JP2006024516A - 画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 不要発光を抑制し、表示品位の向上した画像表示装置を提供する。
【解決手段】 蛍光面が形成された第1基板10と、複数の電子放出源18が設けられた第2基板12との間には、第1および第2基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のスペーサ30、および支持基板24が設けられている。支持基板は、それぞれ電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔26と外面を被覆した絶縁層32とを有している。蛍光体層に所望の電圧を印加する電圧印加部が設けられている。支持基板と電圧印加部との間に抵抗Rが接続され、この抵抗は、絶縁層の抵抗値よりも小さな抵抗値を有している。
【選択図】 図3
【解決手段】 蛍光面が形成された第1基板10と、複数の電子放出源18が設けられた第2基板12との間には、第1および第2基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のスペーサ30、および支持基板24が設けられている。支持基板は、それぞれ電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔26と外面を被覆した絶縁層32とを有している。蛍光体層に所望の電圧を印加する電圧印加部が設けられている。支持基板と電圧印加部との間に抵抗Rが接続され、この抵抗は、絶縁層の抵抗値よりも小さな抵抗値を有している。
【選択図】 図3
Description
この発明は、対向配置された基板と、基板間に配設されたスペーサとを備えた画像表示装置に関する。
近年、陰極線管(以下、CRTと称する)に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な平面型の画像表示装置が注目されている。例えば、平面表示装置として機能するフィールド・エミッション・デバイス(以下、FEDと称する)の一種として、表面伝導型電子放出装置(以下、SEDと称する)の開発が進められている。
このSEDは、所定の間隔をおいて対向配置された第1基板および第2基板を備え、これらの基板は矩形状の側壁を介して周辺部を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。第1基板の内面には3色の蛍光体層が形成され、第2基板の内面には、蛍光体を励起する電子放出源として、各画素に対応する多数の電子放出素子が配列されている。第1基板および第2基板間に作用する大気圧荷重を支持し基板間の隙間を維持するため、両基板間には、複数のスペーサが配置されている。第1基板と第2基板との間には支持基板が設けられ、複数のスペーサはこの支持基板上に立設されている。また、支持基板には、それぞれ電子放出素子から放出された電子ビームが通過する複数の電子ビーム通過孔が形成されている(特許文献1)。
上記SEDにおいて、画像を表示する場合、蛍光体層にアノード電圧が印加され、電子放出素子から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体層へ衝突させることにより、蛍光体が発光して画像を表示する。実用的な表示特性を得るためには、通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、アノード電圧を数kV以上望ましくは5kV以上に設定することが必要となる。
特開2002−082850号公報
上記構成のSEDにおいて、表示画像の輝度はアノード電圧に依存するため、このアノード電圧は高電圧であることが望ましい。しかしながら、第1基板と第2基板との間の隙間は、解像度や支持部材の特性、製造性などの観点から、1〜2mm程度と比較的小さく設定される。そのため、高電圧を印加した場合、第1基板と第2基板との小さい隙間に強電界が形成されることを避けられない。この場合、第2基板の不要発光点、すなわち、電子放出素子以外の点から不要電子が放出される。このような不要放出電子は、第1基板に設けられた蛍光体層を励起し、不要発光を生じさせる。この不要発光により表示画像の色純度が劣化し、画像品位の低下を招く虞がある。
この発明は、以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、不要発光を抑制し、表示品位の向上した画像表示装置を提供することにある。
前記目的を達成するため、この発明の態様に係る画像表示装置は、蛍光面が形成された第1基板と、前記第1基板と隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第2基板と、前記第1および第2基板の間に設けられ前記第1および第2基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のスペーサと、前記第1基板と第2基板との間に配設され、それぞれ前記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔と外面を被覆した絶縁層とを有した支持基板と、前記蛍光体層に所望の電圧を印加する電圧印加部と、前記絶縁層の抵抗値よりも小さい抵抗値を有し、前記支持基板と前記電圧印加部との間に接続された抵抗と、を備えている。
この発明によれば、第2基板上の不要発光点から放出された不要電子を前記支持基板および前記抵抗を通して電圧印加部側へ逃がすことにより、不要発光を抑制し、不要発光を抑制し、表示品位の向上した画像表示装置を提供することができる。
以下図面を参照しながら、この発明を、平面型の画像表示装置としてSEDに適用した第1の実施形態について詳細に説明する。
