JP2006047757A - ブラックマトリクス基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明は、細線化されたブラックマトリクスを有するブラックマトリクス基板、およびそのブラックマトリクス基板の製造方法を提供することを主目的としている。
【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明は、基材上に、ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを塗布するレジスト塗布工程と、
前記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに、フォトマスクを用いて、パターン状にエネルギーを照射し、第1露光部を形成する第1露光工程と、
前記フォトマスクの遮光部の各辺の垂直方向について、前記各辺の遮光部幅未満の距離だけ、前記フォトマスクを移動させて配置し、前記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに、エネルギーを照射し、第2露光部を形成する第2露光工程と、
前記第1露光部および前記第2露光部の前記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを除去する現像工程と、
未露光の前記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを焼成する焼成工程と
を有することを特徴とするブラックマトリクス基板の製造方法を提供する。
【選択図】 図1
【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明は、基材上に、ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを塗布するレジスト塗布工程と、
前記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに、フォトマスクを用いて、パターン状にエネルギーを照射し、第1露光部を形成する第1露光工程と、
前記フォトマスクの遮光部の各辺の垂直方向について、前記各辺の遮光部幅未満の距離だけ、前記フォトマスクを移動させて配置し、前記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに、エネルギーを照射し、第2露光部を形成する第2露光工程と、
前記第1露光部および前記第2露光部の前記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを除去する現像工程と、
未露光の前記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを焼成する焼成工程と
を有することを特徴とするブラックマトリクス基板の製造方法を提供する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、カラーフィルタ等に用いられる、ブラックマトリクスを有するブラックマトリクス基板、およびその製造方法に関するものである。
近年、パーソナルコンピューターの発達、特に携帯用パーソナルコンピューターの発達に伴い、液晶ディスプレイ、とりわけカラー液晶ディスプレイの需要が増加する傾向にある。このような液晶ディスプレイ等に用いられるカラーフィルタとしては、通常、ブラックマトリクスが形成され、そのブラックマトリクスの開口部に着色層が形成されることとなる。
このようなブラックマトリクスとしては、従来よりクロム等の金属を真空蒸着させた金属薄膜をエッチング加工したものが用いられているが、近年、黒色の顔料等を分散させた樹脂を塗布し、フォトリソグラフィー法等によってパターニングすることにより形成される樹脂製ブラックマトリクスの開発が進められ、実用化されている。このような樹脂製のブラックマトリクスにおいては、金属薄膜からなるブラックマトリクスと比較して、真空蒸着等のプロセスが不要であり、大面積のカラーフィルタにも適用可能である、という利点を有する。
ここで、近年、液晶ディスプレイ等の高画質化が求められていることから、カラーフィルタの高精細化が望まれており、上述したようなブラックマトリクスにおいて、線幅が太い場合には、カラーフィルタの高精細化を図ることができず、またカラーフィルタの光透過率が低くなるため、液晶表示装置の輝度が低くなる。そこで、より細線化したブラックマトリクスを有するカラーフィルタ等の提供が望まれており、例えば特許文献1や特許文献2に示されるように、樹脂製ブラックマトリクスの材料面の改良等も進められている。しかしながら、材料面のみで、上記細線化を行うことは難しく、さらなる改良や、製造面から上記ブラックマトリクスを細線化する方法の提供が望まれていた。
またさらに、一般的な感光性樹脂からなるブラックマトリクスの形成は、ネガ型のフォトレジストを用いて行われているが、ネガ型のフォトレジストを用いてブラックマトリクスを形成した場合、フォトマスクを通過した光が回折してしまうこと等から、本来未露光部とすべき部位が感光されてしまい、フォトマスクの開口面積を小さくすることによって細線化を行うことが難しかった。また、フォトマスクの開口面積を小さくした場合、光硬化が十分に進まない、という問題もあった。
そこで、細線化されたブラックマトリクスを有するブラックマトリクス基板、およびそのブラックマトリクス基板の製造方法の提供が望まれている。
