JP2006086427A - Substrate holding method and apparatus therefor, and exposure device - Google Patents

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秀和 菊地
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate holding method, in which a substrate will not be shifted in position when handed over and a contact point can be maintained always at a fixed position, even if the height of flatness is adjusted. <P>SOLUTION: Disclosed is the method of supporting three places of the substrate by a support member 10, wherein the member 10 is such that an O ring 11 is installed on a prop 13 rotatable for height adjustment so that an anchor ring is parallel to a perpendicular direction and the perpendicular direction top part of an outer peripheral part is arranged on the axis of rotation of the prop 13. Then the substrate is supported at the perpendicularly top part of the outer peripheral part of the O ring 11. The O ring 11 is arranged longitudinally, and then the outer peripheral surface of a rubber ring becomes convex upward, to make the substrate contact one point of the top part of the rubber ring, so that a space will not be formed between the substrate and rubber ring, and no suction phenomenon will occur. Consequently, the substrate will neither vibrate nor shift in position, when it is detached. Since the support points is always fixed, the substrate can be supported inside a narrow region. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、真空処置装置、半導体製造装置及び露光装置等に適用して好適な、ウエハやレチクル等の基板を保持する基板保持方法及び基板保持装置、及び、その基板保持装置により基板を保持して露光処理を行う露光装置に関する。   The present invention is applicable to a vacuum treatment apparatus, a semiconductor manufacturing apparatus, an exposure apparatus, and the like. A substrate holding method and a substrate holding apparatus for holding a substrate such as a wafer and a reticle, and the substrate holding apparatus for holding a substrate. The present invention relates to an exposure apparatus that performs exposure processing.

半導体素子、液晶表示素子、CCD等の撮像素子、プラズマディスプレイ素子あるいは薄膜磁気ヘッド等の電子デバイス(以下、電子デバイスと総称する)の製造にあたっては、露光装置を用いて、フォトマスクやレチクル(以下、レチクルと総称する)に形成された微細なパターンの像を、フォトレジスト等の感光剤を塗布した半導体ウエハやガラスプレート等の基板(以下、ウエハと総称する)上に投影露光する。
そのような露光装置等の半導体製造装置において、ウエハやレチクル等の基板を保持する方法としては、平らなテーブルを用いる真空吸着方式が一般的である。しかし、真空環境下で基板を保持する場合には、この真空吸着方式が使用できないため、基板を機械的に上や横から押さえてクランプする方法や落とし込みによる方法がとられている。しかし、この方法では機械的な接触や摩擦によって磨耗粉が発生したり、基板に傷が付くなどの不具合が生じる。
In the manufacture of electronic devices such as semiconductor devices, liquid crystal display devices, CCD imaging devices, plasma display devices, or thin film magnetic heads (hereinafter collectively referred to as electronic devices), an exposure apparatus is used to manufacture a photomask or reticle (hereinafter referred to as an electronic device). The image of the fine pattern formed on the reticle) is projected and exposed on a semiconductor wafer or a substrate such as a glass plate (hereinafter collectively referred to as a wafer) coated with a photosensitive agent such as a photoresist.
In such a semiconductor manufacturing apparatus such as an exposure apparatus, a vacuum suction method using a flat table is generally used as a method for holding a substrate such as a wafer or a reticle. However, when the substrate is held in a vacuum environment, this vacuum suction method cannot be used. Therefore, a method of clamping the substrate mechanically from above or from the side or a method of dropping is used. However, this method causes problems such as generation of abrasion powder due to mechanical contact and friction, and damage to the substrate.

そこで従来は、例えば、図7(A)及び図7(B)に示すように、Oリング61を縦に保持した小ネジ62を支柱63の側面にネジ止めして締結して、Oリング61の最上部1点にウエハ及びレチクルの底面を接触させて、これを保持する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。なお、図7(B)は図7(A)をEの方向から見た上面図である。
特開2004−111685号公報
Therefore, conventionally, for example, as shown in FIGS. 7A and 7B, a small screw 62 holding the O-ring 61 vertically is fastened to the side surface of the column 63 and fastened, and the O-ring 61 is tightened. A method has been proposed in which the bottom surface of the wafer and the reticle is brought into contact with one uppermost point of the wafer and held (see, for example, Patent Document 1). Note that FIG. 7B is a top view of FIG.
JP 2004-1111685 A

また、例えば、図8に示すように、数ミリの大きさのフッ素ゴムパッド74を支柱73の上部に貼り付けて、そこにウエハあるいはレチクルを載置して保持させる方式も提案されている。支柱73は、固定部がボルトとなっており、回転することによって高さ調整が可能である。また、フッ素ゴムパッド74は、摩擦係数が0.2〜0.3と高く、位置ずれを発生させる外乱振動に対しても、非常に強く、真空中でも有効である。
なお、フッ素ゴムパッド74の部分を、セラミックス、アルミ、樹脂材にする方法もあるが、摩擦係数が0.1以下と小さいために外乱振動には弱く、その点においてゴムパッドの方が有効である。
For example, as shown in FIG. 8, there has been proposed a method in which a fluoro rubber pad 74 having a size of several millimeters is attached to the upper portion of a support 73 and a wafer or reticle is placed and held thereon. As for the support | pillar 73, the fixing | fixed part is a volt | bolt, and height adjustment is possible by rotating. In addition, the fluororubber pad 74 has a high friction coefficient of 0.2 to 0.3, and is extremely strong against disturbance vibrations that cause displacement, and is effective even in a vacuum.
Although there is a method in which the fluororubber pad 74 is made of ceramics, aluminum, or a resin material, the friction coefficient is as small as 0.1 or less, so that it is weak against disturbance vibration, and the rubber pad is more effective in that respect.

