JP2005521765A - コポリエステルカーボネートの合成法 - Google Patents
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Abstract
Description
(a)1以上のジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分及び1以上の芳香族ジカルボン酸部分から誘導された構造単位を含むヒドロキシ末端ポリエステル中間体を製造する。
(b)水、水と実質的に非混和性の有機溶媒、及び塩基を含む反応混合物中でポリエステル中間体とホスゲンとの反応を実施する。この際、ホスゲンの総添加量の約60%以上が添加されるまでの期間、実質的に一定の塩基対ホスゲンモル比で塩基とホスゲンを反応混合物に同時に添加する。
(V) HO−D−OH
式中、Dは二価芳香族基である。幾つかの実施形態においてDは次式(VI)の構造を有する。
1100リットルのバッチ式反応器に、攪拌機、還流凝縮器、ホスゲン及び苛性水溶液を導入する手段、pH電極、並びに再循環ループを備えた。この反応器を使用して、レゾルシノール、イソフタル酸二塩化物及びテレフタル酸二塩化物、フェノール、ビスフェノールA、並びにホスゲンからコポリエステルカーボネートのバッチを合成した。合成反応は2つの主要な工程からなっていた。第1の工程は反応器にレゾルシノール、ジクロロメタン、フェノール及びトリエチルアミン触媒の水溶液を仕込むことを含んでいた。これらの反応の配合を表1に示す。イソフタル酸二塩化物とテレフタル酸二塩化物の50:50混合物(66kg、溶融)を、49.3kgの50wt%NaOH溶液を同時に添加しながら15分にわたって添加した。酸塩化物の添加終了時に、pHを約7.5〜8.5に約3〜10分保った。このために、さらに2.58kgの50wt%NaOH溶液が必要であった。この第1工程は本発明の実施例と比較例の両方で共通であった。
実施例1に記載したようにして、レゾルシノール、イソフタル酸二塩化物及びテレフタル酸二塩化物、フェノール、ビスフェノールA、並びにホスゲンを含む反応混合物中でコポリエステルカーボネートを合成した。第2の工程では、9.52kgのビスフェノールAと148リットルの水を反応器に添加した。ホスゲンは固定した速度で添加し、苛性水溶液は一定のモル比の塩基対ホスゲンで添加した。このときこの比は反応のpHが9.0を超えるか又は7.5より低くなるように調節した(本発明の実施例)。塩基対ホスゲンの一定のモル比は2.18〜2.19の範囲であった。pHが9.0を超えたときは苛性剤又はホスゲンの流量を調節して1.63〜1.64の比にし、一方pHが7.5より低くなったときはホスゲン又は苛性剤の流量を調節して2.73〜2.74の比にした。これらの比をpH測定値が7.5〜9.0になるまで維持し、この時点でホスゲン又は苛性剤の流れを調節して比を2.18〜2.19の範囲にした。生成物の残留カルボン酸末端基(ppmCOOH)とフェノール性末端基(ppmOH)を分析した。結果を表2に示した。表2は、ホスゲン化工程に苛性剤の添加比を用いると、残留酸及び残留フェノール性末端基のレベルがかなり低下することを示している。さらに、苛性剤添加比で必要とされる過剰のホスゲンの量が比較例1の苛性剤添加のpH制御で必要とされるものよりかなり低かった。
実施例1に記載したようにして、レゾルシノール、イソフタル酸二塩化物及びテレフタル酸二塩化物、フェノール、ビスフェノールA、並びにホスゲンを含む反応混合物中でコポリエステルカーボネートを合成した。ホスゲンと苛性水溶液は1.89の一定の塩基対ホスゲンのモル比で添加した。このコポリエステルカーボネートは25ppm未満のフェノール性OH末端基と25ppm未満のカルボン酸末端基を有していた。
実施例1に記載したようにして、レゾルシノール、イソフタル酸二塩化物及びテレフタル酸二塩化物、フェノール、ビスフェノールA、並びにホスゲンを含む反応混合物中でコポリエステルカーボネートを合成した。ホスゲンと苛性水溶液は1.93の一定の塩基対ホスゲンのモル比で添加した。コポリエステルカーボネートは25ppm未満のフェノール性OH末端基と25ppm未満のカルボン酸末端基を有していた。
実施例1に記載したようにして、レゾルシノール、イソフタル酸二塩化物及びテレフタル酸二塩化物、フェノール、ビスフェノールA、並びにホスゲンを含む反応混合物でコポリエステルカーボネートを合成した。ホスゲンと苛性水溶液は2.0の一定の塩基対ホスゲンのモル比で添加した。このコポリエステルカーボネートは25ppm未満のフェノール性OH末端基と25ppm未満のカルボン酸末端基を有していた。
実施例1に記載したようにして、レゾルシノール、イソフタル酸二塩化物及びテレフタル酸二塩化物、フェノール、ビスフェノールA、並びにホスゲンを含む反応混合物でコポリエステルカーボネートを合成した。ホスゲンと苛性水溶液は2.07の一定の塩基対ホスゲンのモル比で添加した。このコポリエステルカーボネートは25ppm未満のフェノール性OH末端基と25ppm未満のカルボン酸末端基を有していた。
