JP2006052985A - Method of manufacturing radiation detector and radiation detecting system - Google Patents

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岡田　　聡
Yoshihiro Ogawa
善広 小川
Masato Inoue
正人 井上
Kazumi Nagano
和美 長野
Shinichi Takeda
慎市 竹田
Tomoyuki Tamura
知之 田村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the occurrence of a problem in an element in the course of its manufacture owing to static electricity by widening the effective pixel area of a radiation detector. <P>SOLUTION: This radiation detector is formed out of a photoelectric conversion panel 101 with a plurality of photoelectric conversion elements 102 formed therein and a wavelength conversion body including a phosphor layer 111 formed on the conversion panel. First and second protective substances 104 and 105 are layered in this order on a bonding pat part of the conversion panel 101. An opening in the first protective material 104 for exposing the pat part is formed by etching with the second protective material 105 used as a mask. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、医療用Ｘ線診断装置、非破壊検査装置等に用いられる放射線検出装置の製造方法と放射線検出システムに係わり、特に複数の光電変換素子と、該複数の光電変換素子を外部と電気的に接続するための電気接続部とを備えたセンサーパネルと、前記センサーパネル上に配された、放射線を前記光電変換素子に感知可能な光に変換する蛍光体層を有する波長変換体と、を有する放射線検出装置の製造方法と放射線検出システムに関する。なお、本明細書では、Ｘ線の他、α線、β線、γ線等の電磁波も、放射線に含まれるものとする。   The present invention relates to a manufacturing method and a radiation detection system of a radiation detection apparatus used for a medical X-ray diagnostic apparatus, a nondestructive inspection apparatus, and the like, and in particular, a plurality of photoelectric conversion elements and the plurality of photoelectric conversion elements are electrically connected to the outside. A sensor panel having an electrical connection part for connecting to the sensor, and a wavelength converter having a phosphor layer disposed on the sensor panel for converting radiation into light that can be detected by the photoelectric conversion element; The present invention relates to a method for manufacturing a radiation detection apparatus and a radiation detection system. Note that in this specification, in addition to X-rays, electromagnetic waves such as α rays, β rays, and γ rays are included in radiation.

近年、レントゲン撮影のデジタル化が加速しており、種々の放射線検出装置が発表されている。その方式もダイレクト方式(Ｘ線を直接電気信号に変換して読み取るタイプ)とインダイレクト方式（Ｘ線を一旦可視光に変換して可視光を電気信号に変換して読み取るタイプ）の２つに大別される。   In recent years, the digitization of X-ray imaging has been accelerated, and various radiation detection apparatuses have been announced. There are also two methods: the direct method (type that converts X-rays directly into electrical signals and reads) and the indirect method (type that converts X-rays once into visible light and converts visible light into electrical signals and reads). Broadly divided.

図２７は、特許文献１に開示されているインダイレクト方式放射線検出装置の断面図である。
図中、基板１０１上に複数の光電変換素子１０２及びＴＦＴ（不図示）を２次元状に配置して光電変換部（受光部）を形成し、上部をセンサー保護層１０４により保護している。光電変換素子１０２より伸びる配線１０３はボンディングパッド部（電気接続部）１０６に繋がっている（図中の基板１０１、光電変換素子１０２、センサー保護層１０４、配線１０３を含む部分を「センサーパネル」又は「光電変換パネル」等とも言う）。
センサー保護層１０４上には、放射線を光電変換素子１０２が感知可能な光に変換する波長変換体として、ＣｓＩ：Ｔｌよりなる柱状結晶の蛍光体層１１１が形成されている。この蛍光体層１１１は、厚さ約１０μｍのポリパラキシリレン製有機膜（商標名：パリレン）よりなる保護層１１２、アルミよりなる反射層１１３、パリレンよりなる反射層保護層１１４によって構成された蛍光体保護部材によって、外部との間を耐湿保護されている。アルミよりなる反射層１１３は、蛍光体層１１１から光電変換部と反対側へ向かった光を反射させ、光電変換部へ導くために設けている。これは、蒸着などの方法により、薄膜（サブミクロンレベルの厚み）状態となっている。１１５は、蛍光体保護層１１２の剥がれを防止するための被覆樹脂である。１１７は、ボンディングパッド部１０６の周囲に設けられ、ボンディングパッド部１０６上の蛍光体保護部材を切断にて除去する際にセンサーパネルを保護するための樹脂枠である。
上記構成により、図２７に示す放射線検出装置は、図面上部から入射したＸ線が反射層保護層１１４、反射層１１３、蛍光体保護層１１２、を透過し、蛍光体層１１１で吸収された後、発光した光が光電変換素子１０２に到達し、配線１０３を通して図示しない外部回路で読み出すことで、入射するＸ線情報を２次元のデジタル画像に変換するものである。
図２８は、図２７の放射線検出素子を製造する途中の工程の断面図である。この従来例に拠れば、蛍光体保護層１１２及び反射層保護層１１４は、基板１０１の裏側にまで形成されるため、蒸着した後にボンディングパッド部を図のように剥離する工程が必要である。樹脂枠１１７上でカッター等で反射層保護層１１４、反射層１１３、蛍光体保護層１１２が切断され、剥離される。この際、反射層１１３は、蛍光体保護層１１２及び反射層保護層１１４に挟まれた状態なので、同時に剥離除去されることになる。
特開２０００−２８４０５３号 FIG. 27 is a cross-sectional view of the indirect radiation detection apparatus disclosed in Patent Document 1.
In the figure, a plurality of photoelectric conversion elements 102 and TFTs (not shown) are two-dimensionally arranged on a substrate 101 to form a photoelectric conversion part (light receiving part), and the upper part is protected by a sensor protective layer 104. A wiring 103 extending from the photoelectric conversion element 102 is connected to a bonding pad portion (electrical connection portion) 106 (the portion including the substrate 101, the photoelectric conversion element 102, the sensor protective layer 104, and the wiring 103 in the figure is referred to as a “sensor panel” or Also called “photoelectric conversion panel”).
A columnar crystal phosphor layer 111 made of CsI: Tl is formed on the sensor protective layer 104 as a wavelength converter that converts radiation into light that can be sensed by the photoelectric conversion element 102. The phosphor layer 111 is composed of a protective layer 112 made of a polyparaxylylene organic film (trade name: Parylene) having a thickness of about 10 μm, a reflective layer 113 made of aluminum, and a reflective layer protective layer 114 made of parylene. Moisture protection is provided between the outside and the outside by the phosphor protective member. The reflective layer 113 made of aluminum is provided to reflect light directed from the phosphor layer 111 toward the side opposite to the photoelectric conversion unit and guide the light to the photoelectric conversion unit. This is in a thin film (submicron level thickness) state by a method such as vapor deposition. Reference numeral 115 denotes a coating resin for preventing the phosphor protective layer 112 from peeling off. Reference numeral 117 denotes a resin frame that is provided around the bonding pad portion 106 and protects the sensor panel when the phosphor protective member on the bonding pad portion 106 is removed by cutting.
27, after the X-rays incident from the upper part of the drawing pass through the reflective layer protective layer 114, the reflective layer 113, and the fluorescent material protective layer 112 and are absorbed by the fluorescent material layer 111. The emitted light reaches the photoelectric conversion element 102 and is read by an external circuit (not shown) through the wiring 103, thereby converting incident X-ray information into a two-dimensional digital image.
28 is a cross-sectional view of a process in the middle of manufacturing the radiation detection element of FIG. According to this conventional example, since the phosphor protective layer 112 and the reflective layer protective layer 114 are formed even on the back side of the substrate 101, a step of peeling the bonding pad portion as shown in the drawing is necessary after vapor deposition. On the resin frame 117, the reflective layer protective layer 114, the reflective layer 113, and the phosphor protective layer 112 are cut and peeled off with a cutter or the like. At this time, since the reflective layer 113 is sandwiched between the phosphor protective layer 112 and the reflective layer protective layer 114, they are peeled and removed at the same time.
JP 2000-284053 A

前述した従来の放射線検出装置においては、ボンディングパッド部１０６をあらかじめ露出した状態で蛍光体層１１１や蛍光体保護層１１２、反射層１１３及び反射層保護層１１４を形成しなければならないので、次のような問題点が生じる。
１） 製造マージンを稼ぐため、蛍光体保護層１１２、反射層１１３及び反射層保護層１１４端部の位置をボンディングパッド部よりも離さなければならず、その分有効エリアが狭くなる。もしくは、外形サイズを大きくしなけれならない。
２） 図２８のように蛍光体保護層１１２、反射層保護層１１４を剥離する際、ボンディングパッド部１０６との間に剥離帯電による静電気が発生し、光電変換素子１０２またはＴＦＴを劣化又は破壊してしまう。
本発明は、上記問題点に鑑み、有効画素領域を広くし、製造途中での静電気による素子への不具合の発生しない製法を提供することにある。 In the above-described conventional radiation detection apparatus, the phosphor layer 111, the phosphor protective layer 112, the reflective layer 113, and the reflective layer protective layer 114 must be formed with the bonding pad portion 106 exposed in advance. The following problems arise.
1) In order to obtain a manufacturing margin, the positions of the phosphor protective layer 112, the reflective layer 113, and the reflective layer protective layer 114 must be separated from the bonding pad portion, and the effective area is narrowed accordingly. Or you have to increase the external size.
2) When the phosphor protective layer 112 and the reflective layer protective layer 114 are peeled off as shown in FIG. 28, static electricity is generated between the bonding pad portion 106 and the peeling and charging, and the photoelectric conversion element 102 or the TFT is deteriorated or destroyed. End up.
In view of the above problems, the present invention is to provide a manufacturing method in which an effective pixel area is widened, and troubles due to static electricity during the production do not occur.

本発明の放射線検出装置の製造方法は、複数の光電変換素子と、該複数の光電変換素子を外部と電気的に接続するための電気接続部とを備えたセンサーパネルと、
前記センサーパネル上に配された、放射線を前記複数の光電変換素子に感知可能な光に変換する蛍光体層を有する波長変換体と、を有する放射線検出装置の製造方法において、
少なくとも前記電気接続部上に保護層を形成した後に、前記センサーパネル上に前記波長変換体を配する第１工程と、
前記波長変換体を配した後に、前記電気接続部上の保護層を除去する第２工程と、を有することを特徴とする。 A method of manufacturing a radiation detection apparatus of the present invention includes a sensor panel including a plurality of photoelectric conversion elements and an electrical connection unit for electrically connecting the plurality of photoelectric conversion elements to the outside;
In the method of manufacturing a radiation detection apparatus, the wavelength converter having a phosphor layer that is disposed on the sensor panel and converts the radiation into light that can be sensed by the plurality of photoelectric conversion elements.
A first step of arranging the wavelength converter on the sensor panel after forming a protective layer on at least the electrical connection part;
And a second step of removing a protective layer on the electrical connection portion after the wavelength converter is disposed.

本発明によれば、ボンディングパッド部等の電気接続部と蛍光体層との間の構成要素との間を狭くすることができるので、放射線検出装置の画素領域の有効範囲を広げる、もしくは外形サイズを小さくすることが可能となる。さらに、波長変換体を形成するまでの工程で、電気接続部を露出しないため、製造時の静電気による素子への悪影響を抑えることが可能となった。   According to the present invention, since the space between the electrical connection part such as the bonding pad part and the constituent elements between the phosphor layers can be narrowed, the effective range of the pixel area of the radiation detection apparatus is expanded or the outer size is increased. Can be reduced. Furthermore, since the electrical connection portion is not exposed in the process until the wavelength conversion body is formed, it is possible to suppress an adverse effect on the element due to static electricity during manufacturing.

本発明は、ボンディングパッド部等の電気接続部の露出を、波長変換体形成後に行うことにより、製造上発生する静電気による光電変換素子及びＴＦＴなどからなる光電変換部への悪影響を抑制するものである。さらに、光電変換部とボンディングパッド部等の電気接続部との間の距離を縮めて光電変換部が設けられた画素領域を拡大する、もしくは、外形サイズを小さくすることを可能とするものである。
また、従来行っていた、センサーパネル形成の最後の工程で、波長変換体を配する工程前に行われていたボンディングパッド部上の保護層のエッチングに必要なフォトリソグラフィー工程も削減することを可能にしたため、環境への配慮も成されるものである。 The present invention suppresses the adverse effect on the photoelectric conversion portion including the photoelectric conversion element and the TFT due to static electricity generated in the manufacturing by exposing the electrical connection portion such as the bonding pad portion after the wavelength conversion body is formed. is there. Furthermore, the distance between the photoelectric conversion portion and the electrical connection portion such as the bonding pad portion can be reduced to enlarge the pixel region provided with the photoelectric conversion portion, or to reduce the external size. .
In addition, it is possible to reduce the photolithography process required for etching the protective layer on the bonding pad part, which was previously performed before the process of arranging the wavelength converter in the last process of forming the sensor panel. Therefore, consideration for the environment is also made.

図１に、本発明の製造方法により得られた代表的な放射線検出装置を示す断面図である。１０１はガラス等の基板、１０２は光電変換素子であり、複数の光電変換素子１０２及びＴＦＴ（不図示）を２次元状に配置して光電変換部（受光部）を形成している。１０３は光電変換素子１０２またはＴＦＴに接続された配線、１０４は第１の保護層（センサー保護層）、１０５は第２の保護層（パッシベーション膜）、１０６はボンディングパッド部などの電気接続部であり、上記構成要素１０１〜１０６によってセンサーパネル（光電変換パネル）が構成されている。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing a typical radiation detection apparatus obtained by the manufacturing method of the present invention. Reference numeral 101 denotes a substrate such as glass, and 102 denotes a photoelectric conversion element. A plurality of photoelectric conversion elements 102 and TFTs (not shown) are two-dimensionally arranged to form a photoelectric conversion unit (light receiving unit). Reference numeral 103 denotes a wiring connected to the photoelectric conversion element 102 or TFT, 104 denotes a first protective layer (sensor protective layer), 105 denotes a second protective layer (passivation film), and 106 denotes an electrical connection portion such as a bonding pad portion. Yes, a sensor panel (photoelectric conversion panel) is configured by the components 101 to 106.