しかしながら、図7(A)及び図7(B)を参照して前述したOリングを用いる方法においては、平面度を調整するための基板の支持点の高さの調整は、支柱63を回転することによって行うようにしていた。そのため、ウエハ及びレチクルの底面の接触ポイントは、図7(B)に示すように、半径Rの円の範囲となる。従って、たとえ小さめのOリングを使用して部品を小型化したとしても、底面の接触ポイントの半径Rは数ミリ(3〜4mm)程度にしか小さくならない。その結果、例えばEB露光機のように搭載物の接触可能エリアが小さく決まっているレチクルでは、接触可能エリアをオーバーする(接触可能エリア内から外れる)可能性もあり適切ではない。   However, in the method using the O-ring described above with reference to FIGS. 7A and 7B, the height of the support point of the substrate for adjusting the flatness is adjusted by rotating the support 63. I tried to do that. Therefore, the contact point on the bottom surface of the wafer and the reticle is within a circle having a radius R as shown in FIG. Therefore, even if a small O-ring is used to reduce the size of the component, the radius R of the contact point on the bottom surface is reduced to only a few millimeters (3 to 4 mm). As a result, for example, a reticle having a small contactable area of the loaded object, such as an EB exposure machine, may exceed the contactable area (depart from the contactable area) and is not appropriate.

また、図8に示したようなフッ素ゴムパッド74を支柱73の上面に接着して取り付けてウエハ又はレチクルを支持する方法においては、接着することによって、微小ではあるがほとんどの場合フッ素ゴムパッド74の上面は凹部に湾曲する。この状態で、ウエハ又はレチクルがフッ素パッド上に載置され、搬送装置でピックアップすると、吸盤現象によって粘着力が発生する。粘着力は、真空中では大気中に比べて小さく、また、搬送装置のロボットによって引き離れない程強いものではないが、その粘着力は、フッ素ゴムパッド74とウエハ又はレチクルが離れると同時に失われるので、その瞬間、すなわちフッ素ゴムパッド74とウエハ又はレチクルが引き離される瞬間に、ウエハ又はレチクルに振動が発生したり、その勢いでウエハ又はレチクルにわずかながら位置ずれを起こす可能性がある。高精度な基板の加工を行う場合には、ウエハ又はレチクルの受け渡し時の位置ずれ量をより小さくする必要がある。このようなウエハ又はレチクルの引き離し時に生じる位置ずれは、数μm〜数百μm程度の範囲でばらばらの値となるが、数十μmの精度を要求される装置においては、高精度な露光処理等が安定してできないこととなり大きな問題である。   Further, in the method of supporting the wafer or reticle by attaching the fluoro rubber pad 74 to the upper surface of the support column 73 as shown in FIG. 8, the upper surface of the fluoro rubber pad 74 is almost always small by bonding. Is curved into the recess. In this state, when a wafer or reticle is placed on a fluorine pad and picked up by a transfer device, an adhesive force is generated due to a sucker phenomenon. The adhesive strength is small in vacuum compared to the atmosphere and is not strong enough to be pulled away by the robot of the transfer device, but the adhesive strength is lost as soon as the fluororubber pad 74 and the wafer or reticle are separated. At that moment, that is, at the moment when the fluororubber pad 74 and the wafer or reticle are separated from each other, vibration may occur in the wafer or reticle, or the wafer or reticle may be slightly displaced due to the momentum. In the case of processing a substrate with high accuracy, it is necessary to further reduce the amount of positional deviation when the wafer or reticle is delivered. Such misalignment that occurs when the wafer or reticle is separated varies in the range of several μm to several hundred μm. However, in an apparatus that requires accuracy of several tens of μm, high-precision exposure processing, etc. Is a big problem because it can not be stable.

本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって、基板の引渡し時に位置ずれが生じることがなく、また、平面度高さの調整を行っても接触ポイントを常に一定位置に維持することができる基板保持方法及び基板保持装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、基板の保持及び高さ調整を位置ずれなく高精度に行うことができ、高精度な露光処理を行うことのできる露光装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of such a problem, and there is no positional deviation when the substrate is delivered, and the contact point is always maintained at a fixed position even when the flatness height is adjusted. Another object is to provide a substrate holding method and a substrate holding apparatus.
Another object of the present invention is to provide an exposure apparatus that can perform holding and height adjustment of a substrate with high accuracy without misalignment and can perform high-precision exposure processing.

上記課題を解決するため、本発明に係る基板保持方法は、基板の3箇所以上の所望の箇所を各々下方から支持することにより前記基板を保持する基板保持方法であって、前記各支持箇所においては、鉛直方向に延伸し当該鉛直方向を回転軸方向として回転する支柱部材に、円環部材を、当該円環部材の円環面が鉛直方向に平行になり、当該円環部材の外周部の鉛直方向最上部が前記支柱部材の前記回転軸上に配置されるように設置し、当該円環部材の前記外周部の前記鉛直方向最上部において前記基板を支持することを特徴とする。   In order to solve the above problems, a substrate holding method according to the present invention is a substrate holding method for holding the substrate by supporting each of three or more desired locations of the substrate from below, and in each of the support locations, Is a pillar member that extends in the vertical direction and rotates with the vertical direction as the rotation axis direction. The vertical direction uppermost part is installed so that it may be arrange | positioned on the said rotating shaft of the said support | pillar member, The said board | substrate is supported in the said vertical direction uppermost part of the said outer peripheral part of the said annular member.

