JP2006030020A - プローブカード及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 被検査体の電極又は接続端子部と確実に接触して電気特性を効率的に検査できると共に、繰り返し使用に耐え得るプローブカード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプローブカード１Ａは、プローブカード本体２と、該プローブカード本体２の一方の表面に突出して設けられた保持部３と、該保持部３を介して該プローブカード本体２と接合されているプローブ４と、を備えるプローブカードであって、上記プローブ４は、梁部４２と、該梁部４２の上記プローブカード本体２側とは反対の方向に突出するように設けられ、被検査体と電気的に接触する接触子４１と、を備え、該梁部４２の端部が上記保持部３を介して上記プローブカード本体２と接合されており、該梁部４２は、上記プローブカード本体２の表面Ｓ１から離反して間隙部５を有する状態で配置されており、上記間隙部５には、高分子材料層６が形成されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電子部品の電極又は端子部に接続して、当該電子部品の導通状態又はその電気特性を検査するプローブカード及びその製造方法に関する。

従来より、被検査体、例えば半導体ウエハ等に多数形成されたメモリ回路やロジック回路等の半導体素子の電気的特性検査を行うために、プローブカードが用いられている。このプローブカードは、通常、プローブカード本体と、検査用電極と電気的に接触する接触子及び接触子を先端で片持ち支持する梁部を有し、上記接触子が被検査体の検査用電極の配列パターンと同一の配列パターンになるように上記プローブカード本体上に形成されているプローブとからなる。そして、上記プローブを構成する梁部のたわみを利用した押圧力により、検査用電極をこすって上記接触子と検査用電極とが接触し、これにより、電子部品の導通特性又は電気特性を検査することができる。

最近では、ＩＣチップの高集積化によって、電極パッドの配列が狭ピッチ化している。これに伴って、プローブの配列も狭ピッチ化している。そこで、このようなプローブの狭ピッチ化に対応させた微細なプローブカードが、例えば、下記特許文献１〜３に開示されている。下記特許文献１〜３に開示されている技術は、いずれも、リソグラフィー技術を利用して、複数の検査用電極の配列に対応した複数のプローブをセラミックスやシリコン等からなるプローブカード本体の表面に一括して形成する技術である。

特開平１１−１３３０６２号公報 特開平８−５０１４６号公報 特開２００３−２１５１６１号公報

従来のプローブカードでは、上記のように、上記プローブを構成する梁部のたわみを利用した押圧力により、上記接触子と検査用電極とを接触させて、検査効率を向上させるものである。しかし、プローブカードによる検査は繰り返し行われることから、プローブを構成する梁部には、その度たわみが加わる。また、被検査体の状態によっては、上記プローブには過度の押圧力が加わることがある。その結果、過度の押圧力や梁部４２のたわみにより、プローブ４が損傷するおそれがある。そして、プローブの梁部が破損すれば、プローブを交換しなければならないが、プローブを頻繁に交換していては、その作業に手間がかかる上、検査効率の低下を招くという問題がある。これを防ぐために、耐久性に優れた材料をプローブの梁部として用いることも考えられるが、そうすると、プローブの梁部として使用できる材料が限定されてしまうという問題点がある。

本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、ＩＣ等の高集積化された電子部品の導通特性又は電気特性を効率的に検査する事ができると共に、対応する被検査部品の電極又は接続端子部のそれぞれと確実に接触することができ、更に繰り返し使用に耐え得るプローブカードを提供することを目的とする。また、本発明は、かかるプローブカードを、効率よく製造することができるプローブカード製造方法を提供することを目的とする。

本発明は以下の通りである。
〔１〕プローブカード本体と、該プローブカード本体の一方の表面に突出して設けられた保持部と、該保持部を介して該プローブカード本体と接合されているプローブと、を備えるプローブカードであって、
上記プローブは、梁部と、該梁部の上記プローブカード本体側とは反対の方向に突出するように設けられ、被検査体と電気的に接触する接触子と、を備え、該梁部の端部が上記保持部を介して上記プローブカード本体と接合されており、該梁部は、上記プローブカード本体の表面に沿って、上記プローブカード本体の表面から離反して間隙部を有する状態で配置されており、上記間隙部には、高分子材料層が形成されていることを特徴とするプローブカード。
〔２〕プローブカード本体と、該プローブカード本体の一方の表面に接合されているプローブと、を備えるプローブカードであって、
上記プローブは、梁部と、該梁部の上記プローブカード本体側とは反対の方向に突出するように設けられ、被検査体と電気的に接触する接触子と、を備え、上記プローブカード本体の少なくとも上記プローブが配置されている表面には凹部溝が形成され、上記プローブの一部は、上記凹部溝により、上記プローブカード本体の表面から離反して配置されており、上記凹部溝と上記梁部との間に形成された間隙部には、高分子材料層が形成されていることを特徴とするプローブカード。
〔３〕上記プローブは梁部間隙部を少なくとも１つ有し、且つ、上記梁部間隙部の少なくとも１つには、梁部間高分子材料層が形成されている上記〔１〕又は〔２〕記載のプローブカード。
〔４〕上記高分子材料層のＪＩＳ Ｋ６２５３で測定したＪＩＳ Ａ硬度は４０〜９８である上記〔１〕乃至〔４〕のいずれかに記載のプローブカード。
〔５〕上記〔１〕記載のプローブカードの製造方法であって、上記プローブカード本体の上記プローブを設ける側の表面に高分子材料層を積層することにより、上記間隙部に高分子材料層を形成することを特徴とするプローブカードの製造方法。
〔６〕上記〔２〕記載のプローブカードの製造方法であって、上記凹部溝の表面に高分子材料層を積層することにより、上記間隙部に高分子材料層を形成することを特徴とするプローブカードの製造方法。
〔７〕上記高分子材料層は、上記高分子材料層を構成する高分子材料を含む含有液を上記プローブカード本体の表面に塗布し、次いで乾燥することにより形成する上記〔５〕記載のプローブカードの製造方法。
〔８〕上記高分子材料層は、コーティング法、キャスト法、プレス法、押出法、射出成形法、又はインフレーション法によって形成する上記〔５〕又は〔６〕記載のプローブカードの製造方法。

本発明のプローブカードは、被検査体の電極又は接続端子部の表面配置位置が変動していたり、その表面が変形している場合でも、プローブの梁部のたわみ及びエラストマー層の弾性力に起因する所定の押圧力の下に、プローブの接触子を確実に接触することができる。しかも、被検査体の電極又は接続端子部にアルミナ被膜等の不導膜が形成されていても、かかる押圧力により、プローブの接触子が不導膜を削ることができる。その結果、検査不良が発生する事がなく、検査効率を大幅に向上させる事が可能となる。更に、上記エラストマー層の弾性力により、適度な押圧力をプローブに加えることができる。その結果、プローブの接触子と被検査体の電極又は接続端子とが接触する際、上記プローブに加わる押圧力を適正な範囲に維持することができると共に、過度の押圧力や梁部のたわみにより、プローブが損傷することを防止することができる。
本発明のプローブカードの製造方法は、上記の利点を有するプローブカードを、簡易且つ効率よく製造することができる。

