JP2005536820A - 抵抗メモリー素子用の二重ループセンシング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】抵抗メモリー素子の抵抗状態をセンスする方法及び装置が、メモリーセルの抵抗に関連する第1電流を生成するステップを具えている。この第1電流を、第1センシング時間中に第2電流に加算して、第2センシング時間中に第3電流から減算する。前記第1、第2及び第3電流を、キャパシタを用いて時間積分して、このキャパシタ上の結果的な電圧信号を、クロック付きカウンタを用いて時間測定する。そして前記クロック付きカウンタのディジタル出力の時間平均値を前記メモリーセルの抵抗に関連付け、従って前記抵抗メモリー素子の抵抗状態に関連付ける。
Description
本発明は、論理値を抵抗状態としてメモリーセルに記憶する磁気抵抗ランダムアクセス・メモリー(MRAM:Magneto-Resistive Random Access Memory)デバイスのような、抵抗ベースのメモリーデバイスの読出しに関するものである。
図1に、抵抗ベースのメモリーアレイ・アーキテクチャの一例を示し、これはクロスポイントアレイと称される。メモリーアレイ8は、複数の行ライン6、及びこれらに直交させて配置した複数の列ライン12を具えている。各行ラインは、それぞれの抵抗メモリーセル14によって各列ライン14に結合されている。各メモリーセルの抵抗値は、複数の抵抗値のいずれを示すべくプログラムされたかに応じて、2つ以上の論理値のうちの1つを記憶する。行ライン及び列ラインに接続した抵抗セル14を有するクロスポイントアレイの特徴は、メモリーセルのアクセス・トランジスタがアレイ内に存在しないことである。
本発明の1つの態様によれば、セルの抵抗に関連するセンシング電圧がセルの両端に形成されるようにメモリーセルを構成することによって、MRAMセルの論理状態をセンスする。このセンシング電圧をトランスコンダクタンス増幅器の入力に印加して、このトランスコンダクタンス増幅器は、前記センシング電圧に関連するセンシング電流を出力する。このセンシング電流を付加的な電流と共に時間積分して、ディジタルカウンタを通してフィルタリングして、センシング電流の感度を改善する。
本発明は、信号を受信して、抵抗メモリーセルのプログラムされた抵抗状態をディジタルカウンタに表現することによって動作する。センシングの時間間隔を表わす結果的なディジタルカウント値は、メモリーセルの抵抗状態を表現する。このカウント値はディジタル化されて、長い時間にわたって取得したものであるので、システム内の高周波の確率論的な(ランダムな)ノイズはフィルタ除去される。
Claims (50)
- 抵抗メモリーセルに電流を通して、前記抵抗メモリーセルの両端に電圧を発生させるステップと;
前記電圧を、積分増幅器を通してディジタルカウンタに結合させるステップと;
前記ディジタルカウンタのディジタルカウント値の移動平均値が、長い時間で見れば、前記抵抗メモリーセルの両端の前記電圧の振幅に関連する速度で変化するように、前記カウント値を反復的に増加及び減少させるステップと;
特定時刻に取得した前記カウント値の瞬時値を、前記抵抗メモリーセルの抵抗状態に関連付けるステップと
を具えていることを特徴とする抵抗メモリーセルの抵抗状態のセンシング方法。 - 更に、
初期時刻に、前記ディジタルカウンタの前記カウント値を第1の値に初期化するステップと;
前記初期時刻後の第2時刻に、前記カウント値を評価して、第2の値を確定するステップと;
前記第2の値と前記第1の値との差を、前記抵抗メモリーセルの前記抵抗状態に関連付けるステップと
を具えていることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記カウント値の前記移動平均値が時間と共に減少することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記反復的に増加及び減少させるステップにおける増加させるステップが、
キャパシタの電圧が上昇している間に前記カウンタの値を増加させるステップから成り、前記キャパシタの電圧の少なくとも一部は、前記抵抗メモリーセルの両端の前記電圧を入力として受け取るトランスコンダクタンス増幅器によって生成することを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記反復的に増加及び減少させるステップにおける増加させるステップが、周期的なクロック信号の第1サイクル数を上昇方向にカウントするステップを含み、
