JP2005350400A - スルホネート類の製造方法、及びスルホネート類 - Google Patents

Abstract

【課題】 環状アミノアルコール類とハロゲン化スルホニル類を反応させて対応するスルホネート類を製造するに際し、排水の負荷が小さい製法の提供。
【解決手段】 ３員環〜８員環の環状アミノアルコール類から対応するスルホネート類を製造する方法であって、アミノアルコール類とハロゲン化スルホニル類(２)を反応溶媒とトリメチルアミンの存在下に反応させることを特徴とするスルホネート類の製法。但し、反応溶媒として、ハロゲン化脂肪族炭化水素系溶媒を除く。

（２）
［式中、Ｒ^２はアルキル基又は芳香族基を表す。但し、該アルキル基及び芳香族基における１〜３個の水素原子は、１〜３個の置換基により置換されてもよい。また、これらの置換基のうち、ハロゲン原子以外のものは、その水素原子が他の置換基で置換されていてもよい。Ｘは塩素原子、臭素原子又は沃素原子を表す。］
【選択図】 なし

Description

本発明は、優れた抗菌活性を有するカルバペネム化合物等の合成用中間体化合物として有用なスルホネート類の製造方法、及びスルホネート類に関する（特開昭６０−１９７８７号公報、特開２００２−８８０５８号公報、特許第２９５５８８６号公報、特許第２７０７８１１号公報を参照)。

上記のスルホネート類の製造方法としては、例えば、１）ジクロロメタン及びトリエチルアミンの存在下にアミノアルコール類とハロゲン化スルホニル類を反応させる方法（特許文献１、特許文献２を参照）や、２）ピリジンの存在下にアミノアルコール類とハロゲン化スルホニル類を反応させる方法（非特許文献１を参照）が公知である。

特許第２７４８５００号公報［製造例９を参照］

特開２００２−９７１８０号公報［実施例１を参照］

Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ.,５５（５），１６８４−１６８７（１９９０）、Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，２５（２３），３７４１−３７４６（１９９５）［第１６８６頁参照］

しかしながら、上記１）の方法は、反応溶媒としてジクロロメタンを用いており、環境衛生上、好ましくない。
また、上記２）の方法は、大過剰のピリジンを使用するため、反応終了後の後処理においてピリジンの除去操作が必要であり、排水中の負荷が増大するという問題があった。

本発明の目的は、上記のアミノアルコール類とハロゲン化スルホニル類を反応させてスルホネート類を製造するに際し、環境衛生上の問題が低減され、且つ排水の負荷が比較的小さい方法を提供することにある。
また、本発明の別の目的は、上記のカルバペネム化合物を製造する際の中間体化合物として、公知のメタンスルホネート類よりも反応性や収率に優れる芳香族スルホネート類を提供することにある。

本発明者は、鋭意検討した結果、反応溶媒としてハロゲン化脂肪族炭化水素系溶媒を除く溶媒を用い、有機塩基としてトリメチルアミンを用いると、上記課題を解決できることを見出して、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明の（イ）は、下式(１ａ)〜（１ｇ）で示されるアミノアルコール類からそれぞれ対応するスルホネート類を製造する方法であって、上記アミノアルコール類のそれぞれと下式(２)で示されるハロゲン化スルホニル類を反応溶媒とトリメチルアミンの存在下に反応させることを特徴とする下式(３ａ)〜（３ｇ）で示されるスルホネート類の製造方法を提供するものである。但し、反応溶媒として、ハロゲン化脂肪族炭化水素系溶媒を除く。

（２）

［式中、Ｗは酸素原子又はイオウ原子を表し、ｐは０又は１である。
Ｒ^１は直鎖状アルキル基、分枝状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、直鎖状アルキルカルボニル基、分枝状アルキルカルボニル基、直鎖状アルキルオキシカルボニル基、分枝状アルキルオキシカルボニル基、環状アルキルオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、アルキニルオキシカルボニル基、アルキルオキシカルボニルオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニルオキシカルボニル基、アルケニルカルボニルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニルオキシカルボニル基、直鎖状アルキルオキシチオカルボニル基、分枝状アルキルオキシチオカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシチオカルボニル基、アミノ基、ヒドロキシル基、ウレイド基、チオウレイド基又はアミノカルボニル基を表す。但し、Ｒ^１で表される基における１〜３個の水素原子は、１〜３個の置換基により置換されていてもよい。該置換基はＲ^１が直鎖状アルキル基、分枝状アルキル基、環状アルキル基又はアルケニル基である場合は、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ウレイド基、カルボキシル基、アルコキシカルボキシル基、アラルキルオキシカルボニル基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる。また、上記の置換基はＲ^１がアリール基又はアラルキル基である場合は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、ニトロ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる。さらに、前記の置換基はＲ^１がアミノ基、ヒドロキシル基、ウレイド基、チオウレイド基又はアミノカルボニル基である場合は炭素数１〜６のアルキル基である。
Ａ^１は水素原子、直鎖状アルキル基、分枝状アルキル基、アリール基、アラルキル基、直鎖状アルキルカルボニル基、分枝状アルキルカルボニル基、アルケニルカルボニル基、アリールカルボニル基、直鎖状アルコキシカルボニル基、分枝状アルコキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基又はアラルキルオキシカルボニル基を表す。但し、Ａ^１で表される上記の基における１〜３個の水素原子は、１〜３個の置換基により置換されていてもよい。該置換基は、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ウレイド基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、ハロゲン原子、シアノ基及びニトロ基からなる群より選ばれる。
Ｒ^２は直鎖状アルキル基、分枝状アルキル基、環状アルキル基又は芳香族基を表す。但し、該アルキル基及び芳香族基における１〜３個の水素原子は、１〜３個の置換基により置換されていてもよい。該置換基はＲ^２が直鎖状アルキル基、分枝状アルキル基又は環状アルキル基である場合は、ハロゲン原子から選ばれる。また、上記の置換基はＲ^２が芳香族基である場合は、アルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルキニル基、アルキルカルボニル基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、メルカプト基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる。
Ｘは塩素原子、臭素原子又は沃素原子を表す。］

また、本発明の（ロ）は、下式（４）で示される芳香族スルホネート類を提供するものである。

（４）
［式中、Ｒ^３は、炭素数１〜６の直鎖状アルキル基、炭素数１〜６の分枝状アルキル基、炭素数５〜８のシクロアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数５〜８のシクロアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数５〜８のシクロアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１３のアラルキル基、炭素数２〜７のアルキルカルボニル基、炭素数３〜８のアルケニルカルボニル基、炭素数３〜８のアルキニルカルボニル基、炭素数２〜７のアルキルオキシカルボニル基、炭素数３〜８のアルケニルオキシカルボニル基又は炭素数８〜１１のアラルキルオキシカルボニル基を表す。但し、Ｒ^３で表される基における１〜３個の水素原子は１〜３個の置換基により置換されてもよい。
Ａ^２は、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル基又はアリルオキシカルボニル基を表す。Ａｒは、１〜３個の水素原子が１〜３個の置換基により置換されてもよいフェニル基を表す。］