以下、本発明を詳しく説明する。
（１）プローブカード
本発明のプローブカードの一例を図１に示す。本発明のプローブカード１Ａは、適宜の配線が形成されたプローブカード本体２と、該プローブカード本体２の一方の表面Ｓ１に突出して設けられた保持部３と、該保持部３を介して該プローブカード本体２と接合されているプローブ４と、を備える。そして、該プローブ４は、被検査体と電気的に接触する接触子４１と、該接触子４１が一部に設けられている梁部４２と、を備え、該梁部４２の端部が上記保持部３を介して上記プローブカード本体１と接合されており、該梁部４２は、上記プローブカード本体２の表面に沿って、上記プローブカード本体２の表面から離反して間隙部５を有する状態で配置されており、上記間隙部５には、高分子材料層層６が形成されている。

また、他の本発明のプローブカードの一例を図２に示す。他の本発明のプローブカード１Ｂは、プローブカード本体２と、該プローブカード本体２の一方の表面に接合されているプローブ４と、を備える。そして、該プローブ４は、梁部４２と、該梁部の上記プローブカード本体側とは反対の方向に突出するように設けられ、被検査体と電気的に接触する接触子４１と、を備え、上記プローブカード本体２の少なくとも上記プローブが配置されている表面には凹部溝７が形成され、上記プローブ４の一部は、上記凹部溝７により、上記プローブカード本体の表面から離反して配置されており、上記凹部溝７と上記梁部４２との間に形成された間隙部５には、高分子材料層が形成されている。

上記プローブカード本体２の構成、大きさ、材質等については特に限定はなく、必要に応じて適宜選択することができる。上記プローブカード本体は、印刷基板である事が望ましい。また、上記プローブカード本体２の上記プローブ４が配置される表面Ｓ１とは反対側の表面Ｓ２に、上記梁部４２と、導電性部材２１が充填された適宜のビアホール２２を介して電気的に接続された配線部が形成されているものとすることができる。

また、図２に示すように、他の本発明のプローブカード１Ｂでは、上記プローブカード本体２の上記プローブ４が設けられる側の表面に、凹部溝７が形成される。他の本発明のプローブカード１Ｂでは、上記凹部溝７を形成することにより、本発明のプローブカード１Ａの上記保持部３を有していなくても、上記プローブカード本体２と上記プローブ４との間に間隙部５を形成することができる。上記凹部溝７の形状、深さ等は、上記プローブカード本体２と上記プローブ４との間に間隙部５を形成することができる限り特に限定はなく、必要に応じて種々の形状及び深さとすることができる。

本発明のプローブカードの上記保持部３は、上記プローブカード本体２の表面から離反した状態で、上記プローブ４を保持できる限り、その材質、個数、大きさ及び高さに特に限定はなく、被検査体の種類、プローブの種類等に応じて適宜選択することができる。上記保持部３の高さは、例えば３０μｍであるが、必要に応じて、例えば１０〜２００μｍ、好ましくは１５〜１５０μｍ、更に好ましくは２０〜１００μｍとすることができる。それぞれの保持部３の高さは、互いに等しくなるように設定されていることが望ましい場合もある。更に、上記保持部３の材質としては、通常はニッケル又は白金等の単一金属材料が挙げられるが、その他、パラジウムでコートされたニッケル等、合金や２種以上の金属で構成される金属材料等が挙げられる。また、上記保持部３は、通常は、図１に示すように、１つのプローブに対して１つとなるように設けられるが、図３に示すように、１つのプローブに対して２以上となるように設けてもよい。また、上記保持部３が１つのプローブに対して２以上ある場合、その全てが上記プローブカード本体２に固定されていてもよいが、少なくとも１つは上記プローブカード本体２に固定されていればよい。その場合、残りの保持部３は、上記プローブカード本体２に固定されていない自由端となる。

上記プローブ４は、被検査体と電気的に接触する接触子４１と、該接触子４１が一部に設けられている梁部４２と、を備え、上記保持部３を介して上記プローブカード本体２と接合されている。上記プローブ４は、上記の構成を有することにより、プローブの梁部４２のたわみに起因する適度の押圧力が接触子４１に加わる。その結果、上記接触子４１は、被検査体の電極又は接続端子部の表面配置位置が変動していたり、その表面が変形している場合でも、上記プローブ４の接触子４１を確実に接触することができる。しかも、被検査体の電極又は接続端子部にアルミナ被膜等の不導膜が形成されていても、かかる押圧力により、上記プローブ４の接触子４１が不導膜を削ることができる。その結果、検査不良が発生することがなく、検査効率を大幅に向上させることができる。

上記プローブ４の保持形態は、プローブカード本体２の表面から離反して間隙部５を有する状態で配置することができる限り特に限定はない。本発明のプローブカードでは、通常は、図１に示すように、梁部４２の片側端部で保持部３によって保持する片持方式によって保持されるが、図３に示すように、梁部４２の両側端部で保持部３によって保持する両側把持方式で保持されてもよい。尚、両側把持方式の場合、梁部４２の少なくとも一方の端部と接する保持部３は、上記プローブカード本体２の表面Ｓ１上に固定して配置されている事が必要であるが、他の一方の当該保持部４２’は、必ずしも当該プローブカード本体２の表面Ｓ１上に固定されていなくてもよい。尚、ここで梁部４２の「端部」とは、完全に端の部分だけでなく、端から若干（上記梁部４２のプローブカード本体２の表面方向の長さの０．１〜２０％の長さ分、好ましくは１〜１０％の長さ分、更に好ましくは１〜５％の長さ分）中央側に寄っている部分も含む。

また、他の本発明のプローブカードでは、通常は、図２に示すように、梁部４２の片側端部で上記プローブカード本体２と接合する片持方式によって保持されるが、上記図３と同様に、梁部４２の両側端部で上記プローブカード本体２と接合する両側把持方式で保持されてもよい。尚、上記プローブ４と上記プローブカード本体との接合は、通常は直接接合されているが、他部材を介して接合していてもよい。尚、上記のように、上記梁部４２の「端部」とは、完全に端の部分だけでなく、端から若干（上記梁部４２のプローブカード本体２の表面方向の長さの０．１〜２０％の長さ分、好ましくは１〜１０％の長さ分、更に好ましくは１〜５％の長さ分）中央側に寄っている部分も含む。