前記反復的に増加及び減少させるステップにおける減少させるステップが、前記周期的なクロック信号の第2サイクル数を下降方向にカウントするステップを含み、
前記第1サイクル数及び前記第2サイクル数が、前記抵抗メモリーセルを通る前記電流に依存することを特徴とする請求項1に記載の方法。 - カウンタのカウント値をプリセット・カウント値に事前設定するステップと;
第1の複数時間間隔中に、キャパシタを充電電流で充電するステップであって、前記第1の複数時間間隔の各時間間隔は、前記キャパシタの周期的なテストによって前記キャパシタの第1電圧がしきい値電圧を超えたことが示された際に終了するステップと;
第2の複数時間間隔中に、前記キャパシタから放電電流を放電させるステップであって、前記第2の複数時間間隔の各時間間隔は、前記キャパシタの周期的なテストによって前記キャパシタの第2電圧がしきい値電圧を下回ることが示された際に終了するステップと;
前記充電電流及び前記放電電流に更なる電流を加算するステップであって、前記更なる電流が、前記第2の複数時間間隔のうちの1つ以上の時間間隔の期間を延長して、延長した第3の複数時間間隔を形成して、前記更なる電流がメモリーセルの抵抗素子の抵抗値に関連し、前記抵抗値が前記メモリーセルの論理状態に対応するステップと;
前記第1の複数時間間隔中には前記カウンタを周期的に増加させて、前記第2の複数時間間隔中及び前記第3の複数時間間隔中には共に前記カウンタを周期的に減少させて、これにより、前記カウンタのカウント値に長い時間における正味の変化を生じさせるステップと;
前記カウント値の前記長い時間にわたる正味の変化を、前記メモリーセルの前記論理状態に関連づけるステップと
を具えていることを特徴とするメモリーセルの論理状態のセンシング方法。 - 前記更なる電流が充電電流から成ることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記カウンタを周期的に増加させるステップが、
前記第1の複数時間間隔の各時間間隔中に、前記カウンタを1回増加させるステップから成ることを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 前記カウンタを周期的に減少させるステップが、
前記第2の複数時間間隔及び前記第3の複数時間間隔の各時間間隔中に、前記カウンタを1回以上減少させるステップから成る
ことを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 前記充電電流及び前記放電電流に更なる電流を加算するステップが、
前記抵抗素子の前記抵抗値に関連する更なる電圧を、トランスコンダクタンス増幅器の入力で受け取るステップと;
前記更なる電流を前記トランスコンダクタンス増幅器の出力から出力するステップであって、前記トランスコンダクタンス増幅器が、前記更なる電流を前記更なる電圧と関数関係にする伝達関数を有するステップと
を具えていることを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 更に、
前記メモリーセルの前記抵抗素子を、共通ノードを有する分圧回路として構成するステップと;
前記分圧回路の両端に標準電圧を印加して、これにより、前記メモリーセルの前記抵抗値に関連する前記更なる電圧が前記共通ノードに現われるステップと
を具えていることを特徴とする請求項10に記載の方法。 - 前記メモリーセルがMRAMメモリーセルから成ることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記充電電流及び前記放電電流に更なる電流を加算するステップが、
前記更なる電流を、前記充電電流または前記放電電流と共に、前記キャパシタの共通極板に流すステップから成ることを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 前記第1の複数時間間隔中に前記カウンタを周期的に増加させるステップが、
前記第1の複数時間間隔の各時間間隔中に、前記カウンタを1カウント増分だけ増加させるステップから成ることを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 前記第2の複数時間間隔中及び前記第3の複数時間間隔中に前記カウンタを周期的に減少させるステップが、
前記第2の複数時間間隔の各時間間隔中には前記カウンタを1カウント増分だけ減少させて、前記第3の複数時間間隔の各時間間隔中には前記カウンタを2カウント増分だけ減少させるステップから成ることを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 更に、