また、１１１は蛍光体層、１１２は蛍光体保護層、１１３は反射層、１１４は反射層保護層であり、上記構成要素１１２〜１１４によって蛍光体保護部材が構成されている。１１５は被覆樹脂であり、上記蛍光体保護部材の端部を封止するものである。１１６はボンディングパッド部が露出するよう形成された開口部である。本発明による製造方法では、開口部１１６は蛍光体層１１１が設けられた後に形成される。詳細な説明は後述する。また、１６１はＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）などの電気的接続部材、１６２はプリント回路基板などの電気実装部材、１６３はＡＣＦ（異方性導電フィルム）などの導電性接着材である。   Further, 111 is a phosphor layer, 112 is a phosphor protective layer, 113 is a reflective layer, and 114 is a reflective layer protective layer, and the above-described components 112 to 114 constitute a phosphor protective member. Reference numeral 115 denotes a coating resin that seals the end portion of the phosphor protective member. Reference numeral 116 denotes an opening formed so that the bonding pad portion is exposed. In the manufacturing method according to the present invention, the opening 116 is formed after the phosphor layer 111 is provided. Detailed description will be given later. Reference numeral 161 denotes an electrical connection member such as TAB (Tape Automated Bonding), 162 denotes an electrical mounting member such as a printed circuit board, and 163 denotes a conductive adhesive such as ACF (anisotropic conductive film).

基板１０１は、光電変換素子１０２、配線１０３、及びＴＦＴ（不図示）からなる光電変換部（受光部）が形成されるものであり、材料として、ガラス、耐熱性プラスチック等を好適に用いることができる。   The substrate 101 is formed with a photoelectric conversion portion (light receiving portion) including a photoelectric conversion element 102, a wiring 103, and a TFT (not shown), and glass, heat resistant plastic, or the like is preferably used as a material. it can.

光電変換素子１０２は蛍光体層１１１によって放射線から変換された光を電荷に変換するものであり、例えば、アモルファスシリコンなどの材料を用いることが可能である。光電変換素子１０２の構成は特に限定されず、ＭＩＳ型センサー、ＰＩＮ型センサー、ＴＦＴ型センサー等適宜用いることができる。   The photoelectric conversion element 102 converts light converted from radiation by the phosphor layer 111 into electric charges. For example, a material such as amorphous silicon can be used. The structure of the photoelectric conversion element 102 is not particularly limited, and an MIS sensor, a PIN sensor, a TFT sensor, or the like can be used as appropriate.

配線１０３は、光電変換素子１０２で光電変換された信号をＴＦＴを介して読み出すための信号配線の一部や、光電変換素子に電圧（Ｖｓ）を印加するバイアス配線、又はＴＦＴを駆動するための駆動配線を示す。光電変換素子１０２で光電変換された信号はＴＦＴによって読み出され、信号配線を介して信号処理回路に出力される。また行方向に配列されたＴＦＴのゲートは行ごとに駆動配線に接続され、ＴＦＴ駆動回路により行毎にＴＦＴが選択される。   The wiring 103 is a part of a signal wiring for reading out a signal photoelectrically converted by the photoelectric conversion element 102 through the TFT, a bias wiring for applying a voltage (Vs) to the photoelectric conversion element, or for driving the TFT. Drive wiring is shown. The signal photoelectrically converted by the photoelectric conversion element 102 is read out by the TFT and output to the signal processing circuit through the signal wiring. The gates of the TFTs arranged in the row direction are connected to the drive wiring for each row, and the TFT is selected for each row by the TFT drive circuit.

第１の保護層（センサー保護層）１０４は、受光部を被覆して保護するためのものであり、例えばＳｉＮ，ＳｉＯ２などの無機物質が好適に用いられる。第２の保護層（パッシベーション膜）１０５は、第１の保護層１０４上に設けられ、材料としては、ポリイミド、パラキシリレン等の有機物質からなる耐熱性の樹脂が好ましい。たとえば、熱硬化型のポリイミド樹脂等を用いることが可能である。また、第２の保護層１０５はセンサーパネル表面の平坦性を向上させる平坦化機能を有する。   The first protective layer (sensor protective layer) 104 is for covering and protecting the light receiving portion, and for example, an inorganic substance such as SiN or SiO 2 is preferably used. The second protective layer (passivation film) 105 is provided on the first protective layer 104, and the material is preferably a heat resistant resin made of an organic substance such as polyimide or paraxylylene. For example, a thermosetting polyimide resin or the like can be used. The second protective layer 105 has a flattening function that improves the flatness of the sensor panel surface.

電気接続部（ボンディングパッド部）１０６は、光電変換部と外部回路（電気的接続部材１６１や電気実装部材１６２など）とを電気的に接続するためのものであり、センサーパネルの周囲の領域に形成された開口部１１６に設けられている。   The electrical connection portion (bonding pad portion) 106 is for electrically connecting the photoelectric conversion portion and an external circuit (such as the electrical connection member 161 and the electrical mounting member 162), and is provided in a region around the sensor panel. It is provided in the formed opening 116.

蛍光体層１１１は、放射線を光電変換素子１０２が感知可能な光に変換するものであり、柱状結晶構造を有する蛍光体が好ましい。柱状結晶構造を有する蛍光体は、蛍光体で発生した光が柱状結晶内を伝搬するので光散乱が少なく、解像度を向上させることができる。ただし、蛍光体層１１１としては、柱状結晶構造を有する蛍光体以外の材料を用いてもよい。   The phosphor layer 111 converts radiation into light that can be sensed by the photoelectric conversion element 102, and a phosphor having a columnar crystal structure is preferable. In the phosphor having a columnar crystal structure, light generated in the phosphor propagates in the columnar crystal, so that light scattering is small and the resolution can be improved. However, as the phosphor layer 111, a material other than the phosphor having a columnar crystal structure may be used.

柱状結晶構造を有する蛍光体層１１１の材料としては、ハロゲン化アルカリを主成分とする材料が好適に用いられる。例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＢｒ：Ｔｌが用いられる。その作製方法は、例えばＣｓＩ：Ｔｌでは、ＣｓＩとＴｌＩを同時に蒸着することで形成できる。   As the material of the phosphor layer 111 having a columnar crystal structure, a material mainly composed of an alkali halide is preferably used. For example, CsI: Tl, CsI: Na, and CsBr: Tl are used. For example, CsI: Tl can be formed by simultaneously depositing CsI and TlI.

蛍光体保護層１１２は、蛍光体層１１１に対して、外気からの水分の侵入を防止する防湿保護機能及び衝撃により構造破壊を防止する衝撃保護機能を有するものである。蛍光体層１１１として柱状結晶構造を有する蛍光体を用いる場合、蛍光体保護層１１２の厚さは２０〜２００μｍが好ましい。２０μｍ以下では、蛍光体層１１１表面の凹凸、及びスプラッシュ欠陥を完全に被覆することができず、防湿保護機能が低下する恐れがある。一方、２００μｍを超えると蛍光体層１１１で発生した光もしくは反射層で反射された光の蛍光体保護層１１２内での散乱が増加し、取得される画像の解像度及びＭＴＦ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｆａｎｃｔｉｏｎ）が低下する恐れがある。蛍光体保護層１１２の材料としては、ポリパラキシリレンなどの有機樹脂が好適に用いられる。また、蛍光体保護層１１２としてホットメルト樹脂を用いてもよい。以下に、ホットメルト樹脂からなる蛍光体保護層１１２について説明する。
蛍光体保護層１１２として用いられるホットメルト樹脂は、水や溶剤を含まない、室温で固体であり、１００％不揮発性の熱可塑性材料からなる接着性樹脂と定義される（Ｔｈｏｍａｓ.ｐ.Ｆｌａｎａｇａｎ,Ａｄｈｅｓｉｖｅ Ａｇｅ,９,Ｎｏ３,２８（１９９６））。ホットメルト樹脂は、樹脂温度が上昇すると溶融し、樹脂温度が低下すると固化されるものである。ホットメルト樹脂は、加熱溶融状態で、他の有機材料、および無機材料に接着性をもち、常温で固体状態となり接着性を持たないものである。また、ホットメルト樹脂は極性溶媒、溶剤、および水を含んでいないので、蛍光体層１１１（例えば、ハロゲン化アルカリからなる柱状結晶構造を有する蛍光体層）に接触しても蛍光体層を溶解しないため、蛍光体保護層１１２として使用され得る。ホットメルト樹脂は、熱可塑性樹脂を溶剤に溶かし溶媒塗布法によって形成された溶剤揮発硬化型の接着性樹脂とは異なる。またエポキシ等に代表される化学反応によって形成される化学反応型の接着性樹脂とも異なる。
ホットメルト樹脂材料は主成分であるベースポリマー（ベース材料）の種類によって分類され、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリアミド系等を用いることができる。蛍光体保護層１１２として、防湿性が高く、また蛍光体から発生する可視光線を透過する光透過性が高いことが重要である。蛍光体保護層１１２として必要とされる防湿性を満たすホットメルト樹脂としてポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂が好ましい。特に吸湿率が低いポリオレフィン樹脂を用いることが好ましい。また光透過性の高い樹脂として、ポリオレフィン系樹脂が好ましい。したがって蛍光体保護層１１２としてポリオレフィン系樹脂をベースにしたホットメルト樹脂がより好ましい。ポリオレフィン樹脂は、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、エチレン−メタクリル酸エステル共重合体および、アイオノマー樹脂から選ばれる少なくとも１種を主成分として含有することが好ましい。エチレン酢酸ビニル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂としてヒロダイン７５４４（ヒロダイン工業製）、エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂としてＯ−４１２１（倉敷紡績製）、エチレン−メタクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂としてＷ−４１１０（倉敷紡績製）、エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂としてＨ−２５００（倉敷紡績製）、エチレン−アクリル酸共重合体を主成分とするホットメルト樹脂としてＰ−２２００（倉敷紡績製）、エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂としてＺ−２（倉敷紡績製）等を用いることができる。 The phosphor protective layer 112 has a moisture-proof protective function for preventing moisture from entering from the outside air and an impact protective function for preventing structural destruction by impact with respect to the phosphor layer 111. When a phosphor having a columnar crystal structure is used as the phosphor layer 111, the thickness of the phosphor protective layer 112 is preferably 20 to 200 μm. If it is 20 μm or less, the unevenness of the surface of the phosphor layer 111 and splash defects cannot be completely covered, and the moisture-proof protective function may be lowered. On the other hand, when the thickness exceeds 200 μm, scattering of the light generated in the phosphor layer 111 or the light reflected by the reflection layer in the phosphor protective layer 112 increases, and the resolution of the acquired image and the MTF (Modulation Transfer Function) are increased. May fall. As a material for the phosphor protective layer 112, an organic resin such as polyparaxylylene is preferably used. Further, a hot melt resin may be used as the phosphor protective layer 112. Hereinafter, the phosphor protective layer 112 made of hot melt resin will be described.
The hot-melt resin used as the phosphor protective layer 112 is defined as an adhesive resin that does not contain water or a solvent, is solid at room temperature, and is made of a 100% non-volatile thermoplastic material (Thomas. P. Flaganan, Adhesive Age, 9, No. 3, 28 (1996)). The hot melt resin melts when the resin temperature rises and solidifies when the resin temperature falls. The hot melt resin has adhesiveness to other organic materials and inorganic materials in a heated and melted state, and is in a solid state at room temperature and has no adhesiveness. Moreover, since the hot melt resin does not contain a polar solvent, a solvent, and water, the phosphor layer dissolves even when it comes into contact with the phosphor layer 111 (for example, a phosphor layer having a columnar crystal structure made of an alkali halide). Therefore, the phosphor protective layer 112 can be used. The hot melt resin is different from a solvent volatile curable adhesive resin formed by dissolving a thermoplastic resin in a solvent and using a solvent coating method. It is also different from a chemically reactive adhesive resin formed by a chemical reaction typified by epoxy.
Hot-melt resin materials are classified according to the type of base polymer (base material) that is the main component, and polyolefin-based, polyester-based, polyamide-based, and the like can be used. It is important for the phosphor protective layer 112 to have high moisture resistance and high light transmittance to transmit visible light generated from the phosphor. Polyolefin resins and polyester resins are preferred as hot melt resins that satisfy the moisture resistance required for the phosphor protective layer 112. It is particularly preferable to use a polyolefin resin having a low moisture absorption rate. A polyolefin resin is preferable as the resin having high light transmittance. Accordingly, a hot melt resin based on a polyolefin resin is more preferable as the phosphor protective layer 112. The polyolefin resin is composed of ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, ethylene-methacrylic acid copolymer, ethylene-methacrylic acid ester copolymer, and ionomer resin. It is preferable to contain at least one selected as a main component. Hirodine 7544 (manufactured by Hirodine Industries) as a hot melt resin mainly composed of an ethylene vinyl acetate copolymer, O-4121 (manufactured by Kurashiki Boseki) as a hot melt resin mainly composed of an ethylene-acrylic acid ester copolymer, ethylene -W-4110 (manufactured by Kurashiki Boseki) as a hot melt resin mainly composed of a methacrylic acid ester copolymer, and H-2500 (manufactured by Kurashiki Boseki) as a hot melt resin mainly composed of an ethylene-acrylic acid ester copolymer. P-2200 (manufactured by Kurashiki Boseki) as a hot melt resin mainly composed of an ethylene-acrylic acid copolymer, and Z-2 (manufactured by Kurashiki Boseki) as a hot melt resin mainly composed of an ethylene-acrylic acid ester copolymer ) Etc. can be used.