また、本発明の（ハ）は、下式（５）で示される芳香族スルホネート類を提供するものである。

（５）
［式中、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６の直鎖状アルキル基、炭素数１〜６の分枝状アルキル基、炭素数５〜８のシクロアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数５〜８のシクロアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１３のアラルキル基を表す。但し、Ｒ^４及びＲ^５で表される基における１〜３個の水素原子は１〜３個の置換基により置換されてもよい。
Ａ^２は、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル基又はアリルオキシカルボニル基を表す。Ａｒは、１〜３個の水素原子が１〜３個の置換基により置換されていてもよいフェニル基を表す。］

本発明の（イ）によれば、アミノアルコール類とハロゲン化スルホニル類を反応させてスルホネート類を製造するに際し、環境衛生上の問題が低減され、且つ排水の負荷が比較的小さい。
また、本発明（ロ）や（ハ）の芳香族スルホネート類は、上記のカルバペネム化合物を製造する際の中間体化合物として、公知のメタンスルホネート類よりも反応性や収率に優れる。

以下、本発明（イ）、（ロ）及び（ハ）を詳細に説明する。
本発明（イ）は、上式（１ａ）〜（１ｇ）及び（３ａ）〜（３ｇ）において、Ｒ^１は直鎖状アルキル基、分枝状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、直鎖状アルキルカルボニル基、分枝状アルキルカルボニル基、直鎖状アルキルオキシカルボニル基、分枝状アルキルオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、直鎖状アルキルオキシチオカルボニル基、分枝状アルキルオキシチオカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシチオカルボニル基、アミノ基、ヒドロキシル基、ウレイド基、チオウレイド基又はアミノカルボニル基を表す。但し、Ｒ^１で表される基における１〜３個の水素原子は、１〜３個の置換基により置換されていてもよい。

上記のＲ^１で表される置換基を有してもよいアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基やｔ−ブチル基等の炭素数１〜６の直鎖状又は分枝状アルキル基；シクロペンチル基やシクロへキシル基等の炭素数５〜８の環状アルキル基；これらの直鎖状又は分枝状アルキル基や環状アルキル基における１〜３個の水素原子がヒドロキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ウレイド基、カルボキシル基、アルコキシカルボキシル基、アラルキルオキシカルボニル基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる１〜３個の置換基で置換された基等が挙げられる。

上記の置換基を有してもよいアルケニル基としては、例えば、プロペニル基やブテニル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；これらのアルケニル基における１〜３個の水素原子がヒドロキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ウレイド基、カルボキシル基、アルコキシカルボキシル基、アラルキルオキシカルボニル基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる１〜３個の置換基で置換された基等が挙げられる。

上記の置換基を有してもよいアリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基やナフチル基等の炭素数６〜１２のアリール基；これらのアリール基における１〜３個の水素原子が炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、ニトロ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる１〜３個の置換基で置換されたアリール基が挙げられる。

上記の置換基を有してもよいアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基やｐ−ニトロベンジル基等のようなアラルキル基における芳香環の１〜３個の水素原子が炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、ニトロ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる１〜３個の置換基で置換されてもよいアリール基が挙げられる。
上記のアルキルカルボニル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基やピバロイル基等の無置換のアルキルカルボニル基が挙げられる。

上記のアルキルオキシカルボニル基としては、例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ｎ−プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、ｎ−ブチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル基、ｔ−ブチルオキシカルボニル基やｔ−アミルオキシカルボニル基のような炭素数２〜８の直鎖状又は分枝状アルキルオキシカルボニル基；シクロヘキシルオキシカルボニル基やシクロオクチルオキシカルボニル基等のような炭素数６〜９の環状アルキルオキシカルボニル基が挙げられる。
上記のアルケニルオキシカルボニル基としては、例えば、アリルオキシカルボニル基や２−クロロアリルオキシカルボニル基のようなハロゲン原子で置換されていてもよいアルケニルオキシカルボニル基が挙げられる。

上記のアルキルオキシチオカルボニル基としては、例えば、上記のアルキルオキシカルボニル基における例示において、カルボニルをチオカルボニルに読み替えた基が挙げられる。

上記のアラルキルオキシカルボニル基としては、例えば、ベンジルオキシカルボニル基、ｐ−メトキシベンジルオキシカルボニル基やｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル基のような炭素数８〜１０のアラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。
上記のアラルキルオキシチオカルボニル基としては、例えば、上記のアラルキルオキシカルボニル基における例示において、カルボニルをチオカルボニルに読み替えた基が挙げられる。

Ｒ^１で表されるアミノ基としては、例えば、１又は２個の水素原子が、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基やｔ−ブチル基等のような炭素数１〜６のアルキル基の１又は２個で置換されていてもよいアミノ基が挙げられる。また、上記２個のアルキル基で置換されたアミノ基は該２個のアルキル基が結合し、Ｎ原子と一緒になって、例えば、ピペリジノ基のように環状構造になってもよく、さらに、該環状構造における炭素−炭素結合は１〜２個の−ＮＨ−や−Ｓ−で中断されていてもよい。
Ｒ^１で表されるヒドロキシル基としては、例えば、水素原子が、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基やｔ−ブチル基等のような炭素数１〜６のアルキル基で置換されていてもよいヒドロキシル基が挙げられる。
Ｒ^１で表されるウレイド基としては、例えば、３個の水素原子が、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基やｔ−ブチル基等のような炭素数１〜６のアルキル基の１〜３個で置換されていてもよいウレイド基が挙げられる。
Ｒ^１で表されるチオウレイド基としては、例えば、３個の水素原子が、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基やｔ−ブチル基等のような炭素数１〜６のアルキル基の１〜３個で置換されていてもよいチオウレイド基が挙げられる。
Ｒ^１で表されるアミノカルボニル基としては、例えば、アミノにおける２個の水素原子が、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基やｔ−ブチル基等のような炭素数１〜６のアルキル基の２個で置換されていてもよいアミノカルボニル基が挙げられる。該アミノカルボニル基が炭素数１〜６のアルキル基の２個で置換されたアルキル基は、例えば、２個のアルキル基が結合し、Ｎ原子と一緒になって環状構造を有していてもよい。また、該環状構造における炭素−炭素結合が１〜２個の−ＮＨ−や−Ｓ−で中断されていてもよい。
Ｒ^１で表されるアミノカルボニル基としては、アミノにおける２個の水素原子が炭素数１〜６のアルキル基の２個で置換されたアミノカルボニル基が好ましい。

より好ましいＲ^１としては、アルコキシカルボニル基（炭素数２〜７）やジアルキルアミノカルボニル基（炭素数３〜１３）が挙げられる。殊に好ましいＲ^１としては、メトキシカルボニル基やジメチルアミノカルボニル基が挙げられる。