実施例1に記載したようにして、レゾルシノール、イソフタル酸二塩化物及びテレフタル酸二塩化物、フェノール、ビスフェノールA、並びにホスゲンを含む反応混合物中でコポリエステルカーボネートを合成した。ホスゲンは固定した速度で添加し、水性塩基はpHの測定値に応答して添加した。図1に、このホスゲン化反応の時間に対する測定されたpHをグラフで示す。使用したホスゲンのモル数対この反応で化学量論により必要とされるホスゲンのモル数の比は3.10であった。
実施例1に記載したようにして、レゾルシノール、イソフタル酸二塩化物及びテレフタル酸二塩化物、フェノール、ビスフェノールA、並びにホスゲンを含む反応混合物でコポリエステルカーボネートを合成した。ホスゲンと苛性水溶液は一定の塩基対ホスゲンのモル比で添加した。表3にホスゲン添加の手順の詳細を示す。
Claims (95)
- 1以上のジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分及び1以上の芳香族ジカルボン酸部分から誘導された連鎖構成員を含んでおり、ポリエステル連鎖セグメントの2以上のモノマー単位を結合する無水物結合を実質的に含まないブロックコポリエステルカーボネートを製造する方法であって、
(a)1以上のジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分及び1以上の芳香族ジカルボン酸部分から誘導された構造単位を含むヒドロキシ末端ポリエステル中間体を製造し、
(b)水、水と実質的に非混和性の有機溶媒、及び塩基を含む反応混合物中でポリエステル中間体とホスゲンとの反応を実施し、この際、ホスゲンの総添加量の約60%以上が添加されるまでの期間実質的に一定の塩基対ホスゲンモル比で塩基及びホスゲンを同時に反応混合物に添加する
工程を含んでなる、前記方法。 - 1以上のジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分が構造HO−D−OHを
有しており、Dは次式の構造の二価芳香族基である、請求項1記載の方法。
- ジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分が、3−(4−ヒドロキシフェニル)−1,1,3−トリメチルインダン−5−オール、1−(4−ヒドロキシフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン−5−オール、6,6’−ジヒドロキシ−3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインダン、4,4’−(3,3,5−トリメチルシクロヘキシリデン)ジフェノール、4,4’−ビス(3,5−ジメチル)ジフェノール、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)シクロヘキサン、4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘプタン、2,4’−ジヒドロキシジフェニルメタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−5−ニトロフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,6−ジメチル−3−メトキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−2−クロロフェニル)エタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−エチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−イソプロピルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、3,5,3’,5’−テトラクロロ−4,4’−ジヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシルメタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルプロパン、2,4’−ジヒドロキシフェニルスルホン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ヒドロキノン、レゾルシノール、及びC1-3アルキル置換レゾルシノールからなる群から選択される1以上の構成員である、請求項1記載の方法。
- 芳香族ジカルボン酸部分が芳香族ジカルボン酸二塩化物又は芳香族ジカルボン酸ジエステルからなる、請求項1記載の方法。
