JP2005539392A - バッファ層を有しないウエハからの緩和された有用層の形成 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (39)
- マイクロエレクトロニクス、光学又は光電子工学用の結晶材料から各々が選ばれた支持基板と歪み層を備えるウエハから有用層を形成する方法であって、
前記支持基板の、構造的摂動を形成しうる所定深さに、摂動領域を形成する工程と、
エネルギを供給して前記歪み層内の弾性歪みに少なくとも相対的緩和を起こさせる工程と、
前記緩和歪み層とは反対側の前記ウエハの部分を除去し、前記有用層が前記ウエハの残存部分となる工程を備えたことを特徴とする方法。 - 前記供給工程中の前記歪み層の前記少なくとも相対的緩和は前記歪み層から前記摂動領域を分離する遷移層を越えて起こることを特徴とする請求項1に記載の有用層を形成する方法。
- 前記摂動領域は原子種の注入により形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の有用層を形成する方法。
- 前記注入される原子種は少なくとも部分的に水素且つ又はヘリウムを備えることを特徴とする請求項3に記載の有用層を形成する方法。
- 前記供給工程中に供給されるエネルギは前記歪み層内の歪みの緩和を助長するための熱エネルギを備えることを特徴とする請求項1乃至4いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 前記除去工程の前に、前記歪み層と同じ側において前記ウエハに受け取り基板を付着させる工程をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至5いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 前記付着工程は付着される二面の内の少なくとも一面に付着層を設けてから行われることを特徴とする請求項6に記載の有用層を形成する方法。
- 前記付着層はシリカより成ることを特徴とする請求項7に記載の有用層を形成する方法。
- 付着される二面の内の少なくとも一面の表面において仕上げ工程を実施することを特徴とする請求項6乃至8いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 付着を高めるための熱処理をさらに含むことを特徴とする請求項6乃至9いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 前記除去工程の前に、前記支持基板内に脆弱領域を形成する工程を備え、
前記除去工程は前記ドナーウエハから前記有用層を剥離するために前記脆弱領域内にエネルギを供給する工程を備えることを特徴とする請求項1乃至10いずれかに記載の有用層を形成する方法。 - 前記脆弱領域は原子種の注入により形成されることを特徴とする請求項11に記載の有用層を形成する方法。
- 前記注入される原子種は少なくとも部分的に水素且つ又はヘリウムを備えることを特徴とする請求項12に記載の有用層を形成する方法。
- 前記脆弱領域と前記摂動領域とは前記ウエハ内の実質的に同じ点に位置することを特徴とする請求項12又は13いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 前記脆弱領域と前記摂動領域とは該両領域を形成するための実質的に同じ時間で同じ手段で形成されることを特徴とする請求項14に記載の有用層を形成する方法。
- 前記脆弱領域は前記ウエハ内の層を多孔化することにより形成されることを特徴とする請求項11に記載の有用層を形成する方法。
- 前記除去工程は前記ウエハの除去される少なくとも一部分を化学エッチングする工程を備えることを特徴とする請求項1乃至16いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 前記除去工程は、前記緩和歪み層近傍の前記支持基板の一部分の選択化学エッチングを実施する工程を備え、前記緩和歪み層がこのエッチングの停止層を形成することを特徴とする請求項1乃至17いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 前記緩和歪み層が化学エッチング停止層を備え、前記除去工程は、前記停止層を覆う部分を除去するための前記緩和歪み層の選択化学エッチングを実施する工程を備えることを特徴とする請求項1乃至18いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 前記有用層は前記緩和歪み層の少なくとも一部分より成ることを特徴とする請求項1乃至19いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 前記有用層は前記緩和歪み層と前記除去工程の後に残る前記支持基板の一部分より成ることを特徴とする請求項1乃至17いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 前記支持基板の残存層は前記緩和歪み層により歪まされることを特徴とする請求項21に記載の再利用方法。
- 前記除去工程の後に、前記有用層の表面において実施される仕上げ工程を含むことを特徴とする請求項1乃至22いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 前記除去工程の後に、前記有用層上に少なくとも一層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1乃至23いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 前記有用層上に形成される少なくとも一つの薄い層は前記緩和歪み層により歪まされた格子定数を有することを特徴とする請求項23又は24いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 前記支持基板はシリコンより成り、前記歪み層はシリコンゲルマニウムより成ることを特徴とする請求項1乃至25いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 前記支持基板はシリコンより成り、前記歪み層は歪みシリコンゲルマニウムの一重と緩和シリコンの一重が連続して成ることを特徴とする請求項1乃至26いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 前記支持基板はシリコンより成り、前記歪み層は歪みシリコンゲルマニウムの一重と緩和シリコンの一重と歪みシリコンゲルマニウムの一重とが連続して成ることを特徴とする請求項1乃至27いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 前記除去工程は、支持基板近傍で、前記形成工程の間に緩和される前記歪みシリコンゲルマニウムの一重を除去する工程を備えることを特徴とする請求項27又は28いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 前記除去工程は、前記供給工程実施中に歪まされる前記緩和シリコンの一重を除去する工程を備えることを特徴とする請求項28又は29いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 前記有用層上に形成される少なくとも一つの薄い層が、前記歪み層のゲルマニウム濃度にほぼ等しいゲルマニウム濃度の緩和又は疑似緩和シリコンゲルマニウムと、前記緩和歪み層の格子定数に近い格子定数を有するように少なくとも部分的に歪まされたシリコンとの内の少なくとも一つを備えることを特徴とする請求項26乃至30いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 前記受け取り基板はシリコン又は石英より成ることを特徴とする請求項1乃至31いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 前記方法中に用いられる層の内の少なくとも一層は、さらに、炭素濃度が実質的に50%より少ない又は等しい炭素を含むことを特徴とする請求項1乃至32いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- この方法中に用いられる層の内の少なくとも一層は、さらに、炭素濃度が実質的に5%より少ない又は等しい炭素を含むことを特徴とする請求項1乃至33いずれかに記載の有用層を形成する方法。
- 請求項1乃至34いずれかに記載の有用層を形成する方法をセミコンダクタ・オン・インシュレータ構造に応用し、該構造のセミコンダクタの一重が前記有用層を備えることを特徴とする応用。
- 請求項1乃至34いずれかに記載の有用層を形成する方法で用いられるウエハであって、第一の格子定数を有する支持基板と、さらに、第二の格子定数を有する全体が緩和又は疑似緩和された層とを有し、そして、バッファ層を含まないことを特徴とするウエハ。
- 前記支持基板内に摂動領域をさらに含むことを特徴とする請求項36に記載のウエハ。
- 脆弱領域をさらに含むことを特徴とする請求項36又は37いずれかに記載のウエハ。
- 請求項36乃至38いずれかに記載のウエハと受け取り基板を備える構造。
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