JP2006022025A - 二光子吸収材料 - Google Patents
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- PPJZZYSFWLEVSO-DHZHZOJOSA-N CCN(CC)c1ccc(/C=C/c(cc(c(C)c2)OC)c2OC)cc1 Chemical compound CCN(CC)c1ccc(/C=C/c(cc(c(C)c2)OC)c2OC)cc1 PPJZZYSFWLEVSO-DHZHZOJOSA-N 0.000 description 1
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Abstract
Description
照)。
Stephen Kershaw著、"Two-Photon Absorption" in "Characterization techniques and tabulations for organic nonlinear optical materials", ed. by Mark G. Kuzyk, Carl W. Dirk, chapter 7, pp.515-654, Mercel Dekker, Inc. New York, 1988
又は炭素数1〜12のアルコキシ基を示し、nは1〜4の整数を示す。R9及びR10のいずれか一
方がピリジル基又はピリジニウム塩基であり、他方は置換基を有していてもよいフェニル基である。)。
キシ基、SCH3又はN(R13)(R14)(R13又はR14は、同一又は相異なって、水素原子又は
炭素数1〜4のアルキル基である。)である。)で表される基である上記項1記載の非対称
アセチレン系化合物。
(イ)R1、R4、R5及びR8が水素原子であり、R2、R3、R6及びR7が低級アルコキシ基;
(ロ)R1、R4、R6及びR7が水素原子であり、R2、R3、R5及びR8が低級アルコキシ基;
(ハ)R2、R3、R5及びR8が水素原子であり、R1、R4、R6及びR7が低級アルコキシ基;又は、
(ニ)R2、R3、R6及びR7が水素原子であり、R1、R4、R5及びR8が低級アルコキシ基;である請求項1又は2に記載の非対称アセチレン系化合物。
装置。
れていることを特徴とする光造型装置。
モリ材料、該メモリ材料の所定の集光位置をレーザービームで走査するための機構及び光学的読出し装置を備えた三次元光メモリ装置であって、光メモリ材料中の屈折率変化又は局所的破壊を検出する装置を備えた三次元メモリ装置。
)で表されるものである。
又は炭素数1〜12のアルコキシ基を示し、nは1〜4の整数を示す。R9及びR10のいずれか一
方がピリジル基又はピリジニウム塩基であり、他方は置換基を有していてもよいフェニル基である。)。
ニウム塩基を示す化合物について代表して述べるが、その逆の場合も本発明に含まれる。
キシ基、SCH3又はN(R13)(R14)である。R13又はR14は、同一又は相異なって、水素原
子又は炭素数1〜4のアルキル基である。)で表される基が好ましい。
ル、n-ペンチル等の直鎖状又は分枝鎖状のアルキル基を例示できる。その中でも、炭素数1〜3のアルキル基であるメチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル等が好ましい。
ソプロポキシ、n-ブトキシ、イソブトキシ、sec-ブトキシ、tert-ブトキシ基、n-ペント
キシ基等の直鎖状又は分枝鎖状のアルコシキ基を例示できる。その中でも、炭素数1〜4程度の低級アルコキシ基であるメトキシ、エトキシ、n-プロポキシ、イソプロポキシ、n-ブトキシ、イソブトキシ、sec-ブトキシ、tert-ブトキシ基等が好ましい。
、R5及びR8が水素原子であり、R2、R3、R6及びR7が低級アルコキシ基である化合物;(ロ) R1、R4、R6及びR7が水素原子であり、R2、R3、R5及びR8が低級アルコキシ基である化
合物;(ハ)R2、R3、R5及びR8が水素原子であり、R1、R4、R6及びR7が低級アルコキシ基である化合物;(ニ)R2、R3、R6及びR7が水素原子であり、R1、R4、R5及びR8が低級アルコキシ基である化合物等を例示できる。
出発物質としては、Y. Iwase, K. Kamada, K. Ohta, K. Kondo, J. Mater. Chem. 2003, 13, 1575-1581.のp.1576に記載された方法、又はこれに類似する方法により得られる、以下に示す一般式(7)で表される化合物を用いることができる。