- 芳香族ジカルボン酸部分が、二塩化イソフタロイル、二塩化テレフタロイル、ナフタレン−2,6−ジカルボン酸二塩化物、及びこれらの混合物からなる群から選択される芳香族ジカルボン酸二塩化物である、請求項4記載の方法。
- ジカルボン酸二塩化物が二塩化イソフタロイルと二塩化テレフタロイルの混合物である、請求項5記載の方法。
- 二塩化イソフタロイル対二塩化テレフタロイルの比が約0.25〜4.0:1である、請求項6記載の方法。
- 二塩化イソフタロイル対二塩化テレフタロイルの比が約0.67〜1.5:1である、請求項6記載の方法。
- 芳香族ジカルボン酸部分が、イソフタル酸ジフェニル、テレフタル酸ジフェニル、ナフタレン−2,6−ジカルボン酸ジフェニル、及びこれらの混合物からなる群から選択される芳香族ジカルボン酸ジエステルである、請求項4記載の方法。
- ジカルボン酸ジエステルがイソフタル酸ジフェニルとテレフタル酸ジフェニルの混合物である、請求項9記載の方法。
- イソフタル酸ジフェニル対テレフタル酸ジフェニルの比が約0.25〜4.0:1である、請求項10記載の方法。
- イソフタル酸ジフェニル対テレフタル酸ジフェニルの比が約0.67〜1.5:1である、請求項10記載の方法。
- 塩基が1以上のアルカリ金属水酸化物、アルカリ土類水酸化物、又はアルカリ土類酸化物である、請求項1記載の方法。
- 塩基が水性水酸化ナトリウムである、請求項13記載の方法。
- 有機溶媒が、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン、ジクロロベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項1記載の方法。
- ポリエステル中間体とホスゲンの反応がさらに、第三アミン、第四アンモニウム塩、第四ホスホニウム塩、ヘキサアルキルグアニジニウム塩、及びこれらの混合物からなる群から選択される1以上の触媒を含む、請求項1記載の方法。
- 触媒が、トリエチルアミン、ジメチルブチルアミン、N−エチルピペリジン、N−メチルピペリジン、ジイソプロピルエチルアミン、2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、臭化テトラプロピルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、塩化メチルトリブチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム、臭化セチルトリメチルアンモニウム、臭化テトラブチルホスホニウム、塩化ヘキサエチルグアニジニウム、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項16記載の方法。
- 触媒が1以上の第三アミンである、請求項16記載の方法。
- ポリエステル中間体とホスゲンの反応を、ホスゲンと反応性でない末端基を有する一部分以上のポリエステル中間体の存在下で行う、請求項1記載の方法。
- ポリエステル中間体とホスゲンの反応がさらに、ヒドロキシ末端ポリエステル中間体とは異なる1以上のジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分を含む、請求項1記載の方法。
- ヒドロキシ末端ポリエステル中間体とは異なる1以上のジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分が、ポリエステル中間体の合成に用いた1以上のジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分と同一である、請求項20記載の方法。
- 1以上のジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分が、ポリエステル中間体の合成に用いたジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分とは異なる、請求項20記載の方法。
- ジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分がビスフェノールAである、請求項22記載の方法。
- コポリエステルカーボネートの存在下で又は同時に1以上のポリカーボネートを製造する、請求項20記載の方法。
- ジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分がビスフェノールAである、請求項24記載の方法。
- ポリエステル中間体とホスゲンの反応をジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分の混合物の存在下で行い、その1以上がポリエステル中間体の合成に用いたジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分と同一であり、またその1以上が前記ジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分とは異なる、請求項20記載の方法。
- ジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分の混合物の1以上の構成員がビスフェノールAからなる、請求項26記載の方法。
- ホスゲンの総添加量の約80%以上が添加されるまでの期間実質的に一定の塩基対ホスゲンモル比で塩基及びホスゲンを同時に反応混合物に添加する、請求項1記載の方法。
- 塩基対ホスゲンのモル比を実質的に一定にして、添加されるホスゲンの総量の98%を超える期間、塩基とホスゲンを同時に反応混合物に添加する、請求項1記載の方法。
- 塩基対ホスゲンのモル比を実質的に一定にして、添加されるホスゲンの総量の実質的に100%の期間、塩基とホスゲンを同時に反応混合物に添加する、請求項1記載の方法。
- 塩基対ホスゲンの化学量論比が、ホスゲン1モル当たり塩基約1.8〜約2.5モルの範囲である、請求項1記載の方法。
- 添加工程中モル比を実質的に一定にしたまま水性塩基及びホスゲンの両者の添加速度を変える、請求項1記載の方法。
- 反応混合物からコポリエステルカーボネートを回収する、請求項1記載の方法。
- 1以上の1,3−ジヒドロキシベンゼン部分及び1以上の芳香族ジカルボン酸部分から誘導された連鎖構成員を含んでおり、ポリエステル連鎖セグメントの2以上のモノマー単位を結合する無水物結合を実質的に含まないブロックコポリエステルカーボネートを製造する方法であって、
(a)1以上の1,3−ジヒドロキシベンゼン部分及び1以上の芳香族ジカルボン酸部分から誘導された構造単位を含むヒドロキシ末端ポリエステル中間体を製造し、
(b)水、水と実質的に非混和性の有機溶媒、及び塩基を含む反応混合物中でポリエステル中間体とホスゲンとの反応を実施し、その際、ホスゲンの総添加量の約60%以上が添加されるまでの期間実質的に一定の塩基対ホスゲンモル比で塩基及びホスゲンを同時に反応混合物に添加する
工程を含んでなる、前記方法。 - 1,3−ジヒドロキシベンゼン部分が、非置換レゾルシノール、2−メチルレゾルシノール、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項35記載の方法。
- 1,3−ジヒドロキシベンゼン部分が非置換レゾルシノールである、請求項36記載の方法。
- 芳香族ジカルボン酸部分が芳香族ジカルボン酸二塩化物又は芳香族ジカルボン酸ジエステルからなる、請求項34記載の方法。
- 芳香族ジカルボン酸部分が、二塩化イソフタロイル、二塩化テレフタロイル、ナフタレン−2,6−ジカルボン酸二塩化物、及びこれらの混合物からなる群から選択される芳香族ジカルボン酸二塩化物である、請求項38記載の方法。
- さらに、1以上の脂肪族ジカルボン酸二塩化物を含む、請求項39記載の方法。
- 脂肪族ジカルボン酸二塩化物が、塩化セバコイル及びシクロヘキサン−1,4−ジカルボン酸二塩化物からなる群から選択される、請求項40記載の方法。
- ジカルボン酸二塩化物が二塩化イソフタロイルと二塩化テレフタロイルの混合物である、請求項39記載の方法。
- 二塩化イソフタロイル対二塩化テレフタロイルの比が約0.25〜4.0:1である、請求項42記載の方法。
- 二塩化イソフタロイル対二塩化テレフタロイルの比が約0.67〜1.5:1である、請求項42記載の方法。
- 芳香族ジカルボン酸部分が、イソフタル酸ジフェニル、テレフタル酸ジフェニル、ナフタレン−2,6−ジカルボン酸ジフェニル、及びこれらの混合物からなる群から選択される芳香族ジカルボン酸ジエステルである、請求項38記載の方法。
- さらに、1以上の脂肪族ジカルボン酸ジエステルを含む、請求項45記載の方法。
- 脂肪族ジカルボン酸ジエステルが、セバシン酸ジフェニル及びシクロヘキサン−1,4−ジカルボン酸ジフェニルからなる群から選択される、請求項46記載の方法。
- ジカルボン酸ジエステルがイソフタル酸ジフェニルとテレフタル酸ジフェニルの混合物である、請求項45記載の方法。
- イソフタル酸ジフェニル対テレフタル酸ジフェニルの比が約0.25〜4.0:1である、請求項48記載の方法。
- イソフタル酸ジフェニル対テレフタル酸ジフェニルの比が約0.67〜1.5:1である、請求項48記載の方法。
- 塩基が1以上のアルカリ金属水酸化物、アルカリ土類水酸化物、又はアルカリ土類酸化物である、請求項34記載の方法。
- 塩基が水性水酸化ナトリウムである、請求項51記載の方法。
- 有機溶媒が、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン、ジクロロベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項34記載の方法。
