JP2005353685A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 受光センサ部を構成する各不純物領域を位置ずれすることなく形成できる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基体2上に、垂直転送レジスタ8の転送電極12を形成する工程と、転送電極12を含んで全面に酸化膜17を形成する工程と、酸化膜17上に窒化膜18を形成する工程と、エッチバック法を用いて、転送電極12の側壁にサイドウォール18を形成する工程と、サイドウォール18をマスクとして用いて、半導体基体2内に不純物を注入することにより、受光センサ部を構成する不純物領域5,6を形成する工程とを有するようにする。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体基体2上に、垂直転送レジスタ8の転送電極12を形成する工程と、転送電極12を含んで全面に酸化膜17を形成する工程と、酸化膜17上に窒化膜18を形成する工程と、エッチバック法を用いて、転送電極12の側壁にサイドウォール18を形成する工程と、サイドウォール18をマスクとして用いて、半導体基体2内に不純物を注入することにより、受光センサ部を構成する不純物領域5,6を形成する工程とを有するようにする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、固体撮像素子の製造方法に関する。
固体撮像素子においては、転送電極が2層の電極層より形成された構成が主流となっている。
しかし、このような2層の電極層からなる転送電極は、転送電極に対する低抵抗化や微細化等の要求を充分に満たすことは困難となっている。
そこで、転送電極を、2層の電極層からではなく、1層の電極層のみで形成することが行われている(例えば特許文献1及び特許文献2参照)。
しかし、このような2層の電極層からなる転送電極は、転送電極に対する低抵抗化や微細化等の要求を充分に満たすことは困難となっている。
そこで、転送電極を、2層の電極層からではなく、1層の電極層のみで形成することが行われている(例えば特許文献1及び特許文献2参照)。
ここで、1層の電極層のみで転送電極を形成した構成の固体撮像素子、例えば、CCD型の固体撮像素子の構成を、図15を参照して説明する。
図15Aは撮像領域の模式的な平面図を示し、図15Bは、図15AのX―X線における断面図を示し、図15Cは、図15AのY―Y線における断面図を示している。
なお、図15Aでは、層間絶縁膜、遮光膜、平坦化膜、カラーフィルタ又はオンチップレンズ等は省略している。また、図15B及び図15Cでは、平坦化膜やカラーフィルタ又はオンチップレンズは省略している。
図15Aは撮像領域の模式的な平面図を示し、図15Bは、図15AのX―X線における断面図を示し、図15Cは、図15AのY―Y線における断面図を示している。
なお、図15Aでは、層間絶縁膜、遮光膜、平坦化膜、カラーフィルタ又はオンチップレンズ等は省略している。また、図15B及び図15Cでは、平坦化膜やカラーフィルタ又はオンチップレンズは省略している。
CCD型の固体撮像素子50では、図15Aに示すように、画素を構成する例えばフォトダイオードからなる受光センサ部54が多数マトリクス状に配列され、受光センサ部54の各列の一方の側に垂直方向に延びるCCD構造の垂直転送レジスタ57が形成されて撮像領域51が形成されている。そして、この撮像領域51の垂直方向の端部に、図示しないが、水平転送部が配置され、この水平転送部に電荷電圧変換手段を介して出力部が接続される。
撮像領域51では、図15B及び図15Cに示すように、例えば、シリコンよりなるN型の半導体基体(以下シリコン基板とする)52内に形成されたP型の半導体領域53において、受光センサ部54を構成するN−の半導体領域(所謂電荷蓄積領域)55とその上の表面のP+の半導体領域(正電荷蓄積領域)56からなるフォトダイオードが形成されている。また、受光センサ部54列の一方の側には、垂直転送レジスタ57を構成するN+の転送チャネル領域58が形成されている。また、受光センサ部54列の他方の側には、水平方向に隣り合う画素間を分離するための画素分離領域、すなわち、P+のチャネルストップ領域59が形成されている。また、受光センサ部54と垂直転送レジスタ57との間の半導体領域53には、受光センサ部54に蓄積された信号電荷を、垂直転送レジスタ57に読み出すための、P+の半導体領域からなる読み出しゲート部60が形成されている。
シリコン基板52において、受光センサ部54が形成された表面側では、ゲート絶縁膜61を介して、チャネルストップ領域59、転送チャネル領域58、読み出しゲート部60上に、例えば多結晶シリコン層よりなる単層の転送電極62が形成されている。また、転送電極62上には層間絶縁膜63を介して、例えばAlやWからなる遮光膜64が形成されている。
遮光膜64上には、図示しないが、全面を覆って平坦化膜が形成され、この平坦化膜上にカラーフィルタが形成されている。そして、このカラーフィルタ上の受光センサ部54と対応する位置にオンチップレンズが形成されている。
このような構成の固体撮像素子では、垂直方向に隣り合う転送電極62との間に開口(いわゆるギャップ部)65が形成されている。この開口65には、層間絶縁膜63が埋め込まれている。
また、受光センサ部54上には、層間絶縁膜63と遮光膜64は形成されておらず、開口66が形成されている。
また、受光センサ部54上には、層間絶縁膜63と遮光膜64は形成されておらず、開口66が形成されている。
次に、このような構成の固体撮像素子50を製造する方法、特に、正電荷蓄積領域56を形成する方法を、図16〜図20を参照して説明する。
なお、この製造方法の説明においては、図15に示した撮像領域51において、X−X線に相当する断面図と、Y−Y線に相当する断面図で説明する。また、図15と対応する部分には同一符号を付している。
なお、この製造方法の説明においては、図15に示した撮像領域51において、X−X線に相当する断面図と、Y−Y線に相当する断面図で説明する。また、図15と対応する部分には同一符号を付している。
