JP2005531876A - トグルメモリに書き込む回路および方法 - Google Patents
トグルメモリに書き込む回路および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005531876A JP2005531876A JP2004517527A JP2004517527A JP2005531876A JP 2005531876 A JP2005531876 A JP 2005531876A JP 2004517527 A JP2004517527 A JP 2004517527A JP 2004517527 A JP2004517527 A JP 2004517527A JP 2005531876 A JP2005531876 A JP 2005531876A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- write
- memory
- toggle
- bit
- decode logic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
- G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1653—Address circuits or decoders
- G11C11/1655—Bit-line or column circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1653—Address circuits or decoders
- G11C11/1657—Word-line or row circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/22—Control and timing of internal memory operations
- G11C2207/2263—Write conditionally, e.g. only if new data and old data differ
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Dram (AREA)
- Digital Magnetic Recording (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Abstract
Description
磁気モーメントベクトル40が、磁界が印加されていても自由に回転できる。磁性体領域17はピン止め(pin :固定)された強磁性体領域である、すなわち、結果として生じる磁気モーメントベクトル50が、適度な磁界が印加された状態では自由に回転できず、基準層として用いられる。
上にあるため、要素平面において、HW80は正の書き込みワード電流60の場合にMRAM装置10に正のy方向で印加される。同様に、書き込みビット線30はMRAM装置10の下にあるため、要素平面において、HB90は正の書き込みビット電流70の場合にMRAM装置10に正のx方向で印加される。正および負の電流の定義は任意であり、ここでは例示目的で定義されることが理解されるであろう。電流を反転させる効果は、MRAM装置10内で誘導される磁界の方向を変化させるものである。電流によって誘導される磁界の挙動は当業者にはよく知られているため、ここでさらに詳述することはしない。
t4のそれぞれにおいて上述のように図示し、同一の電流および磁界方向を用いてMRAM装置10の状態を「0」から「1」にスイッチングさせる能力を示している。したがって、MRAM装置10の状態は、図3の領域97に対応するトグル書き込みモードで書き込まれる。
120に結合され、これがさらにメモリアレイ112に結合される。読み取りのために、読み取りワードデコーダ118が行アドレスに基づいてメモリアレイ112の読み取りワード線を選択する。選択されたワード線は読み取り線ドライバ120によって駆動される。列アドレスを受け取り、センス増幅器122とメモリアレイ112の間に結合される読み取りビットデコーダ124は、読み取りビットデコーダ124から列アドレスに基づいて、メモリアレイ112から読み取りビット線を選択し、これをセンス増幅器122に結合させる。センス増幅器122は、論理状態を検出し、これを出力ドライバ132および比較器130に結合する。出力ドライバ132は、読み取りのために、データ出力信号DOを供給する。書き込み動作のために、比較器130は、センス増幅器122によって供給される選択されたセルの論理状態を、データ入力部(data in )によって供給される書き込むべき所望の論理状態と比較する。
。論理状態をフリップさせる必要があると判定されるまで書き込みは実行できないが、それでもなお、センス増幅器がその出力を供給し、かつ比較器が論理状態をフリップする必要があるかを判定する前に書き込みワード線がイネーブルされることによって示されるように、書き込みサイクルを開始することができる。書き込みワード線をイネーブルする(書き込みワード線に電流を流す)ことで、選択されたセルならびに選択された書き込みワード線に沿った全てのセルにおいて第1の角度変化が生じるが、書き込みビット線をイネーブルせずに電流を止めた場合、この変化は反転する。
06、208、210、212、213、214、216、218、220、222、224、226、227、および228の読み取り電流経路である第3の電流経路とそれぞれ直列につながれた選択トランジスタ230、232、234、236、238、240、242、244、260、262、264、266、268、270、272、および274を備える。この選択トランジスタの接続は、これらのトランジスタの、第3の電流経路に結合された1つの電流電極と、アース(VSS)に結合された第2の電流電極とにより行われる。選択トランジスタ装置とMRAM装置の各組み合わせがメモリセルを構成する。
ープ選択線GS1はグループ選択トランジスタ252および278に結合される。グループ選択線GS2はグループ選択トランジスタ254および280に結合される。グループ選択線GS3はグループ選択トランジスタ256および282に結合される。
トランジスタは書き込み電圧を受け取らないため、これらの選択トランジスタを、書き込みレベルの電圧を受け取らなくてよいことから遥かに小さなサイズにすることができる。これにより、メモリセルのサイズが小さくなる。これは特に、トランジスタを異なる電圧要件に合わせて別々に作製することが一般的である場合に顕著である。
Claims (19)
- トグルメモリの読み取りおよび書き込み方法であって、
前記トグルメモリの所定のアドレス位置の読み取り動作を開始するステップ、
