JP2005532446A - オキサニリド構造単位を含んでなる耐候性ポリカーボネート、方法、及びそれから製造される物品 - Google Patents
オキサニリド構造単位を含んでなる耐候性ポリカーボネート、方法、及びそれから製造される物品 Download PDFInfo
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Abstract
Description
図1は、化合物(V)のビス(フェニルカーボネート)誘導体及び化合物(VIII)のモノフェニルカーボネート誘導体に関する紫外スペクトルを示す。
(X) HO−D−OH
式中、Dは二価芳香族基である。様々な実施形態で、Dは下記式(III)の構造を有する。
化合物(VI)(Ar=4−フェニレン)の合成:25mlフラスコに、オキサメート(化合物(XII))(4.65g、19.6mmol)、精製p−アミノフェノール(3g、27.5mmol)、o−ジクロロベンゼン(12ml)及びN,N−ジメチルアセトアミド(2ml)を添加した。フラスコの内容物を窒素の流れで脱気し、次いで150℃に10時間加熱した。TLCはオキサメートの完全な転化を示した。反応混合物を減圧下で濃縮した。過剰のp−アミノフェノールを酢酸エチルでトリチュレートして除去し、残った褐色粉末を酢酸エチル/メタノールから再結晶することで、粗生成物を淡褐色粉末として得た。
ビス(トリフルオロエチル)オキサレートの合成:機械撹拌機、均圧添加漏斗及び還流冷却器を備えた乾燥フラスコに、乾燥ジエチルエーテル(250ml)、トリフルオロエタノール(69.2ml、0.95モル)及び乾燥ピリジン(114ml、1.41モル)を添加した。冷たい(0℃の)混合物に、塩化オキサリル(41ml、0.47モル)を滴下した。次に、フラスコの内容物を室温で30分間撹拌し、濃厚なスラリーを濾過し、ジエチルエーテルで洗った。濾液を冷たい1N塩酸で2回洗い、次いで水洗し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥し、次いで分別蒸留した。約20mlのトリフルオロエタノール及び中間の前留分を回収した後、159〜161℃及び常圧で留出する主留分を集めることで、ビス(トリフルオロエチル)オキサレートを湿った空気中で発煙する無色液体として得た(GC−MS m/e 254.2)。GC純度は99.9+%であった。
オキサニリド含有一価フェノールの合成:任意にはテトラヒドロフラン又は酢酸エチルのような溶媒中で、アミノフェノールを過剰のビス(トリフルオロエチル)オキサレートと混合する。分析結果がアミノフェノール出発原料の実質的に完全な消失を示すまで、混合物を例えば71.5℃のエチレングリコール浴中で加熱する。過剰のオキサレートを混合物から留去し、一価フェノールを通常の手段で単離して精製する。
対称オキサニリド含有二価フェノールの合成のための一般手順:50mlフラスコに、アミノフェノール(50mmol)、ビス(トリフルオロエチル)オキソサレート(6.355g、25mmol)、及びテトラヒドロフラン又は酢酸エチル(12ml)を添加した。窒素を用いて混合物を脱気し、71.5℃のエチレングリコール浴中で約5〜10時間加熱した。2−(4−アミノフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパンの場合、生成物を酢酸エチル/イソプロパノールからの再結晶で精製することで、適切な核磁気共鳴(NMR)スペクトルを有する白色針状結晶を得た。HPLC分析は、生成物の純度が約99%であることを示した。
米国特許第5847196号の手順を用いて、シエチルオキサレート及び2−(4−アミノフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパンから対称オキサニリド含有二価フェノールを製造した。暗色の生成物が得られた。TLCは、生成物の不純物が再結晶で完全には除去されなかったことを示した。
非対称オキサニリド含有二価フェノールの合成のための一般手順:任意にはテトラヒドロフラン又は酢酸エチルのような溶媒中で、第一のアミノフェノールを過剰のビス(トリフルオロエチル)オキサレートと混合する。分析結果がアミノフェノール出発原料の実質的に完全な消失を示すまで、混合物を例えば71.5℃のエチレングリコール浴中で加熱する。過剰のオキサレートを混合物から留去する。任意にはテトラヒドロフラン又は酢酸エチルのような溶媒中で、一価フェノール生成物を第二のアミノフェノールと混合し、分析結果がアミノフェノールの実質的に完全な消失を示すまで、混合物を例えば71.5℃のエチレングリコール浴中で加熱する。二価フェノール生成物を通常の手段で単離して精製する。