まず、図16A及び図16Bに示すように、N型のシリコン基板52内に形成されたP型の半導体領域53内に、公知の方法により、垂直転送レジスタを構成するN+の転送チャネル領域58、読み出しゲート部を構成するP+の半導体領域60、受光センサ部を構成するN−の半導体領域(電荷蓄積領域)55、チャネルストップ領域を構成するP+の半導体領域59を、それぞれ所定の位置に形成する。
次に、シリコン基板52上にゲート絶縁膜(SiO2膜)61を形成し、このゲート絶縁膜61上に電極材料層(図示せず)を形成する。次に、電極材料層上に、公知のリソグラフィ技術を用いて、転送電極形成用のレジストマスク(図示せず)を形成する。そして、このレジストマスクをマスクとして用いて、電極材料層をエッチング(ドライエッチング又はウェットエッチング)することにより、図17A及び図17Bに示すように、転送電極62を形成する。これにより、受光センサ部54となる領域上に第2の開口67が形成される(図17A参照)。また、垂直方向に隣り合う転送電極62との間に第1の開口(ギャップ部)65が形成される(図17B参照)。
次に、転送電極62を含んでシリコン基板52上に絶縁膜68を形成し、この絶縁膜68上にレジスト膜(図示せず)を成膜した後、公知のリソグラフィ技術を用いて、図18A及び図18Bに示すように、受光センサ部54となる領域上を開口するためのレジストマスク69を形成する。
次に、このレジストマスク69をマスクとして用いて、電極材料層68をエッチング除去する。その後、レジストマスク69を除去することにより、図19A及び図19Bに示すように、受光センサ部54となる領域上を開口し、転送電極62を覆う層間絶縁膜63を形成する。
次に、受光センサ部54となる領域上に形成された開口をマスクとして用いて、すなわち、転送電極62の側壁に形成された層間絶縁膜63をマスクとして用いて、シリコン基板52内に形成されたN−の半導体領域55の表面に不純物(例えばボロンB)を斜め方向からイオン注入することにより、図20A及び図20Bに示すように、N−の半導体領域55の表面にP+の半導体領域(正電荷蓄積領域)56を形成する。これにより、受光センサ部54が形成される。
なお、これ以降は、図示しないが、転送電極を覆って遮光膜を形成する。そして、全面に平坦化膜等を形成した後、平坦化膜上にカラーフィルタを形成し、このカラーフィルタ上の受光センサ部と対応する位置にオンチップレンズを形成する。
このようにして、固体撮像素子を製造することができる。
ところで、図18〜図19に示した工程では、上述したように、公知のリソグラフィ技術を用いてレジストマスク69を形成し、このレジストマスク69をマスクとして用いて絶縁膜68をエッチング除去することにより、受光センサ部54となる領域上を開口して、層間絶縁膜63を形成している。
しかし、この際、位置合わせ精度がばらつくことによりレジストマスク69にずれが生じた場合、以下に示すような問題が生じる。
例えば、図18A及び図18Bに示した工程において、レジストマスク69が水平方向にずれて形成された場合、図19A及び図19Bに示した工程において、層間絶縁膜63が、受光センサ部54上の一方で大きく張り出して形成される。しかし、このような状態において、層間絶縁膜63をマスクとして用いて、電荷蓄積領域55の表面に不純物を注入した場合は、図示しないが、電荷蓄積領域55の表面において、正電荷蓄積領域56が形成されない部分がでてくる。
すなわち、P+の半導体領域からなる正電荷蓄積領域56では、シリコン基板52とゲート絶縁膜61との界面に存在する界面準位から発生する電子を正孔と再結合させて、受光センサ部54内で暗電流が発生することを抑制している。しかし、正電荷蓄積領域56が部分的に形成されない場合、界面準位から発生した電子がP+の半導体領域の無い部分を通じて受光センサ部54内に湧き出し、暗電流や例えば白キズ等が増大する要因となる。このような暗電流や白キズ等のノイズ成分の問題は、受光センサ部54上の層間絶縁膜63の張り出し部が大きくなる程顕著になる。
また、図18に示した工程において、例えば、レジストマスク69が右側(チャネルストップ59側)にずれた場合、図21に示すように、層間絶縁膜63が、転送電極621の右側の側壁では厚く形成され、転送電極622の左側の側壁では薄く形成される。しかし、この状態で遮光膜64を形成した場合、例えば遮光膜642では、その張り出し部70とチャネルストップ領域59との間の距離が短くなってしまう。このため、例えば、斜め方向から入射した光が、特に、遮光膜642とシリコン基板52との界面を通じて転送チャネル領域58内に入り込み易くなり、スミアの発生の要因となる。
このようなスミアの問題は、遮光膜64とチャネルストップ領域59との間の距離に依存し、この距離が短くなる程顕著になる。
このようなスミアの問題は、遮光膜64とチャネルストップ領域59との間の距離に依存し、この距離が短くなる程顕著になる。
また、図示しないが、例えば、層間絶縁膜63をマスクとして用いて、電荷蓄積領域55を形成する場合も考えられる。
すなわち、層間絶縁膜63をマスクとして用いて、不純物(例えばリンP)を半導体領域53内に注入して電荷蓄積領域55を形成し、この後に、再び層間絶縁膜63をマスクとして用いて、電荷蓄積領域55の表面に不純物(ボロンB)を注入して正電荷蓄積領域56を形成する場合である。
すなわち、層間絶縁膜63をマスクとして用いて、不純物(例えばリンP)を半導体領域53内に注入して電荷蓄積領域55を形成し、この後に、再び層間絶縁膜63をマスクとして用いて、電荷蓄積領域55の表面に不純物(ボロンB)を注入して正電荷蓄積領域56を形成する場合である。
しかし、この電荷蓄積領域55を形成する場合においても、例えば、レジストマスク69が水平方向にずれた場合、層間絶縁膜63が、受光センサ部54上の一方で大きく張り出して形成されるため、このような状態において、層間絶縁膜63をマスクとして用いて不純物をイオン注入した場合は、電荷蓄積領域55と読み出しゲート部60との間の距離が変動してしまう。