また、上記プローブ４は、通常は図１に示すように、上記プローブ４を構成する上記梁部４２と上記プローブカード本体２の表面Ｓ１との距離が等しくなるように保持されているが、上記保持部３と接続されている上記梁部４２の一端部から遠ざかるにつれて、上記梁部４２と上記プローブカード本体該プローブカード本体２の表面Ｓ１との間隔が大きくなるように保持したり（図４参照）、小さくなるように保持することもできる。

上記プローブ４の数及び配置状態については特に限定はなく、被検査体の種類、電極若しくは端子の配置状態又は配置パターンに応じて適宜変更することができる。例えば、上記プローブ４の接触子４１の間隔が５０〜４００μｍ、好ましくは１００〜３００μｍとなるように、上記プローブ４を配置することができる。また、上記プローブカード本体の１０ｍｍ×１０ｍｍの範囲内に、上記プローブ４の接触子４１の数が１００〜４０００個、好ましくは５００〜３０００個、更に好ましくは１０００〜２０００個となるように、上記プローブ４を配置することができる。

上記プローブ４は、被検査体と電気的に接触する接触子４１と、該接触子４１が一部に設けられている梁部４２と、を備える限り特にその形態に限定はない。通常は、図１に示すような棒状であるが、その他、例えば、図５（ａ）に示すようなクランク状、図５（ｂ）に示すような湾曲状等が挙げられる。

上記プローブ４が、図５（ａ）及び（ｂ）に示すような形態の場合、上記梁部４２の間には、梁部間隙部４３が形成される。該梁部間隙部４３は、上記プローブカード本体２の略表面方向に延設されている２つの上記梁部４２の間に形成される空間である。上記梁部間隙部は１つでもよいが、２以上形成されていてもよい。また、上記梁部間隙部は、そのまま空間状態でも構わないが、図６に示すように、上記梁部間隙部４３の少なくとも１つには、梁部間高分子材料層４４を形成することができる。かかる梁部間高分子材料層４４を有することにより、上記プローブ４の各梁部４２に加わる押圧力を適正な範囲に維持し、上記接触子４１と被検査体の電極又は接続端子とを確実に接触させることにより、測定効率を向上させると共に、プローブ４が損傷することを防止することができるので好ましい。上記梁部間高分子材料層４４を構成する高分子材料は、以下に詳述する高分子材料層６の説明がそのまま妥当する。勿論、上記梁部間高分子材料層４４を構成する高分子材料と、以下に詳述する高分子材料層６を構成する高分子材料とは、同じ材質、物性の材料でもよく、異なる材質、物性の材料でもよい。尚、上記梁部間高分子材料層４４は、上記梁部間隙部４３に完全に充填されているように形成されていてもよいが、完全に充填されておらず、間隙を有する状態で形成されていてもよい。

上記梁部４２のプローブカード本体２の表面方向の長さ（図１のＬ１）及び厚さ（図１のＬ２）については特に限定はなく、要求される押圧力や被検査体の種類等に応じて種々の範囲に調整することができる。上記梁部４２のプローブカード本体２の表面方向の長さは、上記梁部４２を厚さ方向に変形させた場合に、永久変形しない範囲の変形量に基づいて設定することができる。例えば、上記変形量が２０μｍの場合、上記梁部４２のプローブカード本体２の表面方向の長さは通常２００〜４００μｍ程度、より好ましくは２００〜３００μｍ程度である。また、上記変形量が４０μｍの場合、上記梁部４２のプローブカード本体２の表面方向の長さは通常３００〜６００μｍ程度、より好ましくは３００〜４００μｍ程度である。更に、上記梁部４２の厚さは通常３〜４０μｍ、好ましくは５〜３０μｍ、更に好ましくは１０〜２５μｍである。かかる範囲とすることにより、耐久性を損なわない範囲で上記梁部を適当にたわませることができ、その結果、上記接触子４１に適度の押圧力を加えることができるので好ましい。

上記梁部４２を構成する材料の材質、物性については特に限定はなく、必要に応じて種々の材料、物性のものを用いることができる。特に、本発明のプローブカード及び他の本発明のプローブカードでは、後述のように、高分子材料層６の弾性力により、上記プローブ４の接触子４１と被検査体の電極又は接続端子とが接触する際、上記プローブ４に加わる押圧力を適正な範囲に維持することができると共に、過度の押圧力や梁部４２のたわみにより、プローブ４が損傷することを防止することができる。そのため、様々な材質、物性の材料を使用することができ、梁部４２を構成する材料及び物性の選択肢を広めることができる。

上記梁部４２を構成する材料のヤング率は、通常は１０〜１０００ＧＰａ、好ましくは１００〜５００ＧＰａ、更に好ましくは１５０〜３００ＧＰａである。また、上記梁部４２を構成する材料としては、例えば、ロジウム、パラジウム、白金、及びニッケル等が挙げられる。また、後述のように、上記梁部４２と上記接触子４１とが一体に形成されているプローブの場合、上記梁部４２は、互いに電気特性、物理特性を異にする少なくとも２層の膜体が積層されて構成されていてもよい。より具体的には、上記接触子４１及び上記梁部４２を構成する少なくとも２層を構成する膜体の内、上記接触子４１が、被検査体と直接接触する面を構成する第１の層は、ロジウム、パラジウム、又は白金で構成され、当該第１の層に接合する第２の層は、ニッケルで構成されているものとすることができる。

上記プローブ４を構成する上記接触子４１は、図１及び図２に示すように、上記プローブカード本体２の表面とは反対の方向に突出するように、上記梁部４２に設けられている。上記接触子４１は、上記梁部４２とは別部材として製造し、これを適宜の方法により接合して形成してもよく、あるいは、上記梁部４２の端部等の任意の箇所を屈曲等の変形をさせることにより、上記梁部４２と一体的に形成されていてもよい。例えば、図７に示すように、上記梁部４２の端部をＶ字型に屈曲させて、上記接触子４１とすることができる。また、上記接触子４１は、通常は図１及び図２に示すように、上記梁部４２に端部に設けられるが、本発明の作用効果を損なわない限り、上記梁部４２の任意の箇所に設けることができる。尚、上記梁部４２の「端部」には、完全に端の部分だけでなく、端から若干（上記梁部４２のプローブカード本体２の表面方向の長さの０．１〜２０％の長さ分、好ましくは１〜１０％の長さ分、更に好ましくは１〜５％の長さ分）中央側に寄っている部分も含む。