フェニルクロロホルメート封鎖オキサニリドの合成のための一般手順:乾燥した5mlフラスコに、オキサニリド含有一価又は二価フェノール(0.172mmol)、4/1(vol/vol)ジクロロメタン/THF(1.5ml、乾燥)及びピリジン(二官能性オキサニリドに対しては30マイクロリットル、2.1当量[eq.]、乾燥、又は一官能性オキサニリドに対しては16マイクロリットル、1.05eq.、乾燥)を添加した。次いで、フェニルクロロホルメート(二官能性オキサニリドに対しては46マイクロリットル、2.1eq.、又は一官能性オキサニリドに対しては23マイクロリットル、1.05eq.)を添加し、混合物が無色になって出発原料が消失(TLC)するまで室温で撹拌した。シリカゲルのプラグで濾過し、酢酸エチル/ヘキサンから再結晶することで、生成物を回収した。
ポリカーボネート(A):オキサニリド含有一価フェノール(化合物(VIII))を5モル%でポリカーボネート中に組み込んだ。250mlのホスゲン化反応器に、BPA(3.424g、15mmol)、オキサニリド(VIII)(314ミリグラム[mg]、5モル%、9.2wt%)、ジクロロメタン(50ml)、水(40ml)及びトリエチルアミン(45マイクロリットル、2モル%)を添加した。次いで、ホスゲン(1.8g、1.2eq.)を0.25g/分の速度で添加し、ポリマー溶液を以下のように処理した。水性層と有機層を分離し、有機相を希塩酸で2回洗い、2回水洗し、次いで熱水中に沈殿させたところ、無色透明のポリマー(Mw 35000、Mw/Mn 2.3、Tg 148℃)が得られた。
ポリカーボネート(B):本発明の方法で製造したオキサニリド含有二価フェノール(化合物(V))を20モル%でポリカーボネート中に組み込んだ。250mlのホスゲン化反応器に、BPA(2.740g、12mmol)、オキサニリド(V)(1.526g、3mmol、35.8wt%)、ジクロロメタン(70ml)、水(40ml)、p−クミルフェノール(110mg、3.5モル%)及びトリエチルアミン(45マイクロリットル、2モル%)を添加した。次いで、ホスゲン(1.8g、1.2eq.)を0.25g/分で添加し、ポリマー溶液を通常通りに処理し、次いで熱水中に沈殿させたところ、無色透明のポリマー(Mw 42000、Mw/Mn 2.3、Tg 153℃)が得られた。
ポリカーボネート(D):比較例6の方法で製造したオキサニリド含有二価フェノール(化合物(V))を、ポリカーボネートBの製造方法を用いて20モル%でポリカーボネート中に組み込む。暗色のポリマーが得られる。
ポリカーボネート(C):本発明の方法で製造したオキサニリド含有二価フェノール(化合物(V))を50モル%でポリカーボネート中に組み込んだ。250mlのホスゲン化反応器に、BPA(1.141g、5mmol)、オキサニリド(V)(2.543g、5mmol、69wt%)、ジクロロメタン(70ml)、水(40ml)、p−クミルフェノール(74mg、3.5モル%)及びトリエチルアミン(45マイクロリットル、2モル%)を添加した。次いで、ホスゲン(1.2g、1.2eq.)を0.25g/分で添加し、ポリマー溶液を通常通りに処理し、次いで熱水中に沈殿させたところ、無色透明のポリマー(Mw 42000、Mw/Mn 2.3、Tg 155℃)が得られた。
Claims (93)
- 1種以上の二価フェノール、カーボネート前駆体、並びにオキサニリド含有化合物、オキサメート含有化合物及びこれらの混合物からなる群から選択される1種以上から導かれる構造単位を含んでなるポリカーボネート。
- 二価フェノールがHO−D−OHの構造を有しており、式中のDは下記式(III)の構造を有する二価芳香族基である、請求項1記載のポリカーボネート。
- 二価フェノールが、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)シクロヘキサン、3−(4−ヒドロキシフェニル)−1,1,3−トリメチルインダン−5−オール、1−(4−ヒドロキシフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン−5−オール及び6,6’−ジヒドロキシ−3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインダンからなる群から選択される1種以上である、請求項1記載のポリカーボネート。
