JP2005340639A - Semiconductor device and three-phase inverter device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device and a three-phase inverter device that can secure an excellent heat radiation property and high density mounting and facilitate manufacturing process. <P>SOLUTION: The semiconductor device comprises a semiconductor element module 1 and a conductive heat radiation plate 2. The semiconductor element module 1 comprises a plurality of laminated semiconductor elements D and T, and an interelement conductor 3 which is provided between inside surfaces of the plurality of semiconductor elements D and T and electrically connected to the inside surfaces of the plurality of semiconductor elements D and T. The conductive heat radiation plate 2 comprises a pair of plates 2a and 2b that sandwich the semiconductor element module 1 and are electrically connected to outside surfaces of the plurality of semiconductor elements D and T, and a connecting part 2c for connecting the pair of plates 2a and 2b. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体装置及び三相インバータ装置に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor device and a three-phase inverter device.

従来、半導体素子の放熱性の向上及び高密度実装を可能とするために、積層された複数の半導体素子を放熱板を兼ねた２つの電極端子により挟み込む半導体装置が開示されている（例えば、特許文献１及び２）。
特開２０００−１６４８００号公報 特開２００２−２６２５１号公報 2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor device is disclosed in which a plurality of stacked semiconductor elements are sandwiched between two electrode terminals that also serve as a heat sink in order to improve the heat dissipation of the semiconductor elements and enable high-density mounting (for example, patents). References 1 and 2).
JP 2000-164800 A JP 2002-26251 A

しかし、特許文献１及び２に開示されている半導体装置の放熱板を兼ねた２つの電極端子がそれぞれ同電位でない場合には、両者を絶縁する必要がある。そのため、半導体装置の製造工程が複雑化する。また、２つの電極端子が同電位であっても、これらの電極端子は電気的に接続されていないので、それぞれの電極端子から外部端子に電気的接続をしなければならない。つまり、半導体装置を外部端子と接続する製造工程が複雑化することになる。   However, when the two electrode terminals that also serve as the heat sinks of the semiconductor devices disclosed in Patent Documents 1 and 2 are not at the same potential, it is necessary to insulate them from each other. This complicates the manufacturing process of the semiconductor device. Even if the two electrode terminals are at the same potential, these electrode terminals are not electrically connected, so that each electrode terminal must be electrically connected to the external terminal. That is, the manufacturing process for connecting the semiconductor device to the external terminal becomes complicated.

本発明は、このような事情に鑑みて為されたものであり、良好な放熱性及び高密度実装を可能としつつ、さらに製造工程の容易化を図ることが可能な半導体装置及び三相インバータ装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and a semiconductor device and a three-phase inverter device capable of facilitating the manufacturing process while enabling good heat dissipation and high-density mounting. The purpose is to provide.

（１）本発明の半導体装置
本発明の半導体装置は、半導体素子モジュールと、導電性放熱板と、を備えたことを特徴とする。ここで、半導体素子モジュールは、積層された複数の半導体素子と、前記複数の半導体素子の内側面の間に設けられ前記複数の半導体素子の内側面に電気的に接続された素子間導電体部と、を有するモジュールである。導電性放熱板は、前記半導体素子モジュールを挟み込み前記複数の半導体素子のうち両端側に設けられた半導体素子の外側面に電気的に接続された一対の板部と、該一対の板部を連結する連結部と、を有する放熱板である。 (1) Semiconductor Device of the Present Invention The semiconductor device of the present invention includes a semiconductor element module and a conductive heat sink. Here, the semiconductor element module includes a plurality of stacked semiconductor elements and an inter-element conductor portion provided between inner surfaces of the plurality of semiconductor elements and electrically connected to the inner surfaces of the plurality of semiconductor elements. And a module having The conductive heat sink is connected to a pair of plate portions that are electrically connected to outer surfaces of semiconductor elements provided on both ends of the plurality of semiconductor elements with the semiconductor element module interposed therebetween, and the pair of plate portions. A heat sink having a connecting portion.