反射層１１３は、蛍光体層１１１で変換して発せられた光のうち、光電変換素子１０２と反対側に進行した光を反射して光電変換素子１０２に導くことにより、光利用効率を向上させる機能を有するものである。また、反射層１１３は、光電変換素子１０２に蛍光体層１１１で発生された光以外の外部光線を遮断し、光電変換素子１０２にノイズが入ることを防止する機能を更に有する。反射層１１３としては、金属箔または金属薄膜を用いることが好ましく、反射層１１３の厚さは１〜１００μｍが好ましい。１μｍより薄いと反射層１１３の形成時にピンホール欠陥が発生しやすく、また遮光性に劣る。一方、１００μｍを超えると、放射線の吸収量が大きく被撮影者が被爆する線量の増加につながる恐れがあり、また、蛍光体層１１１とセンサーパネルの表面との段差を隙間無く覆うことが困難となる恐れがある。反射層１１３の材料としては、アルミニウム、金、銅、アルミ合金、などの金属材料を用いることができるが、特に反射特性の高い材料としては、アルミニウム、金が好ましい。   The reflection layer 113 improves light utilization efficiency by reflecting light that has traveled to the side opposite to the photoelectric conversion element 102 out of the light emitted by being converted by the phosphor layer 111 and guiding it to the photoelectric conversion element 102. It has a function. The reflective layer 113 further has a function of blocking external light rays other than light generated in the phosphor layer 111 in the photoelectric conversion element 102 and preventing noise from entering the photoelectric conversion element 102. As the reflective layer 113, a metal foil or a metal thin film is preferably used, and the thickness of the reflective layer 113 is preferably 1 to 100 μm. If the thickness is less than 1 μm, pinhole defects are likely to occur when the reflective layer 113 is formed, and the light shielding property is poor. On the other hand, if the thickness exceeds 100 μm, the amount of absorbed radiation is large, which may lead to an increase in the dose of exposure to the subject, and it is difficult to cover the step between the phosphor layer 111 and the surface of the sensor panel without a gap. There is a fear. As a material of the reflective layer 113, a metal material such as aluminum, gold, copper, and an aluminum alloy can be used, but aluminum and gold are preferable as materials having particularly high reflection characteristics.

反射層保護層１１４は、反射層１１３の衝撃による破壊、及び水分による腐食を防止する機能を有し、樹脂フィルムを用いることが好ましい。反射層保護層１１４の材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、塩化ビニル、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、などのフィルム材料を用いることが好ましい。反射層保護層１１４の厚さは１０〜１００μｍが好ましい。本実施の形態においては、蛍光体保護層１１２、反射層１１３、及び反射層保護層１１４によって蛍光体保護部材が構成され、蛍光体層１１１及び蛍光体保護部材によって波長変換体が構成されている。   The reflective layer protective layer 114 has a function of preventing damage due to impact of the reflective layer 113 and corrosion due to moisture, and a resin film is preferably used. As a material for the reflective layer protective layer 114, it is preferable to use a film material such as polyethylene terephthalate, polycarbonate, vinyl chloride, polyethylene naphthalate, or polyimide. The thickness of the reflective layer protective layer 114 is preferably 10 to 100 μm. In the present embodiment, the phosphor protective layer 112, the reflective layer 113, and the reflective layer protective layer 114 constitute a phosphor protective member, and the phosphor layer 111 and the phosphor protective member constitute a wavelength converter. .

被覆樹脂１１５は、蛍光体層１１１及び蛍光体保護部材がセンサーパネルから剥離することを防ぐために蛍光体保護部材の端部を封止するものである。被覆樹脂１１５の材料としては、アクリル系樹脂、シリコン樹脂などの有機物質が好適に用いられる。   The coating resin 115 seals the end of the phosphor protective member in order to prevent the phosphor layer 111 and the phosphor protective member from peeling off from the sensor panel. As a material of the coating resin 115, an organic substance such as an acrylic resin or a silicon resin is preferably used.

開口部１１６は、電気接続部１０６上に配された、例えば本実施の形態では第１の保護層１０４などの、波長変換体の製造工程中に電気接続部１０６上を被覆して保護する無機物質からなる保護層を、波長変換体の製造工程後に除去して形成されたものである。また、開口部１１６は、電気接続部１０６が露出されており、電気接続部１０６と外部回路（電気的接続部材１６１や電気実装部材１６２など）が電気的に接続される領域である。本実施の形態においては、保護層として第１の保護層１０４が用いられているが、必ずしもこれに限らず、例えば第１の保護層１０４とは別に設けられた無機物質からなる層を用いてもかまわない。保護層は、例えば本実施の形態では第２の保護層などの、保護層上に設けられた構成要素をマスクとして用いたエッチング法により除去される。保護層の除去については、後述にて詳細に説明する。   The opening 116 is an inorganic material disposed on the electrical connection portion 106 and covers and protects the electrical connection portion 106 during the manufacturing process of the wavelength converter, such as the first protective layer 104 in the present embodiment. It is formed by removing the protective layer made of a substance after the manufacturing process of the wavelength converter. The opening 116 is an area where the electrical connection portion 106 is exposed and the electrical connection portion 106 and an external circuit (such as the electrical connection member 161 and the electrical mounting member 162) are electrically connected. In this embodiment, the first protective layer 104 is used as the protective layer. However, the present invention is not limited to this, and for example, a layer made of an inorganic substance provided separately from the first protective layer 104 is used. It doesn't matter. The protective layer is removed by an etching method using, as a mask, a component provided on the protective layer, such as the second protective layer in this embodiment. The removal of the protective layer will be described in detail later.

電気的接続部材１６１は、配線１０３と電気実装部材１６２とをＡＣＦ（異方性導電フィルム）など導電性接着材１６３を介して電気的に接続するためのものであり、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）などが好適に用いられる。   The electrical connection member 161 is for electrically connecting the wiring 103 and the electrical mounting member 162 via a conductive adhesive 163 such as ACF (anisotropic conductive film), and is TAB (Tape Automated Bonding). Etc. are preferably used.

電気実装部材１６２は、光電変換素子１０２で変換された電気信号を読み出すためのＩＣ部品などを搭載した部材であり、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）などのプリント回路基板が好適に用いられる。   The electrical mounting member 162 is a member on which an IC component or the like for reading an electrical signal converted by the photoelectric conversion element 102 is mounted, and a printed circuit board such as a TCP (Tape Carrier Package) is preferably used.

以下に、図７〜図９を用いて、本発明の放射線検出装置の製造方法における開口部１１６の形成方法について詳細に説明する。   Below, the formation method of the opening part 116 in the manufacturing method of the radiation detection apparatus of this invention is demonstrated in detail using FIGS. 7-9.

図７〜図９は、本発明の放射線検出装置の製造方法における波長変換体形成工程後の放射線検出装置の断面図を示す模式図である。図７において、蛍光体層１１１、及び蛍光体保護層１１２、反射層１１３、反射層保護層１１４からなる蛍光体保護部材のセンサーパネル上への形成工程が終了した状態が示されている。本実施の形態では、蛍光体層１１１形成時及び蛍光体保護部材形成時において、電気接続部１０６は保護層である無機物質からなる第１の保護層１０４によって被覆されている。蛍光体層１１１形成時及び蛍光体保護部材形成時において電気接続部１０６が保護層により被覆されたことにより、蛍光体層１１１形成時及び蛍光体保護部材形成時に発生しうる剥離帯電に起因する、静電気による素子の不具合の発生を防止することが可能となる。   7 to 9 are schematic views showing cross-sectional views of the radiation detection apparatus after the wavelength converter forming step in the method for manufacturing the radiation detection apparatus of the present invention. FIG. 7 shows a state in which the phosphor layer 111, the phosphor protective layer 112, the reflective layer 113, and the phosphor protective member comprising the reflective layer protective layer 114 are formed on the sensor panel. In the present embodiment, when the phosphor layer 111 is formed and when the phosphor protective member is formed, the electrical connection portion 106 is covered with the first protective layer 104 made of an inorganic substance that is a protective layer. When the phosphor layer 111 is formed and the phosphor protective member is formed, the electrical connection portion 106 is covered with the protective layer, resulting in peeling charging that may occur when the phosphor layer 111 is formed and when the phosphor protective member is formed. It is possible to prevent the occurrence of device defects due to static electricity.

次に図８に示すように、蛍光体層１１１形成時及び蛍光体保護部材形成後に、電気接続部１０６を被覆している第１の保護層からなる保護層を除去して電気接続部１０６を露出させ、開口部１１６を形成する。本実施の形態において、開口部１１６は、第１の保護層１０４上に設けられた第２の保護層１０５をマスクとして第１の保護層１０４をエッチングにより除去することにより形成されている。   Next, as shown in FIG. 8, when the phosphor layer 111 is formed and after the phosphor protective member is formed, the protective layer made of the first protective layer covering the electrical connection portion 106 is removed to remove the electrical connection portion 106. An opening 116 is formed by exposing. In this embodiment mode, the opening 116 is formed by removing the first protective layer 104 by etching using the second protective layer 105 provided over the first protective layer 104 as a mask.

次に図９に示すように、開口部１１６において露出された電気接続部１０６にＡＣＦ（異方性導電フィルム）など導電性接着材１６３を介して電気的接続部材１６１、電気実装部材１６２等の外部回路が電気的に接続され、放射線検出装置が完成する。   Next, as shown in FIG. 9, the electrical connection member 161 exposed to the opening 116 and the electrical connection member 161, the electrical mounting member 162, and the like are connected to the electrical connection portion 106 via a conductive adhesive 163 such as an ACF (anisotropic conductive film). An external circuit is electrically connected to complete the radiation detection apparatus.

ここで、上述した電気接続部１０６を被覆する保護層、マスクとして用いられる構成要素、及び保護層の除去方法については、上述した材料、構成要素、及び方法に限定されるものではなく、以下に夫々に対して詳細に説明する。   Here, the protective layer covering the above-described electrical connection portion 106, the constituent elements used as a mask, and the method for removing the protective layer are not limited to the above-described materials, constituent elements, and methods. Each will be described in detail.

＜電気接続部１０６を被覆する保護層＞
ボンディングパッド部等の電気接続部１０６上を覆う保護層としては、本実施の形態で示すように、電気接続部１０６とともに光電変換素子を覆う第１の保護層１０４として一般的に用いられる無機のＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ及びＳｉＯＮなどを用いることが好ましい。ただし保護層としては、マスクに用いる構成要素とのエッチングの選択性があれば良く、他の無機物質を用いても良い。また、光電変換素子を覆う第１の保護層１０４と別に電気接続部１０６を覆う無機物質からなる保護層を別途設けてもよい。 <Protective layer covering the electrical connection portion 106>
As shown in this embodiment mode, the protective layer covering the electrical connection portion 106 such as a bonding pad portion is an inorganic layer generally used as the first protective layer 104 that covers the photoelectric conversion element together with the electrical connection portion 106. SiNx, SiOx, and SiON are preferably used. However, the protective layer only needs to have etching selectivity with respect to the components used for the mask, and other inorganic substances may be used. In addition to the first protective layer 104 that covers the photoelectric conversion element, a protective layer made of an inorganic material that covers the electrical connection portion 106 may be separately provided.

＜マスクとして用いられる構成要素＞
マスクとして用いられる構成要素として放射線検出装置の構成要素を用いることが好ましい。その場合、電気接続部１０６を被覆する保護層の上方に形成され、かつ電気接続部１０６が設けられた領域の近傍に位置する構成要素がより好ましい。またマスクとして用いられる構成要素は、保護層を除去する際のエッチングによってわずかにエッチングされても、保護層のエッチングが終了した時点で、最終的に除去されず残留する材料及び構成要素の厚みである必要がある。
上記条件を満足する材料として、第２の保護層として用いられるPI（ポリイミド）などの有機膜が好ましい。ほとんどの有機膜は、上記無機物質のエッチングガスによって、ほとんどエッチングされることがないことに加え、数μｍから数十μｍと厚く形成できるので、エッチング時のマスクとして有効である。これら有機膜の原材料が液体の場合は、保護層に覆われた電気接続部１０６をマスク保護してスピンコートにより塗布するか、マスクなしでスリットコートなどの方法により必要部分のみに塗布するなどの方法で形成すると良い。上記マスク保護する場合には、配線３及び電気接続部１０６との間に保護層が存在するので、マスク材料が直接配線３及び電気接続部１０６に触れることがなく、静電気による素子へのダメージを抑えることができる。また、これら有機膜を真空成膜により形成する場合には、保護層に覆われた電気接続部１０６をマスク保護して成膜すると良い。この場合のマスク保護による影響も上述の通りである。真空成膜により形成される有機膜としては、ポリパラキシリレン（パリレン：ユニオンカーバイト商標名）、ポリ尿素、ポリアミドなどを用いてもかまわない。
他の好適な構成要素として、蛍光体保護層１１２、反射層１１３、反射層保護層１１４からなる蛍光体保護部材をマスクとして用いてもよい。これらの構成要素の材料としては、蛍光体保護層１１２としてパリレン、ホットメルト樹脂、ＰＩ等の有機材料が、反射層１１３としてＡｌ等の光反射性の金属材料が、また反射層保護層１１４としてＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の有機材料が好適に用いられる。これらの構成要素もエッチングされにくい材料により構成されるものである。
他の好適な構成要素としては、アクリル系樹脂、シリコン樹脂など有機物質からなる被覆樹脂１１５、電気接続部１０６の周囲に形成されたアクリル系樹脂、シリコン樹脂など有機物質からなる樹脂枠１１７（図２７、２８参照）を用いてもよい。他の好適な構成要素としては、図１８〜２０に記載のガラス等の基板材料からなる包囲リング１３２、及びＡｌ等の放射線透過性材料からなるカバー１３１を用いてもよい。他の好適な構成要素として、図１５〜１７に記載の、ガラス等の基板材料からなる包囲壁１２６、及びＡｌ等の放射線透過性材料からなる窓１２５を用いてもよい。他の好適な構成要素としては、上記材料の組み合わせでもよい。たとえば、ある辺は第２の保護層１０５であるＰＩを、他の辺は蛍光体保護層１１２であるパリレンをそれぞれエッチングマスクとして電気接続部１０６を被覆する保護層をエッチング除去してもかまわない。
一方、マスクとして用いられる構成要素として放射線検出装置の構成要素を用いない場合では、電気接続部１０６が設けられた領域の近傍で、且つ電気接続部１０６を被覆する保護層の上方に放射線検出装置の構成要素とは異なるマスク部材を別途設けて覆う方法でもよい。別途マスク部材を設けて除去する方法では、エッチング後はそのマスク部材を除去することが求められる。 <Components used as mask>
It is preferable to use a component of the radiation detection apparatus as a component used as a mask. In that case, a component that is formed above the protective layer that covers the electrical connection portion 106 and is located in the vicinity of the region where the electrical connection portion 106 is provided is more preferable. In addition, the component used as a mask is the material and the thickness of the component that is not finally removed even when the protective layer is slightly etched by the etching for removing the protective layer, and is not finally removed. There must be.
As a material that satisfies the above conditions, an organic film such as PI (polyimide) used as the second protective layer is preferable. Most organic films are hardly etched by the above-mentioned inorganic etching gas, and can be formed as thick as several μm to several tens of μm, which is effective as a mask during etching. When the raw material of these organic films is liquid, the electrical connection part 106 covered with the protective layer is protected by a mask and applied by spin coating, or it is applied only to a necessary part by a method such as slit coating without a mask. It may be formed by a method. In the case of protecting the mask, since a protective layer exists between the wiring 3 and the electrical connection portion 106, the mask material does not directly touch the wiring 3 and the electrical connection portion 106, and damage to the element due to static electricity is prevented. Can be suppressed. Further, when these organic films are formed by vacuum film formation, the electric connection portion 106 covered with the protective layer may be formed with mask protection. The influence of mask protection in this case is also as described above. As the organic film formed by vacuum film formation, polyparaxylylene (parylene: trade name of Union Carbide), polyurea, polyamide, or the like may be used.
As another suitable component, a phosphor protective member including the phosphor protective layer 112, the reflective layer 113, and the reflective layer protective layer 114 may be used as a mask. As materials for these components, organic materials such as parylene, hot melt resin, and PI are used as the phosphor protective layer 112, a light-reflective metal material such as Al is used as the reflective layer 113, and a reflective layer protective layer 114 is used. An organic material such as PET (polyethylene terephthalate) is preferably used. These components are also made of a material that is difficult to be etched.
Other suitable components include a coating resin 115 made of an organic material such as an acrylic resin and a silicon resin, and a resin frame 117 made of an organic material such as an acrylic resin and a silicon resin formed around the electrical connection portion 106 (see FIG. 27, 28) may be used. As other suitable components, an envelope ring 132 made of a substrate material such as glass as shown in FIGS. 18 to 20 and a cover 131 made of a radiation transmissive material such as Al may be used. As other suitable components, an enclosure wall 126 made of a substrate material such as glass and a window 125 made of a radiation transmissive material such as Al as shown in FIGS. 15 to 17 may be used. Another suitable component may be a combination of the above materials. For example, the protective layer covering the electrical connection portion 106 may be removed by etching using PI, which is the second protective layer 105 on one side, and parylene, which is the phosphor protective layer 112, on the other side. .
On the other hand, when a component of the radiation detection apparatus is not used as a component used as a mask, the radiation detection apparatus is in the vicinity of the region where the electrical connection unit 106 is provided and above the protective layer covering the electrical connection unit 106. Alternatively, a method may be used in which a mask member different from the above component is separately provided and covered. In the method of removing by providing a separate mask member, it is required to remove the mask member after etching.