本発明は、基材上に、ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを塗布するレジスト塗布工程と、上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに、フォトマスクを用いて、パターン状にエネルギーを照射し、第1露光部を形成する第1露光工程と、上記フォトマスクの遮光部の各辺の垂直方向について、上記各辺の遮光部幅未満の距離だけ、上記フォトマスクを移動させて配置し、上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに、エネルギーを照射し、第2露光部を形成する第2露光工程と、上記第1露光部および上記第2露光部の上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを除去する現像工程と、未露光の上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを焼成する焼成工程とを有することを特徴とするブラックマトリクス基板の製造方法を提供する。
本発明によれば、上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを用いてブラックマトリクスを形成することから、露光の際の光の回折によってブラックマトリクスの線幅が太くなることを防止することができ、細線化されたブラックマトリクスを有するブラックマトリクス基板とすることができる。また、上記第1露光工程および第2露光工程を行うことによってブラックマトリクスを形成することから、一つのフォトマスクを用いて、様々な線幅や様々な形状のブラックマトリクスを形成することができ、またさらに膜厚やOD値が均一な、線幅の細いブラックマトリクスを形成することができる。
また、本発明は、基材と、上記基材上に形成されたブラックマトリクスとを有するブラックマトリクス基板であって、上記ブラックマトリクスの開口部の形状が、矩形の4つの角のうち、対角の2つの角に矩形状凹部を有するような形状であり、同一の形状の開口部が複数形成されていることを特徴とするブラックマトリクス基板を提供する。
本発明によれば、矩形状凹部を有するような形状に、ブラックマトリクスの開口部が形成されていることから、このブラックマトリクス基板をカラーフィルタに用いた際、片方の矩形状凹部を、一般的なカラーフィルタに形成されるTFT隠しとして用い、もう一方の矩形状凹部を、柱状スペーサを形成する領域として用いることができる。これにより、上記矩形状凹部に柱状スペーサを形成して液晶表示装置とした際、液晶駆動側基板側に形成されたTFTによる段差によって柱状スペーサの高さ等が不安定となることがなく、カラーフィルタと対向基板とのギャップを、安定して均一に保つものとすることができるのである。
本発明によれば、ブラックマトリクスの形状や線幅を、容易に調整することができ、細線化されたブラックマトリクスを有するブラックマトリクス基板を製造することができる。
本発明は、カラーフィルタ等に用いられる、ブラックマトリクスを有するブラックマトリクス基板、およびその製造方法に関するものである。以下、それぞれについてわけて説明する。
A.ブラックマトリクス基板の製造方法
まず、本発明のブラックマトリクス基板の製造方法について説明する。本発明のブラックマトリクス基板の製造方法は、基材上に、ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを塗布するレジスト塗布工程と、上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに、フォトマスクを用いて、パターン状にエネルギーを照射し、第1露光部を形成する第1露光工程と、上記フォトマスクの遮光部の各辺の垂直方向について、上記各辺の遮光部幅未満の距離だけ、上記フォトマスクを移動させて配置し、上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに、エネルギーを照射し、第2露光部を形成する第2露光工程と、上記第1露光部および上記第2露光部の上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを除去する現像工程と、未露光の上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを焼成する焼成工程とを有することを特徴とするものである。
まず、本発明のブラックマトリクス基板の製造方法について説明する。本発明のブラックマトリクス基板の製造方法は、基材上に、ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを塗布するレジスト塗布工程と、上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに、フォトマスクを用いて、パターン状にエネルギーを照射し、第1露光部を形成する第1露光工程と、上記フォトマスクの遮光部の各辺の垂直方向について、上記各辺の遮光部幅未満の距離だけ、上記フォトマスクを移動させて配置し、上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに、エネルギーを照射し、第2露光部を形成する第2露光工程と、上記第1露光部および上記第2露光部の上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを除去する現像工程と、未露光の上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを焼成する焼成工程とを有することを特徴とするものである。