本発明（イ）において、式（１ａ）〜（１ｇ）及び（３ａ）〜（３ｇ）におけるＡ^１は、水素原子、直鎖状アルキル基、分枝状アルキル基、アリール基、アラルキル基、直鎖状アルキルカルボニル基、分枝状アルキルカルボニル基、アルケニルカルボニル基、アリールカルボニル基、直鎖状アルコキシカルボニル基、分枝状アルコキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基又はアラルキルオキシカルボニル基を表す。但し、水素原子以外の上記の基における１〜３個の水素原子は、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ウレイド基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる１〜３個の置換基により置換されていてもよい。
Ａ^１で表される上記の無置換アルキル基や置換アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基やｔ−ブチル基等のような炭素数１〜６の無置換のアルキル基；ハロゲン原子（塩素原子や臭素原子等）、シアノ基又はニトロ基で置換された炭素数１〜６のアルキル基が挙げられる。
Ａ^１で表される上記の無置換アリール基や置換アリール基としては、例えば、フェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、１−アントリル基や３−アントリル基のような炭素数６〜１４の無置換アリール基；ハロゲン原子（塩素原子や臭素原子等）、シアノ基又はニトロ基で置換された炭素数６〜１４の置換アリール基が挙げられる。
また、Ａ^１で表される上記の無置換アラルキル基や置換アラルキル基としては、該アラルキルにおけるアリールがフェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、１−アントリル基や３−アントリル基のような炭素数７〜１６の無置換アラルキル基（ベンジル基やフェネチル基等）；ハロゲン原子（塩素原子や臭素原子等）、シアノ基又はニトロ基で置換された炭素数７〜１６の置換アラルキル基が挙げられる。
Ａ^１で表される無置換のアルキルカルボニル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基やピバロイル基等が挙げられる。Ａ^１で表される置換アルキルカルボニル基としては、例えば、ハロゲン原子（塩素原子、臭素原子やヨウ素原子等）、シアノ基又はニトロ基で置換されたアルキルカルボニル基が挙げられる。
Ａ^１で表されるアルケニルカルボニル基としては、無置換アリルカルボニル基や、該アリルの水素原子が、ハロゲン原子（塩素原子、臭素原子やヨウ素原子等）、シアノ基又はニトロ基で置換されたアリルカルボニル基等が挙げられる。
Ａ^１で表される上記の無置換アリールカルボニル基や置換アリールカルボニル基としては、例えば、ベンゾイル基のような炭素数７〜１３の無置換アリールカルボニル基；ハロゲン原子（塩素原子や臭素原子等）、シアノ基又はニトロ基で置換された炭素数７〜１３の置換アリールカルボニル基が挙げられる。
Ａ^１で表される上記の無置換アルコキシカルボニル基や置換アルコキシカルボニル基としては、例えば、ｔ−ブチルオキシカルボニル基、２−ヨウ化エチルオキシカルボニル基や２，２，２−トリクロロエチルオキシカルボニル基のような水素原子の１〜３個がハロゲン原子の１〜３個で置換されてもよい炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基が挙げられる。
Ａ^１で表される上記の無置換アルケニルオキシカルボニル基や置換アルケニルオキシカルボニル基としては、例えば、アリルオキシカルボニル基のような炭素数４〜８の無置換アルケニルオキシカルボニル基；ハロゲン原子（塩素原子や臭素原子等）、シアノ基又はニトロ基で置換された炭素数４〜８の置換アルケニルオキシカルボニル基が挙げられる。
さらに、Ａ^１で表されるアラルキルオキシカルボニル基としては、例えば、ベンジルオキシカルボニル基等の炭素数８〜１０の無置換アラルキルオキシカルボニル基；ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル基等の炭素数８〜１０の置換アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。
より好ましいＡ^１としては、アリルオキシカルボニル基のような炭素数４〜８の無置換アルケニルオキシカルボニル基やｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル基等の炭素数８〜１０の置換アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。殊に好ましいＡ^１としては、アリルオキシカルボニル基やｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル基が挙げられる。

本発明（イ）において、式(１ｃ)〜（１ｇ）におけるＷは、酸素原子又はイオウ原子を表し、ｐは０又は１である。
式(１ｃ)〜（１ｇ）の化合物において、ｐが０である化合物が好ましい。

本発明の（イ）においては、式（１ｄ）で示され、Ｎ原子を１位としたときのＲ^１及びＯＨの置換位置がそれぞれ反時計まわり方向に２位及び４位である化合物が好ましい。また、本発明の（イ）においては、式（１ｄ）で示され、Ｎ原子を１位としたときのＲ^１及びＯＨの置換位置がそれぞれ反時計まわり方向に２位及び４位であり、Ｒ^１が炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数６〜９のシクロアルキルオキシカルボニル基、炭素数３〜７のアルケニルオキシカルボニル基、炭素数６〜９のシクロアルケニルオキシカルボニル基、炭素数３〜７のアルキニルオキシカルボニル基、炭素数７〜１０のアリールオキシカルボニル基、炭素数８〜１１のアラルキルオキシカルボニル基、炭素数３〜８のアルキルカルボニルオキシカルボニル基、炭素数４〜９のアルケニルカルボニルオキシカルボニル基、炭素数３〜８のアルキルオキシカルボニルオキシカルボニル基、炭素数４〜９のアルケニルオキシカルボニルオキシカルボニル基又は炭素数９〜１２のアラルキルオキシカルボニルオキシカルボニル基であり、且つ、Ａ^１がｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル基又はアリルオキシカルボニル基である化合物が特に好ましい。但し、Ｒ^１及びＡ^１における各基の１〜３個の水素原子は、１〜３個の置換基により置換されてもよい。

さらに、本発明の（イ）においては、式（１ｄ）で示され、Ｎ原子を１位としたときのＲ^１及びＯＨの置換位置がそれぞれ反時計まわり方向に２位及び４位であり、Ｒ^１がアミノカルボニル基、炭素数２〜７のアルキルアミノカルボニル基、炭素数３〜８のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノカルボニル基、炭素数６〜９のＮ−シクロアルキルアミノカルボニル基、炭素数１１〜１７のＮ，Ｎ−ジシクロアルキルアミノカルボニル基、炭素数７〜１５のＮ−アルキル−Ｎ−シクロアルキルアミノカルボニル基、炭素数３〜８のアルケニルアミノカルボニル基、炭素数４〜１０のＮ，Ｎ−ジアルケニルアミノカルボニル基、炭素数６〜９のＮ−シクロアルケニルアミノカルボニル基、炭素数１１〜１７のＮ，Ｎ−ジシクロアルケニルアミノカルボニル基、炭素数８〜１５のＮ−アルケニル−Ｎ−シクロアルキルアミノカルボニル基、炭素数８〜１５のＮ−アルケニル−Ｎ−シクロアルケニルアミノカルボニル基、炭素数７〜１３のＮ−アリールアミノカルボニル基又は炭素数８〜１４のＮ−アラルキルアミノカルボニル基であり、Ａ^１がｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル基又はアリルオキシカルボニル基である化合物も特に好ましい。但し、Ｒ^１及びＡ^１における基の１〜３個の水素原子は、１〜３個の置換基により置換されてもよい。
本発明の（イ）においては、式（３ｂ）〜（３ｇ）におけるＲ^１及びＡ^１が上記のものであり、且つ式（３ｂ）〜（３ｇ）におけるＲ^２が芳香族基である化合物がさらに好ましい。

本発明（イ）におけるハロゲン化スルホニル類は、下式（２）で示される。

（２）
［式中、Ｒ^２は直鎖状アルキル基、分枝状アルキル基又は芳香族基を表す。但し、これらのアルキル基及び芳香族基における１〜３個の水素原子は、１〜３個の置換基により置換されてもよい。Ｘは塩素原子、臭素原子又は沃素原子を表す。］