ここで、複数の半導体素子のうち両端側に設けられた半導体素子の外側面は、導電性放熱板により電気的に接続されている。つまり、両端側に設けられた半導体素子の何れかの端子が、同電位となるようにされている。また、積層された複数の半導体素子の内側面とは、一の半導体素子の第１の面の少なくとも一部と他の半導体素子の第１の面の少なくとも一部とが対向している場合における前記一の半導体素子の第１の面及び前記他の半導体素子の第１の面のみならず、次の場合を含む意味である。すなわち、複数の半導体素子の内側面とは、一の半導体素子の第１の面を含む一の平面と他の半導体素子の第１の面を含む他の平面とが対向している場合における前記一の半導体素子の第１の面及び前記他の半導体の第１の面を含む。なお、半導体素子の前記内側面の裏面側が、半導体素子の前記外側面となる。   Here, the outer surfaces of the semiconductor elements provided on both ends of the plurality of semiconductor elements are electrically connected by a conductive heat sink. That is, one of the terminals of the semiconductor elements provided on both ends is set to the same potential. Further, the inner surface of the plurality of stacked semiconductor elements is the case where at least a part of the first surface of one semiconductor element and at least a part of the first surface of another semiconductor element are opposed This means not only the first surface of the one semiconductor element and the first surface of the other semiconductor element but also includes the following cases. That is, the inner surface of the plurality of semiconductor elements is the one in which the one plane including the first surface of one semiconductor element and the other plane including the first surface of the other semiconductor element face each other. A first surface of one semiconductor element and a first surface of the other semiconductor are included. The back side of the inner side surface of the semiconductor element becomes the outer side surface of the semiconductor element.

（２）本発明の三相インバータ装置
また、本発明の三相インバータ装置は、上述した本発明の半導体装置を用いた三相インバータ装置である。具体的には、本発明の三相インバータ装置は、以下の第１の三相インバータ装置と第２の三相インバータ装置とがある。 (2) Three-phase inverter device of the present invention The three-phase inverter device of the present invention is a three-phase inverter device using the semiconductor device of the present invention described above. Specifically, the three-phase inverter device of the present invention includes the following first three-phase inverter device and second three-phase inverter device.

（２．１）本発明の第１の三相インバータ装置
本発明の第１の三相インバータ装置は、３つの上アーム用スイッチングモジュールと、３つの下アーム用スイッチングモジュールと、正極電極放熱板端子と、負極電極放熱板端子と、Ｕ相電極端子と、Ｖ相電極端子と、Ｗ相電極端子と、を備えることを特徴とする。 (2.1) First three-phase inverter device of the present invention The first three-phase inverter device of the present invention includes three upper arm switching modules, three lower arm switching modules, and a positive electrode heat dissipation plate terminal. And a negative electrode heat radiation plate terminal, a U-phase electrode terminal, a V-phase electrode terminal, and a W-phase electrode terminal.

ここで、上アーム用スイッチングモジュールは、積層された上アーム用スイッチングトランジスタ素子及び上アーム用ダイオード素子と、該上アーム用スイッチングトランジスタ素子と該上アーム用ダイオード素子との内側面の間に設けられ該上アーム用スイッチングトランジスタ素子及び該上アーム用ダイオード素子の内側面に電気的に接続された上アーム用素子間導電体部と、を有するモジュールである。下アーム用スイッチングモジュールは、積層された下アーム用スイッチングトランジスタ素子及び下アーム用ダイオード素子と、該下アーム用スイッチングトランジスタ素子と該下アーム用ダイオード素子との内側面の間に設けられ該下アーム用スイッチングトランジスタ素子及び該下アーム用ダイオード素子の内側面に電気的に接続された下アーム用素子間導電体部と、を有するモジュールである。   Here, the upper arm switching module is provided between the stacked upper arm switching transistor element and upper arm diode element, and the inner surface of the upper arm switching transistor element and the upper arm diode element. The upper arm switching transistor element and the upper arm inter-element conductor portion electrically connected to the inner surface of the upper arm diode element. The lower arm switching module is provided between the stacked lower arm switching transistor element and lower arm diode element, and the inner surface of the lower arm switching transistor element and the lower arm diode element. And a lower-arm inter-element conductor portion electrically connected to the inner surface of the lower-arm diode element.