- ポリエステル中間体とホスゲンの反応がさらに、第三アミン、第四アンモニウム塩、第四ホスホニウム塩、ヘキサアルキルグアニジニウム塩、及びこれらの混合物からなる群から選択される1以上の触媒を含む、請求項34記載の方法。
- 触媒が、トリエチルアミン、ジメチルブチルアミン、N−エチルピペリジン、N−メチルピペリジン、ジイソプロピルエチルアミン、2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、臭化テトラプロピルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、塩化メチルトリブチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム、臭化セチルトリメチルアンモニウム、臭化テトラブチルホスホニウム、塩化ヘキサエチルグアニジニウム、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項54記載の方法。
- 触媒が1以上の第三アミンである、請求項54記載の方法。
- ポリエステル中間体とホスゲンの反応を、ホスゲンと反応性でない末端基を有する一部分以上のポリエステル中間体の存在下で行う、請求項34記載の方法。
- ポリエステル中間体とホスゲンの反応がさらに、ヒドロキシ末端ポリエステル中間体とは異なる1以上のジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分を含む、請求項34記載の方法。
- ヒドロキシ末端ポリエステル中間体とは異なる1以上のジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分が、ポリエステル中間体の合成に用いた1以上の1,3−ジヒドロキシベンゼン部分と同一である、請求項58記載の方法。
- ジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分が非置換レゾルシノールである、請求項59記載の方法。
- 1以上のジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分が、ポリエステル中間体の合成に用いた1,3−ジヒドロキシベンゼン部分とは異なる、請求項58記載の方法。
- ジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分がビスフェノールAである、請求項61記載の方法。
- コポリエステルカーボネートの存在下で又は同時に1以上のポリカーボネートを製造する、請求項58記載の方法。
- ジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分がビスフェノールAである、請求項63記載の方法。
- ポリエステル中間体とホスゲンの反応をジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分の混合物の存在下で行い、その1以上がポリエステル中間体の合成に用いた1,3−ジヒドロキシベンゼン部分と同一であり、その1以上が前記1,3−ジヒドロキシベンゼン部分とは異なる、請求項58記載の方法。
- ジヒドロキシ置換芳香族炭化水素部分の混合物が非置換レゾルシノール及びビスフェノールAからなる、請求項65記載の方法。
- ホスゲンの総添加量の約80%以上が添加されるまでの期間実質的に一定の塩基対ホスゲンモル比で塩基及びホスゲンを同時に反応混合物に添加する、請求項34記載の方法。
- ホスゲンの総添加量の約98%超が添加されるまでの期間実質的に一定の塩基対ホスゲンモル比で塩基及びホスゲンを同時に反応混合物に添加する、請求項34記載の方法。
- ホスゲンの総添加量の実質的に100%が添加されるまでの期間実質的に一定の塩基対ホスゲンモル比で塩基及びホスゲンを同時に反応混合物に添加する、請求項34記載の方法。
- 塩基対ホスゲンの化学量論比がホスゲン1モル当たり塩基約1.8〜約2.5モルの範囲である、請求項34記載の方法。
- 添加工程中モル比を実質的に一定にしたままで水性塩基及びホスゲンの両方の添加速度を変える、請求項34記載の方法。
- 反応混合物からコポリエステルカーボネートを回収する、請求項34記載の方法。
- 約0.4〜2.5:1の範囲のモル比の二塩化テレフタロイルと二塩化イソフタロイルの混合物及び非置換レゾルシノールから誘導された連鎖構成員を有するポリエステルブロックセグメントと、1以上の非置換レゾルシノール及びビスフェノールAから誘導された連鎖構成員を有するポリカーボネートセグメントとを含んでおり、ポリエステルブロックの2以上のモノマー単位を結合する無水物結合を実質的に含まないブロックコポリエステルカーボネートのであって、
(a)4以上の重合度を有するヒドロキシ末端ポリエステル中間体を製造し、
(b)水、ジクロロメタン、1以上の触媒、及び塩基を含む反応混合物中でポリエステル中間体とホスゲンとの反応を実施し、その際、ホスゲンの総添加量の約60%以上が添加されるまでの期間実質的に一定の塩基対ホスゲンモル比で塩基及びホスゲンを同時に反応混合物に添加する
