JP2005533252A - サブミクロン断面を有する構造素子の断面特徴を決定するためのシステム及び方法 - Google Patents
サブミクロン断面を有する構造素子の断面特徴を決定するためのシステム及び方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
XB=X T+2*XE;X T=(XT+ER1+ER2)/3;XE=EE1−α1*(EE1−EE2)/(α1−α2)
[0073]第2セット(第1の条件が満足されない場合):
XB=X T+XEL+XER;X T=(XT+ER1+ER2+EL1+EL2)/5;XEL=EEL1−αL1*Z;XER=EER1−αR1*Z;Z={(EE1−EE2)/2(αL1−αL2)+(ER1−ER2)/2(αR1−αR2)}
[0074]本発明は、従来のツール、方法及びコンポーネントを使用することにより実施できる。従って、このようなツール、コンポーネント及び方法は、ここでは詳細に説明しない。以上の説明においては、本発明を完全に理解するために、典型的なラインの断面の形状、偏向ユニットの量、等の多数の特定の細部について述べた。しかしながら、本発明は、これら特定の細部に依存せずに実施できることが認識されよう。
Claims (64)
- 第1及び第2のトラバース区分間に位置する中間区分により断面を定義して、サブミクロン断面を有する構造素子の断面特徴を決定するための方法において、
少なくとも頂部区分及び第1トランスバース区分を照射するように、少なくとも1つの対応傾斜角度に傾斜された電子ビームで上記構造素子を少なくとも1回走査するのに応答して第1トラバース区分の断面特徴を決定するステップと、
第1パラメータに応答し、(i)上記第1トラバースの断面特徴に応答して第2トラバース区分の断面特徴を決定すべきか、または(ii)少なくとも上記頂部区分及び上記第2トランスバース区分を照射するように、少なくとも1つの対応傾斜角度に傾斜された電子ビームで上記構造素子を少なくとも1回走査するのに応答して上記第2トラバース区分の断面特徴を決定すべきかを選択するステップと、
上記選択に応答して、上記第2トラバース区分の断面特徴を決定するステップと、
を備えた方法。 - 上記第1パラメータの値は、上記第1及び第2のトラバース区分の推定対称性に応じたものである、請求項1に記載の方法。
- 上記第1パラメータの値は校正プロセス中に決定される、請求項1に記載の方法。
- テストされる物体は、上記サブミクロン構造素子と他のサブミクロン構造素子とを備え、上記校正プロセスは、上記他のサブミクロン構造素子の中の少なくとも2つの構造素子の第1及び第2断面を測定することを含む、請求項3に記載の方法。
- 上記第1パラメータの値は、少なくとも上記頂部区分及び第1トランスバース区分を照射するように傾斜された電子ビームで上記構造素子を走査した結果として取得した波形の対称性に応じたものである、請求項1に記載の方法。
- 上記第1パラメータの値は、上記サブミクロン構造素子を含むテスト物体に実質的に直角である電子ビームで上記構造素子を走査した結果として取得した波形の対称性に応じたものである、請求項1に記載の方法。
- 上記第1パラメータの値は、上記第1トラバース区分に関連した第1波形部分と、上記第2トラバース区分に関連した第2波形部分との間の相関に応じたものである、請求項1に記載の方法。
- 上記第1パラメータの値は、少なくとも上記頂部区分及び第1トランスバース区分を照射するように傾斜された電子ビームで上記構造素子を走査した結果として波形を取得し、以前に計算された第1パラメータの値に関連した複数の以前に記録された波形の中から、以前に記録された最良一致波形を探索し、更に、該以前に記録された最良一致波形の、以前に計算された相関ファクタに応答して上記第1パラメータを決定することにより決定される、請求項1に記載の方法。
- 上記第1条件の値は、上記電子ビームの幅と、上記第1又は第2のいずれかのトラバース部分に関連した波形部分の幅との間の関係に応じたものであり、一方、上記波形は、第1トラバース区分の断面特徴を決定するステップの間に取得される、請求項1に記載の方法。
- 第1トラバース区分の断面特徴を決定する上記ステップは、上記構造素子の高さが分からないか又は推定できない場合に複数の対応する傾斜角度で何回も走査することを含む、請求項1に記載の方法。
- 上記構造素子の高さは、高さ校正プロセスに応答して推定される、請求項10に記載の方法。
- 上記高さ校正検証は、理想的には同じ高さであるテスト物体の複数の構造素子の高さを測定することを含む、請求項11に記載の方法。