好適には、前記支柱部材が回転することにより、前記円環部材も前記支柱部材と一体的に回転し、前記基板を支持する前記円環部材の前記外周部の前記鉛直方向最上部の高さが調整される。   Preferably, when the support member rotates, the annular member also rotates integrally with the support member, and the height of the uppermost portion in the vertical direction of the outer peripheral portion of the annular member that supports the substrate Is adjusted.

また、本発明に係る基板保持装置は、基板の3箇所以上の所望の箇所を各々下方から支持することにより前記基板を保持する基板保持装置であって、鉛直方向に延伸し当該鉛直方向を回転軸方向として回転する支柱部材と、円環部材であって、当該円環部材の円環面が鉛直方向に平行になり、当該円環部材の外周部の鉛直方向最上部が前記支柱部材の前記回転軸上に配置されるように前記支柱部材に設置された円環部材とを有する支持部材を前記各支持箇所に配置し、当該各支持箇所において前記円環部材の前記外周部の前記鉛直方向最上部において前記基板を支持することを特徴とする。   The substrate holding device according to the present invention is a substrate holding device that holds the substrate by supporting each of three or more desired locations of the substrate from below, and extends in the vertical direction and rotates in the vertical direction. A column member that rotates as an axial direction, and an annular member, wherein an annular surface of the annular member is parallel to a vertical direction, and an uppermost vertical direction of an outer peripheral portion of the annular member is the A support member having an annular member disposed on the support member to be disposed on the rotation shaft is disposed at each support location, and the vertical direction of the outer peripheral portion of the annular member at each support location. The substrate is supported at the uppermost part.

好適には、前記支柱部材が回転することにより、前記円環部材も前記支柱部材と一体的に回転し、前記基板を支持する前記円環部材の前記外周部の前記鉛直方向最上部の高さが調整される。
好適には、前記円環部材は軟質・非粘着性材料からなるゴムリングであることを特徴とする。
Preferably, when the support member rotates, the annular member also rotates integrally with the support member, and the height of the uppermost portion in the vertical direction of the outer peripheral portion of the annular member that supports the substrate Is adjusted.
Preferably, the annular member is a rubber ring made of a soft and non-adhesive material.

また、本発明に係る露光装置は、感応基板上にエネルギ線を選択的に照射してパターン形成する露光装置であって、前述したいずれかの基板保持装置を備える。   An exposure apparatus according to the present invention is an exposure apparatus that selectively irradiates energy rays onto a sensitive substrate to form a pattern, and includes any of the substrate holding apparatuses described above.

本発明によれば、基板の引渡し時に位置ずれが生じることがなく、また、平面度高さの調整を行っても接触ポイントを常に一定位置に維持することができる基板保持方法及び基板保持装置を提供することができる。
また、基板の保持及び高さ調整を位置ずれなく高精度に行うことができ、もっと高精度な露光処理を行うことのできる露光装置を提供することができる。
According to the present invention, there is provided a substrate holding method and a substrate holding apparatus that are capable of maintaining a contact point at a constant position without causing any positional deviation when delivering a substrate and adjusting the flatness height. Can be provided.
In addition, it is possible to provide an exposure apparatus that can hold the substrate and adjust the height with high accuracy without displacement and can perform exposure processing with higher accuracy.

本発明の実施形態について、図1〜図6を参照して説明する。
本実施形態においては、レチクルやウエハ等を保持する基板保持装置について、その基本的な構成を示すとともに、その基板保持装置をレチクルの保持に適用したレチクルローダ、及び、その基板保持装置をウエハ又はレチクルの保持に適用可能な露光装置について説明する。
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
In the present embodiment, a basic configuration of a substrate holding device that holds a reticle, a wafer, or the like is shown, a reticle loader that applies the substrate holding device to holding a reticle, and the substrate holding device as a wafer or An exposure apparatus that can be used to hold a reticle will be described.

まず、本実施形態の基板保持装置について説明する。
図1は、本実施形態の基板保持装置の構成を示す平面図である。
図2〜図4は、本実施形態の基板保持装置の支持部材の構造を示す図であり、図2は図1のA−A断面図であり、図3は図2のBの方向から見た正面図であり、図4は図2のCの方向から見た上面図である。
First, the substrate holding device of this embodiment will be described.
FIG. 1 is a plan view showing the configuration of the substrate holding device of the present embodiment.
2 to 4 are views showing the structure of the support member of the substrate holding apparatus of the present embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1, and FIG. 3 is a view from the direction B in FIG. FIG. 4 is a top view seen from the direction C in FIG.

