の範囲内の面積寸法を有していてもよい。複数のピラーの少なくとも1つは、50μm以上2mm以下の範囲内の高さ寸法を有していてもよい。少なくとも2つの複数のピラーは、10μm以上150μm以下の範囲内の間隔寸法で互いに離間して配設してもよい。複数のピラーは、少なくとも10W/m−Kの適切な熱伝導率を有するコーティングを備えていてもよい。複数のピラーの少なくとも1つは、所定の方向に沿って、少なくとも1つの変化する寸法を有していてもよい。接触層に沿って、所定の領域に適切な数のピラーを配設してもよい。接触層の少なくとも一部は、粗面化された表面を有していてもよい。接触層は、少なくとも10W/m−Kの適切な熱伝導率を有するコーティングを備えていてもよい。接触層に沿って配設された、微孔構造を更に備えていてもよい。微孔構造は、0.25mm以上2.00mm以下の範囲内の高さ寸法を有していてもよい。微孔構造は、所定の方向に沿って様々な寸法を有する少なくとも1つの孔を備えていてもよい。微孔構造の平均孔寸法は、10μm以上200μm以下の範囲内であってもよい。微孔構造の少なくとも1つの領域は、50%以上80%以下の多孔度を有していてもよい。接触層は、適切なパターンで配設された複数のマイクロチャネルを備えていてもよい。複数のマイクロチャネルの少なくとも1つは、(10μm)以上(100μm)以下の範囲内の面積寸法を有していてもよい。複数のマイクロチャネルの少なくとも1つは、50μm以上2mm以下の範囲内の高さ寸法を有していてもよい。少なくとも2つの複数のマイクロチャネルは、10μm以上150μm以下の範囲内の間隔寸法で互いに離間して配設してもよい。複数のマイクロチャネルの少なくとも1つは、10μm以上100μm以下の範囲内の幅寸法を有していてもよい。複数のマイクロチャネルは、少なくとも10W/m−Kの熱伝導率を有するコーティングを備えていてもよい。0mm以上15mm以内の範囲内の張り出し寸法を有していてもよい。熱交換器は、循環レベルから適切な高さに延び、第1のアパーチャに接続された複数の筒状の突起を更に備えていてもよい。 The heat exchanger according to the present invention is a heat exchanger configured to cool the heat source, has a thickness of 0.3 mm to 1.0 mm, and is configured to contact the heat source and allow fluid to flow. A contact layer and a manifold layer coupled to the contact layer, wherein the manifold layer is configured to flow fluid through the contact layer and is arranged in a plurality of sub- strates arranged to achieve an optimum fluid travel distance between each other. A first level having a generally vertical inlet flow path and a second level having at least one outlet flow path for removing fluid from the contact layer. The first level may comprise at least one first port configured to flow fluid through the inlet flow path. The second level comprises at least one second port configured to flow fluid from at least one outlet flow path, wherein the second level fluid is separated from the fluid by the first level. May flow. The second level has a plurality of substantially vertical outlet channels that remove fluid from the contact layer, and the plurality of inlets and outlet channels are arranged to achieve an optimal fluid travel distance between each other. May be. The manifold layer is connected to the contact layer, extends vertically inside, and has a plurality of first apertures that flow fluid to the contact layer along the inlet channel, and extends vertically inside, and contacts the layer along the outlet channel. A circulation level having a plurality of second apertures for receiving fluid from the fluid. The first level may comprise an inlet fluid corridor that allows fluid to flow horizontally from the first port to the first aperture. The second level may comprise an outlet fluid corridor that causes fluid to flow horizontally from the second aperture to the second port. The first and second apertures may be evenly disposed along at least one dimension. The first and second apertures may be non-uniformly disposed along at least one dimension. The inlet channel and the at least one outlet channel may be sealed together in the manifold layer. The contact layer may be connected to a heat source. The contact layer may be formed integrally with the heat source. The heat source may be an integrated circuit. The first and second apertures may be configured to cool at least one contact layer hot spot region of the heat source. At least one of the first apertures may have an inlet dimension that is substantially equal to at least one outlet dimension of the plurality of second apertures. At least one of the first apertures may have an inlet dimension that is different from at least one outlet dimension of the plurality of second apertures. The contact layer may be formed from a material having a thermal conductivity of at least 100 W / m-K. The contact layer may comprise a coating that provides a suitable thermal conductivity of at least 10 W / m-K. The contact layer may further include a plurality of pillars configured in a predetermined pattern along the contact layer. At least one of the plurality of pillars may have an area size in a range of (10 μm) 2 or more and (100 μm) 2 or less. At least one of the plurality of pillars may have a height dimension within a range of 50 μm to 2 mm. At least two of the plurality of pillars may be spaced apart from each other with a spacing dimension in the range of 10 μm to 150 μm. The plurality of pillars may comprise a coating having a suitable thermal conductivity of at least 10 W / m-K. At least one of the plurality of pillars may have at least one varying dimension along a predetermined direction. An appropriate number of pillars may be disposed in a predetermined area along the contact layer. At least a portion of the contact layer may have a roughened surface. The contact layer may comprise a coating having a suitable thermal conductivity of at least 10 W / m-K. You may further provide the microporous structure arrange | positioned along the contact layer. The microporous structure may have a height dimension within a range of 0.25 mm or more and 2.00 mm or less. The microporous structure may comprise at least one hole having various dimensions along a predetermined direction. The average pore size of the microporous structure may be in the range of 10 μm to 200 μm. At least one region of the microporous structure may have a porosity of 50% or more and 80% or less. The contact layer may comprise a plurality of microchannels arranged in a suitable pattern. At least one of the plurality of microchannels may have an area dimension within a range of (10 μm) 2 or more and (100 μm) 2 or less. At least one of the plurality of microchannels may have a height dimension in the range of 50 μm to 2 mm. At least two of the plurality of microchannels may be spaced apart from each other with a spacing dimension in the range of 10 μm to 150 μm. At least one of the plurality of microchannels may have a width dimension in the range of 10 μm to 100 μm. The plurality of microchannels may comprise a coating having a thermal conductivity of at least 10 W / m-K. You may have an overhanging dimension within the range of 0 mm or more and 15 mm or less. The heat exchanger may further include a plurality of cylindrical protrusions extending from the circulation level to an appropriate height and connected to the first aperture.

また、本発明に係る電子デバイスは、熱を発生する電子デバイスにおいて、集積回路と、0.3mm〜1.0mmの厚さを有し、集積回路と一体に形成され、流体が流されるように構成され、電子デバイスが発生した熱を冷却する接触層と、接触層に流体を供給する少なくとも1つのインレット流路と、接触層から流体を取り除く少なくとも1つのアウトレット流路とを有し、少なくとも1つのインレット流路及び少なくとも1つのアウトレット流路が流体を最適な最短距離で移動させるような間隔で配設されており、接触層に流体を循環させるマニホルド層とを備える。   The electronic device according to the present invention is an electronic device that generates heat, and has an integrated circuit and a thickness of 0.3 mm to 1.0 mm, and is formed integrally with the integrated circuit so that a fluid can flow therethrough. A contact layer configured to cool the heat generated by the electronic device, at least one inlet channel for supplying fluid to the contact layer, and at least one outlet channel for removing fluid from the contact layer, and at least one One inlet flow path and at least one outlet flow path are disposed at an interval that moves the fluid at an optimum shortest distance, and includes a manifold layer that circulates the fluid in the contact layer.

また、本発明に係る循環システムは、少なくとも1つの集積回路を冷却する循環システムにおいて、0.3mm〜1.0mmの厚さを有し、流体が流されるように構成され、集積回路に接触する接触層と、接触層に流体を供給する少なくとも1つのインレット流路と、接触層から流体を取り除く少なくとも1つのアウトレット流路とを有し、少なくとも1つのインレット流路及び少なくとも1つのアウトレット流路が流体を最適な最短距離で移動させるような間隔で配設されており、接触層に連結されるマニホルド層とを備え、集積回路が発生した熱を吸収する少なくとも1つの熱交換器と、少なくとも1つの熱交換器に連結され、循環システムに流体を循環させる少なくとも1つのポンプと、ポンプ及び熱交換器に連結され、熱交換器から排出された加熱された液体を冷却する除熱器とを備える。   The circulation system according to the present invention is a circulation system that cools at least one integrated circuit, has a thickness of 0.3 mm to 1.0 mm, is configured to flow a fluid, and contacts the integrated circuit. A contact layer, at least one inlet channel for supplying fluid to the contact layer, and at least one outlet channel for removing fluid from the contact layer, wherein the at least one inlet channel and at least one outlet channel are At least one heat exchanger that is disposed at an interval to move the fluid at an optimum shortest distance and that is coupled to the contact layer and that absorbs heat generated by the integrated circuit; At least one pump connected to one heat exchanger and circulating the fluid through the circulation system, and connected to the pump and the heat exchanger, from the heat exchanger The heated liquid was issued and a heat rejector for cooling.

本発明のこの他の特徴及び利点は、以下に示す好適な実施形態の詳細によって明らかとなる。   Other features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description of preferred embodiments.

熱交換器は、包括的に言えば、好ましくは熱源と連結された接触層の選択的な領域に流体を通過させることによって、熱源から発生した熱エネルギを捕捉する。詳しくは、流体は、熱交換器内の圧力降下を小さく保ちながら、熱源に亘って、温度均一性を実現するように、ホットスポット及びホットスポットの周囲の領域を冷却するために接触層に特定の領域に流される。後述する様々な実施形態で説明するように、熱交換器は、マニホルド層内で複数のアパーチャ、チャネル及び/又はフィンガを用いて、並びに中間層内の導管を用いて、接触層の選択されたホットスポット領域に及びこの領域から流体を流通及び循環させる。これに代えて、熱交換器は、ホットスポットに流体を直接流入させ、及びホットスポットから流体を排出させることによって、効果的に熱源を冷却するために所定の位置に特別に配置された幾つかのポートを備えていてもよい。   The heat exchanger generally captures thermal energy generated from the heat source, preferably by passing the fluid through selective areas of the contact layer that are coupled to the heat source. Specifically, the fluid is identified in the contact layer to cool the hot spot and the area around the hot spot to achieve temperature uniformity across the heat source while keeping the pressure drop in the heat exchanger small. Shed in the area. As described in the various embodiments described below, the heat exchanger is selected for the contact layer using a plurality of apertures, channels and / or fingers in the manifold layer and using conduits in the intermediate layer. Fluid is circulated and circulated to and from the hot spot area. Alternatively, heat exchangers are specially placed in place to cool the heat source effectively by allowing fluid to flow directly into and out of the hot spot. You may have the port of.

ここでは、デバイスのホットスポット位置を冷却するためのマイクロチャネル熱交換器を説明するが、これに代えて、本発明の熱交換器は、デバイスのコールドスポット位置を加熱するために用いてもよいことは、当業者にとって明らかである。更に、本発明は、マイクロチャネル熱交換器として説明するが、本発明は、この説明に制限されず、他の用途にも用いることができる。   Here, a microchannel heat exchanger for cooling the hot spot position of the device will be described, but alternatively, the heat exchanger of the present invention may be used to heat the cold spot position of the device. This will be apparent to those skilled in the art. Furthermore, although the present invention is described as a microchannel heat exchanger, the present invention is not limited to this description and can be used for other applications.

図2Aは、本発明に基づく、封水的に密閉された好適な柔軟な流体輸送マイクロチャネル熱交換器(flexible fluid delivery microchannel heat exchanger)100を備える循環型冷却装置30の概略を示している。更に、図2Bは、本発明に基づく複数の流体ポート108、109を有する他の柔軟な流体輸送マイクロチャネル熱交換器100を備える循環型冷却装置30の概略を示している。なお、システムは、ここに示す流体輸送マイクロチャネル熱交換器100に制限されず、他の熱交換器の実施形態を備えていてもよい。   FIG. 2A shows a schematic of a circulating cooling device 30 comprising a suitable fluidly sealed microchannel heat exchanger 100 that is hermetically sealed in accordance with the present invention. Furthermore, FIG. 2B shows a schematic of a circulating cooling device 30 comprising another flexible fluid transport microchannel heat exchanger 100 having a plurality of fluid ports 108, 109 according to the present invention. Note that the system is not limited to the fluid transport microchannel heat exchanger 100 shown here, and may include other heat exchanger embodiments.

図2Aに示すように、流体ポート108、109は、流体ライン38に連結され、流体ライン38は、ポンプ32及び熱コンデンサ36に連結されている。ポンプ32は、循環型冷却装置30内で流体をポンピングし、循環させる。一実施形態においては、流体を流体輸送マイクロチャネル熱交換器100に供給するために、1つの流体ポート108を用いる。更に、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100から流体を排出するために、1つの流体ポート109を用いる。一実施形態に置いては、各流体ポート108、109を介して、均一で一定の流量の流体が流体輸送マイクロチャネル熱交換器100に流入し、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100から排出される。これに代えて、所定の時刻に、各流体ポート108、109を介して、流量の異なる流体を流体輸送マイクロチャネル熱交換器100に流入させ及び流体輸送マイクロチャネル熱交換器100から排出してもよい。これに代えて、図2Bに示すように、1つのポンプが複数の指定された流体ポート108であるインレットポートに流体を提供してもよい。これに代えて、複数のポンプ(図示せず)がそれぞれの対応する流体ポート108、109に流体を提供してもよい。更に、これに代えて、このシステムにおいて、様々なホットスポット又はホットスポット位置の熱量の変化、及びホットスポットの位置に応じて、動的感知及び制御モジュール34を用いて好適な又は代替の熱交換器に出入りする流体の流量を動的に変化させ、及び制御してもよい。   As shown in FIG. 2A, fluid ports 108, 109 are connected to fluid line 38, which is connected to pump 32 and thermal condenser 36. The pump 32 pumps and circulates fluid in the circulation type cooling device 30. In one embodiment, one fluid port 108 is used to supply fluid to the fluid transport microchannel heat exchanger 100. In addition, one fluid port 109 is used to drain fluid from the fluid transport microchannel heat exchanger 100. In one embodiment, a uniform and constant flow of fluid flows into and out of the fluid transport microchannel heat exchanger 100 via each fluid port 108, 109. . Alternatively, fluids having different flow rates may flow into the fluid transport microchannel heat exchanger 100 and be discharged from the fluid transport microchannel heat exchanger 100 via the fluid ports 108 and 109 at a predetermined time. Good. Alternatively, as shown in FIG. 2B, a single pump may provide fluid to inlet ports, which are a plurality of designated fluid ports 108. Alternatively, multiple pumps (not shown) may provide fluid to their corresponding fluid ports 108, 109. Further alternatively, in this system, a suitable or alternative heat exchange using the dynamic sensing and control module 34 depending on the change in the amount of heat at various hot spots or hot spot locations and the location of the hot spots. The flow rate of fluid entering and exiting the vessel may be dynamically varied and controlled.

図3Bは、本発明に基づく好適なマニホルド層を備える好適な流体輸送マイクロチャネル熱交換器100である三層式熱交換器の分解図である。図3Bに一実施形態として示す流体輸送マイクロチャネル熱交換器100である三層式熱交換器は、接触層102と、少なくとも1つの中間層104と、少なくとも1つのマニホルド層106とを備える。これに代えて、後述するように、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100は、接触層102とマニホルド層106を含む2層の装置であってもよい。図2A及び図2Bに示すように、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100は、例えば、これらに限定されるのではないが、マイクロチップ又は集積回路等の電子デバイスである電子デバイス99である熱源に連結され、電子デバイス99である熱源と流体輸送マイクロチャネル熱交換器100の間には、好ましくは、サーマルインターフェイス材料98が挟み込まれる。これに代えて、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100は、電子デバイス99である熱源の表面に直接連結してもよい。また、これに代えて、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100を電子デバイス99である熱源に一体に形成し、すなわち、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100と電子デバイス99である熱源を1つの部品として形成してもよいことは当業者にとって明らかである。この場合、接触層102は、電子デバイス99である熱源と一体に設けられ、電子デバイス99である熱源と同じ部品に含まれるように形成される。   FIG. 3B is an exploded view of a three layer heat exchanger, which is a preferred fluid transport microchannel heat exchanger 100 with a preferred manifold layer according to the present invention. The three-layer heat exchanger, which is a fluid transport microchannel heat exchanger 100 shown as an embodiment in FIG. 3B, comprises a contact layer 102, at least one intermediate layer 104, and at least one manifold layer 106. Alternatively, as described below, the fluid transport microchannel heat exchanger 100 may be a two-layer device that includes a contact layer 102 and a manifold layer 106. As shown in FIGS. 2A and 2B, the fluid transport microchannel heat exchanger 100 includes a heat source that is an electronic device 99, for example, but not limited to, an electronic device such as a microchip or an integrated circuit. A thermal interface material 98 is preferably sandwiched between the coupled heat source, which is the electronic device 99, and the fluid transport microchannel heat exchanger 100. Alternatively, the fluid transport microchannel heat exchanger 100 may be directly coupled to the surface of the heat source, which is the electronic device 99. Alternatively, the fluid transport microchannel heat exchanger 100 is integrally formed with the heat source that is the electronic device 99, that is, the fluid transport microchannel heat exchanger 100 and the heat source that is the electronic device 99 are used as one component. It will be apparent to those skilled in the art that it may be formed. In this case, the contact layer 102 is provided integrally with a heat source that is the electronic device 99 and is formed so as to be included in the same component as the heat source that is the electronic device 99.

好ましくは、本発明に基づく流体輸送マイクロチャネル熱交換器100は、図に示すように、長方形状の電子デバイス99である熱源に直接又は間接的に、接触するように構成される。但し、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100が電子デバイス99である熱源の形状に応じた他の如何なる形状を有していてもよいことは、当業者にとって明らかである。例えば、本発明に基づく熱交換器は、半円状の形状を有するように構成してもよく、これにより、熱交換器(図示せず)は、対応する半円状の熱源(図示せず)に直接又は間接的に接触することができる。更に、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100は、0.5mm以上5.0mm以下の範囲で、熱源より僅かに大きい寸法を有していることが好ましい。   Preferably, the fluid transport microchannel heat exchanger 100 according to the present invention is configured to contact directly or indirectly a heat source, which is a rectangular electronic device 99, as shown. However, it will be apparent to those skilled in the art that the fluid transport microchannel heat exchanger 100 may have any other shape depending on the shape of the heat source that is the electronic device 99. For example, a heat exchanger according to the present invention may be configured to have a semicircular shape, whereby a heat exchanger (not shown) can be configured with a corresponding semicircular heat source (not shown). ) Directly or indirectly. Furthermore, the fluid transport microchannel heat exchanger 100 preferably has dimensions slightly larger than the heat source in the range of 0.5 mm to 5.0 mm.

図3Aは、本発明に基づく好適なマニホルド層106の平面図である。詳しくは、マニホルド層106は、図3Bに示すように、上面130及び底面132に加えて、4つの側面を備えている。但し、図3Aでは、マニホルド層106の機能を適切に表し、説明するために、上面130を取り除いて示している。図3Aに示すように、マニホルド層106は、一連のチャネル又は流路116、118、120、122と、これらの流路内に形成された流体ポート108、109とを備える。図3Bに示すように、フィンガ118、120は、マニホルド層106のボディを完全に貫通して、Z−方向に延びている。これに代えて、図3Aに示すように、フィンガ118、120は、マニホルド層106の一部に形成され、Z−方向に延び、アパーチャを有していてもよい。更に、チャネル116、122を、マニホルド層106の一部に延びるように形成してもよい。チャネル116、122に対応するインレット及びアウトレットチャネルの間の残りの領域107は、上面130から底面132まで延び、マニホルド層106のボディを構成する。   FIG. 3A is a plan view of a preferred manifold layer 106 in accordance with the present invention. Specifically, the manifold layer 106 includes four side surfaces in addition to the top surface 130 and the bottom surface 132, as shown in FIG. 3B. However, in FIG. 3A, the upper surface 130 is removed to appropriately represent and explain the function of the manifold layer 106. As shown in FIG. 3A, the manifold layer 106 includes a series of channels or channels 116, 118, 120, 122 and fluid ports 108, 109 formed in these channels. As shown in FIG. 3B, the fingers 118, 120 extend completely through the body of the manifold layer 106 in the Z-direction. Alternatively, as shown in FIG. 3A, the fingers 118, 120 may be formed in part of the manifold layer 106, extend in the Z-direction, and have apertures. Further, the channels 116 and 122 may be formed so as to extend to a part of the manifold layer 106. The remaining region 107 between the inlet and outlet channels corresponding to the channels 116, 122 extends from the top surface 130 to the bottom surface 132 and constitutes the body of the manifold layer 106.

図3Aに示すように、流体は、流体ポート108であるインレットポートを介してマニホルド層106に入り、チャネル116に対応するインレットチャネルに沿って流れ、チャネル116からX方向及びY方向として示す幾つかの方向に分岐する幾つかのフィンガ118に流れ込み、これにより、接触層102の選択された領域に流体が供給される。フィンガ118は、異なる所定の方向に形成され、熱源のホットスポット及びその近傍の領域に対応する接触層102の位置に流体を提供する。接触層102のこれらの位置を、以下では、接触層ホットスポット領域(interface hot spot regions)と呼ぶ。フィンガは、静止した接触層ホットスポット領域を冷却するとともに、時間的に変換する接触層ホットスポット領域をも冷却するよう構成される。図3Aに示すように、チャネル116、122及びフィンガ118、120は、マニホルド層106において、X方向及びY方向に配設される。このようにチャネル116、122及びフィンガ118、120を様々な方向に形成することにより、流体を輸送し、電子デバイス99である熱源のホットスポットを冷却し、及び/又は流体輸送マイクロチャネル熱交換器100内の圧力降下を最小化することができる。これに代えて、図4及び図5の具体例に示すように、マニホルド層106内でチャネル116、122、フィンガ118、120を一定の間隔で配置し、所定のパターンを形成してもよい。   As shown in FIG. 3A, fluid enters the manifold layer 106 through the inlet port, which is the fluid port 108, flows along the inlet channel corresponding to the channel 116, and is shown in the X and Y directions from the channel 116. Flows into a number of fingers 118 that branch in the direction of, thereby supplying fluid to selected areas of the contact layer 102. The fingers 118 are formed in different predetermined directions and provide fluid to the location of the contact layer 102 corresponding to the hot spot of the heat source and the area in the vicinity thereof. These locations of the contact layer 102 are hereinafter referred to as contact hot spot regions. The fingers are configured to cool the stationary contact layer hot spot area and also to cool the temporally converting contact layer hot spot area. As shown in FIG. 3A, the channels 116, 122 and fingers 118, 120 are disposed in the manifold layer 106 in the X and Y directions. Forming channels 116, 122 and fingers 118, 120 in various directions in this way transports fluid, cools hot spots of heat sources that are electronic devices 99, and / or fluid transport microchannel heat exchangers. The pressure drop within 100 can be minimized. Alternatively, as shown in the specific examples of FIGS. 4 and 5, the channels 116 and 122 and the fingers 118 and 120 may be arranged in the manifold layer 106 at regular intervals to form a predetermined pattern.

フィンガ118、120の構成及び寸法は、冷却する必要がある電子デバイス99である熱源のホットスポットに応じて決定される。マニホルド層106は、ホットスポットの位置及び各ホットスポット又はその近傍で発生する熱量に基づき、フィンガ118、120が接触層102内の接触層ホットスポット領域上又はその近傍に配置されるように構成される。マニホルド層106は、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100と循環型冷却装置30(図2A)内で実質的な圧力降下を生じさせることなく、単相流体及び/又は二相流体を接触層102に循環させる。接触層ホットスポット領域に流体を輸送することにより、接触層ホットスポット領域に隣接した熱源の領域と同様に、接触層ホットスポット領域の温度が均一になる。   The configuration and dimensions of the fingers 118, 120 are determined according to the hot spot of the heat source, which is the electronic device 99 that needs to be cooled. Manifold layer 106 is configured such that fingers 118 and 120 are located on or near the contact layer hot spot area in contact layer 102 based on the location of the hot spots and the amount of heat generated at or near each hot spot. The Manifold layer 106 allows single-phase fluid and / or two-phase fluid to contact layer 102 without causing a substantial pressure drop in fluid transport microchannel heat exchanger 100 and circulating cooling device 30 (FIG. 2A). Circulate. By transporting the fluid to the contact layer hot spot region, the temperature of the contact layer hot spot region is uniform, as is the region of the heat source adjacent to the contact layer hot spot region.

チャネル116とフィンガ118の数及び寸法は、多くの要因に基づいて決定される。一実施形態においては、フィンガ118、120に対応するインレット及びアウトレットフィンガは、同じ幅寸法を有する。これに代えて、フィンガ118、120に対応するインレット及びアウトレットフィンガは、異なる幅寸法を有していてもよい。フィンガ118、120の幅寸法は、好ましくは、0.25mm以上0.50mm以下の範囲とする。一実施形態においては、フィンガ118、120に対応するインレット及びアウトレットフィンガは、同じ長さ及び深さ寸法を有する。これに代えて、フィンガ118、120に対応するインレット及びアウトレットフィンガは、異なる長さ及び深さ寸法を有していてもよい。他の実施形態においては、フィンガ118、120に対応するインレット及びアウトレットフィンガは、フィンガの長さに沿って様々な幅寸法を有していてもよい。フィンガ118、120に対応するインレット及びアウトレットフィンガの長さ寸法は、0.5mm以上熱源の長さ寸法の三倍以内の範囲内に形成するとよい。更に、フィンガ118、120は、0.25mm以上0.50mm以下の範囲内の高さ又は深さ寸法を有するように形成するとよい。更に、マニホルド層106内では、1cmあたり10個未満又は30個より多くのフィンガを配設する。但し、マニホルド層において、1cmあたり、10個〜30個のフィンガを設けてもよいことは、当業者にとって明らかである。   The number and size of the channels 116 and fingers 118 are determined based on a number of factors. In one embodiment, the inlet and outlet fingers corresponding to fingers 118, 120 have the same width dimension. Alternatively, the inlet and outlet fingers corresponding to the fingers 118, 120 may have different width dimensions. The width dimension of the fingers 118 and 120 is preferably in the range of 0.25 mm to 0.50 mm. In one embodiment, the inlet and outlet fingers corresponding to fingers 118, 120 have the same length and depth dimensions. Alternatively, the inlet and outlet fingers corresponding to fingers 118, 120 may have different length and depth dimensions. In other embodiments, the inlet and outlet fingers corresponding to the fingers 118, 120 may have various width dimensions along the length of the fingers. The length dimensions of the inlet and outlet fingers corresponding to the fingers 118 and 120 are preferably 0.5 mm or more and within three times the length of the heat source. Further, the fingers 118 and 120 are preferably formed to have a height or depth dimension within a range of 0.25 mm to 0.50 mm. Furthermore, less than 10 or more than 30 fingers per cm are disposed in the manifold layer 106. However, it will be apparent to those skilled in the art that 10-30 fingers per cm may be provided in the manifold layer.