Ｒ^２で表されるアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロペンチル基やシクロへキシル基等の炭素数１〜６のアルキル基や、炭素数５〜６のシクロアルキル基；パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基やパーフルオロブチル基等のハロゲン原子で置換されたアルキル基が挙げられる。
Ｒ^２で表される芳香族基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、３−アントリル基又はフェナントリル基のようなアリール基や、２−チエニル基、３−チエニル基、チアントレニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、イソチアゾリル基、イソオキサゾリル基、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基又はキノリル基等の含ヘテロ原子含有環状基が挙げられる。これらのアリール基や含ヘテロ原子含有環状基は、その水素原子の１〜３個が炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルケニルオキシ基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数２〜６のアルキルカルボニル基、シアノ、ヒドロキシル基、アミノ基、炭素１〜６のアルキルアミノ基、炭素数２〜６のジアルキルアミノ基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、メルカプト基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる１〜３個の置換基で置換されてもよい。また、これらの置換基のうち、ハロゲン原子以外のものは、その水素原子が他の置換基で置換されてもよい。さらに、上述したアリール基や含ヘテロ原子含有環状基における炭素−炭素結合はケイ素原子で中断されていてもよい。

Ｒ^２で表される芳香族基の具体例としては、以下の基が挙げられる。
４−トリル基、２−トリル基、３−トリル基、４−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２，４，６−トリイソプロピルフェニル基、２，３，５，６−テトラメチルフェニル基、２，３，４，５，６−ペンタメチルフェニル基、４−（１’，１’，１’−トリフルオロメチル）フェニル基、３−（１’，１’，１’−トリフルオロメチル）フェニル基、３，５−ジ−（１’，１’，１’−トリフルオロメチル）フェニル基、２’−トリクロロシリルエチル基、２’−トリメトキシシリルフェニル基、２，４−ジメチル−３−チエニル基、４−メチル−２−トリフルオロメチル−３−フリル基、４−エチル−３−ピリジル基、

２−エテニルフェニル、３−エテニルフェニル、４−エテニルフェニル、２−（１’−プロペニル）−フェニル、３−（１’−プロペニル）−フェニル、４−（１’−プロペニル）−フェニル、２−（１’−ブテニル）−フェニル、３−（１’−ブテニル）−フェニル、４−（１’−ブテニル）−フェニル、

４−アセチレニルフェニル、２，５−アセチレニルフェニル、３，５−アセチレニルフェニル、

４−ベンジルフェニル、４−（２’−フェネチル）フェニル、４−ジフェニル、３−ジフェニル、４’−メチル−４−ジフェニル、４’−メチル−３−ジフェニル、４’−トリフルオロメチル−４−ジフェニル、４’−トリフルオロメチル−３−ジフェニル、３’，５’−ビストリフルオロメチル−４−ジフェニル、３’，５’−ビストリフルオロメチル−３−ジフェニル、４’−メトシキ−４−ジフェニル、４’−メトシキ−３−ジフェニル、４’−クロロ−４−ジフェニル、４’−クロロ−３−ジフェニル、４’−フルオロ−４−ジフェニル、４’−フルオロ−４−ジフェニル、３’，５’−ジクロロ−４−ジフェニル、３’，５’−ジクロロ−３−ジフェニル、３’，４’−ジクロロ−４−ジフェニル、３’，４’−ジクロロ−３−ジフェニル、２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロ−４−ジフェニル、２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロ−３−ジフェニル、５−（２’−ピリジニル）−２−チエニル等のアリール基、

４−アセチルフェニル、３−アセチルフェニル、４−ベンゾイルフェニル、３−アセチルフェニル、４−（２’−ブロモアセチル）フェニル、３−（２’−ブロモアセチル）フェニル、３−（４’−ピリジル）カルボニルフェニル、３−（２’−ピリジル）カルボニルフェニル、４−メトキシカルボニルフェニル、３−メトキシカルボニルフェニル、４−エトキシカルボニルフェニル、４−ｔ−ブトキシカルボニルフェニル、４−メトキシカルボニル−３−フリル、４−カルボキシルフェニル、３−カルボキシルフェニル、２−カルボキシルフェニル、

４−シアノフェニル、３−シアノフェニル、２−シアノフェニル、２，４−ジシアノフェニル、３，５−ジシアノフェニル、３，４−ジシアノフェニル、２，４，６−トリシアノフェニル、

２−ヒドロキシフェニル、３−ヒドロキシフェニル、４−ヒドロキシフェニル、４−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、２−メトキシフェニル、４−ｎ−ブトキシフェニル、３−ｎ−ブトキシフェニル、２−ｎ−ブトキシフェニル、２，６−ジメトキシフェニル、３，５−ジメトキシフェニル、４−フェノキシフェニル、３−フェノキシフェニル、２−フェノキシフェニル、４’−クロロフェニルオキシ−４−フェニル、４’−クロロフェニルオキシ−３−フェニル、３’−クロロフェニルオキシ−４−フェニル、３’−クロロフェニルオキシ−３−フェニル、４’−フルオロフェニルオキシ−４−フェニル、３’，５’−ジクロロフェニルオキシ−４−フェニル、３’，５’−ジフルオロフェニルオキシ−４−フェニル、２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロフェニルオキシ−４−フェニル、２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロフェニルオキシ−３−フェニル、

４−ジメチルアミノフェニル、５−ジメチルアミノ−１−ナフチル、４−ニトロフェニル、３−ニトロフェニル、２−ニトロフェニル、３，５−ジニトロフェニル、２，６−ジニトロフェニル、２，４−ジニトロフェニル、４−（Ｎ−スクシンイミド）フェニル、３−メチルウレイドフェニル、

４−チオメチルフェニル、４−チオアセチルフェニル、４−チオベンゾイルフェニル、２−メタンスルホニルフェニル、４−ベンゼンスルホニルフェニル、５−ベンゼンスルホニル−２−チエニル、５−（５’−トリフルオロメチル−２−ピリジン）スルホニル−２−チエニル、

４−フルオロフェニル、３−フルオロフェニル、２−フルオロフェニル、４−クロロフェニル、３−クロロフェニル、２−クロロフェニル、４−ブロモフェニル、３−ブロモフェニル、２−ブロモフェニル、４−ヨードフェニル、３−ヨードフェニル、２−ヨードフェニル、３，５−ジフルオロフェニル、２，３−ジフルオロフェニル、２，６−ジフルオロフェニル、２，４，６−トリフルオロフェニル、２，４，５−トリフルオロフェニル、２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル、４−ブロモ−２，５−ジフルオロフェニル、３−クロロ−４−フルオロフェニル、２−クロロ−４−フルオロフェニル、３，４−ジクロロフェニル、３，４−ジブロモフェニル、２，５−ジブロモフェニル、２，６−ジブロモフェニル、

４−メチル−３−ニトロフェニル、４−メチル−３−クロロフェニル、３，５−ジクロロ−２−ヒドロキシフェニル、２−クロロ−４−トリフルオロメチルフェニル、４−メトキシ−３−メトキシカルボニルフェニル等。