図1に示すように、基板保持装置1は、ホルダベース3上に、ほぼ等しい中心角度(120°)で配置された3個の支持部材10を有する。
各支持部材10は、図2〜図4に示すように、Oリング11、小ネジ12、支柱13を有する。
Oリング11は、小ネジ12に保持されており、小ネジ12が支柱13にねじ込まれることにより支柱13に固定される。Oリング11は、本実施形態においては軟質で非粘着性のフッ素ゴム製であるが、ニトリルゴムやシリコンゴム製であってもよい。図2及び図3に明示されるように、Oリング11の外周面の最上部は上方向に凸の状態となっている。また、その最上部は、小ネジ12及び支柱13の最上部よりも高い位置となっている。
As shown in FIG. 1, the substrate holding device 1 has three support members 10 disposed on a holder base 3 at substantially the same central angle (120 °).
As shown in FIGS. 2 to 4, each support member 10 includes an O-ring 11, a machine screw 12, and a column 13.
The O-ring 11 is held by a small screw 12 and is fixed to the column 13 by screwing the small screw 12 into the column 13. In this embodiment, the O-ring 11 is made of soft and non-adhesive fluororubber, but may be made of nitrile rubber or silicon rubber. As clearly shown in FIGS. 2 and 3, the uppermost portion of the outer peripheral surface of the O-ring 11 is convex upward. Further, the uppermost portion is higher than the uppermost portions of the machine screw 12 and the support column 13.

支柱13は、ヘッド部13aとボルト部13bとからなり、ボルト部13bはホルダベース3に固設されたナット14を介してホルダベース3に開けられたネジ孔15に挿入されている。これにより、支柱13が回転することにより、その高さが調整される。また、ナット14により、その調整された状態がロックされる。
支柱13のヘッド部13aには、支柱13の回転軸方向(鉛直方向)に平行な鉛直面13dと、支柱13の回転軸方向に垂直な方向(水平方向)に平行な底面13eとにより規定される切り欠き部13cが設けられている。切り欠き部13cの鉛直面13dが、Oリング11を保持する小ネジ12の固定面となっており、この鉛直面13dの位置は、小ネジ12により固定されたOリング11の中心が支柱13の回転中心となる位置に形成される。実際には、図2に示すように、Oリング11の中心が支柱13の中心となるように支柱13の鉛直面13dとOリング11の中心との距離Lが設定される。
The support column 13 includes a head portion 13 a and a bolt portion 13 b, and the bolt portion 13 b is inserted into a screw hole 15 opened in the holder base 3 via a nut 14 fixed to the holder base 3. Thereby, the height is adjusted when the support | pillar 13 rotates. Further, the adjusted state is locked by the nut 14.
The head portion 13 a of the support column 13 is defined by a vertical surface 13 d parallel to the rotation axis direction (vertical direction) of the support column 13 and a bottom surface 13 e parallel to a direction (horizontal direction) perpendicular to the rotation axis direction of the support column 13. A notch 13c is provided. The vertical surface 13d of the notch 13c serves as a fixing surface for the machine screw 12 that holds the O-ring 11. The vertical surface 13d is positioned at the center of the O-ring 11 fixed by the machine screw 12 at the support column 13. It is formed at a position that becomes the center of rotation. In practice, as shown in FIG. 2, the distance L between the vertical surface 13 d of the support 13 and the center of the O-ring 11 is set so that the center of the O-ring 11 is the center of the support 13.

このような構成の支持部材10であれば、Oリング11の高さを調整するために支柱13を回転させても、Oリング11の中心は常に支柱13の中心となり、ウエハ又はレチクルとの接触点は常に同一のポイントとなる。
例えば図1〜図4に示す基板保持装置1は、EB露光機用のレチクル20を保持するものであるが、レチクル20においては支持部材が接触可能な領域に制限がある(例えば、図1の斜線で示した領域)。しかし、前述したように本実施形態の支持部材10であれば、支持ポイントは常に同一ポイントなので、その狭い領域内での支持が可能である。
With the support member 10 having such a configuration, even when the support 13 is rotated in order to adjust the height of the O-ring 11, the center of the O-ring 11 is always the center of the support 13 and is in contact with the wafer or the reticle. The points are always the same point.
For example, the substrate holding apparatus 1 shown in FIGS. 1 to 4 holds a reticle 20 for an EB exposure machine, but the reticle 20 has a limited area in which a support member can come into contact (for example, FIG. 1). Areas shown with diagonal lines). However, as described above, in the case of the support member 10 of the present embodiment, the support point is always the same point, and thus it is possible to support within the narrow region.

また、支持部材10では、Oリング11は縦に配置されるので、最上部の外周の1点においてウエハ又はレチクルの下面に接触する。従って接触面積は最小となり、接触面が凹状態とならず、吸盤作用による粘着力も発生しない。その結果、搬送装置によってウエハ又はレチクルを持ち上げる際に、ウエハ又はレチクルの自重以外の力は作用せず、位置ずれを生じる可能性がない。
一方、Oリング11とシリコンウエハ又はレチクルとの摩擦力は、0.1〜0.3と高く、Oリング11の外周1点での接触においても安定してウエハ又はレチクルを保持できる。
すなわち、このような支持部材10であれば、ウエハ又はレチクルのピックアップ時の位置ずれを、安定して極わずかな量に制限することができる。
また、基板保持装置1においては、支持部材10を3箇所配置しており、ウエハ又はレチクル等の浮き等が発生せず安定してウエハ又はレチクルを保持できる。
In the support member 10, the O-ring 11 is arranged vertically, so that it contacts the lower surface of the wafer or reticle at one point on the outer periphery of the uppermost portion. Accordingly, the contact area is minimized, the contact surface is not recessed, and no adhesive force is generated due to the sucker action. As a result, when the wafer or reticle is lifted by the transfer device, a force other than the weight of the wafer or reticle does not act, and there is no possibility of causing a displacement.
On the other hand, the frictional force between the O-ring 11 and the silicon wafer or reticle is as high as 0.1 to 0.3, and the wafer or reticle can be stably held even when the O-ring 11 contacts at one point on the outer periphery.
That is, with such a support member 10, the positional deviation at the time of picking up the wafer or reticle can be stably limited to an extremely small amount.
Further, in the substrate holding apparatus 1, the support members 10 are arranged at three locations, and the wafer or reticle can be stably held without causing the wafer or reticle to float.