また、本発明においては、熱源のホットスポットの冷却効率を最適化するために、フィンガ118、120及びチャネル116、122を不規則な構成に形成してもよい。電子デバイス99である熱源に亘る均一な温度を実現するために、流体への熱輸送の空間的分布は、熱の発生の空間的分布に一致させるとよい。流体は、接触層に沿って、マイクロチャネルを流れるにつれて、温度が高くなり、二相条件の下で、蒸気に変化し始める。したがって、流体は、著しく膨張し、この結果、流速が著しく速くなる。接触層から流体への熱輸送の効率は、通常、流体の流速が速くなると向上する。したがって、熱交換器100における流体の流入及び排出のためのフィンガ118、120及びチャネル116、122の横断面の寸法を調整することによって、流体への熱輸送効率を調整することができる。   In the present invention, the fingers 118 and 120 and the channels 116 and 122 may be irregularly formed in order to optimize the cooling efficiency of the hot spot of the heat source. In order to achieve a uniform temperature across the heat source, which is the electronic device 99, the spatial distribution of heat transport to the fluid may be matched to the spatial distribution of heat generation. As the fluid flows through the microchannel along the contact layer, the temperature increases and begins to change to vapor under two-phase conditions. Thus, the fluid expands significantly, resulting in a significantly faster flow rate. The efficiency of heat transport from the contact layer to the fluid usually improves as the fluid flow rate increases. Therefore, by adjusting the dimensions of the cross-sections of the fingers 118, 120 and the channels 116, 122 for inflow and outflow of fluid in the heat exchanger 100, the efficiency of heat transport to the fluid can be adjusted.

例えば、インレットの近傍でより高い熱が発生する熱源のために特定のフィンガを設計してもよい。更に、液体と蒸気の混合が予想される領域については、フィンガ118、120及びチャネル116、122の断面を大きくした方が有利である場合がある。図には示さないが、フィンガの断面をインレット側で小さくすることによって、流体の流速を速めることもできる。また、特定のフィンガ又はチャネルの断面を下流のアウトレット側で大きくすることにより、流体の流速を遅めることもできる。フィンガ又はチャネルをこのように設計することにより、熱交換器内の、二相流における液体から蒸気への変化のために、流体の体積、加速度及び速度が増加する領域において、圧力降下を最小化でき、及びホットスポット冷却効率を最適化できる。   For example, a particular finger may be designed for a heat source that generates higher heat near the inlet. In addition, for areas where liquid and vapor mixing is expected, it may be advantageous to increase the cross-section of fingers 118, 120 and channels 116, 122. Although not shown in the figure, the flow velocity of the fluid can be increased by reducing the cross section of the finger on the inlet side. It is also possible to slow the fluid flow rate by increasing the cross-section of a particular finger or channel on the downstream outlet side. By designing the fingers or channels in this way, the pressure drop is minimized in the heat exchanger in the region where the fluid volume, acceleration and velocity increase due to the liquid-to-vapor change in two-phase flow. And hot spot cooling efficiency can be optimized.

更に、フィンガ118、120、及びチャネル116、122をそれらの長さに沿って、一時的に広く、続いて再び狭くすることにより、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100内の異なる所望の位置で流体の流速を速めることができる。これに代えて、フィンガとチャネルの寸法を大から小、小から大と幾度も変化させることで、電子デバイス99である熱源に亘る予想された熱消散分布に応じて、熱輸送効率を調整することが適切である場合もある。なお、フィンガとチャネルの寸法の変化に関する説明は、この実施形態に制限されず、後に説明する他の実施形態にも同様に適用することができる。   In addition, fluids at different desired locations within the fluid transport microchannel heat exchanger 100 can be obtained by temporarily widening and subsequently again narrowing the fingers 118, 120 and channels 116, 122 along their length. The flow rate of can be increased. Instead, the heat and transport efficiency is adjusted according to the expected heat dissipation distribution across the heat source, which is the electronic device 99, by changing the finger and channel dimensions from large to small and from small to large many times. Sometimes it is appropriate. Note that the description regarding the change in the dimensions of the fingers and the channel is not limited to this embodiment, and can be similarly applied to other embodiments described later.

これに代えて、図3Aに示すように、マニホルド層106は、フィンガ118に対応するインレットフィンガ内に1以上のアパーチャ119を備えていてもよい。流体輸送マイクロチャネル熱交換器100である三層式熱交換器では、フィンガ118に沿って流れる流体は、アパーチャ119を介して、中間層104に流れ込む。これに代えて、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100である二層式熱交換器では、フィンガ118に沿って流れる流体は、アパーチャ119から接触層102に直接流れ込む。更に、図3Aに示すように、マニホルド層106は、アウトレットフィンガ120内にアパーチャ121を備えている。流体輸送マイクロチャネル熱交換器100では、中間層104から流れ出る流体は、アパーチャ121を介して、アウトレットフィンガ120に流れ込む。これに代えて、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100である二層式熱交換器では、接触層102から流れ出る流体は、アパーチャ121を介して、アウトレットフィンガ120に直接流れ込む。   Alternatively, as shown in FIG. 3A, the manifold layer 106 may include one or more apertures 119 in the inlet fingers corresponding to the fingers 118. In the three-layer heat exchanger that is the fluid transport microchannel heat exchanger 100, the fluid flowing along the finger 118 flows into the intermediate layer 104 through the aperture 119. Alternatively, in a two-layer heat exchanger that is a fluid transport microchannel heat exchanger 100, the fluid flowing along the finger 118 flows directly from the aperture 119 into the contact layer 102. Further, as shown in FIG. 3A, the manifold layer 106 includes an aperture 121 in the outlet finger 120. In the fluid transport microchannel heat exchanger 100, the fluid flowing out of the intermediate layer 104 flows into the outlet finger 120 through the aperture 121. Instead, in the two-layer heat exchanger that is the fluid transport microchannel heat exchanger 100, the fluid flowing out from the contact layer 102 flows directly into the outlet finger 120 through the aperture 121.

変形例では、フィンガ118、120に対応するインレット及びアウトレットフィンガは、アパーチャを有さないオープンチャネルである。マニホルド層106の底面103は、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100である三層式熱交換器では、中間層104の上面に当接し、二層式熱交換器では、接触層102に当接する。このようにして、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100である三層式熱交換器では、流体は、中間層104とマニホルド層106の間を自由に行き来することができる。流体は、中間層104の導管105によって、適切な接触層ホットスポット領域に適切に出入りするように流される。当業者にとって明らかであるが、導管105は、後述するように、フィンガに直接整列するように配設してもよく又は三層式システム内の他の場所に配設してもよい。   In a variation, the inlet and outlet fingers corresponding to fingers 118, 120 are open channels that do not have apertures. The bottom surface 103 of the manifold layer 106 contacts the upper surface of the intermediate layer 104 in the three-layer heat exchanger that is the fluid transport microchannel heat exchanger 100, and contacts the contact layer 102 in the two-layer heat exchanger. In this way, in the three-layer heat exchanger that is the fluid transport microchannel heat exchanger 100, the fluid can freely move between the intermediate layer 104 and the manifold layer 106. Fluid is flowed through the conduit 105 of the intermediate layer 104 to properly enter and exit the appropriate contact layer hot spot area. As will be apparent to those skilled in the art, conduit 105 may be arranged to align directly with the fingers, as described below, or elsewhere in the three-layer system.

図3Bは、変形例として示すマニホルド層を有する流体輸送マイクロチャネル熱交換器100である三層式熱交換器を示しているが、これに代えて、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100は、マニホルド層106と接触層102からなる二層構造を有していてもよく、この場合、流体は、中間層104を介さず、マニホルド層106と接触層102の間を直接行き来する。ここに示すマニホルド層、中間層及び接触層の構成は、例示的なものであり、実際の構成は、ここに示した構成に制限されないことは当業者にとって明らかである。   FIG. 3B shows a three-layer heat exchanger, which is a fluid transport microchannel heat exchanger 100 having a manifold layer shown as a modification, but instead, the fluid transport microchannel heat exchanger 100 is a manifold. It may have a two-layer structure consisting of the layer 106 and the contact layer 102, in which case the fluid goes directly between the manifold layer 106 and the contact layer 102 without going through the intermediate layer 104. It will be apparent to those skilled in the art that the manifold layer, intermediate layer, and contact layer configurations shown herein are exemplary and that the actual configuration is not limited to the configurations shown herein.

図3Bに示すように、中間層104は、好ましくは、中間層104自体を貫通して延びる複数の導管105を備えている。導管105である流入導管(inflow conduit)は、マニホルド層106から接触層102の指定された接触層ホットスポット領域に流体を流通させる。同様に導管105のアパーチャは、接触層102から流体ポート109に流体を流通させる。このようにして、中間層104は、接触層102から、マニホルド層106に連結された流体ポート109への流体の輸送を提供している。   As shown in FIG. 3B, the intermediate layer 104 preferably comprises a plurality of conduits 105 extending through the intermediate layer 104 itself. An inflow conduit, which is a conduit 105, allows fluid to flow from the manifold layer 106 to a designated contact layer hot spot area of the contact layer 102. Similarly, the aperture in conduit 105 allows fluid to flow from contact layer 102 to fluid port 109. In this way, the intermediate layer 104 provides fluid transport from the contact layer 102 to the fluid port 109 coupled to the manifold layer 106.

導管105は、多くの因子に基づいて、所定のパターンで中間層104内に配設される。これらの因子とは、以下に限定されるものではないが、接触層ホットスポット領域の位置、接触層ホットスポット領域において電子デバイス99である熱源を適切に冷却するために必要な流量、流体の温度等である。他の部分の幅寸法は、最大で数mmに設計されるが、導管105は、数百μm程度の幅寸法を有することが好ましい。但し、導管105は、少なくとも上述した因子に基づいて、この他の寸法に形成してもよい。中間層104の各導管105は、同じ形状及び/又は寸法を有しているが、この条件は、必ずしも必要ではないことは当業者にとって明らかである。例えば、上述したフィンガと同様、導管は、この実施形態に代えて、様々に変化する長さ及び/又は幅寸法を有していてもよい。或いは、導管105は、中間層104を通して一定の深さ又は高さ寸法を有していてもよい。これに代えて、導管105は、異なる深さ寸法を有していてもよく、例えば、中間層104の厚さ方向において、台形又はノズル形の形状を有していてもよい。導管105の水平方向の形状は、図2Cでは、長方形として示しているが、この導管105の水平方向の形状は、円形(図3A)、曲線を含む形状、楕円形等、他の如何なる形状であってもよい。これに代えて、1又は複数の導管105を上部の1又は複数のフィンガの一部又は全体の形状に応じた形状に成形してもよい。   The conduit 105 is disposed in the intermediate layer 104 in a predetermined pattern based on a number of factors. These factors include, but are not limited to, the position of the contact layer hot spot region, the flow rate necessary for appropriately cooling the heat source that is the electronic device 99 in the contact layer hot spot region, and the temperature of the fluid. Etc. The width dimension of other portions is designed to be several mm at the maximum, but the conduit 105 preferably has a width dimension of about several hundred μm. However, the conduit 105 may be formed in other dimensions based at least on the factors described above. It will be apparent to those skilled in the art that each conduit 105 of the intermediate layer 104 has the same shape and / or dimensions, but this condition is not necessary. For example, as with the fingers described above, the conduit may have varying length and / or width dimensions instead of this embodiment. Alternatively, the conduit 105 may have a constant depth or height dimension through the intermediate layer 104. Alternatively, the conduit 105 may have different depth dimensions, for example, a trapezoidal or nozzle-shaped shape in the thickness direction of the intermediate layer 104. The horizontal shape of the conduit 105 is shown as a rectangle in FIG. 2C, but the horizontal shape of the conduit 105 can be any other shape, such as a circle (FIG. 3A), a curved shape, an ellipse, or the like. There may be. Instead of this, the one or more conduits 105 may be formed into a shape corresponding to a part or the whole shape of the upper one or more fingers.

中間層104は、好ましくは、導管105が垂直になるように、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100内で水平に配置される。これに代えて、中間層104は、以下に限定されるものではないが、斜めに又は湾曲させる等、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100内で他の如何なる方向に配置してもよい。これに代えて、導管105は、中間層104内で、水平に、斜めに、湾曲させて、又は他の如何なる方向に配設してもよい。更に、中間層104は、好ましくは、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100の全長に沿って、水平に延び、中間層104は、接触層102をマニホルド層106から完全に分離し、これにより流体を強制的に導管105に流通させてもよい。これに代えて、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100の一部は、マニホルド層106と接触層102の間に中間層104を含まず、これにより、マニホルド層106と接触層102の間で流体を自由に行き来させるようにしてもよい。更に、これに代えて、中間層104は、マニホルド層106と接触層102の間で垂直に延び、独立した、個別の中間層領域を形成するようにしてもよい。これに代えて、中間層104は、マニホルド層106から接触層102までに完全には延びていなくてもよい。   The intermediate layer 104 is preferably positioned horizontally within the fluid transport microchannel heat exchanger 100 such that the conduit 105 is vertical. Alternatively, the intermediate layer 104 may be arranged in any other direction within the fluid transport microchannel heat exchanger 100, such as, but not limited to, slanting or curving. Alternatively, the conduit 105 may be disposed horizontally, diagonally, curved, or in any other direction within the intermediate layer 104. Further, the intermediate layer 104 preferably extends horizontally along the entire length of the fluid transport microchannel heat exchanger 100, and the intermediate layer 104 completely separates the contact layer 102 from the manifold layer 106, thereby allowing fluid to flow. It may be forced to flow through the conduit 105. Alternatively, a portion of the fluid transport microchannel heat exchanger 100 does not include an intermediate layer 104 between the manifold layer 106 and the contact layer 102, thereby allowing fluid to flow between the manifold layer 106 and the contact layer 102. You may make it go freely. Further alternatively, the intermediate layer 104 may extend vertically between the manifold layer 106 and the contact layer 102 to form an independent, individual intermediate layer region. Alternatively, the intermediate layer 104 may not extend completely from the manifold layer 106 to the contact layer 102.

図10Aは、本発明に基づく接触層302の好ましい実施形態の斜視図である。図10Aに示すように、接触層302は、接触層302の底面301から上方に延びる一連のピラー303を備える。更に、図10Aは、接触層302の底面に設けられた底面301である微孔構造を示している。なお、接触層302は、底面301である微孔構造のみを備えていてもよく、この微孔構造と共に、他の如何なる接触層構造体(例えば、マイクロチャネル、ピラー等)を備えていてもよいことは明らかである。   FIG. 10A is a perspective view of a preferred embodiment of a contact layer 302 in accordance with the present invention. As shown in FIG. 10A, the contact layer 302 includes a series of pillars 303 extending upward from the bottom surface 301 of the contact layer 302. Further, FIG. 10A shows a microporous structure that is a bottom surface 301 provided on the bottom surface of the contact layer 302. Note that the contact layer 302 may include only the microporous structure that is the bottom surface 301, and may include any other contact layer structure (for example, a microchannel, a pillar, or the like) together with the microporous structure. It is clear.

好適な接触層302は、好適なマニホルド層302’(図12A)におけるインレットアパーチャから周囲のアウトレットアパーチャへの流体のフローのために、マイクロチャネルではなく、ピラー303を備える。後により詳細に説明するように、流体は、一連のインレットアパーチャを介して接触層302に移動し、インレットアパーチャに対して最適な距離だけ離間して配設されている一連のアウトレットアパーチャを介して接触層302から排出される。換言すれば流体は、各インレットアパーチャから、最も近いアウトレットアパーチャに向かって流れる。好ましくは、各インレットアパーチャは、アウトレットアパーチャに取り囲まれている。このようにして接触層302に入る流体は、周囲のアウトレットアパーチャに向かう方向に流れる。したがって、流体に十分な熱を輸送するとともに、流体がインレットアパーチャからアウトレットアパーチャに流れる際の流体の圧力降下を最小化するために、接触層302には、ピラー303を設けることが好ましい。   The preferred contact layer 302 comprises pillars 303 rather than microchannels for fluid flow from the inlet aperture to the surrounding outlet aperture in the preferred manifold layer 302 '(FIG. 12A). As will be described in more detail later, the fluid travels through the series of inlet apertures to the contact layer 302 and through a series of outlet apertures that are spaced an optimum distance from the inlet aperture. It is discharged from the contact layer 302. In other words, fluid flows from each inlet aperture toward the nearest outlet aperture. Preferably, each inlet aperture is surrounded by an outlet aperture. In this way, the fluid entering the contact layer 302 flows in a direction toward the surrounding outlet aperture. Thus, the contact layer 302 is preferably provided with pillars 303 to transport sufficient heat to the fluid and to minimize the pressure drop of the fluid as it flows from the inlet aperture to the outlet aperture.

接触層302は、好ましくは、底面301から垂線に延び、マニホルド層の底面に接触する、高くて幅狭のピラー303の高密度なアレイを備える。これに代えてピラー303は、マニホルド層の底面に接触していなくてもよい。更に、ピラー303の少なくとも1つは、接触層302の底面301に対して所定の角度で延びてもよい。また、ピラー303は、好ましくは、接触層302に沿って互いから等距離の間隔で配設され、これにより、底面301に亘って、接触層302の熱輸送能力を一定にするとよい。これに代えて、ピラー303は、非等間隔に配置してもよく、例えば図10Bに示す具体例では、接触層302の中央のピラー303は、周縁のピラー303より間隔を広く空けて配設されている。ピラー303の間隔は、電子デバイス99である熱源の寸法、流体への抵抗、ホットスポットのサイズ及び位置、並びに電子デバイス99である熱源からの熱流束密度等に基づいて決定される。例えば、ピラー303の密度を下げると、流体抵抗は小さくなるが、接触層302から流体への熱輸送のための表面積は小さくなる。なお、非等間隔に配設されたピラー303の構成は、図10Bの実施形態には制限されず、熱源に関する条件及び循環型冷却装置30(図2A)の必要な動作に応じて、他の如何なる構成としてもよい。   Contact layer 302 preferably comprises a dense array of high and narrow pillars 303 extending perpendicularly from bottom surface 301 and contacting the bottom surface of the manifold layer. Instead of this, the pillar 303 may not be in contact with the bottom surface of the manifold layer. Further, at least one of the pillars 303 may extend at a predetermined angle with respect to the bottom surface 301 of the contact layer 302. Further, the pillars 303 are preferably arranged at equal distances from each other along the contact layer 302, thereby making the heat transport capability of the contact layer 302 constant over the bottom surface 301. Alternatively, the pillars 303 may be arranged at unequal intervals. For example, in the specific example shown in FIG. Has been. The distance between the pillars 303 is determined based on the size of the heat source that is the electronic device 99, the resistance to the fluid, the size and position of the hot spot, the heat flux density from the heat source that is the electronic device 99, and the like. For example, decreasing the density of the pillar 303 decreases the fluid resistance, but decreases the surface area for heat transport from the contact layer 302 to the fluid. Note that the configuration of the pillars 303 arranged at non-uniform intervals is not limited to the embodiment of FIG. 10B, and other configurations are possible depending on the conditions regarding the heat source and the required operation of the circulating cooling device 30 (FIG. 2A). Any configuration is possible.

更に、ピラー303は、図10Aに示すように、円筒状に形成することが好ましく、これにより、流体は、最小限の抵抗でインレットアパーチャからアウトレットアパーチャに流れる。但し、ピラー303は、以下に限定されるものではないが、方形303B(図10B)、ダイヤモンド形、楕円形303C(図l0C)、六角形303D(図10D)又は他の如何なる形状を有していてもよい。更に、接触層302は、底面301に沿って、異なる形状のピラーの組合せを備えていてもよい。   Furthermore, the pillar 303 is preferably formed in a cylindrical shape, as shown in FIG. 10A, so that fluid flows from the inlet aperture to the outlet aperture with minimal resistance. However, the pillar 303 has, but is not limited to, a square 303B (FIG. 10B), a diamond shape, an ellipse 303C (FIG. 10C), a hexagon 303D (FIG. 10D), or any other shape. May be. Further, the contact layer 302 may comprise a combination of different shaped pillars along the bottom surface 301.

例えば、図10Eに示すように、接触層302は、矩形フィン303Eの幾つかの組を備え、各組内の矩形フィン303Eを互いに放射状に配置してもよい。更に、接触層302は、一組の矩形フィン303Eの間に配置された複数の方形303Bを備えていてもよい。一実施形態においては、放射状に構成された矩形フィン303E内の開いた円形の領域を各インレットアパーチャの下に配置し、短形フィン303Eによって、流体をアウトレットアパーチャに誘導することを助けてもよい。このように、放射状に構成された短形フィン303Eは、接触層302において、冷却用の流体の略々均一な供給を実現しながら圧力降下を最小化することに寄与する。インレット及びアウトレットアパーチャのサイズ及び相対的な位置に応じて、ピラー及び/又はフィンの構成は様々に選択でき、及び流体が単相流であるか二相流であるかに応じて、接触層302の最適の構成を選択できる。ここに説明する如何なる実施形態及びその変形例にも、様々なピラー303の構成を組み合わせることができることは当業者にとって明らかである。   For example, as shown in FIG. 10E, the contact layer 302 may include several sets of rectangular fins 303E, and the rectangular fins 303E in each set may be arranged radially with respect to one another. Further, the contact layer 302 may include a plurality of squares 303B disposed between a set of rectangular fins 303E. In one embodiment, an open circular area in a radially configured rectangular fin 303E may be placed under each inlet aperture, and the short fins 303E may help direct fluid to the outlet aperture. . Thus, the radially configured short fins 303E contribute to minimizing the pressure drop in the contact layer 302 while realizing a substantially uniform supply of the cooling fluid. Depending on the size and relative position of the inlet and outlet apertures, the pillar and / or fin configuration can be variously selected, and depending on whether the fluid is a single phase flow or a two phase flow, the contact layer 302 The most suitable configuration can be selected. It will be apparent to those skilled in the art that any of the embodiments described herein and variations thereof can be combined with various pillar 303 configurations.

好ましくは、本発明に基づく流体輸送マイクロチャネル熱交換器100は、電子デバイス99である熱源より大きな幅を有する。流体輸送マイクロチャネル熱交換器100が電子デバイス99である熱源より大きい場合、張り出し寸法(overhang dimension)が存在する。張り出し寸法とは、電子デバイス99である熱源の1つの外壁と、例えば、インレットポート316(図12A)の内壁等、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100の内部の流体チャネル壁との間の最も遠い距離である。好適な実施形態では、張り出し寸法は、単相流の場合、0〜5mmであり、二相流の場合0〜15mmである。更に、本発明の接触層102の厚さ寸法は、好ましくは、単相流の場合、0.3〜0.7mmであり、二相流の場合、0.3〜1.0mmである。   Preferably, the fluid transport microchannel heat exchanger 100 according to the present invention has a larger width than the heat source that is the electronic device 99. If the fluid transport microchannel heat exchanger 100 is larger than the heat source that is the electronic device 99, there is an overhang dimension. The overhang dimension is the furthest distance between one outer wall of the heat source that is the electronic device 99 and the fluid channel wall inside the fluid transport microchannel heat exchanger 100, such as, for example, the inner wall of the inlet port 316 (FIG. 12A). Distance. In a preferred embodiment, the overhang dimension is 0-5 mm for single phase flow and 0-15 mm for two phase flow. Furthermore, the thickness dimension of the contact layer 102 of the present invention is preferably 0.3 to 0.7 mm for a single-phase flow and 0.3 to 1.0 mm for a two-phase flow.

本発明の実施形態における流体輸送マイクロチャネル熱交換器100は、接触層302上に設けられた底面301である微孔構造を用いる。底面301である微孔構造は、単層流の場合も二相流の場合も、10〜200μmの範囲内の平均孔寸法を有する。更に、微孔構造136の多孔度は、単層流の場合も二相流の場合も、50〜80パーセントの範囲内とすることが望ましい。微孔構造136の高さは、単層流の場合も二相流の場合も、0.25〜2.00mmの範囲内とすることが望ましい。   The fluid transport microchannel heat exchanger 100 in the embodiment of the present invention uses a microporous structure that is a bottom surface 301 provided on a contact layer 302. The microporous structure which is the bottom surface 301 has an average pore size within a range of 10 to 200 μm in both a single laminar flow and a two-phase flow. Furthermore, it is desirable that the porosity of the microporous structure 136 be in the range of 50 to 80 percent in both the single laminar flow and the two-phase flow. It is desirable that the height of the microporous structure 136 be in the range of 0.25 to 2.00 mm in both the single-layer flow and the two-phase flow.

接触層302に沿ってピラー及び/又はマイクロチャネルを用いる実施形態では、本発明に基づく接触層102は、単相流の場合、0.3〜0.7mmの範囲内の厚さ寸法を有し、二相流の場合、0.3〜1.0mmの範囲内の厚さ寸法を有する。更に、単相流の場合も、二相流の場合も、各ピラー又はマイクロチャネルは、10μm〜100μmの範囲内の面積を有する。更に、各ピラー及び/又は間の離間寸法は、単相流の場合も、二相流の場合も、10〜100μmの範囲内とする。マイクロチャネルの幅寸法は、単層流の場合も、二相流の場合も、10〜100μmの範囲内とする。マイクロチャネル及び/又はピラーの高さ寸法は、単相流の場合、50〜800μmの範囲内とし、二相流の場合、50μm〜2mmの範囲内とする。但し、上述した以外の寸法を用いてもよいことは、当業者にとって明らかである。 In embodiments using pillars and / or microchannels along the contact layer 302, the contact layer 102 according to the present invention has a thickness dimension in the range of 0.3 to 0.7 mm for single phase flow. In the case of a two-phase flow, it has a thickness dimension in the range of 0.3 to 1.0 mm. Furthermore, in the case of single-phase flow, in the case of two-phase flow, each pillar or microchannel has an area in the range of 10μm 2 ~100μm 2. Furthermore, the separation dimension between each pillar and / or is in the range of 10 to 100 μm in both the single-phase flow and the two-phase flow. The width dimension of the microchannel is set to be within a range of 10 to 100 μm in both a single-layer flow and a two-phase flow. The height dimension of the microchannel and / or pillar is in the range of 50 to 800 μm in the case of a single-phase flow, and in the range of 50 μm to 2 mm in the case of a two-phase flow. However, it will be apparent to those skilled in the art that dimensions other than those described above may be used.

図3Bは、本発明に基づく接触層102の変形例の斜視図を示している。図3Bに示すように、接触層102は、底面103と、好ましくは、複数のマイクロチャネル壁110とを備え、マイクロチャネル壁110の間の領域は、流体の流路に沿って、流体を流し、又は流通させる。底面103は、平坦であり、電子デバイス99である熱源からの十分な熱輸送を実現する高い熱伝導率を有している。これに代えて、底面103は、特定の位置に流体を集め、又は特定の位置から流体を退けるために設計された凹面(troughs)及び/又は凸面(crests)を備えていてもよい。マイクロチャネル壁110は、図3Bに示すように、平行に形成され、これにより、流体は、流路に沿って、マイクロチャネル壁110間を流れる。   FIG. 3B shows a perspective view of a variation of the contact layer 102 according to the present invention. As shown in FIG. 3B, the contact layer 102 includes a bottom surface 103 and preferably a plurality of microchannel walls 110, and the region between the microchannel walls 110 allows fluid to flow along the fluid flow path. Or distribute. The bottom surface 103 is flat and has a high thermal conductivity that realizes sufficient heat transport from the heat source that is the electronic device 99. Alternatively, the bottom surface 103 may comprise troughs and / or crests designed to collect fluid at a particular location or to retreat fluid from a particular location. The microchannel walls 110 are formed in parallel, as shown in FIG. 3B, so that fluid flows between the microchannel walls 110 along the flow path.