このように、受光センサ部54と読み出しゲート部60との間の距離が変動することにより、例えば、信号電荷の読み出し時に印加される読み出し電圧も変動してしまう。
このように、受光センサ部54と読み出しゲート部60との間の距離が変動することにより、例えば、信号電荷の読み出し時に印加される読み出し電圧も変動してしまう。
上述した点に鑑み、本発明は、受光センサ部を構成する各不純物領域を位置ずれすることなく形成できる固体撮像素子の製造方法を提供するものである。
本発明に係る固体撮像素子の製造方法は、マトリクス状に配置された受光センサ部と、受光センサ部の各列に対応して設けられた垂直転送レジスタとを有する固体撮像素子を製造する方法であって、半導体基体上に、垂直転送レジスタの転送電極を形成する工程と、転送電極を含んで全面に酸化膜を形成する工程と、酸化膜上に窒化膜を形成する工程と、エッチバック法を用いて、転送電極の側壁にサイドウォールを形成する工程と、サイドウォールをマスクとして用いて、半導体基体内に不純物を注入することにより、受光センサ部を構成する不純物領域を形成する工程とを有するようにする。
上述した本発明に係る固体撮像素子の製造方法によれば、転送電極を含んで全面に酸化膜を形成する工程と、酸化膜上に窒化膜を形成する工程とを行った後、エッチバック法を用いて、転送電極の側壁にサイドウォールを形成する工程を行うようにしたので、窒化膜がエッチバックされて、窒化膜からなるサイドウォールが転送電極の側壁に形成され、このとき、サイドウォールを転送電極の側壁に位置ずれ無く形成することができる。そして、このサイドウォールをマスクとして用いて半導体基体内に不純物を注入する工程を行うことにより、受光センサ部を構成する各不純物領域を、位置ずれすることなく所定の位置に形成することができる。
また、上述した固体撮像素子の製造方法において、転送電極を同一層の電極層のみで形成し、サイドウォールを形成する工程と共に垂直転送レジスタ上の転送電極間を埋め込むようにした場合は、サイドウォールの形成と転送電極間の埋め込みとを同時に行うことができるので、製造工程数を削減することが可能になる。
また、さらに、転送電極間を、酸化膜、窒化膜、或いは酸化膜及び窒化膜のいずれかにより埋め込むようにした場合は、転送電極間を充分に埋め込むことが可能になり、転送電極間の耐圧を確保することができる。
また、さらに、転送電極間を、酸化膜、窒化膜、或いは酸化膜及び窒化膜のいずれかにより埋め込むようにした場合は、転送電極間を充分に埋め込むことが可能になり、転送電極間の耐圧を確保することができる。
また、上述した固体撮像素子の製造方法において、不純物領域を形成する工程の後、転送電極を覆って遮光膜を形成するようにした場合は、遮光膜と例えばチャネルストップ領域との間の間隔が短くならず、一定の間隔を確保することができる。これにより、遮光膜とチャネルストップ領域との間を通じて、光が垂直転送レジスタ内に入り込むことを低減できる。
本発明に係る固体撮像素子の製造方法は、マトリクス状に配置された受光センサ部と、受光センサ部の各列に対応して設けられた垂直転送レジスタとを有する固体撮像素子を製造する方法であって、半導体基体上に、電極材料層を形成する工程と、電極材料層上に絶縁膜を形成する工程と、電極材料層及び絶縁膜をパターニングすることにより、転送電極と、この転送電極と同じパターンの絶縁膜とを形成する工程と、絶縁膜を含んで全面に酸化膜を形成する工程と、酸化膜上に窒化膜を形成する工程と、エッチバック法を用いて、転送電極の側壁にサイドウォールを形成する工程と、サイドウォールをマスクとして用いて、半導体基体内に不純物を注入することにより、受光センサ部を構成する不純物領域を形成する工程とを有するようにする。
上述した本発明に係る固体撮像素子の製造方法によれば、電極材料層及び絶縁膜をパターニングすることにより、転送電極と、この転送電極と同じパターンの絶縁膜とを形成する工程と、絶縁膜を含んで全面に酸化膜を形成する工程と、酸化膜上に窒化膜を形成する工程とを行った後、エッチバック法を用いて、転送電極の側壁にサイドウォールを形成する工程を行うようにしたので、窒化膜がエッチバックされて、窒化膜からなるサイドウォールが転送電極の側壁に形成され、このとき、サイドウォールを転送電極の側壁に位置ずれ無く形成することができる。そして、このサイドウォールをマスクとして用いて半導体基体内に不純物を注入する工程を行うことにより、受光センサ部を構成する各不純物領域を、位置ずれすることなく所定の位置に形成することができる。
また、転送電極の直上に転送電極と同じパターンの絶縁膜を形成することにより、転送電極と例えば転送電極を覆って形成される遮光膜との間に形成される絶縁膜の膜厚を充分確保することができる。これにより、転送電極と遮光膜間の絶縁耐圧を向上することできる。
また、転送電極の直上に転送電極と同じパターンの絶縁膜を形成することにより、転送電極と例えば転送電極を覆って形成される遮光膜との間に形成される絶縁膜の膜厚を充分確保することができる。これにより、転送電極と遮光膜間の絶縁耐圧を向上することできる。
また、上述した固体撮像素子の製造方法において、転送電極を同一層の電極層のみで形成し、サイドウォールを形成する工程と共に垂直転送レジスタ上の転送電極間を埋め込むようにした場合は、サイドウォールの形成と転送電極間の埋め込みとを同時に行うことができるので、製造工程数を削減することが可能になる。
また、さらに、転送電極間を、酸化膜、窒化膜、或いは酸化膜及び窒化膜のいずれかにより埋め込むようにした場合は、転送電極間を充分に埋め込むことが可能になり、転送電極間の耐圧を確保することができる。
また、さらに、転送電極間を、酸化膜、窒化膜、或いは酸化膜及び窒化膜のいずれかにより埋め込むようにした場合は、転送電極間を充分に埋め込むことが可能になり、転送電極間の耐圧を確保することができる。
また、上述した固体撮像素子の製造方法において、不純物領域を形成する工程の後、転送電極及び絶縁膜を覆って遮光膜を形成するようにした場合は、遮光膜と例えばチャネルストップ領域との間の間隔が短くならず、一定の間隔を確保することができる。これにより、遮光膜とチャネルストップ領域との間を通じて、光が垂直転送レジスタ内に入り込むことを低減できる。