Ｒ^２で表される芳香族基としては、フェニル基や４−トリル基が好ましく、フェニル基が特に好ましい。Ｘは塩素原子、臭素原子又は沃素原子を表し、塩素原子が好ましい。

本発明（イ）におけるハロゲン化スルホニル類（２）の使用量は、アミノアルコール類（１ａ）〜（１ｇ）のそれぞれに対して、通常は１〜１０モル倍の範囲、好ましくは１〜２モル倍の範囲である。
トリメチルアミンの使用量は、アミノアルコール類（１ａ）〜（１ｇ）のそれぞれに対して、通常は１〜１０モル倍の範囲、好ましくは１〜２モル倍の範囲である。
本発明（イ）におけるアミノアルコール類（１ａ）〜（１ｇ）のそれぞれ、ハロゲン化スルホニル類（２）及びトリメチルアミンの仕込み順序としては、次に示すｉ）〜ｉｉｉ）の方法が挙げられる。
ｉ）アミノアルコール類、ハロゲン化スルホニル類（２）及び上記の反応溶媒の混合物中に、トリメチルアミンガスを吹込む方法。
ｉｉ）アミノアルコール類、ハロゲン化スルホニル類（２）及び反応溶媒の混合物中に、トリメチルアミンの反応溶媒溶液を滴下する方法。
ｉｉｉ）トリメチルアミンの反応溶媒溶液中に、アミノアルコール類を添加し、次にハロゲン化スルホニル類（２）を滴下する方法。

反応溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼンやヘキサン等の炭化水素系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリルやベンゾニトリル等のニトリル系溶媒、１、４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタンやジエトキシメタン等のエーテル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンやメチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドやＮ-メチルピロリドン等のアミド系溶媒、スルホランやジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒及び酢酸メチル、酢酸エチルや酢酸ｎ-ブチル等のエステル系溶媒が挙げられる。必要に応じて、上記反応溶媒の二種類以上の混合溶媒を用いることもできる。反応溶媒としては、炭化水素系溶媒、ニトリル系溶媒やエーテル系溶媒が好ましく、炭化水素系溶媒がより好ましく、トルエンやクロロベンゼンが特に好ましい。
反応溶媒の使用量は、アミノアルコール類（１ａ）〜（１ｇ）のそれぞれに対して、通常は１〜５０重量倍の範囲、好ましくは１〜２０重量倍の範囲、さらに好ましくは１〜１０重量倍の範囲である。

反応温度は、通常は−２０〜４０℃程度の範囲であり、好ましくは−１０〜２０℃程度の範囲である。また、反応時間は、反応温度によって異なるが、通常は１０分間〜２４時間程度の範囲である。
反応終了後、得られた反応液を、酸の水溶液、水、アルカリの水溶液及び水の順に洗浄後、油層中の反応溶媒を留去することにより、式(３ａ)〜（３ｇ）で示されるスルホネート類のそれぞれを得ることができる。

本発明（ロ）は、下式（４）で示される芳香族スルホネート類である。

（４）
［式中、Ｒ^３は炭素数１〜６の直鎖状アルキル基、炭素数１〜６の分枝状アルキル基、炭素数５〜８のシクロアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数５〜８のシクロアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１３のアラルキル基、炭素数２〜７のアルキルカルボニル基、炭素数３〜８のアルケニルカルボニル基、炭素数２〜７のアルキルオキシカルボニル基、炭素数３〜８のアルケニルオキシカルボニル基又は炭素数８〜１１のアラルキルオキシカルボニル基を表す。但し、Ｒ^３で表される基における１〜３個の水素原子は１〜３個の置換基により置換されてもよい。Ａ^２は、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル基又はアリルオキシカルボニル基を表す。Ａｒは、１〜３個の水素原子が１〜３個の置換基により置換されてもよいフェニル基を表す。］

式（４）で示される芳香族スルホネート類としては、例えば、４−ベンゼンスルホニルオキシ−２−メトキシカルボニル−１−ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニルピロリジンや１−アリルオキシカルボニル−４−ベンゼンスルホニルオキシ−２−メトキシカルボニルピロリジン等が挙げられる。

本発明（ハ）は、下式（５）で示される芳香族スルホネート類である。

（５）
［式中、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６の直鎖状アルキル基、炭素数１〜６の分枝状アルキル基、炭素数５〜８のシクロアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数５〜８のシクロアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１３のアラルキル基を表す。但し、Ｒ^４及びＲ^５で表される基における１〜３個の水素原子は１〜３個の置換基により置換されてもよい。Ａ^２は、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル基又はアリルオキシカルボニル基を表す。Ａｒは、１〜３個の水素原子が１〜３個の置換基により置換されてもよいフェニル基を表す。］

式（５）で示される芳香族スルホネート類としては、Ａｒがフェニル基である化合物が好ましい。このような化合物としては、例えば１−アリルオキシカルボニル−４−ベンゼンスルホニルオキシ−２−ジメチルアミノカルボニルピロリジン等が挙げられる。

上述した各種の芳香族スルホネート類は、ラセミ体でもよく、光学活性体でもよい。
また、４種類存在する立体異性体のうち、いずれであってもよいが、上記のカルバペネム化合物等の合成用中間体として用いる場合は、（２Ｓ，４Ｒ）体又は（２Ｒ，４Ｓ）体が好ましい。

以下、実施例等により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。

参考例１
下式で示される化合物（Ｉ）から、下式で示される化合物（ＩＩ）を製造した例

（Ｉ） （ＩＩ）
４．９９ｇのクロロギ酸エチル、３０ｇのテトラヒドロフランを２００ｍｌフラスコに仕込んだ後、攪拌下に−１５℃まで冷却した。１０ｇの（２Ｓ，４Ｒ）１−アリルオキシカルボニル−２−カルボキシ−４−ヒドロキシピロリジン（Ｉ）、４．６５ｇのＮ−メチルモルホリンを３０ｇのテトラヒドロフランに溶解した溶液を内温−１５〜−５℃で１時間かけて滴下した。滴下終了後、同温度で１時間保温した。保温終了後、２３ｍｌのジメチルアミン（２Ｍ−テトラヒドロフラン溶液）を内温−１５〜−５℃で１５分かけて滴下した。滴下終了後、同温度で１時間保温した。保温終了後の反応液をロータリーエバポレーターで濃縮後、６ｇの水、１３．９ｇの１Ｎ−塩酸及び３０ｇのクロロホルムを加えた。次いで、洗浄及び分液後、油層を２０％食塩水、５％炭酸水素ナトリウム水溶液及び２０％食塩水の順で洗浄した。洗浄後の油層を減圧濃縮し、得られた濃縮残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより分離し、４．７７ｇの（２Ｓ，４Ｒ）−１−アリルオキシカルボニル−４−ヒドロキシ−２−メトキシカルボニルピロリジン（ＩＩ）を淡黄色油状物として得た（収率４２．８％）。

［上記化合物（ＩＩ）の^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ_３）データ］
δ：１．９９〜２．０７（ｍ、１Ｈ），２．１６〜２．３６（ｍ，１Ｈ），２．９５，２．９７（ｓ×２，３Ｈ），３．０９，３．１４（ｓ×２，３Ｈ），３．４２〜３．７３（ｍ，３Ｈ），４．４５〜４．６４（ｍ，３Ｈ），４．８１〜４．８７（ｍ，１Ｈ），５．１５〜５．３３（ｍ，２Ｈ），５．７８〜５．９８（ｍ，１Ｈ）。