＜開口部１１６の端面＞
放射線検出装置の構成要素をマスクに用いて、保護層をエッチング除去すると、基本的には開口部１１６の端面を構成する保護層端面と保護層上に設けられたマスクとして用いられた構成要素の端面が細かい凹凸までエッジがそろう。保護層端面が構成要素をマスクに用いてエッチングされたものかどうかの判別は、開口部１１６の端面を構成する保護層端面と保護層上に設けられたマスクとして用いられた構成要素の端面とでエッジがそろうかどうかを表面や断面を顕微鏡で観察する方法を行うことにより達成できる。この方法によれば、エッチングではマスクと除去される層の端面が細かい形状まで同じにそろうので、マクロ的に判別可能である。別の方法としては、斜め方向及び断面からＳＥＭもしくはＴＥＭ観察するとよい。こういった方法であれば、ミクロなエッチング形状まで判別可能である。どちらか片方の方法では、判別が困難な場合は、両方の方法で判別すればよい。但し、エッチング時にイレギュラーで付着するゴミ等の影響は除外して判断する。 <End face of opening 116>
When the protective layer is removed by etching using the constituent elements of the radiation detection apparatus as a mask, the protective layer end face constituting the end face of the opening 116 and the constituent elements used as the mask provided on the protective layer are basically used. The edges are aligned to fine irregularities on the end face. Whether or not the end face of the protective layer is etched using the component as a mask is determined by determining the end face of the protective layer constituting the end face of the opening 116 and the end face of the constituent element used as a mask provided on the protective layer. Whether or not the edges are aligned can be achieved by observing the surface or cross section with a microscope. According to this method, since the end surfaces of the mask and the layer to be removed are the same in a fine shape in the etching, it can be distinguished macroscopically. As another method, SEM or TEM observation may be performed from an oblique direction and a cross section. With such a method, it is possible to discriminate even microscopic etching shapes. If either one of the methods is difficult to determine, both methods may be used. However, the determination is made by excluding the influence of irregularly attached dust during etching.

＜保護層の除去方法＞
保護層を除去する方法としてはエッチング、特にドライエッチングが好適である。ドライエッチングであれば、ウェットエッチングで必要とされるような後洗浄工程などを必要とせず、静電気に対するリスクを最小限に抑えることが可能であるからである。また、蛍光体層として潮解性を有する柱状結晶構造を有する蛍光体を使用する場合では、エッチングにおける蛍光体層の水分による潮解のリスクを最小限に抑えることが可能であるからである。実際のドライエッチングでは、保護層である無機の材料と反応できるフロン系、塩素系などのガスをプラズマで分解して行う方法などを用いればよい。ドライエッチング法としては、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ：カソード側に被エッチング物を設置しイオンとラジカルでエッチングを行う手法）、ＰＥ（Ｐｌａｓｍａ ｅｔｃｈｉｎｇ：アノード電極側に被エッチング物を設置し主にラジカルでエッチングを行う手法）、ＣＤＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｄｒｙ ｅｔｃｈｉｎｇ：ガスを分解する部分と被エッチング物を分離してラジカル成分のみで行う手法）などの方法が好ましい。さらに、露出した電気接続部１０６表面のクリーニングを目的とした表面処理を行ってもかまわない。表面処理法としては、酸素プラズマなどのアッシング法、大気圧プラズマ法、及びコロナ放電法などの方法がよい。 <Method for removing protective layer>
As a method for removing the protective layer, etching, particularly dry etching is suitable. This is because dry etching does not require a post-cleaning process or the like that is necessary for wet etching, and can minimize the risk of static electricity. In addition, when a phosphor having a columnar crystal structure having deliquescence is used as the phosphor layer, it is possible to minimize the risk of deliquescence due to moisture in the phosphor layer during etching. In actual dry etching, a method in which a fluorocarbon gas or a chlorine gas that can react with an inorganic material as a protective layer is decomposed with plasma may be used. As the dry etching method, RIE (Reactive ion etching: a method in which an object to be etched is installed on the cathode side and etching is performed with ions and radicals), PE (Plasma etching: an object to be etched on the anode electrode side is disposed, and mainly radicals are used. Etching method), CDE (Chemical dry etching) is a method in which a part that decomposes gas is separated from an object to be etched and only a radical component is used. Furthermore, a surface treatment may be performed for the purpose of cleaning the exposed surface of the electrical connection portion 106. As the surface treatment method, an ashing method such as oxygen plasma, an atmospheric pressure plasma method, and a corona discharge method are preferable.

＜製造方法＞
波長変換体をセンサーパネルに形成する前にセンサーパネルの良否判定を電気検査によって行う場合は、検査用のプローブを当てる部分は配線をむき出す必要がある。その位置は、電気接続部１０６以外、たとえば電気接続部１０６よりパネル内側方向の配線１０３、にするとよい。検査が終わればスルーホールは必要ないので、第２の保護層１０５で埋めればよい。第２の保護層にＰＩなどの物質を用いれば、塗布する際にスルーホールを埋めながら行うことで目的が達成できる。第２の保護層が形成された状態では、配線１０３はまったく露出している部分がなく、静電気に対して強い構造となっている。この構造であれば、蛍光体層１１１を形成する工程、蛍光体保護層１１２を形成する工程を経ても静電気による素子への悪影響を防止することが可能である。 <Manufacturing method>
If the sensor panel is judged to be good or bad by electrical inspection before the wavelength converter is formed on the sensor panel, it is necessary to expose the wiring to the part to which the probe for inspection is applied. The position may be other than the electrical connection portion 106, for example, the wiring 103 in the panel inner direction from the electrical connection portion 106. Since the through hole is not necessary after the inspection is completed, the second protective layer 105 may be filled. If a substance such as PI is used for the second protective layer, the object can be achieved by filling the through hole while applying. In the state where the second protective layer is formed, the wiring 103 has no exposed portion at all and has a structure strong against static electricity. With this structure, it is possible to prevent adverse effects on the element due to static electricity even after the step of forming the phosphor layer 111 and the step of forming the phosphor protective layer 112.

以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１は、本発明による第１の実施例の製造方法により作製された放射線検出装置を示す断面図である。本実施例において、保護層はＳｉＮｘからなる第１の保護層１０４を用い、マスクとして用いる構成要素は素子領域の保護も兼ねたＰＩからなる第２の保護層１０５である。開口部１１６は、電気接続部１０６上のＳｉＮｘからなる第１の保護層１０４をＰＩからなる第２の保護層１０５をマスクとしてドライエッチングにより形成されているため、開口部１１６の端面となる第１の保護層１０４と第２の保護層１０５の端面がそろっている。第１の保護層１０４にはスルーホール１０７が空いており、後述する検査時に利用されたものである。ボンディングパッド部では、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）からなる導電性接着材１６３ 、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）からなる電気的接続部材１６１、ＰＣＢ（プリント回路基板）からなる電気実装部材１６２の順に電気実装されている。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing a radiation detection apparatus manufactured by the manufacturing method of the first embodiment according to the present invention. In this embodiment, the first protective layer 104 made of SiNx is used as the protective layer, and the component used as a mask is the second protective layer 105 made of PI that also serves to protect the element region. The opening 116 is formed by dry etching using the first protective layer 104 made of SiNx on the electrical connection portion 106 as a mask and the second protective layer 105 made of PI, and therefore the opening 116 becomes the end surface of the opening 116. The end surfaces of the first protective layer 104 and the second protective layer 105 are aligned. The first protective layer 104 has a through hole 107, which is used for an inspection described later. In the bonding pad portion, the electrical adhesive 163 made of ACF (anisotropic conductive film), the electrical connection member 161 made of TAB (Tape Automated Bonding), and the electrical mounting member 162 made of PCB (printed circuit board) are arranged in this order. Has been implemented.