前記更なる電流からノイズ成分をフィルタ除去するステップを具えていることを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 前記第1の複数時間間隔の各時間間隔の直後に、前記第2の複数時間間隔の1つの時間間隔が後続して、前記第2の複数時間間隔の各時間間隔の直後に、前記第1の複数時間間隔の1つの時間間隔が後続するように、前記第1の複数時間間隔と前記第2の複数時間間隔とを互いに交互させることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 抵抗メモリーセルの抵抗素子に電流を流して、前記抵抗素子の抵抗に関連する電圧を、前記抵抗素子とセンシング回路との間に結合した導体上に発生させるステップと;
前記センシング回路によって振動信号を発生するステップであって、前記振動信号が複数の信号極小値、及び全体的に増加するトレンドを有し、前記複数の信号極小値の各信号極小値が、周期的なクロック信号の複数の遷移のそれぞれと同期して、前記全体的に増加するトレンドの大きさが、前記電圧の振幅に関連するステップと;
前記周期的なクロック信号の前記複数の遷移のそれぞれの時点で、前記振動信号の瞬時値が基準値を超えた際に毎回、前記振動信号を下方向に調整するステップと;
特定の時間間隔中に、前記調整の回数をカウントして、調整カウント数を生成するステップと;
前記調整カウント数を前記電圧に関連付けて、これにより、前記調整カウント数を前記抵抗素子の前記抵抗に関連付けるステップと
を具えていることを特徴とする抵抗メモリーセルの抵抗のセンシング方法。 - 測定期間中に抵抗メモリーセルに電圧を印加して、前記測定期間中に、結果的な増幅器の電流出力を発生させるステップと;
前記結果的な電流を補助的な電流と組み合わせて用いて、前記測定期間中にキャパシタを反復的に充電及び放電するステップであって、前記補助的な電流は、前記キャパシタの瞬時電圧値に関連させて制御するステップと;
前記測定期間中の複数のサンプリング時刻に、前記キャパシタの前記瞬時電圧がしきい値を上回るか下回るかに応答して、カウンタの値をそれぞれ増加または減少させるステップと;
前記測定期間の終わりに、前記カウンタの値にもとづいて、前記メモリーセルの抵抗値を決定するステップと
を具えていることを特徴とする抵抗メモリーセルの論理値のセンシング方法。 - ディジタルカウンタに結合されたカウンタ制御回路に結合した抵抗メモリーセルを用意するステップと;
前記制御回路からの増加及び減少コマンドに従って、前記ディジタルカウンタのカウント値をそれぞれ増加及び減少させるステップであって、前記増加及び減少コマンドは、前記抵抗メモリーセルの抵抗に関連して発行するステップと;
それぞれ第1時刻及び第2時刻に取得した、第1の値と第2の値との差を評価するステップと;
前記差、及び前記第1時刻と前記第2時刻との間の期間を前記抵抗メモリーセルの論理状態に関連付けるステップと
を具えていることを特徴とする抵抗メモリーセルの論理状態のセンシング方法。 - メモリーセルを通る電流によって発生する電圧に応答して、ディジタルカウンタのカウント値を反復的に増加及び減少させて、特定時点で取得した前記カウント値が、前記セルの第1導通状態を示すカウント値の第1範囲内であるか、前記セルの第2導通状態を示すカウント値の第2範囲であるかを見出すステップを具えていることを特徴とする抵抗メモリーセルの導通状態のセンシング方法。
- 前記セルの前記第1導通状態及び前記第2導通状態がそれぞれ、前記セルに記憶されるデータ値の第1論理状態及び第2論理状態を表わすことを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記ディジタルカウンタのカウント値を反復的に増加及び減少させるステップが、周期的なクロック信号の遷移をカウントするステップから成ることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- MRAMセルの両端に第1電圧を印加するステップと;
前記第1電圧を表わす電流を生成するステップと;
前記第1電圧が基準電圧を上回ったことを表わす前記電流を、第1期間にわたって増加方向に積分して、第1積分電圧信号を発生するステップと;
前記第1電圧が前記基準電圧を下回ったことを表わす前記電流を、第2期間にわたって減少方向に積分して、第2積分電圧信号を発生するステップと;
前記第1期間中にカウンタを増加させて、前記第2期間中に前記カウンタを減少させることによって、カウント値を累積させるステップと;