前記所定のアドレス位置における書き込みトグル動作の一部を、現在格納されている値に影響を及ぼすことなく開始するステップ、
前記所定のアドレス位置における前記現在格納されているデータ値を、該所定のアドレスに書き込むべき新たな値と比較するステップであって、それによって、該新たな値が前記格納されているデータ値と異なっているか同一であるかを判定する、比較するステップ、および
前記新たな値が前記格納されているデータ値と異なる場合に、前記所定のアドレス位置における前記書き込みトグル動作を完了するか、または前記書き込むべき新たな値が前記格納されているデータ値と同じである場合に、前記所定のアドレス位置における前記トグル動作を完了するステップ
の一連のステップを備える、トグルメモリの読み取りおよび書き込み方法。 - 前記トグルメモリを磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)として実施することをさらに含み、開始される前記トグル動作の一部は、第1の電流を前記磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)の1つの軸に導くことを含む請求項1に記載のトグルメモリの読み取りおよび書き込み方法。
- 前記所定のアドレスにおける前記トグル動作を完了することは、
前記第1の電流に直交する第2の電流により前記MRAMをトグルすることをさらに含む請求項1に記載のトグルメモリの読み取りおよび書き込み方法。 - 前記書き込みトグル動作を完了する前に第2の所定のアドレスの別の読み取り動作を開始することをさらに含む請求項1に記載のトグルメモリの読み取りおよび書き込み方法。
- 前記書き込み動作を開始するために用いられる書き込みワード線ドライバとは別個の異なる読み取りワード線ドライバにより前記読み取りを開始することをさらに含む請求項1に記載のトグルメモリの読み取りおよび書き込み方法。
- 前記書き込み動作を完了するために用いられる書き込みビット線ドライバとは別個の異なるビット線を検知することによって前記読み取り動作を完了することをさらに含む請求項1に記載のトグルメモリの読み取りおよび書き込み方法。
- 前記書き込み動作を開始するために用いられる書き込みワード線ドライバとは別個の異なる読み取りワード線ドライバにより前記読み取りを開始すること、および
前記書き込み動作を完了するために用いられる書き込みビット線ドライバとは別個の異なるビット線を検知することによって前記読み取り動作を完了すること
をさらに含む請求項1に記載のトグルメモリの読み取りおよび書き込み方法。 - 前記所定のアドレスにおける前記トグル動作を完了することは、時間位相し、および重なり合う直交電流パルスシーケンスの残りの部分を前記トグルメモリに供給することをさらに備える請求項3に記載のトグルメモリの読み取りおよび書き込み方法。
- トグルメモリの読み取りおよび書き込み方法であって、
前記トグルメモリの読み取り動作を実施するために必要な第1の時間長を定義するステップ、
前記トグルメモリの書き込み動作を実施するために必要な第2の時間長を定義するステ
ップ、および
前記読み取り動作が完了する前に前記トグルメモリの前記書き込み動作を開始し、所定のアドレス位置が、前記書き込み動作中に書き込みたい書き込み値と同じ情報値を含むと判定された場合に、前記書き込み動作を選択的に終了するステップ
の一連のステップを含む、トグルメモリの読み取りおよび書き込み方法。 - 前記書き込み動作が完了する前に第2の読み取り動作を開始することをさらに含む請求項9に記載のトグルメモリの読み取りおよび書き込み方法。
- 2つの論理状態間でトグルして情報格納値を示すメモリセルのアレイと、
列アドレスを受け取って、前記メモリセルのアレイ内の所定のビット列を選択するビット選択信号を前記メモリセルのアレイに供給するビットデコードロジックと、
行アドレスを受け取って、前記メモリセルのアレイ内の所定のビット行を選択するワード選択信号を前記メモリセルのアレイに供給するワードデコードロジックと、
前記メモリセルのアレイに結合され、前記ワードデコードロジックに応答して所定のワード線を駆動する読み取りワード線ドライバと、
前記メモリセルのアレイに結合され、前記ワードデコードロジックおよび書き込みイネーブル信号に応答して所定のワード線を駆動する書き込みワード線ドライバと、
前記ビットデコードロジックに結合され、前記行アドレスおよび列アドレスによって選択されたビットが前記2つの論理状態のどちらを有するかを判定するセンス回路と、
該センス回路に結合され、該センス回路の出力を、前記行アドレスおよび前記列アドレスを含む所定のアドレスに書き込むべき新たな値と比較して、該新たな値が、格納されているデータ値と異なっているか同じであるかを判定する比較器と、
該比較器に結合され、前記書き込みイネーブル信号に応答して前記ビットデコードロジックによって確定される所定の列を駆動し、前記新たな値が前記格納されているデータ値と異なる場合に前記所定のアドレスにおける前記書き込みトグル動作を完了し、前記書き込むべき新たな値が前記格納されているデータ値と同じである場合に前記所定のアドレスにおける前記トグル動作を終了する回路部とを備えるトグルメモリ。 - 前記ワードデコードロジックは、
前記行アドレスを受け取って、書き込み動作のために復号化されたワード選択信号を供給する書き込みワードデコードロジックと、
該書き込みワードデコードロジックとは別個の、前記行アドレスを受け取って、読み取り動作のために復号化されたワード選択信号を供給する読み取りワードデコードロジックとをさらに備える請求項11に記載のトグルメモリ。 - 前記ビットデコードロジックは、
前記行アドレスを受け取って、書き込み動作のために復号化されたビット選択信号を供給する書き込みビットデコードロジックと、
該書き込みビットデコードロジックとは別個の、前記行アドレスを受け取って、読み取り動作のために復号化されたビット選択信号を供給する読み取りビットデコードロジックとをさらに備える請求項11に記載のトグルメモリ。 - 前記ワードデコードロジックおよび前記ビットデコードロジックは、
前記行アドレスを受け取って、書き込み動作のために復号化されたワード選択信号を供給する書き込みワードデコードロジックと、
該書き込みワードデコードロジックとは別個の、前記行アドレスを受け取って、読み取り動作のために復号化されたワード選択信号を供給する読み取りワードデコードロジックと、
前記行アドレスを受け取って、書き込み動作のために復号化されたビット選択信号を供
給する書き込みビットデコードロジックと、
該書き込みビットデコードロジックとは別個の、前記行アドレスを受け取って、読み取り動作のために復号化されたビット選択信号を供給する読み取りビットデコードロジックとをさらに備える請求項11に記載のトグルメモリ。 - 書き込むべきビット位置の論理状態のトグルを行うことによって情報を格納するアレイと、