次に、このような基板保持装置を用いてレチクルを保持するようにしたレチクルローダについて説明する。
図5は、図1の基板保持装置1を備えたレチクルローダ30を示す平面図である。
レチクルローダ30は、大気ローダ部31及び真空ローダ部32を有する。
大気ローダ31は、大気ロボット33、プリアライメント1部34、大気レチクルライブラリ部35及びこれらを支持する架台部36を有する。大気ロボット33は、大気レチクルライブラリ部35からレチクル20を取り出して、プリアライメント1部34まで搬送する。プリアライメント1部34において、レチクル20のプリアライメントが行われ、プリアライメントの行われたレチクル20は、再度大気ロボット33により、ゲートバルブ50を介してロードロック室41に搬送される。
Next, a reticle loader configured to hold a reticle using such a substrate holding device will be described.
FIG. 5 is a plan view showing a reticle loader 30 including the substrate holding device 1 of FIG.
The reticle loader 30 includes an atmospheric loader unit 31 and a vacuum loader unit 32.
The atmospheric loader 31 includes an atmospheric robot 33, a pre-alignment 1 unit 34, an atmospheric reticle library unit 35, and a gantry unit 36 that supports them. The atmospheric robot 33 takes out the reticle 20 from the atmospheric reticle library unit 35 and conveys it to the pre-alignment 1 unit 34. The pre-alignment of the reticle 20 is performed in the pre-alignment 1 unit 34, and the reticle 20 subjected to the pre-alignment is conveyed again to the load lock chamber 41 via the gate valve 50 by the atmospheric robot 33.

ロードロック室41に投入されたレチクル20は、ロードロック室41内に備わる真空ポンプ48により真空引きされた後、真空ロボット44のエンドエフェクタ45により、真空レチクルライブラリ42に搬送され、収納される。
ロードロック室41及び真空レチクルライブラリ42は、各々、ゲートバルブ51及び52を介して真空ロボットチャンバ47に接続されている。真空ロボットチャンバ47は、真空ローダ32の主要部を収容するチャンバであり、チャンバ内に具備する真空ポンプ49により真空に引かれている。
真空ロボット44は、図示のごとく、ベース55、ベース55に関節運動及びZ方向に移動可能に固定された第1アーム56、第1アーム56に関節運動するように接続した第2アーム57、第2アーム57に関節運動するように接続したエンドエフェクタ44から構成される。エンドエフェクタ44はXY平面内を回転するとともに、Z方向に移動する。
The reticle 20 put in the load lock chamber 41 is evacuated by a vacuum pump 48 provided in the load lock chamber 41, and is then transported and stored in the vacuum reticle library 42 by the end effector 45 of the vacuum robot 44.
The load lock chamber 41 and the vacuum reticle library 42 are connected to a vacuum robot chamber 47 via gate valves 51 and 52, respectively. The vacuum robot chamber 47 is a chamber that houses the main part of the vacuum loader 32 and is evacuated by a vacuum pump 49 provided in the chamber.
As illustrated, the vacuum robot 44 includes a base 55, a first arm 56 fixed to the base 55 so as to be articulated and movable in the Z direction, a second arm 57 connected to the first arm 56 so as to be articulated, The end effector 44 is connected to the two arms 57 so as to articulate. The end effector 44 rotates in the XY plane and moves in the Z direction.

露光に使用されるレチクルは、真空レチクルライブラリ42から真空ロボット44により取り出され、プリアライメント2部43に搬送され、大気中のプリアライメント1部34よりも高精細なアライメントが実行される、
その後、真空ロボット44により、露光装置メインボディ54内のレチクルステージチャンバ53内のレチクルステージ部46に搬送される。
The reticle used for the exposure is taken out from the vacuum reticle library 42 by the vacuum robot 44, conveyed to the pre-alignment 2 unit 43, and a higher-definition alignment is executed than the pre-alignment 1 unit 34 in the atmosphere.
Thereafter, the vacuum robot 44 transports the wafer to the reticle stage unit 46 in the reticle stage chamber 53 in the exposure apparatus main body 54.

例えば、次世代のEB露光装置では、磁場の問題等のために、レチクルステージ46にはプリアライメント機構が設置できない。また、EUVL露光装置も、環境が真空中であるためと、ステージテーブル部の機構系簡略化のために、やはりレチクルステージ部46近傍にプリアライメント機構部は設置しない方が望ましい。そのために、これらの露光装置においては、図5に示すように真空ローダ側にプリアライメント機構を設置している。
プリアライメント実行後は、レチクル20は、高精度な真空ロボット8にいよりレチクルステージ46まで搬送される。
For example, in a next-generation EB exposure apparatus, a pre-alignment mechanism cannot be installed on the reticle stage 46 due to a magnetic field problem or the like. Also, in the EUVL exposure apparatus, it is desirable that the pre-alignment mechanism unit is not installed near the reticle stage unit 46 because the environment is in a vacuum and the mechanism system of the stage table unit is simplified. Therefore, in these exposure apparatuses, a pre-alignment mechanism is installed on the vacuum loader side as shown in FIG.
After the pre-alignment is performed, the reticle 20 is transferred to the reticle stage 46 by the high-precision vacuum robot 8.