本発明のカラーフィルタの製造方法は、例えば図1に示すように、基材1上にブラックマトリクス形成用ポジ型レジスト2を塗布するレジスト塗布工程(図1(a))と、そのブラックマトリクス形成用レジスト2に、フォトマスク3を用いてエネルギー4を照射し、第1露光部5を形成する第1露光工程(図1(b)および(c))と、そのフォトマスク3をずらして配置してエネルギー4を照射し、第2露光部6を形成する第2露光部形成工程(図1(c)および(d))と、第1露光部5および第2露光部6を除去し、ブラックマトリクス7を形成する現像工程と、未露光の上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジスト2を焼成する焼成工程と(図1(e))を有するものである。
本発明においては、同一のフォトマスクを用いて、第1露光工程および第2露光工程を行うことによって、様々なパターン状の開口部を有するフォトマスクを使用することなく、種々の形状や線幅のブラックマトリクスを形成することが可能となる。ここで、細線遮光部を有するフォトマスクを用いて、一回の露光によりブラックマトリクスを形成した場合、例えば図7に示すように、光の回折および増幅により、本来露光されない領域である部分のブラックマトリクス形成用ポジ型レジスト2にもエネルギー4が照射されてしまい、ブラックマトリクス7の膜厚を均一にすることや、目的とするOD値を有するブラックマトリクス7を形成することができないため、実際に利用可能な細線可能なブラックマトリクス7の形成が困難であった。
一方、本発明によれば、目的とするブラックマトリクスの線幅より太い幅の遮光部を有するフォトマスクを用い、例えば図1(b)および(c)に示すように、2回のエネルギー照射により露光が行われることから、光の回折の影響を小さいものとすることができ、均一にエネルギー4を照射することができる。したがって、ブラックマトリクスの膜厚やOD値が均一な、細線化されたブラックマトリクスを形成することができる。
以下、本発明のブラックマトリクス基板の製造方法について、各工程ごとに詳しく説明する。
以下、本発明のブラックマトリクス基板の製造方法について、各工程ごとに詳しく説明する。
1.レジスト塗布工程
まず、本発明のブラックマトリクス基板の製造方法におけるレジスト塗布工程について説明する。本発明におけるレジスト塗布工程は、基材上に、ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを塗布する工程であれば、その塗布方法等は特に限定されるものではない。例えば、後述するようなブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを、溶剤に溶解させて、一般的なブラックマトリクス形成用材料の塗布に用いられるスピンコート、スプレーコート、ディップコート、ロールコート、ビードコート、バーコート等の公知の塗布方法により塗布することにより行うことができる。
まず、本発明のブラックマトリクス基板の製造方法におけるレジスト塗布工程について説明する。本発明におけるレジスト塗布工程は、基材上に、ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを塗布する工程であれば、その塗布方法等は特に限定されるものではない。例えば、後述するようなブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを、溶剤に溶解させて、一般的なブラックマトリクス形成用材料の塗布に用いられるスピンコート、スプレーコート、ディップコート、ロールコート、ビードコート、バーコート等の公知の塗布方法により塗布することにより行うことができる。
また、使用される溶剤としては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3−メトキシブチルアセテート、エチル3−エトキシプロピオネート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ジメチルカルビトール、ジエチルカルビトール、ブチルカルビトール、シクロヘキサノン、2−ブトキシエタノール、3−メチルー3−メトキシブタノール等が挙げられる。なお、上記方法によりブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを塗布した後、必要に応じて50℃〜120℃で、2分〜10分加熱を行うことが好ましい。これにより、上記ブラックマトリクス形成用材料中に含有される溶剤を揮発させて層を形成することができ、基材と塗膜との密着性をより高いものとすることができるからである。
ここで、本工程によりブラックマトリクス形成用材料を塗布し、上記溶剤を揮発させて乾燥させた後のブラックマトリクス形成用材料の膜厚としては、製造されるブラックマトリクス基板の用途等にもよるが、通常0.1μm〜3.0μm程度、中でも1.0μm〜1.6μm程度とされる。
また、本発明に用いられるブラックマトリクス形成用ポジ型レジストとしては、エネルギーが照射されると、分解等により耐現像液溶解性が低くなるものであり、通常ポジ型感光性樹脂、遮光性を有する着色剤または染料等を含有するものとすることができる。
このようなブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに用いられる感光性樹脂としては、例えばナフトキノンジアジド、ベンゾキノンジアジドなどのキノンジアジド類や、ジアゾメチルドラム酸、ジアゾジメドン、3−ジアゾ−2,4−ジオンなどのジアゾ化合物や、o−ニトロベンジルエステル、オニウム塩、オニウム塩とポリフタルアルデヒド、コリン酸t−ブチルの混合物の様な光分解剤(溶解抑制剤)と、OH基を持ちアルカリに可溶なハイドロキノン、フロログルシン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンなどのモノマーや、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂などのノボラック樹脂、スチレンとマレイン酸、マレイミドの共重合物、フェノール系とメタクリル酸、スチレン、アクリロニトリルの共重合物などのポリマーの混合物や縮合物、あるいはポリメチルメタクリレート、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸ヘキサフルオロブチル、ポリメタクリル酸ジメチルテトラフルオロプロピル、ポリメタクリル酸トリクロロエチル、メタクリル酸メチル−アクリルニトリル共重合体、ポリメチルイソプロペニルケトン、ポリα−シアノアクリレート、ポリトリフルオロエチル−α−クロロアクリレートなどが挙げられる。この中でも汎用性の面から、ノボラック樹脂を主成分とする混合・縮合物が好ましく用いられる。
また、上記遮光性を有する顔料等としては、例えばカーボン微粒子、金属酸化物、無機顔料、有機顔料等の遮光性粒子等が挙げられる。
2.第1露光工程
次に、本発明における第1露光工程について説明する。本発明における第1露光工程は、上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに、フォトマスクを用いてパターン状に露光し、第1露光部を形成する工程である。ここで、上記第1露光部とは、本工程によりエネルギーが照射された領域をいうこととする。
次に、本発明における第1露光工程について説明する。本発明における第1露光工程は、上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに、フォトマスクを用いてパターン状に露光し、第1露光部を形成する工程である。ここで、上記第1露光部とは、本工程によりエネルギーが照射された領域をいうこととする。
ここで、一般的なブラックマトリクスの形成に用いられるフォトマスクとしては、目的とするブラックマトリクスのパターン状に開口部、または遮光部が形成されたものが用いられる。一方、本発明に用いられるフォトマスクとしては、本工程および後述する第2露光工程において、フォトマスクをずらして露光を行うことによって、目的とするブラックマトリクスが形成される領域以外の領域にエネルギーを照射することが可能となるようなものが用いられる。
また、本工程により照射されるエネルギー照射量としては、照射された領域の上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストの耐現像液溶解性を低くすることが可能であり、後述する現像工程において、エネルギーが照射された領域のブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを除去することが可能なものであれば特に限定されるものではない。このようなエネルギー照射量としては通常、20mJ/cm2〜1000mJ/cm2の範囲内、中でも25mJ/cm2〜500mJ/cm2の範囲内、特に30mJ/cm2〜300mJ/cm2の範囲内とすることができる。
また、この際照射されるエネルギーとしては、上記光開始剤の種類等により適宜選択されるものであり、上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを溶解させることが可能なエネルギーであれば特に限定されるものではない。ここで、本発明でいうエネルギーとは、いかなるエネルギー線の照射をも含み、可視光の照射に限定されるものではない。通常、このようなエネルギーとしては、紫外光を用いることができ、特に250nm〜450nm程度の波長の光等を用いることができる。
3.第2露光工程
次に、本発明の第2露光工程について説明する。本発明の第2露光工程は、上記フォトマスクを、第1露光工程においてフォトマスクが配置されていた位置から、遮光部の各辺の垂直方向について、上記各辺の遮光部幅未満の距離だけ、上記フォトマスクを移動させて配置し、上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに、エネルギーを照射し、第2露光部を形成する工程である。上記第2露光部とは、本工程によりエネルギーが照射された領域をいうこととする。
次に、本発明の第2露光工程について説明する。本発明の第2露光工程は、上記フォトマスクを、第1露光工程においてフォトマスクが配置されていた位置から、遮光部の各辺の垂直方向について、上記各辺の遮光部幅未満の距離だけ、上記フォトマスクを移動させて配置し、上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに、エネルギーを照射し、第2露光部を形成する工程である。上記第2露光部とは、本工程によりエネルギーが照射された領域をいうこととする。
例えば図2の模式図に示すような開口部11と遮光部12とを有するフォトマスク3(図2(a))を用いて上記第1露光工程および第2露光工程を行う場合、第2露光工程におけるフォトマスクの位置(図2(b)において、実線で示される位置A´)は、第1露光工程でのフォトマスクの位置(図2(b)において、破線で示される位置A)からずらして配置されることとなる。この際、第2露光工程において、遮光部12´の位置は、第1露光工程での遮光部12の位置から、遮光部12の各辺の垂直方向(例えばxおよびy)について、各辺の遮光部幅(aおよびb)より短い距離(sおよびt)移動させた状態(x´およびy´)となるように配置される。ここで、各辺の遮光部幅とは、各辺を端辺とする遮光部について、各辺からもう一方の端辺まで各辺から垂直に引いた直線の距離をいうこととする。また、第2露光工程においてフォトマスクをずらす方向としては、例えばX方向のみ、Y方向のみであってもよく、X方向およびY方向の両方にずらしてもよいが、少なくともどちらか一方向には移動させるものとする。