該アレイに結合され、読み取り動作および書き込み動作の一部を同時に開始することによって前記アレイに情報を書き込む制御回路部であって、書き込みたい新たな値に電流格納値が所定の様式で関連する場合に前記書き込み動作の少なくとも一部を選択的に終了する制御回路部とを備えるメモリ。 - 前記制御回路部は、書き込むべきアドレスにある1つまたは複数のビット位置の論理状態を変化させることによって、前記書き込み動作を完了するまで続行することを可能にする請求項15に記載のメモリ。
- 前記制御回路部は、前記書き込み動作を完了するまで続行することを可能にし、前記アレイ内の第2のアドレス位置の第2の読み取り動作を開始する請求項15に記載のメモリ。
- 前記アレイはさらに、
複数のアドレスのそれぞれに関連する複数のビット位置を備え、各ビット位置は、第1および第2の直交電流導体を備える請求項15に記載のメモリ。 - 行アドレスを受け取って、書き込み動作のために復号化されたワード選択信号を供給する書き込みワードデコードロジックと、
該書き込みワードデコードロジックとは別個の、前記行アドレスを受け取って、読み取り動作のために復号化されたワード選択信号を供給する読み取りワードデコードロジックと
をさらに備える請求項15に記載のメモリ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/186,141 US6693824B2 (en) | 2002-06-28 | 2002-06-28 | Circuit and method of writing a toggle memory |
PCT/US2003/013179 WO2004003922A1 (en) | 2002-06-28 | 2003-04-29 | Circuit and method of writing a toggle memory |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005531876A true JP2005531876A (ja) | 2005-10-20 |
JP2005531876A5 JP2005531876A5 (ja) | 2006-06-22 |
JP4359561B2 JP4359561B2 (ja) | 2009-11-04 |
Family
ID=29779824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004517527A Expired - Fee Related JP4359561B2 (ja) | 2002-06-28 | 2003-04-29 | トグルメモリに書き込む回路および方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6693824B2 (ja) |
EP (1) | EP1518246B1 (ja) |
JP (1) | JP4359561B2 (ja) |
KR (1) | KR100943112B1 (ja) |
CN (1) | CN100470665C (ja) |
AT (1) | ATE333138T1 (ja) |
AU (1) | AU2003231170A1 (ja) |
DE (1) | DE60306782T2 (ja) |
TW (1) | TWI307887B (ja) |
WO (1) | WO2004003922A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007193931A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Ind Technol Res Inst | 高帯域幅磁気抵抗ランダムアクセスメモリデバイスとその操作方法 |
JP4911027B2 (ja) * | 2005-02-09 | 2012-04-04 | 日本電気株式会社 | トグル型磁気ランダムアクセスメモリ及びトグル型磁気ランダムアクセスメモリの書き込み方法 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6842365B1 (en) * | 2003-09-05 | 2005-01-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Write driver for a magnetoresistive memory |
US7286378B2 (en) * | 2003-11-04 | 2007-10-23 | Micron Technology, Inc. | Serial transistor-cell array architecture |
US7613868B2 (en) * | 2004-06-09 | 2009-11-03 | Headway Technologies, Inc. | Method and system for optimizing the number of word line segments in a segmented MRAM array |
JP2006031795A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006065986A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗メモリおよび磁気抵抗メモリ書き込み方法 |
JP4012196B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2007-11-21 | 株式会社東芝 | 磁気ランダムアクセスメモリのデータ書き込み方法 |
US7543211B2 (en) * | 2005-01-31 | 2009-06-02 | Everspin Technologies, Inc. | Toggle memory burst |
JP5035620B2 (ja) * | 2005-09-14 | 2012-09-26 | 日本電気株式会社 | 磁気ランダムアクセスメモリの波形整形回路 |
WO2007053517A2 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-10 | The University Of Alabama | Enhanced toggle-mram memory device |
US7746686B2 (en) * | 2006-04-21 | 2010-06-29 | Honeywell International Inc. | Partitioned random access and read only memory |