また、これに代えて、上述した因子に基づき、他の如何なる適切な構成でマイクロチャネル壁110を構成してもよいことは、当業者にとって明らかである。例えば、図8Cに示すように、接触層102では、マイクロチャネル壁110のセクションの間に溝を設けてもよい。更に、マイクロチャネル壁110は、接触層102内の圧力降下又は圧力差を最小化するための寸法を有していてもよい。また、以下に限定されるものではないが、粗い表面、例えば、焼結金属及びシリコン泡(silicon foam)等の微孔構造等、マイクロチャネル壁110以外の他の構造を用いてもよいことは明らかである。但し、ここでは、例示的に、図3Bに示す平行なマイクロチャネル壁110を用いて、本発明における接触層102を説明する。これに代えて、マイクロチャネル壁110は、非平行な構成を有していてもよい。   Alternatively, it will be apparent to those skilled in the art that the microchannel wall 110 may be configured in any other suitable configuration based on the factors described above. For example, as shown in FIG. 8C, the contact layer 102 may have grooves between sections of the microchannel wall 110. Further, the microchannel wall 110 may have dimensions to minimize the pressure drop or pressure differential within the contact layer 102. Also, although not limited to the following, other structures other than the microchannel wall 110 may be used, such as a rough surface, for example, a microporous structure such as sintered metal and silicon foam. it is obvious. However, here, the contact layer 102 in the present invention will be described using the parallel microchannel walls 110 shown in FIG. 3B as an example. Alternatively, the microchannel wall 110 may have a non-parallel configuration.

マイクロチャネル壁110により、流体は、接触層ホットスポット領域の選択されたホットスポット位置に沿って、熱交換を行い、その位置で電子デバイス99である熱源を冷却する。マイクロチャネル壁110は、好ましくは、電子デバイス99である熱源の熱量に応じて、10〜100μmの範囲内の幅寸法と、50μm〜2mmの範囲内の高さ寸法とを有する。マイクロチャネル壁110は、熱源の寸法及びホットスポットのサイズ及び熱源からの熱流束密度に応じて、100μmから数cmの範囲内の長さ寸法を有する。これに代えて、他の如何なるマイクロチャネル壁寸法を用いてもよい。マイクロチャネル壁110は、電子デバイス99である熱源の熱量に応じて、50〜500μmの範囲内の間隔で区切られるが、この間隔は、他の如何なる値に設定してもよい。   Through the microchannel wall 110, the fluid exchanges heat along a selected hot spot location in the contact layer hot spot region and cools the heat source, which is the electronic device 99, at that location. The microchannel wall 110 preferably has a width dimension in the range of 10 to 100 μm and a height dimension in the range of 50 μm to 2 mm, depending on the amount of heat of the heat source that is the electronic device 99. The microchannel wall 110 has a length dimension in the range of 100 μm to several cm, depending on the size of the heat source and the size of the hot spot and the heat flux density from the heat source. Alternatively, any other microchannel wall dimension may be used. The microchannel wall 110 is divided by an interval in the range of 50 to 500 μm according to the amount of heat of the heat source that is the electronic device 99, but this interval may be set to any other value.

図3Bでは、マニホルド層106のボディ内のチャネル116、122及びフィンガ118、120を示すために、マニホルド層106の上面を切り取って示している。ここでは、高い熱を発生する電子デバイス99である熱源の位置をホットスポットとし、これより低い熱を発生する電子デバイス99である熱源の位置をウォームスポットとする。図3Bに示すように、電子デバイス99である熱源は、ホットスポット領域である位置Aと、ウォームスポット領域である位置Bとを有する。ホットスポット及びウォームスポットに当接する接触層102の領域は、接触層ホットスポット領域として示されている。すなわち、図3Bに示すように、接触層102は、位置A上の接触層ホットスポット領域Aと、位置B上の接触層ホットスポット領域Bとを含む。   In FIG. 3B, the top surface of the manifold layer 106 is shown cut away to show the channels 116, 122 and fingers 118, 120 in the body of the manifold layer 106. Here, the position of the heat source that is the electronic device 99 that generates high heat is referred to as a hot spot, and the position of the heat source that is the electronic device 99 that generates heat lower than this is referred to as a warm spot. As shown in FIG. 3B, the heat source that is the electronic device 99 has a position A that is a hot spot region and a position B that is a warm spot region. The area of the contact layer 102 that contacts the hot spot and the warm spot is shown as the contact layer hot spot area. That is, as shown in FIG. 3B, the contact layer 102 includes a contact layer hot spot region A on the position A and a contact layer hot spot region B on the position B.

図3A及び図3Bに示すように、流体は、まず、好ましくは、1つの流体ポート108であるインレットポートを介して、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100に流入する。そして、流体は、好ましくは1つのチャネル116に対応するインレットチャネルに流入する。これに代えて、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100は、2つ以上のチャネル116に対応するインレットチャネルを備えていてもよい。図3A及び図3Bに示すように、流体ポート108であるインレットポートからチャネル116に対応するインレットチャネルに沿って流れる流体は、まず、フィンガ118Aに分岐する。更に、チャネル116に対応するインレットチャネルの残りの部分に沿って流れる流体は、フィンガ118B及びフィンガ118C等の個々のフィンガに注ぎ込まれる。   As shown in FIGS. 3A and 3B, the fluid first flows into the fluid transport microchannel heat exchanger 100, preferably through an inlet port, which is one fluid port. The fluid then preferably flows into the inlet channel corresponding to one channel 116. Alternatively, the fluid transport microchannel heat exchanger 100 may include inlet channels corresponding to two or more channels 116. As shown in FIGS. 3A and 3B, the fluid flowing along the inlet channel corresponding to the channel 116 from the inlet port which is the fluid port 108 first branches to the finger 118A. Further, fluid flowing along the remainder of the inlet channel corresponding to channel 116 is poured into individual fingers, such as finger 118B and finger 118C.

図3Bに示す具体例では、流体をフィンガ118Aに注ぎ込むことによって、接触層ホットスポット領域Aに流体を供給する。すなわち、流体は、フィンガ118Aを介して、中間層104に流れ下る。流体は、フィンガ118Aの下に配設されたインレット導管105Aを介して、接触層102に流れ込み、電子デバイス99である熱源と熱交換を行う。上述のように、接触層102のマイクロチャネルは、如何なる方向に配設してもよい。例えば、接触層領域Aのマイクロチャネル111は、接触層102の他のマイクロチャネル壁110に直交する方向に配設されている。これにより、インレット導管105Aからの流体は、図3Bに示すように、マイクロチャネル111に沿って移動し、接触層102の他の領域では、流体は異なる方向に移動する。そして、加熱された流体は、アウトレット導管105Dを介してアウトレットフィンガ120Aに流れ上がる。   In the example shown in FIG. 3B, the fluid is supplied to the contact layer hot spot region A by pouring the fluid into the finger 118A. That is, the fluid flows down to the intermediate layer 104 through the fingers 118A. The fluid flows into the contact layer 102 via the inlet conduit 105A disposed under the finger 118A, and exchanges heat with the heat source that is the electronic device 99. As described above, the microchannels of the contact layer 102 may be arranged in any direction. For example, the microchannel 111 in the contact layer region A is disposed in a direction perpendicular to the other microchannel wall 110 of the contact layer 102. Thereby, the fluid from the inlet conduit 105A moves along the microchannel 111 as shown in FIG. 3B, and in other regions of the contact layer 102, the fluid moves in different directions. The heated fluid then flows up to the outlet finger 120A via the outlet conduit 105D.

同様に、流体は、フィンガ118E及び118Fを介して、中間層104に、Z−方向に流れ下る。次に、流体は、Z−方向に、インレット導管105Cを介して、接触層102に流れ下る。そして、加熱された流体は、接触層102からアウトレット導管105Dを介してアウトレットフィンガ120E、120Fに、Z−方向に流れ上がる。流体輸送マイクロチャネル熱交換器100は、アウトレットフィンガ120を介して、マニホルド層106で加熱された流体を取り除き、アウトレットフィンガ120は、アウトレットチャネル122に連結されている。アウトレットチャネル122により、流体は、好ましくは、1つの流体ポート109であるアウトレットポートを介して、熱交換器から排出される。   Similarly, fluid flows down to the intermediate layer 104 in the Z-direction via fingers 118E and 118F. The fluid then flows down to the contact layer 102 via the inlet conduit 105C in the Z-direction. The heated fluid then flows from the contact layer 102 through the outlet conduit 105D to the outlet fingers 120E, 120F in the Z-direction. The fluid transport microchannel heat exchanger 100 removes the fluid heated in the manifold layer 106 via the outlet fingers 120, which are connected to the outlet channels 122. Through the outlet channel 122, fluid is preferably discharged from the heat exchanger via an outlet port, which is one fluid port 109.

また、好ましくは、導管105である流入及び流出導管は、適切な接触層ホットスポット領域上に直接又は略々直接、配設され、電子デバイス99である熱源のホットスポットに流体を直接供給する。更に、圧力降下を最小化するために、各アウトレットフィンガ120は、特定の接触層ホットスポット領域に対応するアパーチャ119の近傍に配設される。このように、流体は、インレットフィンガ118Aを介して接触層102に流入し、接触層102の底面103に沿って、接触層102からアウトレットフィンガ120Aに最短の距離を移動する。流体が底面103に沿って移動する距離により、不要な量の圧力降下を発生させることなく、電子デバイス99である熱源から熱が適切に取り除かれることは明らかである。更に、図3A及び図3Bに示すように、フィンガ118に沿って流れる流体の圧力降下を減少させるために、フィンガ118、120内のコーナ部分は、好ましくは、曲面となるように形成する。   Also preferably, the inflow and outflow conduits, which are conduits 105, are disposed directly or nearly directly over suitable contact layer hotspot regions to supply fluid directly to the hot spots of the heat source, which is the electronic device 99. Further, in order to minimize the pressure drop, each outlet finger 120 is disposed in the vicinity of the aperture 119 corresponding to a particular contact layer hot spot area. Thus, the fluid flows into the contact layer 102 via the inlet finger 118A and travels the shortest distance from the contact layer 102 to the outlet finger 120A along the bottom surface 103 of the contact layer 102. Obviously, the distance that the fluid travels along the bottom surface 103 properly removes heat from the heat source, which is the electronic device 99, without creating an unnecessary amount of pressure drop. Further, as shown in FIGS. 3A and 3B, in order to reduce the pressure drop of the fluid flowing along the finger 118, the corner portions in the fingers 118, 120 are preferably formed to be curved.

当業者にとって明らかなように、図3A及び3Bに示すマニホルド層106の構成は、例示的なものに過ぎない。マニホルド層106内のチャネル116とフィンガ118の構成は、以下に限定されるものではないが、接触層ホットスポット領域の位置、接触層ホットスポット領域への及び接触層ホットスポット領域からの流体の流量、接触層ホットスポット領域の熱源が発生する熱量等の多くの要因に依存する。例えば、図4〜図7Aに示し、後述するように、マニホルド層106の1つの可能な構成として、平行なインレットフィンガ及びアウトレットフィンガをマニホルド層の幅に沿って交互に配置された、相互に組み合うようなパターン(interdigitated pattern)に構成してもよい。但し、チャネル116とフィンガ118は、他の如何なる構成で配設してもよい。   As will be apparent to those skilled in the art, the configuration of manifold layer 106 shown in FIGS. 3A and 3B is merely exemplary. The configuration of the channels 116 and fingers 118 in the manifold layer 106 is not limited to the following, but includes the location of the contact layer hot spot region, the flow rate of fluid to and from the contact layer hot spot region. It depends on many factors such as the amount of heat generated by the heat source in the contact layer hot spot region. For example, as shown in FIGS. 4-7A and described below, one possible configuration for the manifold layer 106 is to combine parallel inlet and outlet fingers alternately along the width of the manifold layer. You may comprise in such a pattern (interdigitated pattern). However, the channel 116 and the finger 118 may be arranged in any other configuration.

図4は、本発明に基づく熱交換器の他のマニホルド層406の斜視図である。図4のマニホルド層406は、互いに組み合う又は噛み合う複数の平行な流体フィンガ411、412を備え、これにより、熱交換器400と循環型冷却装置30(図2A)内で実質的な圧力降下を生じることなく、単相流体及び/又は二相流体を接触層402に循環させることができる。図4に示すように、流体フィンガ411に対応するインレットフィンガと流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガとは、交互に配置されている。但し、任意の数のインレットフィンガ又はアウトレットフィンガを連続して隣り合うように配置してもよく、したがって、本発明は、図4に示す交互の構成に制限されないことは、当業者にとって明らかである。更に、平行なフィンガが他の平行なフィンガから分岐し、又は平行なフィンガが他の平行なフィンガに連結されるようにフィンガを交互に配置してもよい。したがって、アウトレットフィンガより多くのインレットフィンガを設けてもよく、逆にインレットフィンガより多くのアウトレットフィンガを設けてもよい。   FIG. 4 is a perspective view of another manifold layer 406 of a heat exchanger according to the present invention. The manifold layer 406 of FIG. 4 includes a plurality of parallel fluid fingers 411, 412 that mate or mesh with each other, thereby creating a substantial pressure drop within the heat exchanger 400 and the circulating cooling device 30 (FIG. 2A). Instead, a single phase fluid and / or a two phase fluid can be circulated through the contact layer 402. As shown in FIG. 4, the inlet fingers corresponding to the fluid fingers 411 and the outlet fingers corresponding to the fluid fingers 412 are alternately arranged. However, it will be apparent to those skilled in the art that any number of inlet fingers or outlet fingers may be arranged adjacent to each other, and therefore the present invention is not limited to the alternating configuration shown in FIG. . In addition, the fingers may be arranged alternately such that parallel fingers diverge from other parallel fingers, or parallel fingers are connected to other parallel fingers. Accordingly, more inlet fingers may be provided than outlet fingers, and conversely, more outlet fingers may be provided than inlet fingers.

流体フィンガ411に対応するインレットフィンガは、熱交換器に流入する流体を接触層402に供給し、流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガは、熱交換器400から排出される流体を接触層402から取り出す。 ここに示すマニホルド層406の構成により、流体は、接触層402に流入し、接触層402において非常に短い距離を移動した後、流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガに流入することができる。流体が接触層402に沿って移動する長さを実質的に短くすることにより、熱交換器400及び循環型冷却装置30(図2A)における圧力降下を実質的に低減することができる。   The inlet finger corresponding to the fluid finger 411 supplies the fluid flowing into the heat exchanger to the contact layer 402, and the outlet finger corresponding to the fluid finger 412 extracts the fluid discharged from the heat exchanger 400 from the contact layer 402. . The configuration of the manifold layer 406 shown here allows fluid to flow into the contact layer 402, travel a very short distance in the contact layer 402, and then flow into the outlet fingers corresponding to the fluid fingers 412. By substantially reducing the length of fluid travel along the contact layer 402, the pressure drop in the heat exchanger 400 and the circulating cooling device 30 (FIG. 2A) can be substantially reduced.

図4及び図5に示すように、変形例として示すマニホルド層406は、2つの流体フィンガ411に対応するインレットフィンガに連結され、ここに流体を供給するための流路414を備える。また、図8及び図9に示すマニホルド層406は、流路418に連結された3つの流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガを備える。マニホルド層406の流路414は、流体フィンガ411、412に流体を流通させる平らな底面を有する。これに代えて、選択された流体フィンガ411に流体を流通させるために、流路414には、緩やかな斜面を設けてもよい。これに代えて、流体の一部を接触層402に流れ落とすために、流路414に対応するインレット流路の底面に1以上のアパーチャを設けてもよい。同様にマニホルド層の流路418は、流体を収容し、流体を流体ポート408に流通させるフラットな底面を有していてもよい。これに代えて、選択された流体ポート408に流体を流通させるために、流路418には、緩やかな斜面を設けてもよい。更に、この具体例では、流路414、418の幅を約2mmとする。但し、他の具体例では、他の如何なる幅寸法を用いてもよい。   As shown in FIGS. 4 and 5, the manifold layer 406 shown as a modified example is connected to the inlet fingers corresponding to the two fluid fingers 411, and includes a flow path 414 for supplying fluid thereto. The manifold layer 406 shown in FIGS. 8 and 9 includes outlet fingers corresponding to the three fluid fingers 412 connected to the flow path 418. The flow path 414 of the manifold layer 406 has a flat bottom surface that allows fluid to flow through the fluid fingers 411, 412. Alternatively, a gentle slope may be provided in the flow path 414 to allow fluid to flow through the selected fluid finger 411. Alternatively, one or more apertures may be provided on the bottom surface of the inlet channel corresponding to the channel 414 in order to cause a part of the fluid to flow down to the contact layer 402. Similarly, manifold layer flow path 418 may have a flat bottom surface that contains fluid and allows fluid to flow to fluid port 408. Alternatively, a gentle slope may be provided in the flow path 418 to allow fluid to flow through the selected fluid port 408. Furthermore, in this specific example, the width of the flow paths 414 and 418 is about 2 mm. However, in other specific examples, any other width dimension may be used.

流路414、418は、流体ポート408、409に連結され、流体ポート408、409は、循環型冷却装置30の流体ライン(fluid lines)38(図2A)に連結される。マニホルド層406は、水平方向に配設された流体ポート408、409を備える。これに代えて、図4〜図7には示していないが、マニホルド層406は、後述するように、垂直及び/又は斜めに構成された流体ポート408、409を備えていてもよい。これに代えて、マニホルド層406は流路414を備えていなくてもよい。この場合、流体は、流体ポート408から流体フィンガ411に直接供給される。更に、これに代えて、流体411は、流路418を備えていなくてもよく、この場合、流体フィンガ412内の流体は、流体ポート408を介して、熱交換器400から直接排出される。ここでは、2つの流体ポート408が流路414、418に連結されているが、これに代えて、他の如何なる数のポートを設けてもよい。   The flow paths 414, 418 are connected to fluid ports 408, 409, which are connected to fluid lines 38 (FIG. 2A) of the circulating cooling device 30. The manifold layer 406 includes fluid ports 408 and 409 disposed in the horizontal direction. Alternatively, although not shown in FIGS. 4-7, the manifold layer 406 may include fluid ports 408, 409 configured vertically and / or diagonally, as described below. Instead of this, the manifold layer 406 may not include the flow path 414. In this case, fluid is supplied directly from the fluid port 408 to the fluid finger 411. Further alternatively, the fluid 411 may not include the flow path 418, in which case the fluid in the fluid finger 412 is discharged directly from the heat exchanger 400 via the fluid port 408. Here, the two fluid ports 408 are connected to the flow paths 414, 418, but instead, any other number of ports may be provided.

流体フィンガ411に対応するインレットフィンガは、流体フィンガ411及び循環型冷却装置30(図2A)に沿って大きな圧力降下を発生させることなく、流体が接触層に移動できるようにするための寸法を有する。流体フィンガ411に対応するインレットフィンガの幅寸法は、例えば、0.25mm以上5.00mm以下の範囲とする。但し、他の如何なる寸法を用いてもよい。更に、流体フィンガ411に対応するインレットフィンガの長さ寸法は、0.5mm以上熱源の長さ寸法の三倍以内の範囲内に形成するとよい。これに代えて、この長さ寸法は、如何なる値としてもよい。更に、上述のように、流体がマイクロチャネル410に直接流れるように、流体フィンガ411に対応するインレットフィンガは、マイクロチャネル410に向けて下方に延び、又はマイクロチャネル410の高さより僅かに高い位置に延びる。流体フィンガ411に対応するインレットフィンガの高さ寸法は、0.25mm以上5.00mm以下の範囲内とするとよい。なお、流体フィンガ411は、マイクロチャネル410に向けて下方に延びていなくてもよく、ここに示した以外の如何なる高さ寸法を用いてもよいことは、当業者にとって明らかである。また、ここでは、流体フィンガ411に対応するインレットフィンガは、同じ寸法を有しているが、流体フィンガ411に対応するインレットフィンガは、異なる寸法を有していてもよいことは、当業者にとって明らかである。更に、これに代えて、流体フィンガ411に対応するインレットフィンガは、幅、横断面の寸法及び/又は隣接するフィンガの間の距離を様々に変化させてもよい。特に流体フィンガ411は、長手方向に沿って、より広い幅又はより深い深さを有する領域と、より狭い幅又はより浅い深さを有する領域とを備えていてもよい。このように寸法を変化させることにより、より広い部分を介して、接触層402内の所定の接触層ホットスポット領域に多くの流体を提供するとともに、狭い部分によって、ウォームスポット接触層ホットスポット領域への流量を制限することができる。   The inlet fingers corresponding to the fluid fingers 411 have dimensions to allow fluid to move to the contact layer without creating a large pressure drop along the fluid fingers 411 and the circulating cooling device 30 (FIG. 2A). . The width dimension of the inlet finger corresponding to the fluid finger 411 is, for example, in the range of 0.25 mm or more and 5.00 mm or less. However, any other dimensions may be used. Furthermore, the length dimension of the inlet finger corresponding to the fluid finger 411 is preferably within a range of 0.5 mm or more and within three times the length dimension of the heat source. Alternatively, this length dimension may be any value. Further, as described above, the inlet finger corresponding to the fluid finger 411 extends downward toward the microchannel 410 or at a position slightly higher than the height of the microchannel 410 so that the fluid flows directly into the microchannel 410. Extend. The height dimension of the inlet finger corresponding to the fluid finger 411 is preferably in the range of 0.25 mm or more and 5.00 mm or less. It will be apparent to those skilled in the art that the fluid fingers 411 need not extend downwardly toward the microchannel 410 and may use any height dimension other than those shown here. Also, although the inlet fingers corresponding to the fluid fingers 411 here have the same dimensions, it will be apparent to those skilled in the art that the inlet fingers corresponding to the fluid fingers 411 may have different dimensions. It is. Further, alternatively, the inlet fingers corresponding to the fluid fingers 411 may vary in width, cross-sectional dimensions and / or distance between adjacent fingers. In particular, the fluid finger 411 may include a region having a wider width or deeper depth and a region having a narrower width or shallower depth along the longitudinal direction. By varying the dimensions in this way, more fluid is provided to a given contact layer hot spot region in the contact layer 402 through a wider portion, and the narrow portion provides a warm spot contact layer hot spot region. The flow rate can be limited.

更に、流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガは、循環型冷却装置30(図2A)及び流体フィンガ412に沿って大きな圧力降下を発生させることなく、流体を接触層に移動させるために適した寸法を有する。この流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガは、0.25mm以上5.00以下mmの範囲内の幅寸法を有するが、他の如何なる幅寸法を用いてもよい。更に、流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガの長さ寸法は、0.5mm以上熱源の長さ寸法の三倍以内の範囲内に形成するとよい。更に、流体がマイクロチャネル410に沿って水平に流れた後に、流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガに容易に流れ上がるように、流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガは、マイクロチャネル410の高さまで下方に延びている。流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガの幅寸法は、例えば、0.25mm以上5.00mm以下の範囲とする。但し、他の如何なる寸法を用いてもよい。また、ここでは、流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガは、同じ寸法を有しているが、流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガは、異なる寸法を有していてもよいことは、当業者にとって明らかである。更に、これに代えて、流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガは、幅、横断面の寸法及び/又は隣接するフィンガの間の距離が様々に変化する不規則な形状を有していてもよい。   Further, the outlet fingers corresponding to the fluid fingers 412 have dimensions suitable for moving fluid to the contact layer without creating a large pressure drop along the circulating cooling device 30 (FIG. 2A) and the fluid fingers 412. Have. The outlet finger corresponding to the fluid finger 412 has a width dimension in the range of 0.25 mm or more and 5.00 mm or less, but any other width dimension may be used. Furthermore, the length dimension of the outlet fingers corresponding to the fluid fingers 412 may be formed within a range of 0.5 mm or more and within three times the length dimension of the heat source. Further, the outlet finger corresponding to the fluid finger 412 is lowered down to the height of the microchannel 410 so that after the fluid flows horizontally along the microchannel 410, it easily flows to the outlet finger corresponding to the fluid finger 412. It extends. The width dimension of the outlet finger corresponding to the fluid finger 412 is, for example, in the range of 0.25 mm to 5.00 mm. However, any other dimensions may be used. Also, although the outlet fingers corresponding to the fluid fingers 412 have the same dimensions here, it will be apparent to those skilled in the art that the outlet fingers corresponding to the fluid fingers 412 may have different dimensions. It is. Further alternatively, the outlet fingers corresponding to the fluid fingers 412 may have irregular shapes that vary in width, cross-sectional dimensions, and / or distance between adjacent fingers.

図4及び5に示すように、流体フィンガ411、412に対応するインレット及びアウトレットフィンガは、それぞれセグメント化され、互いに分離されているため、これらの流路内の流体は、混じり合うことはない。詳しくは、図4に示すように、2つの流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガは、マニホルド層406の外側のエッジ側に設けられ、1つの流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガは、マニホルド層406の中央に設けられている。更に、2つのインレット流体フィンガ411は、中央の流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガの両側に隣接するように設けられている。この特定の構成により、接触層402に入る流体は、流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガを介して接触層402から流れ出る前に接触層402内で短い距離を移動する。但し、インレット流路及びアウトレット流路は、他の如何なる適切な構成に配置してもよく、したがって、これらは、ここに示し及び説明する構成に制限されないことは、当業者にとって明らかである。マニホルド層406内の流体フィンガ411、412に対応するインレット及びアウトレットフィンガの数は、3個より多いことが望ましく、マニホルド層406における1cmあたり10個未満であることが望ましい。また、インレット流路とアウトレット流路の数は、ここに示し、説明した構成に制限されるものではなく、他の如何なる数としてもよいことは、当業者にとって明らかである。   As shown in FIGS. 4 and 5, the inlet and outlet fingers corresponding to the fluid fingers 411 and 412 are respectively segmented and separated from each other, so that the fluid in these flow paths does not mix. Specifically, as shown in FIG. 4, outlet fingers corresponding to two fluid fingers 412 are provided on the outer edge side of the manifold layer 406, and outlet fingers corresponding to one fluid finger 412 are provided on the manifold layer 406. It is provided in the center. Further, the two inlet fluid fingers 411 are provided adjacent to both sides of the outlet finger corresponding to the central fluid finger 412. With this particular configuration, fluid entering the contact layer 402 travels a short distance within the contact layer 402 before flowing out of the contact layer 402 via an outlet finger corresponding to the fluid finger 412. However, it will be apparent to those skilled in the art that the inlet and outlet channels may be arranged in any other suitable configuration, and thus are not limited to the configurations shown and described herein. The number of inlet and outlet fingers corresponding to the fluid fingers 411, 412 in the manifold layer 406 is preferably greater than 3 and desirably less than 10 per cm in the manifold layer 406. In addition, it is obvious to those skilled in the art that the number of the inlet channels and the outlet channels is not limited to the configuration shown and described here, and may be any other number.