図1ないし図3に示すように、SEDは、それぞれ矩形状のガラス板からなる第1基板10および第2基板12を備え、これらの基板は約1.0〜2.0mmの隙間をおいて対向配置されている。第1基板10および第2基板12は、ガラスからなる矩形枠状の側壁14を介して周縁部同士が接合され、内部が真空に維持された扁平な真空外囲器15を構成している。
図1ないし図3に示すように、SEDは、それぞれ矩形状のガラス板からなる第1基板10および第2基板12を備え、これらの基板は約1.0〜2.0mmの隙間をおいて対向配置されている。第1基板10および第2基板12は、ガラスからなる矩形枠状の側壁14を介して周縁部同士が接合され、内部が真空に維持された扁平な真空外囲器15を構成している。
第1基板10の内面の有効領域には蛍光面として機能する蛍光体スクリーン16が形成されている。この蛍光体スクリーン16は、赤、青、緑に発光する蛍光体層R、G、B、および遮光層11を並べて構成され、これらの蛍光体層はストライプ状、ドット状あるいは矩形状に形成されている。蛍光体スクリーン16上には、アルミニウム等からなるメタルバック17およびゲッタ膜19が順に形成されている。
第2基板12の内面の有効領域には、蛍光体スクリーン16の蛍光体層R、G、Bを励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子18が設けられている。これらの電子放出素子18は、画素に対応して複数列および複数行に配列されている。各電子放出素子18は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。第2基板12の内面上には、電子放出素子18を駆動する多数本の配線21がマトリック状に設けられ、その端部は真空外囲器15の外部に引出されている。
接合部材として機能する側壁14は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材20により、第1基板10の周縁部および第2基板12の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。
図2および図3に示すように、SEDは、第1基板10および第2基板12の間に配設されたスペーサ構体22を備えている。スペーサ構体22は、矩形状の金属板からなる支持基板24と、支持基板の一方の表面に一体的に立設された多数の柱状のスペーサ30と、を有している。
詳細に述べると、支持基板24は蛍光体スクリーン16とほぼ等しい大きさの矩形状に形成されている。支持基板24は第1基板10の内面と対向した第1表面24aおよび第2基板12の内面と対向した第2表面24bを有し、これらの基板と平行に配置されている。支持基板24には、エッチング等により多数の電子ビーム通過孔26が形成されている。電子ビーム通過孔26は、それぞれ電子放出素子18と対向して配列され、電子放出素子から放出された電子ビームを透過する。
支持基板24は、例えば鉄−ニッケル系の金属板により厚さ0.1〜0.25mmに形成され、電子ビーム通過孔26は、例えば、0.15〜0.25mm×0.15〜0.25mmの矩形状に形成されている。支持基板24の表面には、絶縁層として、ガラス、セラミック等を主成分とした絶縁性物質を塗布、焼成した高抵抗膜32が形成されている。本実施形態によれば、支持基板24の第1および第2表面24a、24bおよび各電子ビーム通過孔26の内壁面は、Li系のアルカリホウ珪酸ガラスからなる厚さ約10μmの高抵抗膜32により被覆されている。支持基板24は、第1表面24aが、ゲッタ膜19、メタルバック17、蛍光体スクリーン16を介して、第1基板10の内面に面接触した状態で設けられている。
第1基板10および第2基板12の長手方向をX、幅方向をYとした場合、支持基板24に設けられた電子ビーム通過孔26は、X方向に沿って所定のピッチで配列され、また、Y方向については、X方向のピッチよりも大きなピッチで配列されている。第1基板10に形成された蛍光体スクリーン16の蛍光体層R、G、B、および第2基板12上の電子放出素子18は、X方向およびY方向についてそれぞれ電子ビーム通過孔26と同一のピッチで配列され、それぞれ電子ビーム通過孔と対向している。これにより、各電子放出素子18は、電子ビーム通過孔26を通して、対応する蛍光体層と対向している。
支持基板24の第2表面24b上にはスペーサ30が一体的に立設され、それぞれY方向に並んだ電子ビーム通過孔26間に位置している。スペーサ30の延出端は、第2基板12の内面に当接している。ここでは、各スペーサ30の先端は、第2基板12の内面上に設けられた配線21上に位置している。スペーサ30の各々は、支持基板24側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。支持基板24の表面と平行な方向に沿ったスペーサ30の断面は、ほぼ楕円形に形成されている。
上記のように構成されたスペーサ構体22は第1基板10および第2基板12間に配設されている。そして、スペーサ構体22は、支持基板24が第1基板10に面接触し、スペーサ30の延出端が第2基板12に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。
SEDは、電圧印加部として、第1基板10のメタルバック17および蛍光体スクリーン16に電圧を印加する電源40を備えている。この電源40はメタルバック17に例えば8kV程度の高電圧を印加する。第2基板12は接地電位に接続されている。また、スペーサ構体22の支持基板24は、抵抗Rを介して電源40とメタルバック17との間に電気的に接続されている。抵抗Rの抵抗値は、支持基板24の表面を覆った高抵抗膜32の抵抗値よりも小さく設定され、望ましくは、1/10以下に設定されている。本実施形態において、抵抗Rの抵抗値は、例えば、1000MΩに設定されている。
上記構成のSEDにおいて画像を表示する場合、電子放出素子18から放出された電子ビームを蛍光体スクリーン16およびメタルバック17に印加されたアノード電圧により加速して蛍光体スクリーン16へ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン16の蛍光体層が励起されて発光し、画像を表示する。