図２〜図８を用いて、本発明による実施例１の製造方法を説明する。
まず、図２に示すように、通常のセンサーパネルの製造プロセスに従って、厚さ０．７ｍｍのガラス基板１０１上の４３０ｍｍ×４３０ｍｍの領域にアモルファスシリコンからなる光電変換素子２、不図示の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を２次元的に配置して受光部を形成し、又Ａｌからなる配線１０３及びボンディングパッド部などの電気接続部１０６を形成した。その後、ＳｉＮｘからなる第１の保護層１０４を形成して受光部、配線１０３、及び電気接続部１０６を被覆した後、図２に示すように、電気接続部１０６より内側で且つ配線１０３上の第１の保護層１０４にスルーホールを空けておく。この状態でスルーホールより配線１０３にプローブを当て、検査を実施し、パネルの良否判定を行う。
次に、図３に示すように、第１の保護層１０４上の電気接続部１０５以外の部分にスリットコーターによりＰＩ（ポリイミド）からなる第２の保護層１０５を塗布しキュアして硬化させる。塗布された領域はスルーホール１０７を含んでいるので、スルーホールは埋まっている。上記方法によりセンサーパネルを得た。
次に、図４に示すように、マスク２０１を配置して、得られたセンサーパネルの受光部上の第２の保護層１０５上に、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）にタリウム（Ｔｌ）が添加された、柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌを、真空蒸着法により成膜時間４時間で厚さ５５０μｍ形成した。Ｔｌの添加濃度は０．１〜０．３ｍｏｌ％であった。ＣｓＩ：Ｔｌの柱状結晶の頂面側（蒸着終了表面側）の柱径は平均約５μｍであった。形成されたＣｓＩ：Ｔｌを２００℃の窒素雰囲気下のクリーンオーブン内で２時間熱処理することによって、図５に示すように蛍光体層１１１を得た。本実施例では、図４に示すような蒸着に必要なマスク２０１を取り外す際、配線１０３及び電気接続部１０６は第１の保護層１０４もしくは／及び第２の保護層１０５によって全て覆われているので、マスク２０１剥離時の帯電による静電気などの影響で素子に悪影響を与える心配がない。
次に、図６に示すようにパリレンからなる蛍光体保護層１１２を熱ＣＶＤ法により蒸着形成し、蛍光体保護層１１２上にＡｌ薄膜からなる反射層１１３を蒸着法により形成し、更にパリレンからなる反射層保護層１１４を熱ＣＶＤ法により蒸着形成し蛍光体保護部材を構成した後、電気接続部１０６上の領域に設けられた蛍光体保護部材を除去する。除去の様子を図６に示す。蛍光体保護部材の除去工程においても、電気接続部１０６は第１の保護層１０４で被覆され電気的に保護されているため、図２８で示したような蛍光体保護層１１２が直接電気的接続部１０６に触れていないので、蛍光体保護部材の剥離時の帯電に起因する静電気による素子への悪影響がない。本実施例において波長変換体は、蛍光体層１１１、及び、蛍光体保護層１１２、反射層１１３、反射層保護層１１４からなる蛍光体保護部材によって構成されるものである。
次に、図７に示すように、蛍光体保護部材の端面（側面）をアクリル系樹脂からなる被覆樹脂１１５で被覆し、センサーパネル上への波長変換体の形成工程を終了した。
次に、図８に示すように、センサーパネル上への波長変換体の形成工程を終了した後、第２の保護層１０５をマスクにしてドライエッチングを行い、電気接続部１０６上の第１の保護層１０４からなる保護層を除去して開口部１１６を形成した。
その後、開口部１１６内に配された電気接続部１０６と電気実装部材１６２をＡＣＦ（異方性導電フィルム）からなる導電性接着材１６３及びＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）からなる電気的接続部材１６２を介して電気的に接続する電気実装を行って、図１に示される放射線検出装置が完成する。
上記のように、蛍光体層１１１を形成後に、又は蛍光体保護層１１２、反射層１１３、及び反射層保護層１１４からなる蛍光体保護部材を形成した後、電気接続部１０６上の第１の保護層１０４からなる保護層を除去するので、蛍光体層１１１の形成工程時及び蛍光体保護部材形成工程時に剥離による帯電に起因する静電気などの影響で素子に悪影響を与えることを防止することができる。 The manufacturing method of Example 1 by this invention is demonstrated using FIGS.
First, as shown in FIG. 2, according to a normal sensor panel manufacturing process, a photoelectric conversion element 2 made of amorphous silicon in a 430 mm × 430 mm region on a glass substrate 101 having a thickness of 0.7 mm, a thin film transistor (TFT) (not shown). ) Are two-dimensionally arranged to form a light receiving portion, and an electrical connection portion 106 such as an Al wiring 103 and a bonding pad portion is formed. After that, after forming the first protective layer 104 made of SiNx and covering the light receiving portion, the wiring 103, and the electrical connection portion 106, as shown in FIG. A through hole is left in the first protective layer 104. In this state, a probe is applied to the wiring 103 from the through hole, an inspection is performed, and the quality of the panel is determined.
Next, as shown in FIG. 3, a second protective layer 105 made of PI (polyimide) is applied to a portion other than the electrical connection portion 105 on the first protective layer 104 by a slit coater, and cured and cured. Since the applied region includes the through hole 107, the through hole is filled. A sensor panel was obtained by the above method.
Next, as shown in FIG. 4, a mask 201 is arranged, and thallium (Tl) is added to cesium iodide (CsI) on the second protective layer 105 on the light receiving portion of the obtained sensor panel. Further, CsI: Tl having a columnar crystal structure was formed to a thickness of 550 μm by a vacuum deposition method with a film formation time of 4 hours. The addition concentration of Tl was 0.1 to 0.3 mol%. The average column diameter of the CsI: Tl columnar crystal on the top side (deposition surface side) was about 5 μm. The formed CsI: Tl was heat-treated in a clean oven in a nitrogen atmosphere at 200 ° C. for 2 hours to obtain a phosphor layer 111 as shown in FIG. In this embodiment, when the mask 201 necessary for vapor deposition as shown in FIG. 4 is removed, the wiring 103 and the electrical connection portion 106 are all covered with the first protective layer 104 and / or the second protective layer 105. Therefore, there is no fear that the element is adversely affected by static electricity caused by charging when the mask 201 is peeled off.
Next, as shown in FIG. 6, a phosphor protective layer 112 made of parylene is deposited by thermal CVD, and a reflective layer 113 made of Al thin film is formed on the phosphor protective layer 112 by vapor deposition, and further from parylene. After forming the reflection layer protection layer 114 by vapor deposition by a thermal CVD method to form the phosphor protection member, the phosphor protection member provided in the region on the electrical connection portion 106 is removed. The state of removal is shown in FIG. Also in the step of removing the phosphor protective member, since the electrical connecting portion 106 is covered and electrically protected by the first protective layer 104, the phosphor protective layer 112 as shown in FIG. 28 is directly electrically connected. Since the portion 106 is not touched, there is no adverse effect on the element due to static electricity caused by charging when the phosphor protective member is peeled off. In this embodiment, the wavelength converter is composed of a phosphor layer 111 and a phosphor protective member including the phosphor protective layer 112, the reflective layer 113, and the reflective layer protective layer 114.
Next, as shown in FIG. 7, the end surface (side surface) of the phosphor protective member was coated with a coating resin 115 made of an acrylic resin, and the step of forming the wavelength converter on the sensor panel was completed.
Next, as shown in FIG. 8, after the step of forming the wavelength converter on the sensor panel is completed, dry etching is performed using the second protective layer 105 as a mask to perform the first etching on the electrical connection portion 106. The protective layer composed of the protective layer 104 was removed to form an opening 116.
Thereafter, the electrical connection portion 106 and the electrical mounting member 162 disposed in the opening 116 are connected to a conductive adhesive 163 made of ACF (anisotropic conductive film) and an electrical connection member 162 made of TAB (Tape Automated Bonding). The radiation detection apparatus shown in FIG. 1 is completed by performing electrical mounting through electrical connection.
As described above, after forming the phosphor layer 111 or after forming a phosphor protective member including the phosphor protective layer 112, the reflective layer 113, and the reflective layer protective layer 114, the first on the electrical connection unit 106 is formed. Since the protective layer made of the protective layer 104 is removed, it is possible to prevent the element from being adversely affected by the influence of static electricity or the like resulting from charging due to peeling during the phosphor layer 111 forming step and the phosphor protective member forming step. it can.

図９は、本発明による第２の実施例の製造方法により作製された放射線検出装置を示す断面図である。実施例１と対応する部分には同じ数字を記載し重複する説明は割愛する。本実施例では、保護層はＳｉＮｘよりなる第１の保護層１０４であり、電気接続部１０６部上の第１の保護層１０４を選択的にエッチング除去するためのマスクは、アクリル系樹脂など有機物質からなる被覆樹脂１１５である。本実施例では、第１の保護層１０４からなる保護層をエッチング除去する際、被覆樹脂１１５をマスクにしている点が特徴である。被覆樹脂にはアクリル系接着剤を用いるため、ＳｉＮｘなどの無機物質がエッチングの際、除去されることはない。また、本実施例においては、実施例１におけるＰＩからなる第２の保護層１０５を設けていないが、電気接続部１０６の周囲の領域の第１の保護層１０４上に第２の保護層１０５が別途設けられていても構わない。図１０は蛍光体形成後のボンディングパッド部保護層エッチング前の断面図、図１１はエッチング後の断面図である。
以下に図９〜図１１を用いて、本発明の実施例２の製造方法を説明する。 FIG. 9 is a cross-sectional view showing a radiation detection apparatus manufactured by the manufacturing method of the second embodiment according to the present invention. The same numerals are given to portions corresponding to those in the first embodiment, and redundant explanations are omitted. In this embodiment, the protective layer is the first protective layer 104 made of SiNx, and the mask for selectively removing the first protective layer 104 on the electrical connection portion 106 is an organic material such as an acrylic resin. This is a coating resin 115 made of a substance. This embodiment is characterized in that the coating resin 115 is used as a mask when the protective layer made of the first protective layer 104 is removed by etching. Since an acrylic adhesive is used for the coating resin, an inorganic substance such as SiNx is not removed during the etching. In the present embodiment, the second protective layer 105 made of PI in the first embodiment is not provided, but the second protective layer 105 is formed on the first protective layer 104 in the region around the electrical connection portion 106. May be provided separately. FIG. 10 is a cross-sectional view before etching the bonding pad portion protective layer after forming the phosphor, and FIG. 11 is a cross-sectional view after etching.
A manufacturing method according to the second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

実施例１と同様の方法により、厚さ０．７ｍｍのガラス基板１０１上の４３０ｍｍ×４３０ｍｍの領域にアモルファスシリコンからなる光電変換素子２、不図示の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を２次元的に配置して受光部を形成し、又Ａｌからなる配線１０３及びボンディングパッド部などの電気接続部１０６を形成した。その後、ＳｉＮｘからなる第１の保護層１０４を形成して受光部、配線１０３、及び電気接続部１０６を被覆しセンサーパネルを得た。   In the same manner as in Example 1, a photoelectric conversion element 2 made of amorphous silicon and a thin film transistor (TFT) not shown are two-dimensionally arranged in a 430 mm × 430 mm region on a 0.7 mm thick glass substrate 101. A light receiving portion was formed, and an electrical connection portion 106 such as an Al wiring 103 and a bonding pad portion was formed. Thereafter, a first protective layer 104 made of SiNx was formed to cover the light receiving portion, the wiring 103, and the electrical connection portion 106, thereby obtaining a sensor panel.

次に、受光部上の第１の保護層１０４上に、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）にタリウム（Ｔｌ）が添加された、柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌを、真空蒸着法により成膜時間４時間で厚さ５５０μｍ形成した。Ｔｌの添加濃度は０．１〜０．３ｍｏｌ％であった。ＣｓＩ：Ｔｌの柱状結晶の頂面側（蒸着終了表面側）の柱径は平均約５μｍであった。形成されたＣｓＩ：Ｔｌを２００℃の窒素雰囲気下のクリーンオーブン内で２時間熱処理することによって、蛍光体層１１１を得た。本実施例では、実施例１と同様に、蒸着に必要なマスク２０１を取り外す際、配線１０３及び電気接続部１０６は第１の保護層１０４によって全て覆われているので、マスク２０１剥離時の帯電による静電気などの影響で素子に悪影響を与える心配がない。   Next, CsI: Tl having a columnar crystal structure in which thallium (Tl) is added to cesium iodide (CsI) is deposited on the first protective layer 104 on the light receiving portion by a vacuum deposition method for 4 hours. To form a thickness of 550 μm. The addition concentration of Tl was 0.1 to 0.3 mol%. The average column diameter of the CsI: Tl columnar crystal on the top side (deposition surface side) was about 5 μm. The formed CsI: Tl was heat-treated in a clean oven in a nitrogen atmosphere at 200 ° C. for 2 hours to obtain a phosphor layer 111. In this embodiment, as in Embodiment 1, when removing the mask 201 necessary for vapor deposition, the wiring 103 and the electrical connection portion 106 are all covered with the first protective layer 104. There is no worry that the device will be adversely affected by static electricity caused by.

次に、実施例１と同様な方法により、パリレンからなる蛍光体保護層１１２、Ａｌ薄膜からなる反射層１１３、パリレンからなる反射層保護層１１４を形成し蛍光体保護部材を構成した後、電気接続部１０６上の領域に設けられた蛍光体保護部材を除去する。本実施例における蛍光体保護部材の除去工程においても実施例１と同様に、電気接続部１０６は第１の保護層１０４で被覆され電気的に保護されているため、蛍光体保護部材の剥離時の帯電に起因する静電気による素子への悪影響がない。   Next, after the phosphor protective layer 112 made of parylene, the reflective layer 113 made of Al thin film, and the reflective layer protective layer 114 made of parylene were formed by the same method as in Example 1, The phosphor protective member provided in the region on the connecting portion 106 is removed. Also in the step of removing the phosphor protective member in the present embodiment, as in the first embodiment, the electrical connection portion 106 is covered and electrically protected by the first protective layer 104, so that the phosphor protective member is peeled off. There is no adverse effect on the element due to static electricity due to the charging of the device.

次に、図１０に示すように、実施例１と同様な方法により蛍光体保護部材の端面（側面）をアクリル系樹脂からなる被覆樹脂１１５で被覆し、センサーパネル上への波長変換体の形成工程を終了した。   Next, as shown in FIG. 10, the end face (side surface) of the phosphor protective member is coated with a coating resin 115 made of an acrylic resin by the same method as in Example 1 to form a wavelength converter on the sensor panel. The process was finished.

次に、図１１に示すように、センサーパネル上への波長変換体の形成工程を終了した後、被覆樹脂１１５をマスクにしてドライエッチングを行い、電気接続部１０６上の第１の保護層１０４からなる保護層を除去して開口部１１６を形成した。   Next, as shown in FIG. 11, after the step of forming the wavelength converter on the sensor panel is completed, dry etching is performed using the coating resin 115 as a mask, and the first protective layer 104 on the electrical connection portion 106 is formed. An opening 116 was formed by removing the protective layer.

その後、開口部１１６内に配された電気接続部１０６と電気実装部材１６２をＡＣＦ（異方性導電フィルム）からなる導電性接着材１６３及びＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）からなる電気的接続部材１６２を介して電気的に接続する電気実装を行って、図９に示される放射線検出装置が完成する。
上記のように、蛍光体層１１１を形成後に、又は蛍光体保護層１１２、反射層１１３、及び反射層保護層１１４からなる蛍光体保護部材を形成した後、電気接続部１０６上の第１の保護層１０４からなる保護層を除去するので、蛍光体層１１１の形成工程時及び蛍光体保護部材形成工程時に剥離による帯電に起因する静電気などの影響で素子に悪影響を与えることを防止することができる。実施例１では被覆樹脂１１５の外側の第２の保護層１０５をマスクにしてドライエッチングを行っていたが、本実施例では被覆樹脂１１５をマスクにしてドライエッチングを行うので、実施例１に比べ、実施例１の被覆樹脂１１５から第２の保護層１０５までの距離分、さらに画素領域を拡大もしくはパネルサイズを縮小することが可能となる。 Thereafter, the electrical connection portion 106 and the electrical mounting member 162 disposed in the opening 116 are connected to a conductive adhesive 163 made of ACF (anisotropic conductive film) and an electrical connection member 162 made of TAB (Tape Automated Bonding). The radiation detection apparatus shown in FIG. 9 is completed by performing electrical mounting through electrical connection.
As described above, after forming the phosphor layer 111 or after forming a phosphor protective member including the phosphor protective layer 112, the reflective layer 113, and the reflective layer protective layer 114, the first on the electrical connection unit 106 is formed. Since the protective layer made of the protective layer 104 is removed, it is possible to prevent the element from being adversely affected by the influence of static electricity or the like resulting from charging due to peeling during the phosphor layer 111 forming step and the phosphor protective member forming step. it can. In Example 1, dry etching is performed using the second protective layer 105 outside the coating resin 115 as a mask. However, in this example, dry etching is performed using the coating resin 115 as a mask. Further, it becomes possible to further enlarge the pixel region or reduce the panel size by the distance from the coating resin 115 of Example 1 to the second protective layer 105.