- オキサニリド含有化合物がオキサニリド含有二価フェノールである、請求項1記載のポリカーボネート。
- オキサニリド含有二価フェノールが下記式(II)の構造を有する、請求項4記載のポリカーボネート。
- D及びD1が相異なる、請求項5記載のポリカーボネート。
- D及びD1が同一である、請求項5記載のポリカーボネート。
- オキサニリド含有二価フェノールがN,N’−ビス[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]−エタンジアミドである、請求項7記載のポリカーボネート。
- オキサニリド含有二価フェノールから導かれる構造単位の量が、二価フェノールから導かれる構造単位の全量を基準にして約0.1〜約80モル%の範囲内にある、請求項4記載のポリカーボネート。
- オキサニリド含有二価フェノールから導かれる構造単位の量が、二価フェノールから導かれる構造単位の全量を基準にして約0.5〜約50モル%の範囲内にある、請求項4記載のポリカーボネート。
- オキサニリド含有二価フェノールから導かれる構造単位の量が、二価フェノールから導かれる構造単位の全量を基準にして約1〜約30モル%の範囲内にある、請求項4記載のポリカーボネート。
- オキサニリド含有二価フェノールから導かれる構造単位の量が、二価フェノールから導かれる構造単位の全量を基準にして約1〜約20モル%の範囲内にある、請求項4記載のポリカーボネート。
- オキサニリド含有化合物がオキサニリド含有一価フェノールである、請求項1記載のポリカーボネート。
- オキサニリド含有一価フェノールが下記式(VI)の構造を有する、請求項13記載のポリカーボネート。
- オキサニリド含有一価フェノールがN−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルフェニル]−N’−1−[2−エトキシフェニル)−エタンジアミドである、請求項14記載のポリカーボネート。
- オキサニリド含有一価フェノールから導かれる構造単位が、二価フェノールから導かれる構造単位の全量を基準にして約0.1〜約10モル%の範囲内のレベルで存在している、請求項13記載のポリカーボネート。
- オキサニリド含有一価フェノールから導かれる構造単位が、連鎖停止剤から導かれる構造単位の全量を基準にして約1〜約100モル%の範囲内にある、請求項13記載のポリカーボネート。
- オキサニリド含有一価フェノールから導かれる構造単位が、連鎖停止剤から導かれる構造単位の全量を基準にして100モル%のレベルで存在している、請求項17記載のポリカーボネート。
- オキサメート含有化合物が下記式(IX)の構造を有する一価フェノールである、請求項13記載のポリカーボネート。
- オキサメート含有一価フェノールが、Dが2−(4−アミノフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパンから導かれる残基であり、R6がトリフルオロエチルである式(IX)の化合物である、請求項19記載のポリカーボネート。
- オキサニリド含有二価フェノールと、オキサニリド含有一価フェノール又はオキサメート含有一価フェノール或いはその両方とから導かれる構造単位を含む、請求項1記載のポリカーボネート。
- カーボネート前駆体が、ホスゲン、ジアリールカーボネート及びジフェニルカーボネートからなる群から選択される、請求項1記載のポリカーボネート。
- ビスフェノールA、N,N’−ビス[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]−エタンジアミド及びカーボネート前駆体から導かれる構造単位を含んでなるポリカーボネート。
- N,N’−ビス[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]−エタンジアミドから導かれる構造単位を、二価フェノールから導かれる構造単位の全量を基準にして約20〜約50モル%の範囲内の量で含む、請求項23記載のポリカーボネート。
- ビスフェノールA、N−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルフェニル]−N’−1−[2−エトキシフェニル)−エタンジアミド及びカーボネート前駆体から導かれる構造単位を含んでなるポリカーボネート。