前記積分及び累積の操作を、所定期間にわたって反復するステップと
を具えていることを特徴とするMRAMセルの論理状態のセンシング方法。 - a)MRAMセルの両端に第1電圧を印加するステップと;
b)前記第1電圧を増幅して、前記第1電圧に対応する第1電流を生成するステップと;
c)第1期間中に、前記第1電流を第2電流と共に、キャパシタ上で増加方向に積分して、前記キャパシタ上に第2の上向きの電圧変化を発生させるステップと;
d)第2期間中に、前記第1電流を第3電流と共に、前記キャパシタ上で減少方向に積分して、前記キャパシタ上に第3の下向きの電圧変化を発生させるステップと;
e)長い時間にわたって、ステップa)〜d)を反復するステップと;
f)前記第2の上向きの電圧変化と前記第3の下向きの電圧変化との差を記憶することによって、前記キャパシタ上に第4電圧を蓄積させるステップであって、前記第4電圧が第5の基準電圧を超えるまで前記蓄積を行うステップと;
g)前記キャパシタを放電させて、ディジタルカウンタのカウント値を調整するステップと;
h)長い時間にわたってステップa)〜g)を反復するステップと;
i)測定時刻における前記カウント値を、前記MRAMセルの論理状態に関連付けるステップと
を具えていることを特徴とする抵抗メモリーセルの論理状態のセンシング方法。 - 前記ディジタルカウンタのカウント値を初期値に事前設定するステップを具えていることを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記第2電流が、前記第1期間中に電流源によって生成された正電流を含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記第3電流が、前記第2期間中に電流源によって生成された負電流を含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。
- MRAMセルに電流を流して、前記MRAMセルの両端に電圧を発生させるステップと;
前記電圧を時間的に変化するディジタルカウント値に変換するステップであって、前記時間的に変化するディジタルカウント値が、長い期間で見れば時間的に変化する時間平均値を有するステップと;
前記長い期間の最終時点において、前記時間平均したカウント値の瞬時値を前記MRAMセルの端子間の電圧に関連づけて、これにより、前記MRAMセルの論理状態を検出するステップと
を具えていることを特徴とするMRAMセルの論理状態のセンシング方法。 - 抵抗メモリーセルの抵抗を測定するために用いるべく適応させた電気信号であって、この電気信号が、
第1の複数の電圧極大値と第2の複数の電圧極小値との間を振動する周期的な電気信号から成り、前記第1の複数の電圧極大値の各々と前記第2の複数の電圧極小値の各々とが、時間的に互いに交互し、前記第1の複数の電圧極大値の各々と前記第2の電圧極小値の各々が電圧振幅を有し;
前記第2の複数の電圧極小値の各々が、その直後に隣接する電圧極大値から、第1の複数の時間間隔の各々だけ離れて、前記第1の複数の時間間隔の各時間間隔が、第1期間にほぼ等しく;
前記第1の複数の電圧極大値の各々が、その直後に隣接する電圧極小値から、第2の複数の時間間隔の各々だけ離れて、前記第2の複数の時間間隔が、第3の複数の時間間隔及び第4の複数の時間間隔を含み、前記第3の複数の時間間隔の各々が第2期間にほぼ等しく、前記第4の複数の時間間隔の各々が、前記第2期間より長い第3期間にほぼ等しく、前記第4の複数の時間間隔の各時間間隔が、この時間間隔に先行する前記第1の複数の電圧極大値のそれぞれの極大値の時点よりおよそ前記第2期間だけ遅い時点で前記電気信号の振幅が基準値を超えた際の時点を含む
ことを特徴とする抵抗メモリーセルの抵抗測定用に適応させた電気信号。 - MRAMメモリーセルの論理状態を検出するセンシング回路であって、このセンシング回路が、
第1ノード及び第2ノードと;
MRAMメモリーセルの抵抗素子の一端に結合した第1入力及び前記第1ノードに結合した第1出力を有するトランスコンダクタンス増幅器と;
前記第1ノードに結合した第1極板及び定電位の第1電源に結合した第2極板を有するキャパシタと;
前記第1ノードに結合した第2出力を有する電流源とを具えて、前記電流源が、前記第2出力を通して前記第1ノードへの電流供給または前記第1ノードからの電流シンクを交互に行うべく適応し、前記電流源が、前記第2ノードに結合された制御端子であって前記電流源が特定時点に電流を供給しているかシンクしているかを制御するための制御信号を受信すべく適応させた制御端子を有し;