図１２は、本発明による第３の実施例の製造方法により作製された放射線検出装置を示す断面図である。前述と対応する部分には同じ数字を記載し重複する説明は割愛する。本実施例では、電気接続部１０６上の保護層を選択的にエッチング除去するためのマスクとしては、パリレンからなる蛍光体保護層１１２、Ａｌからなる反射層１１３、及びパリレンからなる反射層保護層１１４からなる蛍光体保護部材が用いられる。
図１２〜図１４を用いて、本発明による実施例３の製造方法を説明する。 FIG. 12 is a cross-sectional view showing a radiation detection apparatus manufactured by the manufacturing method of the third embodiment according to the present invention. The same numbers are given in the parts corresponding to the above, and duplicate explanations are omitted. In this embodiment, as a mask for selectively removing the protective layer on the electrical connection portion 106, the phosphor protective layer 112 made of parylene, the reflective layer 113 made of Al, and the reflective layer protective layer made of parylene. A phosphor protective member made of 114 is used.
The manufacturing method of Example 3 by this invention is demonstrated using FIGS.

実施例２と同様の方法により、図１３に示すように、センサーパネル上に波長変換体を形成した。   A wavelength converter was formed on the sensor panel by the same method as in Example 2 as shown in FIG.

次に、図１４に示すように、センサーパネル上への波長変換体の形成を終了した後、蛍光体保護部材をマスクにしてドライエッチングを行い、電気接続部１０６上の第１の保護層１０４からなる保護層を除去して開口部１１６を形成した。   Next, as shown in FIG. 14, after the formation of the wavelength converter on the sensor panel is completed, dry etching is performed using the phosphor protective member as a mask, and the first protective layer 104 on the electrical connection portion 106 is formed. An opening 116 was formed by removing the protective layer.

その後、開口部１１６内に配された電気接続部１０６と電気実装部材１６２をＡＣＦ（異方性導電フィルム）からなる導電性接着材１６３及びＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）からなる電気的接続部材１６２を介して電気的に接続する電気実装を行って、図１２に示される放射線検出装置が完成する。
上記のように、蛍光体層１１１を形成後に、又は蛍光体保護層１１２、反射層１１３、及び反射層保護層１１４からなる蛍光体保護部材を形成した後、電気接続部１０６上の第１の保護層１０４からなる保護層を除去するので、蛍光体層１１１の形成工程時及び蛍光体保護部材形成工程時に剥離による帯電に起因する静電気などの影響で素子に悪影響を与えることを防止することができる。
実施例２では被覆樹脂１１５をマスクにしてドライエッチングを行っていたが、本実施例では、蛍光体保護層１１２、反射層１１３及び反射層保護層１１４からなる蛍光体保護部材をマスクにしてドライエッチングを行うので、被覆樹脂１１５の厚さ距離分、実施例２に比べ、さらに画素領域を拡大もしくはパネルサイズを縮小することが可能となる。 Thereafter, the electrical connection portion 106 and the electrical mounting member 162 disposed in the opening 116 are connected to a conductive adhesive 163 made of ACF (anisotropic conductive film) and an electrical connection member 162 made of TAB (Tape Automated Bonding). The radiation detection apparatus shown in FIG. 12 is completed by performing electrical mounting through electrical connection.
As described above, after forming the phosphor layer 111 or after forming a phosphor protective member including the phosphor protective layer 112, the reflective layer 113, and the reflective layer protective layer 114, the first on the electrical connection unit 106 is formed. Since the protective layer made of the protective layer 104 is removed, it is possible to prevent the element from being adversely affected by the influence of static electricity or the like resulting from charging due to peeling during the phosphor layer 111 forming step and the phosphor protective member forming step. it can.
In Example 2, dry etching was performed using the coating resin 115 as a mask. However, in this example, dry etching was performed using a phosphor protective member composed of the phosphor protective layer 112, the reflective layer 113, and the reflective layer protective layer 114 as a mask. Since the etching is performed, the pixel area can be further enlarged or the panel size can be reduced by the thickness distance of the coating resin 115 as compared with the second embodiment.

図１５は、本発明による第４の実施例の製造方法により作製された放射線検出装置を示す断面図である。前述と対応する部分には同じ数字を記載し重複する説明は割愛する。本実施例において、保護層はＳｉＯｘからなる第１の保護層１０４を用い、電気接続部１０６上の保護層を選択的にエッチング除去するためのマスクとしては、ガラス等の基板材料からなる包囲壁１２６が用いられる。図１５に示す通り、包囲壁１２６のエッジと開口部１１６の端面となる第１の保護層１０４の端面がそろっている。図では包囲壁１２６を傾けて示したが、これを直立に設けた場合は、ガラス、石英、アルミニウム、酸化アルミ、ベリリウムなどからなる放射線透過窓１２６をマスクとして用いてもかまわない。 FIG. 15 is a cross-sectional view showing a radiation detection apparatus manufactured by the manufacturing method of the fourth embodiment according to the present invention. The same numbers are given in the parts corresponding to the above, and duplicate explanations are omitted. In this embodiment, the first protective layer 104 made of SiOx is used as the protective layer, and the surrounding wall made of a substrate material such as glass is used as a mask for selectively removing the protective layer on the electrical connection portion 106 by etching. 126 is used. As shown in FIG. 15, the edge of the surrounding wall 126 and the end face of the first protective layer 104 that becomes the end face of the opening 116 are aligned. In the drawing, the surrounding wall 126 is shown tilted. However, when the surrounding wall 126 is provided upright, a radiation transmitting window 126 made of glass, quartz, aluminum, aluminum oxide, beryllium, or the like may be used as a mask.

図１５〜図１７を用いて、本発明による実施例４の製造方法を説明する。   The manufacturing method of Example 4 by this invention is demonstrated using FIGS. 15-17.

実施例２と同様の方法により、センサーパネル上に蛍光体層１１１を形成した。その後、蛍光体層１１１上に、薄膜層１２１、第１の光反射層１２２、第２の光反射層１２３を形成し、蛍光体層１１１、薄膜層１２１、第１の光反射層１２２、第２の光反射層１２３を被覆して水分シール層１２４、放射線透過窓１２５及び包囲壁１２６を形成して、図１６に示されるようにセンサーパネル上に波長変換体を得た。ここで、上記１２１〜１２６の材料及び形成方法は、特開平０５−１９６７４２号公報を参照されたい。   The phosphor layer 111 was formed on the sensor panel by the same method as in Example 2. Thereafter, a thin film layer 121, a first light reflection layer 122, and a second light reflection layer 123 are formed on the phosphor layer 111, and the phosphor layer 111, the thin film layer 121, the first light reflection layer 122, the first light reflection layer 122, Two light reflecting layers 123 were covered to form a moisture sealing layer 124, a radiation transmitting window 125, and a surrounding wall 126, and a wavelength converter was obtained on the sensor panel as shown in FIG. Here, for the materials and forming methods of 121 to 126 described above, refer to Japanese Patent Application Laid-Open No. 05-196742.

次に、図１７に示すように、センサーパネル上への波長変換体の形成を終了した後、ガラス等の基板材料からなる包囲壁１２６をマスクにしてドライエッチングを行い、電気接続部１０６上の第１の保護層１０４からなる保護層を除去して開口部１１６を形成した。   Next, as shown in FIG. 17, after the formation of the wavelength converter on the sensor panel is completed, dry etching is performed using the surrounding wall 126 made of a substrate material such as glass as a mask, and the electrical connection portion 106 is formed. The protective layer made of the first protective layer 104 was removed to form an opening 116.

その後、開口部１１６内に配された電気接続部１０６と電気実装部材１６２をＡＣＦ（異方性導電フィルム）からなる導電性接着材１６３及びＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）からなる電気的接続部材１６２を介して電気的に接続する電気実装を行って、図１５に示される放射線検出装置が完成する。
上記のように、波長変換体を形成した後、電気接続部１０６上の第１の保護層１０４からなる保護層を除去するので、蛍光体層１１１の形成工程時及び蛍光体保護部材形成工程時に剥離による帯電に起因する静電気などの影響で素子に悪影響を与えることを防止することができる。 Thereafter, the electrical connection portion 106 and the electrical mounting member 162 disposed in the opening 116 are connected to a conductive adhesive 163 made of ACF (anisotropic conductive film) and an electrical connection member 162 made of TAB (Tape Automated Bonding). The radiation detection apparatus shown in FIG. 15 is completed by performing electrical mounting through electrical connection.
As described above, after the wavelength converter is formed, the protective layer composed of the first protective layer 104 on the electrical connection portion 106 is removed, so that the phosphor layer 111 is formed and the phosphor protective member is formed. It is possible to prevent the element from being adversely affected by static electricity caused by charging due to peeling.

図１８は、本発明による第５の実施例の製造方法により作製された放射線検出装置を示す断面図である。前述と対応する部分には同じ数字を記載し重複する説明は割愛する。本実施例は特許第2609496号に記載された基本構成に則し、実施したものである。本実施例において、保護層はＳｉＯｘよりなる保護層であり、電気接続部１０６上の保護層を選択的にエッチング除去するためのマスクに用いる物質は黒色陽極酸化アルミなどからなるカバー１３１、接着剤１３３，１３４、及びガラス等の基板材料からなる包囲リング１３２によって構成された蛍光体保護部材である。 FIG. 18 is a cross-sectional view showing a radiation detection apparatus manufactured by the manufacturing method of the fifth embodiment according to the present invention. The same numbers are given in the parts corresponding to the above, and duplicate explanations are omitted. The present embodiment was carried out in accordance with the basic configuration described in Japanese Patent No. 2609496. In this embodiment, the protective layer is a protective layer made of SiOx, and the material used for the mask for selectively removing the protective layer on the electrical connection portion 106 is a cover 131 made of black anodized aluminum or the like, an adhesive 133 and 134, and a phosphor protective member constituted by the surrounding ring 132 made of a substrate material such as glass.

図１８〜図２０を用いて、本発明による実施例５の製造方法を説明する。   The manufacturing method of Example 5 by this invention is demonstrated using FIGS.

実施例２と同様の方法により、センサーパネル上に蛍光体層１１１を形成した。その後、蛍光体層１１１上を覆うように黒色陽極酸化アルミなどからなるカバー１３１、接着剤１３３，１３４、及びガラス等の基板材料からなる包囲リング１３２によって構成された蛍光体保護部材を形成して、図１９に示されるようにセンサーパネル上に波長変換体を得た。ここで、上記１３１〜１３４の材料及び形成方法は、特開平０５−２４２８４１号公報を参照されたい。   The phosphor layer 111 was formed on the sensor panel by the same method as in Example 2. Thereafter, a phosphor protective member constituted by a cover 131 made of black anodized aluminum or the like, an adhesive 133, 134, and an enveloping ring 132 made of a substrate material such as glass is formed so as to cover the phosphor layer 111. As shown in FIG. 19, a wavelength converter was obtained on the sensor panel. Here, for the materials and forming methods of the above 131 to 134, refer to Japanese Patent Laid-Open No. 05-242841.

次に、図２０に示すように、センサーパネル上への波長変換体の形成を終了した後、蛍光体保護部材の側面をマスクにしてドライエッチングを行い、電気接続部１０６上の第１の保護層１０４からなる保護層を除去して開口部１１６を形成した。   Next, as shown in FIG. 20, after the formation of the wavelength converter on the sensor panel is completed, dry etching is performed using the side surface of the phosphor protective member as a mask to provide a first protection on the electrical connection portion 106. The protective layer made of the layer 104 was removed to form an opening 116.

その後、開口部１１６内に配された電気接続部１０６と電気実装部材１６２をＡＣＦ（異方性導電フィルム）からなる導電性接着材１６３及びＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）からなる電気的接続部材１６２を介して電気的に接続する電気実装を行って、図１８に示される放射線検出装置が完成する。
上記のように、波長変換体を形成した後、電気接続部１０６上の第１の保護層１０４からなる保護層を除去するので、蛍光体層１１１の形成工程時及び蛍光体保護部材形成工程時に剥離による帯電に起因する静電気などの影響で素子に悪影響を与えることを防止することができる。 Thereafter, the electrical connection portion 106 and the electrical mounting member 162 disposed in the opening 116 are connected to a conductive adhesive 163 made of ACF (anisotropic conductive film) and an electrical connection member 162 made of TAB (Tape Automated Bonding). The radiation detection apparatus shown in FIG. 18 is completed by performing electrical mounting through electrical connection.
As described above, after the wavelength converter is formed, the protective layer composed of the first protective layer 104 on the electrical connection portion 106 is removed, so that the phosphor layer 111 is formed and the phosphor protective member is formed. It is possible to prevent the element from being adversely affected by static electricity caused by charging due to peeling.

図２１は、本発明による第６の実施例の製造方法により作製された放射線検出装置を示す断面図である。前述と対応する部分には同じ数字を記載し重複する説明は割愛する。本実施例は、蛍光体層として粒子結晶構造を有する例えば酸化硫化ガドリニウム蛍光体とポリビニルブチラールをバインダー樹脂とするＧＯＳ蛍光体を用いた例を示している。これはＰＥＴからなる支持板１４３にＧＯＳ蛍光体１４１が塗布された波長変換体となるシンチレータ１４０を粘着材１４２によってセンサーパネルに貼り合せて構成されている。すなわち、本実施例に係わる放射線検出装置はシンチレータ１４０とセンサーパネルとを別々に形成し、粘着材で貼り合わせて構成されたものである。
本実施例において、保護層はＳｉＮｘよりなる第１の保護層１０４、電気接続部１０６上の保護層を選択的にエッチング除去するためのマスクとしてはシンチレータ１４０が用いられる。ここで本実施例において、粘着材１４２がマスクとして機能しても本発明の主旨を逸脱するものではない。 FIG. 21 is a cross-sectional view showing a radiation detection apparatus manufactured by the manufacturing method according to the sixth embodiment of the present invention. The same numbers are given in the parts corresponding to the above, and duplicate explanations are omitted. This example shows an example using a GOS phosphor having a particle crystal structure as a phosphor layer, for example, a gadolinium oxysulfide phosphor and polyvinyl butyral as a binder resin. This is configured by attaching a scintillator 140, which is a wavelength converter in which a GOS phosphor 141 is applied to a support plate 143 made of PET, to a sensor panel by an adhesive material 142. That is, the radiation detection apparatus according to the present embodiment is configured by separately forming the scintillator 140 and the sensor panel and bonding them together with an adhesive material.
In this embodiment, the first protective layer 104 made of SiNx is used as the protective layer, and a scintillator 140 is used as a mask for selectively etching away the protective layer on the electrical connection portion 106. Here, in this embodiment, even if the adhesive material 142 functions as a mask, it does not depart from the gist of the present invention.