マニホルド層406は、中間層(図示せず)に連結され、中間層(図示せず)は、接触層402に連結され、これにより熱交換器400である三層式熱交換器が形成される。この中間層は、図3Bに示す実施形態に関連して説明したものである。これに代えて、図7Aに示すように、マニホルド層406を接触層402に連結し、接触層402上に配置して、熱交換器400である二層式熱交換器を形成してもよい。二層式熱交換器の接触層402に連結される好適なマニホルド層406の断面を図6A〜図6Cに示す。詳しくは、図6Aは、図5の線A−Aに沿った熱交換器400の断面図である。更に、図6Bは、図5の線B−Bに沿った熱交換器400の断面図であり、図6は、図5の線C−Cに沿った熱交換器400の断面図である。上述のように、流体フィンガ411、412に対応するインレット及びアウトレットフィンガは、マニホルド層406の上面から底面に延びる。マニホルド層406及び接触層402が互いに連結される場合、流体フィンガ411、412に対応するインレット及びアウトレットフィンガは、接触層402のマイクロチャネル410の高さと同じ高さか、僅かに高い高さを有する。この構成により、流体フィンガ411に対応するインレットフィンガからの流体は、マイクロチャネル410を介して流体フィンガ411に対応するインレットフィンガから容易に流れ出る。更に、この構成により、マイクロチャネル410を介して流れる流体は、マイクロチャネル410を流れた後に、流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガに容易に流れ上がる。   The manifold layer 406 is connected to an intermediate layer (not shown), and the intermediate layer (not shown) is connected to the contact layer 402, thereby forming a three-layer heat exchanger that is the heat exchanger 400. . This intermediate layer has been described in connection with the embodiment shown in FIG. 3B. Alternatively, as shown in FIG. 7A, the manifold layer 406 may be connected to the contact layer 402 and disposed on the contact layer 402 to form a two-layer heat exchanger that is the heat exchanger 400. . A cross section of a suitable manifold layer 406 coupled to the contact layer 402 of the two-layer heat exchanger is shown in FIGS. 6A-6C. Specifically, FIG. 6A is a cross-sectional view of heat exchanger 400 taken along line AA in FIG. 6B is a cross-sectional view of the heat exchanger 400 along line BB in FIG. 5, and FIG. 6 is a cross-sectional view of the heat exchanger 400 along line CC in FIG. As described above, the inlet and outlet fingers corresponding to the fluid fingers 411, 412 extend from the top surface of the manifold layer 406 to the bottom surface. When the manifold layer 406 and the contact layer 402 are coupled together, the inlet and outlet fingers corresponding to the fluid fingers 411, 412 have a height that is the same as or slightly higher than the height of the microchannel 410 of the contact layer 402. With this configuration, the fluid from the inlet finger corresponding to the fluid finger 411 easily flows out of the inlet finger corresponding to the fluid finger 411 via the microchannel 410. Further, this configuration allows fluid flowing through the microchannel 410 to easily flow up to the outlet fingers corresponding to the fluid fingers 412 after flowing through the microchannel 410.

図には示さないが、変形例として、中間層104(図3B)は、マニホルド層406及び接触層402の間に配設してもよい。中間層104(図3B)は、接触層402内の指定された接触層ホットスポット領域に流体を流通させる。更に、中間層104(図3B)を用いて、接触層402に流体の均一なフローを供給することができる。また中間層104を用いて、接触層402の接触層ホットスポット領域に流体を提供し、ホットスポットを適切に冷却し、電子デバイス99である熱源における温度を均一にすることができる。流体フィンガ411、412に対応するインレット及びアウトレットフィンガは、必ずしも必要ではないが、適切にホットスポットを冷却するために、電子デバイス99である熱源のホットスポット上又はその近傍に配設される。   Although not shown in the figure, as an alternative, the intermediate layer 104 (FIG. 3B) may be disposed between the manifold layer 406 and the contact layer 402. The intermediate layer 104 (FIG. 3B) allows fluid to flow to designated contact layer hot spot areas in the contact layer 402. Further, the intermediate layer 104 (FIG. 3B) can be used to provide a uniform flow of fluid to the contact layer 402. In addition, the intermediate layer 104 can be used to provide fluid to the contact layer hot spot region of the contact layer 402, properly cool the hot spot, and make the temperature in the heat source that is the electronic device 99 uniform. The inlet and outlet fingers corresponding to the fluid fingers 411, 412 are not necessarily required, but are disposed on or near the hot spot of the heat source, which is the electronic device 99, in order to properly cool the hot spot.

図7Aは、本発明に基づく他の接触層102を備える他のマニホルド層406の分解図である。接触層102は、図3Bに示すように、マイクロチャネル壁110の連続した構成を含んでいる。この構成では、概略的に言えば、図3Bに示す好適なマニホルド層106と同様に、流体は、流体ポート408を介してマニホルド層406に流入し、流路414を移動し、流体フィンガ411に向かう。流体は、流体フィンガ411に対応するインレットフィンガの開口(opening)に流入し、矢印によって示すように、X−方向に、流体フィンガ411の長さに沿って流れる。更に、流体は、Z−方向に、マニホルド層406の下に設けられた接触層402に流れ下る。図7Aに示すように、接触層402において、流体は、接触層402のX及びY方向の底面に沿って流れ、電子デバイス99である熱源と熱交換を行う。加熱された流体は、流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガを介してZ−方向を上向きに流れ上がって接触層402から流出し、流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガは、X−方向に沿って、マニホルド層406の流路418に加熱された流体を流す。そして、流体は、流路418に沿って流れ、ポート409から流れ出ることによって熱交換器から排出される。   FIG. 7A is an exploded view of another manifold layer 406 with another contact layer 102 in accordance with the present invention. Contact layer 102 includes a continuous configuration of microchannel walls 110, as shown in FIG. 3B. In this configuration, generally speaking, as with the preferred manifold layer 106 shown in FIG. 3B, fluid flows into the manifold layer 406 via the fluid port 408 and travels through the flow path 414 to the fluid fingers 411. Head. The fluid flows into the opening of the inlet finger corresponding to the fluid finger 411 and flows along the length of the fluid finger 411 in the X-direction, as indicated by the arrows. Furthermore, the fluid flows down in the Z-direction to a contact layer 402 provided below the manifold layer 406. As shown in FIG. 7A, in the contact layer 402, the fluid flows along the bottom surface in the X and Y directions of the contact layer 402, and exchanges heat with the heat source that is the electronic device 99. The heated fluid flows upward in the Z-direction through the outlet fingers corresponding to the fluid fingers 412 and out of the contact layer 402, and the outlet fingers corresponding to the fluid fingers 412 move along the X-direction, A heated fluid is caused to flow through the flow path 418 of the manifold layer 406. The fluid then flows along the flow path 418 and is discharged from the heat exchanger by flowing out of the port 409.

図7Aに示すように、接触層は、一組のマイクロチャネル410間に配置された一連の溝416を備え、これらの溝416によって、流体は、流体411、412へ流れ込み及び流体411、412から流れ出る。詳しくは、溝416Aは、他のマニホルド層406の流体フィンガ411に対応するインレットフィンガの真下に位置し、これにより、接触層402に入る流体は、流体フィンガ411に対応するインレットフィンガを介して、溝416Aに隣接するマイクロチャネルに直接流入する。このように、溝416Aにより、流体は、図5に示すように、流体フィンガ411に対応するインレットフィンガから特定の指定された流路に直接流通される。同様に接触層402は、Z方向に、流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガの真下に設けられた溝416Bを有する。これにより、アウトレット流路に向かってマイクロチャネル410に沿って水平に流れる流体は、溝416Bに水平に流れ、及び溝416Bの上の流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガに垂直に流れる。   As shown in FIG. 7A, the contact layer comprises a series of grooves 416 disposed between a set of microchannels 410 that allow fluid to flow into and out of fluids 411, 412. Flows out. Specifically, the groove 416A is located directly below the inlet finger corresponding to the fluid finger 411 of the other manifold layer 406 so that fluid entering the contact layer 402 is routed through the inlet finger corresponding to the fluid finger 411. It flows directly into the microchannel adjacent to the groove 416A. In this way, the groove 416A causes the fluid to flow directly from the inlet finger corresponding to the fluid finger 411 to a specific designated flow path, as shown in FIG. Similarly, the contact layer 402 has a groove 416 </ b> B provided immediately below the outlet finger corresponding to the fluid finger 412 in the Z direction. Thus, fluid that flows horizontally along the microchannel 410 toward the outlet channel flows horizontally to the groove 416B and perpendicularly to the outlet finger corresponding to the fluid finger 412 above the groove 416B.

図6Aは、マニホルド層406及び接触層402を備える熱交換器400の断面図である。詳しくは、図6Aは、流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガと相互に組み合わされた流体フィンガ411に対応するインレットフィンガを示しており、これにより、流体は、流体フィンガ411に対応するインレットフィンガに流れ下り、及び流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガに流れ上がる。更に、図6Aに示すように、流体は、インレット流路及びアウトレット流路の間に配置され、溝416A、416Bによって分離されたマイクロチャネル410を介して水平に流れる。これに代えて、マイクロチャネル壁は、マイクロチャネルによって分離されず、連続していてもよい(図3B)。図6Aに示すように、流体フィンガ411、412に対応するインレット及びアウトレットフィンガの両方又は一方は、溝416の近くの位置の端部に曲面420を有する。この曲面420により、流体は、流体フィンガ411に隣接するマイクロチャネル410に向かって、流体フィンガ411を流れ下る。このように、接触層102に入る流体は、溝416Aに直接流入させるより、より容易にマイクロチャネル410に向かって流れる。同様に流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガの曲面420によって、流体は、マイクロチャネル410から外側の流体フィンガ412に向けられる。   FIG. 6A is a cross-sectional view of a heat exchanger 400 that includes a manifold layer 406 and a contact layer 402. Specifically, FIG. 6A shows an inlet finger corresponding to the fluid finger 411 intercombined with an outlet finger corresponding to the fluid finger 412 so that fluid flows to the inlet finger corresponding to the fluid finger 411. Down and up to the outlet finger corresponding to the fluid finger 412. In addition, as shown in FIG. 6A, the fluid flows horizontally through the microchannel 410 disposed between the inlet and outlet channels and separated by the grooves 416A, 416B. Alternatively, the microchannel walls may be continuous without being separated by the microchannel (FIG. 3B). As shown in FIG. 6A, the inlet and / or outlet fingers corresponding to the fluid fingers 411, 412 have a curved surface 420 at the end near the groove 416. This curved surface 420 causes fluid to flow down the fluid finger 411 toward the microchannel 410 adjacent to the fluid finger 411. In this manner, the fluid entering the contact layer 102 flows more easily toward the microchannel 410 than flowing directly into the groove 416A. Similarly, the outlet finger curved surface 420 corresponding to the fluid finger 412 directs fluid from the microchannel 410 to the outer fluid finger 412.

変形例では、図7Bに示すように、接触層402’は、マニホルド層406(図8及び図9)に関して上述したように、流体フィンガ411に対応するインレットフィンガ及び流体フィンガ412に対応するアウトレットフィンガを備える。変形例では、流体は、流体ポート408’から接触層402’に直接供給される。流体は、流路414’に沿って、流体フィンガ411’に対応するインレットフィンガに向けて流れる。次に、流体は、一組のマイクロチャネル410’を横切り、熱源(図示せず)と熱交換を行い、流体フィンガ412’に対応するアウトレットフィンガに流れ込む。次に、流体は、流体フィンガ412’に対応するアウトレットフィンガに沿って流路418’に流れ、ポート409’を介して、接触層402’から排出される。流体ポート408’、409’は、構成される’接触層402’に形成してもよく、或いはマニホルド層406(図7A)に形成してもよい。   In a variation, as shown in FIG. 7B, the contact layer 402 ′ may include an inlet finger corresponding to the fluid finger 411 and an outlet finger corresponding to the fluid finger 412 as described above with respect to the manifold layer 406 (FIGS. 8 and 9). Is provided. In a variation, fluid is supplied directly from the fluid port 408 'to the contact layer 402'. The fluid flows along the flow path 414 'toward the inlet finger corresponding to the fluid finger 411'. The fluid then traverses the set of microchannels 410 ', exchanges heat with a heat source (not shown), and flows into the outlet fingers corresponding to the fluid fingers 412'. The fluid then flows into the flow path 418 'along the outlet fingers corresponding to the fluid fingers 412' and is discharged from the contact layer 402 'via the port 409'. The fluid ports 408 ', 409' may be formed in the configured 'contact layer 402' or may be formed in the manifold layer 406 (FIG. 7A).

なお、本発明に基づく熱交換器は、ここでは全てが水平方向に動作するように示しているが、この熱交換器は、垂直方向に動作してもよいことは、当業者にとって明らかである。熱交換器は、垂直方向に動作する場合、各インレット流路が隣接するアウトレット流路の上に位置するように構成される。したがって、流体は、インレット流路を介して接触層に入り、アウトレット流路に自然に流れ込む。熱交換器を垂直方向に動作させるために、マニホルド層及び接触層の他の如何なる構成を用いてもよいことは明らかである。   Note that although the heat exchanger according to the present invention is shown here to operate in all horizontal directions, it will be apparent to those skilled in the art that this heat exchanger may operate in the vertical direction. . When operating in the vertical direction, the heat exchanger is configured such that each inlet channel is located above an adjacent outlet channel. Thus, fluid enters the contact layer via the inlet channel and naturally flows into the outlet channel. Obviously, any other configuration of the manifold layer and contact layer may be used to operate the heat exchanger in the vertical direction.

図8A〜図8Cは、本発明に基づく熱交換器の他の実施形態の平面図である。詳しくは、図8Aは、本発明に基づく他のマニホルド層206の平面図である。また、図8B及び図8Cは、それぞれ中間層204及び接触層202の平面図である。更に、図9Aは、他のマニホルド層206を用いた三層式熱交換器を示し、図9Bは、他のマニホルド層206を用いた二層式熱交換器を示す。   8A to 8C are plan views of other embodiments of the heat exchanger according to the present invention. Specifically, FIG. 8A is a plan view of another manifold layer 206 in accordance with the present invention. 8B and 8C are plan views of the intermediate layer 204 and the contact layer 202, respectively. Further, FIG. 9A shows a three-layer heat exchanger using another manifold layer 206, and FIG. 9B shows a two-layer heat exchanger using another manifold layer 206.

図8A及び図9Aに示すように、マニホルド層206は、水平及び垂直に構成された複数の流体ポート208を備える。これに代えて、流体ポート208は、マニホルド層206に対して斜めに又は他の如何なる方向に配設してもよい。流体ポート208は、熱交換器200の所定の接触層ホットスポット領域に流体を効果的に提供するよう、マニホルド層206内の選択された位置に配設される。複数の流体ポート208は、熱交換器200に大きな圧力降下を発生させることなく、流体ポートから特定の接触層ホットスポット領域に直接流体を提供できるという重要な利点を有している。更に、流体ポート208は、接触層ホットスポット領域内の流体が、流体ポート208までの最短距離距離を移動できるように、マニホルド層206内に配設され、これにより、流体は、流体ポート208に対応するインレット及びアウトレットポートの間で最小の圧力降下を維持しながら、温度均一性を実現する。更に、マニホルド層206を用いることにより、接触層202に亘って均等に均一なフローを提供しながら、熱交換器200内の二相フローを安定化できる。なお、これに代えて、2つ以上のマニホルド層206を熱交換器200に設け、一方のマニホルド層206が熱交換器200へ及び熱交換器200から流体を流通させ、他方のマニホルド層(図示せず)が熱交換器200への流体循環の速度を制御するようにしてもよい。これに代えて、複数のマニホルド層206の全てが、接触層202内の対応する選択された接触層ホットスポット領域に流体を循環させるようにしてもよい。   As shown in FIGS. 8A and 9A, the manifold layer 206 includes a plurality of fluid ports 208 configured horizontally and vertically. Alternatively, the fluid port 208 may be disposed at an angle with respect to the manifold layer 206 or in any other direction. The fluid port 208 is disposed at a selected location within the manifold layer 206 to effectively provide fluid to a predetermined contact layer hot spot area of the heat exchanger 200. Multiple fluid ports 208 have the important advantage of being able to provide fluid directly from the fluid port to a particular contact layer hot spot area without causing a large pressure drop in the heat exchanger 200. Further, the fluid port 208 is disposed in the manifold layer 206 so that the fluid in the contact layer hot spot region can travel the shortest distance distance to the fluid port 208 so that the fluid is directed to the fluid port 208. Achieve temperature uniformity while maintaining minimal pressure drop between corresponding inlet and outlet ports. Further, the use of the manifold layer 206 can stabilize the two-phase flow in the heat exchanger 200 while providing an evenly uniform flow across the contact layer 202. In place of this, two or more manifold layers 206 are provided in the heat exchanger 200, and one manifold layer 206 circulates fluid to and from the heat exchanger 200, and the other manifold layer (see FIG. (Not shown) may control the rate of fluid circulation to the heat exchanger 200. Alternatively, all of the plurality of manifold layers 206 may circulate fluid to a corresponding selected contact layer hot spot area in the contact layer 202.

変形例として示すマニホルド層206は、接触層202の寸法に対応する横寸法を有する。更に、マニホルド層206は、電子デバイス99である熱源と同じ寸法を有している。これに代えて、マニホルド層206は、電子デバイス99である熱源より大きくてもよい。マニホルド層206の垂直寸法は、0.1〜10mmの範囲内とするとよい。更に、流体ポート208に連結されるマニホルド層206内のアパーチャの寸法は、1mmから電子デバイス99である熱源の全幅又は全長の間の範囲内とするとよい。   The manifold layer 206 shown as a variation has a lateral dimension corresponding to the dimension of the contact layer 202. Furthermore, the manifold layer 206 has the same dimensions as the heat source that is the electronic device 99. Alternatively, the manifold layer 206 may be larger than the heat source that is the electronic device 99. The vertical dimension of the manifold layer 206 is preferably in the range of 0.1 to 10 mm. Further, the size of the aperture in the manifold layer 206 connected to the fluid port 208 may be in the range between 1 mm to the full width or full length of the heat source that is the electronic device 99.

図11は、本発明に基づく他のマニホルド層206を有する熱交換器200である三層式熱交換器の一部を切欠いて示す透視図である。図11に示すように、熱交換器200は、電子デバイス99である熱源のボディに沿って発生する熱量に基づいて個別の領域に分割される。これらの領域は、垂直な中間層204及び/又は接触層202のマイクロチャネル壁構造体210によって分離される。但し、当業者には明らかであるが、本発明の構成は、図11に示すアセンブリに制限されず、このアセンブリは、例示的な目的のために示しているに過ぎない。熱交換器200は、1つの以上のポンプに連結され、一方のポンプは、インレットポート208Aに連結され、他方のポンプは、アウトレットポート208Bに連結されている。   FIG. 11 is a perspective view of the heat exchanger 200 having another manifold layer 206 according to the present invention with a part cut away. As shown in FIG. 11, the heat exchanger 200 is divided into individual regions based on the amount of heat generated along the body of the heat source that is the electronic device 99. These regions are separated by the vertical intermediate layer 204 and / or the microchannel wall structure 210 of the contact layer 202. However, as will be apparent to those skilled in the art, the configuration of the present invention is not limited to the assembly shown in FIG. 11, which is shown for illustrative purposes only. The heat exchanger 200 is connected to one or more pumps, with one pump connected to the inlet port 208A and the other pump connected to the outlet port 208B.

図3に示すように、電子デバイス99である熱源は、位置Aのホットスポットと、位置Bのウォームスポットとを有し、位置Aのホットスポットは、位置Bのウォームスポットより高い熱を発生する。なお、電子デバイス99である熱源は、如何なる時刻及び如何なる位置において、2つ以上のホットスポット及びウォームスポットを有していてもよいことは明らかである。この具体例では、位置Aがホットスポットであり、位置Aから、より多くの熱が位置A上の接触層202(図11では、接触層ホットスポット領域Aとして示している。)に輸送されるので、熱交換器200では、位置Aを適切に冷却するために、より多くの流体及び/又はより高い流量の流体を接触層ホットスポット領域Aに提供する。なお、この具体例では、接触層ホットスポット領域Bは、接触層ホットスポット領域Aより大きく示されているが、熱交換器200内の接触層ホットスポット領域A、B及び他のあらゆる接触層ホットスポット領域は、如何なるサイズを有していてもよく及び/又は相対的に如何なる構成を有していてもよいことは明らかである。   As shown in FIG. 3, the heat source that is the electronic device 99 has a hot spot at position A and a warm spot at position B, and the hot spot at position A generates higher heat than the warm spot at position B. . It is obvious that the heat source that is the electronic device 99 may have two or more hot spots and warm spots at any time and at any position. In this specific example, the position A is a hot spot, and from the position A, more heat is transported to the contact layer 202 on the position A (shown as the contact layer hot spot area A in FIG. 11). Thus, the heat exchanger 200 provides more fluid and / or a higher flow rate fluid to the contact layer hot spot region A in order to properly cool position A. In this specific example, the contact layer hot spot region B is shown larger than the contact layer hot spot region A, but the contact layer hot spot regions A and B in the heat exchanger 200 and all other contact layer hot spots are shown. It will be appreciated that the spot area may have any size and / or may have any relative configuration.

これに代えて、図11に示すように、流体は、インレットポート208Aを介して熱交換器に入り、中間層204に沿って流入導管205Aに流れることによって接触層ホットスポット領域Aに流入させてもよい。次に、流体は、流入導管205AをZ−方向に流れ下り、接触層202の接触層ホットスポット領域Aに至る。流体は、マイクロチャネル210Aの間を流れ、これにより、位置Aからの熱は、接触層202を介した熱伝導によって、流体に輸送される。加熱された流体は、接触層ホットスポット領域A内の接触層202に沿って、アウトレットポート209Aに向かって流れ、熱交換器200から排出される。特定の接触層ホットスポット領域又は一組の接触層ホットスポット領域について、如何なる数の流体ポート208に対応するインレットポート及び流体ポート209に対応するアウトレットポートを用いてもよいことは、当業者にとって明らかである。更に、アウトレットポート209Aは、接触層202Aの近くに配設されているが、これに代えて、アウトレットポート209Aは、以下に限定されるものではないが、例えばアウトレットポート209B等の他の如何なる位置に垂直に配設に設けてもよい。   Alternatively, as shown in FIG. 11, fluid enters the heat exchanger via inlet port 208A and flows into the contact layer hot spot region A by flowing along the intermediate layer 204 to the inflow conduit 205A. Also good. Next, the fluid flows down the inflow conduit 205 </ b> A in the Z-direction and reaches the contact layer hot spot region A of the contact layer 202. The fluid flows between the microchannels 210 </ b> A so that heat from location A is transported to the fluid by heat conduction through the contact layer 202. The heated fluid flows along the contact layer 202 in the contact layer hot spot area A toward the outlet port 209A and is discharged from the heat exchanger 200. It will be apparent to those skilled in the art that an inlet port corresponding to any number of fluid ports 208 and an outlet port corresponding to fluid ports 209 may be used for a particular contact layer hot spot region or set of contact layer hot spot regions. It is. Further, the outlet port 209A is disposed near the contact layer 202A, but instead the outlet port 209A is not limited to the following, for example, any other location such as the outlet port 209B. You may provide in arrangement | positioning perpendicular | vertical to.

また、図11に示す具体例では、電子デバイス99である熱源は、電子デバイス99である熱源の位置Aより低い熱を発生するウォームスポットを位置Bに有している。アウトレットポート208Bを介して流入する流体は、中間層204Bに沿って流出導管205Bに流れることによって、接触層ホットスポット領域Bに供給される。次に、流体は、流出導管205BをZ−方向に流れ下り、接触層202の接触層ホットスポット領域Bに至る。流体は、X方向及びY方向に、マイクロチャネル210Aの間を流れ、これにより、位置Bからの熱は、接触層202を介した熱伝導によって、流体に輸送される。加熱された流体は、中間層204の流出導管205Bを介して接触層ホットスポット領域B内の全体の接触層202Bに沿って、アウトレットポート209BをZ方向に流れ上がり、熱交換器200から排出される。   In the specific example shown in FIG. 11, the heat source that is the electronic device 99 has a warm spot at the position B that generates heat lower than the position A of the heat source that is the electronic device 99. The fluid that flows in through the outlet port 208B is supplied to the contact layer hot spot region B by flowing into the outflow conduit 205B along the intermediate layer 204B. Next, the fluid flows down the outflow conduit 205 </ b> B in the Z− direction and reaches the contact layer hot spot region B of the contact layer 202. The fluid flows between the microchannels 210A in the X and Y directions, so that heat from location B is transported to the fluid by heat conduction through the contact layer 202. The heated fluid flows up the outlet port 209B in the Z direction along the entire contact layer 202B in the contact layer hot spot region B via the outlet conduit 205B of the intermediate layer 204 and is discharged from the heat exchanger 200. The

これに代えて、図9Aに示すように、熱交換器200は、接触層202上に配設された蒸気透過膜214を備えていてもよい。蒸気透過膜214は、熱交換器200の内壁に封水的に接触している。蒸気透過膜214は、幾つかの小さいアパーチャを有し、接触層202に沿って発生した蒸気は、このアパーチャを介してアウトレットポート209に流入する。また、蒸気透過膜214は、疎水性を有するように構成され、これにより、蒸気透過膜214は、接触層202に沿って流れる液体がアパーチャを通り抜けることを防いでいる。蒸気透過膜114のこの他の詳細については、2003年2月12日に出願された、同時に係属中である米国特許出願番号第10/366,128号、発明の名称、「蒸気透過マイクロチャネル熱交換器(VAPOR ESCAPE MICROCHANNEL HEAT EXCHANGER)」に開示されており、この文献は、引用により本願に援用されるものとする。   Instead, as shown in FIG. 9A, the heat exchanger 200 may include a vapor permeable membrane 214 disposed on the contact layer 202. The vapor permeable membrane 214 is in sealing contact with the inner wall of the heat exchanger 200. The vapor permeable membrane 214 has several small apertures, and vapor generated along the contact layer 202 flows into the outlet port 209 via the apertures. Further, the vapor permeable membrane 214 is configured to have hydrophobicity, whereby the vapor permeable membrane 214 prevents the liquid flowing along the contact layer 202 from passing through the aperture. For other details of the vapor permeable membrane 114, see also co-pending US patent application Ser. No. 10 / 366,128, filed Feb. 12, 2003, entitled “Vapor-permeable microchannel heat. "VAPOR ESCAPE MICROCHANNEL HEAT EXCHANGER", which is incorporated herein by reference.

図12Aは、本発明に基づく好適な熱交換器300の分解図である。図12Bは、本発明に基づく他の熱交換器300’の分解図である。図12A及び図12Bに示すように、熱交換器300、300’は、接触層302、302’及びこれらに連結されるマニホルド層306、306’を備える。上述のように、熱交換器300、300’は、熱源(図示せず)に連結されていてもよく、熱源と一体に構成されていてもよい(例えば、マイクロプロセッサに組み込まれていてもよい)。なお、接触層302、302’は、実質的に外部には露出しないが、図12Aでは、説明のために、接触層302、302’を露出させて示していることは当業者にとって明らかである。好ましくは、接触層302、302’は、底面301に沿って配設された複数のピラー303を備える。更に、ピラー303は、図10A〜図10Eを用いて説明したように、如何なる形状を有していてもよく、及び/又は放射状に構成された短形フィン303Eを設けてもよい。更に、接触層302は、(例えば、マイクロチャネル、粗い表面等)上述した他の如何なる特徴を有していてもよい。接触層302及び接触層302内の構造体は、好ましくは、好適な実施形態に関して上述したように、同じ熱伝導率特性を有し、ここでは同じ説明は繰り返さない。ここに示す具体例では、接触層302は、マニホルド層306に比べて小さな寸法を有しているが、接触層302及びマニホルド層306の寸法は、互いに及び電子デバイス99である熱源に対して、他の如何なる関係を有していてもよいことは当業者にとって明らかである。接触層302、302’は、上述した接触層と同じ特性を有しており、ここでは同じ説明は繰り返さない。   FIG. 12A is an exploded view of a preferred heat exchanger 300 in accordance with the present invention. FIG. 12B is an exploded view of another heat exchanger 300 'according to the present invention. As shown in FIGS. 12A and 12B, the heat exchanger 300, 300 'includes contact layers 302, 302' and manifold layers 306, 306 'connected thereto. As described above, the heat exchangers 300 and 300 ′ may be connected to a heat source (not shown) or may be configured integrally with the heat source (eg, may be incorporated in a microprocessor). ). Although the contact layers 302 and 302 ′ are not substantially exposed to the outside, it is obvious to those skilled in the art that FIG. 12A shows the contact layers 302 and 302 ′ exposed for explanation. . Preferably, the contact layers 302, 302 ′ include a plurality of pillars 303 disposed along the bottom surface 301. Furthermore, the pillar 303 may have any shape as described with reference to FIGS. 10A to 10E, and / or may be provided with the short fins 303 </ b> E configured radially. Further, the contact layer 302 may have any of the other features described above (eg, microchannels, rough surfaces, etc.). Contact layer 302 and the structure within contact layer 302 preferably have the same thermal conductivity characteristics, as described above with respect to the preferred embodiments, and the same description will not be repeated here. In the example shown here, the contact layer 302 has a smaller dimension than the manifold layer 306, but the dimensions of the contact layer 302 and the manifold layer 306 are relative to each other and to the heat source that is the electronic device 99. It will be apparent to those skilled in the art that any other relationship may be present. The contact layers 302, 302 'have the same characteristics as the contact layers described above, and the same description will not be repeated here.