第1工程では、上記一般式(7)で表される化合物と下記一般式(8)
オベンズアルデヒド、1-ナフトアルデヒド、2-ナフトアルデヒド、9-アントラアルデヒド等が挙げられる。
れば限定されない。例えば、溶媒中で、Wittig反応試薬として、R'ONa, R'OK(R'はアル
キル基)等で表される金属アルコキシド(例えば、t-C4H9OK等)、n-C4H9Li, C6H5Li等のアルキルリチウム等の強塩基化合物の存在下に、一般式(7)で表される化合物と一般式
(8)で表されるアルデヒド化合物を反応させればよい。
ルに対して各々1〜3モル程度、好ましくは各々1モル程度を使用することが好ましい。反
応温度は、−20℃程度から溶媒の沸点付近までが好ましく、−20〜50℃程度の温度がより
好ましい。反応時間としては、0.1〜24時間程度が挙げられ、好ましくは2〜6時間程度で
ある。
カカラムクロマトグラフィー、再結晶等の通常の分離手段により単離及び精製することができ、次の工程に用いることができる。
第2工程では、上記第1工程で得られた一般式(9)で表されるアルケンに、三重結合を
導入(エチニル化)することにより下記一般式(10)
より好ましい。
件は、一般式(9)で表される化合物に三重結合が導入(エチニル化)されれば限定され
ず、一般に用いられる方法で行うことができる。例えば、Sonogashira反応を用いること
ができる。
ルシリルアセチレンとを、Pd(Ph)3P、Pd(Ph3P)3PdCl2、Pd(OAc)2(PPh3)2等の0価または2
価のパラジウム触媒、及び、必要に応じて(Ph)3P、Cu(I)I等の助触媒の存在下に反応させる。
混合比はSonogashira反応が進行する限り限定されないが、例えば、溶媒(イ)100容量部に対して、溶媒(ロ)を 0〜500容量部程度、好ましくは50〜150 容量部程度とすればよい。
しくは0.02〜0.3モル程度使用することができる。
る。
第3工程では、上で得られた一般式(10)で表される化合物を、溶媒中で塩基性化合物
で処理することにより、トリC1-3アルキルシリル基を脱離させ、下記一般式(11)で表される化合物を得ることができる。
塩基性化合物としては、強塩基性化合物が好ましく、例えば、R''ONa, R''OK(R''はアルキル基又は水素)等で表される化合物を好適に使用することができる。その中でも、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムエトキシドのようなアルカリ金属化合物がより好ましい。
ばよく、20〜70℃程度がより好ましい。反応時間は、1〜24時間程度とすればよく、3〜6
時間程度がより好ましい。
される化合物の三重結合の数(n)を増加させて一般式(1)のn=3, 4の化合物を合成することができる。
上記一般式(8)で表される化合物を、R12がピリジル基のアルデヒドを用いる以外は上記第1工程と同様にして、下記一般式(12)で表される化合物を得ることができる。
第5工程
第5工程では、第2工程及び第3工程と同様にして、一般式(12)で表される化合物に三
重結合を導入(エチニル化)し、下記一般式(13)
第6工程では、上記一般式(13)のアセチレン化合物のエチニル基の水素を、NaOX(Xはハロゲン原子を示す。)を用いてハロゲン化し、下記一般式(14)
ハロゲンとを反応させることにより、NaOXを得ることができる。ハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等を使用することができるが、その中でも、臭素、ヨウ素が好ましい。
モルに対して0.8〜3モル程度、好ましくは1モル程度の比率で反応させることにより得る
ことができる。
水に可溶な溶媒との混合物を使用することができる。溶媒(ハ)と(ニ)との混合比は限定されないが、例えば、溶媒(ハ)100容量部に対して、溶媒(ニ)を0〜500容量部程度
、好ましくは50〜150容量部程度とすればよい。
不安定なので、そのまま次の工程に使用するのが好ましい。
程をこの順に、必要に応じた回数経ることによって、一般式(1)で表される化合物の三
重結合の数(n)を増加させることができる。
第7工程では、上で得られた一般式(11)で表される化合物と一般式(14)で表される
化合物とを反応させることにより、目的化合物である一般式(1)で表される化合物を得
る。
