JP2006033058A - クロック供給回路 - Google Patents
クロック供給回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006033058A JP2006033058A JP2004204664A JP2004204664A JP2006033058A JP 2006033058 A JP2006033058 A JP 2006033058A JP 2004204664 A JP2004204664 A JP 2004204664A JP 2004204664 A JP2004204664 A JP 2004204664A JP 2006033058 A JP2006033058 A JP 2006033058A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- clock
- clock signal
- input
- buffer
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
【課題】クロック信号CLKの停止時にその導通時に使用するPMOSトランジスタの信頼性上の課題であるNBTIによる経時劣化を削減してクロックスキューを抑制すること。
【解決手段】入力されたイネーブル信号ENに基づいてフリップフロップ42a、42bに対してクロック信号CLKの供給とその供給の停止とを行うクロック供給回路であって、入力されたクロック信号を伝播するバッファ1と、バッファ1とフリップフロップ42a、42bとの間に配置されて、バッファ1から伝播されてくるクロック信号CLKとイネーブル信号ENとを入力し、入力されたクロック信号CLKとイネーブル信号ENそれぞれの論理値の組み合わせによりクロック信号CLKの動作と停止とのゲート動作を行う多入力ゲート22、32a、32b、32a´、32b´とを備え、フリップフロップ42a、42bに接続される多入力ゲート22、32a、32b、32a´、32b´内の最終段のPMOSトランジスタ324をクロック信号CLKの動作停止時にOFF状態にする構成。
【選択図】 図1
【解決手段】入力されたイネーブル信号ENに基づいてフリップフロップ42a、42bに対してクロック信号CLKの供給とその供給の停止とを行うクロック供給回路であって、入力されたクロック信号を伝播するバッファ1と、バッファ1とフリップフロップ42a、42bとの間に配置されて、バッファ1から伝播されてくるクロック信号CLKとイネーブル信号ENとを入力し、入力されたクロック信号CLKとイネーブル信号ENそれぞれの論理値の組み合わせによりクロック信号CLKの動作と停止とのゲート動作を行う多入力ゲート22、32a、32b、32a´、32b´とを備え、フリップフロップ42a、42bに接続される多入力ゲート22、32a、32b、32a´、32b´内の最終段のPMOSトランジスタ324をクロック信号CLKの動作停止時にOFF状態にする構成。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体集積回路装置におけるクロック供給回路に係り、より詳しくは、低消費電力効果の高いゲーテッドクロック設計によるクロック供給回路に関する。
近年、半導体集積回路装置の大規模化により回路に供給されるクロックの周波数が飛躍的に向上し、これに伴い、回路の消費電力が増加している。クロック信号で消費される電力を削減する技術として、従来からゲーテッドクロックと呼ばれるクロック供給回路設計手法が知られている。この設計手法を用いたクロック供給回路では、フリップフロップ間のデータ転送が本当に必要なタイミングでのみ、該当するフリップフロップにクロック信号を供給するように、クロック信号の導通遮断を制御することができる。その結果、クロック信号の供給回数が減少し、低消費電力化を実現できる。
このようなゲーテッドクロックによるクロック供給回路(ゲーテッドクロック回路)では、クロック信号が供給されるフリップフロップ間の遅延時間差(スキュー)が大きくなることがその問題として知られる。このような問題を解消するようにしたゲーテッドクロック回路としては、例えば、クロックソースからフリップフロップまでのクロックツリーを等長かつ等段の構成にし、さらにクロックが供給されるフリップフロップ群を均等に分割している。このようにクロックの負荷を均等に配分することにより、クロック経路の違いによって生じるスキューを抑制しているものがある (例えば、特許文献1参照)。
従来技術のこの種のクロック供給回路を図7を参照して説明すると、ルートバッファ21から分岐したクロック経路は、バッファ22´からさらに分岐し、バッファ31a、31b、フリップフロップ41a、41bに繋がる第1のクロック経路と、論理積型の多入力ゲート22からさらに分岐しバッファ32a、32b、フリップフロップ、42bに繋がる第2のクロック経路とで構成されている。多入力ゲート22の一方の入力端子には、イネーブル信号(クロック制御信号)ENが入力されている。クロック信号CLKは、イネーブル信号ENが論理値“1”のときに導通し、バッファ32a、32b、フリップフロップ、42bに繋がる第2のクロック経路へ伝播する。逆にイネーブル信号ENが論理値“0”のときは遮断されて、バッファ32a、32b、フリップフロップ、42bに繋がる第2のクロック経路へは伝播しない。多入力ゲート22には、論理和型のものを使用しても可能であるが、この場合の動作の仕方は論理積型のものと逆である。クロック信号CLKは、イネーブル信号ENが“0”のときに導通し、イネーブル信号ENが論理値“1”のときに遮断される。図7に示すクロック供給回路の構成では、スキューを抑制するために、クロックツリーを等長等段に構成し、バッファの負荷を均等に分配している。図8を参照して他の従来技術のクロック供給回路を説明する。図8において、図7と類似ないし対応する部分には同一の符号を付している。このクロック供給回路では、スキューを抑制するために、等長等段のクロックツリーを構成できなかった場合のスキューを抑制している。
すなわち、このクロック供給回路では、負荷7、負荷8による伝播遅延時間と同等の伝播遅延時間を確保するため、バッファ32a´、バッファ32b´を使用している。図7、図8のいずれについても、ネガティブバイアス温度不安定性(Negative Bias Temperature Instability:NBTI)による劣化を考慮した構成にはなっていない。
