JP2005536871A - エレクトロマイグレーション試験装置およびその方法 - Google Patents
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Abstract
Description
T.Jingらによる「Electromigration under Time−Varying Current Srtess」、Microelectronics Reliability 38(3) (1998) 295〜308ページ J.A.Maizによる「Characterization of Electromigration under Bidirectional(BC) and Pulsed Unidirectional (PDC) Currents」、Reliability Physics Symposium、27th Annual Proceeding、1998年4月、220〜228ページ
図2は、導電性パターン100の本発明によるエレクトロマイグレーション試験装置によって決定された抵抗の時間変化を示す。抵抗を決定するためのパラメータは、262°Cの温度に対応する、23.3mAの交流電流であった。課されたストレス電流は0.5mAである。試験は、およそ10、000秒の期間、実施された。測定期間の最後において、所定抵抗の跳躍的な上昇209が明らかに認められる。
101 直流電流源
102 パルス発生器
103 電流測定装置
104 回路
105 電圧測定装置
106 第1の電圧プローブ
107 第2の電圧プローブ
108 ウェーハ
209 電圧上昇
Claims (12)
- エレクトロマイグレーションを試験する装置であって、
直流電流源と、
交流電圧源と、
該直流電流源および該交流電圧源に電気的に接続される少なくとも1つの試験導電性パターンを有する回路と、
該試験導電性パターン内のエレクトロマイグレーションを示す電気的パラメータを把握するように構成される測定器とを備え、
該交流電圧源は、該直流電流源の直流電流に依存せず、該試験導電性パターンに交流電流を提供し、それにより該試験導電性パターンを所定の設定可能な温度まで加熱するように構成される、エレクトロマイグレーション試験装置。 - 前記電気パラメータは前記試験導電性パターンの抵抗である、請求項1に記載の装置。
- 電力を確定するための評価ユニットをさらに備え、
該評価ユニットは電圧測定装置および電流測定装置を有し、該電圧測定装置および電流測定装置は、前記試験導電性パターンを流れる実効電流および該試験導電性パターンの実効電圧を把握できるように前記回路内に配置される、請求項1または2に記載の装置。 - 前記試験導電性パターンの前記温度を一定に保持するように前記交流電圧源を制御するように構成される制御装置が設けられる、請求項1から3のいずれか一項に記載の装置。
- 前記試験導電性パターンは、半導体ウェーハ上あるいはその内部に配置される、請求項1から4のいずれか一項に記載の装置。
- 前記交流電流源および前記直流電流源は、1つのパルス発生器内に組み入れられている、請求項1から5のいずれか一項に記載の装置。
- 前記試験導電性パターンを加熱するように構成される熱オーブンをさらに備える、請求項1から6のいずれか一項に記載の装置。
- 導電性パターンのエレクトロマイグレーションを試験する方法であって、以下の工程:
試験導電性パターンを、直流電流源および交流電流源と電気的に接続された回路に電気的に接続する工程と;
該試験導電性パターン内に該エレクトロマイグレーションを引き起こす直流電流を該試験導電性パターンに供給する工程と;
該試験導電性パターンを該交流電流によって加熱する工程であって、該交流電流は該試験導電性パターン内に該エレクトロマイグレーションを引き起こす直流電流には依存しない、工程と;
該試験導電性パターン内の該エレクトロマイグレーションを示す電気的パラメータを把握する工程と
を包含する、方法。 - 電気的パラメータとして、前記試験導電性パターンの抵抗が把握される、請求項8に記載の方法。
- 前記試験導電性パターンを流れる実効電流および該試験導電性パターンの実効電圧を把握し、それにより電力を決定する工程を、さらに包含する、請求項8または9に記載の方法。
- 評価ユニットによって、前記試験導電性パターンの前記温度が一定に制御される、請求項8から10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記試験導電性パターンが、半導体ウェーハ上あるいはその内部に形成される、請求項8から11のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10228284 | 2002-06-25 | ||
PCT/DE2003/002112 WO2004001432A1 (de) | 2002-06-25 | 2003-06-25 | Elektromigrations-testvorrichtung und elektromigrations-testverfahren |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005536871A true JP2005536871A (ja) | 2005-12-02 |
Family
ID=29795873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004514570A Pending JP2005536871A (ja) | 2002-06-25 | 2003-06-25 | エレクトロマイグレーション試験装置およびその方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060125494A1 (ja) |
EP (1) | EP1516195A1 (ja) |
JP (1) | JP2005536871A (ja) |
CN (1) | CN100412561C (ja) |
TW (1) | TWI221908B (ja) |
WO (1) | WO2004001432A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012043924A (ja) * | 2010-08-18 | 2012-03-01 | Sharp Corp | Ledの信頼性評価方法および評価用チップ |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7187160B2 (en) * | 2005-07-26 | 2007-03-06 | Higgins James C | Systems and methods for measuring an RMS voltage |
EP1978371A1 (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-08 | Nxp B.V. | Electromigration testing and evaluation apparatus and methods |
CN101295002B (zh) * | 2007-04-24 | 2010-09-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 互连线失效检测方法 |