多くの場合、好適な熱交換器300は、マニホルド層306の輸送チャネル(delivery channels)322を用いて、熱交換器内での圧力降下を最小化する。輸送チャネル322は、マニホルド層306内で垂直方向に配設され、接触層302に垂直に流体を供給して、熱交換器300での圧力降下を低減する。上述のように、流体が少なくない時間及び/又は距離に亘って、接触層に沿ってX方向及びY方向に流れると、熱交換器300において圧力降下が発生又は上昇する。マニホルド層306は、幾つかの輸送チャネル322によって、接触層302に垂直に流体を長くことによって、X方向及びY方向におけるフローを最小化する。換言すれば接触層302には、上方から、流体が個別に直接吹き付けられる。輸送チャネル322は、相互に最適な距離に配設され、これにより、X方向及びY方向の流体の流れを最小限にし、多くが接触層302に対して垂直に流れるようにする。したがって、最適に配置された輸送チャネル322からの個々の流路の力により、流体は、接触層302から離れる上向きの方向に流れる。更に、個々の輸送チャネル322は、接触層302内で流量を幾つかの輸送チャネル322に最大限に分割し、これにより、電子デバイス99である熱源を効果的に冷却しながら、熱交換器300における圧力降下を低減させることができる。更に、好適な熱交換器300の構成では、電子デバイス99である熱源を適切に冷却するために、流体が水平方向であるX方向及びY方向に移動する距離を短くできるので熱交換器300は、他の熱交換器より小さくすることができる。   In many cases, the preferred heat exchanger 300 uses delivery channels 322 in the manifold layer 306 to minimize pressure drop within the heat exchanger. The transport channel 322 is disposed vertically within the manifold layer 306 and supplies fluid vertically to the contact layer 302 to reduce the pressure drop across the heat exchanger 300. As described above, a pressure drop occurs or rises in the heat exchanger 300 as the fluid flows in the X and Y directions along the contact layer for a significant amount of time and / or distance. Manifold layer 306 minimizes flow in the X and Y directions by lengthening the fluid perpendicular to contact layer 302 by several transport channels 322. In other words, the fluid is directly sprayed onto the contact layer 302 from above. The transport channels 322 are arranged at an optimum distance from each other, thereby minimizing fluid flow in the X and Y directions, with much flowing perpendicular to the contact layer 302. Thus, fluid flows in an upward direction away from the contact layer 302 due to the forces of the individual flow paths from the optimally positioned transport channel 322. Furthermore, the individual transport channels 322 divide the flow rate into several transport channels 322 to the maximum within the contact layer 302, thereby effectively cooling the heat source, which is the electronic device 99, while the heat exchanger 300. The pressure drop at can be reduced. Furthermore, in the preferred heat exchanger 300 configuration, the distance for the fluid to move in the X direction and the Y direction, which are horizontal directions, can be shortened in order to properly cool the heat source that is the electronic device 99. It can be made smaller than other heat exchangers.

図12Aに示す好適なマニホルド層306は、2つの独立したレベルを有している。具体的には、マニホルド層306は、レベル308及びレベル312を有している。レベル308は、接触層302及びレベル312に連結されている。図12Aでは、レベル312は、レベル308の上に配設されているが、レベル308をレベル312の上に配設してもよいことは当業者にとって明らかである。また、本発明に基づいて、幾つのレベルを設けてもよいことも当業者にとって明らかである。   The preferred manifold layer 306 shown in FIG. 12A has two independent levels. Specifically, the manifold layer 306 has a level 308 and a level 312. Level 308 is coupled to contact layer 302 and level 312. In FIG. 12A, level 312 is disposed above level 308, but it will be apparent to those skilled in the art that level 308 may be disposed above level 312. It will also be apparent to those skilled in the art that any number of levels may be provided based on the present invention.

図12Bに変形例として示すマニホルド層306’は、3つの独立したレベルを有する。具体的には、マニホルド層306’は、循環レベル304’、レベル308’及びレベル312’を有している。循環レベル304’は、接触層302’及びレベル308’に連結されている。レベル308’は、循環レベル304’及びレベル312’に連結されている。図12Bでは、レベル312’は、レベル308’の上に配設されているが、レベル308’をレベル312’の上に配設してもよいことは当業者にとって明らかである。また、本発明に基づいて、幾つのレベルを設けてもよいことも当業者にとって明らかである、
図12Cは、本発明に基づく循環レベル304’の斜視図である。循環レベル304’は上面304A’及び底面304B’を有する。また、図12B及び図12Cに示すように、循環レベル304’は内には、幾つかのアパーチャ322’が開設されている。一実施形態においては、アパーチャ322’の開口は、底面304B’と同一平面に設けられる。これに代えてアパーチャ322’は、底面304B’を超えて突出し、より近くから接触層302’に流体を供給するようにしてもよい。更に、循環レベル304’は、上面304A’から底面304B’に垂直に貫通する幾つかのアパーチャ324’有していてもよく、アパーチャ324’は、Z−方向に、所定の距離だけ突出していてもよい。或いは、アパーチャ322’、324’は、循環レベルにおいて、所定の角度で延びていてもよく、完全に垂直である必要はないことは当業者にとって明らかである。上述のように、一実施形態では、接触層302’(図12B)は、循環レベル304’の底面304B’に連結される。このように、流体は、Z−方向にアパーチャ322’を介して接触層302’に流入し、Z−方向にアパーチャ324’のみを介して、接触層302’から排出される。後述するように、アパーチャ322’を介して接触層302’に入る流体は、循環レベル304’のアパーチャ324’を介して接触層302’から排出される流体とは分離される。
The manifold layer 306 ′ shown as a variation in FIG. 12B has three independent levels. Specifically, the manifold layer 306 ′ has a circulation level 304 ′, a level 308 ′, and a level 312 ′. Circulation level 304 ′ is coupled to contact layer 302 ′ and level 308 ′. Level 308 ′ is coupled to circulation level 304 ′ and level 312 ′. In FIG. 12B, level 312 ′ is disposed above level 308 ′, but it will be apparent to those skilled in the art that level 308 ′ may be disposed above level 312 ′. It will also be apparent to those skilled in the art that any number of levels may be provided based on the present invention.
FIG. 12C is a perspective view of the circulation level 304 ′ according to the present invention. The circulation level 304 ′ has a top surface 304A ′ and a bottom surface 304B ′. Also, as shown in FIGS. 12B and 12C, several apertures 322 ′ are opened in the circulation level 304 ′. In one embodiment, the opening of the aperture 322 ′ is provided in the same plane as the bottom surface 304B ′. Alternatively, the aperture 322 ′ may protrude beyond the bottom surface 304B ′ and supply fluid to the contact layer 302 ′ from a closer location. Furthermore, the circulation level 304 ′ may have several apertures 324 ′ that penetrate perpendicularly from the top surface 304A ′ to the bottom surface 304B ′, the aperture 324 ′ projecting a predetermined distance in the Z-direction. Also good. Alternatively, it will be apparent to those skilled in the art that the apertures 322 ', 324' may extend at a predetermined angle at the circulation level and need not be completely vertical. As described above, in one embodiment, the contact layer 302 ′ (FIG. 12B) is coupled to the bottom surface 304B ′ of the circulation level 304 ′. In this way, the fluid flows into the contact layer 302 ′ via the aperture 322 ′ in the Z-direction and is discharged from the contact layer 302 ′ via only the aperture 324 ′ in the Z-direction. As will be described below, the fluid entering the contact layer 302 ′ via the aperture 322 ′ is separated from the fluid exiting the contact layer 302 ′ via the aperture 324 ′ at the circulation level 304 ′.

図12Cに示すように、アパーチャ324’の一部は、好ましくは、循環レベル304’の上面304A’から、Z−方向に延びる筒状の部材を有し、これにより、流体は、アパーチャ324’を介して、レベル312’のコリダ326’(図12F及び図12G)に直接流れる。筒状の突起の断面は、図12Cのように円形であることが好ましいが、この形状は如何なる形状であってもよい。なお、流体は、接触層302’に沿って各アパーチャ322’から隣接するアパーチャ324’に水平方向及び垂直方向に流れる。アパーチャ322’及びアパーチャ324’は、互いに熱的に絶縁することが好ましく、これにより、マニホルド層306’を介して接触層302’から排出された加熱された流体からの熱は、マニホルド層306’を介して接触層302’に注ぐ冷却された流体に伝播しない。   As shown in FIG. 12C, a portion of the aperture 324 ′ preferably includes a cylindrical member extending in the Z-direction from the upper surface 304A ′ of the circulation level 304 ′, so that the fluid is allowed to pass through the aperture 324 ′. To the level 312 ′ corridor 326 ′ (FIGS. 12F and 12G). The cross section of the cylindrical protrusion is preferably circular as shown in FIG. 12C, but this shape may be any shape. Note that fluid flows in a horizontal and vertical direction from each aperture 322 'along the contact layer 302' to the adjacent aperture 324 '. Aperture 322 ′ and aperture 324 ′ are preferably thermally isolated from each other so that heat from the heated fluid exhausted from contact layer 302 ′ through manifold layer 306 ′ can be removed from manifold layer 306 ′. Does not propagate to the cooled fluid that pours into the contact layer 302 ′ via.

図12Dは、本発明に基づくレベル308の好適な実施形態を示している。図12Dに示すように、レベル308は、上面308A及び底面308Bを有している。好ましくは、レベル308の底面308Bは、図12Aに示すように、接触層302に直接連結される。レベル308は、窪んだコリダ320を備え、コリダ320は、好ましくは、流体を接触層302に供給する数個の輸送チャネル322を備える。窪んだコリダ320は、接触層302に封水的に接触し、接触層302から排出される流体は、コリダ320内の輸送チャネル322の周り及び輸送チャネル322間を流れ、ポート314を介して外に排出される。なお、接触層302から排出される流体は、輸送チャネル322には流入しない。   FIG. 12D shows a preferred embodiment of level 308 according to the present invention. As shown in FIG. 12D, the level 308 has a top surface 308A and a bottom surface 308B. Preferably, the bottom surface 308B of level 308 is directly coupled to the contact layer 302 as shown in FIG. 12A. Level 308 includes a recessed corridor 320 that preferably includes several transport channels 322 that supply fluid to the contact layer 302. The recessed corridor 320 is in sealing contact with the contact layer 302, and the fluid discharged from the contact layer 302 flows around and between the transport channels 322 in the corridor 320 and exits via the port 314. To be discharged. Note that the fluid discharged from the contact layer 302 does not flow into the transport channel 322.

図12Eは、本発明に基づくレベル308’の裏面の斜視図である。レベル308’は、上面308A’及び底面308B’を有し、レベル308’の底面308B’は、循環レベル304’(図12C)に直接連結される。レベル308’は、好ましくは、ポート314’、コリダ320’及び底面308B’側の複数のアパーチャ322’、324’を有する。レベル308’に幾つのポート及びコリダを設けてもよいことは当業者にとって明らかである。図12Eに示すアパーチャ322’、324’は、循環レベル304’に面するように構成される。具体的には、図12Eに示すように、アパーチャ322’は、コリダ320’に流入する流体を接触層302’に流し、アパーチャ324’は、接触層302’からの流体をレベル312’に流す。アパーチャ324’は、レベル308’のコリダ320’を貫通して延びている。アパーチャ324’は、個別に分離され、これにより、アパーチャ324’を介して流れる流体は、アパーチャ324’に関連するシリンダを介して流れる流体に接触したり混じり合ったりすることはない。また、各アパーチャ324’を分離することにより、各アパーチャ324’を介して流れ込む流体が、アパーチャ324’によって提供される流路に沿って流れることを確実にすることができる。アパーチャ324’は、垂直に構成することが好ましい。これにより、流体は、マニホルド層306’の大部分において、垂直に流れる。特に、接触層及びレベルの間にアパーチャ322’を設ける場合、アパーチャ322’にも同様の手法を適用できることは明らかである。   FIG. 12E is a perspective view of the back side of level 308 'according to the present invention. Level 308 'has a top surface 308A' and a bottom surface 308B ', and the bottom surface 308B' of level 308 'is directly coupled to circulation level 304' (FIG. 12C). The level 308 'preferably includes a port 314', a corridor 320 'and a plurality of apertures 322', 324 'on the bottom 308B' side. It will be apparent to those skilled in the art that any number of ports and corridors may be provided at level 308 '. The apertures 322 ', 324' shown in FIG. 12E are configured to face the circulation level 304 '. Specifically, as shown in FIG. 12E, the aperture 322 ′ causes fluid flowing into the collider 320 ′ to flow to the contact layer 302 ′, and the aperture 324 ′ causes fluid from the contact layer 302 ′ to flow to level 312 ′. . The aperture 324 'extends through the corridor 320' at the level 308 '. The apertures 324 'are individually separated so that the fluid flowing through the aperture 324' does not contact or mix with the fluid flowing through the cylinder associated with the aperture 324 '. Also, separating each aperture 324 'can ensure that the fluid flowing through each aperture 324' flows along the flow path provided by the aperture 324 '. The aperture 324 'is preferably configured vertically. This allows fluid to flow vertically in most of the manifold layer 306 '. In particular, if an aperture 322 'is provided between the contact layer and the level, it is clear that a similar approach can be applied to the aperture 322'.

この具体例では、各アパーチャ又は孔322’は、同じサイズを有しているが、各アパーチャ322’は、長さに沿って異なる又は変化する径を有していてもよい。例えば、ポート314に近いアパーチャ322’の径を小さくし、ここを通る流量を制限してもよい。アパーチャ322’を小さくすると、流体は、ポート314から遠い、アパーチャ322’の下側に流れやすくなる。アパーチャ322’の径をこのように変化させることにより、流体を接触層302に、より一様に供給することができる。接触層302における既知の接触層ホットスポット領域を効果的に冷却するためにアパーチャ322’の径を変更してもよいことは当業者にとって明らかである。上の説明は、アパーチャ324’にも適用でき、アパーチャ324’の寸法を異ならせ又は変化させて、接触層302から流出する流体を一定にしてもよいことは当業者にとって明らかである。   In this embodiment, each aperture or hole 322 'has the same size, but each aperture 322' may have a different or varying diameter along the length. For example, the diameter of the aperture 322 'close to the port 314 may be reduced to limit the flow rate therethrough. Reducing the aperture 322 'facilitates fluid flow away from the port 314 and below the aperture 322'. By changing the diameter of the aperture 322 ′ in this way, the fluid can be supplied to the contact layer 302 more uniformly. It will be apparent to those skilled in the art that the diameter of the aperture 322 'may be varied to effectively cool a known contact layer hot spot area in the contact layer 302. The above description is also applicable to the aperture 324 ', and it will be apparent to those skilled in the art that the size of the aperture 324' may be varied or changed to make the fluid flowing out of the contact layer 302 constant.

好適な実施形態では、ポート314は、レベル308及び接触層302に流体を提供する。図12Dに示すポート314は、好ましくは、上面308Aから、レベル308のボディの一部を介してコリダ320に延びる。これに代えてポート314は、レベル308の側面又は底面からコリダ320に接続されてもよい。好ましくは、ポート314は、レベル312(図12A、図12B)においてポート315に連結される。ポート314は、図12Cに示すように、密閉され、又は図12Dに示すように、窪みとして形成されたコリダ320に接続される。コリダ320は、好ましくは、接触層302からポート314に流体を流す役割を果たす。或いは、コリダ320は、ポート314から接触層302に流体を流す。   In the preferred embodiment, port 314 provides fluid to level 308 and contact layer 302. The port 314 shown in FIG. 12D preferably extends from the top surface 308A to the corrider 320 through a portion of the level 308 body. Alternatively, the port 314 may be connected to the corridor 320 from the side or bottom surface of the level 308. Preferably, port 314 is coupled to port 315 at level 312 (FIGS. 12A, 12B). The port 314 is sealed as shown in FIG. 12C or connected to a corridor 320 formed as a depression as shown in FIG. 12D. The corrider 320 preferably serves to flow fluid from the contact layer 302 to the port 314. Alternatively, the corrider 320 allows fluid to flow from the port 314 to the contact layer 302.

図12F及び図12Gに示すように、レベル312のポート315は、好ましくは、ポート314に揃えられ、接続される。図12Aに示すように、流体は、好ましくは、インレットポート316を介して熱交換器300に流入し、コリダ328を介して、レベル308の輸送チャネル322、そして最終的に接触層302に流れ下る。或いは、図12Bに示すように、流体は、好ましくは、ポート315’を介して、熱交換器300’に流入し、レベル308’のポート314’を介して、接触層302’に流れる。図12Fに示すポート315は、好ましくは、上面312Aからレベル312のボディに延びる。これに代えてポート315は、レベル312の側面から延ばしてもよい。これに代えて、レベル312は、ポート315を有していなくてもよく、この場合、流体は、ポート314(図12D及び図12E)を介して熱交換器300に入る。更に、レベル312は、インレットポート316を備え、インレットポート316は、好ましくは、コリダ328’に流体を流す。このレベルは、幾つのポート及びコリダを含んでいてもよいことは当業者にとって明らかである。コリダ328は、好ましくは、輸送チャネル322から、最終的に接触層302に流体を流通させる。   As shown in FIGS. 12F and 12G, the level 312 port 315 is preferably aligned with and connected to the port 314. As shown in FIG. 12A, fluid preferably flows into heat exchanger 300 via inlet port 316 and flows down to level 308 transport channel 322 and ultimately to contact layer 302 via corridor 328. . Alternatively, as shown in FIG. 12B, fluid preferably enters heat exchanger 300 'via port 315' and flows to contact layer 302 'via port 314' at level 308 '. The port 315 shown in FIG. 12F preferably extends from the top surface 312A to the level 312 body. Alternatively, port 315 may extend from the side of level 312. Alternatively, level 312 may not have a port 315, in which case fluid enters heat exchanger 300 via port 314 (FIGS. 12D and 12E). In addition, level 312 includes an inlet port 316, which preferably allows fluid to flow through corridor 328 '. It will be apparent to those skilled in the art that this level may include any number of ports and corridors. The corridor 328 preferably allows fluid to flow from the transport channel 322 to the contact layer 302 eventually.

図12Gは、本発明に基づくレベル312’の変形例の裏面の斜視図である。レベル312’は、好ましくは、図12Eに示すレベル308’に連結される。図12Fに示すように、レベル312’は、底面312B’に沿って露出する窪んだコリダ328’をボディ内に備えている。窪んだコリダ328’は、インレットポート316’に接続され、流体は、窪んだコリダ328’からインレットポート316’に直接移動する。窪んだコリダ328’は、レベル308’の上面308A’の上に配設され、これにより、流体は、アパーチャ324’からコリダ328’に自由に移動することができる。窪んだコリダ320’及び底面312B’の周囲はレベル312’の上面308A’に対して密封されており、これにより、アパーチャ324’からの流体の全てがコリダ328’を介してインレットポート316’に流入する。底面312B’の各アパーチャ330’は、レベル308’(図12E)のアパーチャ321’に揃えられ、接続され、アパーチャ330’は、レベル308’の上面308A’(図12E)と同一平面に設けられる。これに代えてアパーチャ330’は、対応するアパーチャ324’の直径より僅かに大きい直径を有していてもよく、これにより、アパーチャ324’は、アパーチャ330’を貫いてコリダ328’に延びる。   FIG. 12G is a rear perspective view of a variation of level 312 'according to the present invention. Level 312 'is preferably coupled to level 308' shown in FIG. 12E. As shown in FIG. 12F, the level 312 'includes a recessed corridor 328' exposed in the body along the bottom surface 312B '. Recessed corridor 328 'is connected to inlet port 316', and fluid travels directly from recessed corridor 328 'to inlet port 316'. A recessed corridor 328 'is disposed on the top surface 308A' of the level 308 'so that fluid can freely move from the aperture 324' to the collider 328 '. The periphery of the recessed corridor 320 'and the bottom surface 312B' is sealed against the top surface 308A 'of the level 312' so that all of the fluid from the aperture 324 'is routed through the corridor 328' to the inlet port 316 '. Inflow. Each aperture 330 ′ of the bottom surface 312B ′ is aligned and connected to the aperture 321 ′ of the level 308 ′ (FIG. 12E), and the aperture 330 ′ is provided in the same plane as the top surface 308A ′ (FIG. 12E) of the level 308 ′. . Alternatively, the aperture 330 'may have a diameter that is slightly larger than the diameter of the corresponding aperture 324' so that the aperture 324 'extends through the aperture 330' to the collider 328 '.

図12Hは、本発明に基づく図12Aの好適な熱交換器の線H−Hにおける断面を示している。図12Hに示すように、接触層302は、電子デバイス99である熱源に連結される。上述のように、熱交換器300は、1つのコンポーネントとして電子デバイス99である熱源と一体に形成してもよい。接触層302は、レベル308の底面308Bに連結される。更に、レベル312は、好ましくは、レベル308に連結され、レベル308の上面308Aは、レベル312の底面312Bに対して密封されている。レベル308のコリダ320の周縁は、接触層302に接続されている。更に、レベル312のコリダ328は、レベル308の輸送チャネル322に連結されている。レベル312の底面312Bは、流体が2つのレベル308、312間で漏れないように、レベル308の上面308Aに対して密封されている。   FIG. 12H shows a cross-section at line HH of the preferred heat exchanger of FIG. 12A in accordance with the present invention. As shown in FIG. 12H, the contact layer 302 is coupled to a heat source that is an electronic device 99. As described above, the heat exchanger 300 may be integrally formed with a heat source that is the electronic device 99 as one component. Contact layer 302 is coupled to bottom surface 308B of level 308. Further, the level 312 is preferably coupled to the level 308 and the top surface 308A of the level 308 is sealed against the bottom surface 312B of the level 312. The periphery of the level 308 corridor 320 is connected to the contact layer 302. Further, level 312 corridor 328 is coupled to level 308 transport channel 322. The bottom surface 312B of level 312 is sealed against the top surface 308A of level 308 so that fluid does not leak between the two levels 308,312.

図12Iは、本発明に基づく図12Bに示す熱交換器の変形例の線I−Iにおける断面を示している 図12Iに示すように、接触層302’は、電子デバイス99である熱源’に連結されている。接触層302’は、循環レベル304’の底面304B’に連結されている。また、循環レベル304は、レベル308’に連結され、循環レベル304’の上面304A’は、レベル308’の底面308B’に対して密封されている。更に、レベル312’は、好ましくは、レベル308’に連結され、レベル308’の上面308A’は、レベル312’の底面312B’に対して密封されている。流体が2つのレベル308’、304’間で漏れないように、レベル308’のコリダ320’の周縁は、循環レベル304’の上面304A’のアパーチャに接続されている。更に、流体が2つのレベル312’、308間で漏れないように、レベル312’のコリダ328’の周縁は、レベル308’の上面308A’のアパーチャに接続されている。   FIG. 12I shows a cross-section at line II of the variation of the heat exchanger shown in FIG. 12B according to the present invention, as shown in FIG. It is connected. The contact layer 302 'is connected to the bottom surface 304B' of the circulation level 304 '. The circulation level 304 is also coupled to the level 308 ', and the upper surface 304A' of the circulation level 304 'is sealed against the bottom surface 308B' of the level 308 '. Further, level 312 'is preferably coupled to level 308', with the top surface 308A 'of level 308' sealed against the bottom surface 312B 'of level 312'. The perimeter of the level 308 'corridor 320' is connected to the upper surface 304A 'aperture of the circulation level 304' so that fluid does not leak between the two levels 308 ', 304'. Further, the perimeter of the level 312 'corridor 328' is connected to the top surface 308A 'aperture of the level 308' so that fluid does not leak between the two levels 312 ', 308.

好適な動作では、図12A及び図12Hの矢印で示すように、冷却された流体は、レベル312’のインレットポート316を介して熱交換器300に入る。冷却された流体は、インレットポート316からコリダ328に流れ下り、更に輸送チャネル322を介して接触層302に注ぎ込まれる。コリダ320内の冷却された流体は、熱交換器300から排出される加熱された流体に接触したり混じり合ったりすることはない。接触層302に入る流体は、電子デバイス99である熱源と熱交換を行い、電子デバイス99である熱源から発生した熱を吸収する。輸送チャネル322の構成は、電子デバイス99である熱源を効果的に冷却するとともに、接触層302において、流体がX方向及びY方向で最短距離を移動し、熱交換器300における圧力降下を最小化するように最適化される。加熱された流体は、接触層302からレベル308のコリダ320に、Z−方向に流れ上がる。マニホルド層306から排出される加熱された流体は、マニホルド層306に流入する冷却された流体に接触したり混じり合ったりすることはない。加熱された流体は、コリダ320に流入し、ポート314、315を介して、熱交換器300から排出される。なお、本発明の範囲から逸脱することなく、図12A及び図12Hに示す方向とは反対の方向に流体を流してもよいことは当業者にとって明らかである。   In a preferred operation, the cooled fluid enters the heat exchanger 300 via the level 312 'inlet port 316, as shown by the arrows in FIGS. 12A and 12H. The cooled fluid flows from the inlet port 316 down to the corridor 328 and is poured into the contact layer 302 via the transport channel 322. The cooled fluid in the corridor 320 does not come into contact with or mix with the heated fluid discharged from the heat exchanger 300. The fluid that enters the contact layer 302 exchanges heat with the heat source that is the electronic device 99 and absorbs heat generated from the heat source that is the electronic device 99. The configuration of the transport channel 322 effectively cools the heat source, which is the electronic device 99, and in the contact layer 302, the fluid travels the shortest distance in the X and Y directions, minimizing the pressure drop in the heat exchanger 300. To be optimized. The heated fluid flows from the contact layer 302 to the corridor 320 at level 308 in the Z-direction. The heated fluid exiting the manifold layer 306 does not come into contact with or mix with the cooled fluid flowing into the manifold layer 306. The heated fluid flows into the corridor 320 and is discharged from the heat exchanger 300 through the ports 314 and 315. It will be apparent to those skilled in the art that fluid may flow in a direction opposite to that shown in FIGS. 12A and 12H without departing from the scope of the present invention.