また、上記接触子４１の形状は、被検査体と電気的に接触することができる限り特に限定はない。上記接触子４１の形状としては、例えば、三角錐、四角錐等を含む多角錐、円錐及び半球等が挙げられる。また、上記接触子４１の側面から見た場合の断面の形状としては、Ｖ字型、Ｕ字型、又は球状等が挙げられる。また、上記接触子４１の先端は、鋭利な針状形状でもよく、あるいは、先端が曲面形状や面取りした多角形形状でもよい。更に、上記接触子４１は、その上方部が開放されている状態でもよい。この場合、その内部空間が中空の状態となるように構成されていてもよく、又は、その内部空間部が、所定の樹脂や金属等で充填されている構成でもよい。

本発明のプローブカード及び他の本発明のプローブカードでは、上記プローブ４と上記プローブカード本体２との間に間隙部５を有する。本発明のプローブカードでは、図１に示すように、上記保持部３によって、上記プローブ４が上記プローブカード本体２から離間して配置されることにより、上記間隙部５が形成されている。また、他の本発明のプローブカードでは、図２に示すように、上記プローブカード本体２のうち、上記プローブ４が設けられている箇所に凹部溝７を形成することにより、上記間隙部５が形成されている。ここで、上記凹部溝７を形成する方法には特に限定はなく、エッチング等により形成してもよく、あるいは物理的に切削等することにより形成してもよい。

本発明のプローブカード及び他の本発明のプローブカードでは、上記間隙部５に高分子材料層６が形成されている。該高分子材料層６は、通常は、図１及び図２に示すように、上記プローブカード本体２の表面Ｓ１に形成されているが、上記プローブ４を構成する上記梁部４２のプローブカード本体表面側に形成してもよい。また、上記高分子材料層６は、上記間隙部５に完全に充填されている状態となるように形成されていてもよく、あるいは、図１に示すように、上記間隙部５が残った状態となるように形成されていてもよい。本発明のプローブカード及び他の本発明のプローブカードでは、上記高分子材料層６の弾性力により、適度な押圧力を上記プローブ４に加えることができる。また、上記プローブ４の接触子４１と被検査体の電極又は接続端子とが接触する際、上記プローブ４に加わる押圧力を適正な範囲に維持することができると共に、過度の押圧力や梁部４２のたわみにより、プローブ４が損傷することを防止することができる。

上記高分子材料層６は、通常は図１に示すように単層構造であるが、２層以上の多層構造とすることができる。かかる構成とすることにより、上記高分子材料層６の物性、特に弾性率や硬度を適宜調整することができる。その結果、上記プローブ４に加わる押圧力を適正な範囲に維持し、上記接触子４１と被検査体の電極又は接続端子とを確実に接触させることにより、測定効率を向上させると共に、プローブ４が損傷することを防止することができるので好ましい。上記高分子材料層６が２層以上の多層構造の場合、各層の材料、物性は同じでもよく、異なっていてもよい。

上記高分子材料層を構成する上記高分子材料の物性については特に限定はなく、必要に応じて適宜選択することができる。例えば、上記高分子材料のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）でのポリスチレン換算の重量平均分子量は、通常は１０００〜３００万、好ましくは３０００〜１００万、更に好ましくは５０００〜７０万とすることができる。また、上記高分子材料のＪＩＳ Ｋ６２５３で測定したＪＩＳ Ａ硬度は、通常４０〜９８、好ましくは５０〜９５、更に好ましくは５５〜９０とすることができる。

上記高分子材料層を構成する上記高分子材料は、有機高分子材料でもよく、無機高分子材料でもよい。上記高分子材料としては、例えば、エラストマー（油展ゴムを含む）でもよく、樹脂でもよいが、特にエラストマーが好ましい。ここで、「エラストマー」は、重合体のみで構成されてもよいし、この重合体と他の成分とを含むエラストマー組成物から構成されるものであってもよい。上記エラストマー組成物に含有される重合体としては、ジエン系重合体及びその水素添加物、オレフィン系重合体、アクリル系重合体、ウレタン系重合体、ポリアミド系重合体、ポリエステル系重合体、塩化ビニル系重合体、フッ素系重合体、シリコーン系重合体等が挙げられる。これらは、１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。尚、上記重合体は、ランダム重合体であってもよいし、ブロック重合体であってもよい。また、官能基の１種以上を有する重合体であってもよい。

上記エラストマーとして具体的には、例えば、共役ジエンのブロック（共）重合体、芳香族ビニル化合物と共役ジエンとのブロック共重合体、共役ジエンのブロック（共）重合体の水素添加物、芳香族ビニル化合物と共役ジエンとのブロック共重合体の水素添加物、エチレン・α−オレフィン系共重合体、極性基変性オレフィン系共重合体、極性基変性オレフィン系共重合体と金属イオン及び／又は金属化合物とよりなるエラストマー、アクロルニトリル−ブタジエン系ゴム等のニトリル系ゴム、ブチルゴム、アクリル系ゴム、熱可塑性ポリオレフィンエラストマー（ＴＰＯ）、熱可塑性ポリウレタンエラストマー（ＴＰＵ）、熱可塑性ポリエステルエラストマー（ＴＰＥＥ）、ポリアミドエラストマー（ＴＰＡＥ）、ジエン系エラストマー（１，２−ポリブタジエン等）等の熱可塑性エラストマー、シリコーン系エラストマー、フッ素系エラストマー等を挙げることができる。

上記共役ジエンとしては、１，３−ブタジエン、イソプレン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、２−メチル−１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン、４，５−ジエチル−１，３−オクタジエン、クロロプレン等が挙げられる。これらのうち、１，３−ブタジエン、イソプレン及び１，３−ペンタジエンが好ましく、特に１，３−ブタジエン及びイソプレンが好ましい。尚、上記例示した化合物は、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの共役ジエンを用いたブロック共重合体としては、２つ以上のブタジエン重合体ブロックを有するポリブタジエン、２つ以上のイソプレン重合体ブロックを有するポリイソプレン、又はブタジエン−イソプレン−ブタジエンブロック共重合体等が挙げられる。

また、共重合体とする場合の他の単量体としては、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｔ−ブチルスチレン、α−クロロスチレン、ジビニルベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｐ−アミノスチレン等の芳香族ビニル化合物；（メタ）アクリロニトリル等のシアン化ビニル化合物；ビニルピリジン等の窒素原子含有ビニル化合物等が挙げられる。これらのうち、芳香族ビニル化合物が好ましく、なかでも、スチレン及びα−メチルスチレンが好ましい。尚、上記例示した化合物は、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。上記ジエン系ブロック共重合体が共役ジエンと他の単量体とからなるブロック共重合体である場合、共役ジエン単位は、ランダム、テーパー（分子鎖に沿って共役ジエン単位の割合が増加又は減少するもの）及び一部ブロックから選ばれる分布であってよい。