前記センシング回路が更に、前記第1ノードに結合した第2入力、基準電位の電源に結合した第3入力、第1クロック信号源に結合した第4入力、及び前記第2ノードに結合した第3出力を有する比較器回路と;
前記第1ノードに結合した第5入力、第2クロック信号源に結合された第6入力、プリセット信号源に結合された第7入力、及びディジタルカウント値を出力すべく適応させた第4出力を有するカウンタ回路と
を具えていることを特徴とするMRAMメモリーセルの抵抗状態のセンシング回路。 - 更に、前記第1ノードに結合した第5出力を有し、前記キャパシタの両端にプリセット電圧を確立するアナログ・プリセット回路を具えていることを特徴とする請求項31に記載のセンシング回路。
- 前記電流源が供給する電流と前記電流源がシンクする電流とが、ほぼ等しい振幅を有することを特徴とする請求項31に記載のセンシング回路。
- 前記第1クロック信号と前記第2クロック信号とが、互いに同期していないことを特徴とする請求項31に記載のセンシング回路。
- 前記第1クロック信号と前記第2クロック信号とが、異なる周波数を有することを特徴とする請求項31に記載のセンシング回路。
- 前記カウンタ回路の前記第7入力がプリセット信号の遷移を受け取るべく適応し、これにより、前記カウンタ回路の第4出力が特定のカウント値を有することを特徴とする請求項31に記載のセンシング回路。
- 前記トランスコンダクタンス増幅器が、前記第1出力に出力電流を生成すべく適応し、前記出力電流が、前記第1入力に印加される入力電圧と関数関係を有することを特徴とする請求項31に記載のセンシング回路。
- メモリーセル・センサが、
第1期間中に第1電流源からの第1電流によって充電され、第2期間中に第2電流源への第2電流を放電すべく適応させたキャパシタを具えて、前記第1電流と前記第2電流とがほぼ等しい振幅を有し、かつ前記キャパシタに対して互いに逆の方向を有し;
前記メモリーセルが更に、前記第1期間及び前記第2期間中に、前記キャパシタに対して第3電流を出力すべく適応させたトランスコンダクタンス増幅器を具えて、前記第3電流を前記第1電流に加算して、前記第3電流を前記第2電流から減算して、前記第3電流が、前記トランスコンダクタンス増幅器の第1入力で受信した第1電圧信号に関連し、前記第1期間及び前記第2期間のそれぞれが、前記第3電流の振幅に関連し;
前記メモリーセル・センサが更に、
前記第1電圧を抵抗メモリーセルの端子間に印加すべく適応させた抵抗網を具えて、前記第1電圧が前記抵抗メモリーセルの抵抗に関連し;
前記メモリーセルが更に、前記第1期間と前記第2期間との時間差に関連して、カウンタのカウント出力を増加させるべく適応させたカウンタと
を具えていることを特徴とするメモリーセル・センサ。 - 前記抵抗メモリーセルの前記抵抗が、前記抵抗メモリーセルの論理状態を表わすことを特徴とする請求項38に記載のメモリーセル・センサ。
- メモリーセル・センサが、
第1入力と第1出力とを有する第1トランスコンダクタンス増幅器、及び第2入力と第2出力とを有するトランスコンダクタンス増幅器を具えて、前記前記第1出力が前記第2入力に接続され、前記第1入力が、抵抗メモリーセルの論理状態に応じた電圧信号源に結合すべく適応し;
前記メモリーセル・センサが更に、第1信号端子と第1接地端子とを有する第1キャパシタ、及び第2信号端子と第2接地端子とを有する第2キャパシタを具えて、前記第1及び第2接地端子が共に接地ノードに接続され、前記第1信号端子が前記第1出力に結合され、前記第2信号端子が前記第2出力に結合され;
前記メモリーセル・センサが更に、基準電圧源に結合した第3基準入力、前記第2出力に結合した第4信号入力、第1クロック信号源に結合すべく適応させた第5クロック入力、及び第3しきい値出力を有するしきい値検出器と;
第2クロック信号源に結合すべく適応させた第6クロック入力、前記第3しきい値出力に結合した第7制御入力、及び累積させたディジタルカウント値を表現すべく適応させた複数のディジタルカウント出力を有するカウンタと;
前記第3しきい値出力に接続した第8信号入力、第1電流を出力すべく適応させた第4電流出力、第2電流を出力すべく適応させた第5電流出力を有する電流源を具えて、前記第1電流と前記第2電流とが前記電流源に対して互いに逆の方向を有して、前記第4電流出力が前記第1信号端子に結合され、前記第5電流出力が前記第2信号端子に結合され、前記電流源が、前記第8信号入力で受信した信号に応答して、前記第1電流及び前記第2電流の方向を共に反転させるべく可制御的に適応している