変形例における動作では、図12B及び図12Iの矢印で示すように、冷却された流体は、レベル312’のインレットポート316’を介して熱交換器300’に入る。冷却された流体は、ポート315’からレベル308’のポート314’に流れ下る。次に、流体は、コリダ320’に流れ込み、循環レベル304’のアパーチャ322’を介して接触層302’に流れ下る。但し、コリダ320’の冷却された流体は、熱交換器300’から排出される加熱された流体に接触したり混じり合ったりすることはない。接触層302’に入る流体は、電子デバイス99である熱源と熱交換を行い、電子デバイス99である熱源から発生した熱を吸収する。後述するように、アパーチャ322’及びアパーチャ324’の構成は、電子デバイス99である熱源を効果的に冷却するとともに、接触層302’に沿って流体が各アパーチャ322’から隣接するアパーチャ324’まで、最短距離を移動し、この間の圧力降下を最小化するように最適化される。するように最適化される。加熱された流体は、レベル308’を介して、接触層302’からZ方向に流れ上がり、幾つかのアパーチャ324’を介してレベル312’のコリダ328’に至る。加熱された流体は、アパーチャ324’を流れ上がる際、マニホルド層306’に流入する冷却された流体に接触したり混じり合ったりすることはない。加熱された流体は、レベル312’のコリダ328’に入り、インレットポート316’を介して熱交換器300’から排出される。なお、本発明の範囲から逸脱することなく、図12B及び図12Iに示す方向とは反対の方向に流体を流してもよいことは当業者にとって明らかである。   In operation in the variation, the cooled fluid enters the heat exchanger 300 'via the inlet port 316' at level 312 'as shown by the arrows in FIGS. 12B and 12I. The cooled fluid flows down from port 315 'to port 314' at level 308 '. The fluid then flows into the corridor 320 'and flows down to the contact layer 302' via the circulation level 304 'aperture 322'. However, the cooled fluid of the corridor 320 'does not come into contact with or mix with the heated fluid discharged from the heat exchanger 300'. The fluid entering the contact layer 302 ′ exchanges heat with the heat source that is the electronic device 99 and absorbs heat generated from the heat source that is the electronic device 99. As will be described later, the configuration of the apertures 322 ′ and 324 ′ effectively cools the heat source, which is the electronic device 99, and allows fluid along the contact layer 302 ′ from each aperture 322 ′ to the adjacent aperture 324 ′. Optimized to travel the shortest distance and minimize the pressure drop during this time. Optimized to do. The heated fluid flows up from the contact layer 302 'in the Z direction via level 308' and reaches the level 312 'corridor 328' via several apertures 324 '. As the heated fluid flows up the aperture 324 ', it does not come into contact with or mix with the cooled fluid flowing into the manifold layer 306'. The heated fluid enters the level 312 'corridor 328' and exits the heat exchanger 300 'via the inlet port 316'. It will be apparent to those skilled in the art that fluid may flow in a direction opposite to that shown in FIGS. 12B and 12I without departing from the scope of the present invention.

好適なマニホルド層306では、輸送チャネル322は、電子デバイス99である熱源を適切に冷却しながら、流体が接触層302を流れる距離を最短にするように構成される。変形例として示すマニホルド層306’では、アパーチャ322’及びアパーチャ324’は、流体が接触層302’を流れる距離を最短にするように構成される。具体的には、アパーチャ322’及び324’は、実質的に垂直な流路を提供し、熱交換器300’における流路の長さは、水平方向であるX方向及びY方向において最短にされる。これにより、熱交換器300、300’は、電子デバイス99である熱源を適切に冷却するとともに、流体が流れる距離を大幅に短縮し、したがって、熱交換器300、300’及び循環型冷却装置30、30’(図2A〜図2B)内における圧力降下を大幅に低減させることができる。   In the preferred manifold layer 306, the transport channel 322 is configured to minimize the distance that the fluid flows through the contact layer 302 while properly cooling the heat source, which is the electronic device 99. In the manifold layer 306 'shown as a variation, the aperture 322' and the aperture 324 'are configured to minimize the distance that fluid flows through the contact layer 302'. Specifically, the apertures 322 ′ and 324 ′ provide a substantially vertical flow path, and the length of the flow path in the heat exchanger 300 ′ is minimized in the horizontal and X and Y directions. The As a result, the heat exchangers 300 and 300 ′ appropriately cool the heat source as the electronic device 99 and greatly reduce the distance through which the fluid flows. Therefore, the heat exchangers 300 and 300 ′ and the circulation type cooling device 30 , 30 '(FIGS. 2A-2B) can be greatly reduced.

アパーチャ322及び/又はアパーチャ324の特定の構成及び断面寸法は、以下に限定されるものではないが、例えば、フロー条件、温度、電子デバイス99である熱源から発生する熱量、流体の流量等の様々な要素に基づいて決定される。なお、以下、アパーチャ322、324に関する説明を行うが、この説明は、アパーチャ322又はアパーチャ324の何れか一方のみに適用してもよい。   Specific configurations and cross-sectional dimensions of the aperture 322 and / or the aperture 324 are not limited to the following, but include various conditions such as flow conditions, temperature, the amount of heat generated from the heat source that is the electronic device 99, the flow rate of the fluid, and the like. It is determined based on various factors. Hereinafter, the apertures 322 and 324 will be described. However, this description may be applied to only one of the aperture 322 and the aperture 324.

アパーチャ322、324は、電子デバイス99である熱源を所望の温度に適切に冷却するとともに、圧力降下を最小化するように、互いから最適な距離だけ離間して配設される。アパーチャ322及び/又はアパーチャ324の構成及び最適な距離の好適な実施形態では、個々のアパーチャの寸法及び位置を変えることによって、アパーチャ322、324及び多くの場合接触層302を介した流路を個別に最適化できる。更に、好適な実施形態におけるアパーチャの構成により、接触層に入る流体の全流量及び各アパーチャ322を介して流入する流体によって冷却される面積を最適化することができる。   The apertures 322 and 324 are disposed at an optimum distance from each other so as to properly cool the heat source, which is the electronic device 99, to a desired temperature and to minimize the pressure drop. In the preferred embodiment of the configuration and optimal distance of the apertures 322 and / or apertures 324, the flow paths through the apertures 322, 324 and often the contact layer 302 are separated by changing the size and position of the individual apertures. Can be optimized. In addition, the aperture configuration in the preferred embodiment can optimize the total flow rate of fluid entering the contact layer and the area cooled by the fluid flowing through each aperture 322.

一実施形態においては、アパーチャ322、324は、図13及び14に示すように、マニホルド層306において、交互の構成、すなわち市松模様状のパターンで構成してもよい。アパーチャ322、324は、それぞれ流体が市松模様状のパターン内で移動する必要がある最短距離だけ離間して配設される。但し、アパーチャ322、324は、十分な時間、接触層302に冷却液を供給するために十分な距離だけ、互いから離間している必要がある。図13及び図14に示すように、接触層302に入る流体が接触層302から排出される前に、接触層302に沿って最短距離を移動するために、1つの以上のアパーチャ322を対応する数のアパーチャ324に隣接させ、またこの逆も成立するような構成とすることが好ましい。このため、図13及び図14に示すように、アパーチャ322、324は、互いの周囲に放射状に配置され、流体が全てのアパーチャ322から最も近いアパーチャ324に、最短距離を移動するようにするとよい。例えば、図13に示すように、1つの特定のアパーチャ322を介して接触層302に入る流体は、隣接するアパーチャ324までに、最小の抵抗を受けることになる。更に、アパーチャ322、324の断面は円形であることが好ましいが、この断面は、他の如何なる形状であってもよい。   In one embodiment, the apertures 322, 324 may be configured in an alternating configuration, ie, a checkered pattern, in the manifold layer 306, as shown in FIGS. Apertures 322 and 324 are spaced apart by the shortest distance that each fluid needs to move in a checkered pattern. However, the apertures 322 and 324 need to be separated from each other by a sufficient distance to supply the coolant to the contact layer 302 for a sufficient time. As shown in FIGS. 13 and 14, one or more apertures 322 are associated to travel the shortest distance along the contact layer 302 before fluid entering the contact layer 302 is drained from the contact layer 302. It is preferable that the number of apertures 324 be adjacent to each other and vice versa. For this reason, as shown in FIGS. 13 and 14, the apertures 322, 324 may be arranged radially around each other so that the fluid travels the shortest distance from all apertures 322 to the nearest aperture 324. . For example, as shown in FIG. 13, fluid that enters the contact layer 302 via one particular aperture 322 will experience minimal resistance by the adjacent aperture 324. Further, the cross sections of the apertures 322 and 324 are preferably circular, but the cross section may have any other shape.

更に、上述のように、先に説明した図に示すアパーチャ324は、筒状の部材として、循環レベル304又はレベル308、312から突出しているが、アパーチャは、マニホルド層306の何れのレベルからも突出していなくてもよい。また、マニホルド層306は、流体が方向を変える領域の付近に丸められた表面を有していることが好ましく、これにより、熱交換器300における圧力降下の低減の効果を高めることができる。   Further, as described above, the aperture 324 shown in the above-described figure protrudes from the circulation level 304 or the levels 308 and 312 as a cylindrical member, but the aperture can be seen from any level of the manifold layer 306. It does not have to protrude. In addition, the manifold layer 306 preferably has a surface that is rounded in the vicinity of the region where the fluid changes direction, thereby enhancing the effect of reducing the pressure drop in the heat exchanger 300.

アパーチャ322、324の寸法及び最適な距離構成は、流体が接触層302に沿って晒される温度の高さに依存する。また、アパーチャ322、324における流路の断面寸法は、熱交換器300での圧力降下を低減させるために十分な大きさを有する必要がある。接触層302に沿って流体が単相流の状態のみである場合、各アパーチャ322は、好ましくは、図13に示すように、対称性を有する六角形の構成で複数の隣接するアパーチャ324に囲まれる。更に、単相流の場合、循環レベル304におけるアパーチャの数は、略々等しいことが望ましい。更に、単相流の場合、アパーチャ322、324は、好ましくは、同じ直径を有することが好ましい。但し、アパーチャ322、324の構成及び比率は、これに上述の実施形態に限定されないことは当業者にとって明らかである。   The dimensions of the apertures 322, 324 and the optimal distance configuration depend on the temperature at which the fluid is exposed along the contact layer 302. In addition, the cross-sectional dimensions of the flow paths in the apertures 322 and 324 need to be large enough to reduce the pressure drop in the heat exchanger 300. When the fluid is only in a single phase flow along the contact layer 302, each aperture 322 is preferably surrounded by a plurality of adjacent apertures 324 in a symmetric hexagonal configuration, as shown in FIG. It is. Furthermore, in the case of a single phase flow, it is desirable that the number of apertures at the circulation level 304 is substantially equal. Further, in the case of single phase flow, the apertures 322, 324 preferably have the same diameter. However, it will be apparent to those skilled in the art that the configuration and ratio of the apertures 322 and 324 are not limited to the above-described embodiments.

接触層302に沿って、流体が二相流状態となる場合、アパーチャ322、324は、二相流の加速度に対応するために、非対称構成にすることが望ましい。但し、二相流の場合であってもアパーチャ322、324を対称的な構成としてもよい。例えば、循環レベル304において、アパーチャ322、324を対称的に配置し、アパーチャ324の開口をアパーチャ322の開口より大きくしてもよい。これに代えて二相流について、循環レベル304において、図13に示す六角形の対称的の構成を用いて、循環レベル304において、アパーチャ324の数をアパーチャ322より多くしてもよい。   When the fluid is in a two-phase flow along the contact layer 302, it is desirable that the apertures 322, 324 have an asymmetric configuration to accommodate the acceleration of the two-phase flow. However, the apertures 322 and 324 may be symmetrically configured even in the case of a two-phase flow. For example, at the circulation level 304, the apertures 322 and 324 may be arranged symmetrically so that the opening of the aperture 324 is larger than the opening of the aperture 322. Alternatively, for a two-phase flow, at the circulation level 304, the number of apertures 324 may be greater than the aperture 322 at the circulation level 304 using the hexagonal symmetrical configuration shown in FIG.

なお、循環レベル304のアパーチャ322、324を交互に配置して、電子デバイス99である熱源のホットスポットを冷却してもよい。すなわち、例えば、循環レベル304において、2つのアパーチャ322を互いに隣接させて交互に配置し、両方のアパーチャ322を接触層ホットスポット領域又は接触層ホットスポット領域近傍の上に位置するように構成してもよい。両方のアパーチャ322に適切な数のアパーチャ324を隣接して配置し、接触層302での圧力降下を減少させることは言うまでもない。したがって、2つのアパーチャ322は、接触層ホットスポット領域に冷たい流体を供給し、上述のように、接触層ホットスポット領域を均一で実質的に等しい温度に冷却する。   The apertures 322 and 324 at the circulation level 304 may be alternately arranged to cool the hot spot of the heat source that is the electronic device 99. That is, for example, at the circulation level 304, the two apertures 322 are alternately arranged adjacent to each other, and both the apertures 322 are configured to be located on the contact layer hot spot region or in the vicinity of the contact layer hot spot region. Also good. It goes without saying that a suitable number of apertures 324 are placed adjacent to both apertures 322 to reduce the pressure drop across the contact layer 302. Thus, the two apertures 322 provide a cold fluid to the contact layer hot spot area and cool the contact layer hot spot area to a uniform and substantially equal temperature as described above.

上述のように、好適な熱交換器300は、他の熱交換器に対して重要な利点を有している。好適な熱交換器300の構成では、垂直な流路を用いるために、圧力降下が低減されるため、比較的性能が低いポンプを用いることができる。更に、好適な熱交換器300の構成により、接触層302に沿ってインレット及び流路を個別に最適化することができる。更に、個別のレベルによって、カスタマイズ可能な設計が実現され、熱輸送の均質性、圧力降下の低減、及び個々のコンポーネントの寸法を最適化することができる。また、好適な熱交換器300の構成により、流体が二相流状態となるシステムにおける圧力降下を低減することができ、したがって、この構成は、単相流システム及び二相流システムの何れでも用いることができる。更に、後述するように、好適な熱交換器は、多くの異なる製造方法に対応し、公差を補正するためにコンポーネントの幾何学的構造を調整することができる。   As mentioned above, the preferred heat exchanger 300 has significant advantages over other heat exchangers. In the preferred heat exchanger 300 configuration, the use of a vertical flow path reduces the pressure drop, so a relatively low performance pump can be used. Furthermore, the inlet and flow paths along the contact layer 302 can be individually optimized with a suitable heat exchanger 300 configuration. In addition, the individual levels allow for customizable designs to optimize heat transport homogeneity, pressure drop reduction, and individual component dimensions. Also, the preferred heat exchanger 300 configuration can reduce the pressure drop in a system where the fluid is in a two-phase flow state, and thus this configuration is used in both single-phase and two-phase flow systems. be able to. Furthermore, as will be described below, suitable heat exchangers can accommodate many different manufacturing methods and can adjust the component geometry to compensate for tolerances.

以下、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100及び流体輸送マイクロチャネル熱交換器100の個々の層を製造及び組立方法を説明する。以下では、説明を簡潔にするために、本発明に基づく好適な及び代替の熱交換器について、図3Bの流体輸送マイクロチャネル熱交換器100及びその個々の層を用いて説明する。また、以下では、本発明に関連して組立/製造の詳細を説明するが、この組立及び製造の詳細は、図1A−図1Cに示すような1つの流体インレットポートと、1つの流体アウトレットポートとを用いる二層式熱交換器及び三層式熱交換器、並びに従来の熱交換器にも同様に適用されることは、当業者にとって明らかである。   Hereinafter, a method for manufacturing and assembling the individual layers of the fluid transport microchannel heat exchanger 100 and the fluid transport microchannel heat exchanger 100 will be described. In the following, for the sake of brevity, preferred and alternative heat exchangers according to the present invention will be described using the fluid transport microchannel heat exchanger 100 of FIG. 3B and its individual layers. Also, in the following, assembly / manufacturing details will be described in connection with the present invention, including details of one fluid inlet port and one fluid outlet port as shown in FIGS. 1A-1C. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention applies equally well to two- and three-layer heat exchangers using and to conventional heat exchangers.

接触層は、好ましくは、電子デバイス99である熱源に等しい又は近似する熱膨張率(coefficient of thermal expansion:以下、CTEという。)を有する。これにより、接触層は、好ましくは、電子デバイス99である熱源の伸縮に応じて同様に伸縮する。これに代えて、接触層302の材料は、電子デバイス99である熱源の材料のCTEとは異なるCTEを有していてもよい。シリコン等の材料から作成された接触層302は、電子デバイス99である熱源のCTEに対応するCTEを有し、及び電子デバイス99である熱源から流体に適切に熱を輸送するために十分な熱伝導率を有している。但し、これに代えて、電子デバイス99である熱源のCTEに一致するCTEを有する他の材料を用いて接触層302を形成してもよい。   The contact layer preferably has a coefficient of thermal expansion (hereinafter referred to as CTE) that is equal to or close to a heat source that is the electronic device 99. Thereby, the contact layer preferably expands and contracts similarly according to expansion and contraction of the heat source which is the electronic device 99. Alternatively, the material of the contact layer 302 may have a CTE different from the CTE of the material of the heat source that is the electronic device 99. The contact layer 302 made from a material such as silicon has a CTE corresponding to the CTE of the heat source that is the electronic device 99 and sufficient heat to properly transport heat from the heat source that is the electronic device 99 to the fluid. It has conductivity. However, instead of this, the contact layer 302 may be formed using another material having a CTE that matches the CTE of the heat source that is the electronic device 99.

接触層302は、電子デバイス99である熱源がオーバーヒートしないように、電子デバイス99である熱源と、接触層302に沿って流れる流体との間で十分な熱伝導を実現する高い熱伝導率を有することが好ましい。接触層302は、好ましくは、100W/m−K程度の高い熱伝導率を有する材料から形成される。但し、接触層302の熱伝導率は、100W/m−K以上でも以下でもよく、この値に制限されないことは当業者にとって明らかである。   The contact layer 302 has a high thermal conductivity that provides sufficient heat conduction between the heat source that is the electronic device 99 and the fluid that flows along the contact layer 302 so that the heat source that is the electronic device 99 does not overheat. It is preferable. The contact layer 302 is preferably formed from a material having a high thermal conductivity of about 100 W / m-K. However, the thermal conductivity of the contact layer 302 may be 100 W / m-K or higher and is not limited to this value, as will be apparent to those skilled in the art.

好適な高い熱伝導率を達成するために、接触層102は、好ましくは、シリコン等の半導体基板から形成される。これに代えて、接触層は、これらに限定されるものではないが、単結晶誘電材料、金属、アルミニウム、ニッケル銅、コバー(Kovar:商標)、黒鉛、ダイヤモンド、これらの複合体及びあらゆる適切な合金を含む他の如何なる材料から作成してもよい。接触層302の他の材料としては、パターン化され又は成型された有機メッシュ(patterned or molded organic mesh)がある。   In order to achieve a suitable high thermal conductivity, the contact layer 102 is preferably formed from a semiconductor substrate such as silicon. Alternatively, the contact layer may be, but is not limited to, single crystal dielectric material, metal, aluminum, nickel copper, Kovar ™, graphite, diamond, composites thereof and any suitable It may be made from any other material including alloys. Other materials for the contact layer 302 include patterned or molded organic mesh.

図15に示すように、接触層302は、接触層302の材料を保護し、及び接触層302の熱交換特性を向上させるために、コーティング材料層112でコーティングする。具体的には、コーティング材料層112は、流体及び接触層302の間の化学的相互作用を防ぐ化学保護を提供する。例えば、アルミニウムから形成された接触層302は、これに接触する流体によって削られ、接触層302は、時間が経つにつれて劣化する虞がある。 ここで、約25μmのニッケル薄膜によるコーティング材料層112を接触層302の表面に電気メッキすることにより、接触層302の熱的性質を大幅に変化させることなく、化学的な如何なる潜在的反応も防止することができる。なお、接触層302の材料に応じて、適切な層厚を有する他の如何なるコーティング材料を用いてもよいことは明らかである。   As shown in FIG. 15, the contact layer 302 is coated with a coating material layer 112 to protect the material of the contact layer 302 and improve the heat exchange properties of the contact layer 302. Specifically, the coating material layer 112 provides chemical protection that prevents chemical interaction between the fluid and the contact layer 302. For example, the contact layer 302 made of aluminum is scraped by the fluid that contacts it, and the contact layer 302 may degrade over time. Here, by electroplating the surface of the contact layer 302 with a coating material layer 112 of about 25 μm nickel thin film, any chemical potential reaction is prevented without significantly changing the thermal properties of the contact layer 302. can do. Obviously, any other coating material having an appropriate layer thickness may be used depending on the material of the contact layer 302.

接触層302は、好ましくは、接触層302を保護するために、ニッケル薄膜でコーティングされた銅材をエッチング加工することによって形成される。これに代えて、接触層302は、アルミニウム、シリコン基板、プラスチック又は他の如何なる適切な材料から形成してもよい。また、熱伝導率が低い材料から形成されている接触層302は、接触層302の熱伝導率を向上させるために、適切なコーティング材料でコーティングするとよい。接触層を電気鋳造する一手法として、クロム又は他の適切な材料のシード層を接触層302の底面に沿って適用し、このシード層に適切な電圧の電気的接続を適用してもよい。この電気的接続により、接触層302上に熱伝導性のコーティング材料層112の層が形成される。また、電気鋳造法によって、10〜100μmの範囲の様々な構造体を形成することができる。接触層302は、パターン化された電気メッキ等の電気鋳造法によって形成できる。更に、これに代えて、接触層は、光化学エッチング又は化学切削を単独で、又はこれと電気鋳造法とを組み合わせて形成してもよい。化学切削のための標準リゾグラフィセットを用いて、接触層302内の構造を加工してもよい。更に、レーザで補助された化学切削処理を用いることで、アスペクト比を変更し及び公差の精度を高めることができる。   The contact layer 302 is preferably formed by etching a copper material coated with a nickel thin film to protect the contact layer 302. Alternatively, the contact layer 302 may be formed from aluminum, a silicon substrate, plastic or any other suitable material. Further, the contact layer 302 formed of a material having low thermal conductivity may be coated with an appropriate coating material in order to improve the thermal conductivity of the contact layer 302. One technique for electroforming the contact layer is to apply a seed layer of chromium or other suitable material along the bottom surface of the contact layer 302 and apply an appropriate voltage electrical connection to the seed layer. By this electrical connection, a layer of the thermally conductive coating material layer 112 is formed on the contact layer 302. Also, various structures in the range of 10 to 100 μm can be formed by electroforming. The contact layer 302 can be formed by electrocasting such as patterned electroplating. Further alternatively, the contact layer may be formed by photochemical etching or chemical cutting alone or in combination with electroforming. The structure in the contact layer 302 may be machined using a standard lithographic set for chemical cutting. Further, by using a laser-assisted chemical cutting process, the aspect ratio can be changed and the tolerance accuracy can be increased.

上述したピラー303は、様々な手法で製造できる。但し、ピラー303は、高い熱伝導率を有するように形成する必要がある。好ましくは、ピラー303は、例えば、銅等の非常に熱伝導率が高い材料で形成する。但し、ここで、例えば、シリコン等の他の材料を用いてもよいことは、当業者にとって明らかである。ピラー303は、以下に限定されるものではないが、例えば、電気鋳造、放電加工ワイヤ法、スタンピング、MIM及び機械加工を含む様々な手法で形成できる。更に、のこ盤及び/又はフライス盤を用いた切断によって、接触層302を所望の構成に形成してもよい。シリコン製の接触層302の場合、ピラー303は、接触層302におけるピラー303の必要なピラー303に対応するアスペクト比に応じて、例えば、プラズマエッチング、ソーイング、リトグラフによるパターニング、様々なウエットエッチング等、様々な手法で形成することができる。放射状に構成された矩形フィン303E(図10E)は、リトグラフによるパターニングを用いて形成でき、リトグラフによって確定された鋳型内では、プラズマエッチング又は電気メッキ法を採用することができる。   The pillar 303 described above can be manufactured by various methods. However, the pillar 303 needs to be formed so as to have high thermal conductivity. Preferably, the pillar 303 is formed of a material having very high thermal conductivity such as copper. However, it will be apparent to those skilled in the art that other materials, such as silicon, may be used here. The pillar 303 can be formed by various methods including, but not limited to, electroforming, electric discharge machining wire method, stamping, MIM, and machining. Furthermore, the contact layer 302 may be formed in a desired configuration by cutting using a saw and / or a milling machine. In the case of the contact layer 302 made of silicon, the pillar 303 is formed by, for example, plasma etching, sawing, lithographic patterning, various wet etching, etc. according to the aspect ratio corresponding to the necessary pillar 303 in the contact layer 302. It can be formed by various methods. The radially-configured rectangular fins 303E (FIG. 10E) can be formed using lithographic patterning, and plasma etching or electroplating can be employed within the mold defined by the lithograph.

変形例においては、接触層302において用いられるマイクロチャネル壁110をシリコンから形成する。また、これに代えて、マイクロチャネル壁110は、以下に限定されるものではないが、パターン化されたガラス、ポリマ及び成型されたポリマメッシュを含む他の如何なる材料で形成してもよい。マイクロチャネル壁110は、接触層102の底面103の材料と同じ材料から形成されているが、これに代えて、マイクロチャネル壁110は、接触層102の他の部分の材料とは異なる材料から形成してもよい。   In a variation, the microchannel wall 110 used in the contact layer 302 is formed from silicon. Alternatively, the microchannel wall 110 may be formed of any other material including, but not limited to, patterned glass, polymer, and molded polymer mesh. The microchannel wall 110 is formed of the same material as the material of the bottom surface 103 of the contact layer 102, but instead, the microchannel wall 110 is formed of a material different from the material of other parts of the contact layer 102. May be.

変形例では、マイクロチャネル壁110は、少なくとも10W/m−Kの熱伝導率特性を有する。これに代えて、マイクロチャネル壁110は、10W/m−Kより大きい熱伝導率特性を有していてもよい。当業者にとって明らかであるが、これに代えて、マイクロチャネル壁110は、10W/m−K未満の熱伝導率特性を有していてもよく、この場合、図15に示すように、マイクロチャネル壁110の熱伝導率を向上させるために、マイクロチャネル壁110にコーティング材料層112を適用するとよい。また、既に高い熱伝導率を有する材料から形成されたマイクロチャネル壁110に対して、マイクロチャネル壁110の表面を保護する少なくとも25μmの厚さのコーティング材料層112を適用してもよい、熱伝導率が低い材料から形成されたマイクロチャネル壁110については、少なくとも50W/m−Kの熱伝導率と、25μm以上の厚さを有するコーティング材料層112を適用するとよい。他の種類及び他の厚さのコーティング材料を用いてもよいことは当業者にとって明らかである。   In a variation, the microchannel wall 110 has a thermal conductivity characteristic of at least 10 W / m-K. Alternatively, the microchannel wall 110 may have a thermal conductivity characteristic greater than 10 W / m-K. As will be apparent to those skilled in the art, the microchannel wall 110 may alternatively have a thermal conductivity characteristic of less than 10 W / m-K, in which case, as shown in FIG. In order to improve the thermal conductivity of the wall 110, a coating material layer 112 may be applied to the microchannel wall 110. In addition, a coating material layer 112 having a thickness of at least 25 μm that protects the surface of the microchannel wall 110 may be applied to the microchannel wall 110 that is already formed of a material having high thermal conductivity. For the microchannel wall 110 formed from a low-rate material, a coating material layer 112 having a thermal conductivity of at least 50 W / m-K and a thickness of 25 μm or more may be applied. It will be apparent to those skilled in the art that other types and thicknesses of coating materials may be used.