参考例２
下式で示される化合物（Ｉ）から、下式で示される化合物（ＩＩＩ）を製造した例

（Ｉ） （ＩＩＩ）
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｅｄｉｃｉｎａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ２００１，４４，７３７−７４８の記載を参考にして、（２Ｓ，４Ｒ）−１−アリルオキシカルボニル−２−カルボキシ−４−ヒドロキシピロリジン［上記化合物（Ｉ）］の７ｇから（２Ｓ，４Ｒ）−１−アリルオキシカルボニル−４−ヒドロキシ−２−メトキシカルボニルピロリジン［上記化合物（ＩＩＩ）］の６．８ｇを得た。

実施例１
下式で示される化合物（ＩＩ）から、下式で示される化合物（ＩＶ）を製造した例

（ＩＩ） （ＩＶ）
３．１１ｇの（２Ｓ，４Ｒ）−１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカルボニル−４−ヒドロキシルピロリジン［化合物（ＩＩ）］、１６．９ｇのトリメチルアミン−モノクロロベンゼン溶液（７．２２重量％）を２００ｍｌフラスコに仕込んだ後、攪拌下に−５℃まで冷却した。３．００ｇのベンゼンスルホニルクロライドを内温−５〜５℃で２０分かけて滴下し、滴下終了後の混合物を同温度で１時間保温した。この時点で反応液をサンプリングして分析したところ、原料化合物（ＩＩ）の転化率は１００％であった。モノクロロベンゼンを加え、１Ｎ塩酸によりｐＨ２．６に調整した。ｐＨ調整後、分液し、油層を水、５％炭酸水素ナトリウム水溶液及び水の順で洗浄した。洗浄後の油層を減圧濃縮後、得られた濃縮残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより分離し、４．４２ｇの（２Ｓ，４Ｒ）−１−アリルオキシカルボニル−４−ベンゼンスルホニルオキシ−２−ジメチルアミノカルボニルピロリジン［化合物（ＩＶ）］を無色油状物として得た（単離収率９４．８％）。

［上記化合物（ＩＶ）の^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ_３）データ］
δ：２．１７〜２．５７（ｍ，２Ｈ），２，９４，２．９５（ｓ×２，３Ｈ），３．０７，３．１２（ｓ×２，３Ｈ），３．６７〜３．７７（ｍ，２Ｈ），４．４７〜４．６１（ｍ，２Ｈ），４．８０〜４．８６（ｍ，１Ｈ），５．０８〜５．２９（ｍ，３Ｈ），５．７７〜５．９４（ｍ、１Ｈ），７．５６〜７．７２（ｍ，３Ｈ），７．９０〜７．９３（ｍ，２Ｈ）。

実施例２

（Ｖ） （ＶＩ）
１０．０ｇの（２Ｓ，４Ｒ）−４−ヒドロキシ−２−メトキシカルボニル−１−ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニルピロリジン［上記化合物（Ｖ）］、４８．７ｇのモノクロロベンゼンを３００ｍｌフラスコに仕込んだ後、攪拌下に−５℃まで冷却した。７．０８ｇのベンゼンスルホニルクロライドを内温−５〜５℃で２０分かけて滴下した。滴下終了後、内温を同温度に保ったまま、液中にディップさせた挿入管を通して、３．７ｍｌのトリメチルアミンガスを１時間かけて吹き込んだ。吹込み終了後、内温−５〜５℃で１時間攪拌した。この時点で反応液をサンプリングして分析したところ、原料化合物（Ｖ）の転化率は１００％であった。サンプリング後の反応液中に０．７％塩酸５１ｇを加えて洗浄後、分液した。得られた油層を、水で２回洗浄し、５％炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後、さらに水洗した。水洗後の油層を減圧濃縮することにより、１３．６ｇの（２Ｓ，４Ｒ）−４−ベンゼンスルホニルオキシ−２−メトキシカルボニル−１−ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニルピロリジン（ＶＩ）を含むモノクロロベンゼン溶液を得た（収率９４．４％）。

［上記化合物（ＶＩ）の^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ_３）データ］
δ：２．１３〜２．２７（ｍ，１Ｈ），２．４７〜２．６７（ｍ，１Ｈ），３．６３〜３．８８（ｍ，５Ｈ），４．４６〜４．５４（ｍ，１Ｈ），５．０８〜５．３１（ｍ，３Ｈ），７．４３〜７．５０（ｍ，２Ｈ），７．５６〜７．７６（ｍ，３Ｈ），７．８９〜７．９３（ｍ，２Ｈ），８．１９〜８．２３（ｍ，２Ｈ）。

実施例３
下式で示される化合物（ＩＩＩ）から、下式で示される化合物（ＶＩＩ）を製造した例

（ＩＩＩ） （ＶＩＩ）
５．０２ｇの（２Ｓ，４Ｒ）−１−アリルオキシカルボニル−２−メトキシカルボニル−４−ヒドロキシルピロリジン［上記化合物（ＩＩＩ）］、２９．３ｇのトリメチルアミン−モノクロロベンゼン溶液（７．２２重量％）を２００ｍｌフラスコに仕込んだ後、攪拌下に−５℃まで冷却した。５．１１ｇのベンゼンスルホニルクロライドを内温−５〜５℃で２０分かけて滴下し、滴下終了後に得られた混合物を同温度で１時間保温した。この時点で反応液をサンプリングして分析したところ、原料化合物（ＩＩＩ）の転化率は１００％であった。反応液にモノクロロベンゼンを加え、１Ｎ塩酸によりｐＨ２．６に調整した後、分液した。得られた油層を水で２回洗浄後、５％炭酸水素ナトリウム水溶液で１回洗浄し、さらに水洗した。油層を減圧濃縮した後、得られた濃縮残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより分離し、７．７２ｇの（２Ｓ，４Ｒ）−１−アリルオキシカルボニル−４−ベンゼンスルホニルオキシ−２−メトキシカルボニルピロリジン［上記化合物（ＶＩＩ）］を無色油状物として得た（収率９５．４％）。

［上記化合物（ＶＩＩ）の^１Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ；ＣＤＣｌ_３）データ］
δ：２．１０〜２．２８（ｍ，１Ｈ），２．４３〜２．６５（ｍ，１Ｈ），３．６０〜３．７８（ｍ，５Ｈ），４．４３〜４．６４（ｍ，３Ｈ），５．０８〜５．３０（ｍ，３Ｈ），５．７７〜５．９７（ｍ，１Ｈ），７．５６〜７．７３（ｍ，３Ｈ），７．８９〜７．９３（ｍ，２Ｈ）。

比較例１
０．５２ｇの（２Ｓ，４Ｒ）−１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカルボニル−４−ヒドロキシピロリジン（ＩＩ）、０．３４ｇのトリエチルアミン及び２．６ｇのモノクロロベンゼンを２０ｍｌフラスコに仕込み後、攪拌下に−５℃まで冷却した。次に、０．５０ｇのベンゼンスルホニルクロライドを内温−５〜５℃で加えた後、得られた混合物を同温度で１時間保温した。この時点で反応液をサンプリングして分析したところ、上記原料化合物（ＩＩ）の転化率は４．７％であった。