また、例えば図3に示すような開口部11および遮光部12を有するフォトマスクを用いて、上記第1露光工程におけるフォトマスクの位置(図中破線で示される位置)から、X方向に移動させて(図中実線で示される位置に)フォトマスクを配置する場合には、フォトマスクの遮光部12の各辺(例えばαおよびβ)の垂直方向(γ1方向およびγ2方向)について、その各辺(αおよびβ)の遮光部幅(aおよびb)未満の距離(sおよびt)移動させた位置(α´およびβ´)となるように移動させることとなる。なお、この場合、辺pおよび辺qについては、垂直方向に移動しない。
ここで、本工程において照射するエネルギー照射量としては、照射された領域の上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストの耐現像液溶解性を低くすることが可能であり、後述する現像工程において、エネルギーが照射された領域のブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを除去することが可能なものであれば特に限定されるものではない。このようなエネルギー照射量としては通常、20J/cm2〜1000J/cm2の範囲内、中でも25J/cm2〜500J/cm2の範囲内、特に30J/cm2〜300J/cm2の範囲内とすることができる。また、例えば照射されるエネルギーとしては、第1露光工程と同様のエネルギーとすることができる。
4.現像工程
次に、本発明の現像工程について説明する。本発明の現像工程は、上述した第1露光工程および第2露光工程で形成された第1露光部および第2露光部が除去する工程である。
次に、本発明の現像工程について説明する。本発明の現像工程は、上述した第1露光工程および第2露光工程で形成された第1露光部および第2露光部が除去する工程である。
ここで、本工程においては、上記第1露光工程および第2露光工程のいずれにおいてもエネルギーが照射されなかった領域のみのブラックマトリクス形成用ポジ型レジストが残存し、ブラックマトリクスとして形成されることとなる。
本工程に用いられる現像液としては、上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを溶解させるようなものが用いられ、一般的なポジ型レジストの現像に用いられるもの等を用いることができる。
また通常、上記現像液を用いた現像後、ポストベークを行うこと等により、ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストの硬化を促進させて、ブラックマトリクス基板とされる。
ここで、上記各工程により形成されるブラックマトリクスの形状としては、特に限定されるものではなく、ブラックマトリクス基板の用途等に応じて適宜選択されるものである。本発明においては、特にブラックマトリクス基板がカラーフィルタに用いられることが好ましく、カラーフィルタのブラックマトリクスとして用いられるような形状に、ブラックマトリクスが形成されることが好ましい。これは上記製造方法により製造されたブラックマトリクスは、細線とすることが可能であることから、高精細なカラーフィルタを形成することが可能となるからである。
このように、本発明により製造されたブラックマトリクス基板がカラーフィルタに用いられる場合、形成されるブラックマトリクス基板のブラックマトリクスの線幅は、2μm〜40μm程度、中でも2μm〜15μm程度、特に4μm〜8μm程度とされることが好ましい。
5.焼成工程
次に、本発明の焼成工程について説明する。本発明の焼成工程は、上記第1露光工程および第2露光工程において、露光されていない未露光の上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを焼成する工程であり、上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを、焼成することが可能であれば、特に限定されるものではない。
このような焼成は、通常、オーブンやヒータ等を用いて100℃〜300℃で10分〜40分程度加熱することにより行うことができる。
次に、本発明の焼成工程について説明する。本発明の焼成工程は、上記第1露光工程および第2露光工程において、露光されていない未露光の上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを焼成する工程であり、上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを、焼成することが可能であれば、特に限定されるものではない。
このような焼成は、通常、オーブンやヒータ等を用いて100℃〜300℃で10分〜40分程度加熱することにより行うことができる。
B.ブラックマトリクス基板
次に、本発明のブラックマトリクス基板について説明する。本発明のブラックマトリクス基板は、基材と、上記基材上に形成されたブラックマトリクスとを有するブラックマトリクス基板であって、上記ブラックマトリクスの開口部の形状が、矩形の4つの角のうち、対角の2つの角に矩形状凹部を有するような形状であり、同一の形状の開口部が複数形成されていることを特徴とするものである。ここで、対角の2つの角とは、対角線上にある2つの角をいうこととする。