本発明に係る固体撮像素子の製造方法によれば、受光センサ部を構成する各半導体領域を所定の位置に形成することができる。
これにより、受光センサ部を構成する各半導体領域が位置ずれしたことに起因する、暗電流や白キズ等のノイズ成分の増大、読み出し電圧の変動、スミアの増大等を抑制することが可能になる。
したがって、信頼性が高く、高性能な固体撮像素子を製造することが可能になる。
これにより、受光センサ部を構成する各半導体領域が位置ずれしたことに起因する、暗電流や白キズ等のノイズ成分の増大、読み出し電圧の変動、スミアの増大等を抑制することが可能になる。
したがって、信頼性が高く、高性能な固体撮像素子を製造することが可能になる。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
まず、本発明の固体撮像素子の製造方法を適用する固体撮像素子、例えばCCD型の固体撮像素子の構成を、図1を参照して説明する。
図1Aは撮像領域の模式的な平面図を示し、図1Bは、図1AのX―X線における断面図を示し、図1Cは、図1AのY―Y線における断面図を示している。
なお、図1Aでは、層間絶縁膜、遮光膜、平坦化膜、カラーフィルタ又はオンチップレンズ等は省略している。また、図1B及び図1Cでは、平坦化膜やカラーフィルタ又はオンチップレンズは省略している。
図1Aは撮像領域の模式的な平面図を示し、図1Bは、図1AのX―X線における断面図を示し、図1Cは、図1AのY―Y線における断面図を示している。
なお、図1Aでは、層間絶縁膜、遮光膜、平坦化膜、カラーフィルタ又はオンチップレンズ等は省略している。また、図1B及び図1Cでは、平坦化膜やカラーフィルタ又はオンチップレンズは省略している。
このCCD型の固体撮像素子30では、図1Aに示すように、画素を構成する例えばフォトダイオードからなる受光センサ部4が多数マトリクス状に配列され、受光センサ部4の各列の一方の側に垂直方向に延びるCCD構造の垂直転送レジスタ7が形成されて撮像領域1が形成されている。そして、この撮像領域1の垂直方向の端部に、図示しないが、水平転送部が配置され、この水平転送部に電荷電圧変換手段を介して出力部が接続される。
撮像領域1では、図1B及び図1Cに示すように、例えば、シリコンよりなるN型の半導体基体(以下シリコン基板とする)2内に形成されたP型の半導体領域3において、受光センサ部4を構成するN−の半導体領域(所謂電荷蓄積領域)5とその上の表面のP+の半導体領域(正電荷蓄積領域)6からなるフォトダイオードが形成されている。また、受光センサ部4列の一方の側には、垂直転送レジスタ7を構成するN+の転送チャネル領域8が形成されている。また、受光センサ部4列の他方の側には、水平方向に隣り合う画素間を分離するための画素分離領域、すなわち、P+のチャネルストップ領域9が形成されている。また、受光センサ部4と垂直転送レジスタ7との間の半導体領域3には、受光センサ部4に蓄積された信号電荷を、垂直転送レジスタ7に読み出すための、P+の半導体領域からなる読み出しゲート部10が形成されている。
シリコン基板2において、受光センサ部4が形成された表面側では、ゲート絶縁膜11を介して、チャネルストップ領域9、転送チャネル領域8、読み出しゲート部10上に、例えば多結晶シリコン層よりなる転送電極12が形成されている。転送電極12には、同一層の多結晶シリコン層(電極層)により形成され、単層電極構造になっている。
転送電極12が形成されていない領域、すなわち、垂直方向に隣り合う転送電極12との間では、第1の開口(いわゆるギャップ部)15が形成されている(図1C参照)。また、受光センサ部4上では第2の開口16が形成されている(図1B参照)。
そして、これら第1の開口15及び第2の開口16を含んで全面に酸化膜17が形成され、第1の開口15内では、この酸化膜17上に窒化膜18が埋め込まれ、第2の開口16内では、側壁に窒化膜18からなるサイドウォールが形成されている。これら酸化膜17及び窒化膜18は層間絶縁膜13として用いられている。
そして、これら第1の開口15及び第2の開口16を含んで全面に酸化膜17が形成され、第1の開口15内では、この酸化膜17上に窒化膜18が埋め込まれ、第2の開口16内では、側壁に窒化膜18からなるサイドウォールが形成されている。これら酸化膜17及び窒化膜18は層間絶縁膜13として用いられている。
また、転送電極12上には、層間絶縁膜13を介して、例えばAlやWからなる遮光膜14が形成されている。遮光膜14上には、図示しないが、全面を覆って平坦化膜が形成され、この平坦化膜上にカラーフィルタが形成されている。そして、このカラーフィルタ上の受光センサ部と対応する位置にオンチップレンズが形成されている。
次に、本発明の固体撮像素子の製造方法の一実施の形態として、図1A〜図1Cに示した構成の固体撮像素子30を製造する方法を、図2〜図6を参照して説明する。
なお、この製造方法の説明においては、図1Aに示した撮像領域1において、X−X線に相当する断面図と、Y−Y線に相当する断面図で説明する。また、図1と対応する部分には同一符号を付している。
なお、この製造方法の説明においては、図1Aに示した撮像領域1において、X−X線に相当する断面図と、Y−Y線に相当する断面図で説明する。また、図1と対応する部分には同一符号を付している。
まず、図2A及び図2Bに示すように、N型のシリコン基板2内に形成されたP型の半導体領域3内に、公知の方法により、垂直転送レジスタを構成するN+の転送チャネル領域8、読み出しゲート部を構成するP+の半導体領域10、受光センサ部を構成するN−の半導体領域(電荷蓄積領域)5、チャネルストップ領域を構成するP+の半導体領域9を、それぞれ所定の位置に形成する。
次に、シリコン基板2上にゲート絶縁膜(SiO2膜)11を形成し、このゲート絶縁膜11上に電極材料層(図示せず)を形成する。次に、電極材料層上に、公知のリソグラフィ技術を用いて、転送電極形成用のレジストマスク(図示せず)を形成する。そして、このレジストマスクをマスクとして用いて、電極材料層をエッチング(ドライエッチング又はウェットエッチング)することにより、図3A及び図3Bに示すように、転送電極12を形成する。なお、レジストマスクはアッシング処理や薬液等により除去される。