- 上記構造素子は、頂部区分と、2つの実質的に反対の側壁とを有するラインである、請求項1に記載の方法。
- 上記構造素子はコンタクトである、請求項1に記載の方法。
- 上記構造素子はくぼみである、請求項1に記載の方法。
- 第1及び第2のトラバース区分間に位置する中間区分により断面を定義して、サブミクロン断面を有する構造素子の断面特徴を決定するための方法において、
上記構造素子に垂直な仮想線に対して第1の正の角度に傾斜された電子ビームで上記構造素子を走査して、第1セットのデータを与えるステップと、
上記構造素子の高さが未知であるか又は推定できない場合には、上記構造素子に垂直な仮想線に対して第2の正の角度に傾斜された電子ビームで上記構造素子を走査して、第2セットのデータを与えるステップと、
少なくとも上記第1セットのデータに応答して第1トラバース区分の断面特徴を決定するステップと、
第1パラメータがある値を有する場合には、上記第1トラバースの断面特徴に応答して第2トラバース区分の断面特徴を決定するステップと、
上記第1パラメータが別の値を有する場合には、
上記構造素子に垂直な仮想線に対して第1の負の角度に傾斜された電子ビームで上記構造素子を走査して、第3セットのデータを与える段階、
上記構造素子の高さが未知であるか又は推定できない場合に、上記構造素子に垂直な仮想線に対して第2の負の角度に傾斜された電子ビームで上記構造素子を走査して、第4セットのデータを与える段階、
少なくとも上記第3セットのデータに応答して第2トラバース区分の断面特徴を決定する段階、
を実行するステップと、
を備えた方法。 - 上記第1パラメータの値は、上記第1及び第2のトラバース区分の推定対称性に応じたものである、請求項16に記載の方法。
- 上記第1パラメータの値は校正プロセス中に決定される、請求項16に記載の方法。
- テストされる物体は、上記サブミクロン構造素子と他のサブミクロン構造素子とを備え、上記校正プロセスは、上記他のサブミクロン構造素子の中の少なくとも2つの構造素子の第1及び第2断面を測定することを含む、請求項18に記載の方法。
- 上記第1パラメータの値は、少なくとも上記頂部区分及び第1トランスバース区分を照射するように傾斜された電子ビームで上記構造素子を走査した結果として取得した波形の対称性に応じたものである、請求項16に記載の方法。
- 上記第1パラメータの値は、上記サブミクロン構造素子を含むテスト物体に実質的に直角である電子ビームで上記構造素子を走査した結果として取得した波形の対称性に応じたものである、請求項16に記載の方法。
- 上記第1パラメータの値は、上記第1トラバース区分に関連した第1波形部分と、上記第2トラバース区分に関連した第2波形部分との間の相関に応じたものである、請求項16に記載の方法。
- 上記第1パラメータの値は、少なくとも上記頂部区分及び第1トランスバース区分を照射するように傾斜された電子ビームで上記構造素子を走査した結果として波形を取得し、以前に計算された第1パラメータの値に関連した複数の以前に記録された波形の中から、以前に記録された最良一致波形を探索し、更に、該以前に記録された最良一致波形の、以前に計算された相関ファクタに応答して上記第1パラメータを決定することにより決定される、請求項16に記載の方法。
- 上記第1条件の値は、上記電子ビームの幅と、上記第1又は第2のいずれかのトラバース部分に関連した波形部分の幅との間の関係に応じたものであり、一方、上記波形は、第1トラバース区分の断面特徴を決定するステップの間に取得される、請求項16に記載の方法。
- 第1トラバース区分の断面特徴を決定する上記ステップは、上記構造素子の高さが分からないか又は推定できない場合に複数の対応する傾斜角度で何回も走査することを含む、請求項16に記載の方法。
- 上記構造素子の高さは、高さ校正プロセスに応答して推定される、請求項25に記載の方法。
- 上記高さ校正検証は、理想的には同じ高さであるテスト物体の複数の構造素子の高さを測定することを含む、請求項26に記載の方法。
- 上記構造素子は、頂部区分と、2つの実質的に反対の側壁とを有するラインである、請求項16に記載の方法。
- 上記構造素子はコンタクトである、請求項16に記載の方法。
- 上記構造素子はくぼみである、請求項16に記載の方法。
- 第1及び第2のトラバース区分間に位置する中間区分により断面を定義して、サブミクロン断面を有する構造素子の断面特徴を決定するシステムにおいて、該システムは、
電子ビームを発生するための第1手段と、
