KR19990067433A - 손상방지 레이저 표면처리방법 - Google Patents

손상방지 레이저 표면처리방법 Download PDF

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Abstract

레이저 처리될 물체의 표면손상을 방지하기 위한 방법 및 장치로서 레이저가 융제될 표면에 도달하기 전에 발생될 레이저펄스를 연장시키는 것으로 구성되어 있다.

Description

손상방지 레이저 표면처리방법
여러 가지 제품을 생산하는 데 있어 표면 위에 보호물질층을 적용시키는 것이 필수불가결의 공정인데 이것은 특정의 공정단계가 완료된 다음에는 제거되어야 한다. 그러한 공정의 예로는 소위 마스킹(masking)”을 들 수 있는 데 여기서는 마스크를 통하여 조명된 보호물질의 층을 사용하여 표면에 패턴이 새겨지게 되며 그리고 이 표면은 그런 다음 현상액(developer)으로 처리되어 표면의 마스크 안 된 부분으로부터 보호물질을 제거하여 그로서 원하는 패턴만이 남게 하는 것이다. 그런 다음 이 표면은 이온 주입에 의하여 또는 에칭제(etching agents)에 의하여 처리되는데 이것은 표면의 마스크 안 된 부분에 주입된 종을 이입하거나 그렇지 않으면 마스크 안 된 부분으로부터 물질을 제거한다. 일단 이러한 공정이 완료되면 보호마스크의 역할이 끝나게 되며 그것은 제거되어야만 한다. 이러한 공정은 종래의 공정으로 업계의 일반 기술로 잘 알려져 있는데 예를 들어 미국특허 제 5,114,834 호에 잘 나타나 있다.
2개의 주요 광저항 스트리핑 방법이 최신의 VLSI/ULSI(초대규모집적회로)회로산업에 존재하고 있다 ; 즉
1) 산이나 유기용제를 사용하는 습식 스트리핑(wet stripping)
2) 플라즈마, O3, O3/N2O를 사용하는 건식 스트리핑(dry stripping) 또는 U.V./O3에 기초한 스트리핑
상기 두가지 방법은 모두 문제점은 가지고 있으며 완전한 방법이라 할 수 없는데 특히 장래 VLSI/ULSI 산업에서의 소형화를 고려할 때 더욱 그러하다. 현재의 기술은 대략 0.5μm 크기를 갖는 장치를 다룰 수 있는데 그러나 세기말이 되면 장치의 동작크기는 0.25μm로 축소된 장치가 될 것으로 기대되고 있다.
이러한 기대되는 크기의 변화는 제조기술상에서도 상당한 변화를 요구하고 있는데 특히 스트리핑 단계에서 그러하다. 상기에서 묘사된 바와 같은 종래 기술의 광저항 스트리핑 기술을 장래의 장치에 적용할 때에는 적당하지 않게 될 것인데 이를 아래에서 좀 더 자세히 살펴보면 다음과 같다.
단지 습식 스트리핑 방법만을 사용하는 것은 완전한 대안이 될 수 없는데 이는 포토레지스트(photoresist)의 제거를 어렵게 하도록 하는 포토레지스트의 화학적 및 물리적 속성을 변화시키는 거친 공정 후에는 포토레지스트를 완전하게 벗겨낼 수가 없기 때문이다. 그러한 공정으로서는 예를 들면 고 투여 주입(High Dose Implantation)(HDI), 반응이온에칭(RIE), 디프 U.V. 큐링(deep U.V. curing)과 고온 포스트-베이크(high temperature post-bake)등을 포함한다. HDI 또는 RIE 후에 주입된 패턴 또는 에칭된 벽의 측벽은 제거하기가 매우 힘들다.
나아가 습식 방법은 몇 가지 또 다른 문제점을 가지고 있다. 즉 스트리핑 용액의 강도는 시간에 따라 변하며, 용액에서의 축척된 오염은 역으로 웨이퍼의 퍼포먼스에 심각한 영향을 줄 수 있는 입자의 원천이 되고, 스트리핑 화학제의 부식 및 중독의 내용이 높은 취급 비용과 처리비용을 발생시킨다. 그리고 액체단계 표면 장력과 대량 이동은 포토레지스트 제거를 균일하지 않고 그리고 어렵게 한다.
건식 방법도 역시 몇 가지 결점을 가지고 있는데 특히 금속 및 미립자의 오염, 플라즈마에 기인한 손상, 충전, 전류, 전기장과 플라즈마 유도 자외선 방사 그리고 나아가 온도유도손상 그리고 특히 불완전한 제거를 들 수 있다. 상기에서 언급한 여러 가지 제조단계 동안에, 포토레지스트는 그것을 경화시키는 화학적 물리적 속성 변화가 문제가 되는데 이는 종래기술의 스트리핑 공정을 더욱 수행하기 어렵게 한다. 통상적으로는 습식 및 건식 공정을 포함한 다수의 연속적인 공정이 완전한 포토레지스트를 제거하기 위하여 필요하다.
동 기술업계에서는 이러한 문제를 해결하기 위하여 다각도의 접근방법을 시도하여 왔으며 상업적 포토레지스트 건조 제거 장치가 이용될 수 있는데 이는 다른 기술을 사용하고 있다. 예를 들면 일본 히타치사(UA-3150A) 등에 의하여 판매된 자외선 애셔(ashers) 미국 퓨전 반도체 시스템(Fusion Semiconductor Systems, U.S.A)에 의한 건조화학애셔로서 이들은 화학적 애슁(ashing)으로 포토레지스트를 제거하기 위하여 산화질소나 오존을 사용하였으며, 나아가 마이크로파 플라즈마 애슁도 유효하게 사용되었는데 예를 들면 UNA-200 애셔(ULVAC Japan Ltd.)와 같은 것이 있다. 또한 플라즈마 포토레지스트 제거도 사용되었는데 예를 들면 아스펜(Aspen) 장치(Mattsopn Technolory, U.S.A)와 AURA 200 (Gasonics Ipc, U.S.A.)이 있다.
더욱 최근에는 미국특허 제5,114,834호에 상술된 바와 같이 산화환경에서 레이저 자외선방사를 이용한 융제기술(ablation)에 의하여 포토레지스트 제거가 이루어졌다. 융제공정은 포토레지스트에 의한 레이저 펄스에너지의 강력한 흡수로 가능한 것이다. 이 공정은 포토레지스트에서의 화학적 결합파괴에 기인한 폭풍파 및 순간가열과 연계된 화학적 포토레지스트층의 주변가스로의 국부적 돌출이다. 부분적으로 가스화된 그리고 부분적으로 조각난 포토레지스트는 표면으로부터 위로 부풀어 오르게 되고 순간적으로 주위가스에 열을 가한다. 융제의 빠른 연소가 폭풍파에 기하여 일어나고 자외선레이저 방사의 광화학반응 그리고 공정가스에 기하게 일어날 수 있다. 공정의 주요골자는 조사지역(照射地域)을 통하여 흐르는 반응가스에서 일어나는 융제된 포토레지스트의 연소와 함께 레이저 융제이다. 레이저 방사와 빠른 연소는 포토레지스트(측벽)의 경화부분의 융제 트레숄드(treshold)를 즉각적으로 낮춘다. 그리고 나서 연소된 융제제품은 진공 흡입 또는 완전히 깨끗한 표면을 남겨놓는 가스 스위핑(sweeping)에 의하여 제거된다.
미국특허 제5,114,834호가 중요한 신규 공정을 제공하고는 있으나, 그것은 아직도 산업적으로 인정할 만한 높은 생산성을 보장하지는 못하고 있다. 즉 주어진 시간동안 스트립될 수 있는 웨이퍼의 수를 보장하고 있지 못한 것이다. 레이저 스트리핑 산출물은 스트리핑 비율에 의하여 결정되거나 또는 시간단위당 포토레지스트의 단위 영역의 완전한 스트리핑을 제공하는데 필요한 레이저 펄스의 수에 의하여 결정된다.
참조사항으로 이 명세서에서는 반도체 웨이퍼로부터의 포토레지스트의 융제에 대해 언급이 이루어지겠으나 이것은 본 발명을 단순하게 설명하기 위해서 이루어질 것이다. 왜냐하면 그것은 잘 알려져 있고 또 폭넓게 이미 접근된 문제이기 때문이다. 그러나, 여기서 상술된 발명이 결코 웨이퍼로부터 포토레지스트의 스트리핑에 한정된 것은 아니며 그것은 다른 많은 것 예를 들면 평면패널디스플레이(FPD)로부터 포토레지스트를 스트립하고 크리닝하는 것 또는 다른 물체 예를 들면 렌즈나, 반도체 웨이퍼 또는 포토마스크로부터의 잔류물 제거에 준용될 수 있을 것이다.
앞서 언급한 미국특허 제5,114,834호는 레이저 스트립핑의 공정창을 정의하고 있는데 그것은 처리될 웨이퍼에 손상을 가하는 레이저 펄스의 특정한 에너지 영향수준이 있다고 지적하고 있다. 그러나 지금까지의 기술에서는 처리될 물체의 표면에 손상을 가함이 없이 미국특허 제5,114,834호에서 정의된 영향손상출발점을 증가시키도록 허용하는 방법으로 엑시머 레이저의 에너지를 유용하게 사용하도록 방법을 제공하는 데에는 실패하였다. 레이저 에너지에 기인한 손상의 형태는 예를 들면 SiO2/Si 계면(주입된) 결정구조에서의 작은 변화에 기인한 약간의 변색과 같은 방사(이온화)손상과 함께 특히 팽창계수의 차이에 기인한 주름과 같은 예를들면 SiO/2Si(주입된) 과 TiN/A1 계면과 피로현상, 알루미늄 또는 실리콘 용융과 관계된 열손상을 포함한다.
레이저 스트리핑과 크리닝에 부가하여, 손상방지가 중요한 반도체 또는 다른 물질의 자외선 레이저 처리를 이용한 또 다른 공정이 있다.
본 발명은 자외선 레이저 표면처리방법에 관한 것으로 외부물질을 기판표면으로부터 제거하기 위한 방법에 관한 것이다. 특히 본 발명은 표면레이저 처리가 기대되는 종류의 기판 예를 들면 VLSI/ULSI회로와 같은 종류의 기판에 대하여 레이저 스트리핑(stripping)이나 크리닝(cleaning)을 하는 동안 기판에 대한 손상을 방지하는 방법에 관한 것이다.
도면에서 :
도 1은 펄스연장효과를 개략적으로 보여주고 있다.
도 2는 펄스 균질화의 효과를 개략적으로 보여주고 있다.
도 3은 금속 에칭후 포토레지스트 스트리핑의 공정창(실시예에서 자세히 논의될 것임)을 보여주고 있는 데 여기에서,
도 3a는 펄스연장이나 균질화가 없는 공정창을 보여주고 있다.
도 3b는 펄스연장이 없으나 균질화가 있는 공정창을 보여주고 있다.
도 3c는 펄스연장과 균질화가 있는 공정창을 보여주고 있다.
도 4는 본 발명의 구체적 실시예에 따른 펄스연장기(P.E.)와 균질화기로 구성된 광학선 정렬을 보여주고 있다.
도 5는 또다른 균질화기로만 구성된 광학선 정렬이다
여기서 "공정창"이란 단어는 기판에 손상을 일으킴이 없이 동작하도록 허용되는 조건의 집합(펄스의 수와 각 펄스의 에너지영향)을 가리킨다.
보다 긴 시간동안에 처리된 표면에 같은 양의 펄스에너지를 공급하면서도 시간상 레이저 펄스를 연장함으로서 레이저 처리된 기판에 대한 손상을 피할 수 있다는 것이 발견되었는데 이것이 이 발명의 목적이다.
나아가, 본 발명은 레이저 표면처리될 물체에 표면손상을 방지하기 위한 장치로 구성되어 있다. 이 장치는 레이저 펄스를 발생시키기 위한 레이저원과 그것이 처리되어야 할 표면에 도착하기 전에 레이저 펄스를 연장시키는 수단 및 펄스를 균질화시키는 수단으로 구성되어 있다.
나아가, 본 발명의 구체적 실시예에 따르면 본 발명은 레이저빔을 전환시키는 수단, 레이저 펄스를 연장시키는 수단이 광학수단으로 구성되어 있으며 이 광학수단은 레이저 펄스 지속시간을 2 내지 20배로 연장시킨다.
기판과 관련하여 펄스연장으로부터 감소된 손상에 부가하여 렌즈나 거울등 광학수단을 사용하는 이점에 주의를 기울여야 할 것이다.
본 발명의 다른 목적은 하기 상세한 설명으로부터 좀 더 명확해질 것이다.
본 발명에 따르면, 레이저 처리될 물체의 표면손상을 피하기 위한 방법은 레이저가 처리되어야 할 표면에 도착하기 전에 레이저에 의하여 발생된 레이저펄스를 연장하는 것으로 구성되어 있다. 그렇게 얻어진 상황이 도1에 표시되어 있다. 도 1a는 연장되지 아니한 펄스를 보여주고 있는데, 이것은 도 1b에서 3배로 연장되었다.
결과적으로 펄스의 에너지밀도(E가 펄스에너지 이며 S가 처리된 영역이라면 F=E/S로 정의됨)는 변하지 않으나, 기판(실리콘)표면 위의 최대온도 (T)는 실리콘의 열 확산으로 인하여 방정식(1)에 따라 배로 감소한다 :
(1)
방정식 (1)에서, Δtp 는 펄스 지속시간이다.
도 1c에서 열은 펄스에 의하여 발생되는데, 이는 앞서 설명한 바와 같이 표면에 손상이 될 수 있는 하나의 원인이 된다. 결과로서 생기는 열은 도 1d에서 개략적으로 보이는 바와 같이 의 요소로 감소하는데 이는 도 1b의 연장된 펄스와 관계되어 있다. 결과된 영향손상은 방정식 1에 의하여 상술된 손상과 비교하여 다음과 같다 :
(2)
여기서 와 (Δtp)0 , 와 Δtp 는 따라서 m배로 펄스연장의 전후의 손상 트레숄드 영향 및 펄스 지속시간이다.
한편, 이온 결함의 양은 실험이 보여주는 바와 같이 펄스파워밀도 F/ Δtp 또는 그 영역에 대하여 비례적이다.
그러므로, 이온손상은 펄스가 m배 연장되면서 m 또는 m2배 감소하며 파워밀도는 m배 감소한다. 따라서 손상 트레숄드 영향은 m 또는 m2배 증가한다.
예를 들면, 처리표면 같은 장소의 다중펄스된(multipulsed) 조사(照射)로서 발생하는 피로현상을 고려하여 볼 때, 사실상 연장된 펄스의 손상트레숄드 영향값은 오히려 공정창 감소의 방향으로 이동될 것이다.
실험데이타에 따르면 Δtp≅0.5 마이크로초(秒)까지의 펄스연장은 단지 융제 트레숄드 영향(10~20%)의 미세한 변화만을 발생시킨다(영향작업값의 저한계). 결과적으로 결론은 펄스연장은 공정창의 상당한 확장으로 연결된다는 것이다. 그러므로 펄스연장은 기판에 어떠한 손상을 일으킴이 없이 레이저 영향의 높은 값으로 좀 더 효과적인 융제작업을 제공한다는 것이다.
본 발명의 구체적 실시예에 의하면, 펄스는 20배의 범위에서 연장된다.
펄스연장은 어떠한 적당한 방법에 의하여 가능하다. 그러나 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 펄스연장이 최적화될 수 있다.
본 발명에 따르면, 펄스는 또한 균질화되는데 그 이유는 펄스가 없으면 그 연장이 손상을 방지할 만큼 충분치 못할 수 있기 때문이다. 이것은 에너지 영향 표면 배분 곡선의 중심부분에서의 높은 영향값에 기인한다(도 2의 균질화되지 아니한 펄스 N참조, 거기서 세로좌표는 영향이고 Y1,Y2 및 Y3은 각각 융제 트레숄드, 펄스연장 전 손상 트레숄드 및 펄스연장 후 손상트레숄드를 가리킨다). 균질화된 펄스 H는 주어진 영역에서 낮은 에너지 영향(손상 트레숄드보다 더 낮은)을 가지고 있으며 융제 트레숄드("L"로 표시됨)의 아래에 에너지 영역을 가지고 있지 않다. 이것은 융제를 도와주지 아니할 뿐 아니라 나아가 반대로 느린 냉각에 의하여 포토레지스트를 경화시키며 추가의 융제 작업의 곤란함을 가져온다.
현재까지의 상업적 엑시머 레이저의 제조는 10-8-10-6의 범위에서 레이저 펄스의 지속시간의 심각한 변형을 제공하지 않는다. 그러므로 손상으로부터 자유로운 레이저 처리공정을 확실히 하기 위해서는 레이저와 광학펄스연장기를 결합시키는 것이 필요하다. 그러나 펄스연장 및/또는 균질화가 엑시머 레이저 안에서 이루어지는 것을 배제하는 것은 아니다.
펄스 연장과 함께 펄스 균질화는 종래기술에서 알려진 어떠한 적당한 수단에 의하여도 수행될 수 있다. 그러나 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 균질화는 광학수단으로 달성된다. 균질기 뿐만 아니라 펄스연장기의 그러한 유형은, 발명자에 의하여 사용된 것처럼, 영국 옥스퍼드의 "Exitech Ltd"로부터 상업적으로 이용할 수 있다.
본 발명의 상기 및 다른 특성과 이점은 아래의 예시적이고 한정적이지 아니한 실시예를 통하여 보다 더 잘 이해될 수 있을 것이다.
실시예 1(비교)
기판은 레이저 방사에 대하여 대단히 민감한 것으로 알려진 이산화실리콘(SiO2)/실리콘(Si)이 주입된 영역으로 이루어져 있다. 웨이퍼는 고투여로 주입된(high dose implanted) 층인 1.2μm두께의 패턴화된 양성 포토레지스트로 덮혀져 있다.
주입조건은 : 즉 5x1015원자/㎠의 투여(dose)와 80Kev의 에너지가 동일 출원인의 이스라엘 특허 출원 제115934호에 상술된 셀로 이루어진 공정 체임버(chamber)에서 처리되는데, 이것은 자외선 이동, 가스 입구 및 배출구 그리고 레이저빔을 정해진 위치에 위치시키기 위한 광학수단을 위한 수정 창(quartz window)을 갖추고 있다.
공정은 미국특허 제5,114,834호에 따라 반응가스로 오존을 사용하여 이루어진다. 체임버에서의 압력은 340mbar로 유지된다. 사용된 레이저는 Lambda Physik LPX315IMC 엑시머 레이저였다. 웨이퍼는 3Fth(Fth는 융제 트레솔드 영향)의 영향을 가진 150 펄스에 맞추어져 있으며 펄스 지속 시간은 25ns 이고 그리고 나서 그 표면은 손상이 검사된다. 색깔 중심으로 인한 주목할 만한 색깔 변화가 속이 없는(uncored) 주입된 영역의 기판에서 관찰되었다. 나아가, 계면의 계면 변형으로 인한 심하게 주름잡힌 영역을 발견할 수 있다.
실시예 2
실시예 1에서와 같이 동작하지만 6배의 펄스연장을 사용하는 데 이것은 펄스 지속이 6x 25=150ns임을 뜻하며 표면은 위에 언급된 어떠한 손상도 가지지 않는 것으로 발견되었다.
실시예 3
배열은 도 4에 도시되어 있다. 도면부호 1, 2, 3, 4 및 5는 레이저, 펄스 연장기, 균질기, 거울 및 기판을 각각 가리킨다. 이 장치는 실시예 2에서 묘사된 것과 동일하지만, 펄스 연장 후에 균질기가 구비된다. 같은 영향으로 동작하지만 스트리핑 공정에 아무런 영향을 끼치지 않고도 아무런 손상이 관찰되지 아니하였다. 추가로, 에너지 영향 수준이 일 때에도 아무런 손상이 관찰되지 않았다. 이것은 공정창의 상당한 확대를 의미한다.
실시예 4
VLSI 또는 VLSI 제조 공정에서, 금속의 RIE 공정 후의, 에칭되지 않을 영역의 포토레지스트로 덮혀있는 실리콘 웨이퍼는 전술한 바와 같은 이스라엘 특허출원 제115934호에서 기술되어 있는 셀로 이루어진 공정 체임버에서 처리되는데 이것은 실시예 1에서 상술한 바와 같이 장치가 갖추어져 있으며 동작된다. 펄스 지속시간은 25ns였다. 웨이퍼는 도 3a의 도표에 나타나 있는 바와 같이 더 낮은 펄스 및 에너지 영향에 놓여져 있다.
도표는 주어진 펄스의 수 및 에너지 영향의 작용으로 손상(주름이나 용해 등과 같은)이 발생했음을 보여준다. 가로 좌표는 실제적인 영향(F)과 융제 트레숄드 영향 사이의 비율로서 여기에 주어진 영향이며 세로 좌표는 펄스의 수이다. 손상은 o로서 표시되어 있고 손상의 부족("아무런 손상이 없음")은 x로 표시되어 있다.
F/Fth=1.1과 같은 낮은 영향 수준에서도 스트리핑하기에 필요한 총 펄스의 수인 2000 펄스에서 손상이 발생하며, 금속에서의 포토레지스트는 이 영향수준에서 에칭함이 관찰될 수 있다. 동종 업계의 일반 기술자에게 잘 알려져 있는 바와 같이, 이것은 실제적인 목적을 위해서는 너무나 좁은 공정창이다. 왜냐하면 트레숄드 값 이하에서는 아무런 스트리핑이 발생하지 않기 때문이다.
실시예 5
배열은 추가의 실시예 4에서 상술된 것에 균질기를 구비시킨 것이다. 배열은 도 5에서 보여지고 있는데 여기서 도면부호 1, 2, 3, 및 4는 레이저, 균질기, 거울, 및 기판을 각각 가리키고 있다. 결과는 도 3b에서 나타나고 있다. 여기서는 여러 가지 부호는 도 3a에서와 같은 의미를 가지고 있다. F/Fth=1.3까지는 아무런 손상이 발생하지 않았음을 알 수 있다. 이러한 영향 수준에서 손상은 오직 ~104펄스를 넘어서 발생했는데 이것은 여기서는 ∞로 표시되었다. F/Fth=1.5에서는 1000 펄스 후에 손상이 발견되었다. 이는 비록 이러한 영향수준에서 산출물이 충분치 않고 작업자가 더 높은 영향 수준에서 작업을 할 수 있는 방법을 찾아야 하지만 공정창이 약 36% 현격히 증가하였음을 가리키는 것이다.
실시예 6
실시예 5에서와 같지만 그러나 레이저 펄스는 도 4에 개략적으로 보여지는 바와 같이 x3 연장되었다.
결과는 도 3c에 도시되어 있다. 여기서 여러 가지 부호는 도 3a에서와 같은 뜻을 가지고 있다. F/Fth<2의 영향 수준에서는 아무런 손상이 발생되지 않았음을 알 수 있다.
F/Fth=2에서 손상은 1000 펄스 이상에서만 발생하였다. 이것은 실시예 4에 비해 공정창이 82% 증가하였음을 그리고 실시예 5에 대해서는 33% 증가하였음을 나타낸다.
이 영향 수준에서 작업하는 것은 융제작업을 매우 능률적으로 실시할 수 있으며 적당한 산출물을 얻을 수 있다.
손상 트레숄드의 이러한 증가는 실시예 2에 따르면 3배 연장으로부터 기대되는 것이다. 그러므로 작업자는 만약 펄스가 x12로 연장된다면 도 3c에서 손상 트레숄드를 2배로 할 수 있을 것이다. 이것은 F/Fth=4 까지의 공정창을 의미한다.
모든 상기 설명과 실시예는 예시로서 주어진 것이며 첨부된 청구항에서 정의된 것을 제외하고 어떠한 방법으로 발명을 한정하려는 것은 아니다.많은 다른 방법이 펄스를 균질화하거나 연장하는 데 사용될 수 있으며 다른 장치가 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 물체의 표면 크리닝을 위한 이러한 목적으로 이용될 수 있을 것이다

Claims (15)

  1. 레이저가 융제될 표면에 도달하기 전에 레이저에 의하여 발생된 레이저 펄스를 연장시켜 레이저 처리될 물체의 표면 손상을 방지하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    펄스 지속시간은 2 내지 20배로 연장됨을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    펄스 연장은 광학수단에 의하여 달성됨을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    펄스를 균질화시키는 것을 추가로 포함함을 특징으로 하는 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    균질화는 광학수단에 의하여 달성됨을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 하나에 있어서,
    레이저 처리는 레이저 스트리핑임을 특징으로 하는 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    스트리핑은 융제에 의하여 수행됨을 특징으로 하는 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    스트리핑되는 기판은 VLSI/ULSI회로임을 특징으로 하는 방법.
  9. 레이저 펄스를 발생시키는 레이저원과 그것이 융제될 표면에 도착하기 전에 레이저 펄스를 연장시키는 수단과 광학적으로 펄스를 균질화시키는 수단으로 구성된 레이저 처리될 물체의 표면 손상을 방지하기 위한 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    펄스를 균질화시키는 수단은 펄스를 연장시키는 수단과 일체화되지 않고 외부적이고 장치에 결합되어 있음을 특징으로 하는 장치.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    레이저빔을 전환시키는 수단을 추가로 포함하는, 레이저 처리될 물체의 표면 손상을 방지하기 위한 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    레이저 펄스를 연장시키는 수단은 광학수단임을 특징으로 하는 장치.
  13. 제9항 내지 제12항중 어느 하나에 있어서,
    레이저 펄스지속시간을 2 내지 20 배로 연장시키는 수단을 포함함을 특징으로 하는 장치.
  14. 실질적으로 실시예와 함께 언급하여 설명하고 보여진 레이저 처리될 물체의 표면손상을 방지하기 위한 방법.
  15. 실질적으로 실시예와 같이 언급하여 묘사하고 보여진 레이저 처리될 물체의 표면손상을 방지하기 위한 장치.
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