次に、本実施形態の基板保持装置1によりウエハを保持するようにした露光装置について説明する。
図6は、その電子線露光装置100の構成を模式的に説明するための図である。
電子線露光装置100の上部には、光学鏡筒101が配置されている。光学鏡筒101には、真空ポンプ(図示されず)が設置されており、光学鏡筒101内を真空排気している。
Next, an exposure apparatus configured to hold a wafer by the substrate holding apparatus 1 according to the present embodiment will be described.
FIG. 6 is a diagram for schematically explaining the configuration of the electron beam exposure apparatus 100.
An optical barrel 101 is disposed on the electron beam exposure apparatus 100. The optical barrel 101 is provided with a vacuum pump (not shown), and the optical barrel 101 is evacuated.

光学鏡筒101の上部には、電子銃103が配置されており、下方に向けて電子線を放射する。電子銃103の下方には、順にコンデンサレンズ104a、電子線偏向器104b等を含む照明光学系104が配置されている。同鏡筒104の下方には、レチクルRが配置されている。
電子銃103から放射された電子線は、コンデンサレンズ104aによって収束される。続いて、偏向器104bにより図の横方向に順次走査(スキャン)され、光学系の視野内にあるレチクルRの各小領域(サブフィールド)の照明が行われる。なお、図ではコンデンサレンズ104aは一段であるが、実際の照明光学系には、数段のレンズやビーム成形開口、ブランキング開口等が設けられている。
An electron gun 103 is disposed above the optical barrel 101, and emits an electron beam downward. Below the electron gun 103, an illumination optical system 104 including a condenser lens 104a, an electron beam deflector 104b, and the like is disposed in order. A reticle R is disposed below the lens barrel 104.
The electron beam emitted from the electron gun 103 is converged by the condenser lens 104a. Subsequently, the deflector 104b sequentially scans in the horizontal direction in the drawing, and illumination of each small region (subfield) of the reticle R in the field of view of the optical system is performed. In the figure, the condenser lens 104a has one stage, but an actual illumination optical system is provided with several stages of lenses, a beam shaping aperture, a blanking aperture, and the like.

レチクルRは、レチクルステージ111のホルダ110に支持されている。レチクルステージ111は、定盤116に載置されている。   Reticle R is supported by holder 110 of reticle stage 111. The reticle stage 111 is placed on the surface plate 116.

レチクルステージ111には、図の左方に示す駆動装置112が接続されている。なお、実際には、駆動装置(リニアモータ)112はステージ111に組み込まれている。駆動装置112は、ドライバ114を介して、制御装置115に接続されている。また、レチクルステージ111の側方(図の右方)にはレーザ干渉計113が設置されている。レーザ干渉計113も、制御装置115に接続されている。レーザ干渉計113で計測されたレチクルステージ111の正確な位置情報が制御装置115に入力される。レチクルステージ111の位置を目標位置とすべく、制御装置115からドライバ114に指令が送出され、駆動装置112が駆動される。その結果、レチクルステージ111の位置をリアルタイムで正確にフィードバック制御することができる。   The reticle stage 111 is connected to a driving device 112 shown on the left side of the drawing. In practice, the driving device (linear motor) 112 is incorporated in the stage 111. The driving device 112 is connected to the control device 115 via the driver 114. Further, a laser interferometer 113 is installed on the side of the reticle stage 111 (right side in the figure). The laser interferometer 113 is also connected to the control device 115. Accurate position information of the reticle stage 111 measured by the laser interferometer 113 is input to the control device 115. In order to set the position of the reticle stage 111 as the target position, a command is sent from the control device 115 to the driver 114, and the driving device 112 is driven. As a result, the position of reticle stage 111 can be accurately feedback controlled in real time.

定盤116の下方には、ウェハチャンバ(真空チャンバ)121が配置されている。ウェハチャンバ121の側方(図の右側)には真空ポンプ(図示されず)が接続されており、ウェハチャンバ121内を真空排気している。
ウェハチャンバ121内(実際にはチャンバ内の光学鏡筒内)には、コンデンサレンズ(投影レンズ)124a、偏向器124b等を含む投影光学系124が配置されている。ウェハチャンバ121内の下部には、ウェハ(感応基板)Wが配置されている。
Below the surface plate 116, a wafer chamber (vacuum chamber) 121 is disposed. A vacuum pump (not shown) is connected to the side of the wafer chamber 121 (on the right side in the figure) to evacuate the wafer chamber 121.
A projection optical system 124 including a condenser lens (projection lens) 124a, a deflector 124b, and the like is disposed in the wafer chamber 121 (actually in an optical column in the chamber). A wafer (sensitive substrate) W is disposed in the lower part of the wafer chamber 121.

レチクルRを通過した電子線は、コンデンサレンズ124aにより収束される。コンデンサレンズ124aを通過した電子線は、偏向器124bにより偏向され、ウェハW上の所定の位置にレチクルRの像が結像される。なお、図ではコンデンサレンズ124aは一段であるが、実際には、投影光学系中には複数段のレンズや収差補正用のレンズやコイルが設けられている。   The electron beam that has passed through the reticle R is converged by the condenser lens 124a. The electron beam that has passed through the condenser lens 124 a is deflected by the deflector 124 b, and an image of the reticle R is formed at a predetermined position on the wafer W. In the figure, the condenser lens 124a has one stage, but actually, a plurality of stages of lenses, aberration correction lenses, and coils are provided in the projection optical system.

