JP2005515485A - ニオブ酸リチウムデバイスを安定化させるための緩衝層構造 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (30)
- 上面及び下面を有する電気−光学結晶基板と、
上記電気−光学結晶基板の面内に形成された光導波路と、
上記光導波路の上に配置され、上記光導波路に電界を印加する少なくとも1つの電極と、
シリコンチタンオキシニトライド層と、
上記シリコンチタンオキシニトライド層を、上記光導波路が形成された面の反対側にある上記電気−光学結晶基板の別の面に相互接続するコネクタと、
を備える、光導波路型デバイス。 - 光信号を上記光導波路内に光学的に閉じ込めるために、上記電気−光学結晶基板に非ドープの二酸化シリコン層を配置した、請求項1に記載の光導波路型デバイス。
- 上記シリコンチタンオキシニトライド層は、熱的安定化を与えるよう構成され、
時間的安定化のための付加的なシリコンチタンオキシニトライド層は、上記シリコンチタンオキシニトライド層と上記電気−光学結晶基板との間に配置されている、請求項2に記載の光導波路型デバイス。 - 時間的安定化のための上記付加的なシリコンチタンオキシニトライド層におけるシリコン対チタンの比は、熱的安定化のための上記シリコンチタンオキシニトライド層におけるシリコン対チタンの比より大きい、請求項3に記載の光導波路型デバイス。
- 時間的安定化のための上記付加的なシリコンチタンオキシニトライド層は、インジウムでドープされる、請求項3に記載の光導波路型デバイス。
- 時間的安定化のための上記付加的なシリコンチタンオキシニトライド層は、シリコン対チタンの比が勾配変化をもつように形成される、請求項4に記載の光導波路型デバイス。
- 時間的安定化のための付加的なシリコンチタンオキシニトライド層が、上記シリコンチタンオキシニトライド層と上記電気−光学結晶基板との間に配置され、
上記シリコンチタンオキシニトライド層は、熱的安定化を与えるよう構成される、請求項1に記載の光導波路型デバイス。 - 時間的安定化のための上記付加的なシリコンチタンオキシニトライド層は希土類金属でドープされる、請求項7に記載の光導波路型デバイス。
- 時間的安定化のための上記付加的なシリコンチタンオキシニトライド層におけるシリコン対チタンの比は、熱的安定化のための上記シリコンチタンオキシニトライド層におけるシリコン対チタンの比より大きい、請求項7に記載の光導波路型デバイス。
- 時間的安定化のための上記付加的なシリコンチタンオキシニトライド層におけるシリコン対チタンの比は、該シリコン対チタンの比が勾配変化をもつように形成される、請求項7に記載の光導波路型デバイス。
- 上記シリコンチタンオキシニトライド層は、熱的及び時間的安定化のためのものであり、且つ上記電気−光学結晶基板に配置されていて、
上記シリコンチタンオキシニトライド層におけるシリコン対チタンの比は、該シリコン対チタンの比が勾配変化をもつように形成される、請求項1に記載の光導波路型デバイス。 - 上記シリコンチタンオキシニトライド層は希土類金属でドープされる、請求項11に記載の光導波路型デバイス。
- Z面をもつ上面とZ面をもつ下面とを有するZカットの電気−光学結晶基板と、
上記電気−光学結晶基板の上面内に形成された光導波路と、
シリコン、周期表の列4(IVB)の元素、酸素及び窒素を含む熱的安定化緩衝層を有する、上記光導波路の上に配置された緩衝層構造体と、
上記緩衝層構造体に配置され、上記光導波路に電界を印加する少なくとも1つの電極と、
上記電気−光学結晶基板の側面にあって、上記熱安定化緩衝層を上記電気−光学結晶基板の上記下面へ相互接続する接続層と、
を備える、光導波路型デバイス。 - 光信号を上記光導波路内に光学的に閉じ込めるために上記電気−光学結晶基板の上面に非ドープの二酸化シリコン層を配置した、請求項13に記載の光導波路型デバイス。
- シリコン、周期表の列4(IVB)の元素、酸素及び窒素を含む時間的安定化緩衝層が、上記熱的安定化緩衝層と上記電気−光学結晶基板との間に配置される、請求項14に記載の光導波路型デバイス。
- 上記時間的安定化緩衝層における窒素対酸素の比は、上記熱的安定化緩衝層における窒素対酸素の比より小さい、請求項15に記載の光導波路型デバイス。
- 上記時間的安定化緩衝層は希土類金属でドープされる、請求項15に記載の光導波路型デバイス。
- 上記時間的安定化緩衝層は、窒素対酸素の比が勾配変化をもつように形成される、請求項16に記載の光導波路型デバイス。
- 上記熱的安定化緩衝層と上記電気−光学結晶基板の上面との間に時間的安定化緩衝層が配置される、請求項13に記載の光導波路型デバイス。
- 上記時間的安定化緩衝層は希土類金属でドープされる、請求項19に記載の光導波路型デバイス。
- 上記時間的安定化緩衝層における窒素対酸素の比は、上記熱的安定化緩衝層における窒素対酸素の比より小さい、請求項19に記載の光導波路型デバイス。
- 上記時間的安定化緩衝層は、窒素対酸素の比が勾配変化をもつように形成される、請求項21に記載の光導波路型デバイス。
- 上記熱的安定化緩衝層が、時間的安定化も与えるよう構成されると共に、上記電気−光学結晶基板に配置され、
上記緩衝層における窒素対酸素の比は、該窒素対酸素の比が勾配変化をもつように形成される、請求項13に記載の光導波路型デバイス。 - 上記緩衝層は希土類金属でドープされる、請求項23に記載の光導波路型デバイス。
- 上記接続層は、導電性ペイント、半田、半導体、セラミック及び導電性エポキシの1つを含む、請求項13に記載の光導波路型デバイス。
- 光導波路型デバイスを形成する方法であって、前記方法は、
電気−光学結晶基板の面内に光導波路を形成するステップと、
上記光導波路の上に配置され、シリコン、周期表の列4(IVB)の元素、酸素及び窒素を含む緩衝層を形成するステップと、
上記緩衝層の上に配置されて、上記光導波路に電界を印加する少なくとも1つの電極を形成するステップと、
上記熱的安定化の緩衝層を、上記光導波路が形成された面の反対側にある上記電気−光学結晶基板の別の面に相互接続する接続手段を形成するステップと、
を備える方法。 - 上記緩衝層は、窒化シリコン及び周期表の列4(IVB)の元素の窒化物で構成されたターゲットを使用してスパッタ堆積される、請求項26に記載の光導波路型デバイス形成方法。
- 上記緩衝層は、O2及びN2を含む雰囲気中でスパッタ堆積される、請求項27に記載の光導波路型デバイス形成方法。
- 上記ターゲットは更に希土類金属を含む、請求項27に記載の光導波路型デバイス形成方法。
- 上記緩衝層がスパッタ堆積される間、希土類金属を含む付加的なターゲットが露出される、請求項27に記載の光導波路型デバイス形成方法。
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