上記のように第1および第2基板10、12間に高電圧を印加した場合、第2基板12上の不要発光点から電子が放出されることが考えられる。仮に不要発光電子が放出された場合、この不要放出電子の内、蛍光体スクリーン16側に向かう電子は、高抵抗膜32を通して支持基板24に至る。この際、支持基板24は抵抗Rに接続されているとともに、抵抗Rの抵抗値は高抵抗膜32の抵抗値よりも充分に低く設定されている。そのため、支持基板24に至った電子は、支持基板および抵抗Rを通って電源40側へ逃がされる。従って、高抵抗膜32を通して蛍光体スクリーン16に達する不要発光電子を大幅に低減し、蛍光体層の不要発光を抑制することができる。その結果、色純度の劣化を防止し、表示品位の向上を図ることができる。
以上のように、本実施形態によれば、不要発光を抑制し、表示品位の向上したSEDが得られる。
以上のように、本実施形態によれば、不要発光を抑制し、表示品位の向上したSEDが得られる。
次に、この発明の第2の実施形態に係るSEDついて説明する。図4および図5に示すように、第2の実施形態によれば、スペーサ構体22は、第1基板10および第2基板12間に配設された矩形状の金属板からなる支持基板24と、支持基板の両面に一体的に立設された多数の柱状のスペーサと、で構成されている。
支持基板24は、第1基板10の内面と対向した第1表面24aおよび第2基板12の内面と対向した第2表面24bを有し、これらの基板と平行に配置されている。支持基板24には、エッチング等により多数の電子ビーム通過孔26が形成されている。電子ビーム通過孔26は、X方向に第1ピッチで並んでいるとともに、X方向と直交するY方向に第1ピッチよりも大きな第2ピッチで並んで設けられている。電子ビーム通過孔26は、それぞれ電子放出素子18と対向して配列され、電子放出素子から放出された電子ビームを透過する。
支持基板24は、例えば鉄−ニッケル系の金属板により厚さ0.1〜0.3mmに形成されている。支持基板24の両表面には、絶縁層として、ガラス、セラミック等を主成分とした絶縁性物質を塗布、焼成した高抵抗膜32が形成されている。本実施形態によれば、支持基板24の第1および第2表面24a、24bおよび各電子ビーム通過孔26の内壁面は、Li系のアルカリホウ珪酸ガラスからなる厚さ約10μmの高抵抗膜32により被覆されている。
支持基板24の第1表面24a上には複数の第1スペーサ30aが一体的に立設され、それぞれY方向に並んだ電子ビーム通過孔26間に位置している。第1スペーサ30aの先端は、ゲッタ膜19、メタルバック17、および蛍光体スクリーン16の遮光層11を介して第1基板10の内面に当接している。
支持基板24の第2表面24b上には複数の第2スペーサ30bが一体的に立設され、それぞれY方向に並んだ電子ビーム通過孔26間に位置している。第2スペーサ30bの先端は第2基板12の内面に当接している。ここでは、各第2スペーサ30bの先端は、第2基板12の内面上に設けられた配線21上に位置している。各第1および第2スペーサ30a、30bは互いに整列して位置し、支持基板24を両面から挟み込んだ状態で支持基板24と一体に形成されている。なお、第1および第2スペーサ30a、30bは、支持基板24の面方向に沿って互いずれて配置してもよい。
第1および第2スペーサ30a、30bの各々は、支持基板24側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。第1および第2スペーサ30a、30bは、例えば、ほぼ楕円状の横断面形状を有している。
上記のように構成されたスペーサ構体22は第1基板10および第2基板12間に配設されている。第1および第2スペーサ30a、30bは、第1基板10および第2基板12の内面に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。
SEDは、電圧印加部として、第1基板10のメタルバック17および蛍光体スクリーン16に電圧を印加する電源40を備えている。電源40はメタルバック17に例えば8kV程度の高電圧を印加する。第2基板12は接地電位に接続されている。また、スペーサ構体22の支持基板24は、抵抗Rを介して電源40とメタルバック17との間に電気的に接続されている。抵抗Rの抵抗値は、支持基板24の表面を覆った高抵抗膜32の抵抗値よりも小さく設定され、望ましくは、1/10以下に設定されている。本実施形態において、抵抗Rの抵抗値は、例えば、1000MΩに設定されている。
第2の実施形態において、他の構成は前述した第1の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
以上のように構成された第2の実施形態によれば、前述した第1の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。すなわち、動作状態において、第2基板12側から不要発光電子が放出された場合、この不要放出電子の内、蛍光体スクリーン16側に向かう電子は、高抵抗膜32を通して支持基板24に至る。この際、支持基板24は抵抗Rに接続されているとともに、抵抗Rの抵抗値は高抵抗膜32の抵抗値よりも充分に低く設定されている。そのため、支持基板24に至った電子は、支持基板および抵抗Rを通って電源40側へ逃がされる。従って、高抵抗膜32を通して蛍光体層スクリーン16に達する不要発光電子を大幅に低減し、蛍光体層の不要発光を抑制することができる。その結果、色純度の劣化を防止し、表示品位の向上したSEDが得られる。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