少なくとも10W/m−Kの適切な熱伝導率を有するマイクロチャネル壁110を形成するためには、マイクロチャネル壁110は、例えば、ニッケル又は上述した他の金属のコーティング材料層112(図15)によって電気鋳造される。また、少なくとも50W/m−Kの適切な熱伝導率を有するマイクロチャネル壁110を形成するためには、マイクロチャネル壁110は、薄膜金属フィルムシード層上に銅を電気メッキすることによって形成される。これに代えて、マイクロチャネル壁110をコーティング材料でコーティングしなくてもよい。なお、マイクロチャネル壁110及びコーティング材料層112の熱伝導率特性は、適切であれば、ピラー303(図10A)に適用してもよく、ピラー303に如何なる適切なコーティングを施してもよい。   In order to form a microchannel wall 110 having a suitable thermal conductivity of at least 10 W / m-K, the microchannel wall 110 may be formed by, for example, a coating material layer 112 (FIG. 15) of nickel or other metal as described above. Electroformed. Also, to form a microchannel wall 110 having a suitable thermal conductivity of at least 50 W / m-K, the microchannel wall 110 is formed by electroplating copper on a thin film metal film seed layer. . Alternatively, the microchannel wall 110 may not be coated with a coating material. Note that the thermal conductivity characteristics of the microchannel wall 110 and the coating material layer 112 may be applied to the pillar 303 (FIG. 10A) if appropriate, and any appropriate coating may be applied to the pillar 303.

マイクロチャネル壁110は、熱エンボシング法によって形成され、これにより、接触層102の底面103に沿ってマイクロチャネル壁110の高アスペクト比が実現される。これに代えて、マイクロチャネル壁110は、ガラス表面に蒸着されたシリコン構造体として形成してもよく、この構造体は、ガラス上で所望の構成にエッチングされる。また、これに代えて、マイクロチャネル壁110は、標準リゾグラフィ法、スタンピング又は鋳造法、又は他の如何なる適切な技術によって形成してもよい。また、マイクロチャネル壁110は、接触層102とは別に作成し、陽極結合又はエポキシ樹脂接着によって接触層102に連結してもよい。これに代えて、マイクロチャネル壁110は、電気メッキ等の従来の電鋳技術によって接触層102に連結してもよい。   The microchannel wall 110 is formed by a thermal embossing method, thereby realizing a high aspect ratio of the microchannel wall 110 along the bottom surface 103 of the contact layer 102. Alternatively, the microchannel wall 110 may be formed as a silicon structure deposited on the glass surface, which is etched to the desired configuration on the glass. Alternatively, the microchannel wall 110 may be formed by standard lithographic methods, stamping or casting methods, or any other suitable technique. The microchannel wall 110 may be formed separately from the contact layer 102 and connected to the contact layer 102 by anodic bonding or epoxy resin bonding. Alternatively, the microchannel wall 110 may be coupled to the contact layer 102 by conventional electroforming techniques such as electroplating.

中間層104は、様々な手法を用いて形成できる。中間層は、好ましくは、シリコンによって形成される。また、中間層には、以下に限定されるものではないが、ガラス又はレーザでパターン化されたガラス、ポリマ、金属、ガラス、プラスチック、成形された有機材料又はこれらの複合体を含む他の如何なる適切な材料を用いてもよいことは当業者にとって明らかである。これに代えて、中間層104は、プラズマエッチング技術を用いて形成してもよい。これに代えて、中間層104は、化学エッチング法を用いて形成してもよい。他の手法として、機械加工、エッチング、押出及び/又は鍛造等によって金属を所望の構成に形成してもよい。また、これに代えて、中間層104は、プラスチックメッシュの射出成形によって所望の構成に形成してもよい。これに代えて、中間層104は、ガラス板に対するレーザドリルによって所望の構成に形成してもよい。   The intermediate layer 104 can be formed using various methods. The intermediate layer is preferably formed of silicon. The intermediate layer may also be any other material including, but not limited to, glass or laser patterned glass, polymer, metal, glass, plastic, molded organic material, or composites thereof. It will be apparent to those skilled in the art that suitable materials may be used. Alternatively, the intermediate layer 104 may be formed using a plasma etching technique. Alternatively, the intermediate layer 104 may be formed using a chemical etching method. As another method, the metal may be formed into a desired configuration by machining, etching, extrusion, and / or forging. Alternatively, the intermediate layer 104 may be formed in a desired configuration by injection molding of a plastic mesh. Alternatively, the intermediate layer 104 may be formed in a desired configuration by laser drilling on a glass plate.

マニホルド層306は、様々な手法で作成することができる。好適なマニホルド層306は、完全に一体に形成してもよい。これに代えて、図12に示すように、複数の独立した部品を形成した後、これらを連結して好適なマニホルド層306を形成してもよい。マニホルド層306は、プラスチック、金属、ポリマ複合体又は他の何らかの適切な材料を用いた射出成形法によって形成され、ここで、各層は、同じ材料から形成することが好ましい。これに代えて、上述したように、各層は、異なる材料から形成してもよい。マニホルド層306は、機械加工又はエッチング等の金属加工技術を用いて形成してもよい。マニホルド層306を他の如何なる適切な手法により形成してもよいことは当業者にとって明らかである。   The manifold layer 306 can be created by various techniques. A suitable manifold layer 306 may be formed entirely in one piece. Alternatively, as shown in FIG. 12, a plurality of independent parts may be formed and then connected to form a suitable manifold layer 306. Manifold layer 306 is formed by an injection molding process using plastic, metal, polymer composite or any other suitable material, wherein each layer is preferably formed from the same material. Alternatively, as described above, each layer may be formed from different materials. The manifold layer 306 may be formed using a metal processing technique such as machining or etching. Those skilled in the art will appreciate that the manifold layer 306 may be formed by any other suitable technique.

中間層104は、様々な手法で接触層102及びマニホルド層106に連結され、これにより、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100が形成される。接触層102、中間層104及びマニホルド層106は、陽極結合、接着材又は共晶結合法等によって互いに連結される。或いは、中間層104は、マニホルド層106及び接触層102の構造体内に一体に形成してもよい。中間層104は、化学結合処理によって接触層102に連結させてもよい。これに代えて、中間層104は、熱エンボシング又はソフトリソグラフィ技術によって形成してもよく、ここで、ワイヤ放電加工機EDM又はシリコンマスタを用いて中間層104をスタンプしてもよい。更に、必要であれば、中間層104を金属又は他の適切な材料で電気メッキし、中間層104の熱伝導率を向上させてもよい。   The intermediate layer 104 is coupled to the contact layer 102 and the manifold layer 106 in various ways, thereby forming the fluid transport microchannel heat exchanger 100. The contact layer 102, the intermediate layer 104, and the manifold layer 106 are connected to each other by anodic bonding, an adhesive, or a eutectic bonding method. Alternatively, the intermediate layer 104 may be integrally formed in the structure of the manifold layer 106 and the contact layer 102. The intermediate layer 104 may be coupled to the contact layer 102 by a chemical bonding process. Alternatively, the intermediate layer 104 may be formed by thermal embossing or soft lithography techniques, where the intermediate layer 104 may be stamped using a wire electrical discharge machine EDM or a silicon master. Further, if necessary, the intermediate layer 104 may be electroplated with a metal or other suitable material to improve the thermal conductivity of the intermediate layer 104.

これに代えて、中間層104は、射出成形法によって、接触層102内のマイクロチャネル壁110の作成と同時に形成してもよい。これに代えて、他の何らかの適切な手法によって、マイクロチャネル壁110の作成と共に中間層104を形成してもよい。熱交換器を形成する他の手法としては、以下に限定されるものではないが、はんだ付け、融接、共晶接合、金属間接合(intermetallic bonding)及び各層で用いられる材料の種類に応じた他の如何なる適切な技術を用いてもよい。   Alternatively, the intermediate layer 104 may be formed simultaneously with the creation of the microchannel wall 110 in the contact layer 102 by injection molding. Alternatively, the intermediate layer 104 may be formed with the creation of the microchannel wall 110 by any other suitable technique. Other techniques for forming the heat exchanger include, but are not limited to, soldering, fusion, eutectic bonding, intermetallic bonding, and the type of material used in each layer. Any other suitable technique may be used.

本発明に基づく熱交換器の他の製造方法を図16に示す。図16に示すように、この熱交換器の他の製造方法は、接触層として、シリコン基板から形成されたハードマスクを製造する工程(ステップ500)を有する。ハードマスクは、酸化シリコン又はスピンオンガラスから形成される。一旦、ハードマスクを形成した後、ハードマスク内に複数のアンダーチャネル(under-channels)を形成する。これらのアンダーチャネルは、マイクロチャネル壁110間で流路を形成する(ステップ502)。アンダーチャネルは、以下に限定されるものではないが、HFエッチング技術、化学切削、ソフトリソグラフィ、二フッ化キセノンエッチング等の如何なる適切な手法によって形成してもよい。更に、隣接するアンダーチャネルが互いにブリッジされないように、各アンダーチャネル間には、十分な間隔を設ける必要がある。次に、何らかの周知の手法を用いて、ハードマスクの上面上に、スピンオンガラスを設け、中間体及びマニホルド層を形成する(ステップ504)。続いて、橋かけ法(curing method)によって、中間層及びマニホルド層を強化する(ステップ506)。中間層及びマニホルド層を完全に形成し、強化した後に、この強化された層に1又は複数の流体ポートを形成する(ステップ508)。流体ポートは、マニホルド層をエッチングし又は穿孔することによって形成される。以上、接触層102、中間層104及びマニホルド層106を作成するための特定の手法を説明したが、当分野で周知の他の手法を用いて流体輸送マイクロチャネル熱交換器100を製造してもよい。   FIG. 16 shows another method for manufacturing a heat exchanger according to the present invention. As shown in FIG. 16, the other manufacturing method of this heat exchanger has a process (step 500) of manufacturing a hard mask formed from a silicon substrate as a contact layer. The hard mask is formed from silicon oxide or spin-on glass. Once the hard mask is formed, a plurality of under-channels are formed in the hard mask. These underchannels form a flow path between the microchannel walls 110 (step 502). The under channel may be formed by any suitable method such as, but not limited to, HF etching technology, chemical cutting, soft lithography, xenon difluoride etching, and the like. Furthermore, it is necessary to provide a sufficient space between the under channels so that adjacent under channels are not bridged with each other. Next, using some known technique, spin-on glass is provided on the upper surface of the hard mask to form an intermediate and a manifold layer (step 504). Subsequently, the intermediate layer and the manifold layer are strengthened by a curing method (step 506). After the intermediate layer and the manifold layer are fully formed and reinforced, one or more fluid ports are formed in the reinforced layer (step 508). The fluid port is formed by etching or drilling the manifold layer. While specific techniques for creating the contact layer 102, intermediate layer 104, and manifold layer 106 have been described above, the fluid transport microchannel heat exchanger 100 may be manufactured using other techniques known in the art. Good.

本発明に基づく熱交換器の変形例を図17に示す。図17に示す変形例では、2つの熱交換器200、200’が1つの電子デバイス99である熱源に連結されている。詳しくは、電子デバイス等の電子デバイス99である熱源は、回路板96に連結され、垂直に配設され、電子デバイス99である熱源の両面は、必然的に外部に晒される。本発明に基づく熱交換器200、200’は、それぞれ、電子デバイス99である熱源の晒された面に連結され、この熱交換器200、200’によって、電子デバイス99である熱源の冷却効率が最大化される。これに代えて、熱源が水平に回路板に連結されている場合、2つ以上の熱交換器(図示せず)を電子デバイス99である熱源上にスタックし、各熱交換器を電子デバイス99である熱源に電気的に連結してもよい。この実施形態に関するこの他の詳細は、2002年2月7日に出願された、同時に係属中である米国特許出願第10/072,137号、発明の名称「電力調整モジュール(POWER CONDITIONING MODULE)」に開示されており、この文献は、引用により本願に援用される。   A modification of the heat exchanger according to the present invention is shown in FIG. In the modification shown in FIG. 17, two heat exchangers 200 and 200 ′ are connected to a heat source that is one electronic device 99. Specifically, a heat source that is an electronic device 99 such as an electronic device is connected to the circuit board 96 and arranged vertically, and both surfaces of the heat source that is the electronic device 99 are necessarily exposed to the outside. The heat exchangers 200 and 200 ′ according to the present invention are respectively connected to the exposed surface of the heat source that is the electronic device 99, and the heat exchangers 200 and 200 ′ allow the cooling efficiency of the heat source that is the electronic device 99 to be improved. Maximized. Alternatively, if the heat source is connected horizontally to the circuit board, two or more heat exchangers (not shown) are stacked on the heat source, which is the electronic device 99, and each heat exchanger is connected to the electronic device 99. The heat source may be electrically connected. Additional details regarding this embodiment can be found in co-pending US patent application Ser. No. 10 / 072,137 filed Feb. 7, 2002, entitled “POWER CONDITIONING MODULE”. Which is hereby incorporated by reference.

図17に示す具体例では、2つの層を有する熱交換器200が電子デバイス99である熱源の左側に連結され、3つの層を有する熱交換器200’が電子デバイス99である熱源の右側に連結されている。電子デバイス99である熱源の何れの面に好適な又は代替の熱交換器を連結してもよいことは当業者にとって明らかである。また、変形例として、他の熱交換器200’を電子デバイス99である熱源の側面に連結してもよいことは当業者にとって明らかである、図17に示す変形例では、電子デバイス99である熱源の厚さに沿って存在するホットスポットを冷却するように流体を供給することによって、電子デバイス99である熱源のホットスポットをより正確に冷却することができる。すなわち、図17に示す実施形態では、電子デバイス99である熱源の両面で熱交換を行うことによって、電子デバイス99である熱源の中心でホットスポットを適切に冷却することができる。なお、図17に示す実施形態では、図2A及び図2Bの循環型冷却装置30を用いているが、他の循環システムを用いてもよいことは当業者にとって明らかである。   In the example shown in FIG. 17, the heat exchanger 200 having two layers is connected to the left side of the heat source that is the electronic device 99, and the heat exchanger 200 ′ having three layers is on the right side of the heat source that is the electronic device 99. It is connected. It will be apparent to those skilled in the art that a suitable or alternative heat exchanger may be coupled to any face of the heat source that is the electronic device 99. Further, as a modification, it is obvious to those skilled in the art that another heat exchanger 200 ′ may be connected to the side surface of the heat source that is the electronic device 99. In the modification shown in FIG. By supplying the fluid to cool the hot spots that exist along the thickness of the heat source, the hot spots of the heat source that is the electronic device 99 can be cooled more accurately. That is, in the embodiment shown in FIG. 17, by performing heat exchange on both surfaces of the heat source that is the electronic device 99, the hot spot can be appropriately cooled at the center of the heat source that is the electronic device 99. In addition, in embodiment shown in FIG. 17, although the circulation type cooling device 30 of FIG. 2A and 2B is used, it is clear to those skilled in the art that other circulation systems may be used.

上述のように、電子デバイス99である熱源は、電子デバイス99である熱源において実行する必要がある異なるタスクのために、1又は複数のホットスポットの位置が変化する場合がある。電子デバイス99である熱源を適切に冷却するために、循環型冷却装置30(図2A及び図2B)は、ホットスポットの位置の変化に応じて、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100に入る流体の流量及び/又は流速を動的に変更する感知及び制御モジュール34を備える。   As described above, the heat source that is the electronic device 99 may change the position of one or more hot spots due to different tasks that need to be performed in the heat source that is the electronic device 99. In order to properly cool the heat source, which is the electronic device 99, the circulating cooling device 30 (FIGS. 2A and 2B) is configured to change the fluid entering the fluid transport microchannel heat exchanger 100 in response to a change in the position of the hot spot. A sensing and control module 34 is provided that dynamically changes the flow rate and / or flow rate.

詳しくは、図17に示すように、熱交換器200内の各接触層ホットスポット領域に及び/又は電子デバイス99である熱源の各潜在的なホットスポット位置に1つの以上のセンサ124を配設する。これに代えて、熱源及び熱交換器の間で及び/又は熱交換器自体の中に、複数のセンサを均等に配置してもよい。また、制御モジュール34(図2A及び図2B)を流体輸送マイクロチャネル熱交換器100への流体のフローを制御する循環型冷却装置30内の1又は複数のバルブに連結してもよい。この具体例では、これらの1つの以上のバルブは、流体ライン内に配設されるが、これに代えて、他の如何なる箇所に配設してもよい。複数のセンサ124は、制御モジュール34に連結され、制御モジュール34は、好ましくは、図2に示すように、流体輸送マイクロチャネル熱交換器100のアップストリーム側に配設される。これに代えて、制御モジュール34は、循環型冷却装置30内の他の如何なる位置に配設してもよい。   Specifically, as shown in FIG. 17, one or more sensors 124 are disposed in each contact layer hot spot region in the heat exchanger 200 and / or in each potential hot spot location of the heat source that is the electronic device 99. To do. Alternatively, a plurality of sensors may be equally arranged between the heat source and the heat exchanger and / or in the heat exchanger itself. The control module 34 (FIGS. 2A and 2B) may also be coupled to one or more valves in the circulating cooling device 30 that controls the flow of fluid to the fluid transport microchannel heat exchanger 100. In this embodiment, these one or more valves are disposed in the fluid line, but may alternatively be disposed in any other location. The plurality of sensors 124 are coupled to the control module 34, which is preferably disposed on the upstream side of the fluid transport microchannel heat exchanger 100, as shown in FIG. Alternatively, the control module 34 may be arranged at any other position in the circulation type cooling device 30.

センサ124は、以下に限定されるものではないが、例えば、接触層ホットスポット領域を流れる流体の流量、接触層102及び/又は電子デバイス99である熱源のホットスポット領域の温度、流体の温度等の情報を制御モジュール34に提供する。例えば、図17に示す具体例では、接触層上に配設されたセンサ124は、熱交換器200の特定の接触層ホットスポット領域の温度が高くなり、熱交換器200’の特定の接触層ホットスポット領域の温度が低くなっているといった情報を制御モジュール34に提供する。これに応じて、制御モジュール34は、熱交換器200への流体の流量を増加させ、熱交換器200’への流体の流量を減少させる。これに代えて、制御モジュール34は、フィンガ118であるセンサから受け取った情報に応じて、1又は複数の熱交換器内の1又は複数の接触層ホットスポット領域への流体の流量を変更してもよい。図14に示す具体例では、フィンガ118であるセンサを2つの熱交換器200、200’に接続しているが、これに代えて、フィンガ118であるセンサを1つの熱交換器だけに接続してもよいことは明らかである。   The sensor 124 is not limited to the following, for example, the flow rate of the fluid flowing through the contact layer hot spot region, the temperature of the hot spot region of the heat source that is the contact layer 102 and / or the electronic device 99, the temperature of the fluid, and the like. Is provided to the control module 34. For example, in the embodiment shown in FIG. 17, the sensor 124 disposed on the contact layer has a higher temperature in a specific contact layer hot spot area of the heat exchanger 200, and the specific contact layer of the heat exchanger 200 ′. Information indicating that the temperature of the hot spot area is low is provided to the control module 34. In response, the control module 34 increases the flow rate of fluid to the heat exchanger 200 and decreases the flow rate of fluid to the heat exchanger 200 '. Instead, the control module 34 changes the flow rate of the fluid to one or more contact layer hot spot areas in the one or more heat exchangers in response to information received from the sensor that is the finger 118. Also good. In the specific example shown in FIG. 14, the sensor as the finger 118 is connected to the two heat exchangers 200 and 200 ′. Instead, the sensor as the finger 118 is connected to only one heat exchanger. Obviously it may be.

本発明の構成及び動作原理を明瞭に説明するために、様々な詳細を含む特定の実施例を用いて本発明を説明した。このような特定の実施例の説明及びその詳細は、特許請求の範囲を制限するものではない。本発明の主旨及び範囲から逸脱することなく、例示的に選択された実施例を変更できることは、当業者にとって明らかである。   The invention has been described in terms of specific embodiments, including various details, in order to provide a clear explanation of the structure and operating principles of the invention. Such reference herein to specific embodiments and details thereof is not intended to limit the scope of the claims appended hereto. It will be apparent to those skilled in the art that the exemplary selected embodiments can be modified without departing from the spirit and scope of the present invention.

従来の熱交換器の側面図である。It is a side view of the conventional heat exchanger. 従来の熱交換器の平面図である。It is a top view of the conventional heat exchanger. 従来のマルチレベル熱交換器の側面図である。It is a side view of the conventional multilevel heat exchanger. 本発明に基づく柔軟な流体輸送マイクロチャネル熱交換器の好適な実施形態を組み込んだ循環型冷却装置の概略図である。1 is a schematic diagram of a circulating cooling device incorporating a preferred embodiment of a flexible fluid transport microchannel heat exchanger according to the present invention. FIG. 本発明に基づく柔軟な流体輸送マイクロチャネル熱交換器の変形例を組み込んだ循環型冷却装置の概略図である。FIG. 6 is a schematic diagram of a circulating cooling device incorporating a variation of a flexible fluid transport microchannel heat exchanger according to the present invention. 本発明に基づく熱交換器のマニホルド層の変形例の平面図である。It is a top view of the modification of the manifold layer of the heat exchanger based on this invention. 図3Bは、本発明に基づくマニホルド層の変形例を備える熱交換器の分解図である。FIG. 3B is an exploded view of a heat exchanger with a manifold layer variation according to the present invention. 本発明に基づく互いに組み合うマニホルド層の斜視図である。1 is a perspective view of manifold layers that are assembled together according to the present invention. FIG. 本発明に基づく接触層及び互いに組み合うマニホルド層の平面図である。1 is a plan view of a contact layer and manifold layers that are assembled together according to the present invention. FIG. 本発明に基づく接触層及び互いに組み合うマニホルド層の線A−Aに沿った断面図である。1 is a cross-sectional view along line AA of a contact layer and a manifold layer mating with each other according to the present invention. FIG. 本発明に基づく接触層及び互いに組み合うマニホルド層の線B−Bに沿った断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view along line B-B of the contact layer and the manifold layers mated together according to the present invention. 本発明に基づく接触層及び互いに組み合うマニホルド層の線C−Cに沿った断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view along line CC of the contact layer and the manifold layers mated together according to the present invention. 本発明に基づく接触層及び互いに組み合うマニホルド層の分解図である。FIG. 3 is an exploded view of a contact layer and a manifold layer mating with each other according to the present invention. 本発明に基づく接触層の変形例の斜視図である。It is a perspective view of the modification of the contact layer based on this invention. 本発明に基づくマニホルド層の変形例の平面図である。It is a top view of the modification of the manifold layer based on this invention. 本発明に基づく接触層の平面図である。1 is a plan view of a contact layer according to the present invention. FIG. 本発明に基づく接触層の平面図である。1 is a plan view of a contact layer according to the present invention. FIG. 本発明に基づく三層式熱交換器の変形例の側面図である。It is a side view of the modification of the three-layer type heat exchanger based on this invention. 本発明に基づく二層式熱交換器の変形例の側面図である。It is a side view of the modification of the two-layer type heat exchanger based on this invention. 本発明に基づく超小型ピンアレイを有する接触層の斜視図である。1 is a perspective view of a contact layer having a micro pin array according to the present invention. FIG. 本発明に基づく超小型ピンアレイを有する接触層の斜視図である。1 is a perspective view of a contact layer having a micro pin array according to the present invention. FIG. 本発明に基づく超小型ピンアレイを有する接触層の斜視図である。1 is a perspective view of a contact layer having a micro pin array according to the present invention. FIG. 本発明に基づく超小型ピンアレイを有する接触層の斜視図である。1 is a perspective view of a contact layer having a micro pin array according to the present invention. FIG. 本発明に基づく超小型ピンアレイを有する接触層の斜視図である。1 is a perspective view of a contact layer having a micro pin array according to the present invention. FIG. 本発明に基づく熱交換器の変形例の一部切欠透視図である。It is a partially notched perspective view of the modification of the heat exchanger based on this invention. 本発明に基づく好適な熱交換器の分解図である。1 is an exploded view of a preferred heat exchanger according to the present invention. FIG. 本発明に基づく熱交換器の変形例の分解図である。It is an exploded view of the modification of the heat exchanger based on this invention. 本発明に基づく循環レベルの変形例の斜視図である。It is a perspective view of the modification of the circulation level based on this invention. 本発明に基づく好適なインレットレベルの底面側からの斜視図である。It is a perspective view from the bottom face side of the suitable inlet level based on this invention. 本発明に基づくインレットレベルの変形例の底面側からの斜視図である。It is a perspective view from the bottom face side of the modification of the inlet level based on this invention. 本発明に基づく好適なアウトレットレベルの底面側からの斜視図である。It is the perspective view from the bottom face side of the suitable outlet level based on this invention. 本発明に基づくアウトレットレベルの変形例の底面側からの斜視図である。It is a perspective view from the bottom face side of the modification of the outlet level based on this invention. 本発明に基づく好適な熱交換器の断面図である。1 is a cross-sectional view of a preferred heat exchanger according to the present invention. 本発明に基づく熱交換器の変形例の断面図である。It is sectional drawing of the modification of the heat exchanger based on this invention. 単相流フローのための本発明に基づくインレット及びアウトレットアパーチャの好適な構成を有する循環レベルの平面図である。Figure 2 is a top view of the circulation level with a preferred configuration of inlet and outlet apertures according to the present invention for single phase flow flow. 二相流フローのための本発明に基づくインレット及びアウトレットアパーチャの好適な構成を有する循環レベルの平面図である。Figure 2 is a top view of the circulation level with a preferred configuration of inlet and outlet apertures according to the present invention for two-phase flow. コーティング材料が適用された本発明に基づく熱交換器の接触層の側面図である。1 is a side view of a contact layer of a heat exchanger according to the present invention to which a coating material is applied. FIG. 本発明に基づく熱交換器の製造手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacture procedure of the heat exchanger based on this invention. 熱源に2つの熱交換器を連結する本発明の他の実施形態を示す図である。It is a figure which shows other embodiment of this invention which connects two heat exchangers to a heat source.

