JP2006080351A - マイクロ構造体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 SOI基板10をエッチングすることによりこの基板10からリリースされた可動部としての可動電極16を形成してなる容量式加速度センサ100の製造方法において、基板10をエッチングして可動電極16および固定電極17を形成した後、基板10を熱処理して基板10に付着した異物Kを蒸発させるなどにより除去し、続いて、基板10に配線部である電極部18を描画や印刷などのドライプロセスにより形成する。
【選択図】 図2
Description
なお、上記実施形態では、基板10をエッチングすることにより可動部16を形成したが、可動部16の形成はエッチングに限定されることはなく、たとえば、機械的加工により可動部を形成してもよい。
18…配線部としての電極部。
Claims (5)
- 基板(10)を加工することにより前記基板(10)からリリースされた可動部(16)を形成してなるマイクロ構造体の製造方法において、
前記基板(10)を加工して前記可動部(16)を形成した後、
前記基板(10)を熱処理して前記基板(10)に付着した異物を除去し、
続いて、前記基板(10)に配線部(18)を形成することを特徴とするマイクロ構造体の製造方法。 - 前記配線部(18)を形成する材料として、前記熱処理の温度よりも低い融点の材料を用いることを特徴とする請求項1に記載のマイクロ構造体の製造方法。
- 前記熱処理は、真空雰囲気中にて行うことを特徴とする請求項1または2に記載のマイクロ構造体の製造方法。
- 前記配線部(18)は、描画または印刷により形成することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載のマイクロ構造体の製造方法。
- 前記基板(10)としてシリコン基板を用いることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載のマイクロ構造体の製造方法。
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