JP2006032949A - 遠紫外線を用いた発光デバイス - Google Patents
遠紫外線を用いた発光デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006032949A JP2006032949A JP2005198114A JP2005198114A JP2006032949A JP 2006032949 A JP2006032949 A JP 2006032949A JP 2005198114 A JP2005198114 A JP 2005198114A JP 2005198114 A JP2005198114 A JP 2005198114A JP 2006032949 A JP2006032949 A JP 2006032949A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting device
- layer
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title abstract description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 20
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 12
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- WVHNUGRFECMVLQ-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-2-(2,4-dichlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=CC(Cl)=CC=C1C1=C(Cl)C=CC=C1Cl WVHNUGRFECMVLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNCIDSNKNZQJTJ-UHFFFAOYSA-N alumane;terbium Chemical compound [AlH3].[Tb] FNCIDSNKNZQJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- SAOPTAQUONRHEV-UHFFFAOYSA-N gold zinc Chemical compound [Zn].[Au] SAOPTAQUONRHEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- ORFSSYGWXNGVFB-UHFFFAOYSA-N sodium 4-amino-6-[[4-[4-[(8-amino-1-hydroxy-5,7-disulfonaphthalen-2-yl)diazenyl]-3-methoxyphenyl]-2-methoxyphenyl]diazenyl]-5-hydroxynaphthalene-1,3-disulfonic acid Chemical compound COC1=C(C=CC(=C1)C2=CC(=C(C=C2)N=NC3=C(C4=C(C=C3)C(=CC(=C4N)S(=O)(=O)O)S(=O)(=O)O)O)OC)N=NC5=C(C6=C(C=C5)C(=CC(=C6N)S(=O)(=O)O)S(=O)(=O)O)O.[Na+] ORFSSYGWXNGVFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 terbium yttrium aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【課題】遠紫外線（deep ultraviolet）を用いて、白色光を効率的に生成する。
【解決手段】光生成デバイスは、１６０から２９０ナノメートル（ｎｍ）の範囲の波長の光を放射する発光デバイス（１０１〜１０９、１１１〜１２０、１３１〜１３９、１１、５２、６３、７５）と、該発光デバイス（１０１〜１０９、１１１〜１２０、１３１〜１３９、１１、５２、６３、７５）の近傍に置かれた、白色光を放射する蛍光体材料（１２、１３、５４、６６、７６、７７）を備える。
【選択図】図４
【解決手段】光生成デバイスは、１６０から２９０ナノメートル（ｎｍ）の範囲の波長の光を放射する発光デバイス（１０１〜１０９、１１１〜１２０、１３１〜１３９、１１、５２、６３、７５）と、該発光デバイス（１０１〜１０９、１１１〜１２０、１３１〜１３９、１１、５２、６３、７５）の近傍に置かれた、白色光を放射する蛍光体材料（１２、１３、５４、６６、７６、７７）を備える。
【選択図】図４
Description
本発明は、遠紫外線を用いて光を生成するデバイスおよび方法に関する。
従来の単一チップの発光ダイオード（ＬＥＤ）は、高い純度の単色光を放射する。放射される光の典型的な色は、純粋な青、純粋な緑、純粋な黄色、又は純粋な赤である。白色ＬＥＤは、このＬＥＤチップを、蛍光体と呼ばれる光ルミネセンス材料(photoluminescent material)と組み合わせることにより生成される。