測定物体の構造素子を横切って上記電子ビームを走査すると共に上記電子ビームの傾斜角度を決定するための第2手段であって、プロセッサに接続されて該プロセッサにより制御されるような第2手段と、
上記プロセッサに接続された検出器であって、上記電子ビームとの相互作用の結果として上記構造素子から放出される電子を検出するように配置された検出器と、
を備え、更に、上記プロセッサは、
少なくとも頂部区分及び第1トランスバース区分を照射するように、少なくとも1つの対応傾斜角度に傾斜された電子ビームで上記構造素子を少なくとも1回走査するのに応答して第1トラバース区分の断面特徴を決定し、
第1パラメータに応答し、(i)上記第1トラバースの断面特徴に応答して第2トラバース区分の断面特徴を決定すべきか、または(ii)少なくとも上記頂部区分及び第2トランスバース区分を照射するように、少なくとも1つの対応傾斜角度に傾斜された電子ビームで上記構造素子を少なくとも1回走査するのに応答して上記第2トラバース区分の断面特徴を決定すべきかを選択し、
上記選択に応答して、上記第2トラバース区分の断面特徴を決定する、
ように動作できるようにされたシステム。 - 上記第1パラメータの値は、上記第1及び第2のトラバース区分の推定対称性に応じたものである、請求項31に記載のシステム。
- 上記第1パラメータの値は校正プロセス中に決定される、請求項31に記載のシステム。
- テストされる物体は、上記サブミクロン構造素子と他のサブミクロン構造素子とを備え、上記校正プロセスは、上記他のサブミクロン構造素子の中の少なくとも2つの構造素子の第1及び第2断面を測定することを含む、請求項33に記載のシステム。
- 上記第1パラメータの値は、少なくとも上記頂部区分及び第1トランスバース区分を照射するように傾斜された電子ビームで上記構造素子を走査した結果として取得した波形の対称性に応じたものである、請求項31に記載のシステム。
- 上記第1パラメータの値は、上記サブミクロン構造素子を含むテスト物体に実質的に直角である電子ビームで上記構造素子を走査した結果として取得した波形の対称性に応じたものである、請求項31に記載のシステム。
- 上記システムは、上記第1トラバース区分に関連した第1波形部分と、上記第2トラバース区分に関連した第2波形部分との間の相関に応答して上記第1パラメータの値を決定するように動作できる、請求項31に記載のシステム。
- 上記システムは、少なくとも上記頂部区分及び第1トランスバース区分を照射するように傾斜された電子ビームで上記構造素子を走査した結果として波形を取得し、以前に計算された第1パラメータの値に関連した複数の以前に記録された波形の中から、以前に記録された最良一致波形を探索し、更に、該以前に記録された最良一致波形の、以前に計算された相関ファクタに応答して上記第1パラメータを決定することにより、上記第1パラメータの値を決定するよう動作できる、請求項31に記載のシステム。
- 上記第1条件の値は、上記電子ビームの幅と、上記第1又は第2のいずれかのトラバース部分に関連した波形部分の幅との間の関係に応じたものであり、一方、上記波形は、第1トラバース区分の断面特徴を決定するステップの間に取得される、請求項31に記載のシステム。
- 上記システムは、上記構造素子の高さが分からないか又は推定できない場合に複数の対応する傾斜角度で何回も走査することにより第1トラバース区分の断面特徴を決定するように動作できる、請求項31に記載のシステム。
- 上記システムは、高さ校正プロセスに応答して上記構造素子の高さを推定するように動作できる、請求項40に記載のシステム。
- 上記高さ校正検証は、理想的には同じ高さであるテスト物体の複数の構造素子の高さを測定することを含む、請求項41に記載のシステム。
- 上記構造素子は、頂部区分と、2つの実質的に反対の側壁とを有するラインである、請求項31に記載のシステム。
- 上記構造素子はコンタクトである、請求項31に記載のシステム。
- 上記構造素子はくぼみである、請求項31に記載のシステム。
- 第1及び第2のトラバース区分間に位置する中間区分により断面を定義して、サブミクロン断面を有する構造素子の断面特徴を決定するシステムにおいて、該システムは、
電子ビームを発生するための第1手段と、
測定物体の構造素子を横切って上記電子ビームを走査すると共に上記電子ビームの傾斜角度を決定するための第2手段であって、プロセッサに接続されて該プロセッサにより制御されるような第2手段と、
上記プロセッサに結合された検出器であって、上記電子ビームとの相互作用の結果として上記構造素子から放出される電子を検出するように配置された検出器と、
を備え、更に、上記プロセッサは、