定されず、一般に用いられる方法で行うことができる。例えば、Chadiot-Chodkiewicz カップリング反応(例えば、新実験化学講座14,有機化合物の合成と反応(I)のp.342-345の「Chadiot-Chodkwicsカップリング反応」等参照。)により行うことができる。
合溶媒を使用するのが好ましい。溶媒(ホ)と溶媒(ヘ)との混合比は限定されないが、例えば、溶媒(ホ)100重量部に対して、溶媒(ヘ)を10〜500容量部程度、好ましくは100〜200容量部程度とすればよい。
い。
れた化合物は、シリカカラムクロマトグラフィー、再結晶等の通常の分離手段により単離及び精製することができる。また、NMR、元素分析等の通常の確認手段により確認するこ
とができる。
記一般式(11)で表される化合物とを用いてSonogashira反応を行うことにより得ること
ができる。反応条件は工程2と同じ条件を使用することができる。
第8工程では、上記第7工程で得られた一般式(1)で表される化合物と、一般式R11Aで
表される塩、又はHAで表される酸とR11-OHで表される塩基との組み合わせとを反応させることにより、一般式(1)で表される本発明の目的化合物(ここでは、R9及びR10のどちらか一方が一般式(3)で表される基(ピリジニウム基)である化合物)を得ることができ
る。
式中、Rは、CF3、フェニル、トリル又は炭素数1〜3のアルキル基である)、ハロゲンアニオン、テトラフェニルホウ素陰イオン(Ph4B-)又はClO4 -である。
る四級塩化を阻害しない溶媒であれば限定されず、例えば、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素;テトラヒドロフラン等のエーテル類;ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素;ヘキサン等の脂肪族炭化水素等が使用できる。
物は、通常の分離手段、例えば、シリカカラムクロマトグラフィー、再結晶等により単離及び精製することができる。また、NMR、元素分析等の通常の確認手段により確認するこ
とができる。
本発明のアセチレン系化合物は、前述の公知の二光子吸収材料において使用されている化合物と同様に、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミドなどの有機溶媒に溶解した状態で使用しても良く、或いはポリメタクリルメチルなどのポリマー中にドープして使用しても良く、或いは化合物そのものを単独で使用しても良い。
、下記の表1から明らかな様に、一般式(1)で表される本発明のアセチレン系化合物は、広い波長域において、大きな二光子吸収断面積が得られる。
ができる。特許文献2に記載の化合物に比べてその溶解度は向上しており、特に、ハロゲ
ン系溶媒への溶解度が高い。
ルギーの90〜100%程度、好ましくは99.5〜100%程度が熱へと変換される高い熱変換効率を持つ。
を吸収して二光子吸収による励起を生じる。従って、該化合物に対して、線形吸収波長よりも長波長の光を照射することによって、二光子吸収による励起を生じさせることができ、その励起現象を使用して、二光子吸収材料、その応用材料及び該材料を用いた装置等、各種の用途に有効に利用できる。
置における光制限材料、光造型用光硬化樹脂の硬化材料、三次元光メモリ材料などとして有効に利用できる。その他、本発明化合物は、本発明化合物の励起により生じる熱等を利用したフォトダイナミックセラピーにも有効に利用できる。
要を示す模式図である。当該装置は、集光装置とコリメート装置との間に光制限材料が配置される。
ど)により、当初の光路に戻されて、装置を出射する。従って、この光制限装置においては、強度の強い光のみが装置により遮断されるので、出射側にある光検出器或いは観察者の肉眼がレーザービームから保護される。
示す模式図である。該光造型装置は、パルスレーザー発生装置、パルスレーザー集光装置、光硬化性モノマー収容装置、及び光硬化性モノマー中の所定の集光位置をレーザービームで走査するための機構を備えており、本発明の硬化材料が光硬化性モノマー中に含まれる。
次元光メモリ装置の一例の概要を示す模式図である。この光メモリ装置では、一般式(1
)で示される化合物及び一般式(2)で表される化合物からなる群から選ばれる少なくと
も一種の化合物を光メモリ材料として用いることができる。
て記録されている部分を照射する。照射された光は、集光装置(レンズなど)5及び集光
装置(レンズなど)16を経てアパーチャー17を通過した後、集光装置(レンズなど)18で集光されて、光検出器11で検出される。記録位置での屈折率変化は、光検出器11において、光量の変化として検出することができる。