以上のように構成された第2の実施形態によれば、前述した第1の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。すなわち、動作状態において、第2基板12側から不要発光電子が放出された場合、この不要放出電子の内、蛍光体スクリーン16側に向かう電子は、高抵抗膜32を通して支持基板24に至る。この際、支持基板24は抵抗Rに接続されているとともに、抵抗Rの抵抗値は高抵抗膜32の抵抗値よりも充分に低く設定されている。そのため、支持基板24に至った電子は、支持基板および抵抗Rを通って電源40側へ逃がされる。従って、高抵抗膜32を通して蛍光体層スクリーン16に達する不要発光電子を大幅に低減し、蛍光体層の不要発光を抑制することができる。その結果、色純度の劣化を防止し、表示品位の向上したSEDが得られる。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
スペーサの形状や高さ、その他の構成要素の寸法、材質、メタルバックに印加する電圧等は上述した実施形態に限定されることなく、必要に応じて適宜選択可能である。この発明は、電子源として表面伝導型電子放出素子を用いたものに限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等の他の電子源を用いた画像表示装置にも適用可能である。
10…第1基板、 12…第2基板、 14…側壁、 16…蛍光体スクリーン、
17…メタルバック、 18…電子放出素子、 22…スペーサ構体、
24…支持基板、 26…電子ビーム通過孔、 30…スペーサ、
30a…第1スペーサ、 30b…第2スペーサ、 32…高抵抗膜、
40…電源、 R…抵抗
17…メタルバック、 18…電子放出素子、 22…スペーサ構体、
24…支持基板、 26…電子ビーム通過孔、 30…スペーサ、
30a…第1スペーサ、 30b…第2スペーサ、 32…高抵抗膜、
40…電源、 R…抵抗
Claims (5)
- 蛍光面が形成された第1基板と、
前記第1基板と隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第2基板と、
前記第1および第2基板の間に設けられ前記第1および第2基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のスペーサと、
前記第1基板と第2基板との間に配設され、それぞれ前記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔と外面を被覆した絶縁層とを有した支持基板と、
前記蛍光体層に所望の電圧を印加する電圧印加部と、
前記絶縁層の抵抗値よりも小さな抵抗値を有し、前記支持基板と前記電圧印加部との間に接続された抵抗と、を備えている画像表示装置。 - 前記抵抗の抵抗値は、前記絶縁層の抵抗値の1/10以下に設定されている請求項1に記載の画像表示装置。
- 前記支持基板は、前記第1基板に対向した第1表面と、前記第2基板に対向した第2表面と、を有し、前記スペーサは、それぞれ前記第1表面上に立設されているとともに前記第1基板に当接した延出端を有した複数の第1スペーサと、それぞれ前記第2表面上に立設されているとともに前記第2基板に当接した延出端を有した複数の第2スペーサと、を含んでいる請求項1又は2に記載の画像表示装置。
- 前記支持基板は、前記絶縁層を介して前記第1基板に当接した第1表面と、前記第2基板と隙間を置いて対向した第2表面と、を有し、前記スペーサは、前記第2表面上に立設されているとともに前記第2基板に当接した延出端を有している請求項1又は2に記載の画像表示装置。
- 前記スペーサは、柱状のスペーサである請求項1ないし4のいずれか1項に記載の画像表示装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2004203402A JP2006024516A (ja) | 2004-07-09 | 2004-07-09 | 画像表示装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008081482A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-10 | Selex Sistemi Integrati S.P.A. | High frequency, cold cathode, triode-type, field-emitter vacuum tube and process for manufacturing the same |
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2004
- 2004-07-09 JP JP2004203402A patent/JP2006024516A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2008081482A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-10 | Selex Sistemi Integrati S.P.A. | High frequency, cold cathode, triode-type, field-emitter vacuum tube and process for manufacturing the same |
US8040038B2 (en) | 2006-12-29 | 2011-10-18 | Selex Sistemi Integrati S.P.A. | High frequency, cold cathode, triode-type, field-emitter vacuum tube and process for manufacturing the same |
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