ことを特徴とするメモリーセル・センサ。 - 更に、タイマーの第9入力に結合された第6出力を具えて、前記第3出力を「アップ」出力と表現し、前記第6出力を「ダウン」出力と表現することを特徴とする請求項40に記載のメモリーセル・センサ。
- 前記しきい値検出器がアナログ比較器回路から成ることを特徴とする請求項40に記載のメモリーセル・センサ。
- MRAMセルの論理状態を検出するセンシング回路が、
第1入力及び第1出力を有する第1トランスコンダクタンス増幅器を具えて、前記第1出力が第2トランスコンダクタンス増幅器の第2入力に結合されて;
前記センシング回路が更に、第1期間中には、前記第1トランスコンダクタンス増幅器の前記第1出力からの出力電流に第1電流を加算して、前記第2トランスコンダクタンス増幅器の第2出力からの出力電流から第2電流を減算して、第2期間中には、前記第1トランスコンダクタンス増幅器の前記第1出力からの出力電流から第3電流を減算して、前記第2トランスコンダクタンス増幅器の前記第2出力からの出力電流に第4電流を加算すべく適応し;
前記センシング回路が更に、前記第1出力に結合した第1キャパシタ及び前記第2出力に結合した第2キャパシタと;
電流源に結合され、前記第1電流及び前記第2電流、及びこれらの電流の前記加算及び前記減算を制御して、前記第1期間及び前記第2期間を、前記第1トランスコンダクタンス増幅器の前記第1出力に関連付けて変化させる制御回路と;
前記制御回路に結合され、プリセット・カウント数を、前記第1期間及び前記第2期間に関連付けて変化させて、前記MRAMセルの前記論理状態に関連するカウント数を生成すべく適応させたカウンタ回路と
を具えていることを特徴とするMRAMセルの論理状態検出用のセンシング回路。 - 前記制御回路が、前記第2出力に結合した第3入力、基準電圧源に結合した第4入力、周期的なクロック信号源に結合したクロック入力、及び前記カウンタ回路の入力に結合した出力を有するクロック付き比較器を具えていることを特徴とする請求項43に記載のセンシング回路。
- 前記クロック付き比較器が、前記カウンタ回路の更なる入力に結合した更なる出力を具えて、前記カウンタ回路が、周期的なクロック信号源に結合したクロック入力を有するクロック付きカウンタから成ることを特徴とする請求項44に記載のセンシング回路。
- 更に、
定電位の第1電源と測定ノードとの間に結合した前記MRAMセルの抵抗と、前記測定ノードと定電位の第2電源との間に結合した更なる抵抗とを有する分圧回路を具えていることを特徴とする請求項43に記載のセンシング回路。 - 前記定電位の第1電源がVcc電位を供給すべく適応し、前記定電位の第2電源が接地電位を規定することを特徴とする請求項46に記載のセンシング回路。
- 前記第1トランスコンダクタンス増幅器が正のゲインを有し、前記第2トランスコンダクタンス増幅器が負のゲインを有することを特徴とする請求項43に記載のセンシング回路。
- 前記電流源が、
複数の電流源回路と;
前記複数の電流源のそれぞれの電流を方向付けすべく適応させたスイッチングデバイスと
を具えていることを特徴とする請求項43に記載のセンシング回路。 - センシング回路を有するMRAMメモリーセルを含むメモリーモジュールに結合した中央処理装置を具えたディジタル処理システムにおいて、前記センシング回路が、
第1ノード及び第2ノードと;
前記MRAMメモリーセルの抵抗素子の一端に結合した第1入力、及び前記第1ノードに結合した第1出力を有するトランスコンダクタンス増幅器と;
前記第1ノードに結合した第1極板と、定電位の第1電源に結合した第2極板とを有するキャパシタと;
前記第1ノードに結合した第2出力を有する電流源を具えて、前記電流源が、前記第2出力を通して前記第1ノードへの電流供給または前記第1ノードからの電流シンクを交互に行うべく適応し、前記電流源が、前記第2ノードに結合された制御端子であって前記電流源が特定時点に電流を供給しているかシンクしているかを制御するための制御信号を受信すべく適応させた制御端子を有し;
前記センシング回路が更に、前記第1ノードに結合した第2入力、基準電位の電源に結合した第3入力、第1クロック信号源に結合した第4入力、及び前記第2ノードに結合した第3出力を有する比較器回路と;
前記第1ノードに結合した第5入力、第2クロック信号源に結合した第6入力、プリセット信号源に結合した第7入力、及びディジタルカウント値を出力すべく適応させた第4出力を有するカウンタ回路と
を具えていることを特徴とするディジタル処理システム。
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