ウェハWは、プリアライメント終了後、真空ロボットチャンバ31内の真空ローダ30によってステージ131上に搬送され、ウェハステージ131上のホルダ130上に設けられた支持部材10(図1参照)上に支持されている。ウェハステージ131は、定盤136に載置されている。   After the pre-alignment, the wafer W is transferred onto the stage 131 by the vacuum loader 30 in the vacuum robot chamber 31 and supported on the support member 10 (see FIG. 1) provided on the holder 130 on the wafer stage 131. ing. The wafer stage 131 is placed on the surface plate 136.

ウェハステージ131には、図の左方に示す駆動装置132が接続されている。なお、実際には駆動装置132はステージ131に組み込まれている。駆動装置132は、ドライバ134を介して、制御装置115に接続されている。ウェハステージ131の側方(図の右方)にはレーザ干渉計133が設置されている。レーザ干渉計133も、制御装置115に接続されている。レーザ干渉計133で計測されたウェハステージ131の正確な位置情報が制御装置115に入力される。ウェハステージ131の位置を目標とすべく、制御装置115からドライバ134に指令が送出され、駆動装置132が駆動される。その結果、ウェハステージ131の位置をリアルタイムで正確にフィードバック制御することができる。   A driving device 132 shown on the left side of the drawing is connected to the wafer stage 131. Actually, the driving device 132 is incorporated in the stage 131. The driving device 132 is connected to the control device 115 via the driver 134. A laser interferometer 133 is installed on the side of the wafer stage 131 (right side in the figure). The laser interferometer 133 is also connected to the control device 115. Accurate position information of the wafer stage 131 measured by the laser interferometer 133 is input to the control device 115. In order to target the position of the wafer stage 131, a command is sent from the control device 115 to the driver 134, and the driving device 132 is driven. As a result, the position of the wafer stage 131 can be accurately feedback controlled in real time.

本実施形態の基板保持装置1によれば、接触エリアが小さく制限のあるレチクル又はウエハの接触ポイントを常に一定の位置にすることが可能であり、ロボットによるピックアップによる位置ずれ誤差を小さく押さえることが可能であり、真空室及び真空と大気を繰り返すロードロック室等で、レチクル又はウエハの安定した保持が実現可能であり、且つ、高精度な真空搬送装置を実現することができる。   According to the substrate holding apparatus 1 of the present embodiment, the contact point of a reticle or wafer having a small contact area and a limit can always be set at a fixed position, and misalignment errors due to pick-up by a robot can be suppressed to a small level. In addition, a reticle or wafer can be stably held in a vacuum chamber and a load lock chamber that repeats vacuum and air, and a highly accurate vacuum transfer device can be realized.

なお、本実施の形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって本発明を何ら限定するものではない。本実施の形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含み、また任意好適な種々の改変が可能である。
例えば、本実施形態においては、真空ローダ部32のプリアライメント2部43のレチクルホルダとして本発明に係る基板保持装置1を使用したが、真空レチクルライブラリ42、ロードロック室41等におけるレチクルホルダとして使用してもよい。
In addition, this Embodiment was described in order to make an understanding of this invention easy, and does not limit this invention at all. Each element disclosed in the present embodiment includes all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention, and various suitable modifications are possible.
For example, in the present embodiment, the substrate holding device 1 according to the present invention is used as the reticle holder of the pre-alignment 2 part 43 of the vacuum loader part 32, but it is used as a reticle holder in the vacuum reticle library 42, the load lock chamber 41, and the like. May be.

本発明の一実施形態に係る基板保持装置の構成を示す図である。It is a figure showing composition of a substrate holding device concerning one embodiment of the present invention. 図1に示した基板保持装置の支持部材の構造を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the supporting member of the board | substrate holding | maintenance apparatus shown in FIG. 図1に示した基板保持装置の支持部材の構造を示す正面図である。It is a front view which shows the structure of the supporting member of the board | substrate holding | maintenance apparatus shown in FIG. 図1に示した基板保持装置の支持部材の構造を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of the supporting member of the board | substrate holding | maintenance apparatus shown in FIG. 図1に示した基板保持装置を有するレチクルローダの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the reticle loader which has the board | substrate holding apparatus shown in FIG. 図1に示した基板保持装置を適用可能な露光装置の構成を模式的に説明するための図である。It is a figure for demonstrating typically the structure of the exposure apparatus which can apply the board | substrate holding apparatus shown in FIG. 従来の基板保持装置の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the conventional board | substrate holding apparatus. 従来の基板保持装置の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the conventional board | substrate holding | maintenance apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1…基板保持装置
3…ホルダベース
10…支持部材
11…Oリング 12…小ネジ
13…支柱
30…レチクルローダ
31…大気ローダ部 32…真空ローダ部
33…大気ロボット 34…プリアライメント1部
35…大気レチクルライブラリ部 36…架台部
41…ロードロック室 42…真空レチクルライブラリ
43…プリアライメント2部 44…真空ロボット
45… 46…レチクルステージ部
47…真空ロボットチャンバ 48,49…真空ポンプ
50〜52…ゲートバルブ 53…レチクルステージチャンバ
54…露光装置メインボディ 55…ベース
56…第1アーム 57…第2アーム
100…電子線露光装置
101…光学鏡筒
103…電子銃 104…照明光学系
111…レチクルステージ 112…駆動装置(リニアモータ)
113…レーザ干渉計 114…ドライバ
115…制御装置 116…定盤
121…ウェハチャンバ 124…投影光学系
131…ウェハステージ 132…駆動装置
133…レーザ干渉計 134…ドライバ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate holding device 3 ... Holder base 10 ... Supporting member 11 ... O-ring 12 ... Small screw 13 ... Post 30 ... Reticle loader 31 ... Atmospheric loader part 32 ... Vacuum loader part 33 ... Atmospheric robot 34 ... Pre-alignment part 1 35 ... Atmospheric reticle library part 36 ... Fixing part 41 ... Load lock chamber 42 ... Vacuum reticle library 43 ... Pre-alignment part 2 44 ... Vacuum robot 45 ... 46 ... Reticle stage part 47 ... Vacuum robot chamber 48, 49 ... Vacuum pump 50-52 ... Gate valve 53 ... reticle stage chamber 54 ... exposure apparatus main body 55 ... base 56 ... first arm 57 ... second arm 100 ... electron beam exposure apparatus 101 ... optical barrel 103 ... electron gun 104 ... illumination optical system 111 ... reticle stage 112 ... Drive device (linear motor)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 113 ... Laser interferometer 114 ... Driver 115 ... Control apparatus 116 ... Surface plate 121 ... Wafer chamber 124 ... Projection optical system 131 ... Wafer stage 132 ... Drive apparatus 133 ... Laser interferometer 134 ... Driver