特許第3178371号公報(第5頁、第一図)
上記のような従来の等長かつ等段のクロック供給回路(図7)や、同等の伝播遅延時間を実現するために、バッファ挿入等でクロックスキューの回避を行ったクロック供給回路(図8)では、信頼性上の課題によって生じるスキューは全く考慮されていなかった。
一方、近年の半導体集積回路装置(半導体デバイス)においては、半導体集積回路の高集積化に伴いMOSトランジスタの微細化が進んでいる。この微細化に伴いMOSトランジスタのゲート酸化膜も薄膜化の傾向である一方、電源電圧の低電圧化は、ゲート酸化膜の薄膜化に比べると緩やかである。そのため、ゲート酸化膜に印加される電界強度は高くなる傾向にある。近年のこのような傾向により、特にトランジスタの信頼性において、NBTIによる影響を無視できなくなってきている。NBTIとは、トランジスタにおいてはゲートに負のバイアスが印加された際に、ゲート酸化膜に高い電界強度の電界が印加され、ゲート絶縁膜中に形成されたエネルギー準位の浅いトラップに電荷が捕獲される現象のことである。その結果、トランジスタの閾値電圧の上昇が起こる。つまり、NBTIにより時間とともに閾値電圧の絶対値が増大し、ドレイン電流の絶対値が減少する。それ故にNBTIによりMOSトランジスタが経時劣化する。NBTIは、NMOSトランジスタに比べて、トランジスタで顕著に起きる。つまり、NBTIによる劣化が顕著に現れるのは、トランジスタがON状態のときである。
NBTIによるトランジスタの劣化率は、ドレイン電流Id値の減少率とほぼ比例するため、初期設定の閾値が低い程、初期設定のドレイン電流Id値が大きいため、NBTIによるトランジスタの劣化率としては小さく見える。ゲート酸化膜を薄い場合は、ゲート酸化膜の耐性上、低い電源電圧しか印加できず、相対的に、半導体デバイスの閾値は低く設定される。従って、閾値電位が低い半導体デバイス、ゲート酸化膜厚が薄い半導体デバイスほど、NBTIによるトランジスタの劣化率を削減させることが可能となる。また、高温になるほどNBTIによるトランジスタの劣化が顕著に起きるという特徴を有している。
図9(a)(b)は、クロック供給回路内におけるバッファが受けるNBTIの影響を説明する図である。図9(a)は、クロック信号CLKが伝播している場合のバッファの回路図であり、図9(b)は、多入力ゲートによってクロック信号CLKが“1”に固定されている場合のバッファの回路図である。図9(a)では、クロック信号CLKが伝播しているため、ノードN11における信号の状態は論理値“0”、“1”を繰り返している。また、ノードN21では信号が反転し、論理値“1”、“0”となり、ノードN31では信号は論理値“0”、“1”となる。このとき、トランジスタ311、313は共に、オン状態、すなわち入力信号が論理値“0”の状態が全時間の50%である。従って、トランジスタ311、313は共に、NBTIの影響を全時間の50%受け、トランジスタの電流能力が低下する。図9(b)では、クロック信号CLKは固定されており、ノードN12が論理値“1”に、ノードN22が論理値“0”に、ノードN32が論理値“1”となる。このとき、トランジスタ321は、常にオフ状態であり、NBTIの影響は受けていない。反対にトランジスタ323は、常にオン状態であり、NBTIの影響を100%受け、トランジスタの電流能力が著しく低下する。
図10(a)は、図9(a)のバッファにおける各ノードN11、N21、N31でのクロック波形の伝播を示した図である。遅延時間Tn11はNMOSトランジスタ312の電流能力に依存し、遅延時間Tp11はトランジスタ311の電流能力に依存している。また、遅延時間Tp21はトランジスタ313の電流能力に依存し、遅延時間Tn21はNMOSトランジスタ314の電流能力に依存している。ノードN11からN31までの伝播遅延時間は、立上り伝播遅延時間がTr1であり、立下り伝播遅延時間がTf1である。一方、図10(b)は、図9(b)のバッファにおける各ノードN12、N22、N32でのクロック波形の伝播を示した図である。遅延時間Tn12はNMOSトランジスタ322の電流能力に依存し、遅延時間Tp12はトランジスタ321の電流能力に依存している。また、遅延時間Tp22はトランジスタ323の電流能力に依存し、遅延時間Tn22はNMOSトランジスタ324の電流能力に依存している。ノードN12からN32までの伝播遅延時間は、立上り伝播遅延時間がTr2であり、立下り伝播遅延時間がTf2である。図9(a)(b)で説明したトランジスタの電流能力低下により、図10(a)(b)における各遅延時間の関係はTp21<Tp22、Tp11>Tp12となる。これに伴い、Tr1<Tr2、Tf1>Tf2となり、スキューが発生する。以上のように、クロック供給回路において、多入力ゲートによってクロック信号が遮断しているクロック経路と常時クロック信号が導通しているクロック経路との間でスキューが生じることになる。従来技術では、イネーブル信号の制御に関して、上記問題を考慮した構成になっていない。
したがって、本発明は、製品として実使用する際においても、ゲーテッドクロック経路のクロック信号遮断によって生じるクロック経路間のスキューをなくすクロック供給回路、及び、クロック経路間のスキューを削減したクロック供給回路を提供しようとするものである。
(1)第1の発明によるクロック供給回路は、入力されたイネーブル信号に基づいてフリップフロップに対してクロック信号の供給とその供給の停止とを行うクロック供給回路であって、入力されたクロック信号を伝播するバッファと、前記バッファと前記フリップフロップとの間に配置されて、前記バッファから伝播されるクロック信号と、前記入力されるイネーブル信号とを入力し、前記入力されたクロック信号と前記入力されたイネーブル信号とのそれぞれの論理値の組み合わせによりクロック信号の動作と停止とのゲート動作を行う多入力ゲートとを備え、前記フリップフロップに接続される多入力ゲート内の最終段のトランジスタをクロック信号の停止時にOFF状態にすることを特徴とする。