これにより、垂直方向に隣り合う転送電極12との間に第1の開口(ギャップ部)15が形成される(図3B参照)。また、受光センサ部4となる領域上に第2の開口16が形成される(図3A参照)。
これにより、垂直方向に隣り合う転送電極12との間に第1の開口(ギャップ部)15が形成される(図3B参照)。また、受光センサ部4となる領域上に第2の開口16が形成される(図3A参照)。
次に、図4A及び図4Bに示すように、第1の開口15及び第2の開口16を含んで酸化膜17を形成し、この酸化膜17上に窒化膜18を形成する。ここで、窒化膜18の膜厚は、後述する工程において、エッチバック法を用いて窒化膜18を除去した際に、第2の開口16の側壁、すなわち、転送電極12の側壁にサイドウォールが形成されるような膜厚で形成する。
これにより、第1の開口15内や第2の開口16内に酸化膜17や窒化膜18が埋め込まれる。
これにより、第1の開口15内や第2の開口16内に酸化膜17や窒化膜18が埋め込まれる。
次に、図5A及び図5Bに示すように、エッチバック法を用いて、窒化膜18に対してエッチングを行う。この際、酸化膜17と窒化膜18との間で、エッチングに対する選択比が変わるような条件(選択比10以上)でエッチバック法を行うことにより、エッチバック後も、酸化膜17を残すことができる。また、第1の開口15内では、酸化膜17上に窒化膜18が埋め込まれた状態となる。また、第2の開口16では、転送電極12の側壁に酸化膜17を介して窒化膜18よりなるサイドウォールを形成することができる。
なお、酸化膜17とサイドウォール18とは層間絶縁膜13として用いられる。
なお、酸化膜17とサイドウォール18とは層間絶縁膜13として用いられる。
そして、本実施の形態においては、特に、転送電極12の側壁に形成されたサイドウォール18をマスクとして用いて、シリコン基板2内に形成されたN−の半導体領域5の表面に不純物を斜め方向から注入することにより、図6A及び図6Bに示すように、N−の半導体領域5の表面にP+の半導体領域(正電荷蓄積領域)6を形成して受光センサ部4を形成する。なお、斜め方向から不純物を注入する理由は、電荷蓄積領域5の表面に充分に正電荷蓄積領域6を形成するためである。
ここで、サイドウォール18は、エッチバック法により窒化膜18が第2の開口16内の側壁、すなわち転送電極12の側壁に残った部分であるため、第2の開口16に対して位置ずれは生じていない。このため、このようなサイドウォール18をマスクとして用いることにより、従来生じていたマスクの位置ずれを気にすることなく、不純物を電荷蓄積領域5の表面に注入することができる。
次に、図1B及び図1Cに示したように、転送電極12を覆って遮光膜14を形成する。
この際、上述したように、サイドウォールに位置ずれが無いため、例えば、遮光膜を形成した際に、遮光膜の一方の張り出し部とチャネルストップ領域との間の距離が短くならず、チャネルストップ領域に対して一定の間隔を確保することができる。
この際、上述したように、サイドウォールに位置ずれが無いため、例えば、遮光膜を形成した際に、遮光膜の一方の張り出し部とチャネルストップ領域との間の距離が短くならず、チャネルストップ領域に対して一定の間隔を確保することができる。
なお、これ以降は、図示しないが、全面に平坦化膜等を形成した後、平坦化膜上にカラーフィルタを形成し、このカラーフィルタ上の受光センサ部と対応する位置にオンチップレンズを形成する。
このような本実施の形態の固体撮像素子30の製造方法によれば、正電荷蓄積領域6を形成する際に、エッチバック法を用いて形成したサイドウォール18をマスクとして用いて、不純物を注入しているので、マスクの位置ずれを気にせずに、不純物を半導体領域3内に注入することができる。このため、電荷蓄積領域5の表面において、正電荷蓄積領域6が無い部分が形成されるようなこともなく、電荷蓄積領域5の表面の略全面に正電荷蓄積領域6を形成することができる。これにより、従来のように、暗電流や白キズの発生が増大することを防ぐことができる。
また、受光センサ部4上の第2の開口16において、転送電極12の側壁に窒化膜よりなるサイドウォール18を形成すると共に、垂直転送レジスタ7上の転送電極12間に形成された第1の開口15内を酸化膜17及び窒化膜18で埋め込むようにしたので、サイドウォール18の形成と垂直転送レジスタ7上の転送電極12間の埋め込みを同時に行うことができ、製造工程数を削減することができる。また、第1の開口15内が酸化膜17及び窒化膜18で埋め込まれているので、第1の開口15内の埋め込み性を高くすることができ、転送電極12間の耐圧を確保することができる。
また、遮光膜14とチャネルストップ領域9との間の間隔が短くならず、一定の間隔を確保することができるので、チャネルストップ領域9と遮光膜14との間のシリコン基板4の界面を通じて、光が転送チャネル領域8内に入り込むことを少なくすることができる。これにより、スミアの発生を低減することができる。
次に、本発明の固体撮像素子の製造方法を適用する固体撮像素子の他の構成を、図7を参照して説明する。
図7Aは、図1Aに示した撮像領域のX−X線に相当する断面図であり、図7Bは、図1Aに示した撮像領域のY−Y線に相当する断面図である。
なお、図7では、平坦化膜、カラーフィルタ又はオンチップレンズ等は省略している。また、図1と対応する部分には、同一符号を付している。
本実施の形態の固体撮像素子40では、転送電極12直上に、転送電極12と同じパターンの絶縁膜21がさらに形成されている以外は、図1に示した構成の固体撮像素子30の場合と同様の構成であるため、対応する部分には同一符号を付して、重複説明を省略している。
図7Aは、図1Aに示した撮像領域のX−X線に相当する断面図であり、図7Bは、図1Aに示した撮像領域のY−Y線に相当する断面図である。
なお、図7では、平坦化膜、カラーフィルタ又はオンチップレンズ等は省略している。また、図1と対応する部分には、同一符号を付している。
本実施の形態の固体撮像素子40では、転送電極12直上に、転送電極12と同じパターンの絶縁膜21がさらに形成されている以外は、図1に示した構成の固体撮像素子30の場合と同様の構成であるため、対応する部分には同一符号を付して、重複説明を省略している。
このように、転送電極12の直上に、転送電極12と同じパターンの絶縁膜21が形成されていることにより、転送電極12上部の角部と遮光膜14との間で、絶縁膜21の膜厚を充分に確保することができる。
次に、本発明の固体撮像素子40の製造方法の他の実施の形態として、図7に示した構成の固体撮像素子を製造する方法を、図8〜図13を参照して説明する。なお、この製造方法の説明においても、図7A及び図7Bに示したように、図1Aに示した撮像領域1のX−X線に相当する断面図と、Y−Y線に相当する断面図で説明する。また、図7に対応する部分には同一符号を付している。
まず、先に示した実施の形態の場合と同様に、図8A及び図8Bに示すように、N型のシリコン基板2内に形成されたP型の半導体領域3内に、公知の方法により、垂直転送レジスタを構成するN+の転送チャネル領域8、読み出しゲート部を構成するP+の半導体領域10、受光センサ部を構成するN−の半導体領域(電荷蓄積領域)5、チャネルストップ領域を構成するP+の半導体領域9を、それぞれ所定の位置に形成する。
次に、図9A及び図9Bに示すように、シリコン基板2上にゲート絶縁膜(SiO2膜)11を形成し、このゲート絶縁膜11上に電極材料層20を形成する。そして、この電極材料層20上にさらに絶縁膜21を形成する。
次に、絶縁膜21上に、公知のリソグラフィ技術を用いて、転送電極形成用のレジストマスク(図示せず)を形成する。そして、このレジストマスクをマスクとして用いて、絶縁膜21と電極材料層20とを同時にエッチング(ドライエッチング又はウェットエッチング)し、さらに、レジストマスクをアッシング処理や薬液等により除去することにより、図10A及び図10Bに示すように、転送電極12と、この転送電極12の直上に転送電極12と同じ形状の絶縁膜21とを形成する。これにより、垂直方向に隣り合う転送電極12との間では第1の開口(ギャップ部)15が形成され、受光センサ部4となる領域上では第2の開口16が形成される。
次に、先に示した実施の形態の場合と同様に、図11A及び図11Bに示すように、第1の開口15及び第2の開口16を含んで酸化膜17を形成し、この酸化膜17上に窒化膜18を形成する。これにより、第1の開口15内や第2の開口16内に酸化膜17や窒化膜18が埋め込まれる。
次に、図12A及び図12Bに示すように、エッチバック法を用いて、窒化膜18に対してエッチングを行う。なお、エッチング条件は先に示した実施の形態の場合と同様にすることができる。これにより、エッチバック後も酸化膜17を残すことができる。また、第1の開口15内では、酸化膜17上に窒化膜18が埋め込まれた状態となる。また、第2の開口16では、転送電極12の側壁に酸化膜17を介して窒化膜18よりなるサイドウォールを形成することができる。なお、酸化膜17とサイドウォール18とは層間絶縁膜13として用いられる。
そして、本実施の形態においては、特に、転送電極12及び絶縁膜21の側壁に形成されたサイドウォール18をマスクとして用いて、シリコン基板2内に形成されたN−の半導体領域5の表面に不純物を斜め方向からイオン注入することにより、図13A及び図13Bに示すように、P+の半導体領域(正電荷蓄積領域)6を形成して受光センサ部4を形成する。
この際、本実施の形態においても、エッチバック法を用いて形成されたサイドウォール18は、第2の開口16に対して位置合わせずれが生じていないため、このようなサイドウォール18をマスクとして用いることにより、従来生じていた、マスクの位置ずれを気にする必要がなく、不純物を電荷蓄積領域5の表面に注入することができる。
次に、図7B及び図7Cに示したように、転送電極12を覆って遮光膜14を形成する。
この際、上述したように、サイドウォール18に位置ずれが無いため、遮光膜14とチャネルストップ領域9との間の間隔を一定とすることができる。また、絶縁膜21の分、遮光膜14と転送電極12との間の絶縁膜厚を確保することができる。
この際、上述したように、サイドウォール18に位置ずれが無いため、遮光膜14とチャネルストップ領域9との間の間隔を一定とすることができる。また、絶縁膜21の分、遮光膜14と転送電極12との間の絶縁膜厚を確保することができる。
なお、これ以降は、図示しないが、全面に平坦化膜を形成した後、平坦化膜上にカラーフィルタを形成し、このカラーフィルタ上の受光センサ部と対応する位置にオンチップレンズを形成する。
このような本実施の形態の固体撮像素子40の製造方法においても、先に示した実施の形態の固体撮像素子30の場合と同様に、正電荷蓄積領域6を形成する際に、エッチバック法を用いて形成したサイドウォール18をマスクとして用いて、不純物を注入しているので、マスクの位置合わせずれを気にせずに、不純物を半導体領域3内に注入することができる。このため、電荷蓄積領域5の表面において、正電荷蓄積領域6が無い部分が形成されるようなこともなく、電荷蓄積領域5の表面の略全面に正電荷蓄積領域6を形成することができる。これにより、従来のように、暗電流や白キズの発生が増大することを防ぐことができる。
また、先に示した実施の形態の固体撮像素子30の場合と同様に、第2の開口16において、転送電極12の側壁に窒化膜よりなるサイドウォール18を形成すると共に、第1の開口15内を酸化膜17及び窒化膜18で埋め込むようにしたので、サイドウォール18の形成と垂直転送レジスタ7上の転送電極12間の埋め込みを同時に行うことができ、製造工程数を削減することができる。また、第1の開口15内が酸化膜17及び窒化膜18で埋め込まれているので、第1の開口15内の埋め込み性を高くすることができ、転送電極12間の耐圧を確保することができる。
また、遮光膜14とチャネルストップ領域9との間の距離が短くなることを防ぐことができ、遮光膜14とチャネルストップ領域9との間のシリコン基板2の界面を通じて転送チャネル領域8内に光が入り込むことを抑えることができる。これにより、スミアの発生を低減することができる。