図２１〜図２３を用いて、本発明による実施例６の製造方法を説明する。   The manufacturing method of Example 6 by this invention is demonstrated using FIGS. 21-23.

実施例２と同様の方法により、センサーパネルを得た。   A sensor panel was obtained in the same manner as in Example 2.

次に、ＰＥＴからなる支持板１４３上に酸化硫化ガドリニウム蛍光体粉体とポリビニルブチラールをバインダー樹脂とする蛍光体層１４１を塗布により形成し、シンチレータパネル１４０を形成した。   Next, a phosphor layer 141 using gadolinium oxysulfide phosphor powder and polyvinyl butyral as a binder resin was formed on a support plate 143 made of PET by coating to form a scintillator panel 140.

次に、図２２に示すように、蛍光体層１４１表面にアクリル系樹脂からなる粘着材１４２を配置し、粘着剤１４２を介してシンチレータ１４０をセンサーパネル上に配置し、ローラー２０２を用いて貼り合わせ、センサーパネル上にシンチレータ１４０を形成した。ここで、シンチレータパネルの貼り合わせ工程でシンチレータ１４０をローラーで貼り合せる際に生ずるローラーの電気接続部１０６への接触を保護層により防止することが可能となる。   Next, as shown in FIG. 22, an adhesive material 142 made of an acrylic resin is arranged on the surface of the phosphor layer 141, the scintillator 140 is arranged on the sensor panel via the adhesive 142, and affixed using the roller 202. In addition, a scintillator 140 was formed on the sensor panel. Here, it is possible to prevent the protective layer from contacting the roller with the electrical connection portion 106 that occurs when the scintillator 140 is bonded with a roller in the step of bonding the scintillator panel.

次に、図２３に示すように、センサーパネル上へのシンチレータ１４０の形成を終了した後、シンチレータ１４０の側面をマスクにしてドライエッチングを行い、電気接続部１０６上の第１の保護層１０４からなる保護層を除去して開口部１１６を形成した。   Next, as shown in FIG. 23, after the formation of the scintillator 140 on the sensor panel is completed, dry etching is performed using the side surface of the scintillator 140 as a mask, and the first protective layer 104 on the electrical connection portion 106 is removed. An opening 116 was formed by removing the protective layer.

その後、開口部１１６内に配された電気接続部１０６と電気実装部材１６２をＡＣＦ（異方性導電フィルム）からなる導電性接着材１６３及びＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）からなる電気的接続部材１６２を介して電気的に接続する電気実装を行って、図２１に示される放射線検出装置が完成する。
上記のように、シンチレータ１４０をセンサーパネル上に形成した後、電気接続部１０６上の第１の保護層１０４からなる保護層を除去するので、シンチレータ１４０の貼り合わせ工程時にローラー２０２の接触による帯電に起因する静電気などの影響で素子に悪影響を与えることを防止することができる。 Thereafter, the electrical connection portion 106 and the electrical mounting member 162 disposed in the opening 116 are connected to a conductive adhesive 163 made of ACF (anisotropic conductive film) and an electrical connection member 162 made of TAB (Tape Automated Bonding). Thus, the radiation detection apparatus shown in FIG. 21 is completed.
As described above, after the scintillator 140 is formed on the sensor panel, the protective layer made of the first protective layer 104 on the electrical connecting portion 106 is removed, so that charging by the contact of the roller 202 during the bonding process of the scintillator 140 is performed. It is possible to prevent the element from being adversely affected by static electricity or the like caused by.

図２４は、本発明による第７の実施例の製造方法により作製された放射線検出装置を示す断面図である。前述と対応する部分には同じ数字を記載し重複する説明は割愛する。本実施例は、実施例６の上部にアルミ１４５とＰＥＴ１４６よりなるアルミシート１５０をアクリル系樹脂等からなる粘着材１４４で貼り合せた構造のものである。本実施例で、ボンディングパッド部の保護物質はＳｉＮｘよりなる第１の保護層１０４、ボンディングパッド部上の第１の保護層１０４を選択的にエッチング除去するためのマスクに用いる物質はＰＥＴ１４６である。この場合も、水平方向にはみ出すアルミ１４５、粘着材１４４がマスクとして機能しても本発明の主旨を逸脱するものではない。   FIG. 24 is a cross-sectional view showing a radiation detection apparatus manufactured by the manufacturing method according to the seventh embodiment of the present invention. The same numbers are given in the parts corresponding to the above, and duplicate explanations are omitted. In this example, an aluminum sheet 150 made of aluminum 145 and PET 146 is bonded to the upper part of Example 6 with an adhesive material 144 made of acrylic resin or the like. In this embodiment, the protective material for the bonding pad portion is the first protective layer 104 made of SiNx, and the material used for the mask for selectively etching away the first protective layer 104 on the bonding pad portion is PET146. . Also in this case, even if the aluminum 145 and the adhesive material 144 protruding in the horizontal direction function as a mask, it does not depart from the gist of the present invention.

図２４〜図２６を用いて、本発明による実施例７の製造方法を説明する。   The manufacturing method of Example 7 by this invention is demonstrated using FIGS. 24-26.

実施例２と同様の方法により、センサーパネルを得た。   A sensor panel was obtained in the same manner as in Example 2.

次に、ＰＥＴからなる支持板１４３上に酸化硫化ガドリニウム蛍光体粉体とポリビニルブチラールをバインダー樹脂とする蛍光体層１４１を塗布により形成し、シンチレータパネル１４０を形成した。   Next, a phosphor layer 141 using gadolinium oxysulfide phosphor powder and polyvinyl butyral as a binder resin was formed on a support plate 143 made of PET by coating to form a scintillator panel 140.

次に、図２５に示すように、蛍光体層１４１表面にアクリル系樹脂からなる粘着材１４２を配置し、粘着剤１４２を介してシンチレータ１４０をセンサーパネル上に配置し、ローラー２０２を用いて貼り合わせ、センサーパネル上にシンチレータ１４０を形成した。さらにアルミ１４５とＰＥＴ１４６よりなるアルミシート１５０をアクリル系樹脂等からなる粘着材１４４で貼り合せた。ここで、シンチレータパネルの貼り合わせ工程でシンチレータ１４０をローラーで貼り合せる際に生ずるローラーの電気接続部１０６への接触を保護層により防止することが可能となる。   Next, as shown in FIG. 25, an adhesive material 142 made of an acrylic resin is disposed on the surface of the phosphor layer 141, the scintillator 140 is disposed on the sensor panel via the adhesive 142, and is adhered using a roller 202. In addition, a scintillator 140 was formed on the sensor panel. Further, an aluminum sheet 150 made of aluminum 145 and PET 146 was bonded with an adhesive material 144 made of acrylic resin or the like. Here, it is possible to prevent the protective layer from contacting the roller with the electrical connection portion 106 that occurs when the scintillator 140 is bonded with a roller in the step of bonding the scintillator panel.

次に、図２６に示すように、センサーパネル上へのシンチレータ１４０の形成を終了した後、シンチレータ１４０の側面をマスクにしてドライエッチングを行い、電気接続部１０６上の第１の保護層１０４からなる保護層を除去して開口部１１６を形成した。   Next, as shown in FIG. 26, after the formation of the scintillator 140 on the sensor panel is finished, dry etching is performed using the side surface of the scintillator 140 as a mask, and the first protective layer 104 on the electrical connection portion 106 is removed. An opening 116 was formed by removing the protective layer.

その後、開口部１１６内に配された電気接続部１０６と電気実装部材１６２をＡＣＦ（異方性導電フィルム）からなる導電性接着材１６３及びＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）からなる電気的接続部材１６２を介して電気的に接続する電気実装を行って、図２４に示される放射線検出装置が完成する。
上記のように、シンチレータ１４０をセンサーパネル上に形成した後、電気接続部１０６上の第１の保護層１０４からなる保護層を除去するので、シンチレータ１４０の貼り合わせ工程時にローラー２０２の接触による帯電に起因する静電気などの影響で素子に悪影響を与えることを防止することができる。 Thereafter, the electrical connection portion 106 and the electrical mounting member 162 disposed in the opening 116 are connected to a conductive adhesive 163 made of ACF (anisotropic conductive film) and an electrical connection member 162 made of TAB (Tape Automated Bonding). The radiation detection apparatus shown in FIG. 24 is completed by performing electrical mounting through electrical connection.
As described above, after the scintillator 140 is formed on the sensor panel, the protective layer made of the first protective layer 104 on the electrical connecting portion 106 is removed, so that charging by the contact of the roller 202 during the bonding process of the scintillator 140 is performed. It is possible to prevent the element from being adversely affected by static electricity or the like caused by.

図２９は、本発明による第８の実施例の製造方法により作製された放射線検出装置を示す断面図である。前述と対応する部分には同じ数字を記載し重複する説明は割愛する。本実施例は柱状結晶構造を有する蛍光体層２４１、ホットメルト樹脂を用いた蛍光体保護層２４２、反射層２４４、及び反射層保護層（蛍光体下地層）２４３、支持基板２４５からなる蛍光体保護部材をマスクとした構造のものである。
図２９に示すように、シンチレータ２４０は、支持基板２４５上に、反射層２４４、反射層保護層（蛍光体下地層）２４３、蛍光体層２４１、蛍光体保護層２４２を形成して作製される。
支持基板２４５としては、アモルファスカーボン基板やＡｌ基板、ガラス基板、石英基板など種々の放射線透過性の基板を用いることが好ましい。本実施例では、蛍光体層として柱状結晶構造を有する蛍光体層が用いられ、反射層保護層としてホットメルト樹脂を用いた。反射層、反射層保護層はＡｌ、ポリイミド膜を用いた。
支持基板２４５に導電性材料を用いた場合には、支持基板２４５と反射層２４４との間での電気化学的腐食を防止するために、支持基板２４５と反射層２４４の間に絶縁層を形成することが好ましい。
図３０を用いて、本発明による実施例８の製造方法を説明する。 FIG. 29 is a cross-sectional view showing a radiation detection apparatus manufactured by the manufacturing method according to the eighth embodiment of the present invention. The same numbers are given in the parts corresponding to the above, and duplicate explanations are omitted. In this embodiment, a phosphor layer 241 having a columnar crystal structure, a phosphor protective layer 242 using a hot melt resin, a reflective layer 244, a reflective layer protective layer (phosphor base layer) 243, and a phosphor comprising a support substrate 245 It has a structure using a protective member as a mask.
As shown in FIG. 29, the scintillator 240 is manufactured by forming a reflective layer 244, a reflective layer protective layer (phosphor base layer) 243, a phosphor layer 241, and a phosphor protective layer 242 on a support substrate 245. .
As the support substrate 245, it is preferable to use various radiation transmissive substrates such as an amorphous carbon substrate, an Al substrate, a glass substrate, and a quartz substrate. In this example, a phosphor layer having a columnar crystal structure was used as the phosphor layer, and hot melt resin was used as the reflective layer protective layer. Al and a polyimide film were used for the reflective layer and the reflective layer protective layer.
In the case where a conductive material is used for the support substrate 245, an insulating layer is formed between the support substrate 245 and the reflective layer 244 in order to prevent electrochemical corrosion between the support substrate 245 and the reflective layer 244. It is preferable to do.
The manufacturing method of Example 8 by this invention is demonstrated using FIG.

実施例２と同様の方法により、センサーパネルを得た。   A sensor panel was obtained in the same manner as in Example 2.

次に、アモルファスカーボンの支持基板２４５上にＡｌの反射層２４４、ポリイミドの反射層保護層２４３、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）にタリウム（Ｔｌ）が添加された、柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌの蛍光体層、エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂（Ｚ−２（倉敷紡績製））の蛍光体保護層を順次形成した。   Next, CsI: Tl fluorescence having a columnar crystal structure in which an Al reflective layer 244, a polyimide reflective layer protective layer 243, and thallium (Tl) are added to cesium iodide (CsI) on an amorphous carbon support substrate 245. A body layer and a phosphor protective layer of a hot melt resin (Z-2 (manufactured by Kurashiki Boseki)) mainly composed of an ethylene-acrylic acid ester copolymer were sequentially formed.

次に、かかるシンチレータ２４０とセンサーパネルをホットメルト樹脂からなる蛍光体保護層の接着性を利用してローラーを用いて貼り合わせ、センサーパネル上にシンチレータ２４０を形成した。ここで、シンチレータパネルの貼り合わせ工程でシンチレータをローラーで貼り合せる際に生ずるローラーの電気接続部への接触を保護層により防止することが可能となる。   Next, the scintillator 240 and the sensor panel were bonded together using a roller using the adhesiveness of the phosphor protective layer made of hot melt resin, thereby forming the scintillator 240 on the sensor panel. Here, it is possible to prevent the protective layer from contacting the roller with the electrical connection portion that occurs when the scintillator is bonded with the roller in the step of bonding the scintillator panel.

次に、図３０に示すように、センサーパネル上へのシンチレータ２４０の形成を終了した後、シンチレータ２４０の側面をマスクにしてドライエッチングを行い、電気接続部上の第１の保護層１０４からなる保護層を除去して開口部１１６を形成した。   Next, as shown in FIG. 30, after the formation of the scintillator 240 on the sensor panel is completed, dry etching is performed using the side surface of the scintillator 240 as a mask to form the first protective layer 104 on the electrical connection portion. An opening 116 was formed by removing the protective layer.

その後、開口部１１６内に配された電気接続部１０６と電気実装部材１６２をＡＣＦ（異方性導電フィルム）からなる導電性接着材１６３及びＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）からなる電気的接続部材１６２を介して電気的に接続する電気実装を行って、図２９に示される放射線検出装置が完成した。   Thereafter, the electrical connection portion 106 and the electrical mounting member 162 disposed in the opening 116 are connected to a conductive adhesive 163 made of ACF (anisotropic conductive film) and an electrical connection member 162 made of TAB (Tape Automated Bonding). The radiation detection apparatus shown in FIG. 29 was completed by performing electrical mounting through electrical connection.

