JP2005507994A5

JP2005507994A5 -

Info

Publication number: JP2005507994A5
Application number: JP2003526851A
Authority: JP
Filing date: 2002-09-06
Publication date: 2006-01-05

Claims

光学部品中に損傷部位を発生させる工程、
前記発生した損傷部位の位置を特定する工程、
続いて起こる前記損傷部位の損傷成長の原因を取り除く抑制処理を行う工程、
を含む、レーザーによって引き起こされた光学部品中の表面損傷の成長を抑制する方法。
前記続いて起こる前記損傷部位の損傷成長の原因を取り除く抑制処理を行う工程が、局部的に、または、全体的に行われる、請求項１に記載の方法。
前記光学部品が、溶融石英、リン酸二水素カリウム（ＫＤＰ）結晶、およびリン酸二水素カリウムの重水素化物（ＤＫＤＰ）結晶からなる群から選ばれる一種の物質からできているものである、請求項１または２に記載の方法。
前記損傷が、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーによって、１０６０ｎｍ近傍のその基本赤外波長で、または非線形光学材料によって５３０ｎｍ近傍の波長に２倍化された周波数で、または非線形光学材料によって３５０ｎｍ近傍の波長に３倍化された周波数で、発生させられたものである、あるいは、
ＸｅＦエキシマーレーザー（３５１と３５３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマーレーザー（２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザー（３０８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマーレーザー（１９３ｎｍ）のような、約３５０ｎｍから下は約１５０ｎｍの波長を有するＵＶエキシマーレーザーで発生させられたものである、あるいは、
低出力Ｎｄ：ＹＬＦ発振器と、それに続く位相共役を有するジグザグスラブ型マルチパス増幅器、および赤外出力を紫外に変換するための一組の結晶からなるレーザーで発生させられたものである、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
前記レーザーが１００から５００ワットの範囲の出力パワーを有する低出力Ｎｄ：ＹＬＦ発振器を備えている、請求項４に記載の方法。
前記レーザーが、６Ｈｚの繰返し率に至るまで、５３２ｎｍの波長で少なくとも１０Ｊの出力を与える低出力Ｎｄ：ＹＬＦ発振器を備えている、請求項４に記載の方法。
前記損傷部位が最小限に発生させられる、請求項１に記載の方法。
前記光学部品中に損傷部位を発生させる工程が、欠陥に損傷部位を発生させるためのレーザーを使用した、前記光学部品の走査を含むものである、請求項１に記載の方法。
前記欠陥に損傷を発生させるための高出力レーザーを使用した光学部品の走査が、所望の運転フルエンスよりやや大きい出力のレーザーで行われる、請求項８に記載の方法。
前記光学部品の表面が、前記レーザーをパルス照射して、前記光学部品を連続的に動かすことによって走査されるものである、請求項９に記載の方法。
処理されるべき光学部品がｘ−ｙトランスレーションステージに載せられ、レーザー光が、前記光学部品を最終的に稼動するのに要求されるフルエンスと対等な、あるいはわずかに過剰なフルエンスを有し、立体的に正方形あるいは長方形に整えられる、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
損傷の発生が、ＣＣＤカメラで前記表面のプラズマフラッシュを観察することによって検出される、あるいは、前記光学部品のバルクを伝播する音響応答を測定することによって検出される、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
損傷の発生が、レーザービームからの光散乱によって検出される、あるいは、ブライトサイド照射（ｂｒｉｇｈｔｓｉｄｅｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）からの光散乱によって検出される、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
損傷の発生が、偏光アナライザを有するマイクロスコープイメージャーを用いて、前記損傷部位からの局部的な応力複屈折を測定することによって検出される、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
前記溶融石英を局部的に柔らかくし、前記残存している損傷を焼きなますための局部的なＣＯ_２レーザー処理で、あるいは、前記光学部品の前記表面全体の前記溶融石英を柔らかくし、前記残存している損傷の全てを焼きなますための全体的なＣＯ _２レーザー処理で、前記抑制処理が溶融石英光学部品に対して行われる、請求項１に記載の方法。
前記ＣＯ_２レーザーが、前記溶融石英を熱的に柔らかくするが前記溶融石英の気化と熱的に起こされる応力を最小限にするような出力密度と継続時間に調節されている、請求項１５に記載の方法。
損傷成長を引き起こす前記損傷部位中の物質を部分的に取り除くために、局部的な酸エッチング処理あるいは局部的なプラズマエッチング処理によって、あるいは、前記光学部品の前記表面全体から、すべての前記損傷部位において、損傷成長を引き起こす物質を取り除くために、全体的な酸エッチング処理あるいは全体的なプラズマエッチング処理によって、溶融石英光学部品中の前記特定された欠陥が取り除かれる、請求項１〜１６のいずれかに記載の方法。
ＫＤＰあるいはＤＫＤＰ光学部品中の前記特定された欠陥が、局部的な水エッチング処理によって不活性化される、あるいは、小さい機械的な研磨工具で取り除かれる、請求項１に記載の方法。
溶融石英、ＫＤＰ、あるいはＤＫＤＰ光学部品中の前記特定された欠陥が、１０ｎｓ未満のパルス長を有するレーザーで除去される、あるいは、２００ｎｍより短い波長を有するレーザーで除去される、請求項１に記載の方法。
前記溶融石英光学部品の抑制処理を行うステップが、前記損傷の成長を止めるために適当な深さまでの光学部品全体の酸エッチング処理、あるいは、プラズマエッチング処理と、前記光学部品を所望の表面仕上がりに再びするための前記光学部品の微細研磨とを含む、請求項１に記載の方法。