(2)第2の発明によるクロック供給回路は、第1の発明において、前記多入力ゲートが、前記クロック信号をゲート入力とする第1のトランジスタと、前記イネーブル信号をゲート入力とする第2のトランジスタとを備え、かつ、前記イネーブル信号がクロック信号の停止を指定するときは前記第1のトランジスタをOFF状態でかつ前記第2のトランジスタをON状態でかつ前記フリップフロップに供給するクロック信号(当該クロック供給回路の出力信号)を前記第2のトランジスタでプルアップする一方、前記イネーブル信号がクロック信号の動作を指定するときは前記第2のトランジスタをOFF状態とすることを特徴とする。
(3)第3の発明によるクロック供給回路は、前記多入力ゲートが2入力NANDゲートであることを特徴としている。
(4)第4の発明によるクロック供給回路は、入力されたイネーブル信号に基づいてフリップフロップに対してクロック信号の供給とその供給の停止とを行うクロック供給回路であって、入力されたクロック信号をフリップフロップに伝播するバッファを備え、このバッファが、前記フリップフロップに接続されている第3のトランジスタとNMOSトランジスタとを備える第1のインバータと、前記クロック信号が入力され、前記第1のインバータに信号を出力するもので、かつ、第4のトランジスタを備える第2のインバータと、前記イネーブル信号が前記クロック信号の停止を指定するときには、前記第1のインバータにおける、前記第3のトランジスタをOFF状態にし、かつ、前記NMOSトランジスタのソースに接続される電源電位を上げる機能を持つ第1の電源制御回路とを備えることを特徴とする。
(5)第5の発明によるクロック供給回路は、第4の発明において、前記第2のインバータの前記第4のトランジスタのソースに接続される電源電位を下げる機能を持つ第2の電源制御回路をさらに備えることを特徴とする。
(6)第6の発明によるクロック供給回路は、第4のまたは第5の発明において、前記第1のインバータの前記第3のトランジスタの閾値電圧が、前記第2のインバータのトランジスタの閾値電圧より低いことを特徴としている。
(7)第7の発明によるクロック供給回路は、第4の、第5、または第6の発明において、前記第1のインバータのトランジスタのゲート酸化膜厚が、前記第2のインバータのトランジスタのゲート酸化膜厚より薄いことを特徴としている。
(8)第8の発明によるクロック供給回路は、入力されたイネーブル信号に基づいてフリップフロップに対してクロック信号の供給とその供給の停止とを行うクロック供給回路であって、入力されたクロック信号を伝播するバッファと、前記バッファと前記フリップフロップとの間に配置されて、前記バッファから入力されたクロック信号を前記フリップフロップに伝播する多入力ゲートとを備え、前記バッファまたは前記多入力ゲートは、前記クロック信号をゲート入力とし、かつ、前記イネーブル信号がクロック信号を供給するよう指定するときには、前記クロック信号を伝播する第1のトライステートインバータと、前記クロック信号をゲート入力とし、かつ、前記イネーブル信号がクロック信号を停止するよう指定するときには、前記クロック信号を伝播し、且つ出力端子を前記第1のトライステートインバータの出力端子に接続した第2のトライステートインバータとを備え、前記第1のおよび前記第2のトライステートインバータそれぞれの出力を前記フリップフロップに接続していることを特徴とする。
(9)第9の発明によるクロック供給回路は、入力されたイネーブル信号に基づいてフリップフロップに対してクロック信号の供給とその供給の停止とを行うクロック供給回路であって、入力されたクロック信号を伝播するバッファと、前記バッファと前記フリップフロップとの間に配置されて、前記バッファから入力されたクロック信号を前記フリップフロップに伝播する多入力ゲートとを備え、前記バッファまたは前記多入力ゲートは、前記クロック信号をゲート入力とし、且つイネーブル信号が有効なときに前記クロック信号を伝達する第3のトライステートバッファと、前記クロック信号をゲート入力とし、且つイネーブル信号が無効なときに前記クロック信号を伝達しかつ出力端子を前記第3のトライステートバッファの出力端子に接続した第4のトライステートバッファとを備え、前記第3のおよび第4のトライステートバッファそれぞれの出力を前記フリップフロップに接続したことを特徴とする。
本発明において得られる効果は、以下の通りである。
第1の発明によれば、クロックラインがバッファの場合、多入力ゲートの場合にかかわらず、少なくとも最終段のトランジスタに関して、クロック停止時にそのトランジスタをOFFすることで、トランジスタの劣化削減が可能となり、スキュー削減に効果がある。
第2、第3の、第8、または第9の発明によれば、クロック停止時とクロック導通時にONするトランジスタが異なる。従って、クロック停止時にクロック動作時に使用するトランジスタを劣化させないため、クロックスキューを削減することができる。
第4の、第5、第6、または第7の発明は、配線負荷付バッファと同等の遅延を実現させるために1個以上のバッファで構成されたクロック供給回路の場合など、NBTIによるトランジスタの劣化の不均一を避けられない回路構成の場合、特に効果がある。クロック停止時にクロック供給回路の最終段のトランジスタがOFF状態になるため、クロック停止時のNBTIによるトランジスタの劣化がなく、スキュー削減に効果がある。また、クロック供給回路の最終段のトランジスタのNBTIによる劣化を削減することは、クロック供給回路を構成する他の素子のNBTIによる劣化を削減することよりもスキューを削減するのに効果があると考えられる。
第4の発明ではクロック供給回路の最終段のインバータのNMOSトランジスタのソース電位を上げる効果のある電源制御回路により、そのNMOSトランジスタのゲートリーク電流を削減する効果があり、
第5の発明ではクロック供給回路の最終段の前段のインバータのトランジスタのソース電位を下げることにより、最終段の前段のインバータのトランジスタのNBTIによる劣化を削減することで、スキュー削減に効果がある。
第5の発明ではクロック供給回路の最終段の前段のインバータのトランジスタのソース電位を下げることにより、最終段の前段のインバータのトランジスタのNBTIによる劣化を削減することで、スキュー削減に効果がある。
第6の発明では、クロック供給回路の最終段のトランジスタがその前段のトランジスタよりも閾値電圧を下げたものを適用する構成にする。閾値電圧が低いトランジスタでは、NBTIでの閾値電圧変動によるドレイン電流変動の影響が、閾値電圧が高いトランジスタよりも小さくなる。従って、クロックスキューが小さくなる。