正極電極放熱板端子は、３つの前記上アーム用スイッチングモジュールを挟み込み前記上アーム用スイッチングトランジスタ素子及び前記上アーム用ダイオード素子の外側面に電気的に接続された一対の板部と該一対の板部を連結する連結部と、を有する端子である。負極電極放熱板端子は、３つの前記下アーム用スイッチングモジュールを挟み込み前記下アーム用スイッチングトランジスタ素子及び前記下アーム用ダイオード素子の外側面に電気的に接続された一対の板部と該一対の板部を連結する連結部と、を有する端子である。Ｕ相電極端子は、第１の前記上アーム用素子間導電体部及び第１の前記下アーム用素子間導電体部に電気的に接続された端子である。Ｖ相電極端子は、第２の前記上アーム用素子間導電体部及び第２の前記下アーム用素子間導電体部に電気的に接続された端子である。Ｗ相電極端子は、第２の前記上アーム用素子間導電体部及び第２の前記下アーム用素子間導電体部に電気的に接続された端子である。   The positive electrode heat dissipation plate terminal includes a pair of plate portions sandwiched between the three upper arm switching modules and electrically connected to outer surfaces of the upper arm switching transistor element and the upper arm diode element, and the pair of plates. It is a terminal which has a connection part which connects a part. The negative electrode heat radiation plate terminal includes a pair of plate portions sandwiched between the three lower arm switching modules and electrically connected to outer surfaces of the lower arm switching transistor element and the lower arm diode element, and the pair of plates. It is a terminal which has a connection part which connects a part. The U-phase electrode terminal is a terminal electrically connected to the first upper arm inter-element conductor portion and the first lower arm inter-element conductor portion. The V-phase electrode terminal is a terminal electrically connected to the second inter-element conductor for upper arm and the second inter-element conductor for lower arm. The W-phase electrode terminal is a terminal electrically connected to the second upper arm inter-element conductor portion and the second lower arm inter-element conductor portion.

なお、正極電極放熱板端子は、正極電極端子と両面放熱板としての役割を有している。また、負極電極放熱板端子は、負極電極端子と両面放熱板としての役割を有している。   The positive electrode heat radiation plate terminal has a role as a positive electrode terminal and a double-sided heat radiation plate. Moreover, the negative electrode electrode heat sink terminal has a role as a negative electrode electrode terminal and a double-sided heat sink.

（２．２）本発明の第２の三相インバータ装置
本発明の第２の三相インバータ装置は、２つのＵ相アーム用スイッチングモジュールと、２つのＶ相アーム用スイッチングモジュールと、２つのＷ相アーム用スイッチングモジュールと、Ｕ相電極放熱板端子と、Ｖ相電極放熱板端子と、Ｗ相電極放熱板端子と、正極電極端子と、負極電極端子と、を備えたことを特徴とする。 (2.2) Second Three-Phase Inverter Device of the Present Invention The second three-phase inverter device of the present invention includes two U-phase arm switching modules, two V-phase arm switching modules, and two W A phase arm switching module, a U-phase electrode heat dissipation plate terminal, a V-phase electrode heat dissipation plate terminal, a W-phase electrode heat dissipation plate terminal, a positive electrode terminal, and a negative electrode terminal are provided.