なる。例えば、ステージ7を移動するか、アパーチャー17の位置を移動することにより、
水平方向二次元的にスキャンして水平方向の記録の読み出しが可能となる。また、ステージ7を深さ方向に移動させることにより、深さ方向の読み出しが可能となる。
窒素雰囲気下、50℃で t-ブタノール(120ml)にt-ブトキシカリウム(6.60 g, 58.9 mmol)を溶解した。次に、下記式(15)
を加え、ジクロロメタンにて抽出した。有機層を無水MgSO4で乾燥させ、ろ紙にてろ別し
た後、ろ液を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー法を用いて精製した(展
開溶媒;クロロホルム)。次いで、ヘキサンで再結晶を行い、下記式(16)
合成例1で得られた式(16)で表される化合物(11.3g, 29.0mmol)を、ジエチルアミン(100 ml)とTHF(100 ml)との混合溶媒に溶かし、そこに窒素ガスを通した。次いで、トリメ
チルシリルアセチレン(4.27 g, 43.5 mmol)、トリフェニルホスフィン(0.51 g, 1.94 mmol)、ヨウ化銅(0.37 g, 1.94 mmol)、(Ph3P)2 PdCl2触媒(0.68 g, 0.97 mmol)をこの順に
加えて、50℃で20時間加熱環流した。ろ紙によりろ過した後、ろ液を減圧留去し、茶色固体を得た。
よりろ別した後、ろ液を減圧留去した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー法を用いて精製し(展開溶媒;ジクロロメタン:ヘキサン=1:1)、下記式(17)
-4-[2-(4-N,N-ジエチルアミノフェニル)エテニル]ベンゼンを得た(収量10.0 g、収率84.7%)。この化合物は溶媒に対して親和性が強いので、構造解析は行わず、そのまま次の反応に用いた。
合成例2で得られた式(17)で表される化合物(2.50 g, 6.13 mmol)を、メタノール(100
ml) とTHF(100 ml)との混合溶媒に溶解して窒素ガスを通した。次いで、85% KOH(0.59 g, 9.20 mmol)/H2O(30 ml)を滴下した後、80℃で2時間加熱還流し、ろ紙によるろ過により塩を除去した後、減圧留去し、だいだい色の固体を得た。
ラムクロマトグラフィー法を用いて精製し(展開溶媒;ジクロロメタン:ヘキサン=3:2)、赤褐色の粉末を得た。
NaOH(2.38 g, 59.6 mmol)にH2O(50ml)とTHF(50ml)を加え、氷水で0℃まで冷やし、Br2(2.38 g, 14.9 mmol)を滴下した。さらに、下記式(19)
ル)エテニル]ベンゼンを回収し、すぐに冷凍庫で保管した。この化合物は室温にて容易に分解するので、精製等は行わずそのまま次の反応に使用した(収量0.82 g、収率79.9 %)。
窒素雰囲気下で、エチルアミン(40 ml)に97%塩化ヒドロキシルアンモニウム(12.5 mg, 0.18 mmol)を加え、ヨウ化銅(5.90 mg, 0.06 mmol)を加えた。その後、反応溶液に、一般式(20)で表される化合物(0.20 g, 0.60 mmol)/ THF(20 ml)、式(18)で表されるで表
される化合物(0.21 g, 0.60 mmol)/THF(20 ml)の順で滴下し、その後1時間撹拌した。
燥後し、ろ紙でろ過した後、ろ液を減圧留去した。それをシリカゲルカラムクロマトグラフィー法を用いて精製し(展開溶媒;ジクロロメタン:アセトン =9:1)、赤褐色粉末を得
た。さらに再結晶(エタノール:クロロホルム=1:1=40ml)し、本発明の目的化合物の一つである一般式(5)で表される赤色粉末:1-[2,5-ジメトキシ-4[2-(4-N,N-ジエチルアミノフェニル)エテニル]-4-[2,5-ジメトキシ-4-[2-(4-ピリジルル)エテニル]]ブタジインを得た(収量0.165 g、収率46.0 %)。以下に本化合物のNMRによる結果を示す。
l, pyridyl, phenyl), 6.71 (d, 2H, phenyl), 3.93 (s, 3H, methoxy), 3.92 (s, 3H, methoxy), 3.84 (s, 3H, methoxy), 3.79 (s, 3H, methoxy), 3.38 (q, 4H, -N-CH:δ155.7, 155.3, 150.8, 149.9, 149.6, 147.4, 144.0, 131.3, 130.0, 128.2, 127.