第7の発明では、クロック供給回路の最終段のトランジスタがその前段のトランジスタよりもゲート膜厚を薄いものを適用する構成にする。ゲート酸化膜が薄い場合は、酸化膜の耐性上、低い電源電圧しか印加できず、同じ電源電位を与える場合を想定すると、ゲート酸化膜が厚いデバイスに対して、閾値電位は低く設定される。従って、閾値電位が低いデバイス、ゲート酸化膜厚が薄いデバイスほど、NBTIによる劣化率を削減させることができ、その結果、スキュー削減に効果がある。
次に本発明を実施する上での最良の実施の形態について、添付した図面に基づいて説明する。
(第1の実施の形態)
図1(a)(b)は、第1の実施の形態におけるクロック供給回路に係わり、図1(a)はクロック供給回路の回路図、図1(b)は図1(a)で示すクロック供給回路内の多入力ゲートの出力真理値表を示す図である。図1(a)において、21はクロック信号CLKが入力され、入力されたクロック信号CLKを伝播するクロックソートとしてのバッファ、22、32a、32b、32a´、32b´はNANDゲートにより構成される論理積型多入力ゲート、、42bはフリップフロップを示す。バッファ21からはクロック経路は2つに分岐されている。一方のクロック経路は・・・で示している。図1に示すクロック経路は、バッファ21から2つに分岐され、多入力ゲート22からさらに多入力ゲート32a、32b、32a´、32b´に分岐されたクロックツリー構成となって、フリップフロップ、42bに繋がる構成となっている。
図1(a)(b)は、第1の実施の形態におけるクロック供給回路に係わり、図1(a)はクロック供給回路の回路図、図1(b)は図1(a)で示すクロック供給回路内の多入力ゲートの出力真理値表を示す図である。図1(a)において、21はクロック信号CLKが入力され、入力されたクロック信号CLKを伝播するクロックソートとしてのバッファ、22、32a、32b、32a´、32b´はNANDゲートにより構成される論理積型多入力ゲート、、42bはフリップフロップを示す。バッファ21からはクロック経路は2つに分岐されている。一方のクロック経路は・・・で示している。図1に示すクロック経路は、バッファ21から2つに分岐され、多入力ゲート22からさらに多入力ゲート32a、32b、32a´、32b´に分岐されたクロックツリー構成となって、フリップフロップ、42bに繋がる構成となっている。
すなわち、このクロック供給回路は、バッファ21と、多入力ゲート22、32a、32b、32a´、32b´とを備える。バッファ21は、入力されたクロック信号CLKを多入力ゲート22、32a、32b、32a´、32b´に伝播する。多入力ゲート22、32a、32b、32a´、32b´は、バッファ21とフリップフロップ42a、42bとの間に配置されて、バッファ21から伝播されてくるクロック信号CLKと、バッファ21とは別の経路から入力されてくるイネーブル信号ENとを入力し、入力されたクロック信号CLKとイネーブル信号ENとのそれぞれの論理値“0”、“1"の組み合わせにより、クロック信号CLKの停止と動作とをゲート制御するようになっている。
動作を説明すると、バッファ21にクロック信号CLKが入力される。バッファ21は、入力されたクロック信号CLKを初段の多入力ゲート22の一方の入力端子に伝播する。初段の多入力ゲート22の他方の入力端子には、イネーブル信号ENが入力される。後段の多入力ゲート32a、32a´の一方の入力端子それぞれは、直前段の多入力ゲート22、32a、それぞれの出力端子に接続されている。後段の多入力ゲート32a、32a´の他方の入力端子それぞれには、イネーブル信号ENが入力される。後段の多入力ゲート32b、32b´の一方の入力端子それぞれは、直前段の多入力ゲート22、32bそれぞれの出力端子に接続されている。後段の多入力ゲート32b、32b´の他方の入力端子それぞれには、イネーブル信号ENが入力される。
クロック信号CLKは、イネーブル信号ENが論理値“1”のときに、これら多入力ゲート22、32a、32b、32a´、32b´、フリップフロップ、42bに繋がる経路へと伝播する。逆に、バッファ1から分岐したクロック信号CLKは、イネーブル信号ENが論理値“0”のときは遮断されて、多入力ゲート22、32a、32b、32a´、32b´、フリップフロップ、42bに繋がる経路へは伝播しない。
図1(b)に示すクロック信号CLKの伝播に関する多入力ゲート22、32a、32b、32a´、32b´の真理値表によると、イネーブル信号ENが“0”のときは、クロック停止し、クロック信号CLKの論理値“0”“1”の変化は伝播されず、イネーブル信号ENが“1”のときはクロック動作し、クロック信号CLKの論理値“0”、“1”の変化は、伝播されることが示されている。
図2は、図1の多入力ゲート22、32a、32b、32a´、32b´それぞれの詳細回路図を示す。図中のHは論理値“1”、Lは論理値“0”を意味する。多入力ゲート22、32a、32b、32a´、32b´は、それぞれ、4つのトランジスタ321、322、323、324を含む。多入力ゲート22、32a、32b、32a´、32b´それぞれは、クロック信号CLKをゲート入力とするトランジスタ321、323と、イネーブル信号ENをゲート入力とするトランジスタ322、324とを備える。図2の多入力ゲート22、32a、32b、32a´、32b´それぞれにおいては、イネーブル信号ENが論理値“0”でクロック信号CLKの停止(論理値“1"に固定)を指定するときはクロック動作に必要なトランジスタ321,323をOFF状態で、かつ、トランジスタ322、324をON状態で、かつ、フリップフロップ、42bに供給するクロック信号CLK(当該クロック供給回路の出力信号)をトランジスタ322、324でプルアップする一方、イネーブル信号ENがクロック信号CLKの動作を指定するときはトランジスタ322、324をOFF状態とする。上記の場合、トランジスタ322、324はONしているが、このトランジスタ322、324の劣化は、クロック信号CLKの伝播遅延時間(スキュー)に影響を与えない。従って、クロック信号CLKの停止時はクロック信号CLKの導通時にONするトランジスタ322、324のNBTIによる劣化は削減できる。従って、スキューを抑制することが可能となる。