Claims (88)

a.0.3mm〜1.0mmの厚さを有し、熱源に接触し、流体が流されて該熱源を冷却する接触層と、
b.上記接触層に連結され、該接触層に流体を流す個別化された流路の第1の組を有するマニホルド層とを備え、
上記第1の組の個々の流路は、熱交換器内の圧力降下を最小化するよう配置されている熱交換器。
a. A contact layer having a thickness of 0.3 mm to 1.0 mm, in contact with a heat source, wherein a fluid is flowed to cool the heat source;
b. A manifold layer coupled to the contact layer and having a first set of individualized channels for flowing fluid through the contact layer;
A heat exchanger in which the first set of individual channels are arranged to minimize pressure drop in the heat exchanger.
上記マニホルド層は、上記接触層から流体を受け取る個別化された流路の第2の組を備えることを特徴とする請求項1記載の熱交換器。   The heat exchanger of claim 1, wherein the manifold layer comprises a second set of individualized channels for receiving fluid from the contact layer. 上記マニホルド層は、上記個別化された流路の第1の組に流体を供給する第1のポートと、上記個別化された流路の第2の組から流体を取り除く第2のポートとを備えることを特徴とする請求項2記載の熱交換器。   The manifold layer includes a first port for supplying fluid to the first set of individualized channels and a second port for removing fluid from the second set of individualized channels. The heat exchanger according to claim 2, further comprising: 上記流路の第1の組は、上記熱源の所定の領域を所望の温度に冷却するために、接触層に沿って、最短の流路距離を提供するよう構成されていることを特徴とする請求項1記載の熱交換器。   The first set of flow paths is configured to provide the shortest flow path distance along the contact layer to cool a predetermined region of the heat source to a desired temperature. The heat exchanger according to claim 1. 上記流路の第1の組及び第2の組は、上記熱源の所定の領域を所望の温度に冷却するために、第1及び第2のポートの間で最短の流路距離を提供するよう構成されていることを特徴とする請求項3記載の熱交換器。   The first and second sets of flow paths provide a shortest flow path distance between the first and second ports to cool a predetermined region of the heat source to a desired temperature. The heat exchanger according to claim 3, wherein the heat exchanger is configured. 上記流体は、単相流状態にあることを特徴とする請求項1記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 1, wherein the fluid is in a single-phase flow state. 上記流体の少なくとも一部は、二相流状態にあることを特徴とする請求項1記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 1, wherein at least a part of the fluid is in a two-phase flow state. 上記流体の少なくとも一部は、上記接触層において、単層流状態と二相流状態の間で遷移することを特徴とする請求項1記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 1, wherein at least a part of the fluid transitions between a single laminar flow state and a two-phase flow state in the contact layer. 上記マニホルド層は、上記第1及び第2の流路を内部に有する循環レベルを備え、該循環レベルは、接触層に連結され、該流路の第1及び第2の組を介して、上記接触層に及び上記接触層から流体を独立して流すように構成されていることを特徴とする請求項2記載の熱交換器。   The manifold layer includes a circulation level having the first and second flow paths therein, and the circulation level is connected to the contact layer, and the first and second sets of the flow paths are used to 3. The heat exchanger according to claim 2, wherein the heat exchanger is configured to flow a fluid independently to and from the contact layer. 上記第1の組内の各流路には、筒状の突起が接続され、該各筒状の突起は、上記循環レベルから、所定の高さに延びることを特徴とする請求項9記載の熱交換器。   The cylindrical projection is connected to each flow path in the first set, and each cylindrical projection extends from the circulation level to a predetermined height. Heat exchanger. 上記マニホルド層は、
a.上記第1のポート及び上記流路の第1の組の間で流体を流すよう構成された第1のレベルと、
b.上記第1のレベルに連結され、上記第2のポート及び上記流路の第2の組の間で流体を流すよう構成された第2のレベルとを備え、
上記マニホルド層において、上記第1のレベルを介して流される流体は、上記第2のレベルを介して流される流体から分離されていることを特徴とする請求項3記載の熱交換器。
The manifold layer is
a. A first level configured to flow fluid between the first port and the first set of flow paths;
b. A second level coupled to the first level and configured to flow fluid between the second port and the second set of flow paths;
4. A heat exchanger according to claim 3, wherein the fluid flowing through the first level in the manifold layer is separated from the fluid flowing through the second level.
上記第1のレベルは、上記第1のポート及び上記流路の第1の組に接続された第1のコリダを備え、該第1のコリダ内の流体は、上記流路の第1の組に直接流れることを特徴とする請求項11記載の熱交換器。   The first level includes a first corridor connected to the first port and the first set of flow paths, and the fluid in the first corridor is the first set of flow paths. The heat exchanger according to claim 11, wherein the heat exchanger flows directly into the heat exchanger. 上記第2のレベルは、上記第2のポート及び上記流路の第2の組に接続された第2のコリダを備え、上記流路の第2の組内の流体は、該第2のコリダに直接流れることを特徴とする請求項11記載の熱交換器。   The second level includes a second corridor connected to the second port and the second set of flow paths, and the fluid in the second set of flow paths is the second corridor. The heat exchanger according to claim 11, wherein the heat exchanger flows directly into the heat exchanger. 上記流路の第1の組は、上記流路の第2の組から熱的に絶縁され、該流路の第1の組及び該流路の第2の組間での熱輸送が行われないことを特徴とする請求項2記載の熱交換器。   The first set of flow paths is thermally insulated from the second set of flow paths, and heat transport is performed between the first set of flow paths and the second set of flow paths. The heat exchanger according to claim 2, wherein there is no heat exchanger. 上記流路の第1の組及び流路の第2の組は、少なくとも1つの寸法に沿って、均等に配設されていることを特徴とする請求項2記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 2, wherein the first set of flow paths and the second set of flow paths are evenly arranged along at least one dimension. 上記流路の第1の組及び流路の第2の組は、少なくとも1つの寸法に沿って、非均等に配設されていることを特徴とする請求項2記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 2, wherein the first set of flow paths and the second set of flow paths are non-uniformly arranged along at least one dimension. 上記第1の組の各流路は、互いに最適な最短距離に配設されていることを特徴とする請求項1記載の熱交換器。   2. The heat exchanger according to claim 1, wherein the flow paths of the first set are disposed at an optimum shortest distance from each other. 上記流路の第1の組及び第2の組は、上記熱源における少なくとも1つの接触層ホットスポット領域を冷却するように配設されていることを特徴とする請求項2記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 2, wherein the first set and the second set of flow paths are arranged to cool at least one contact layer hot spot region in the heat source. 上記第1の流路の少なくとも1つは、複数の第1の孔を介して流れ、該複数の第1の孔の少なくとも1つは、実質的に上記流路の第2の組の少なくとも1つの孔の第2の寸法に実質的に等しい第1の寸法を有することを特徴とする請求項2記載の熱交換器。   At least one of the first flow paths flows through a plurality of first holes, and at least one of the plurality of first holes is substantially at least one of the second set of flow paths. 3. A heat exchanger according to claim 2 having a first dimension substantially equal to the second dimension of the two holes. 上記第1の流路の少なくとも1つは、複数の第1の孔を介して流れ、該複数の第1の孔の少なくとも1つは、実質的に上記流路の第2の組の少なくとも1つの孔の第2の寸法とは異なる第1の寸法を有することを特徴とする請求項2記載の熱交換器。   At least one of the first flow paths flows through a plurality of first holes, and at least one of the plurality of first holes is substantially at least one of the second set of flow paths. 3. A heat exchanger according to claim 2, having a first dimension different from the second dimension of the two holes. 上記接触層は、少なくとも100W/m−Kの熱伝導率を有する材料から形成されていることを特徴とする請求項1記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 1, wherein the contact layer is made of a material having a thermal conductivity of at least 100 W / m-K. 上記接触層は、少なくとも10W/m−Kの適切な熱伝導率を有するコーティングを備えることを特徴とする請求項1記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 1, wherein the contact layer comprises a coating having a suitable thermal conductivity of at least 10 W / m-K. 上記接触層は、該接触層に沿って所定のパターンで構成された複数のピラーを更に備えることを特徴とする請求項1記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 1, wherein the contact layer further includes a plurality of pillars configured in a predetermined pattern along the contact layer. 上記複数のピラーの少なくとも1つは、(10μm)以上(100μm)以下の範囲内の面積寸法を有することを特徴とする請求項23記載の熱交換器。 It said plurality of at least one of the pillars, (10 [mu] m) 2 or (100 [mu] m) The heat exchanger of claim 23, wherein the having an area dimension in the range of 2 or less. 上記複数のピラーの少なくとも1つは、50μm以上2mm以下の範囲内の高さ寸法を有することを特徴とする請求項23記載の熱交換器。   24. The heat exchanger according to claim 23, wherein at least one of the plurality of pillars has a height dimension in a range of 50 [mu] m to 2 mm. 上記少なくとも2つの複数のピラーは、10μm以上150μm以下の範囲内の間隔寸法で互いに離間して配設されていることを特徴とする請求項23記載の熱交換器。   24. The heat exchanger according to claim 23, wherein the at least two pillars are spaced apart from each other with a spacing dimension in a range of 10 μm to 150 μm. 上記複数のピラーは、少なくとも10W/m−Kの適切な熱伝導率を有するコーティングを備えることを特徴とする請求項23記載の熱交換器。   24. The heat exchanger of claim 23, wherein the plurality of pillars comprise a coating having a suitable thermal conductivity of at least 10 W / m-K. 上記複数のピラーの少なくとも1つは、所定の方向に沿って、少なくとも1つの変化する寸法を有することを特徴とする請求項23記載の熱交換器。   24. The heat exchanger of claim 23, wherein at least one of the plurality of pillars has at least one changing dimension along a predetermined direction. 上記接触層に沿って、所定の領域に適切な数の上記ピラーが配設されていることを特徴とする請求項23記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 23, wherein an appropriate number of the pillars are disposed in a predetermined region along the contact layer. 上記接触層の少なくとも一部は、粗面化された表面を有することを特徴とする請求項1記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 1, wherein at least a part of the contact layer has a roughened surface. 上記接触層は、少なくとも10W/m−Kの適切な熱伝導率を有するコーティングを備えることを特徴とする請求項23記載の熱交換器。   24. A heat exchanger according to claim 23, wherein the contact layer comprises a coating having a suitable thermal conductivity of at least 10 W / m-K. 上記接触層に沿って配設された、微孔構造を更に備える請求項1記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 1, further comprising a microporous structure disposed along the contact layer. 上記微孔構造は、50パーセント以上80パーセント以下の範囲内の多孔度を有することを特徴とする請求項32記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 32, wherein the microporous structure has a porosity in the range of 50 percent to 80 percent. 上記微孔構造の平均孔寸法は、10μm以上200μm以下の範囲内であることを特徴とする請求項32記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 32, wherein an average pore size of the microporous structure is in a range of 10 µm to 200 µm. 上記微孔構造は、0.25mm以上2.00mm以下の範囲内の高さ寸法を有することを特徴とする請求項32記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 32, wherein the microporous structure has a height dimension in a range of 0.25 mm to 2.00 mm. 上記微孔構造は、所定の方向に沿って様々な寸法を有する少なくとも1つの孔を備えることを特徴とする請求項32記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 32, wherein the microporous structure includes at least one hole having various dimensions along a predetermined direction. 上記接触層に沿って、所定の構成に配設された複数のマイクロチャネルを更に備える請求項1記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 1, further comprising a plurality of microchannels arranged in a predetermined configuration along the contact layer. 上記複数のマイクロチャネルの少なくとも1つは、(10μm)以上(100μm)以下の範囲内の面積寸法を有することを特徴とする請求項37記載の熱交換器。 It said plurality of at least one of the microchannels, (10 [mu] m) 2 or (100 [mu] m) The heat exchanger of claim 37 characterized by having an area dimension in the range of 2 or less. 上記複数のマイクロチャネルの少なくとも1つは、50μm以上2mm以下の範囲内の高さ寸法を有することを特徴とする請求項37記載の熱交換器。   38. The heat exchanger according to claim 37, wherein at least one of the plurality of microchannels has a height dimension in a range of 50 [mu] m to 2 mm. 上記少なくとも2つの複数のマイクロチャネルは、10μm以上150μm以下の範囲内の間隔寸法で互いに離間して配設されていることを特徴とする請求項37記載の熱交換器。   38. The heat exchanger according to claim 37, wherein the at least two of the plurality of microchannels are spaced apart from each other with a spacing dimension in the range of 10 μm to 150 μm. 上記複数のマイクロチャネルの少なくとも1つは、10μm以上100μm以下の範囲内の幅寸法を有することを特徴とする請求項37記載の熱交換器。   38. The heat exchanger according to claim 37, wherein at least one of the plurality of microchannels has a width dimension in a range of 10 [mu] m to 100 [mu] m. 上記複数のマイクロチャネルは、少なくとも10W/m−Kの熱伝導率を有するコーティングを備えることを特徴とする請求項37記載の熱交換器。   38. The heat exchanger of claim 37, wherein the plurality of microchannels comprises a coating having a thermal conductivity of at least 10 W / m-K. 上記接触層は、熱源に連結されていることを特徴とする請求項1記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 1, wherein the contact layer is connected to a heat source. 上記接触層は、上記熱源と一体に形成されていることを特徴とする請求項1記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 1, wherein the contact layer is formed integrally with the heat source. 上記熱源は、集積回路であることを特徴とする請求項1記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 1, wherein the heat source is an integrated circuit. 上記熱交換器は、0mm以上15mm以内の範囲内の張り出し寸法を有することを特徴とする請求項1記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 1, wherein the heat exchanger has an overhanging dimension within a range of 0 mm or more and 15 mm or less. 熱源を冷却するように構成された熱交換器において、
a.0.3mm〜1.0mmの厚さを有し、熱源に接触し、流体が流されるよう構成された接触層と、
b.上記接触層に連結されたマニホルド層とを備え、
上記マニホルド層は、
1.上記接触層に流体を流すよう構成され、互いの間で最適な流体移動距離を実現するように配置された複数の実質的に垂直なインレット流路を有する第1のレベルと、
2.上記接触層から流体を取り除く少なくとも1つのアウトレット流路を有する第2のレベルとを有する熱交換器。
In a heat exchanger configured to cool a heat source,
a. A contact layer having a thickness of 0.3 mm to 1.0 mm, configured to contact a heat source and flow fluid;
b. A manifold layer coupled to the contact layer,
The manifold layer is
1. A first level having a plurality of substantially vertical inlet channels configured to flow fluid through the contact layer and arranged to achieve an optimal fluid travel distance between each other;
2. And a second level having at least one outlet channel for removing fluid from the contact layer.
上記第1のレベルは、上記インレット流路に流体を流すように構成された少なくとも1つの第1のポートを備えることを特徴とする請求項47記載の熱交換器。   48. The heat exchanger of claim 47, wherein the first level comprises at least one first port configured to flow fluid through the inlet flow path. 上記第2のレベルは、上記少なくとも1つのアウトレット流路からの流体を流すように構成された少なくとも1つの第2のポートを備え、該第2のレベルの流体は、上記第1のレベルを流体とは分離されて流れることを特徴とする請求項48記載の熱交換器。   The second level comprises at least one second port configured to flow fluid from the at least one outlet flow path, the second level fluid fluidizing the first level. The heat exchanger according to claim 48, wherein the heat exchanger flows separately. 上記第2のレベルは、上記接触層から流体を取り除く複数の実質的に垂直なアウトレット流路を有し、上記複数のインレット及びアウトレット流路は、互いの間で最適な流体移動距離を実現するように配置されていることを特徴とする請求項49記載の熱交換器。   The second level has a plurality of substantially vertical outlet channels that remove fluid from the contact layer, and the plurality of inlets and outlet channels provide an optimal fluid travel distance between each other. The heat exchanger according to claim 49, wherein the heat exchanger is arranged as follows. 上記マニホルド層は、上記接触層に連結され、内部に垂直に延び、上記インレット流路に沿って接触層に流体を流す複数の第1のアパーチャと、内部に垂直に延び、上記アウトレット流路に沿って上記接触層から流体を受け取る複数の第2のアパーチャとを有する循環レベルを備えることを特徴とする請求項50記載の熱交換器。   The manifold layer is connected to the contact layer, extends vertically inside, a plurality of first apertures for flowing fluid along the inlet flow path to the contact layer, and extends vertically inside the outlet flow path. 51. The heat exchanger of claim 50, comprising a circulation level having a plurality of second apertures along which a fluid is received from the contact layer. 上記第1のレベルは、上記第1のポートから上記第1のアパーチャに水平に流体を流すインレット流体コリダを備えることを特徴とする請求項51記載の熱交換器。   52. The heat exchanger of claim 51, wherein the first level comprises an inlet fluid corridor that allows fluid to flow horizontally from the first port to the first aperture. 上記第2のレベルは、上記第2のアパーチャから上記第2のポートに水平に流体を流すアウトレット流体コリダを備えることを特徴とする請求項52記載の熱交換器。   53. The heat exchanger of claim 52, wherein the second level comprises an outlet fluid corridor that allows fluid to flow horizontally from the second aperture to the second port. 上記第1及び第2のアパーチャは、少なくとも1つの寸法に沿って、均等に配設されていることを特徴とする請求項51記載の熱交換器。   52. The heat exchanger of claim 51, wherein the first and second apertures are evenly disposed along at least one dimension. 上記第1及び第2のアパーチャは、少なくとも1つの寸法に沿って、非均等に配設されていることを特徴とする請求項51記載の熱交換器。   52. A heat exchanger according to claim 51, wherein the first and second apertures are non-uniformly disposed along at least one dimension. 上記インレット流路及び少なくとも1つのアウトレット流路は、上記マニホルド層において、互いに密閉されていることを特徴とする請求項47記載の熱交換器。   48. The heat exchanger of claim 47, wherein the inlet channel and at least one outlet channel are sealed together in the manifold layer. 上記接触層は、熱源に連結されていることを特徴とする請求項47記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 47, wherein the contact layer is connected to a heat source. 上記接触層は、上記熱源と一体に形成されていることを特徴とする請求項47記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 47, wherein the contact layer is formed integrally with the heat source. 上記熱源は、集積回路であることを特徴とする請求項47記載の熱交換器。   48. The heat exchanger of claim 47, wherein the heat source is an integrated circuit. 上記第1及び第2のアパーチャは、上記熱源の少なくとも1つの接触層ホットスポット領域を冷却するよう構成されていることを特徴とする請求項51記載の熱交換器。   52. The heat exchanger of claim 51, wherein the first and second apertures are configured to cool at least one contact layer hot spot region of the heat source. 上記第1のアパーチャの少なくとも1つは、上記複数の第2のアパーチャの少なくとも1つのアウトレット寸法に実質的に等しいインレット寸法を有することを特徴とする請求項51記載の熱交換器。   52. The heat exchanger of claim 51, wherein at least one of the first apertures has an inlet dimension that is substantially equal to at least one outlet dimension of the plurality of second apertures. 上記第1のアパーチャの少なくとも1つは、上記複数の第2のアパーチャの少なくとも1つのアウトレット寸法とは異なるインレット寸法を有することを特徴とする請求項51記載の熱交換器。   52. The heat exchanger of claim 51, wherein at least one of the first apertures has an inlet dimension that is different from at least one outlet dimension of the plurality of second apertures. 上記接触層は、少なくとも100W/m−Kの熱伝導率を有する材料から形成されていることを特徴とする請求項47記載の熱交換器。   48. The heat exchanger according to claim 47, wherein the contact layer is made of a material having a thermal conductivity of at least 100 W / m-K. 上記接触層は、少なくとも10W/m−Kの適切な熱伝導率を提供するコーティングを備えることを特徴とする請求項47記載の熱交換器。   48. The heat exchanger of claim 47, wherein the contact layer comprises a coating that provides a suitable thermal conductivity of at least 10 W / m-K. 上記接触層は、該接触層に沿って所定のパターンで構成された複数のピラーを更に備えることを特徴とする請求項47記載の熱交換器。   48. The heat exchanger according to claim 47, wherein the contact layer further includes a plurality of pillars configured in a predetermined pattern along the contact layer. 上記複数のピラーの少なくとも1つは、(10μm)以上(100μm)以下の範囲内の面積寸法を有することを特徴とする請求項65記載の熱交換器。 It said plurality of at least one of the pillar, (10 [mu] m) 2 or (100 [mu] m) The heat exchanger of claim 65 characterized by having an area dimension in the range of 2 or less. 上記複数のピラーの少なくとも1つは、50μm以上2mm以下の範囲内の高さ寸法を有することを特徴とする請求項65記載の熱交換器。   66. The heat exchanger according to claim 65, wherein at least one of the plurality of pillars has a height dimension in a range of 50 μm to 2 mm. 上記少なくとも2つの複数のピラーは、10μm以上150μm以下の範囲内の間隔寸法で互いに離間して配設されていることを特徴とする請求項65記載の熱交換器。   66. The heat exchanger according to claim 65, wherein the at least two of the plurality of pillars are spaced apart from each other with a spacing dimension within a range of 10 μm to 150 μm. 上記複数のピラーは、少なくとも10W/m−Kの適切な熱伝導率を有するコーティングを備えることを特徴とする請求項65記載の熱交換器。   66. The heat exchanger of claim 65, wherein the plurality of pillars comprise a coating having a suitable thermal conductivity of at least 10 W / m-K. 上記複数のピラーの少なくとも1つは、所定の方向に沿って、少なくとも1つの変化する寸法を有することを特徴とする請求項65記載の熱交換器。   66. The heat exchanger of claim 65, wherein at least one of the plurality of pillars has at least one varying dimension along a predetermined direction. 上記接触層に沿って、所定の領域に適切な数の上記ピラーが配設されていることを特徴とする請求項65記載の熱交換器。   66. The heat exchanger according to claim 65, wherein an appropriate number of the pillars are disposed in a predetermined area along the contact layer. 上記接触層の少なくとも一部は、粗面化された表面を有することを特徴とする請求項47記載の熱交換器。   48. The heat exchanger of claim 47, wherein at least a portion of the contact layer has a roughened surface. 上記接触層は、少なくとも10W/m−Kの適切な熱伝導率を有するコーティングを備えることを特徴とする請求項65記載の熱交換器。   66. The heat exchanger of claim 65, wherein the contact layer comprises a coating having a suitable thermal conductivity of at least 10 W / m-K. 上記接触層に沿って配設された、微孔構造を更に備える請求項47記載の熱交換器。   48. The heat exchanger of claim 47, further comprising a microporous structure disposed along the contact layer. 上記微孔構造は、0.25mm以上2.00mm以下の範囲内の高さ寸法を有することを特徴とする請求項74記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 74, wherein the microporous structure has a height dimension within a range of 0.25 mm or more and 2.00 mm or less. 上記微孔構造は、所定の方向に沿って様々な寸法を有する少なくとも1つの孔を備えることを特徴とする請求項74記載の熱交換器。   75. A heat exchanger according to claim 74, wherein the microporous structure comprises at least one hole having various dimensions along a predetermined direction. 上記微孔構造の平均孔寸法は、10μm以上200μm以下の範囲内であることを特徴とする請求項74記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 74, wherein an average pore size of the microporous structure is in a range of 10 µm to 200 µm. 上記微孔構造の少なくとも1つの領域は、50%以上80%以下の多孔度を有することを特徴とする請求項74記載の熱交換器。   75. The heat exchanger according to claim 74, wherein at least one region of the microporous structure has a porosity of 50% or more and 80% or less. 上記接触層は、適切なパターンで配設された複数のマイクロチャネルを備えることを特徴とする請求項47記載の熱交換器。   48. The heat exchanger of claim 47, wherein the contact layer comprises a plurality of microchannels arranged in a suitable pattern. 上記複数のマイクロチャネルの少なくとも1つは、(10μm)以上(100μm)以下の範囲内の面積寸法を有することを特徴とする請求項79記載の熱交換器。 It said plurality of at least one of the microchannels, (10 [mu] m) 2 or (100 [mu] m) The heat exchanger of claim 79, wherein the having an area dimension in the range of 2 or less. 上記複数のマイクロチャネルの少なくとも1つは、50μm以上2mm以下の範囲内の高さ寸法を有することを特徴とする請求項79記載の熱交換器。   80. The heat exchanger according to claim 79, wherein at least one of the plurality of microchannels has a height dimension within a range of 50 μm to 2 mm. 上記少なくとも2つの複数のマイクロチャネルは、10μm以上150μm以下の範囲内の間隔寸法で互いに離間して配設されていることを特徴とする請求項79記載の熱交換器。   80. The heat exchanger according to claim 79, wherein the at least two of the plurality of microchannels are spaced apart from each other with a spacing dimension in a range of 10 μm to 150 μm. 上記複数のマイクロチャネルの少なくとも1つは、10μm以上100μm以下の範囲内の幅寸法を有することを特徴とする請求項79記載の熱交換器。   80. The heat exchanger according to claim 79, wherein at least one of the plurality of microchannels has a width dimension in a range of 10 μm to 100 μm. 上記複数のマイクロチャネルは、少なくとも10W/m−Kの熱伝導率を有するコーティングを備えることを特徴とする請求項79記載の熱交換器。   80. The heat exchanger of claim 79, wherein the plurality of microchannels comprises a coating having a thermal conductivity of at least 10 W / m-K. 0mm以上15mm以内の範囲内の張り出し寸法を有することを特徴とする請求項47記載の熱交換器。   The heat exchanger according to claim 47, wherein the heat exchanger has an overhanging dimension in a range of 0 mm or more and 15 mm or less. 上記循環レベルから適切な高さに延び、上記第1のアパーチャに接続された複数の筒状の突起を更に備える請求項51記載の熱交換器。   52. The heat exchanger of claim 51, further comprising a plurality of cylindrical protrusions extending from the circulation level to an appropriate height and connected to the first aperture. 熱を発生する電子デバイスにおいて、
a.集積回路と、
b.0.3mm〜1.0mmの厚さを有し、上記集積回路と一体に形成され、流体が流されるように構成され、上記電子デバイスが発生した熱を冷却する接触層と、
c.上記接触層に流体を供給する少なくとも1つのインレット流路と、上記接触層から流体を取り除く少なくとも1つのアウトレット流路とを有し、該少なくとも1つのインレット流路及び少なくとも1つのアウトレット流路が流体を最適な最短距離で移動させるような間隔で配設されており、上記接触層に流体を循環させるマニホルド層とを備える電子デバイス。
In electronic devices that generate heat,
a. An integrated circuit;
b. A contact layer having a thickness of 0.3 mm to 1.0 mm, integrally formed with the integrated circuit, configured to flow a fluid, and for cooling the heat generated by the electronic device;
c. At least one inlet channel for supplying fluid to the contact layer and at least one outlet channel for removing fluid from the contact layer, wherein the at least one inlet channel and at least one outlet channel are fluids And a manifold layer that circulates fluid through the contact layer.
少なくとも1つの集積回路を冷却する循環システムにおいて、
a.
1.0.3mm〜1.0mmの厚さを有し、流体が流されるように構成され、上記集積回路に接触する接触層と、
2.上記接触層に流体を供給する少なくとも1つのインレット流路と、上記接触層から流体を取り除く少なくとも1つのアウトレット流路とを有し、該少なくとも1つのインレット流路及び少なくとも1つのアウトレット流路が流体を最適な最短距離で移動させるような間隔で配設されており、上記接触層に連結されるマニホルド層とを備え、
上記集積回路が発生した熱を吸収する少なくとも1つの熱交換器と、
b.上記少なくとも1つの熱交換器に連結され、当該循環システムに流体を循環させる少なくとも1つのポンプと、
c.上記ポンプ及び熱交換器に連結され、上記熱交換器から排出された加熱された液体を冷却する除熱器とを備える循環システム。
In a circulation system for cooling at least one integrated circuit,
a.
A contact layer having a thickness of 1.0.3 mm to 1.0 mm, configured to allow fluid flow, and contacting the integrated circuit;
2. At least one inlet channel for supplying fluid to the contact layer and at least one outlet channel for removing fluid from the contact layer, wherein the at least one inlet channel and at least one outlet channel are fluids Are arranged at intervals such that they are moved at an optimum shortest distance, and include a manifold layer connected to the contact layer,
At least one heat exchanger that absorbs heat generated by the integrated circuit;
b. At least one pump coupled to the at least one heat exchanger and circulating fluid to the circulation system;
c. A circulation system comprising: a heat removal device that is connected to the pump and the heat exchanger and cools the heated liquid discharged from the heat exchanger.
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