次に本発明に係わる放射線検出装置を用いた放射線検出システムについて図３１を用いて説明する。
図３１に示すように、Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は、患者或いは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、放射線検出装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して放射線検出装置６０４０の蛍光体は発光し、これを光電変換して電気的情報を得る。この情報は、ディジタルに変換されイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室のディスプレイ６０８０で観察できる。 Next, a radiation detection system using the radiation detection apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 31, the X-ray 6060 generated by the X-ray tube 6050 passes through the chest 6062 of the patient or subject 6061 and enters the radiation detection device 6040. This incident X-ray includes information inside the body of the patient 6061. Corresponding to the incidence of X-rays, the phosphor of the radiation detection apparatus 6040 emits light and photoelectrically converts it to obtain electrical information. This information is converted to digital, image processed by an image processor 6070, and can be observed on a display 6080 in the control room.

また、この情報は電話回線６０９０等の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールーム等ディスプレイ６０８１に表示又は光ディスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６１００によりフィルム６１１０に記録することもできる。   Further, this information can be transferred to a remote place by a transmission means such as a telephone line 6090, and can be displayed on a display 6081 such as a doctor room in another place or stored in a storage means such as an optical disk, and diagnosed by a remote doctor. It is also possible. It can also be recorded on the film 6110 by the film processor 6100.

本発明は、医療用Ｘ線診断装置、非破壊検査装置等に用いられる放射線検出装置に適用される。 The present invention is applied to a radiation detection apparatus used for medical X-ray diagnostic apparatuses, nondestructive inspection apparatuses, and the like.

本発明による第１の実施例の製造方法により作製された放射線検出装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the radiation detection apparatus produced with the manufacturing method of the 1st Example by this invention. 実施例１の工程を表した断面図である。3 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 1. FIG. 実施例１の工程を表した断面図である。3 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 1. FIG. 実施例１の工程を表した断面図である。3 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 1. FIG. 実施例１の工程を表した断面図である。3 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 1. FIG. 実施例１の工程を表した断面図である。3 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 1. FIG. 実施例１の工程を表した断面図である。3 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 1. FIG. 実施例１の工程を表した断面図である。3 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 1. FIG. 本発明による第２の実施例の製造方法により作製された放射線検出装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the radiation detection apparatus produced with the manufacturing method of the 2nd Example by this invention. 実施例２の工程を表した断面図である。10 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 2. FIG. 実施例２の工程を表した断面図である。10 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 2. FIG. 本発明による第３の実施例の製造方法により作製された放射線検出装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the radiation detection apparatus produced with the manufacturing method of the 3rd Example by this invention. 実施例３の工程を表した断面図である。10 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 3. FIG. 実施例３の工程を表した断面図である。10 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 3. FIG. 本発明による第４の実施例の製造方法により作製された放射線検出装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the radiation detection apparatus produced with the manufacturing method of the 4th Example by this invention. 実施例４の工程を表した断面図である。10 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 4. FIG. 実施例４の工程を表した断面図である。10 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 4. FIG. 本発明による第５の実施例の製造方法により作製された放射線検出装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the radiation detection apparatus produced with the manufacturing method of the 5th Example by this invention. 実施例５の工程を表した断面図である。10 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 5. FIG. 実施例５の工程を表した断面図である。10 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 5. FIG. 本発明による第６の実施例の製造方法により作製された放射線検出装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the radiation detection apparatus produced with the manufacturing method of the 6th Example by this invention. 実施例６の工程を表した断面図である。10 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 6. FIG. 実施例６の工程を表した断面図である。10 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 6. FIG. 本発明による第７の実施例の製造方法により作製された放射線検出装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the radiation detection apparatus produced with the manufacturing method of the 7th Example by this invention. 実施例７の工程を表した断面図である。10 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 7. FIG. 実施例７の工程を表した断面図である。10 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 7. FIG. 従来の放射線検出装置の断面図である。It is sectional drawing of the conventional radiation detection apparatus. 従来の放射線検出装置の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the conventional radiation detection apparatus. 実施例８の工程を表した断面図である。10 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 8. FIG. 実施例８の工程を表した断面図である。10 is a cross-sectional view illustrating a process of Example 8. FIG. 本発明に係わる放射線検出装置を用いた放射線検出システムを示す図である。It is a figure which shows the radiation detection system using the radiation detection apparatus concerning this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１０１ 基板
１０２ 光電変換素子
１０３ 配線
１０４ 第１の保護層（センサー保護層）
１０５ 第２の保護層（パッシベーション膜）
１０６ 電気接続部（ボンディングパッド部）
１１１ 蛍光体層
１１２ 蛍光体保護層
１１３ 反射層
１１４ 反射層保護層
１１５ 被覆樹脂
１２１ 薄膜層
１２２ 第１の光反射層
１２３ 第２の光反射層
１２４ 水分シール層
１２５ 放射線透過窓
１２６ 包囲壁
１３１ カバー
１３２ 包囲リング
１３３ 接着剤
１３４ 接着剤
１４０ シンチレータ
１４１ 蛍光体層
１４２ 粘着剤
１４３ 保護ＰＥＴ
１４４ 粘着剤
１４５ アルミ
１４６ 保護ＰＥＴ
１５０ 保護シート
１６１ 電気的接続部
１６２ 電気実装部材
１６３ 導電性接着材
２０１ マスク治具
２０２ 貼り合わせローラー
２０３ プローブ 101 Substrate 102 Photoelectric conversion element 103 Wiring 104 First protective layer (sensor protective layer)
105 Second protective layer (passivation film)
106 Electrical connection (bonding pad)
111 phosphor layer 112 phosphor protective layer 113 reflective layer 114 reflective layer protective layer 115 coating resin 121 thin film layer 122 first light reflective layer 123 second light reflective layer 124 moisture sealing layer 125 radiation transmitting window 126 surrounding wall 131 cover 132 Surrounding ring 133 Adhesive 134 Adhesive 140 Scintillator 141 Phosphor layer 142 Adhesive 143 Protective PET
144 Adhesive 145 Aluminum 146 Protective PET
150 Protective Sheet 161 Electrical Connection 162 Electrical Mounting Member 163 Conductive Adhesive 201 Mask Jig 202 Bonding Roller 203 Probe

Claims (16)

複数の光電変換素子と、該複数の光電変換素子を外部と電気的に接続するための電気接続部とを備えたセンサーパネルと、
前記センサーパネル上に配された、放射線を前記複数の光電変換素子に感知可能な光に変換する蛍光体層を有する波長変換体と、を有する放射線検出装置の製造方法において、
少なくとも前記電気接続部上に保護層を形成した後に、前記センサーパネル上に前記波長変換体を配する第１工程と、
前記波長変換体を配した後に、前記電気接続部上の保護層を除去する第２工程と、を有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 A sensor panel comprising a plurality of photoelectric conversion elements and an electrical connection portion for electrically connecting the plurality of photoelectric conversion elements to the outside;
In the method of manufacturing a radiation detection apparatus, the wavelength converter having a phosphor layer that is disposed on the sensor panel and converts the radiation into light that can be sensed by the plurality of photoelectric conversion elements.
A first step of arranging the wavelength converter on the sensor panel after forming a protective layer on at least the electrical connection part;
And a second step of removing a protective layer on the electrical connection portion after the wavelength converter is disposed. 請求項１記載の放射線検出装置の製造方法において、前記第１工程で、前記保護層は、少なくとも前記複数の光電変換素子と前記電気接続部との上に形成されることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 2. The radiation detection apparatus according to claim 1, wherein in the first step, the protective layer is formed on at least the plurality of photoelectric conversion elements and the electrical connection portion. Device manufacturing method. 請求項２記載の放射線検出装置の製造方法において、前記第２工程での電気接続部上の保護層の除去は、前記保護層をエッチングして開口部を形成することにより行われることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 3. The method of manufacturing a radiation detection apparatus according to claim 2, wherein the removal of the protective layer on the electrical connection portion in the second step is performed by etching the protective layer to form an opening. A method for manufacturing a radiation detection apparatus. 請求項３記載の放射線検出装置の製造方法において、前記第２工程は、前記波長変換体を配した後に、前記保護層上に配された層をマスクとして前記電気接続部上の前記保護層をエッチングして開口部を形成する工程であることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 4. The method of manufacturing a radiation detection apparatus according to claim 3, wherein in the second step, after the wavelength converter is disposed, the protective layer on the electrical connection portion is formed using the layer disposed on the protective layer as a mask. A method of manufacturing a radiation detection apparatus, comprising etching to form an opening. 請求項２から４のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法において、前記第２工程の後に、前記開口部に電気実装を行う第３工程を有する放射線検出装置の製造方法。 The manufacturing method of the radiation detection apparatus of any one of Claim 2 to 4 WHEREIN: The manufacturing method of the radiation detection apparatus which has a 3rd process of electrically mounting to the said opening part after the said 2nd process. 請求項４記載の放射線検出装置の製造方法において、マスクとなる前記層は前記保護層を被覆して配されることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 5. The method of manufacturing a radiation detection apparatus according to claim 4, wherein the layer serving as a mask is disposed so as to cover the protective layer. 請求項４記載の放射線検出装置の製造方法において、マスクとなる前記層は、前記波長変換体の端部を被覆して前記保護層上に配されることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 5. The method of manufacturing a radiation detecting apparatus according to claim 4, wherein the layer serving as a mask covers the end of the wavelength converter and is disposed on the protective layer. . 請求項４記載の放射線検出装置の製造方法において、前記層は、前記波長変換体の蛍光体層を被覆して前記保護層上に配されることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 5. The method of manufacturing a radiation detection apparatus according to claim 4, wherein the layer is disposed on the protective layer so as to cover the phosphor layer of the wavelength converter. 請求項４記載の放射線検出装置の製造方法において、前記層は、前記波長変換体の前記蛍光体層が形成された周囲の前記保護層上に配されることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 5. The method of manufacturing a radiation detection apparatus according to claim 4, wherein the layer is disposed on the protective layer around the phosphor layer of the wavelength converter. Method. 請求項４記載の放射線検出装置の製造方法において、前記層は、前記波長変換体を配するための粘着材であることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 5. The method of manufacturing a radiation detection apparatus according to claim 4, wherein the layer is an adhesive material for arranging the wavelength converter. 請求項４記載の放射線検出装置の製造方法において、前記層は、前記波長変換体に設けられた反射層を被覆して配されることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 5. The method of manufacturing a radiation detection apparatus according to claim 4, wherein the layer is disposed so as to cover a reflective layer provided on the wavelength converter. 請求項１から１１のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法において、前記保護層は無機材料からなることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 The manufacturing method of the radiation detection apparatus of any one of Claim 1 to 11 WHEREIN: The said protective layer consists of inorganic materials. 請求項４記載の放射線検出装置の製造方法において、前記層は、有機材料からなることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 5. The method of manufacturing a radiation detection apparatus according to claim 4, wherein the layer is made of an organic material. 請求項１から１３のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法において、前記波長変換体の蛍光体層は前記センサーパネル上に積層されることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 14. The method of manufacturing a radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the phosphor layer of the wavelength converter is laminated on the sensor panel. 請求項項１から１３のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法において、前記波長変換体は、支持基板と、該支持基板上に設けられ、前記蛍光体層で変換された光を反射する反射層と、該反射層上に設けられた蛍光体下地層と、該蛍光体下地層上に設けられた蛍光体層と、蛍光体保護層とからなり、
前記放射線検出装置は前記波長変換体と前記センサーパネルとを貼り合わせて構成されることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 14. The method of manufacturing a radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the wavelength converter is provided on a support substrate, and the light converted by the phosphor layer is provided on the support substrate. A reflecting layer, a phosphor base layer provided on the reflective layer, a phosphor layer provided on the phosphor base layer, and a phosphor protective layer;
The method of manufacturing a radiation detection apparatus, wherein the radiation detection apparatus is configured by bonding the wavelength converter and the sensor panel. 請求項１から１５のいずれか１項に記載の製造方法により作製された放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
前記放射線を発生させるための放射線源とを具備することを特徴とする放射線検出システム。 A radiation detection apparatus produced by the production method according to any one of claims 1 to 15,
Signal processing means for processing signals from the radiation detection device;
Recording means for recording a signal from the signal processing means;
Display means for displaying a signal from the signal processing means;
Transmission processing means for transmitting a signal from the signal processing means;
A radiation detection system comprising: a radiation source for generating the radiation.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007192807A (en) * 2005-12-22 2007-08-02 Toshiba Corp X-ray detector and method for manufacturing the same
JP2009031098A (en) * 2007-07-26 2009-02-12 Toshiba Electron Tubes & Devices Co Ltd Radiation detector and method for manufacturing the same
JP2014016319A (en) * 2012-07-11 2014-01-30 Toshiba Corp Radiation discrimination detector and method of manufacturing the same
WO2015072260A1 (en) * 2013-11-15 2015-05-21 浜松ホトニクス株式会社 Radiation detector, and method for producing radiation detector
KR101540015B1 (en) * 2008-01-18 2015-07-28 꼼미사리아 아 레네르지 아또미끄 에 오 에네르지 알떼르나띠브스 Method for making an electronic display device covered by a protection plate

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007192807A (en) * 2005-12-22 2007-08-02 Toshiba Corp X-ray detector and method for manufacturing the same
JP2009031098A (en) * 2007-07-26 2009-02-12 Toshiba Electron Tubes & Devices Co Ltd Radiation detector and method for manufacturing the same
KR101540015B1 (en) * 2008-01-18 2015-07-28 꼼미사리아 아 레네르지 아또미끄 에 오 에네르지 알떼르나띠브스 Method for making an electronic display device covered by a protection plate
JP2014016319A (en) * 2012-07-11 2014-01-30 Toshiba Corp Radiation discrimination detector and method of manufacturing the same
WO2015072260A1 (en) * 2013-11-15 2015-05-21 浜松ホトニクス株式会社 Radiation detector, and method for producing radiation detector
US10061035B2 (en) 2013-11-15 2018-08-28 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation detector, and method for producing radiation detector
US10514470B2 (en) 2013-11-15 2019-12-24 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation detector, and method for producing radiation detector
US10571581B2 (en) 2013-11-15 2020-02-25 Hamamastsu Photonics K.K. Radiation detector, and method for producing radiation detector
US11506799B2 (en) 2013-11-15 2022-11-22 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation detector, and method for producing radiation detector

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