(第2の実施の形態)
図3は、第2の実施の形態に係るクロック供給回路の回路図である。図1に示す実施の形態1のクロック供給回路に対して4つの多入力ゲート32a、32b、32a´、32b´の代わりに2つのバッファ32a´´、32b´´を用い、さらに、バッファ32a´´、32b´´に対して、電源制御回路50を接続した構成である。なお、図3では、バッファ21の図示は省略している。その他の構成は、図1と同様であるので、その詳細は省略する。
図3は、第2の実施の形態に係るクロック供給回路の回路図である。図1に示す実施の形態1のクロック供給回路に対して4つの多入力ゲート32a、32b、32a´、32b´の代わりに2つのバッファ32a´´、32b´´を用い、さらに、バッファ32a´´、32b´´に対して、電源制御回路50を接続した構成である。なお、図3では、バッファ21の図示は省略している。その他の構成は、図1と同様であるので、その詳細は省略する。
バッファ32a´´、32b´´の構成を、図4(a)(b)を参照して説明する。図4(a)は、第2の実施の形態のクロック供給回路の回路図を示し、図4(b)は、図4(a)のクロック供給回路の動作の説明に供する図であり、これらは後述の動作の説明に際しての理解に供するものである。図4(a)において、バッファ32a´´、32b´´は、第1のインバータINV1と、第2のインバータINV2とで構成されている。
なお、図中には、図3の電源制御回路50が符号で50a,50bで示されているが、これら電源制御回路50a,50bは同一のものとしてよい。第1のインバータINV1は、トランジスタ323とNMOSトランジスタ324とを含み、第2のインバータINV2は、トランジスタ321とNMOSトランジスタ322とを含む。このようなバッファ32a´´、32b´´においては、クロック信号CLKの停止時に、第1のインバータINV1(最終段)のトランジスタ323のゲート入力N22は常に論理値を“1”とし、クロック信号CLKの停止時のトランジスタ323をオフ状態とするため、NBTIによる劣化を削減することができ、これによって、スキューを抑制することが可能となる。加えて、第1のインバータINV1のNMOSトランジスタ324のソースに接続した電源制御回路50aにより、NMOSトランジスタ324のソースの電源電位を上げることで、NMOSトランジスタ324のゲートリークが削減できる。このゲートリーク電流は、酸化膜に加わる電界に依存し、ゲートとソースとの間、または、ゲートとドレインとの間の電位差が大きいほど、ゲートリークは大きくなる。実施の形態で示すように、クロック信号CLKの停止時にトランジスタ323をOFFさせる第1のインバータINV1の場合、NMOSトランジスタ324のゲートとソースとの間の電位差が大きいため、ゲートリークが発生する。本実施の形態では、少なくともクロック信号の停止時のゲートリークを削減するために、ゲートとソースとの間の電位差を縮小させるように、第1のインバータINV1のNMOSトランジスタ324のソースに接続した電源制御回路50aにより、NMOSトランジスタ324のソースの電源電位を上げることが可能である。また、ゲート最終段の前段である第2のインバータINV2のトランジスタ321のソースに接続した電源制御回路50bにより、トランジスタ321のソースの電源電位を下げることで、トランジスタ321のNBTIによる劣化を削減できる。何故ならば、前述したように、トランジスタ321のソースの電源電位を下げることで、そのゲートとソースとの間の電位差が縮小され、酸化膜に与える電界強度が縮小されるためである。さらに加えて、最終段である第1のインバータINV1のトランジスタ323について閾値電位Vthが低いものを用いた構成とすると、閾値電位Vthが高いものを用いた構成より、NBTIによる、劣化率は、小さくなる。これは、NBTIによるId値の減少率が、初期設定の閾値電位Vthが低い程、初期設定のIdが大きいため、劣化率としては小さくなるためである。
また、用途により複数の膜厚Toxを作成し、使い分けることができる、マルチ酸化膜技術がある。高速用途や大負荷容量を駆動する回路では、ゲート酸化膜の膜厚Toxを薄膜化し、ドレイン電流を大きくすることが必要である。ゲート酸化膜の膜厚Toxが薄い場合は、酸化膜の耐性上、低い電源電圧しか印加できず、同じ電源電位を与える場合を想定すると、ゲート酸化膜の膜厚Toxが厚いデバイスに対して、閾値電位Vthは低く設定される。従って、閾値電位Vthが低いデバイス、ゲート酸化膜の膜厚Toxが薄いデバイスほど、NBTIによる劣化率を削減させることができる。ただし、ゲート酸化膜の膜厚Toxの薄膜化により、ゲートリーク電流が増加するという問題があるが、NMOSトランジスタの電源電位を上げる電源制御回路5により、ゲート酸化膜に加わる電圧が減少するため本ゲートリークは削減できる。また、フリップフロップに接続されている第1のインバータINV1が、最もクロック伝播遅延時間(スキュー)に影響を与えるため、第1のインバータINV1に、ゲート酸化膜の膜厚Toxが薄いトランジスタを適用することで、ゲートリークを抑え、クロック伝播遅延時間(スキュー)を削減し、NBTIによる劣化を削減することができる。
(第3の実施の形態)
図5は、第3の実施の形態に係り、図5(a)は、クロック供給回路内のトライステートインバータ60の回路図、図5(b)は、クロック供給回路の動作上の論理値表、図5(c)はクロック供給回路の全体を示す回路図である。実施の形態3のクロック供給回路は、トライステートインバータ60により構成される。このトライステートインバータ60は、クロック信号CLKの導通時に信号を出力する第1のロジック回路61と、クロック信号CLKの停止時に信号を出力する第2のロジック回路62とを備えて構成されている。第1のロジック回路61は、インバータ2aと、互いにソースドレインを介して直列に接続されたトランジスタ331、332、333およびNMOSトランジスタ334とを備え、第2のロジック回路62は、互いにソースドレインを介して直列に接続されたトランジスタ335、336と、NMOSトランジスタ337、338とを備える。クロック信号CLKは、第1のロジック回路61のトランジスタ332とNMOSトランジスタ334と、第2のロジック回路62のトランジスタ336、NMOSトランジスタ338とに入力される。イネーブル信号ENは、第1のロジック回路61のトランジスタ333、334、第2のロジック回路62のトランジスタ337、NMOSトランジスタ338とに入力される。トライステートインバータ60としての出力は、第1のロジック回路61のトランジスタ333のソースと、第2のロジック回路62のトランジスタ337のソースとの接続ノードN41からフリップフロップに与えられる。