上記構造素子に垂直な仮想線に対して第1の正の角度に傾斜された電子ビームで上記構造素子を走査して第1セットのデータを与えるように、上記第2手段を制御し、
上記構造素子の高さが未知であるか又は推定できない場合には、上記構造素子に垂直な仮想線に対して第2の正の角度に傾斜された電子ビームで上記構造素子を走査して第2セットのデータを与えるように、上記第2手段を制御し、
少なくとも上記第1セットのデータに応答して第1トラバース区分の断面特徴を決定し、
第1パラメータがある値を有する場合には、上記第1トラバースの断面特徴に応答して第2トラバース区分の断面特徴を決定し、
一方、上記第1パラメータが別の値を有する場合には、
上記構造素子に垂直な仮想線に対して第1の負の角度に傾斜された電子ビームで上記構造素子を走査して第3セットのデータを与えるように、上記第2手段を制御し、
上記構造素子の高さが未知であるか又は推定できない場合に、上記構造素子に垂直な仮想線に対して第2の負の角度に傾斜された電子ビームで上記構造素子を走査して第4セットのデータを与えるように、上記第2手段を制御し、
上記データのセットに応答して第2トラバース区分の断面特徴を決定する、
というように動作できるものであるシステム。 - 上記第1パラメータの値は、上記第1及び第2のトラバース区分の推定対称性に応じたものである、請求項46に記載のシステム。
- 上記第1パラメータの値は校正プロセス中に決定される、請求項46に記載のシステム。
- テストされる物体は、上記サブミクロン構造素子と他のサブミクロン構造素子とを備え、上記校正プロセスは、上記他のサブミクロン構造素子の中の少なくとも2つの構造素子の第1及び第2断面を測定することを含む、請求項48に記載のシステム。
- 上記第1パラメータの値は、少なくとも上記頂部区分及び第1トランスバース区分を照射するように傾斜された電子ビームで上記構造素子を走査した結果として取得した波形の対称性に応じたものである、請求項46に記載のシステム。
- 上記第1パラメータの値は、上記サブミクロン構造素子を含むテスト物体に実質的に直角である電子ビームで上記構造素子を走査した結果として取得した波形の対称性に応じたものである、請求項46に記載のシステム。
- 上記システムは、上記第1トラバース区分に関連した第1波形部分と、上記第2トラバース区分に関連した第2波形部分との間の相関に応答して上記第1パラメータの値を決定するように動作できる、請求項46に記載のシステム。
- 上記システムは、少なくとも上記頂部区分及び第1トランスバース区分を照射するように傾斜された電子ビームで上記構造素子を走査した結果として波形を取得し、以前に計算された第1パラメータの値に関連した複数の以前に記録された波形の中から、以前に記録された最良一致波形を探索し、更に、該以前に記録された最良一致波形の、以前に計算された相関ファクタに応答して上記第1パラメータを決定することにより、上記第1パラメータの値を決定するように動作できる、請求項46に記載のシステム。
- 上記第1条件の値は、上記電子ビームの幅と、上記第1又は第2のいずれかのトラバース部分に関連した波形部分の幅との間の関係に応じたものであり、一方、上記波形は、第1トラバース区分の断面特徴を決定するステップの間に取得される、請求項46に記載のシステム。
- 上記システムは、上記構造素子の高さが分からないか又は推定できない場合に複数の対応する傾斜角度で何回も走査することにより第1トラバース区分の断面特徴を決定するように動作できる、請求項46に記載のシステム。
- 上記システムは、高さ校正プロセスに応答して上記構造素子の高さを推定するように動作できる、請求項55に記載のシステム。
- 上記高さ校正検証は、理想的には同じ高さであるテスト物体の複数の構造素子の高さを測定することを含む、請求項56に記載のシステム。
- 上記構造素子は、頂部区分と、2つの実質的に反対の側壁とを有するラインである、請求項46に記載のシステム。
- 上記構造素子はコンタクトである、請求項46に記載のシステム。
- 上記構造素子はくぼみである、請求項46に記載のシステム。
- 1つの傾斜角度は実質的にゼロである、請求項1に記載の方法。
- 上記第1の正の角度及び第1の負の角度の中の1つの傾斜は実質的にゼロである、請求項16に記載の方法。
- 1つの傾斜角度は実質的にゼロである、請求項31に記載のシステム。
- 上記第1の正の角度及び第1の負の角度の中の1つの傾斜は実質的にゼロである、請求項46に記載のシステム。
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