- N−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルフェニル]−N’−1−[2−エトキシフェニル)−エタンジアミドから導かれる構造単位を、二価フェノールから導かれる構造単位の全量を基準にして約1〜約10モル%の範囲内の量で含む、請求項25記載のポリカーボネート。
- 請求項1記載のポリカーボネートを含んでなる物品。
- 請求項4記載のポリカーボネートを含んでなる物品。
- 請求項8記載のポリカーボネートを含んでなる物品。
- 請求項13記載のポリカーボネートを含んでなる物品。
- 請求項15記載のポリカーボネートを含んでなる物品。
- 請求項19記載のポリカーボネートを含んでなる物品。
- 請求項21記載のポリカーボネートを含んでなる物品。
- 請求項23記載のポリカーボネートを含んでなる物品。
- 請求項25記載のポリカーボネートを含んでなる物品。
- 1種以上の二価フェノールと、オキサニリド含有化合物、オキサメート含有化合物及びこれらの混合物からなる群から選択される1種以上とから導かれる構造単位を含むポリカーボネートの製造方法であって、1種以上の二価フェノール、カーボネート前駆体、並びにオキサニリド含有化合物、オキサメート含有化合物及びこれらの混合物からなる群から選択される1種以上を反応条件下で接触させる段階を含んでなる方法。
- 二価フェノールがHO−D−OHの構造を有しており、式中のDは下記式(III)の構造を有する二価芳香族基である、請求項36記載の方法。
- 二価フェノールが、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)シクロヘキサン、3−(4−ヒドロキシフェニル)−1,1,3−トリメチルインダン−5−オール、1−(4−ヒドロキシフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン−5−オール及び6,6’−ジヒドロキシ−3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインダンからなる群から選択される1種以上である、請求項37記載の方法。
- オキサニリド含有化合物がオキサニリド含有二価フェノールである、請求項36記載の方法。
- オキサニリド含有二価フェノールが下記式(II)の構造を有する、請求項39記載の方法。
- D及びD1が相異なる、請求項40記載の方法。
- D及びD1が同一である、請求項40記載の方法。
- オキサニリド含有二価フェノールがN,N’−ビス[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]−エタンジアミドである、請求項42記載の方法。
- オキサニリド含有二価フェノールから導かれる構造単位の量が、二価フェノールから導かれる構造単位の全量を基準にして約0.1〜約80モル%の範囲内にある、請求項39記載の方法。
- オキサニリド含有二価フェノールから導かれる構造単位の量が、二価フェノールから導かれる構造単位の全量を基準にして約0.5〜約50モル%の範囲内にある、請求項39記載の方法。
- オキサニリド含有二価フェノールから導かれる構造単位の量が、二価フェノールから導かれる構造単位の全量を基準にして約1〜約30モル%の範囲内にある、請求項39記載の方法。
- オキサニリド含有二価フェノールから導かれる構造単位の量が、二価フェノールから導かれる構造単位の全量を基準にして約1〜約20モル%の範囲内にある、請求項39記載の方法。
- オキサニリド含有化合物がオキサニリド含有一価フェノールである、請求項36記載の方法。
- オキサニリド含有一価フェノールが下記式(VI)の構造を有する、請求項48記載の方法。
- オキサニリド含有一価フェノールがN−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルフェニル]−N’−1−[2−エトキシフェニル)−エタンジアミドである、請求項49記載の方法。
- オキサニリド含有一価フェノールから導かれる構造単位が、二価フェノールから導かれる構造単位の全量を基準にして約0.1〜約10モル%の範囲内のレベルで存在している、請求項48記載の方法。
- オキサニリド含有一価フェノールから導かれる構造単位が、連鎖停止剤から導かれる構造単位の全量を基準にして約1〜約100モル%の範囲内にある、請求項48記載の方法。