図5は、第3の実施の形態に係り、図5(a)は、クロック供給回路内のトライステートインバータ60の回路図、図5(b)は、クロック供給回路の動作上の論理値表、図5(c)はクロック供給回路の全体を示す回路図である。実施の形態3のクロック供給回路は、トライステートインバータ60により構成される。このトライステートインバータ60は、クロック信号CLKの導通時に信号を出力する第1のロジック回路61と、クロック信号CLKの停止時に信号を出力する第2のロジック回路62とを備えて構成されている。第1のロジック回路61は、インバータ2aと、互いにソースドレインを介して直列に接続されたトランジスタ331、332、333およびNMOSトランジスタ334とを備え、第2のロジック回路62は、互いにソースドレインを介して直列に接続されたトランジスタ335、336と、NMOSトランジスタ337、338とを備える。クロック信号CLKは、第1のロジック回路61のトランジスタ332とNMOSトランジスタ334と、第2のロジック回路62のトランジスタ336、NMOSトランジスタ338とに入力される。イネーブル信号ENは、第1のロジック回路61のトランジスタ333、334、第2のロジック回路62のトランジスタ337、NMOSトランジスタ338とに入力される。トライステートインバータ60としての出力は、第1のロジック回路61のトランジスタ333のソースと、第2のロジック回路62のトランジスタ337のソースとの接続ノードN41からフリップフロップに与えられる。
クロック信号CLKの動作時には、イネーブル信号ENを論理値“1”にし、ロジック回路61からの信号をフリップフロップへ入力し、ロジック回路4からの信号を遮断させる。そして、クロック停止時には、イネーブル信号ENを論理値“0”、クロック信号も論理値“0”にし、第1のロジック回路61からの信号を遮断し、第2のロジック回路62からの固定信号をフリップフロップへ出力するようにする。従って、クロック信号CLKの停止時、クロック信号CLKの伝播遅延時間(スキュー)に影響を与えるトランジスタ331、332のNBTIによる劣化を削減することができる。
(第4の実施の形態)
図6は、第4の実施の形態に係るクロック供給回路の回路図である。図6(a)は、クロック供給回路内のトライステートインバータ70の回路図、図6(b)は、クロック供給回路の動作上の論理値表、図6(c)はクロック供給回路の全体を示す回路図である。実施の形態4のクロック供給回路は、トライステートインバータ70により構成される。トライステートインバータ70は、クロック信号CLKの導通時に信号を出力する第1のロジック回路71と、クロック信号CLKの停止時に信号を出力する第2のロジック回路72を備えて構成されている。第1のロジック回路71は、インバータ2c、多入力ゲート33,34、トランジスタ341、NMOSトランジスタ342とにより構成されている。第2のロジック回路72は、インバータ2b、多入力ゲート35,36、PMOSトランジスタ343、NMOSトランジスタ344とにより構成されている。クロック信号CLKとイネーブル信号ENは、それぞれ、第1のロジック回路71の多入力ゲート33、34と第2のロジック回路72の多入力ゲート35,36に入力される。トライステートインバータ70としての出力は、第1のロジック回路71と第2のロジック回路72の出力の接続ノードN41からフリップフロップに与えられる。
図6は、第4の実施の形態に係るクロック供給回路の回路図である。図6(a)は、クロック供給回路内のトライステートインバータ70の回路図、図6(b)は、クロック供給回路の動作上の論理値表、図6(c)はクロック供給回路の全体を示す回路図である。実施の形態4のクロック供給回路は、トライステートインバータ70により構成される。トライステートインバータ70は、クロック信号CLKの導通時に信号を出力する第1のロジック回路71と、クロック信号CLKの停止時に信号を出力する第2のロジック回路72を備えて構成されている。第1のロジック回路71は、インバータ2c、多入力ゲート33,34、トランジスタ341、NMOSトランジスタ342とにより構成されている。第2のロジック回路72は、インバータ2b、多入力ゲート35,36、PMOSトランジスタ343、NMOSトランジスタ344とにより構成されている。クロック信号CLKとイネーブル信号ENは、それぞれ、第1のロジック回路71の多入力ゲート33、34と第2のロジック回路72の多入力ゲート35,36に入力される。トライステートインバータ70としての出力は、第1のロジック回路71と第2のロジック回路72の出力の接続ノードN41からフリップフロップに与えられる。
クロック信号CLKの動作時には、イネーブル信号ENを論理値“1”にし、ロジック回路3からの信号をフリップフロップへ入力し、ロジック回路4からの信号を遮断させる。そして、クロック信号CLKの停止時には、イネーブル信号ENを論理値“0”にし、ロジック回路3からの信号を遮断し、ロジック回路4からの固定信号をフリップフロップへ出力するようにする。従って、クロック信号CLKの停止時、クロック信号CLKの伝播遅延時間(スキュー)に影響を与えるトランジスタ341、342のNBTIによる劣化を削減することができる。
なお、いずれの実施の形態においても、バッファに代えて、インバータの組み合わせにより回路を構成することが可能である。
また、いずれの実施の形態においても、NANDゲートとして2入力NANDゲートを用いるほうが回路規模が小さくなり、好ましい。
21 バッファ
22、32a、32b、32a´、32b´ 多入力ゲート
,42b フリップフロップ
22、32a、32b、32a´、32b´ 多入力ゲート
,42b フリップフロップ
Claims (9)
- 入力されたイネーブル信号に基づいてフリップフロップに対してクロック信号の供給とその供給の停止とを行うクロック供給回路であって、
入力されたクロック信号を伝播するバッファと、