一般に白色光を作るには、青色ＩｎＧａＮ ＬＥＤを、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）ベースの蛍光体、ＹＡＧベースの蛍光体の変形形態(variations)、テルビウム・イットリウム・アルミニウム・ガーネット・ベースの蛍光体、又は、テルビウム・イットリウム・アルミニウム・ガーネット・ベースの蛍光体の変形形態と共に使用する。青色ＬＥＤが発するピーク波長は、典型的には、４６０〜４８０ナノメートル（ｎｍ）の範囲である。
遠紫外線（deep ultraviolet）を用いて、白色光を効率的に放射する手法が望まれている。
本発明の一実施例によれば、光放射デバイスは、１６０ｎｍ〜２９０ｎｍ範囲の波長を持つ光を放射する発光デバイスを含む。白色発光蛍光体材料は、該発光デバイスの近くに配置される。
開示する本発明の実施例においては、１６０ｎｍ〜２９０ｎｍ範囲の波長を持ち、典型的には５０ミリワットの最大ＬＥＤチップ出力を持つ遠紫外線（deep ultraviolet,ＵＶ）の発光ダイオード（ＬＥＤ）が、蛍光体材料と共に用いられ、白色光を効率的に放射する。遠紫外線の利用により、良好な色点の再現性(color point repeatability)と、９０を超える優れた演色評価数（color rendering index:ＣＲＩ）が提供される。遠紫外線の利用はまた、放射される白色光について、より良好な色合わせ(color matching)を可能とする。
本発明の様々な実施例においては、遠紫外線ソリッドステート半導体チップが、基板に設けられた反射面を持つキャビティ中に搭載される。蛍光体材料は、その発光面に接するように、またはその近傍に配置される。チップ基板から放射された光は、蛍光体界面を通過し、ここで、放射された遠紫外線波長は、蛍光体材料を励起して、白色光の二次放射(secondary emission)を生成するのに用いられる。蛍光体材料は、コーティングされた形態で、または、マトリクス状またはコロイド状のペースト(colloidal paste)に分散された形態で、または、コンフォーマルにコーティングされた粉末(powder conformably coated)の形態で、遠紫外線ＬＥＤに接するよう配置されることができる。ソリッドステート半導体(solid state semiconductor)の遠紫外線ＬＥＤは、発光活性層の配向に応じて該発光活性層の下又は上にある反射ミラーを備えた、Ｐアップ(P-up)型、Ｎアップ(N-up)型、ＰアップおよびＮアップ型（Ｐ−Ｎ）、またはフリップチップタイプのダイ構成の、１つまたは複数のチップであることができる。遠紫外線ＬＥＤによって放射される光の波長は、１６０ｎｍ〜２９０ｎｍの範囲とすることができる。
図１〜図３は、遠紫外線ＬＥＤ向けの様々なダイ構成を描いたものである。なお、これらは、様々な構成において本発明を広く応用することができることを説明するよう意図したものであり、本発明の範囲を限定することを意図したものではない。ダイ構成のより詳細は、例えばＧ．Ｂ．Ｓｔｒｉｎｇｆｅｌｌｏｗ ＆ Ｍ．Ｇｅｏｒｇｅ Ｃｒａｗｆｏｒｄ著、“Ｈｉｇｈ Ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ” Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ａｎｄ Ｓｅｍｉｍｅｔａｌｓ，ｖｏｌ．４８，Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ，１９９７を参照されたい。
図１は、遠紫外線発光デバイスのためのＰアップ型のダイ構成を示す。層１０１は、Ｎ型の接触材料から構成されている。例えば、層１０１は、金−亜鉛（Ａｕ−Ｚｎ）である。層１０２は、緩衝結合層(buffer tie layer)である。層１０３は、例えば、ガリウム−窒素（ＧａＮ）から成るＮ型にドーピングされた層で、例えば約１００〜１８０マイクロメートル（μｍ）の厚さを持つ。層１０４は、ブラグ屈折器(Bragg refractor)を形成している。例えば、層１０４は、約１．５〜２．０ナノメートル（ｎｍ）厚である。層１０５は、例えばＧａＮから成るＮ型にドーピングされた層である。層１０６は、約１５〜２０μｍ厚の、Ｎ型にドーピングされた層である。層１０７は、例えば活性層である。層１０７は、例えば約２〜２０ｎｍ厚である。層１０８は、例えばＧａＮから成る、Ｐ型にドーピングされた層である。層１０８は、例えば３０〜５０μｍ厚である。領域１０９は、例えばニッケル−金（Ｎｉ−Ａｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）のような、Ｐ型接触金属である。矢印１１０は、光路の一例を示している。
図２は、遠紫外線の発光デバイスのＰアップおよびＮアップ型（Ｐ−Ｎ）のダイ構成を描いたものである。層１１１は、厚さを変えることができる基板であり、例えばシリコンから成る。層１１２は、緩衝結合層である。層１１３は、例えばＧａＮから成る、Ｎ型にドーピングされた層である。領域１１４は、チタン−アルミニウム（Ｔｉ−Ａｌ）又はＡｕ−Ｚｎのような、Ｎ型接触金属材料である。層１１５は、例えばＧａＮから成る、Ｎ型にドーピングされた層であり、例えば約１００〜１８０μｍの厚さを持っている。層１１６は、ブラグ屈折器を形成している。層１１６は、例えば約１．５〜２．０ｎｍ厚である。層１１７は、約１５〜２０μｍ厚の、Ｎ型にドーピングされた層である。層１１８は、例えば活性層である。層１１８の厚さは、例えば約２〜２０ｎｍである。層１１９は、例えばＧａＮから成る、Ｐ型にドーピングされた層である。層１１９の厚さは、例えば３０〜５０μｍである。領域１２０は、ニッケル−金（Ｎｉ−Ａｕ）又は金−ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ）のような、Ｐ型接触金属から成る。矢印１２１は、光経路の一例を示している。
図３は、遠紫外線の発光デバイスのＰアップおよびＮアップ型（Ｐ−Ｎ）で、フリップチップタイプでもあるダイ構成を描いたものである。層１３１は、厚さを変えることができる基板であり、例えばサファイアから成る。層１３２は、緩衝結合層である。層１３３は、例えばＧａＮから成る、Ｎ型にドーピングされた層である。領域１３４は、Ｔｉ−Ａｌ又はＡｕ−Ｚｎのような、Ｎ型接触金属材料から成る。層１３５は、例えばＧａＮから成る、Ｎ型にドーピングされた層であり、例えば約１００〜１８０μｍの厚さを持っている。層１３６は、約１５〜２０μｍの厚さのＮ型にドーピングされた層である。層１３７は、例えば活性層である。層１３７の厚さは、例えば２〜２０ｎｍである。層１３８は、例えばＧａＮから成るＰ型にドーピングされた層である。層１３８の厚さは、例えば３０〜５０μｍである。領域１３９は、Ｎｉ−Ａｕ又はＡｕ−ＧｅのようなＰ型接触金属から成る。矢印１４０は光経路の一例を示している。
図４は、液体封入エポキシ(liquid encapsulation epoxy)１３、ピン１４、及びピン１５を含むスルーホールランプ(through-hole lamp)を描いたものである。発光デバイス１１は、スルーホールランプの反射性カップ領域(reflective cup area)１０内に搭載されている。発光デバイス１１は、蛍光体材料を含むエポキシ１２により覆われている。例えば、エポキシ１２は、ＹＡＧベースの蛍光体、ＹＡＧベースの蛍光体の変形形態、テルビウム・アルミニウム・ガーネット（ＴＡＧ）ベースの蛍光体、又はＴＡＧベースの蛍光体の変形形態を含む液体エポキシである。他の蛍光体の混合物を利用することも可能である。例えば、米国特許第６，６２１，２１１Ｂ１号を参照されたい。発光デバイス１１は、例えば、波長が１６０ｎｍ〜２９０ｎｍ範囲の光を放射する遠紫外線発光ダイオード（ＬＥＤ）である。代替的に、蛍光体材料は、例えば封入エポキシ１３中のどこか、或いは封入エポキシ１３を囲むシェル上等、他の位置にあっても良い。
図５は、ＰＣＢ５１の反射性カップ領域５０内において表面実装された発光デバイス５２を描いたものである。ワイヤ５３は、発光デバイス５２及びＰＣＢ５１の間を接続している。エポキシ５４は、蛍光体材料を含んでいる。例えば、エポキシ５４は、ＹＡＧベースの蛍光体、ＹＡＧベースの蛍光体の変形形態、ＴＡＧベースの蛍光体、又はＴＡＧベースの蛍光体の変形形態を含む液体エポキシである。他の蛍光体混合物を利用することも可能である。成形材料５５が、エポキシ５４上に設けられている。発光デバイス５２は、例えば１６０ｎｍ〜２９０ｎｍ範囲の波長を持つ光を放射する遠紫外線発光ダイオード（ＬＥＤ）である。
図６は、リードフレームの一部分６１上に表面実装された発光デバイス６３を描いたものである。ワイヤ６４は、発光デバイス６３及びリードフレーム部分６１の間を接続している。ワイヤ６５は、発光デバイス６３及びリードフレーム部分６２間を接続している。エポキシ６６は、蛍光体材料を含んでいる。例えば、エポキシ６６は、ＹＡＧベースの蛍光体、ＹＡＧベースの蛍光体の変形形態、ＴＡＧベースの蛍光体、又はＴＡＧベースの蛍光体の変形形態を含む液体エポキシである。他の蛍光体混合物を利用することも可能である。発光デバイス６３は、例えば１６０ｎｍ〜２９０ｎｍ範囲の波長を持つ光を放射する遠紫外線発光ダイオード（ＬＥＤ）である。
図７は、ＰＣＢ基板７１の反射性カップ領域７０内におけるヒートシンク(heat sink)７４上に搭載された発光デバイス７５を描いたものである。ＰＣＢ基板７１中を延びるバイア７２が、接点７３間を接続している。図示したように、発光デバイス７５と接点７３との間は、ワイヤ７８により接続されている。エポキシ７６及び／又は封入エポキシ７７は、蛍光体材料を含む。例えば、エポキシ７６は、ＹＡＧベースの蛍光体、ＹＡＧベースの蛍光体の変形形態、ＴＡＧベースの蛍光体、又はＴＡＧベースの蛍光体の変形形態を含む液体エポキシである。他の蛍光体混合物を利用することも可能である。発光デバイス７５は、例えば１６０ｎｍ〜２９０ｎｍ範囲の波長を持つ光を放射する遠紫外線発光ダイオード（ＬＥＤ）である。
上述した説明は、本発明の一部の手法及び実施例を開示、説明したものに過ぎない。当業者には明らかなように、本発明を、その精神又は本質的特性から離れることなく他の形態で実現することが可能である。よって本発明の本開示は、説明目的に限られたものであり、本発明の範囲を限定するものではなく、本発明の範囲は、特許請求の範囲により定められるものである。