共役ジエンと１種以上の他の単量体とからなるブロック共重合体としては、スチレン・ブタジエンブロック共重合体、スチレン・イソプレンブロック共重合体、イソブチレン・イソプレンブロック共重合体、アクロルニトリル・ブタジエンブロック共重合体、スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合体、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体等が挙げられる。また、共役ジエンのブロック（共）重合体の水素添加物としては、ビニル結合含量が２５％未満であるブタジエン重合体ブロック（Ｉ）と、共役ジエン単位（ａ１）及び他の単量体単位（ａ２）の質量比が（ａ１）／（ａ２）＝（１００〜５０）／（０〜５０）であり、ビニル結合含量が２５〜９５％である重合体ブロック（ＩＩ）とを、それぞれ分子中に少なくとも１つ有するジエン系ブロック重合体の水素添加物等が挙げられる。

上記エチレン・α−オレフィン共重合体としては、エチレンと、以下に例示するα−オレフィンとの共重合体であれば特に限定されず、エチレン・α−オレフィン・非共役ジエン共重合体等であってもよい。但し、上記エチレン・α−オレフィン共重合体及びエチレン・α−オレフィン・非共役ジエン共重合体におけるα−オレフィンは、エチレンを除くα−オレフィンであるものとする。このα−オレフィンとしては、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、３−メチル−１−ブテン、１−ヘキセン、３−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、３−エチル−１−ペンテン、１−オクテン、１−デセン、１−ウンデセン等が挙げられ、炭素数が３〜１２であるα−オレフィンが好ましく、特に、プロピレン及び１−ブテンが好ましい。尚、上記例示したα−オレフィンは、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、上記非共役ジエンとしては、１，４−ペンタジエン、１，４−ヘキサジエン、１，５−ヘキサジエン、１，７−オクタジエン、１，９−デカジエン、３，６−ジメチル−１，７−オクタジエン、４，５−ジメチル−１，７−オクタジエン、５−メチル−１，８−ノナジエン、ジシクロペンタジエン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−ビニル−２−ノルボルネン、２，５−ノルボルナジエン等が挙げられる。これらは、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

上記エチレン・α−オレフィン共重合体としては、エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・１−ブテン共重合体、エチレン・１−ペンテン共重合体、エチレン・３−メチル−１−ブテン共重合体、エチレン・１−ヘキセン共重合体、エチレン・３−メチル−１−ペンテン共重合体、エチレン・４−メチル−１−ペンテン共重合体、エチレン・３−エチル−１−ペンテン共重合体、エチレン・１−オクテン共重合体、エチレン・１−デセン共重合体、エチレン・１−ウンデセン共重合体等が挙げられる。また、 上記エチレン・α−オレフィン・非共役ジエン共重合体としては、エチレン・プロピレン・ジシクロペンタジエン共重合体、エチレン・プロピレン・５−エチリデン−２−ノルボルネン共重合体、エチレン・１−ブテン・ジシクロペンタジエン共重合体、エチレン・１−ブテン・５−エチリデン−２−ノルボルネン共重合体等が挙げられる。これらは、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

尚、上記エチレン・α−オレフィン共重合体及び上記エチレン・α−オレフィン・非共役ジエン共重合体は、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミノ基、アルコキシシリル基、スルホン酸基、ニトリル基等の極性基を有する極性基変性オレフィン系共重合体であってもよい。即ち、この極性基変性オレフィン系共重合体は、重合体中に、他の単量体（ａ）からなる単量体単位を含有する重合体である。他の単量体（ａ）としては、上記官能基を有する不飽和化合物が好ましい。このような不飽和化合物は、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。また、上記不飽和化合物の使用量は、極性基変性オレフィン系共重合体中の単量体単位を１００モル％とした場合に、好ましくは０．０１〜２０モル％、より好ましくは０．１〜１０モル％である。この不飽和化合物の使用割合を０．０１モル％以上とすると、得られる成形体の架橋密度を高くすることができ、その結果、成形体の機械的強度及び耐熱性を向上させることができるので好ましい。一方、上記官能基を有する不飽和化合物の使用割合を２０モル％以下とすると、架橋密度が高くなり過ぎることにより、硬度が高すぎて脆い成形体となることを抑制することができるので好ましい。

カルボキシル基を有する不飽和化合物としては、無水マレイン酸、（メタ）アクリル酸、下記一般式（１）で表される環式化合物等を用いることができる。

（上記一般式（１）において、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｙ^１、Ｙ^２及びＹ^３は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基又は−ＣＯＯＨであり、Ｙ^１、Ｙ^２及びＹ^３のうち少なくとも１つは−ＣＯＯＨであり、また、Ｙ^１、Ｙ^２及びＹ^３のうち２つ以上が−ＣＯＯＨである場合は、それらは互いに連結して形成された酸無水物（−ＣＯ−（Ｏ）−ＣＯ−）であってもよい。ｏは０〜２の整数であり、ｐは０〜５の整数である。）

上記環式化合物としては、５，６−ジメチル−５，６−ジカルボキシ−ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５，６−ジエチル−５，６−ジカルボキシ−ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５，６−ジメチル−５，６−ビス（カルボキシ）−ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５，６−ジエチル−５，６−ビス（カルボキシ）−ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５−メチル−５−カルボキシ−ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５−エチル−５−カルボキシ−ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５−カルボキシ−５−カルボキシメチル−ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５−メチル−５−カルボキシ−ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５−エチル−５−カルボキシ−ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、８，９−ジメチル−８，９−ジカルボキシ−テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］−３−ドデセン、８，９−ジエチル−８，９−ジカルボキシ−テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］−３−ドデセン、８−メチル−８−カルボキシ−テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］−３−ドデセン、８−エチル−８−カルボキシ−テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］−３−ドデセン等が挙げられる。これらは、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、上記一般式（１）で表される環式化合物を用いて得られた共重合体に化学的架橋構造又はそれと類似した拘束点を有する構造を形成させる場合には、金属イオン、金属化合物等を用いることができる。この金属イオンは、以下に例示する元素のイオン及びこの元素を含む金属化合物のイオンも意味する。この金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、バリウム、セシウム、ストロンチウム、ルビジウム、チタン、亜鉛、銅、鉄、錫、鉛、ジルコニウム等周期表第１Ａ〜５Ｂ族の元素等が挙げられる。これらの元素を含むイオンは、上記で得られたランダム共重合体中の官能基に対するイオン結合あるいは静電的な結合により共重合体どうしの間に架橋構造を形成することもできる。尚、上記金属化合物のイオンとするための物質としては、各金属の酸化物、水酸化物、塩、錯体、金属元素を含む有機化合物等が挙げられる。
具体的には、例えば、ＣｕＯ、ＭｇＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＳｎＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ_２等の金属酸化物、ＬｉＯＨ、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｃｕ（ＯＨ）_２、Ｃｕ_２Ｏ（ＯＨ）_２、Ｍｇ（ＯＨ）_２、Ｍｇ_２Ｏ（ＯＨ）_２、Ｂａ（ＯＨ）_２、Ｚｎ（ＯＨ）_２、Ｓｎ（ＯＨ）_２、Ｃａ（ＯＨ）_２等の金属水酸化物等が挙げられる。