CN101493497B (zh) * | 2008-01-24 | 2011-04-20 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种可提高测试效率的应力迁移测试方法 |
CN102955121B (zh) * | 2012-10-30 | 2014-11-19 | 工业和信息化部电子第五研究所 | 一种电迁移失效的剩余寿命预测方法和装置 |
US10732216B2 (en) * | 2012-10-30 | 2020-08-04 | Fifth Electronics Research Institute Of Ministry Of Industry And Information Technology | Method and device of remaining life prediction for electromigration failure |
US9851397B2 (en) * | 2015-03-02 | 2017-12-26 | Globalfoundries Inc. | Electromigration testing of interconnect analogues having bottom-connected sensory pins |
US9753076B2 (en) | 2016-01-28 | 2017-09-05 | International Business Machines Corporation | Voltage rail monitoring to detect electromigration |
CN106449460B (zh) * | 2016-10-26 | 2019-09-17 | 上海华力微电子有限公司 | 恒温电迁移测试中的电流加速因子评估方法 |
CN107063891B (zh) * | 2017-04-10 | 2023-04-11 | 河南科技大学 | 一种用于热电复合场下电迁移的装置及方法 |
CN107064571B (zh) * | 2017-04-10 | 2023-03-14 | 河南科技大学 | 一种方便装卸测试式样的导电装置及恒温电迁移实验装置 |
DE102020204733A1 (de) * | 2020-04-15 | 2021-10-21 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Testvorrichtung, Steuergerätesystem und Verfahren zum Testen |
CN113327864B (zh) * | 2021-04-28 | 2022-06-07 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种应力迁移的可靠性评估方法、装置及系统 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4483629A (en) * | 1983-01-05 | 1984-11-20 | Syracuse University | Dynamic testing of electrical conductors |
US5291142A (en) * | 1992-05-08 | 1994-03-01 | Tadahiro Ohmi | Method and apparatus for measuring the resistance of conductive materials due to electromigration |
US5625288A (en) * | 1993-10-22 | 1997-04-29 | Sandia Corporation | On-clip high frequency reliability and failure test structures |
EP0907085A1 (en) * | 1997-10-03 | 1999-04-07 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | A method for measuring electromigration-induced resistance changes |
US6223686B1 (en) * | 1998-02-06 | 2001-05-01 | Shimadzu Corporation | Apparatus for forming a thin film by plasma chemical vapor deposition |
JP2002026099A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Nec Kyushu Ltd | エレクトロマイグレーション評価回路 |
-
2003
- 2003-06-19 TW TW092116720A patent/TWI221908B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-06-25 WO PCT/DE2003/002112 patent/WO2004001432A1/de not_active Application Discontinuation
- 2003-06-25 US US10/519,659 patent/US20060125494A1/en not_active Abandoned
- 2003-06-25 CN CNB038148048A patent/CN100412561C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-25 EP EP03740110A patent/EP1516195A1/de not_active Withdrawn
- 2003-06-25 JP JP2004514570A patent/JP2005536871A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012043924A (ja) * | 2010-08-18 | 2012-03-01 | Sharp Corp | Ledの信頼性評価方法および評価用チップ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100412561C (zh) | 2008-08-20 |
CN1662823A (zh) | 2005-08-31 |
US20060125494A1 (en) | 2006-06-15 |
TWI221908B (en) | 2004-10-11 |
WO2004001432A1 (de) | 2003-12-31 |
TW200403441A (en) | 2004-03-01 |
EP1516195A1 (de) | 2005-03-23 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071114 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A602 | Written permission of extension of time |
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