１０、５０、７０：キャビティ
１１、５２、７５：ソリッドステート半導体チップ
１２、１３、５４、６６、７６、７７：白色光放射蛍光体材料
１０１〜１０９、１１１〜１２０、１３１〜１３９、１１、５２、６３、７５：発光デバイス
１１、５２、７５：ソリッドステート半導体チップ
１２、１３、５４、６６、７６、７７：白色光放射蛍光体材料
１０１〜１０９、１１１〜１２０、１３１〜１３９、１１、５２、６３、７５：発光デバイス
Claims (9)
- 光生成デバイスであって、
１６０から２９０ナノメートル（ｎｍ）の範囲の波長の光を放射する発光デバイス（１０１〜１０９、１１１〜１２０、１３１〜１３９、１１、５２、６３、７５）と、
前記発光デバイス（１０１〜１０９、１１１〜１２０、１３１〜１３９、１１、５２、６３、７５）の近傍に置かれた、白色光を放射する蛍光体材料（１２、１３、５４、６６、７６、７７）と、
を備える、光生成デバイス。 - 前記発光デバイス（１０１〜１０９、１１１〜１２０、１３１〜１３９、１１、５２、６３、７５）は、基板における、反射面を持つキャビティ（１０、５０、７０）に取り付けられたソリッドステート半導体チップを含む、
請求項１に記載の光生成デバイス。 - 前記蛍光体材料（１２、１３、５４、６６、７６、７７）は、
コーティングされた形態、
マトリクス状に分散された形態、
コロイド状のペースト中に分散された形態、および、
コンフォーマルにコーティングされた粉末の形態、
のうちのいずれかの形態である、
請求項１に記載の光生成デバイス。 - 前記発光デバイス（１０１〜１０９、１１１〜１２０、１３１〜１３９、１１、５２、６３、７５）は、Ｐアップ型の構成、Ｎアップ型の構成、ＰアップおよびＮアップ型の構成、およびフリップチップの構成、のうちのいずれかの構成を持つソリッドステート半導体チップを含む、
請求項１に記載の光生成デバイス。 - 前記白色光を放射する蛍光体材料（１２、１３、５４、６６、７６、７７）は、前記発光デバイス（１０１〜１０９、１１１〜１２０、１３１〜１３９、１１、５２、６３、７５）に接触している、
請求項１に記載の光生成デバイス。 - 白色光を生成するための方法であって、
１６０から２９０ナノメートル（ｎｍ）の範囲の波長を持つ光を放射するステップと、
前記１６０から〜２９０ｎｍの範囲の波長を持つ放射光を、蛍光体材料（１２、１３、５４、６６、７６、７７）によって受光し、該蛍光体材料（１２、１３、５４、６６、７６、７７）から白色光を放射するステップと、
を含む、方法。 - 前記１６０〜２９０ｎｍの範囲の波長の光は、基板における、反射面を持つキャビティ（１０、５０、７０）に取り付けられたソリッドステート半導体チップ（１１、５２、７５）から放射される、
請求項６に記載の方法。 - 前記蛍光体材料（１２、１３、５４、６６、７６、７７）は、
コーティングされた形態、
マトリクス状に分散された形態、
コロイド状のペースト中に分散された形態、および
コンフォーマルにコーティングされた粉末の形態、
のうちのいずれかの形態にある、
請求項６に記載の方法。 - 前記１６０から２９０ｎｍの範囲の波長の光は、Ｐアップ型の構成、Ｎアップ型の構成、ＰアップおよびＮアップ型の構成、およびフリップチップの構成、のうちのいずれかの構成を持つソリッドステート半導体チップから放射される、
請求項６に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/889,244 US20060006793A1 (en) | 2004-07-12 | 2004-07-12 | Deep ultraviolet used to produce white light |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006032949A true JP2006032949A (ja) | 2006-02-02 |
Family
ID=35540601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005198114A Pending JP2006032949A (ja) | 2004-07-12 | 2005-07-06 | 遠紫外線を用いた発光デバイス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060006793A1 (ja) |
| JP (1) | JP2006032949A (ja) |
| CN (1) | CN1722479A (ja) |
| DE (1) | DE102005014457A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013115435A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Lg Innotek Co Ltd | 紫外線半導体発光素子 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090176287A1 (en) * | 2005-02-24 | 2009-07-09 | Regents Of The University Of Minnesota | Producing carotenoids |