US8111544B2 (en) * | 2009-02-23 | 2012-02-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Programming MRAM cells using probability write |
US9613675B2 (en) | 2013-12-14 | 2017-04-04 | Qualcomm Incorporated | System and method to perform low power memory operations |
US10473118B2 (en) * | 2014-08-29 | 2019-11-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Controlled convergence compressor flowpath for a gas turbine engine |
CN204878059U (zh) | 2014-12-17 | 2015-12-16 | 依必安-派特穆尔芬根股份有限两合公司 | 一种叶片及风机叶轮 |
KR101976045B1 (ko) * | 2016-08-30 | 2019-05-09 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 쓰기 동작시 상태 전환 인식이 가능한 자기 저항 메모리 장치 및 이에 있어서 읽기 및 쓰기 동작 방법 |
WO2020105173A1 (ja) * | 2018-11-22 | 2020-05-28 | 三菱電機株式会社 | データ制御装置、プログラマブルロジックコントローラ及びデータ制御方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4763305A (en) | 1985-11-27 | 1988-08-09 | Motorola, Inc. | Intelligent write in an EEPROM with data and erase check |
US6256224B1 (en) * | 2000-05-03 | 2001-07-03 | Hewlett-Packard Co | Write circuit for large MRAM arrays |
US5953248A (en) | 1998-07-20 | 1999-09-14 | Motorola, Inc. | Low switching field magnetic tunneling junction for high density arrays |
US5946227A (en) | 1998-07-20 | 1999-08-31 | Motorola, Inc. | Magnetoresistive random access memory with shared word and digit lines |
US6111781A (en) | 1998-08-03 | 2000-08-29 | Motorola, Inc. | Magnetic random access memory array divided into a plurality of memory banks |
DE19853447A1 (de) * | 1998-11-19 | 2000-05-25 | Siemens Ag | Magnetischer Speicher |
WO2000042614A1 (de) * | 1999-01-13 | 2000-07-20 | Infineon Technologies Ag | Schreib-/lesearchitektur für mram |
US6185143B1 (en) | 2000-02-04 | 2001-02-06 | Hewlett-Packard Company | Magnetic random access memory (MRAM) device including differential sense amplifiers |
US6191989B1 (en) | 2000-03-07 | 2001-02-20 | International Business Machines Corporation | Current sensing amplifier |
US6272041B1 (en) | 2000-08-28 | 2001-08-07 | Motorola, Inc. | MTJ MRAM parallel-parallel architecture |
JP4149647B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2008-09-10 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
US6335890B1 (en) | 2000-11-01 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Segmented write line architecture for writing magnetic random access memories |
US6418046B1 (en) * | 2001-01-30 | 2002-07-09 | Motorola, Inc. | MRAM architecture and system |
DE10107380C1 (de) * | 2001-02-16 | 2002-07-25 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Beschreiben magnetoresistiver Speicherzellen und mit diesem Verfahren beschreibbarer magnetoresistiver Speicher |
-
2002
- 2002-06-28 US US10/186,141 patent/US6693824B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-04-29 AU AU2003231170A patent/AU2003231170A1/en not_active Abandoned
- 2003-04-29 AT AT03724302T patent/ATE333138T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-04-29 DE DE60306782T patent/DE60306782T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-29 CN CNB038152959A patent/CN100470665C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-04-29 KR KR1020047021252A patent/KR100943112B1/ko active IP Right Grant