また、転送電極12の直上に転送電極12と同じパターンの絶縁膜21を形成したので、絶縁膜21を形成した分、転送電極12とこの転送電極12を覆って形成される遮光膜14との間の絶縁膜厚を確保することができる。これにより、絶縁耐圧をさらに向上することができる。
本実施の形態の製造方法においては、図9〜図10に示した工程において、絶縁膜21上に形成されたレジストマスク(図示せず)をマスクとして用いて、絶縁膜21、電極材料層20をそれぞれエッチングした。しかし、これ以外にも、例えば、絶縁膜21上に形成されたレジストマスク(図示せず)により、まず絶縁膜21をエッチングし、このエッチングされた絶縁膜21をマスクとして用いて、次に電極材料層20をエッチングするようにしても構わない。
上述した各実施の形態では、第1の開口15及び第2の開口16を含んで酸化膜17及び窒化膜18を形成した後に、エッチバック法を用いて窒化膜18のみをエッチングした。しかし、例えば、第1の開口15及び第2の開口16を含んで酸化膜17を形成した後にエッチバックを行い、次に、第1の開口15及び第2の開口16を含んで窒化膜18を形成した後に再びエッチバックを行うようにしても構わない。
この場合、図示しないが、第2の開口内において、転送電極の側壁には、酸化膜がエッチバックされたことにより形成されたサイドウォールと、このサイドウォールを覆って、窒化膜がエッチバックされたことにより形成されたサイドウォールが形成される。これにより、転送電極の側壁には、酸化膜及び窒化膜のサイドウォールからなる膜厚の厚い層間絶縁膜が形成されることになる。
したがって、転送電極上部の角部は、膜厚の厚い層間絶縁膜により覆われていることになるために、転送電極を覆って形成される遮光膜との間の絶縁耐圧をさらに向上することができる。また、垂直方向に隣接する転送電極間においても、転送電極上部の角部は、膜厚保の厚い層間絶縁膜により覆われていることになるために、転送電極を覆って形成される遮光膜との間の絶縁耐圧をさらに向上することができる。
したがって、転送電極上部の角部は、膜厚の厚い層間絶縁膜により覆われていることになるために、転送電極を覆って形成される遮光膜との間の絶縁耐圧をさらに向上することができる。また、垂直方向に隣接する転送電極間においても、転送電極上部の角部は、膜厚保の厚い層間絶縁膜により覆われていることになるために、転送電極を覆って形成される遮光膜との間の絶縁耐圧をさらに向上することができる。
また、上述した各実施の形態では、単層のゲート絶縁膜11を用いたが、例えば多層のゲート絶縁膜11を用いることもできる。
すなわち、図14に示すように、シリコン基板2側から順に、シリコン酸化膜(SiO2膜)22、シリコン窒化膜(SiN膜)23、シリコン酸化膜(SiO2膜)24が積層された絶縁膜(以下ONO絶縁膜と示す)25を用いる場合である。
なお、これ以外の部分は、図1及び図7に示した構成の固体撮像素子30,40と同様であるので、対応する部分には同一符号を付している。また、図14では、遮光膜、平坦化膜、カラーフィルタ又はオンチップレンズ等は省略している。
すなわち、図14に示すように、シリコン基板2側から順に、シリコン酸化膜(SiO2膜)22、シリコン窒化膜(SiN膜)23、シリコン酸化膜(SiO2膜)24が積層された絶縁膜(以下ONO絶縁膜と示す)25を用いる場合である。
なお、これ以外の部分は、図1及び図7に示した構成の固体撮像素子30,40と同様であるので、対応する部分には同一符号を付している。また、図14では、遮光膜、平坦化膜、カラーフィルタ又はオンチップレンズ等は省略している。
このようなONO絶縁膜25を用いて製造方法を行う場合は、先に示した各実施の形態の、図2〜図3に示した工程の間、また、図8〜図9に示した工程の間において、シリコン基板2上に、例えば、SiO2膜22を30nmの膜厚で形成し、このSiO2膜22上にSiN膜23を40nmの膜厚で形成し、このSiN膜23上にSiO2膜24を10nmの膜厚で形成することによりONO絶縁膜25を形成する。
そして、図4〜図5に示した工程の間、また、図11〜図12に示した工程の間において、酸化膜17及び窒化膜18をエッチバックする際は、SiO2膜22,24とSiN膜23との間でエッチングに対する選択比が変わるような条件でステップエッチングを行い、ONO絶縁膜25の最下層のSiO2膜22が20nm程度残るようにする。
これにより、図14A及び図14Bに示したように、受光センサ部4上には、SiO2膜22のみが形成され、転送電極12の側壁に、酸化膜17及び窒化膜18よりなるサイドウォールが形成された構成の固体撮像素子を得ることができる。この場合、転送電極12の表面の酸化膜17は除去されている。
これにより、図14A及び図14Bに示したように、受光センサ部4上には、SiO2膜22のみが形成され、転送電極12の側壁に、酸化膜17及び窒化膜18よりなるサイドウォールが形成された構成の固体撮像素子を得ることができる。この場合、転送電極12の表面の酸化膜17は除去されている。
なお、これ以外の工程は、上述した各実施の形態の固体撮像素子30を製造する場合と同じように行うことができる。
このように、ONO絶縁膜25を用いた場合においても、上述した各実施の形態と同様の作用を得ることができる。
また、上述した各実施の形態では、図2及び図8に示した工程において、電荷蓄積領域5をシリコン基板2内の半導体領域3に予め形成したが、図5〜図6及び図12〜図13に示した工程において、電荷蓄積領域5を形成することもできる。
すなわち、サイドウォール18をマスクとして用いて、不純物(例えばリンP)を半導体領域3内に注入して電荷蓄積領域5を形成し、この後に、再びサイドウォール18をマスクとして用いて、電荷蓄積領域5の表面に不純物(ボロンB)を注入して正電荷蓄積領域6を形成する場合である。
すなわち、サイドウォール18をマスクとして用いて、不純物(例えばリンP)を半導体領域3内に注入して電荷蓄積領域5を形成し、この後に、再びサイドウォール18をマスクとして用いて、電荷蓄積領域5の表面に不純物(ボロンB)を注入して正電荷蓄積領域6を形成する場合である。
