JP2005347741A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2005347741A5
JP2005347741A5 JP2005134751A JP2005134751A JP2005347741A5 JP 2005347741 A5 JP2005347741 A5 JP 2005347741A5 JP 2005134751 A JP2005134751 A JP 2005134751A JP 2005134751 A JP2005134751 A JP 2005134751A JP 2005347741 A5 JP2005347741 A5 JP 2005347741A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
slit
irradiation apparatus
thru
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005134751A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5250181B2 (ja
JP2005347741A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2005134751A priority Critical patent/JP5250181B2/ja
Priority claimed from JP2005134751A external-priority patent/JP5250181B2/ja
Publication of JP2005347741A publication Critical patent/JP2005347741A/ja
Publication of JP2005347741A5 publication Critical patent/JP2005347741A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5250181B2 publication Critical patent/JP5250181B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP2005134751A 2004-05-06 2005-05-06 半導体装置の作製方法 Expired - Fee Related JP5250181B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005134751A JP5250181B2 (ja) 2004-05-06 2005-05-06 半導体装置の作製方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004137374 2004-05-06
JP2004137374 2004-05-06
JP2005134751A JP5250181B2 (ja) 2004-05-06 2005-05-06 半導体装置の作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2005347741A JP2005347741A (ja) 2005-12-15
JP2005347741A5 true JP2005347741A5 (enExample) 2008-04-24
JP5250181B2 JP5250181B2 (ja) 2013-07-31

Family

ID=35499781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005134751A Expired - Fee Related JP5250181B2 (ja) 2004-05-06 2005-05-06 半導体装置の作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5250181B2 (enExample)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7812283B2 (en) 2004-03-26 2010-10-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method for fabricating semiconductor device
US8395084B2 (en) 2005-05-02 2013-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and laser irradiation method
JP5137388B2 (ja) * 2005-12-16 2013-02-06 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置、レーザ照射方法及び半導体装置の作製方法
CN101331592B (zh) 2005-12-16 2010-06-16 株式会社半导体能源研究所 激光照射设备、激光照射方法和半导体装置的制造方法
US20090046757A1 (en) * 2007-08-16 2009-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and manufacturing method of semiconductor device
US8598050B2 (en) * 2008-06-26 2013-12-03 Ihi Corporation Laser annealing method and apparatus
JP2010212530A (ja) * 2009-03-12 2010-09-24 Fuji Electric Systems Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP5595021B2 (ja) * 2009-12-03 2014-09-24 住友重機械工業株式会社 レーザ処理装置
KR102388723B1 (ko) * 2015-08-07 2022-04-21 삼성디스플레이 주식회사 레이저 어닐링 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법
KR102463885B1 (ko) * 2015-10-21 2022-11-07 삼성디스플레이 주식회사 레이저 어닐링 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법
WO2018189900A1 (ja) * 2017-04-14 2018-10-18 堺ディスプレイプロダクト株式会社 光照射装置
KR102836621B1 (ko) * 2020-09-01 2025-07-21 삼성디스플레이 주식회사 광학계 및 이를 포함하는 레이저 조사 장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4443646B2 (ja) * 1998-06-04 2010-03-31 東芝モバイルディスプレイ株式会社 多結晶半導体膜の製造方法
JP4397571B2 (ja) * 2001-09-25 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法
US6962860B2 (en) * 2001-11-09 2005-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP4503246B2 (ja) * 2002-06-25 2010-07-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4813743B2 (ja) * 2002-07-24 2011-11-09 株式会社 日立ディスプレイズ 画像表示装置の製造方法
JP2004103628A (ja) * 2002-09-05 2004-04-02 Hitachi Ltd レーザアニール装置及びtft基板のレーザアニール方法
JP4610201B2 (ja) * 2004-01-30 2011-01-12 住友重機械工業株式会社 レーザ照射装置
JP2005217209A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Hitachi Ltd レーザアニール方法およびレーザアニール装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5836998B2 (ja) クラックの生成方法、レーザによる割断方法およびクラック生成装置
KR100937767B1 (ko) 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치 및 그 방법
JP4788712B2 (ja) 制御された熱的、物理的改質を用いるパルスレーザ処理。
US8890027B2 (en) Laser processing method and laser processing system
JP5105984B2 (ja) ビーム照射装置、及び、レーザアニール方法
CN104334312A (zh) 使一工件中具有延伸深度虚饰的激光切割
JPH11330597A (ja) 短パルスレ―ザシステム
JP2006511064A (ja) 基板上のフィルム領域をレーザ結晶化処理してほぼ均一にするプロセス及びシステム、及びこのフィルム領域の構造
JP4408668B2 (ja) 薄膜半導体の製造方法および製造装置
JP2008272794A (ja) レーザによる加工方法およびレーザ加工装置
JP2003203918A5 (enExample)
JP2015018980A (ja) レーザ処理装置、およびレーザ処理方法
Farsari et al. Efficient femtosecond laser micromachining of bulk 3C-SiC
JP2008112981A5 (enExample)
JP2006093677A5 (enExample)
JP2006066904A5 (enExample)
JP2000260731A5 (enExample)
JP4092414B2 (ja) レーザアニール方法
TW200416835A (en) Manufacturing method for crystal film using laser and the crystal film
JP3847172B2 (ja) 結晶成長方法及びレーザアニール装置
JP2006344909A (ja) レーザ照射装置及び半導体装置の製造方法
US20060208167A1 (en) Laser beam processing machine
JP2007237210A (ja) レーザ加工法及び装置
JP2004289140A5 (enExample)
JP2006173587A5 (enExample)