| DE102007001706A1 (de) * | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für optoelektronisches Bauelement und Anordnung eines optoelektronischen Bauelementes in einem Gehäuse |
| WO2008151009A1 (en) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Lumination Llc | Environmentally robust lighting devices and methods of manufacturing same |
| DE102007060206A1 (de) * | 2007-12-14 | 2009-06-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterbauelement |
| US8410681B2 (en) * | 2008-06-30 | 2013-04-02 | Bridgelux, Inc. | Light emitting device having a refractory phosphor layer |
| KR101946917B1 (ko) | 2012-06-08 | 2019-02-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 제조방법 |
| TWI763643B (zh) * | 2016-11-22 | 2022-05-11 | 國立研究開發法人情報通信研究機構 | 具備發射深紫外光之半導體發光元件的發光模組 |
| KR20190085950A (ko) | 2016-11-22 | 2019-07-19 | 코쿠리츠켄큐카이하츠호진 죠호츠신켄큐키코 | 심자외광을 방사하는 반도체 발광 소자를 구비하는 발광 모듈 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19638667C2 (de) * | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
| EP1099258B1 (de) * | 1998-06-30 | 2013-08-14 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Lichtquelle zur erzeugung sichtbaren lichts |
| US6204523B1 (en) * | 1998-11-06 | 2001-03-20 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range |
| JP2001177145A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US6483196B1 (en) * | 2000-04-03 | 2002-11-19 | General Electric Company | Flip chip led apparatus |
| US6621211B1 (en) * | 2000-05-15 | 2003-09-16 | General Electric Company | White light emitting phosphor blends for LED devices |
| US6555958B1 (en) * | 2000-05-15 | 2003-04-29 | General Electric Company | Phosphor for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light |
| JP4101468B2 (ja) * | 2001-04-09 | 2008-06-18 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| US6686676B2 (en) * | 2001-04-30 | 2004-02-03 | General Electric Company | UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same |
| US6576488B2 (en) * | 2001-06-11 | 2003-06-10 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor |
| CA2427559A1 (en) * | 2002-05-15 | 2003-11-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | White color light emitting device |