工程を含んでなる、前記方法。 - ポリエステル中間体の合成及びコポリエステルカーボネートの合成をいずれも、水性相及びジクロロメタンを含む2相系で行う、請求項73記載の方法。
- 前記ポリエステル中間体とホスゲンの反応を実施する前に溶液からポリエステル中間体を単離しない、請求項74記載の方法。
- ポリエステル中間体とホスゲンの反応を、ホスゲンと反応性でない末端基を有する一部分以上のポリエステル中間体の存在下で行う、請求項73記載の方法。
- コポリエステルカーボネートの存在下で又は同時に1以上のポリカーボネートを製造する、請求項73記載の方法。
- ポリカーボネートがビスフェノールAから誘導された連鎖構成員を含んでなる、請求項77記載の方法。
- 塩基対ホスゲンの化学量論比がホスゲン1モル当たり塩基約1.8〜約2.5モルの範囲である、請求項73記載の方法。
- コポリエステルカーボネートを反応混合物から回収する、請求項73記載の方法。
- 約0.4〜2.5:1の範囲のモル比の二塩化テレフタロイルと二塩化イソフタロイルの混合物及び非置換レゾルシノールから誘導された連鎖構成員を有するポリエステルブロツクセグメントと、1以上の非置換レゾルシノール及びビスフェノールAから誘導された連鎖構成員を有するポリカーボネートセグメントとを含んでおり、ポリエステルブロックの2以上のモノマー単位を結合する無水物結合を実質的に含まないブロックコポリエステルカーボネートの界面製造方法であって、
(a)水及び実質的に水と非混和性の1以上の有機溶媒の混合物中で1以上の1,3−ジヒドロキシベンゼン部分及び1以上の触媒を合わせ、
(b)前記(a)で得られた混合物に、pHを約5〜約8.5に維持しながら、調節された化学量論比の1以上の酸塩化物及び1以上の塩基を添加し、
(c)酸塩化物の添加完了後、反応混合物のpHを約7〜約9の範囲の値に調節し、ポリマー鎖中の無水物結合を破壊するのに充分な時間反応混合物を攪拌することにより、ポリエステル中間体を製造し、
(d)水、ジクロロメタン、1以上の触媒、及び塩基を含む反応混合物中でポリエステル中間体とホスゲンとの反応を実施し、その際、添加工程中塩基対ホスゲンのモル比をホスゲン1モル当たり塩基約1.8〜約2.5モルの範囲で実質的に一定にして塩基及びホスゲンを同時に反応混合物に添加する
工程を含んでなる、前記方法。 - ポリエステル中間体の合成及びコポリエステルカーボネートの合成をいずれも水性相及びジクロロメタンを含む2相系で行う、請求項81記載の方法。
- 前記ポリエステル中間体とホスゲンの反応を実施する前にポリエステル中間体を溶液から単離しない、請求項81記載の方法。
- ポリエステル中間体とホスゲンの反応を、ホスゲンと反応性でない末端基を有する一部分以上のポリエステル中間体の存在下で行う、請求項81記載の方法。
- コポリエステルカーボネートの存在下で又は同時に1以上のポリカーボネートを製造する、請求項81記載の方法。
- ポリカーボネートがビスフェノールAから誘導された連鎖構成員を含んでなる、請求項85記載の方法。
- コポリエステルカーボネートを反応混合物から回収する、請求項81記載の方法。
- ポリマー鎖の2以上のモノマー単位を結合する無水物結合を実質的に含まないブロックコポリエステルカーボネートを製造する方法であって、
(a)1以上の1,3−ジヒドロキシベンゼン部分及び1以上の芳香族ジカルボン酸ジアリールエステルを含む溶融反応混合物中、エステル交換条件下で、4以上の重合度を有するヒドロキシ末端ポリエステル中間体を製造し、反応混合物からコポリエステルカーボネートを回収し、
(b)水、ジクロロメタン、1以上の触媒、及び塩基を含む反応混合物中でポリエステル中間体とホスゲンとの反応を実施し、その際、塩基及びホスゲンを塩基対ホスゲンのモル比を実質的に一定にして同時に反応混合物に添加する
工程を含んでなる、全方法。 - ジカルボン酸ジエステルがイソフタル酸ジフェニルとテレフタル酸ジフェニルの混合物である、請求項88記載の方法。
- イソフタル酸ジフェニル対テレフタル酸ジフェニルの比が約0.25〜4.0:1である、請求項88記載の方法。
- イソフタル酸ジフェニル対テレフタル酸ジフェニルの比が約0.67〜1.5:1である、請求項88記載の方法。
- 塩基対ホスゲンの化学量論比がホスゲン1モル当たり塩基約1.8〜約2.5モルの範囲である、請求項88記載の方法。
- コポリエステルカーボネートの存在下で又は同時に1以上のポリカーボネートを製造する、請求項88記載の方法。
- ポリカーボネートがビスフェノールAから誘導された連鎖構成員を含んでなる、請求項93記載の方法。
- コポリエステルカーボネートを反応混合物から回収する、請求項88記載の方法。
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