また、金属元素を含む有機化合物は、有機基を有する金属化合物であればよく、金属−炭素結合を有する化合物の他、金属−有機基中のヘテロ原子（酸素等）結合を有する化合物、有機化合物の金属塩、錯体等も含む。上記金属元素を有する有機化合物として具体的には、例えば、金属アルコキシド、アルキルアルコキシ金属化合物［アルキル（エチル等）トリアルコキシ金属化合物、ジアルキル（エチル等）ジアルコキシ金属化合物、トリアルキル（エチル等）アルコキシ金属化合物］、金属カルボキシレート、金属アセチルアセトナート等が挙げられる。上記金属アルコキシドを構成するアルコキシドの炭素数は、通常１〜８、好ましくは１〜６、更に好ましくは１〜４であり、より具体的には、例えば、メトキシド、エトキシド、プロポキシド、ブトキシド等が挙げられる。更に、上記金属元素を有する有機化合物としてより具体的には、例えば、ジルコニウムブトキシド〔Ｚｒ（ＯＢｕ）_４〕、チタンブトキシド〔Ｔｉ（ＯＢｕ）_４〕、アルミニウムブトキシド〔Ａｌ（ＯＢｕ）_４〕、及び亜鉛ブトキシド〔Ｚｎ（ＯＢｕ）_４〕等が挙げられる。

上記イオンとするための物質の使用量は、上記一般式（１）で表される環式化合物を用いて得られた共重合体を構成する環式化合物より形成された単位の１当量に対し、好ましくは０．０１〜５０当量、より好ましくは０．０５〜１０当量、特に好ましくは０．１〜５当量である。更に、上記一般式（１）で表される環式化合物を用いて得られた共重合体に対する、上記イオンとするための物質の混和性及び得られる成形体の耐熱性を向上させるために、上記イオンとするための物質以外に、活性剤としてカルボン酸等の有機酸の金属塩を添加してもよい。このカルボン酸の金属塩としては、炭素数３〜２３の１価のカルボン酸の金属塩を用いることが好ましい。また、活性剤として用いられる金属塩における金属元素としては、上記イオンとするための物質を構成する金属元素から選択すればよいが、上記イオンとするための物質を構成する金属元素と同種の元素を含む金属塩を用いることが好ましい。

上記ブチルゴムとしては、イソブチレンとイソプレンとの共重合体、イソブチレンとイソプレンと極性基含有単量体との共重合体、更にはこれらの部分架橋共重合体等を挙げることができる。より具体的には、例えば、イソブチレン−イソプレン共重合体、塩素化イソブチレン−イソプレン共重合体、及び臭素化イソブチレン−イソプレン共重合体等を挙げることができる。

上記極性基含有単量体（極性基を有する共重合性単量体）としては、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミノ基、カルボキシル基、アルコキシシリル基及びニトリル基等のうちの少なくとも１種を有する単量体を挙げることができる。また、上記部分架橋共重合体は、これらの単量体に多官能性不飽和結合含有単量体を共重合して得られるが、この多官能性不飽和結合含有単量体としては、多価アリル化合物、多価（メタ）アクリレート化合物、ジビニル化合物、ビスマレイミド化合物、ジオキシム化合物などが挙げられる。

上記アクリル系ゴムとしては、少なくともアクリル酸アルキルエステルを用いて重合又は共重合されたゴムである。共重合ゴムである場合は、アクリル酸アルキルエステル以外に、アルキルビニルエーテル、極性基を有する共重合性単量体及びその他の単量体を用いることができるが、通常、アルキルビニルエーテルが用いられる。これらのうち１種を用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。更にはこれらの部分架橋共重合ゴムであってもよい。

上記アクリル酸アルキルエステルとしては、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル等を挙げることができる。
また、アルキルビニルエーテルとしては、クロロメチルビニルエーテル及びクロロエチルビニルエーテル等を挙げることができる。

更に、その他の単量体として、アクリル系ゴムの耐寒性を向上させることができるアクリル酸メトキシメチル、アクリル酸エトキシメチル、アクリル酸メトキシエチル及びアクリル酸エトキシエチル等のアクリル酸アルコキシアルキルや、エチレン等を用いることもできる。また、各単量体と共重合することで部分架橋共重合ゴムを得ることができる多官能性不飽和結合含有単量体を挙げることができる。この多官能性不飽和結合含有単量体は、前記ブチルゴムの説明における上記多官能性不飽和結合含有単量体を適用できる。

また、本発明では、上記エラストマーに液状材料を含有させたエラストマー組成物でもよい。上記液状材料は、２５℃において液体又はペースト状であれば、その種類に特に限定はない。上記液状材料は、より詳細には、通常−１００〜５０℃、好ましくは−８０〜５０℃、更に好ましくは−５０〜５０℃で不揮発性（液状）の液状材料であり、その種類について特に限定はない。また、上記液状材料の４０℃における動粘度は、通常５００ｍｍ^２／ｓ以下、好ましくは４００ｍｍ^２／ｓ以下、より好ましくは０．１〜１００ｍｍ^２／ｓである。上記液状材料の４０℃における動粘度を上記範囲とすると、広い温度領域で形状を保持することができるので好ましい。より具体的には、例えば、上記液状材料として、４０℃における動粘度が５００ｍｍ^２／ｓ以下であり、−１００〜５０℃で不揮発性の液状材料が好ましい。更に、低温環境における使用の観点から、上記液状材料は、流動点が−１０℃以下、特には−２０℃以下、更には−４０℃以下、水分が５００ｐｐｍ以下、特には２００ｐｐｍ以下、更には１００ｐｐｍ以下であり、重金属等の不純物が少ないものが好ましい。尚、動粘度の単位として、１ｃｍ^２／ｓ＝１Ｓｔである。