5, 127.4, 126.6, 124.1, 120.3, 116.6, 116.4, 111.5, 110.6, 110.2, 108.7, 107.7 (styrylpyrydyl), 80.4, 79.4, 78.6, 77.6 (C≡C), 56.2, 56.1(-OC
H3), 43.2(-N-CH2-CH3), 12.0 (-N-CH2-CH3).。
氷浴下で0℃以下に冷却したジクロロメタン(ml)に、一般式(5)で表される1-[2,5-ジ
メトキシ-4[2-(4-N,N-ジエチルアミノフェニル)エテニル]-4-[2,5-ジメトキシ-4-[2-(4-
ピリジルル)エテニル]]ブタジイン(335 mg, 0.56mmol)を加え、次いでCF3SO3CH3 (1.84 g, 11.2 mmol)を加えて1時間冷却撹拌した。
の混合溶媒再結法によって、本発明の目的化合物の一つである、式(6)で表される赤色
粉末の化合物:1-[2,5-ジメトキシ-4[2-(4-N,N-ジエチルアミノフェニル)エテニル]-4-(2,5-ジメトキシ-4-[2-[4-(N-メチル)ピリジン-1-イウミル]エテニル]フェニル)ブタジイントリフレートを得た(収量0.12 g、収率28.1 %)。以下に本化合物のNMRによる結果を示
す。
(d, 1H, ethenyl), 7.65 (d, 1H, ethenyl), 7.45 (s, 1H, phenyl), 7.38 (d, 2H, phenyl), 7.30 (s, 1H, phenyl), 7.29 (s, 1H, phenyl), 7.29 (d, 1H, ethenyl), 7.12 (s, 1H, phenyl), 7.10 (d, 1H, ethenyl), 6.66 (d, 2H, phenyl), 4.24 (s, 3H, methyl), 3.91 (s, 6H, methoxy), 3.89 (s, 6H, methoxy,), 3.81 (q, 4H, -N-CH2-CH3), 1.09 (t, 6H, -N-CH2-CH3). 13CNMR(100MHz, DMSO, ppm):δ155.8, 155.2, 152.3, 151.7, 149.8, 147.4, 144.9, 134.2, 134.1, 131.5, 130.1, 127.8, 125.9, 125.3, 123.5, 116.7,
116.2, 112.6, 111.4, 110.7, 108.2, 107.3(styrylpyrydyl), 81.4, 79.8, 79.3, 77.6
(C≡C), 56.3, 56.1(-OCH3), 46.7(Py-CH3), 43.4(-N-CH2-CH3),12.2 (-N-CH2-CH3). Elemental Anal. Calcd for C41H41F3N2O7S1N2: C, 64.55; H, 5.42; N, 3.67; F, 7.47 Found: C, 64.40; H, 5.31; N, 3.57 ; F, 7.44 %.
実施例1
二光子吸収断面積の評価方法
本発明の化合物の二光子吸収断面積の評価は文献I(M. Sheik-Bahae, A. A. Said, T.-H. Wei, D. J. Hagan, E. W. van Stryland, IEEE J. Quant. Electron. 26 (1990) 760.)に記載のオープンアパーチャー型Zスキャン法を参考に行った。
により励起される光パラメトリック発振器レーザーを用いた。光源となるパルスのパルス幅は110〜130フェムト秒で、パルスの繰り返し周波数は10Hzであり、平均パワーは0.1〜1.4mWであった。波長範囲は650〜960nmで測定を行った。
し、そのレーザービームの進行方向(Z軸)に被測定試料をスキャンして、Z軸上の各試料位置において透過率を測定した。得られた各試料位置に対する透過率の曲線、入射平均パワー、入射波長、入射パルス幅、試料濃度、試料厚み等から文献II(K. Kamada, K. Ohta. K. Iwase, and K. Kondo, Chem. Phys. Lett., 372, 386-393 (2003))に記載の方法により二光子吸収断面積を得た。
式(6)で表される化合物を、分光測定グレードのジメチルスルホキシド(DMSO)に溶
解させたものを試料として、上記の二光子吸収評価法により二光子吸収断面積を測定した。試料溶液の濃度は0.4〜2.0mMであった。各測定波長で得られた二光子吸収断面積を下記の表に示す。
料をはるかに越える良好な特性が得られた。
式(6)で表される本発明の非対称系アセチレン系化合物と、下記式(21)
