JP2006080421A - プラズマエッチングにおけるチャンバークリーニング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 S4のプラズマ放電によるエッチング工程が終了すると、塩素ガスの供給を停止するが、アルゴンガスについては、約30秒間、供給継続する(S5)。前工程から供給され続けるアルゴンガスが、上部電極に形成されているシャワ状のガス噴出孔からチャンバー内に噴出され続ける。アルゴンガスの供給が継続されることで、膜質素材であるアルミニウム化合物がガス噴出孔内に付着して目詰まりを生じる等の不具合の発生を防止することができる。
【選択図】 図1
Description
3 温度調節機構 4 終点検出用窓
5 モノクロメータ 6 圧力計
7 上部電極 8 下部電極
9 排気口 10 チャンバー
11 ガス導入口 12 RF電源
14 マスフローコントローラ
15 ガス噴射孔
Claims (7)
- 薄膜形成基板が順次搬入されるプラズマエッチング装置のチャンバー内で前記薄膜形成基板に対してその枚葉毎に行われるプラズマエッチングにおいて、前記薄膜形成基板へのプラズマ処理の度毎に前記チャンバーをガスでパージすることを特徴とするプラズマエッチングにおけるチャンバークリーニング方法。
- パージ用の前記ガスは、前記プラズマ処理で用いられる混合ガスに含まれるガスであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチングにおけるチャンバークリーニング方法。
- パージ用の前記ガスは、前記プラズマ処理の段階から供給を停止することなく前記チャンバーへの供給が継続されることを特徴とする請求項2に記載のプラズマエッチングにおけるチャンバークリーニング方法。
- パージ用の前記ガスは、アルゴンガス、ヘリウムガス、窒素ガス等の不活性ガスであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマエッチングにおけるチャンバークリーニング方法。
- 前記プラズマエッチング装置はプラズマ発生用としてシャワ状のガス噴射孔が形成された上部電極と前記上部電極に対向配置される下部電極とを備えており、前記パージ用のガスは、前記ガス噴射孔を通して前記チャンバー内に供給されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のプラズマエッチングにおけるチャンバークリーニング方法。
- 前記プラズマ処理が行われた前記薄膜形成基板に対して前記基板上に残留塩素ガスを取り除くアフタートリートメントが行われ、前記チャンバーのパージは前記プラズマ処理と前記アフタートリートメントとの間で行われることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のプラズマエッチングにおけるチャンバークリーニング方法。
- 前記薄膜形成基板の薄膜はアルミニウム薄膜もしくは、アルミニウムを含む積層膜であり、エッチングガスは塩素ガスを含むことを特徴とする請求項6に記載のプラズマエッチングにおけるチャンバークリーニング方法。
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