| DE102004003135A1 (de) * | 2003-02-20 | 2004-09-02 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Beschichteter Leuchtstoff und lichtemittierende Vorrichtung mit derartigem Leuchtstoff |
| US7284871B2 (en) * | 2005-08-08 | 2007-10-23 | Avago Technologies Ecb4 Ip (Singapore) Pte Ltd | Light-emitting diode module for flash and auto-focus application |
-
2004
- 2004-07-12 US US10/889,244 patent/US20060006793A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-03-30 DE DE102005014457A patent/DE102005014457A1/de not_active Ceased
- 2005-04-01 CN CNA2005100598938A patent/CN1722479A/zh active Pending
- 2005-07-06 JP JP2005198114A patent/JP2006032949A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013115435A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Lg Innotek Co Ltd | 紫外線半導体発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060006793A1 (en) | 2006-01-12 |
| CN1722479A (zh) | 2006-01-18 |
| DE102005014457A1 (de) | 2006-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4359195B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット | |
| TWI400819B (zh) | 用於線光源之發光二極體模組 | |
| US7846754B2 (en) | High power light emitting diode package and method of producing the same | |
| JP2006032949A (ja) | 遠紫外線を用いた発光デバイス | |
| JP4417906B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| TWI523273B (zh) | 具有對比面之發光二極體封裝體 | |
| JP2007035802A (ja) | 発光装置 | |
| US20080067534A1 (en) | Light emitting device | |
| JP2007242856A (ja) | チップ型半導体発光素子 | |
| JP4353196B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2006108640A (ja) | 発光装置 | |
| JP2010056277A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| JP2008010872A (ja) | 上面熱消散手段を有するｌｅｄデバイス | |
| JP2007080990A (ja) | 発光装置 | |
| JP2007073575A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2007066939A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2005136420A (ja) | 発光効率が高い発光デバイス | |
| JP4815843B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2007194525A (ja) | 半導体発光装置 | |
| TWI458140B (zh) | 發光裝置封裝元件 | |
| KR100849828B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
| JP2005332951A (ja) | 発光装置 | |
| JP4534513B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2007324204A (ja) | 発光装置 | |
| JP2009177188A (ja) | 発光ダイオードパッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070326 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070410 |