次に、本発明のブラックマトリクス基板について説明する。本発明のブラックマトリクス基板は、基材と、上記基材上に形成されたブラックマトリクスとを有するブラックマトリクス基板であって、上記ブラックマトリクスの開口部の形状が、矩形の4つの角のうち、対角の2つの角に矩形状凹部を有するような形状であり、同一の形状の開口部が複数形成されていることを特徴とするものである。ここで、対角の2つの角とは、対角線上にある2つの角をいうこととする。
本発明のブラックマトリクス基板は、例えば図4に示すように、基材1と、その基材1上に形成されたブラックマトリクス7とを有するものであり、そのブラックマトリクス7の開口部8の形状が、矩形状のうち対角の2つの角に、矩形状凹部13を有するものであって、同一の開口部8が複数形成されているものである。
一般的なカラーフィルタに用いられるブラックマトリクス基板の開口部には、矩形状の一つの角に、矩形状凹部が形成されており、この矩形状凹部は、カラーフィルタと対向して配置される液晶駆動側基板に形成されるTFTを隠すTFT隠しとして用いられる。また、このTFT隠しは、カラーフィルタと液晶駆動側基板とのギャップを一定に保つための柱状スペーサを配置する領域としても用いられる。
しかしながら、この場合、カラーフィルタと液晶駆動側基板を対向させて配置した際、液晶駆動側基板側にはTFTが形成されているため、その上に設けられることとなる柱状スペーサが安定せず、カラーフィルタと液晶駆動側基板とのギャップを一定に保つことが困難となる場合があった。また、上記TFT隠し以外のブラックマトリクス上に柱状スペーサを形成することも考えられるが、ブラックマトリクスが細線化された場合には、そのブラックマトリクス上に柱状スペーサを形成することは困難であり、実現できなかった。
一方、本発明においては、上記矩形状凹部が対角する2つの角に形成されている。したがって、一つの矩形状凹部をカラーフィルタのTFT隠しとして用い、もう一方の矩形状凹部を、柱状スペーサを形成する領域として用いることができる。これにより、カラーフィルタと液晶駆動側基板とを対向させて配置し、液晶表示装置として用いた際、柱状スペーサが安定してカラーフィルタと液晶駆動側基板とのギャップを一定に保つことが可能となり、高品質な液晶表示装置を形成することができるのである。
以下、本発明のブラックマトリクス基板の各構成ごとに詳しく説明する。
以下、本発明のブラックマトリクス基板の各構成ごとに詳しく説明する。
1.ブラックマトリクス
まず、本発明のブラックマトリクス基板に用いられるブラックマトリクスについて説明する。本発明のブラックマトリクス基板に用いられるブラックマトリクスは、後述する基材上に形成されるものであり、その開口部の形状が、矩形の4つの角のうち、対角の2つの角に矩形状凹部を有するような形状であり、同一の形状の開口部が複数形成されていることを特徴とするものである。なお、上記矩形状凹部は、一つのブラックマトリクス基板のいずれの開口部においても、同一方向の対角線上の2つの角に形成されるものとする。
まず、本発明のブラックマトリクス基板に用いられるブラックマトリクスについて説明する。本発明のブラックマトリクス基板に用いられるブラックマトリクスは、後述する基材上に形成されるものであり、その開口部の形状が、矩形の4つの角のうち、対角の2つの角に矩形状凹部を有するような形状であり、同一の形状の開口部が複数形成されていることを特徴とするものである。なお、上記矩形状凹部は、一つのブラックマトリクス基板のいずれの開口部においても、同一方向の対角線上の2つの角に形成されるものとする。
本発明においては、上記ブラックマトリクスの線幅は、2μm〜40μm程度、中でも2μm〜15μm程度、特に4μm〜8μm程度とされることが好ましい。これにより、高精細なカラーフィルタに用いられることが可能なブラックマトリクス基板とすることができるからである。上記線幅は、上記矩形状凹部を構成する領域以外の領域における遮光部の線幅をいうこととする。
また、上記矩形状凹部の面積としては、ブラックマトリクス基板の用途等に応じて適宜選択される。
また、一つのブラックマトリクス基板に形成される上記同一の形状を有する開口部の個数としては、ブラックマトリクス基板の用途等に応じて適宜選択されるものであるが、通常921600個以上形成されることが好ましく、中でも3932160個〜5760000個形成されることが好ましい。
上述したような形状を有するブラックマトリクスは、例えば、上記形状の開口部または遮光部を有するフォトマスクを用いてネガ型レジストまたはポジ型レジストを用いて形成したもの等であってもよいが、本発明においては、特に、矩形状のフォトマスクおよびポジ型レジストを用いて、上述した「A.ブラックマトリクス基板の製造方法」の項で説明したような方法で、形成されたものであることが好ましい。このような方法により、ブラックマトリクスを形成した場合、同一のフォトマスクで、上記開口部の形状や、ブラックマトリクスの線幅等を、適宜選択することが可能となり、またブラックマトリクスの線幅を細いものとすることができるからである。