「◎」、一部溶解し粉末の減少が明らかな場合は「○」、粉末の減少が明らかではないが溶液にかすかに色がつく程度は「△」、溶液に全くまったく色がつかない場合は「×」とした。結果を以下の表2に示す。
式(6)で表される化合物を、分光測定グレードのジメチルスルホキシド(DMSO)に溶
解させたものを試料として、丸善刊「新実験化学講座4基礎技術3光 (II)(日本化学会
編)」530ページに記載の方法により、キニン硫酸塩の0.5 M硫酸水位溶液を標準試料として蛍光収率を測定した。試料溶液の式(6)で表される化合物の濃度は2.0μMであり、キ
ニン硫酸塩の濃度は 0.52μMであった。この濃度で吸光度を島津製作所製 UV-3500分光吸
光光度計を用いて測定したところ、両者の 365 nmおける吸光度は 0.04から 0.05の範囲
であった。蛍光スペクトルの測定にはスペクトルの補正を行った日立製作所製分光蛍光光度計 F-4500を用い、未知試料(式 (6)の化合物)と標準試料の測定を通じて、測定条件
は固定し、励起波長は 365 nm、励起スリット幅は 2.0 nm、走査速度は 240 nm/ minで
あった。それぞれの試料について得られた蛍光スペクトルの面積(積分強度)、励起波長(365 nm)での吸光度、屈折率、そして 365 nm励起におけるキニン硫酸塩の蛍光収率 0.546から上記文献に記載の方法により、式(6)で表される化合物の蛍光収率は 5.1×10-4と得られた。また、実施例1における二光子吸収特性の測定の前後において、化合物の分解は認められず、式 (6) で表される化合物を溶媒中等で単独で用いた場合、吸収された光の
エネルギーは蛍光に転化する分以外は全て最終的に熱に変換されたと考えられ、その熱変換効率は、99.9%以上と得られた。
2 光制限材料
3 コリメート装置
4 パルスレーザー発生装置
5 集光装置
6 光硬化性モノマー
7 可動または固定ステージ
8 固定または可動ミラー
9 三次元光メモリ材料
10 ダイクロイックミラー
11 光検出器
13 共焦点光学顕微鏡
14 検出用光源
15 集光装置
16 集光装置
17 アパーチャー
18 集光装置
Claims (11)
- R9及びR10のどちらか一方が、下記一般式(2)又は下記一般式(3)
キシ基、SCH3又はN(R13)(R14)(R13又はR14は、同一又は相異なって、水素原子又は
炭素数1〜4のアルキル基である。)である。)で表される基である請求項1記載の非対称
アセチレン系化合物。 - 一般式(1)において、
(イ)R1、R4、R5及びR8が水素原子であり、R2、R3、R6及びR7が低級アルコキシ基;
(ロ)R1、R4、R6及びR7が水素原子であり、R2、R3、R5及びR8が低級アルコキシ基;
(ハ)R2、R3、R5及びR8が水素原子であり、R1、R4、R6及びR7が低級アルコキシ基;又は、
(ニ)R2、R3、R6及びR7が水素原子であり、R1、R4、R5及びR8が低級アルコキシ基;である請求項1又は2に記載の非対称アセチレン系化合物。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の化合物からなる二光子吸収材料。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の化合物を含む光制限材料。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の化合物を含む光造型用光硬化樹脂の硬化材料。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の化合物を含む三次元光メモリ材料。
- 集光装置とコリメート装置との間に、請求項5記載の光制限材料を配置した光制限装置
。 - パルスレーザー発生装置、パルスレーザー集光装置、光硬化性モノマー収容装置、及び光硬化性モノマー中の所定の集光位置をレーザービームで走査するための機構を備えた二光子吸収光造型装置であって、請求項6記載の硬化材料が光硬化性モノマー中に含まれて
いることを特徴とする光造型装置。 - パルスレーザー発生装置、パルスレーザー集光装置、請求項7記載の三次元光メモリ材
料、該メモリ材料の所定の集光位置をレーザービームで走査するための機構及び光学的読出し装置を備えた三次元光メモリ装置であって、光メモリ材料中の屈折率変化又は局所的破壊を検出する装置を備えた三次元メモリ装置。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の化合物に、当該化合物の線形吸収波長よりも長波長の光を照射することにより二光子吸収による励起を生じさせる、二光子吸収励起方法。
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