- 2003-04-29 JP JP2004517527A patent/JP4359561B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-04-29 EP EP03724302A patent/EP1518246B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-29 WO PCT/US2003/013179 patent/WO2004003922A1/en active IP Right Grant
- 2003-06-26 TW TW092117443A patent/TWI307887B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4911027B2 (ja) * | 2005-02-09 | 2012-04-04 | 日本電気株式会社 | トグル型磁気ランダムアクセスメモリ及びトグル型磁気ランダムアクセスメモリの書き込み方法 |
JP2007193931A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Ind Technol Res Inst | 高帯域幅磁気抵抗ランダムアクセスメモリデバイスとその操作方法 |
JP4616242B2 (ja) * | 2006-01-20 | 2011-01-19 | 財団法人工業技術研究院 | 高帯域幅磁気抵抗ランダムアクセスメモリデバイスとその操作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1518246B1 (en) | 2006-07-12 |
KR20050009762A (ko) | 2005-01-25 |
US20040001352A1 (en) | 2004-01-01 |
TWI307887B (en) | 2009-03-21 |
CN1666292A (zh) | 2005-09-07 |
AU2003231170A1 (en) | 2004-01-19 |
CN100470665C (zh) | 2009-03-18 |
JP4359561B2 (ja) | 2009-11-04 |
EP1518246A1 (en) | 2005-03-30 |
WO2004003922A1 (en) | 2004-01-08 |
ATE333138T1 (de) | 2006-08-15 |
US6693824B2 (en) | 2004-02-17 |
TW200409118A (en) | 2004-06-01 |
KR100943112B1 (ko) | 2010-02-18 |
DE60306782T2 (de) | 2006-11-30 |
DE60306782D1 (de) | 2006-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7154772B2 (en) | MRAM architecture with electrically isolated read and write circuitry | |
JP4292239B2 (ja) | スケーラブルな磁気抵抗ランダム・アクセス記憶素子に書き込むための方法 | |
JP4359561B2 (ja) | トグルメモリに書き込む回路および方法 | |
US6657889B1 (en) | Memory having write current ramp rate control | |
JP2003151260A (ja) | 薄膜磁性体記憶装置 | |
WO2004012197A2 (en) | Magnetoresistive random access memory with soft magnetic reference layer | |
US6714442B1 (en) | MRAM architecture with a grounded write bit line and electrically isolated read bit line | |
US6711052B2 (en) | Memory having a precharge circuit and method therefor | |
US6760266B2 (en) | Sense amplifier and method for performing a read operation in a MRAM | |
US6714440B2 (en) | Memory architecture with write circuitry and method therefor | |
KR20100138782A (ko) | 메모리 및 기입 제어 방법 | |
US6744663B2 (en) | Circuit and method for reading a toggle memory cell | |
KR20040023764A (ko) | 자기 랜덤 액세스 메모리 | |
JP2002314048A (ja) | 強磁性体不揮発性メモリおよびそのリフレッシュ方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060428 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060428 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090210 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20090224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090508 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090626 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090721 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090810 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130814 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |