JP2005507562A - 有機集積回路を有するモジュールを製造する方法 - Google Patents

有機集積回路を有するモジュールを製造する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005507562A
JP2005507562A JP2003541025A JP2003541025A JP2005507562A JP 2005507562 A JP2005507562 A JP 2005507562A JP 2003541025 A JP2003541025 A JP 2003541025A JP 2003541025 A JP2003541025 A JP 2003541025A JP 2005507562 A JP2005507562 A JP 2005507562A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
module
integrated circuit
stamping
vacuum
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003541025A
Other languages
English (en)
Inventor
クリスチャン ブルッガー
レインハード フリッツ
アントニー エイ ランジ
ヨハンネス エイチ エム ルースマレン
ヨハンヌス ダブリュ ウィーカンプ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of JP2005507562A publication Critical patent/JP2005507562A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • H10K19/901Assemblies of multiple devices comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818Bonding techniques
    • H01L2224/81801Soldering or alloying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Abstract

それぞれ少なくとも1つの集積回路(2)を有するモジュール(4)を製造する方法において、ポリマー基板の複数の集積回路(2)を有する可とう性フィルムの形式であるあらかじめ製造された回路構成(1)から、スタンピング−真空運搬結合装置(6)により、前記集積回路(2)が分離され、この後、前記分離された集積回路(2)のそれぞれが、モジュール基板に運ばれ、モジュール(4)を形成するように前記モジュール基板(5)に接続される。

Description

【技術分野】
【0001】
本発明は、モジュールを製造する方法に関し、ここで、各モジュールは、少なくとも1つの集積回路を有し、前記集積回路は、複数の集積回路を有するあらかじめ実施された回路構成から分離され、この後、前記分離された集積回路のそれぞれが、モジュール基板に運ばれ、モジュールを形成するために前記モジュール基板に接続される。
【0002】
本発明は、更に、モジュール基板と、少なくとも1つの集積回路とを有するモジュールに関し、前記少なくとも1つの集積回路は、前記モジュールを形成するために前記モジュール基板に接続される。
【0003】
本発明は、更に、モジュールを有するトランスポンダに関し、前記モジュールは、モジュール基板と、少なくとも1つの集積回路とを有し、前記少なくとも1つの集積回路は、前記モジュールを形成するために前記モジュール基板と接続され、前記トランスポンダの送信手段に接続された接続接点を有する。
【背景技術】
【0004】
第1段落に記載された方法は、昔から既知である。前記既知の方法は、シリコンベースにそれぞれ少なくとも1つの集積回路を有するモジュールの製造のための方法である。この状況において、前記集積回路の製造は、いわゆるウエハ上で行われ、各ウエハは回路構成を形成する。このようなウエハは、第一にトランスポートホイルに付着され、前記ウエハは、この場合、石切用丸鋸により切断され、この鋸歯は、前記個別の集積回路が、互いに分離され、即ち別々にされるが、下にある前記トランスポートホイルが切断されないように調整される。前記トランスポートホイルは、従って、前記集積回路が、前記鋸切断工程の後でさえも、所定の位置を保持することを可能にする。鋸切断の後、前記切断されたウエハを有する、即ち互いに分離された前記集積回路を有する前記トランスポートホイルは、いわゆる“ピック・アンド・プレイス”マシンに移動され、前記マシンを用いて、前記個別の集積回路が取り上げられ、この場合、モジュール基板に配置され、固定される。
【0005】
上で簡単に記載された前記既知の方法は、シリコンベースの集積回路を有するモジュールの製造のみに適している。最近、しかしながら、集積回路は、シリコンベースのみならずポリマーベースでも製造されている。このようなポリマーICは、プラスチック製の可とう性フィルム上に加工される。前記既知の方法は、このようなプラスチックの可とう性フィルム上に製造されたポリマーICに適用されることができない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明の目的は、少なくとも1つの集積回路を有するモジュールを製造する方法を作ることであり、これにより、前記集積回路は、プラスチック製のフィルム上に加工され、ポリマー基板上に製造される。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上の目的を達成するために、本発明による方法が、特に、以下の態様を特徴とすることができるように本発明による方法に対して、本発明の特徴が与えられる。
【0008】
モジュールを製造する方法において、各モジュールが、少なくとも1つの集積回路を有し、前記集積回路は、複数の集積回路を有するあらかじめ実施された回路構成から分離され、この後に、前記分離された集積回路のそれぞれは、モジュール基板に運ばれ、モジュールを形成するために前記モジュール基板に接続され、前記集積回路の分離は、可とう性フィルムの形式をとり、ポリマー基板の前記集積回路を含む回路構成から実行され、各集積回路の分離及び運搬は、スタンピング−真空運搬結合装置により実行され、前記スタンピング−真空運搬結合装置は、スタンピング手段及び真空運搬手段を有し、前記分離は、前記回路構成から各集積回路を打ち抜く前記スタンピング手段により実行されるスタンピング工程において行われ、前記運搬は、前記真空運搬手段により実行される運搬工程において行われる。
【0009】
本発明による特徴は、少なくとも1つの集積回路を有するモジュールが、それぞれポリマー基板に特に単純且つ有利な態様で製造されることができる方法を提供する。シリコンベース上の集積回路を有するモジュールの製造のための既知の方法と比較して述べられ得る特定の利点は、本発明による方法を用いて、トランスポートホイルへの付着及び石切用丸鋸を用いる個別の集積回路の分離のような精巧な加工段階は、不要にされることができ、これは、可能な限り単純且つ経済的である製造方法を達成するために大いに有利である。本発明による方法の更に他の利点は、結果が相対的に少ない工程ステップを用いて達成されることである。
【0010】
本発明による方法を用いて、これに加えて、請求項2による特徴を備えることは、非常に有利であると証明された。これらの特徴の設備は、高度な製造の正確性及び製造の信頼性を保証することができる。
【0011】
本発明によるモジュールは、前記モジュールが、基板と、前記モジュールを形成するために前記モジュール基板に接続された少なくとも1つの集積回路とを有し、且つ前記モジュールが、本発明による方法により製造されることを特徴とする。
【0012】
本発明によるトランスポンダは、前記トランスポンダがモジュールを有し、前記モジュールが、基板と、前記モジュールを形成するために前記モジュール基板に接続され、且つ前記トランスポンダの送信手段に接続された接続接点を有する少なくとも1つの集積回路とを有し、前記モジュールが、本発明による方法により製造されることを特徴とする。
【0013】
本発明のこれら及び他の態様は、下に記述される実施例を参照して明らかになり、説明されるだろう。
【0014】
本発明は、更に、図面に示される実施例を参照して、より詳細に記述されるが、しかしながら、本発明は、前記実施例に制限されない。
【発明を実施するための最良の形態】
【0015】
図1は、回路構成1を概略的な形式で示す。この場合の回路構成1は、プラスチック製の可とう性フィルムの形式で存在する。回路構成1は、複数の集積回路2を有し、集積回路2は、ポリマーベースで製造される。この場合の集積回路2は、互いに離れて配置され、これは、集積回路2を分離領域3に沿って分離することができ、これにより集積回路2の分離を可能にするために必要である。分離領域3は、図1において破線により概略的に示される。集積回路2のそれぞれは、ここでは、図1乃至4には図示されない2つの接続接点(又は“バンプ”)を有する。集積回路2の前記接続接点は、回路構成1の境界決定表面Aの領域にあり、境界決定表面Aは、図1において可視である。
【0016】
本発明によるモジュール4を製造する本発明による方法は、図1乃至4を参照して下に記述されるだろう。図4は、このようなモジュール4を概略的に示す。この場合、各モジュール4は、単一の集積回路2のみを有する。しかしながら、本発明によるモジュール4は、1より多い集積回路2、例えば2つ又は3つのこのような集積回路2を有してもよいので、これは、必ずしもこの通りでなくてはならないわけではない。事前に準備され、複数の集積回路2を有する回路構成1からモジュール4を製造する前記方法において、集積回路2は、回路構成1から分離される。この場合、集積回路2のそれぞれは、モジュール基板5に運ばれ(図3及び4を参照)、モジュール4を形成するためにモジュール基板5に接続され、この接続は、ここで接着の作成により達成される。モジュール基板5に対する集積回路2の接続は、しかしながら、代わりの手段により、例えばはんだ付け又は超音波溶接により、及び好ましくは、この目的のために適切に設計されたスタンピング−真空運搬結合装置6を使用して達成されてもよい。
【0017】
回路構成1からの集積回路2の分離は、本発明による前記方法により実行され、回路構成1は、可とう性フィルムの形式で存在し、ポリマー基板の集積回路2を有する。本発明による前記方法において、各集積回路2の分離及び運搬は、スタンピング−真空運搬結合装置6により実行され、これは、3つの動作位置において図2及び3に大いに概略的な形式で示される。スタンピング−真空運搬結合装置6は、調整手段7を有し、調整手段7によりスタンピング−真空運搬結合装置6は、異なる動作位置に設定されることができる。また、スタンピング−真空運搬結合装置6は、スタンピング手段8と、真空運搬手段9とを有する。
【0018】
スタンピング手段8は、両方向矢印15により示される方向に平行に調整手段7に沿って移動可能に導かれる保持部10を有する。保持部10は、中空の円柱状及び長方形断面を有する。スタンピング・ツール11は、保持部10から突き出す。自由な端部の領域においてカッタとして設計されるスタンピング・ツール11は、調整手段7に関する保持部10の適切な調整を与えて、1つの集積回路2が、その都度、回路構成1から打ち抜かれることを可能にする。本発明による前記方法は、従って、回路構成1から各集積回路2を打ち抜くためのスタンピング手段8により実行されるスタンピング工程において分離を行わせる。
【0019】
スタンピング手段8の内部に配置されるのは、真空運搬手段9であり、これは、スタンピング手段8と同様に、調整手段7に沿って移動可能に導かれる。真空運搬手段9は、必須的に、長方形断面を持つ吸引シリンダ12と、真空ライン14とから成り、吸引シリンダ12には、吸引チャネルが設けられ、真空ライン14は、吸引チャネル13に接続され、真空生成装置(図示されない)に接続される。真空運搬手段9は、両方向矢印15により示される方向に平行にスタンピング手段8に対して調整可能であり、特に、図2及び3から見られることができるように、スタンピング部11の自由端部から離れた引っ込み位置と、スタンピング部11の前記自由端部に向かう前方位置との間で調整可能である。本発明による前記方法は、真空運搬手段9により実行される運搬工程において各集積回路2の移動を達成する。
【0020】
本発明による前記方法において、回路構成1(図2を参照)は、集積回路2の分離の前に真空保持テーブル16(vacuum holding table)に導かれる。真空保持テーブル16は、必須的に、複数の吸引チャネル18が設けられ、吸引チャネル18の全てが、真空生成装置(図2に示されない)に接続された板17から成る。真空保持テーブル16は、回路構成1及びスタンピング−真空運搬結合装置6を、回路構成1が、真空保持テーブル16によりスタンピング−真空運搬結合装置6に対して相対的な位置に保持される場合に、個別の集積回路2の打ち抜きが実行されるように互いに相対的な多数の位置に移動する。真空保持テーブル16は、互いに垂直な2方向の調整が可能ないわゆるXYテーブルであるので、集積回路2のそれぞれは、関連した集積回路2が、スタンピング−真空運搬結合装置6の反対側に配置されるスタンピング位置に移動されることができ、この結果、関連する集積回路2は、スタンピング手段8により打ち抜かれることができる。回路構成1からの集積回路2の分離及び移動の後、もはや回路構成1と真空接続されることができない吸引チャネル18は、動作から自動的に除外される。
【0021】
本発明による前記方法の手順は、下に簡単に記述されるだろう。
【0022】
前記方法が実行される場所から離れた場所において行われていてもよい回路構成1の製造後、完成された回路構成1は、回路構成1が境界決定表面Aにより真空保持テーブル16に接触するように真空保持テーブル16に導かれるので、集積回路2の前記接続接点は、真空保持テーブル16に面し、この結果として、回路構成のスタンピング−真空運搬結合装置6の反対に向いた側に配置される。この状況において、回路構成1は、配置手段(図示されない)によりその都度、スタンピング−真空運搬結合装置6に対して正確に所定の位置に移動される。
【0023】
当該方法のこのステップの終結の後、集積回路2は、スタンピング手段8が図2に示されるような真空保持テーブル16に向かって移動されることによりスタンピング−真空運搬結合装置6のスタンピング手段8により打ち抜かれる。スタンピング手段8により実行される前記スタンピング工程の経過中に、特に前記スタンピング工程の終了に向かって、真空運搬手段9は、打ち抜かれた集積回路2と効果的に接触するので、これにより真空効果が、打ち抜かれた集積回路2における吸引チャネル13を介して働くので、打ち抜かれた集積回路2は、真空運搬手段9により安全に保持される。更に他の手順において、スタンピング手段8は、真空運搬手段9に対して押されるので、スタンピング手段8は、図2及び3から見られることができるように、打ち抜かれた集積回路2から引っ込められた位置に移動される。
【0024】
更に他の手順において、調整手段7は、真空運搬手段9により保持される打ち抜かれた集積回路2が、モジュール基板5(図3を参照)に運ばれるようにスタンピング−真空運搬結合装置6を移動し、この後に、集積回路2は、モジュール4を形成するようにモジュール基板5に接続され、これは、真空運搬手段9によるモジュール基板5への集積回路2の配置前に、接着剤がモジュール基板5に塗布されることにより実行される。モジュール基板5への集積回路2の配置及びあらかじめ塗布された前記接着剤の硬化の後、本発明による完成したモジュールが得られる。前記塗布された接着剤の硬化は、この場合には付加的な援助なしで行われる。しかしながら、スタンピング−真空運搬結合装置6が、付加的に加熱手段を備え、これにより集積回路2の上に配置された前記加熱手段が、モジュール基板5に対して事前に塗布された前記接着剤を加熱し、このように前記接着剤を硬化するような解決法を提供することも代替的に可能である。
【0025】
本発明による前記方法を用いて、回路構成1が、真空保持テーブル16上の境界決定表面Aに対して配置され、結果として、打ち抜かれ、従って分離された集積回路2の突き出た接続接点が、分離された集積回路2のスタンピング−真空運搬結合装置6と反対に向いた側に配置されるという事実は、前記集積回路が、いわゆるフリップチップ技術に準拠した態様においてモジュール基板5上に配置されるという利点を与える。
【0026】
本発明によるモジュール4が、いわゆるトランスポンダの製造のために意図され、設計された中間生成物であることは依然として述べられていない。このようなトランスポンダは、昔から既知であったので、このようなトランスポンダの異なるグラフィック表示はここには含まれない。中間生成物、即ちモジュール4の構造設計に対して複数の可能性がある。このようなモジュールは、モジュール基板5を有してもよく、モジュール基板5上に、2つの相対的に大きな面積の接続接点表面が設けられ、モジュール4の集積回路2の前記接続接点が、電気的に導通の態様で接続され、これを用いて電気的に導通の接続が、送信コイルのような送信手段と共に容易に確立されることができ、前記送信手段は、本発明によるモジュール4と一緒に、通信端末との非接触通信のための本発明によるトランスポンダを形成する。本発明によるモジュール4の他のあり得る実施例は、送信コイルのような送信手段を持つモジュール基板5上に既に設けられたモジュール4にあり、これによりモジュール4の集積回路2の前記接続接点は、この場合、前記送信手段の2つの送信手段接続接点に接続される。本発明によるモジュール4の形成に対する更に他の可能性は、このようなモジュール4の製造において、第一に集積回路2が、モジュール基板5に、特に、集積回路2の前記接続接点がモジュール基板5と反対に向くような態様で接続され、モジュール基板5に対する集積回路2の接続後に、例えば加圧工程において、送信手段が、モジュール基板5及び集積回路2の前記接続接点に同時に適用されることである。
【0027】
真空保持テーブル16の代わりに、他の設計のテーブルが使用されてもよく、ここで、回路構成1が縁において保持され、結果として、張力で前記テーブル上に保持されることが言及されてもよい。真空保持テーブル16を使用して、この真空保持テーブルの設計は、吸引チャネル18が、集積回路2間に位置する領域における回路構成1、即ちフィルムと相互作用するように選択されてもよく、これにより、回路構成1の残りの部分の良い保有は、集積回路2の打ち抜き後にも保証されると、更に述べられてもよい。
【図面の簡単な説明】
【0028】
【図1】強く概略的な形式で、ポリマー基板の複数の集積回路を有する可とう性フィルムの形式の回路構成を示す。
【図2】概略的な形式で、図1の回路構成と同様に、真空保持テーブルと、スタンピング−真空運搬結合装置とのセクションを示す。
【図3】モジュール基板に配置された集積回路と一緒に前記スタンピング−真空運搬装置を示す。
【図4】本発明によるモジュールを示す。

Claims (4)

  1. モジュールを製造する方法であって、
    各モジュールが、少なくとも1つの集積回路を有し、
    前記集積回路が、複数の集積回路を有するあらかじめ実施された回路構成から分離され、
    この後、前記分離された集積回路のそれぞれが、モジュール基板に運搬され、モジュールを形成するために前記モジュール基板に接続され、
    前記集積回路の前記分離が回路構成から実行され、前記回路構成が、可とう性フィルムの形式を取り、ポリマー基板の前記集積回路を含み、
    各集積回路の前記分離及び前記運搬が、スタンピング−真空運搬結合装置により実行され、前記スタンピング−真空運搬結合装置が、スタンピング手段と、真空運搬手段とを有し、
    前記分離が、前記回路構成から各集積回路を打ち抜く前記スタンピング手段により実行されるスタンピング工程において達成され、
    前記運搬が、前記真空運搬手段により実行される運搬工程において達成される方法。
  2. 前記回路構成が、前記集積回路の前記分離の前に真空保持テーブルに送られ、
    前記回路構成が、前記真空保持テーブルにより保持され、
    前記集積回路の打ち抜きが、前記回路構成が前記真空保持テーブルにより保持される間に行われる、
    請求項1に記載の方法。
  3. モジュール基板と少なくとも1つの集積回路とを有するモジュールであって、前記集積回路が、前記モジュールを形成するために前記モジュール基板に接続され、前記モジュールが、請求項1又は2に記載の方法により製造されるモジュール。
  4. モジュールを有するトランスポンダであって、前記モジュールが、モジュール基板と少なくとも1つの集積回路とを有し、前記集積回路が、前記モジュールを形成するように前記モジュール基板に接続され、且つ前記トランスポンダの送信手段に接続された接続接点を有し、前記モジュールが、請求項1又は2に記載の方法により製造されるトランスポンダ。
JP2003541025A 2001-10-31 2002-10-18 有機集積回路を有するモジュールを製造する方法 Pending JP2005507562A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP01890303 2001-10-31
PCT/IB2002/004356 WO2003038867A1 (en) 2001-10-31 2002-10-18 Method of manufacturing modules with an organic integrated circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005507562A true JP2005507562A (ja) 2005-03-17