上記方法により、上記形状のブラックマトリクスを形成する方法として、具体的には、例えば図5に示すような、開口部11および遮光部12を有するようなフォトマスク3を用いて形成することができる。例えば図6に示すように、基材上に形成されたブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに上記フォトマスクを用いてエネルギーを照射し、上記第1露光部5を形成する(図6(a))。その後、同一のフォトマスクを、斜め方向に移動させて、エネルギーを照射し、第2露光部6を形成する(図6(b))。その後、第1露光部5および第2露光部6のブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを除去することにより、上述したような形状を有するブラックマトリクス7が基材1上に形成されたブラックマトリクス基板とすることができるのである。
なお、このようなブラックマトリクスに用いられるブラックマトリクス形成用ポジ型レジスト等については、上述した「A.ブラックマトリクス基板の製造方法」の項で説明したものと同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。
2.基材
次に、本発明のブラックマトリクス基板に用いられる基材について説明する。本発明に用いられる基材は、上記ブラックマトリクスが形成可能なものであれば、特に限定されるものではなく、ブラックマトリクス基板の種類や用途等に合わせて適宜選択される。また、透明性や可撓性についても適宜選択されることとなる。
次に、本発明のブラックマトリクス基板に用いられる基材について説明する。本発明に用いられる基材は、上記ブラックマトリクスが形成可能なものであれば、特に限定されるものではなく、ブラックマトリクス基板の種類や用途等に合わせて適宜選択される。また、透明性や可撓性についても適宜選択されることとなる。
このようなブラックマトリクス基板に用いられる基材としては、例えば紙基材の樹脂積層板、ガラス布・ガラス不織布基材の樹脂積層板、セラミック、金属等を用いることができる。
本発明においては、特にブラックマトリクス基板がカラーフィルタに用いられることが好ましく、一般的なカラーフィルタに基材として用いられるものを用いることが好ましい。
3.ブラックマトリクス基板
次に、本発明のブラックマトリクス基板について説明する。本発明のブラックマトリクス基板は、上記基材上に、上記形状を有するブラックマトリクスを有するものであれば、特に限定されるものではなく、必要に応じて、適宜他の部材を有するものであってもよい。ここで、本発明のブラックマトリクス基板は、上述したように、高精細なカラーフィルタに特に好適に用いられる。
次に、本発明のブラックマトリクス基板について説明する。本発明のブラックマトリクス基板は、上記基材上に、上記形状を有するブラックマトリクスを有するものであれば、特に限定されるものではなく、必要に応じて、適宜他の部材を有するものであってもよい。ここで、本発明のブラックマトリクス基板は、上述したように、高精細なカラーフィルタに特に好適に用いられる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。
[実施例]
2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン‐o‐ナフトキノン‐1,2−ジアジド‐5‐スルホン酸トリエステル40重量部および、クレゾールノボラック樹脂60重量部をプロピレングリコールモノメチルアセテート700重量部に溶解させて感光性樹脂溶液を調製した。その後、着色剤としてカーボンブラック分散液18重量部を混合攪拌し、ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを調製した。このブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを、スピンコート法によりガラス基板上に膜厚が1.5μmとなるように塗布して乾燥させた後、90℃で10分間加熱し、溶剤を揮発させて塗膜を形成した。続いて、開口部が25μm□、遮光部幅が30μmの繰り返しパターンを有するフォトマスクを準備し、上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに、このフォトマスクを介して露光強度が300J/cm2となるように、紫外線を超高圧水銀灯(UV露光装置:TOPCON社製)により、プロキシミティ露光(第1露光)した。
2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン‐o‐ナフトキノン‐1,2−ジアジド‐5‐スルホン酸トリエステル40重量部および、クレゾールノボラック樹脂60重量部をプロピレングリコールモノメチルアセテート700重量部に溶解させて感光性樹脂溶液を調製した。その後、着色剤としてカーボンブラック分散液18重量部を混合攪拌し、ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを調製した。このブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを、スピンコート法によりガラス基板上に膜厚が1.5μmとなるように塗布して乾燥させた後、90℃で10分間加熱し、溶剤を揮発させて塗膜を形成した。続いて、開口部が25μm□、遮光部幅が30μmの繰り返しパターンを有するフォトマスクを準備し、上記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに、このフォトマスクを介して露光強度が300J/cm2となるように、紫外線を超高圧水銀灯(UV露光装置:TOPCON社製)により、プロキシミティ露光(第1露光)した。