比較例２
１．０ｇの（２Ｓ，４Ｒ）−４−ヒドロキシ−２−メトキシカルボニル−１−ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニルピロリジン（Ｖ）、０．４１ｇのトリエチルアミン及び１０ｇのトルエンを５０ｍｌのフラスコに仕込み後、攪拌下に−５℃まで冷却した。０．７１ｇのベンゼンスルホニルクロライドを内温−５〜５℃で加えた。得られた混合物を同温度で１時間攪拌した。この時点で反応液をサンプリングし、液体クロマトグラフィーで分析したところ、原料化合物（Ｖ）の転化率は０．３％であった。
次いで、内温を２０℃に上昇させて１時間攪拌した。この時点で反応液をサンプリングし、液体クロマトグラフィーで分析したところ、原料化合物（Ｖ）の転化率は１．８％であった。

応用例１
下式で示される化合物（ＩＶ）から、下式で示される化合物（ＶＩＩＩ）を製造した例

（ＩＶ） （ＶＩＩＩ）
特開２００２−８８０５８号公報記載の方法により合成したチオ安息香酸カリウム水溶液３ｇ（含量５３．７重量％）にトルエン６９．５ｇを加えた後、得られた混合物を減圧下に濃縮して乾固させた。その後、窒素雰囲気下に、上記の乾固物にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（以下、ＤＭＦという）２．５ｇとトルエン５．７ｇを加えた後、６５℃に昇温した。昇温終了後、２．３７ｇの（２Ｓ，４Ｒ）−１−アリルオキシカルボニル−４−ベンゼンスルホニルオキシ−２−ジメチルアミノカルボニルピロリジン（ＩＶ）を４．３ｇのトルエンに溶解させた溶液を滴下した。滴下時の内温は６６〜７０℃に保った。
滴下終了後、１３時間保温した。この時点で反応液をサンプリングし、液体クロマトグラフィーにより分析したところ、２．０７ｇの（２Ｓ，４Ｓ）−１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカルボニル−４−チオベンゾイルピロリジンを含んでいた（収率９２％）。
反応液にトルエンと水を加え分液した。分液後の油層と、水層をさらにトルエンで抽出して得た油層とを併せた。併せた油層を１０％食塩水で洗浄後、ヘキサン／トルエン混合液から晶析した。得られた結晶を濾別後、乾燥して、１．７７ｇの（２Ｓ，４Ｓ）−１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカルボニル−４−チオベンゾイルピロリジン（ＶＩＩＩ）を白色結晶として得た（含量９９．５％、収率７８．４％）。

［上記化合物（ＶＩＩＩ）の^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ_３）データ］
δ：１．９６〜２．０７（ｍ，１Ｈ），２．７６〜２．９３（ｍ，１Ｈ），２．９７，２．９９（ｓ×２，３Ｈ），３．０７，３．１３（ｓ×２，３Ｈ），３．４８〜３．５８（ｍ，１Ｈ），４．０９〜４．２５（ｍ，２Ｈ），４．５０〜４．６７（ｍ，２Ｈ），４．７４〜４．８３（ｍ，１Ｈ），５．１７〜５．５３（ｍ，２Ｈ），５．８０〜６．００（ｍ，１Ｈ），７．４３〜７．４８（ｍ，２Ｈ），７．５６〜７．６２（ｍ，１Ｈ），７．９１〜７．９８（ｍ，２Ｈ）。

応用例２
下式で示される化合物（ＶＩＩＩ）から、下式で示される化合物（ＩＸ）を製造した例

（ＶＩ） （ＩＸ）
窒素雰囲気下に２．０ｇの（２Ｓ，４Ｒ）−４−ベンゼンスルホニルオキシ−２−メトキシカルボニル−１−ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニルピロリジン［上記化合物（ＶＩ）］、２０ｇのＤＭＦ、０．６８ｇのチオ酢酸カリウムを１００ｍｌフラスコへ仕込んだ後、攪拌下に５０℃まで昇温した。その後、４５〜５５℃で６時間保温した。この時点で反応液をサンプリングし、液体クロマトグラフィーで分析したところ、１．４３ｇの（２Ｓ，４Ｓ）−４−アセチルチオ−２−メトキシカルボニル−１−ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニルピロリジン［上記化合物（ＩＸ）］を含んでいた（収率８２％）。
反応液に４０ｇの水及び５０ｇの酢酸エチルを加え、攪拌後、分液した。得られた油層と水層を酢酸エチルで抽出して得た油層を併せて、水及び２０％食塩水の順で洗浄した。油層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、硫酸マグネシウムを濾別し、得られた濾液を濃縮した。濃縮残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ノルマルヘプタン＝２／３）に供することにより、１．４４ｇの（２Ｓ，４Ｓ）−４−アセチルチオ−１−アリルオキシカルボニル−２−ヒドロキシメチルピロリジン［上記化合物（ＩＸ）］を黄色油状物として得た（含量９２．２％、収率７８％）。

［上記化合物（ＩＸ）の^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ_３）データ］
δ：１．９８〜２．１２（ｍ，１Ｈ），２．５０（ｓ，３Ｈ），２．７０〜２．８６（ｍ，１Ｈ），３．４１〜３．４７（ｍ，１Ｈ），３．６９，３．７７（ｓ×２，３Ｈ），３．９５〜４．１６（ｍ，２Ｈ），４．４３〜４．４８（ｍ，１Ｈ），５．１０〜５．３４（ｍ，２Ｈ），７．２９〜７．５４（ｍ，２Ｈ），８．２０〜８．２４（ｍ，２Ｈ）。

本発明の製造方法で得られるスルホネート類は、優れた抗菌活性を有するペネム系化合物やカルバペネム系化合物の合成用中間体化合物として有用である。
また、本発明の芳香族スルホネート化合物は、上記カルバペネム系化合物の合成用中間体化合物として有用である。

Claims (10)

1. 下式(１ａ)〜（１ｇ）で示されるアミノアルコール類からそれぞれ対応するスルホネート類を製造する方法であって、上記アミノアルコール類のそれぞれと下式(２)で示されるハロゲン化スルホニル類を反応溶媒とトリメチルアミンの存在下に反応させることを特徴とする下式(３ａ)〜（３ｇ）で示されるスルホネート類の製造方法［但し、反応溶媒として、ハロゲン化脂肪族炭化水素系溶媒を除く］。
   

   

   
   

   

   （２）
   

   