Family

ID=8185162

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003541025A Pending JP2005507562A (ja) 2001-10-31 2002-10-18 有機集積回路を有するモジュールを製造する方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6867111B2 (ja)
EP (1) EP1444719A1 (ja)
JP (1) JP2005507562A (ja)
CN (1) CN1302516C (ja)
WO (1) WO2003038867A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015139835A (ja) * 2014-01-27 2015-08-03 株式会社安川電機 ロボットシステム、吸着ハンドおよびワークを含む製品の製造方法
US9630440B2 (en) 2012-11-14 2017-04-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Stamp structures and transfer methods using the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5898940A (ja) * 1981-12-09 1983-06-13 Nec Corp 半導体素子取出し装置
SE511425C2 (sv) * 1996-12-19 1999-09-27 Ericsson Telefon Ab L M Packningsanordning för integrerade kretsar
DE69830846T2 (de) * 1997-09-11 2006-05-24 Precision Dynamics Corp., San Fernando Radiofrequenzidentifikationsetikett auf flexiblem substrat
JP2001510670A (ja) * 1997-12-05 2001-07-31 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 識別トランスポンダ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9630440B2 (en) 2012-11-14 2017-04-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Stamp structures and transfer methods using the same
JP2015139835A (ja) * 2014-01-27 2015-08-03 株式会社安川電機 ロボットシステム、吸着ハンドおよびワークを含む製品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003038867A1 (en) 2003-05-08
EP1444719A1 (en) 2004-08-11
CN1302516C (zh) 2007-02-28
US20030087474A1 (en) 2003-05-08
CN1579004A (zh) 2005-02-09
US6867111B2 (en) 2005-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10395929B2 (en) Chip handling and electronic component integration
KR100433781B1 (ko) 반도체장치의 제조방법
US8153475B1 (en) Back-end processes for substrates re-use
Marinov et al. Laser-enabled advanced packaging of ultrathin bare dice in flexible substrates
CN108701638A (zh) 用于高效率传输半导体组件的系统与方法
KR102407800B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
KR101819162B1 (ko) 캐리어 웨이퍼와 접착필름을 부착하는 진공 라미네이터 및 그 작동방법
JP2007036143A (ja) 半導体ウエーハの加工方法
CN103311204A (zh) 倒装芯片封装技术和配置
US20100225001A1 (en) Manufacturing method of semiconductor device, semiconductor device, and electronic device
KR101113965B1 (ko) 반도체장치의 제조방법, 반도체장치의 제조장치 및 접착필름
KR101488609B1 (ko) 반도체 디바이스의 제조 방법
JP2003086758A (ja) 半導体装置の製造方法、製造装置、及び、半導体装置
WO1998025302A1 (fr) Dispositif a semi-conducteurs obture a la resine, fabrication dudit dispositif
US9054118B2 (en) Heat dissipating semiconductor device packages and related methods
JP2005507562A (ja) 有機集積回路を有するモジュールを製造する方法
JP3422479B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2004288690A (ja) 電子部品供給方法および電子部品の保持治具
CN111146145B (zh) 增强的半导体管芯及相关方法
KR102168268B1 (ko) 5g 중계기의 방사체 구조물 제조방법
JP2004288689A (ja) 電子部品製造方法および電子部品の集合体の製造方法
CN111048459A (zh) 对准晶片的方法、接合晶片的方法以及对准晶片的装置
CN113053760A (zh) 封装方法
CN116344445A (zh) 通过用于激光分割的平衡压缩和缩回循环力受控扩散激光诱导硅裂缝的方法
JP2015233075A (ja) 積層デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051017

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20070323

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20080422

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081118

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090414