JP2006065320A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 画素領域にゲート電極層を形成し、
   前記ゲート電極層上に、第１の層間絶縁層を前記画素領域及び接続領域に渡って形成し、
   前記画素領域の前記第１の層間絶縁層に第１の開口を形成し、
   前記第１の開口にソース電極層又はドレイン電極層を形成するとともに、前記接続領域の前記第１の層間絶縁層上に配線層を形成し、
   前記第１の層間絶縁層上と、前記配線層上と、前記ソース電極層又はドレイン電極層上とに、第２の層間絶縁層を前記画素領域及び前記接続領域に渡って形成し、
   前記画素領域の前記第２の層間絶縁層に前記ソース電極層又はドレイン電極層に達する第２の開口を形成するとともに、前記接続領域の前記第２の層間絶縁層に前記配線層に達する第３の開口を形成し、
   前記第２の開口に画素電極層を形成し、
   前記第２の開口の面積は前記第３の開口の面積よりも小さいことを特徴とする表示装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記第２の開口の側面と、前記第３の開口付近の前記第２の層間絶縁層の上端部とを覆い、前記画素領域に第４の開口を有する絶縁層を、前記画素領域及び前記接続領域に渡って形成し、
   前記第４の開口に発光層を形成し、
   前記発光層上に第２の電極層を形成するとともに、前記第３の開口に前記配線層と電気的に接続する配線を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
3. 画素領域にゲート電極層を形成し、
   前記ゲート電極層上に、第１の層間絶縁層を前記画素領域及び接続領域に渡って形成し、
   前記画素領域の前記第１の層間絶縁層に第１の開口を形成し、
   前記第１の開口にソース電極層又はドレイン電極層を形成するとともに、前記接続領域の前記第１の層間絶縁層上に配線層を形成し、
   前記ソース電極層又はドレイン電極層上に画素電極層を形成し、
   前記配線層上と、前記ソース電極層又はドレイン電極層上とに、前記画素電極層の端部を覆う第２の層間絶縁層を、前記画素領域及び前記接続領域に渡って形成し、
   前記画素領域の前記第２の層間絶縁層に前記ソース電極層又はドレイン電極層に達する第２の開口を形成するとともに、前記接続領域の前記第２の層間絶縁層に前記配線層に達する第３の開口を形成し、
   前記第２の開口の面積は前記第３の開口の面積よりも小さいことを特徴とする表示装置の作製方法。
4. 画素領域にゲート電極層を形成し、
   前記ゲート電極層上に、第１の層間絶縁層を前記画素領域及び接続領域に渡って形成し、
   前記画素領域の前記第１の層間絶縁層に第１の開口を形成し、
   前記第１の層間絶縁層上に画素電極層を形成し、
   前記第１の開口に前記画素電極層の端部を覆うソース電極層又はドレイン電極層を形成するとともに、前記接続領域の前記第１の層間絶縁層上に配線層を形成し、
   前記配線層上と、前記ソース電極層又はドレイン電極層上とに、第２の層間絶縁層を前記画素領域及び前記接続領域に渡って形成し、
   前記画素領域の前記第２の層間絶縁層に前記ソース電極層又はドレイン電極層に達する第２の開口を形成するとともに、前記接続領域の前記第２の層間絶縁層に前記配線層に達する第３の開口を形成し、
   前記第２の開口の面積は前記第３の開口の面積よりも小さいことを特徴とする表示装置の作製方法。
5. 請求項３又は請求項４において、
   前記第２の開口に発光層を形成し、
   前記発光層上に第２の電極層を形成するとともに、前記第３の開口に前記配線層と電気的に接続する配線を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記第１の層間絶縁層は、無機絶縁性材料又は有機絶縁性材料を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記第２の層間絶縁層は、無機絶縁性材料又は有機絶縁性材料を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記第１の層間絶縁層又は前記第２の層間絶縁層は、塗布法を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。