次に、フォトマスクを図2(b)に示すように、遮光部の各辺の垂直方向について22μmずつ平行移動させて配置し、上記と同様の条件にて露光を行った(第2露光)。その後、フォトマスクを取り外し、2.35%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(30℃)にて上記感光部分を溶解除去し、純水洗浄・エアフロー乾燥した。続いて、200℃で20分間焼成することにより硬化させ、目的とするパターン状に形成されたブラックマトリクスを得た。
上記ブラックマトリクスが形成されたブラックマトリクス基板を光学顕微鏡により観察したところ、図1(e)に示すような断面形状を有することが確認され、ブラックマトリクスの縦方向の線幅が7.9μm、横方向の線幅が8.2μm、開口部の幅は縦方向が47.1μm、横方向が46.8μmであった。また、ブラックマトリクスの膜厚は1.23μmであり、OD値は3.65であった。またさらに、上記ブラックマトリクス内でOD値および膜厚にバラつきがみられなかった。なお、上記OD値は、分光光度計により測定を行い、XYZ表式系のYから下記の式によって求められた値である。
OD値=−log10(Y/100)
OD値=−log10(Y/100)
[比較例]
開口部が47μm□、遮光部幅が8μmの繰り返しパターンを有するフォトマスクを用いて、1回の露光のみでブラックマトリクス形成用ポジ型レジストの露光を行った以外は、実施例と同様にブラックマトリクス形成用基板を形成した。なお、露光は、上記フォトマスクを介して露光強度が300J/cm2となるように、紫外線を超高圧水銀灯(UV露光装置:TOPCON社製)により、プロキシミティ露光して行った。
開口部が47μm□、遮光部幅が8μmの繰り返しパターンを有するフォトマスクを用いて、1回の露光のみでブラックマトリクス形成用ポジ型レジストの露光を行った以外は、実施例と同様にブラックマトリクス形成用基板を形成した。なお、露光は、上記フォトマスクを介して露光強度が300J/cm2となるように、紫外線を超高圧水銀灯(UV露光装置:TOPCON社製)により、プロキシミティ露光して行った。
上記ブラックマトリクスが形成されたブラックマトリクス基板を光学顕微鏡により観察したところ、図7(b)に示すような断面形状を有することが確認され、ブラックマトリクスの縦方向の線幅が6.0μm、横方向の線幅が6.3μm、開口部の幅は縦方向が49.0μm、横方向が48.7μmであった。また、ブラックマトリクスの中央部の膜厚のは0.97μmであり、この部分のOD値は3.0であった。またさらに、上記ブラックマトリクス内でOD値および膜厚にバラつきがみられた。
1…基材
2…ブラックマトリクス形成用ポジ型レジスト
3…フォトマスク
4…エネルギー
5…第1露光部
6…第2露光部
7…ブラックマトリクス
8、11…開口部
12…遮光部
2…ブラックマトリクス形成用ポジ型レジスト
3…フォトマスク
4…エネルギー
5…第1露光部
6…第2露光部
7…ブラックマトリクス
8、11…開口部
12…遮光部
Claims (2)
- 基材上に、ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを塗布するレジスト塗布工程と、
前記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに、フォトマスクを用いて、パターン状にエネルギーを照射し、第1露光部を形成する第1露光工程と、
前記フォトマスクの遮光部の各辺の垂直方向について、前記各辺の遮光部幅未満の距離だけ、前記フォトマスクを移動させて配置し、前記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストに、エネルギーを照射し、第2露光部を形成する第2露光工程と、
前記第1露光部および前記第2露光部の前記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを除去する現像工程と、
未露光の前記ブラックマトリクス形成用ポジ型レジストを焼成する焼成工程と
を有することを特徴とするブラックマトリクス基板の製造方法。 - 基材と、前記基材上に形成されたブラックマトリクスとを有するブラックマトリクス基板であって、
前記ブラックマトリクスの開口部の形状が、矩形の4つの角のうち、対角の2つの角に矩形状凹部を有するような形状であり、同一の形状の開口部が複数形成されていることを特徴とするブラックマトリクス基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004229409A JP2006047757A (ja) | 2004-08-05 | 2004-08-05 | ブラックマトリクス基板 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014153420A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタ及びその製造方法、並びに表示装置 |
KR101483331B1 (ko) * | 2011-02-14 | 2015-01-16 | 주식회사 엘지화학 | 컬러 필터 및 컬러 필터의 제조방법 |
US11086228B2 (en) * | 2017-12-11 | 2021-08-10 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask, device and method for exposure |
-
2004
- 2004-08-05 JP JP2004229409A patent/JP2006047757A/ja active Pending
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