- オキサニリド含有一価フェノールから導かれる構造単位の量が、連鎖停止剤から導かれる構造単位の全量を基準にして100モル%である、請求項48記載の方法。
- オキサメート含有化合物が下記式(IX)の構造を有する一価フェノールである、請求項36記載の方法。
- オキサメート含有一価フェノールが、Dが2−(4−アミノフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパンから導かれる残基であり、R6がトリフルオロエチルである式(IX)の化合物である、請求項54記載の方法。
- オキサニリド含有二価フェノールと、オキサニリド含有一価フェノール又はオキサメート含有一価フェノール或いはその両方とから導かれる構造単位を含む、請求項36記載の方法。
- カーボネート前駆体が、ホスゲン、ジアリールカーボネート及びジフェニルカーボネートからなる群から選択される、請求項36記載の方法。
- 反応条件下で接触させる段階が、溶液法、界面法、溶融法、エステル交換法、固相法及び再分配法並びにこれらの組合せからなる群から選択される、請求項36記載の方法。
- オキサニリド構造単位を含むポリカーボネートの製造方法であって、ビスフェノールA、N,N’−ビス[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]−エタンジアミド及びカーボネート前駆体を反応条件下で接触させる段階を含んでなる方法。
- ポリカーボネートが、N,N’−ビス[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]−エタンジアミドから導かれる構造単位を、二価フェノールから導かれる構造単位の全量を基準にして約20〜約50モル%の範囲内の量で含む、請求項59記載の方法。
- 反応条件下で接触させる段階が、溶液法、界面法、溶融法、エステル交換法、固相法及び再分配法並びにこれらの組合せからなる群から選択される、請求項59記載の方法。
- オキサニリド構造単位を含むポリカーボネートの製造方法であって、ビスフェノールA、N−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルフェニル]−N’−1−[2−エトキシフェニル)−エタンジアミド及びカーボネート前駆体を反応条件下で接触させる段階を含んでなる方法。
- ポリカーボネートが、N−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルフェニル]−N’−1−[2−エトキシフェニル)−エタンジアミドから導かれる構造単位を、二価フェノールから導かれる構造単位の全量を基準にして約1〜約10モル%の範囲内の量で含む、請求項62記載の方法。
- 反応条件下で接触させる段階が、溶液法、界面法、溶融法、エステル交換法、固相法及び再分配法並びにこれらの組合せからなる群から選択される、請求項62記載の方法。
- 下記式(VI)の構造を有するオキサニリド含有一価フェノール。
- N−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルフェニル]−N’−1−[2−エトキシフェニル)−エタンジアミドである、請求項65記載のオキサニリド含有一価フェノール。
- 下記式(IX)の構造を有するオキサニリド含有一価フェノール。
- Dが2−(4−アミノフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパンから導かれる残基であり、R6がトリフルオロエチルである式(IX)の化合物である、請求項67記載のオキサニリド含有一価フェノール。
- N−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルフェニル]−N’−1−[2−エトキシフェニル)−エタンジアミドである、請求項69記載の一価フェノール。
- 対称オキサニリド含有二価フェノールの製造方法であって、ヒドロキシ基を有する芳香族アミンを、ジアリールオキサレート又は各々が1以上の電子求引基で置換されたアルキル基を有するジアルキルオキサレートと接触させる段階を含んでなる方法。
- 電子求引基がフルオロ又はクロロである、請求項71記載の方法。
- オキサニリド含有二価フェノールが次式の構造を有する、請求項71記載の方法。
- 接触温度が約30〜約100℃の範囲内にある、請求項71記載の方法。