上記液状材料として具体的には、例えば、プラスチック・ゴム用の各種滑剤、可塑剤、軟化剤及び液状オリゴマー等の１種又は２種以上が挙げられる。上記滑剤としては、パラフィン系滑剤、炭化水素系滑剤、金属セッケン等が挙げられる。また、上記可塑剤としては、フタル酸誘導体、イソフタル酸誘導体、テトラヒドロフタル酸誘導体、アジピン酸誘導体、セバシン酸誘導体、フマル酸誘導体、クエン酸誘導体等の各種脂肪酸誘導体等の１種又は２種以上が挙げられる。更に、上記軟化剤としては、パラフィン系プロセスオイル等の石油系軟化剤、エチレン−α−オレフィン系コオリゴマー及びギルソナイト等の鉱物油系軟化剤、オレイン酸やリシノール酸等の脂肪酸等の１種又は２種以上が挙げられる。また、上記液状オリゴマーとしては、ポリイソブチレンや各種液状ゴム（ポリブタジエンやスチレン−ブタジエンゴム等）、シリコーンオイル等の１種又は２種以上が挙げられる。特に、携帯電話等、屋外で使用される液晶ディスプレイパネル等に使用される場合は、上記液状材料として、パラフィン系プロセスオイル、パラフィン系合成油、水添パラフィン系オイル等のように、二重結合がないオイル又は二重結合を有する成分が少ない（具体的には２０質量％以下、更には１０質量％以下）オイルの１種又は２種以上を用いると、耐候性に優れた成形体とすることができるので好ましい。尚、上記液状材料は、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

上記液状材料の使用量は、上記エラストマーに含有される重合体の全量を１００質量部とした場合、好ましくは５０〜５０００質量部、より好ましくは５０〜４０００質量部、更に好ましくは５０〜３０００質量部、特に好ましくは５０〜２０００質量部、最も好ましくは６０〜１８００質量部である。

上記液状材料を含有する上記エラストマーを得る方法は特に限定はない。通常は、上記エラストマー成分と上記液状材料とを、必要の応じて他の成分を添加し、適宜の方法により混合すればよい。また、上記エラストマーが三次元骨格を形成することができる条件で混合してもよい。更に、各成分の混合には、液状の材料を高速攪拌できる機器を用いるのが好ましい。より具体的には、例えば、上記エラストマーと上記液状材料とを、必要の応じて他の成分を添加し、ホモミキサー等を用いて、温度８０〜２００℃、好ましくは９０〜１９０℃の条件で、回転数１０ｒｐｍ以上、好ましくは３０ｒｐｍ以上の剪断下で攪拌することによって調製することができる。

上記エラストマー組成物は、少なくとも一部が架橋されたエラストマーにより構成されていてもよい。例えば、上記エラストマーが上記極性基変性オレフィン系共重合体を含むエラストマーの場合、上記極性基を介した上記金属イオン及び／又は金属化合物による架橋の他、上記極性基変性オレフィン系共重合体の少なくとも一部に、その他の架橋を形成していてもよい。上記架橋する方法については特に限定はなく、例えば、電子線照射、紫外線照射、及び架橋剤（例えば、有機過酸化物等）を用いる方法から選ばれる手段が挙げられる。

（２）プローブカードの製造方法
本発明のプローブカードの製造方法は、上記本発明のプローブカードを製造する方法であって、上記プローブカード本体の上記プローブを設ける側の表面に高分子材料層を積層することにより、上記間隙部に高分子材料層を形成することを特徴とする。
また、他の本発明のプローブカードの製造方法は、上記他の本発明のプローブカードを製造する方法であって、上記凹部溝の表面に高分子材料層を積層することにより、上記間隙部に高分子材料層を形成することを特徴とする。

本発明のプローブカードの製造方法及び他の本発明のプローブカードの製造方法において、上記「積層」とは、完全な固形状の高分子材料層を上記プローブカード本体の表面又は上記凹部溝に積層する場合だけでなく、溶媒に溶解した溶液及び加熱等により溶融した溶融液等の液状物や、加熱等によりゲル状又は半固形状となった半固形物を塗布等の手段により上記プローブカード本体の表面又は上記凹部溝に載置し、その後、冷却等により完全な固形状にする場合も含む。

上記高分子材料層を積層する方法としては、例えば、任意の厚さの予めフィルム状に形成した高分子材料層を、上記プローブカード本体又は上記凹部溝に載置した後、接着剤等により接合する方法が挙げられる。その他、上記高分子材料層を構成する高分子材料を含む含有液を調製し、該含有液を上記プローブカード本体又は上記凹部溝の表面に塗布し、次いで乾燥する方法が挙げられる。上記高分子材料層を積層する方法としてより具体的には、例えば、コーティング法、キャスト法、プレス法、押出法、射出成形法、又はインフレーション法等が挙げられる。この中で、特に好ましい方法は、コーティング法、キャスト法、プレス法、又は押出法である。また、本発明のプローブカードにおいて、上記高分子材料層以外の部分を完成させた後、上記高分子材料層を構成する高分子を含む液状物を塗布し、次いで乾燥させることにより、上記高分子材料層を形成し、本発明のプローブカードを製造することもできる。

上記プレス法では、プレスロール等を用いてホットプレス及びコールドプレス（単に押しつけて接合する場合も含む。）等により加圧しながら直接接合する。勿論、この場合、接着剤又は粘着剤を用いて接合してもよく、これらを用いずに、加圧のみで直接接合してもよい。より具体的には、例えば、上記プローブカード本体を搬送しながら、加熱により半硬化状態である上記高分子材料層を押出し、又はドクターブレードで上記プローブカード本体の表面に供給し、次いでローラー等で圧着し、その後冷却等することにより、積層することができる。この場合、加熱せずに圧着してもよいが、加熱しながら圧着するのが好ましい。

上記コーティング法及びキャスト法として具体的には、例えば、（１）上記高分子材料層を構成する成分を溶媒に溶解又は分散させることにより混合液を調製し、該混合液を上記プローブカード本体の表面又は上記凹部溝に塗布することにより、上記高分子材料層を積層したり、あるいは（２）加熱や溶媒等に溶解又は分散させる等により液状又は半固形状となった上記高分子材料層を、上記プローブカード本体の表面又は上記凹部溝に塗布することにより、上記高分子材料層を積層する方法が挙げられる。上記塗布の方法については特に限定はない。上記塗布の方法としては、例えば、ロールコーターにより塗布する他、溶媒キャスト法、スピンコート法等によって塗布することができる。そして、上記塗布後、必要に応じて溶媒を除去したり、あるいは乾燥等を行うことにより、上記高分子材料層を積層することができる。上記溶媒の除去方法には特に限定はなく、例えば、加熱、減圧、水蒸気蒸留等の周知の方法により除去することができる。