   ［式中、Ｗは酸素原子又はイオウ原子を表す。ｐは０又は１である。
   Ｒ^１は直鎖状アルキル基、分枝状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、直鎖状アルキルカルボニル基、分枝状アルキルカルボニル基、直鎖状アルキルオキシカルボニル基、分枝状アルキルオキシカルボニル基、環状アルキルオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、アルキニルオキシカルボニル基、アルキルオキシカルボニルオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニルオキシカルボニル基、アルケニルカルボニルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニルオキシカルボニル基、直鎖状アルキルオキシチオカルボニル基、分枝状アルキルオキシチオカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシチオカルボニル基、アミノ基、ヒドロキシル基、ウレイド基、チオウレイド基又はアミノカルボニル基を表す。但し、Ｒ^１で表される基における１〜３個の水素原子は、１〜３個の置換基により置換されていてもよい。該置換基はＲ^１が直鎖状アルキル基、分枝状アルキル基、環状アルキル基又はアルケニル基である場合は、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ウレイド基、カルボキシル基、アルコキシカルボキシル基、アラルキルオキシカルボニル基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる。また、上記の置換基はＲ^１がアリール基又はアラルキル基である場合は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、ニトロ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる。さらに、前記の置換基はＲ^１がアミノ基、ヒドロキシル基、ウレイド基、チオウレイド基又はアミノカルボニル基である場合は、炭素数１〜６のアルキル基である。
   Ａ^１は水素原子、直鎖状アルキル基、分枝状アルキル基、アリール基、アラルキル基、直鎖状アルキルカルボニル基、分枝状アルキルカルボニル基、アルケニルカルボニル基、アリールカルボニル基、直鎖状アルコキシカルボニル基、分枝状アルコキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基又はアラルキルオキシカルボニル基を表す。但し、Ａ^１で表される上記の基における１〜３個の水素原子は、１〜３個の置換基により置換されていてもよい。該置換基は、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ウレイド基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、ハロゲン原子、シアノ基及びニトロ基からなる群より選ばれる。
   Ｒ^２は直鎖状アルキル基、分枝状アルキル基、環状アルキル基又は芳香族基を表す。但し、該アルキル基及び芳香族基における１〜３個の水素原子は、１〜３個の置換基により置換されていてもよい。該置換基はＲ^２が直鎖状アルキル基、分枝状アルキル基又は環状アルキル基である場合は、ハロゲン原子から選ばれる。また、上記の置換基はＲ^２が芳香族基である場合は、アルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルキニル基、アルキルカルボニル基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、メルカプト基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる。
   Ｘは塩素原子、臭素原子又は沃素原子を表す。］
2. アミノアルコール類が、式（１ｄ）で示される化合物であり、且つ、スルホネート類が式（３ｄ）で示される化合物である請求項１に記載のスルホネート類の製造方法。
3. 式（１ｄ）におけるＮ原子を１位としたときのＲ^１及び−ＯＨの置換位置がそれぞれ反時計まわり方向に２位及び４位であり、式（３ｄ）で示される化合物におけるＮ原子を１位としたときのＲ^１及びＲ^２ＳＯ_２−Ｏ−の置換位置がそれぞれ反時計まわり方向に２位及び４位である請求項２に記載のスルホネート類の製造方法。
4. 式（１ｄ）におけるＲ^１が、炭素数２〜７の直鎖状アルコキシカルボニル基、炭素数２〜７の分枝状アルコキシカルボニル基、炭素数６〜９のシクロアルキルオキシカルボニル基、炭素数３〜７のアルケニルオキシカルボニル基、炭素数６〜９のシクロアルケニルオキシカルボニル基、炭素数３〜７のアルキニルオキシカルボニル基、炭素数６〜９のシクロアルキニルオキシカルボニル基、炭素数７〜１０のアリールオキシカルボニル基、炭素数８〜１１のアラルキルオキシカルボニル基、炭素数３〜８の直鎖状アルキルカルボニルオキシカルボニル基、炭素数３〜８の分枝状アルキルカルボニルオキシカルボニル基、炭素数４〜９のアルケニルカルボニルオキシカルボニル基、炭素数３〜８の直鎖状アルキルオキシカルボニルオキシカルボニル基、炭素数３〜８の分枝状アルキルオキシカルボニルオキシカルボニル基、炭素数４〜９のアルケニルオキシカルボニルオキシカルボニル基又は炭素数９〜１２のアラルキルオキシカルボニルオキシカルボニル基であり、且つ、Ａ^１がｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル基又はアリルオキシカルボニル基である請求項２又は３に記載の式（３ｄ）で示されるスルホネート類の製造方法。但し、Ｒ^１及びＡ^１における基の１〜３個の水素原子は１〜３個の置換基により置換されてもよい。
5. 式（１ｄ）におけるＲ^１が、アミノカルボニル基、炭素数２〜７の直鎖状アルキルアミノカルボニル基、炭素数２〜７の分枝状アルキルアミノカルボニル基、炭素数３〜８のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノカルボニル基、炭素数６〜９のＮ−シクロアルキルアミノカルボニル基、炭素数１１〜１７のＮ，Ｎ−ジシクロアルキルアミノカルボニル基、炭素数７〜１５のＮ−アルキル−Ｎ−シクロアルキルアミノカルボニル基、炭素数３〜８のアルケニルアミノカルボニル基、炭素数４〜１０のＮ，Ｎ−ジアルケニルアミノカルボニル基、炭素数６〜９のＮ−シクロアルケニルアミノカルボニル基、炭素数１１〜１７のＮ，Ｎ−ジシクロアルケニルアミノカルボニル基、炭素数８〜１５のＮ−アルケニル−Ｎ−シクロアルキルアミノカルボニル基、炭素数８〜１５のＮ−アルケニル−Ｎ−シクロアルケニルアミノカルボニル基、炭素数７〜１３のＮ−アリールアミノカルボニル基又は炭素数８〜１４のＮ−アラルキルアミノカルボニル基であり、且つ、Ａ^１がｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル基又はアリルオキシカルボニル基である請求項２又は３に記載の式（３ｄ）で示されるスルホネート類の製造方法。但し、Ｒ^１及びＡ^１における基の１〜３個の水素原子は１〜３個の置換基により置換されてもよい。
6. 式(２)と式（３ａ）〜（３ｇ）におけるＲ^２が、芳香族基である請求項１〜５のいずれかに記載の式（３ａ）〜（３ｇ）で示されるスルホネート類の製造方法。
7. 反応溶媒が、炭化水素系溶媒である請求項１〜６のいずれかに記載の式（３ａ）〜（３ｇ）で示されるスルホネート類の製造方法。
8. 下式（４）で示される芳香族スルホネート類。
   

   

   （４）
   ［式中、Ｒ^３は、炭素数１〜６の直鎖状アルキル基、炭素数１〜６の分枝状アルキル基、炭素数５〜８のシクロアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数５〜８のシクロアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数５〜８のシクロアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１３のアラルキル基、炭素数２〜７のアルキルカルボニル基、炭素数３〜８のアルケニルカルボニル基、炭素数３〜８のアルキニルカルボニル基、炭素数２〜７のアルキルオキシカルボニル基、炭素数３〜８のアルケニルオキシカルボニル基又は炭素数８〜１１のアラルキルオキシカルボニル基を表す。但し、Ｒ^３で表される基における１〜３個の水素原子は１〜３個の置換基により置換されてもよい。
   Ａ^２は、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル基又はアリルオキシカルボニル基を表す。Ａｒは、１〜３個の水素原子が１〜３個の置換基により置換されてもよいフェニル基を表す。］
9. 下式(５)で示される芳香族スルホネート類。
   

   

   （５）
   ［式中、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６の直鎖状アルキル基、炭素数１〜６の分枝状アルキル基、炭素数５〜８のシクロアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数５〜８のシクロアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１３のアラルキル基を表す。但し、Ｒ^４及びＲ^５で表される基における１〜３個の水素原子は１〜３個の置換基により置換されてもよい。
   Ａ^２は、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル基又はアリルオキシカルボニル基を表す。Ａｒは、１〜３個の水素原子が１〜３個の置換基により置換されてもよいフェニル基を表す。］
10. Ａｒが、フェニル基である請求項８又は９に記載の芳香族スルホネート類。