- 対称オキサニリド含有二価フェノールの製造方法であって、約30〜約100℃の範囲内の温度で3−アミノフェノール、4−アミノフェノール及び2−(4−アミノフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパンをビス(トリフルオロエチル)オキサレートと接触させる段階を含んでなる方法。
- 非対称オキサニリド含有二価フェノールの製造方法であって、ヒドロキシ基を有する芳香族アミンを、ジアリールオキサレート又は各々が1以上の電子求引基で置換されたアルキル基を有するジアルキルオキサレートと接触させる段階、次いでオキサメート中間体を、前記第一の芳香族アミンと異なる、ヒドロキシ基を有する第二の芳香族アミンと接触させる段階を含んでなる方法。
- 電子求引基がフルオロ又はクロロである、請求項76記載の方法。
- オキサニリド含有二価フェノールが下記式(II)の構造を有する、請求項76記載の方法。
- 接触温度が約30〜約100℃の範囲内にある、請求項76記載の方法。
- 非対称オキサニリド含有二価フェノールの製造方法であって、ヒドロキシ基を有する芳香族アミンをビス(トリフルオロエチル)オキサレートと接触させる段階、次いでオキサメート中間体を、前記第一の芳香族アミンと異なる、ヒドロキシ基を有する第二の芳香族アミンと接触させる段階を含んでなり、芳香族アミンは3−アミノフェノール、4−アミノフェノール及び2−(4−アミノフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパンからなる群から選択され、各段階での接触温度は約30〜約100℃の範囲内にある、方法。
- オキサニリド含有一価フェノールの製造方法であって、芳香族アミンを、ジアリールオキサレート又は各々が1以上の電子求引基で置換されたアルキル基を有するジアルキルオキサレートと接触させる段階、次いでオキサメート中間体を前記第一の芳香族アミンと異なる第二の芳香族アミンと接触させる段階を含んでなり、ただ1種の芳香族アミンだけがヒドロキシ基を有する、方法。
- 電子求引基がフルオロ又はクロロである、請求項81記載の方法。
- オキサニリド含有一価フェノールが下記式(VI)の構造を有する、請求項81記載の方法。
- 接触温度が約30〜約100℃の範囲内にある、請求項81記載の方法。
- オキサニリド含有一価フェノールの製造方法であって、芳香族アミンをビス(トリフルオロエチル)オキサレートと接触させる段階、次いでオキサメート中間体を前記第一の芳香族アミンと異なる第二の芳香族アミンと接触させる段階を含んでなり、ただ1種の芳香族アミンだけがヒドロキシ基を有し、芳香族アミンはアニリン、フェネチジン、3−アミノフェノール、4−アミノフェノール及び2−(4−アミノフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパンからなる群から選択され、各段階での接触温度は約30〜約100℃の範囲内にある、方法。
- オキサメート含有一価フェノールの製造方法であって、ヒドロキシ基を有する芳香族アミンを、ジアリールオキサレート又は各々が1以上の電子求引基で置換されたアルキル基を有するジアルキルオキサレートと接触させる段階を含んでなる方法。
- 電子求引基がフルオロ又はクロロである、請求項86記載の方法。
- オキサニリド含有一価フェノールが下記式(IX)の構造を有する、請求項86記載の方法。
- 電子求引基がフルオロ又はクロロである、請求項88記載の方法。
- 接触温度が約30〜約100℃の範囲内にある、請求項86記載の方法。
- オキサメート含有一価フェノールの製造方法であって、ヒドロキシ基を有する芳香族アミンをビス(トリフルオロエチル)オキサレートと接触させる段階を含んでなり、芳香族アミンは3−アミノフェノール、4−アミノフェノール及び2−(4−アミノフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパンからなる群から選択され、各段階での接触温度は約30〜約100℃の範囲内にある、方法。
- 各々が1以上の電子求引基で置換されたアルキル基を有するジアルキルオキサレートであって、電子求引基がクロロ及びフルオロからなる群から選択される1種以上である、ジアルキルオキサレート。
- ビス(トリフルオロエチル)オキサレートである、請求項92記載のジアルキルオキサレート。
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