上記押出法は、従来公知の押出法であればよく、その方法、条件について特に限定はない。具体的には、例えば、Ｔダイ押出法により成形することができる。即ち、シリンダー内に上記高分子材料層を構成する成分を添加溶融し、溶融物をＴダイへ移送して、上記プローブカード本体の表面又は上記凹部溝に押出す押出法により成形することができる。また、上記Ｔダイ押出法において、上記高分子材料層を構成する成分の含有液は、溶媒を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。溶媒を含む場合は、上記シリンダー内で加熱し、ベント口から溶媒を留去することが好ましい。

また、上記高分子材料層が２層以上の多層構造の場合、上記積層工程を繰り返すことにより、多層構造とすることができる。例えば、上記高分子材料層を構成する高分子材料を含む含有液を上記プローブカード本体又は上記凹部溝の表面に塗布し、次いで乾燥することにより、第１層を形成した後、再度同様の工程を繰り返すことにより、第１層の表面に第２層を形成することができる。より具体的には、例えば、上記コーティング法又はキャスト法により第１層を形成した後、再度、上記コーティング法又はキャスト法を行うことにより、第１層の表面に第２層を形成することができる。勿論、上記コーティング法又はキャスト法は２回以上繰り返して行ってもよい。本発明において、２回以上積層工程を行うことにより、上記高分子材料層を２層以上の多層構造とする場合、上記高分子材料層を構成する成分を含有する含有液の濃度や架橋度等の物性を適宜変更した液状物や半固形物を用いることにより、厚みや弾性率等の物性が異なる多層構造体とすることができるので好ましい。

上記高分子材料層を形成する工程は、本発明のプローブカード及び他の本発明のプローブカードを製造することができる限り特に限定はなく、必要に応じて任意の過程に組み入れることができる。例えば、本発明のプローブカードの製造方法では、上記保持部と上記プローブカード本体とを接合する前に、上記高分子材料層を設けてもよく、上記保持部と上記プローブカード本体とを接合させた後に上記高分子材料層を設けてもよい。更には、上記プローブを上記保持部を介して上記プローブカード本体と接合させた後に上記高分子材料層を設けてもよい。また、他の本発明のプローブカードの製造方法では、上記プローブを上記プローブカード本体と接合する前に、上記高分子材料層を設けてもよく、あるいは、上記プローブを上記プローブカード本体と接合した後に、上記高分子材料層を設けてもよい。

本発明のプローブカードの製造方法及び他の本発明のプローブカードの製造方法において、上記高分子材料層を形成する工程以外の工程については特に限定はなく、上記特許文献等で開示されている公知の工程で行うことができる。本発明のプローブカードの製造方法及び他の本発明のプローブカードの製造方法は、基本的には、スパッタリング、エッチング、ホトリソグラフィー等の技術を応用することにより行うことができる。また、本発明のプローブカードを製造する場合、上記保持部を上記プローブカード本体の表面に設けた後、該保持部とプローブとを接合してもよく、あるいは、予めプローブの任意の箇所（通常は端部）に保持部を形成しておき、次いで、該保持部を直接プローブカード本体の表面に接合してもよい。

尚、本発明においては、上記実施例に限らず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更した実施例とすることができる。

本発明は、電子部品の電極又は端子部、特にＩＣ等の高密度に配置された半導体装置を含む電子部品の電極又は端子部に接続して、当該電子部品の導通状態又はその電気特性を検査する用途に適用できる。

本実施例のプローブカードを示す模式断面図である。 他の本発明のプローブカードの一例を示す模式断面図である。 両側把持方式でプローブを保持する本発明のプローブカードの一例を示す模式断面図である。 プローブカード本体２とプローブ４との保持状態の他の例を示す模式断面図である。 プローブ４の他の形態を示す説明図である。 プローブ４の梁部間隙部４３に梁部間高分子材料層４４が形成された状態を示す図である。 梁部４２の端部をＶ字型に屈曲させて接触子４１を形成したプローブ４を示す図である。

符号の説明

１Ａ，１Ｂ；プローブカード、２；プローブカード本体、２１；導電性部材、２２；ビアホール、３；保持部、４；プローブ、４１；接触子、４２，４２’；梁部、４３；梁部間隙部、４４；梁部間高分子材料層、５；間隙部、６；高分子材料層、７；凹部溝。

Claims (8)

1. プローブカード本体と、該プローブカード本体の一方の表面に突出して設けられた保持部と、該保持部を介して該プローブカード本体と接合されているプローブと、を備えるプローブカードであって、
   上記プローブは、梁部と、該梁部の上記プローブカード本体側とは反対の方向に突出するように設けられ、被検査体と電気的に接触する接触子と、を備え、該梁部の端部が上記保持部を介して上記プローブカード本体と接合されており、該梁部は、上記プローブカード本体の表面に沿って、上記プローブカード本体の表面から離反して間隙部を有する状態で配置されており、上記間隙部には、高分子材料層が形成されていることを特徴とするプローブカード。
2. プローブカード本体と、該プローブカード本体の一方の表面に接合されているプローブと、を備えるプローブカードであって、
   上記プローブは、梁部と、該梁部の上記プローブカード本体側とは反対の方向に突出するように設けられ、被検査体と電気的に接触する接触子と、を備え、上記プローブカード本体の少なくとも上記プローブが配置されている表面には凹部溝が形成され、上記プローブの一部は、上記凹部溝により、上記プローブカード本体の表面から離反して配置されており、上記凹部溝と上記梁部との間に形成された間隙部には、高分子材料層が形成されていることを特徴とするプローブカード。
3. 上記プローブは梁部間隙部を少なくとも１つ有し、且つ、上記梁部間隙部の少なくとも１つには、梁部間高分子材料層が形成されている請求項１又は２記載のプローブカード。
4. 上記高分子材料層のＪＩＳ Ｋ６２５３で測定したＪＩＳ Ａ硬度は４０〜９８である請求項１乃至４のいずれかに記載のプローブカード。
5. 請求項１記載のプローブカードの製造方法であって、上記プローブカード本体の上記プローブを設ける側の表面に高分子材料層を積層することにより、上記間隙部に高分子材料層を形成することを特徴とするプローブカードの製造方法。
6. 請求項２記載のプローブカードの製造方法であって上記凹部溝の表面に高分子材料層を積層することにより、上記間隙部に高分子材料層を形成することを特徴とするプローブカードの製造方法。
7. 上記高分子材料層は、上記高分子材料層を構成する高分子材料を含む含有液を上記プローブカード本体の表面に塗布し、次いで乾燥することにより形成する請求項５記載のプローブカードの製造方法。
8. 上記高分子材料層は、コーティング法、キャスト法、プレス法、押出法、射出成形法、又はインフレーション法によって形成する請求項５又は６記載のプローブカードの製造方法。

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