Claims (7)

基板の3箇所以上の所望の箇所を各々下方から支持することにより前記基板を保持する基板保持方法であって、
前記各支持箇所においては、鉛直方向に延伸し当該鉛直方向を回転軸方向として回転する支柱部材に、円環部材を、当該円環部材の円環面が鉛直方向に平行になり、当該円環部材の外周部の鉛直方向最上部が前記支柱部材の前記回転軸上に配置されるように設置し、当該円環部材の前記外周部の前記鉛直方向最上部において前記基板を支持する
ことを特徴とする基板保持方法。
A substrate holding method for holding the substrate by supporting each of three or more desired locations on the substrate from below,
In each of the support portions, an annular member is attached to a support member that extends in the vertical direction and rotates about the vertical direction as the rotation axis direction, and the annular surface of the annular member is parallel to the vertical direction, The vertical outermost part of the outer peripheral part of the member is installed so as to be disposed on the rotation shaft of the support member, and the substrate is supported at the uppermost vertical part of the outer peripheral part of the annular member. A substrate holding method.
前記支柱部材が回転することにより、前記円環部材も前記支柱部材と一体的に回転し、前記基板を支持する前記円環部材の前記外周部の前記鉛直方向最上部の高さが調整される
ことを特徴とする請求項1に記載の基板保持方法。
As the support member rotates, the annular member also rotates integrally with the support member, and the height of the uppermost portion in the vertical direction of the outer peripheral portion of the annular member that supports the substrate is adjusted. The substrate holding method according to claim 1.
基板の3箇所以上の所望の箇所を各々下方から支持することにより前記基板を保持する基板保持装置であって、
鉛直方向に延伸し当該鉛直方向を回転軸方向として回転する支柱部材と、
円環部材であって、当該円環部材の円環面が鉛直方向に平行になり、当該円環部材の外周部の鉛直方向最上部が前記支柱部材の前記回転軸上に配置されるように前記支柱部材に設置された円環部材と
を有する支持部材を前記各支持箇所に配置し、当該各支持箇所において前記円環部材の前記外周部の前記鉛直方向最上部において前記基板を支持する
ことを特徴とする基板保持装置。
A substrate holding apparatus for holding the substrate by supporting each of three or more desired locations on the substrate from below,
A strut member that extends in the vertical direction and rotates with the vertical direction as the rotation axis direction;
An annular member, wherein the annular surface of the annular member is parallel to the vertical direction, and the vertical uppermost portion of the outer peripheral portion of the annular member is disposed on the rotation axis of the support member. A support member having an annular member installed on the support member is disposed at each support location, and the substrate is supported at the uppermost portion in the vertical direction of the outer peripheral portion of the annular member at each support location. A substrate holding device.
前記支柱部材が回転することにより、前記円環部材も前記支柱部材と一体的に回転し、前記基板を支持する前記円環部材の前記外周部の前記鉛直方向最上部の高さが調整される
ことを特徴とする請求項3に記載の基板保持装置。
As the support member rotates, the annular member also rotates integrally with the support member, and the height of the uppermost portion in the vertical direction of the outer peripheral portion of the annular member that supports the substrate is adjusted. The substrate holding apparatus according to claim 3.
前記円環部材が軟質・非粘着性材料からなるゴムリングであることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板保持方法。   3. The substrate holding method according to claim 1, wherein the annular member is a rubber ring made of a soft / non-adhesive material. 前記円環部材が軟質・非粘着性材料からなるゴムリングであることを特徴とする請求項3又は4に生地の基板保持装置。   5. The cloth substrate holding device according to claim 3, wherein the annular member is a rubber ring made of a soft and non-adhesive material. 感応基板上にエネルギ線を選択的に照射してパターン形成する露光装置であって、
請求項3、4又は6に記載の基板保持装置を備えることを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus that forms a pattern by selectively irradiating energy rays onto a sensitive substrate,
An exposure apparatus comprising the substrate holding device according to claim 3, 4 or 6.
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