前記バッファと前記フリップフロップとの間に配置されて、前記バッファから伝播されるクロック信号と、前記入力されるイネーブル信号とを入力し、前記入力されたクロック信号と前記入力されたイネーブル信号とのそれぞれの論理値の組み合わせによりクロック信号の動作と停止とのゲート動作を行う多入力ゲートとを備え、
前記フリップフロップに接続される多入力ゲート内の最終段のPMOSトランジスタをクロック信号の停止時にOFF状態にすることを特徴とするクロック供給回路。 - 前記多入力ゲートは、前記クロック信号をゲート入力とする第1のPMOSトランジスタと、前記イネーブル信号をゲート入力とする第2のPMOSトランジスタとを備え、かつ、前記イネーブル信号がクロック信号の停止を指定するときは前記第1のPMOSトランジスタをOFF状態でかつ前記第2のPMOSトランジスタをON状態でかつ前記フリップフロップに供給するクロック信号(出力信号)を前記第2のPMOSトランジスタでプルアップする一方、前記イネーブル信号がクロック信号の動作を指定するときは前記第2のPMOSトランジスタをOFF状態とすることを特徴とする請求項1に記載のクロック供給回路。
- 前記多入力ゲートが、2入力NANDゲートであることを特徴とする請求項2に記載のクロック供給回路。
- 入力されたイネーブル信号に基づいてフリップフロップに対してクロック信号の供給とその供給の停止とを行うクロック供給回路であって、
入力されるクロック信号をフリップフロップに伝播するバッファを備え、
このバッファが、
前記フリップフロップに接続されている第3のPMOSトランジスタとNMOSトランジスタとを備える第1のインバータと、
前記クロック信号が入力され、前記第1のインバータに信号を出力するもので、かつ、第4のPMOSトランジスタを備える第2のインバータと、
前記イネーブル信号が前記クロック信号の停止を指定するときには、前記第1のインバータにおける、前記第3のPMOSトランジスタをOFF状態にし、かつ、前記NMOSトランジスタのソースに接続される電源電位を上げる機能を持つ第1の電源制御回路と、
を備えることを特徴とするクロック供給回路。 - 前記第2のインバータの前記第4のPMOSトランジスタのソースに接続される電源電位を下げる機能を持つ第2の電源制御回路をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載のクロック供給回路。
- 前記第1のインバータの前記第3のPMOSトランジスタの閾値電圧が、前記第2のインバータのPMOSトランジスタの閾値電圧より低いことを特徴とする、請求項4または5に記載のクロック供給回路。
- 前記第1のインバータの前記第3のPMOSトランジスタのゲート酸化膜厚が、前記第2のインバータの前記第4のPMOSトランジスタのゲート酸化膜厚より薄いことを特徴とする、請求項4から6までのいずれか1項に記載のクロック供給回路。
- 入力されたイネーブル信号に基づいてフリップフロップに対してクロック信号の供給とその供給の停止とを行うクロック供給回路であって、
入力されるクロック信号を伝播するバッファと、
前記バッファと前記フリップフロップとの間に配置されて、前記バッファから入力されるクロック信号を前記フリップフロップに伝播する多入力ゲートとを備え、
前記バッファまたは前記多入力ゲートは、
前記クロック信号をゲート入力とし、かつ、前記イネーブル信号がクロック信号を供給するよう指定するときには、前記クロック信号を伝播する第1のトライステートインバータと、
前記クロック信号をゲート入力とし、かつ、前記イネーブル信号がクロック信号を停止するよう指定するときには、前記クロック信号を伝播し、且つ出力端子を前記第1のトライステートインバータの出力端子に接続した第2のトライステートインバータとを備え、
前記第1のおよび前記第2のトライステートインバータそれぞれの出力を前記フリップフロップに接続していることを特徴とするクロック供給回路。 - 入力されたイネーブル信号に基づいてフリップフロップに対してクロック信号の供給とその供給の停止とを行うクロック供給回路であって、
入力されたクロック信号を伝播するバッファと、
前記バッファと前記フリップフロップとの間に配置されて、前記バッファから入力されたクロック信号を前記フリップフロップに伝播する多入力ゲートとを備え、
前記バッファまたは前記多入力ゲートは、
前記クロック信号をゲート入力とし、かつ、イネーブル信号が有効なときに前記クロック信号を伝達する第3のトライステートバッファと、
前記クロック信号をゲート入力とし、かつ、イネーブル信号が無効なときに前記クロック信号を伝達しかつ出力端子を前記第3のトライステートバッファの出力端子に接続した第4のトライステートバッファとを備え、
前記第3のおよび第4のトライステートバッファそれぞれの出力を前記フリップフロップに接続したことを特徴とするクロック供給回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004204664A JP2006033058A (ja) | 2004-07-12 | 2004-07-12 | クロック供給回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004204664A JP2006033058A (ja) | 2004-07-12 | 2004-07-12 | クロック供給回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006033058A true JP2006033058A (ja) | 2006-02-02 |
Family
ID=35898934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004204664A Pending JP2006033058A (ja) | 2004-07-12 | 2004-07-12 | クロック供給回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006033058A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010193104A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Fujitsu Ltd | クロック生成回路 |