このように、電荷蓄積領域5を形成する場合においても、エッチバック法を用いて形成されたサイドウォール18をマスクとして用いることにより、半導体領域3内において、転送電極12と略同一面上に電荷蓄積領域5を形成することができる。このため、読み出しゲート部10と電荷蓄積領域5との間の距離が変動せずに、読み出しゲート部10と受光センサ部4との間を一定の間隔で形成することができる。これにより、読み出し電圧が変動することを防ぐことができる。
また、上述した各実施の形態では、図6及び図13に示した正電荷蓄積領域6を形成する工程を行った後、酸化膜17や窒化膜18よりなる層間絶縁膜13上に転送電極12を覆うように遮光膜14を形成した。しかし、遮光膜14を形成する前に、受光センサ部4上の酸化膜17のみを薬液等を用いて除去してから遮光膜14を形成することもできる。
これは、受光センサ部4上に形成された酸化膜17が、製造工程中において、ドライエッチング等によりダメージを受けていたり、金属汚染を受けていたりする場合に、この金属汚染が受光センサ部4に影響を与えて白キズ等が発生することを防ぐためである。
これは、受光センサ部4上に形成された酸化膜17が、製造工程中において、ドライエッチング等によりダメージを受けていたり、金属汚染を受けていたりする場合に、この金属汚染が受光センサ部4に影響を与えて白キズ等が発生することを防ぐためである。
また、上述した各実施の形態では、第1の開口15内を、酸化膜17及び窒化膜18で埋め込む構成を示したが、第1の開口15内を、例えば、酸化膜17や窒化膜18のみで埋め込むことも可能である。この場合においても、第1の開口15内の埋め込み性を高くすることが可能になるため、上述したように、転送電極12間の耐圧を確保することができる。
尚、本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
1・・・撮像領域、2・・・シリコン基板、3・・・半導体領域、4・・・受光センサ部、5・・・電荷蓄積領域、6・・・正電荷蓄積領域、7・・・垂直転送レジスタ、8・・・転送チャネル領域、9・・・チャネルストップ領域、10・・・読み出しゲート部、11・・・ゲート絶縁膜、12・・・転送電極、13・・・層間絶縁膜、14・・・遮光膜、15・・・第1の開口、16・・・第2の開口、17・・・酸化膜、18・・・窒化膜(サイドウォール)、19・・・層間絶縁膜、20・・・電極材料層、21・・・絶縁層、22,24・・・シリコン酸化膜(SiO2膜)、23・・・シリコン窒化膜(SiN膜)、25・・・ONO絶縁膜、30,40・・・固体撮像素子
Claims (8)
- マトリクス状に配置された受光センサ部と、前記受光センサ部の各列に対応して設けられた垂直転送レジスタとを有する固体撮像素子を製造する方法であって、
半導体基体上に、前記垂直転送レジスタの転送電極を形成する工程と、
前記転送電極を含んで全面に酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜上に窒化膜を形成する工程と、
エッチバック法を用いて、前記転送電極の側壁にサイドウォールを形成する工程と、
前記サイドウォールをマスクとして用いて、前記半導体基体内に不純物を注入することにより、前記受光センサ部を構成する不純物領域を形成する工程とを有する
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 前記転送電極を同一層の電極層のみで形成し、前記サイドウォールを形成する工程と共に前記垂直転送レジスタ上の前記転送電極間を埋め込むことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記転送電極間を、前記酸化膜、前記窒化膜、或いは前記酸化膜及び前記窒化膜のいずれかにより埋め込むことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記不純物領域を形成する工程の後、前記転送電極を覆って遮光膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
- マトリクス状に配置された受光センサ部と、前記受光センサ部の各列に対応して設けられた垂直転送レジスタとを有する固体撮像素子を製造する方法であって、
半導体基体上に、電極材料層を形成する工程と、
前記電極材料層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記電極材料層及び前記絶縁膜をパターニングすることにより、転送電極と、前記転送電極と同じパターンの絶縁膜とを形成する工程と、
前記絶縁膜を含んで全面に酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜上に窒化膜を形成する工程と、
エッチバック法を用いて、前記転送電極の側壁にサイドウォールを形成する工程と、
前記サイドウォールをマスクとして用いて、前記半導体基体内に不純物を注入することにより、前記受光センサ部を構成する不純物領域を形成する工程とを有する
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 前記転送電極を同一層の電極層のみで形成し、前記サイドウォールを形成する工程と共に前記垂直転送レジスタ上の前記転送電極間を埋め込むことを特徴とする請求項5に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記転送電極間を、前記酸化膜、前記窒化膜、或いは前記酸化膜及び前記窒化膜のいずれかにより埋め込むことを特徴とする請求項6に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記不純物領域を形成する工程の後、前記転送電極及び前記絶縁膜を覆って遮光膜を形成することを特徴とする請求項5に記載の固体撮像素子の製造方法。
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