JP2012129851A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
US8872564B2 (en) | 2012-02-17 | 2014-10-28 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
US9344087B2 (en) | 2014-03-25 | 2016-05-17 | Sony Corporation | Clock tree unit cell circuit, clock tree, and apparatus |
-
2004
- 2004-07-12 JP JP2004204664A patent/JP2006033058A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010193104A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Fujitsu Ltd | クロック生成回路 |
JP2012129851A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
US8947971B2 (en) | 2010-12-16 | 2015-02-03 | Ps4 Luxco S.A.R.L. | Semiconductor device generating a clock signal when required |
US8872564B2 (en) | 2012-02-17 | 2014-10-28 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
US9030246B2 (en) | 2012-02-17 | 2015-05-12 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
US9344087B2 (en) | 2014-03-25 | 2016-05-17 | Sony Corporation | Clock tree unit cell circuit, clock tree, and apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7592839B2 (en) | Repeater circuit with high performance repeater mode and normal repeater mode, wherein high performance repeater mode has fast reset capability | |
US7391249B2 (en) | Multi-threshold CMOS latch circuit | |
US7915925B2 (en) | Scannable D flip-flop | |
US6262599B1 (en) | Level shifting CMOS I/O buffer | |
US20060220700A1 (en) | Flip-flop circuit having low power data retention | |
US6750680B2 (en) | Semiconductor integrated circuit, logic operation circuit, and flip flop | |
US7289375B2 (en) | Data holding circuit | |
KR20100014730A (ko) | 3볼트 어시스트를 갖는 5볼트 허용 집적회로 신호 패드 | |
US20040196082A1 (en) | Circuit arrangement | |
JP2006033058A (ja) | クロック供給回路 | |
US20070132495A1 (en) | Latch circuit and flip-flop | |
US6078196A (en) | Data enabled logic circuits | |
KR100446303B1 (ko) | Mtcmos용 클럭드 스캔 플립플롭 | |
US6310493B1 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
US10706916B1 (en) | Method and apparatus for integrated level-shifter and memory clock | |
JP2004336123A (ja) | 半導体集積回路 | |
US6741100B2 (en) | Semiconductor integrated circuit capable of high-speed circuit operation | |
Kwan et al. | Design of high-performance power-aware asynchronous pipelined circuits in MOS current-mode logic | |
JP2005197478A (ja) | 信号出力回路及び半導体装置 | |
JP2006352886A (ja) | タイミング感知用回路のための方法及びシステム | |
JP2007318230A (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2008070375A (ja) | 半導体集積回路 | |
US8621296B2 (en) | Integrated circuit devices having selectively enabled scan paths with power saving circuitry | |
US20090085628A1 (en) | Semiconductor device reducing leakage current of transistor | |
Kwan et al. | Design of multi-ghz asynchronous pipelined circuits in MOS current-mode logic |