ここで、２つのＵ相アーム用スイッチングモジュールは、積層されたＵ相アーム用スイッチングトランジスタ素子及びＵ相アーム用ダイオード素子と、該Ｕ相アーム用スイッチングトランジスタ素子と該Ｕ相アーム用ダイオード素子との内側面の間に設けられ該Ｕ相アーム用スイッチングトランジスタ素子及び該Ｕ相アーム用ダイオード素子の内側面に電気的に接続されたＵ相アーム用素子間導電体部と、を有するモジュールである。２つのＶ相アーム用スイッチングモジュールは、積層されたＶ相アーム用スイッチングトランジスタ素子及びＶ相アーム用ダイオード素子と、該Ｖ相アーム用スイッチングトランジスタ素子と該Ｖ相アーム用ダイオード素子との内側面の間に設けられ該Ｖ相アーム用スイッチングトランジスタ素子及び該Ｖ相アーム用ダイオード素子の内側面に電気的に接続されたＶ相アーム用素子間導電体部と、を有するモジュールである。２つのＷ相アーム用スイッチングモジュールは、積層されたＷ相アーム用スイッチングトランジスタ素子及びＷ相アーム用ダイオード素子と、該Ｗ相アーム用スイッチングトランジスタ素子と該Ｗ相アーム用ダイオード素子との内側面の間に設けられ該Ｗ相アーム用スイッチングトランジスタ素子及び該Ｗ相アーム用ダイオード素子の内側面に電気的に接続されたＷ相アーム用素子間導電体部と、を有するモジュールである。   Here, the two U-phase arm switching modules include a stacked U-phase arm switching transistor element and U-phase arm diode element, and the U-phase arm switching transistor element and the U-phase arm diode element. And a U-phase arm inter-element conductor portion electrically connected to the inner side surface of the U-phase arm switching transistor element and the U-phase arm diode element. The two V-phase arm switching modules include stacked V-phase arm switching transistor elements and V-phase arm diode elements, and inner surfaces of the V-phase arm switching transistor elements and the V-phase arm diode elements. A V-phase arm switching transistor element and a V-phase arm inter-element conductor portion electrically connected to the inner surface of the V-phase arm diode element. The two W-phase arm switching modules include stacked W-phase arm switching transistor elements and W-phase arm diode elements, and inner surfaces of the W-phase arm switching transistor elements and the W-phase arm diode elements. And a W-phase arm switching transistor element and a W-phase arm inter-element conductor portion electrically connected to the inner surface of the W-phase arm diode element.

Ｕ相電極放熱板端子は、２つの前記Ｕ相アーム用スイッチングモジュールを挟み込み前記Ｕ相アーム用スイッチングトランジスタ素子及び前記Ｕ相アーム用ダイオード素子の外側面に電気的に接続された一対の板部と該一対の板部を連結する連結部と、を有する端子である。Ｖ相電極放熱板端子は、２つの前記Ｖ相アーム用スイッチングモジュールを挟み込み前記Ｖ相アーム用スイッチングトランジスタ素子及び前記Ｖ相アーム用ダイオード素子の外側面に電気的に接続された一対の板部と該一対の板部を連結する連結部と、を有する端子である。Ｗ相電極放熱板端子は、２つの前記Ｗ相アーム用スイッチングモジュールを挟み込み前記Ｗ相アーム用スイッチングトランジスタ素子及び前記Ｗ相アーム用ダイオード素子の外側面に電気的に接続された一対の板部と該一対の板部を連結する連結部と、を有する端子である。正極電極端子は、第１の前記Ｕ相アーム用素子間導電体部、第１の前記Ｖ相アーム用素子間導電体部及び第１の前記Ｗ相アーム用素子間導電体部に電気的に接続された端子である。負極電極端子は、第２の前記Ｕ相アーム用素子間導電体部、第２の前記Ｖ相アーム用素子間導電体部及び第２の前記Ｗ相アーム用素子間導電体部に電気的に接続された端子である。   The U-phase electrode heat sink terminal sandwiches two U-phase arm switching modules and is electrically connected to the outer surface of the U-phase arm switching transistor element and the U-phase arm diode element. And a connecting portion that connects the pair of plate portions. The V-phase electrode heat dissipation plate terminal includes a pair of plate portions sandwiched between the two V-phase arm switching modules and electrically connected to the outer surfaces of the V-phase arm switching transistor element and the V-phase arm diode element. And a connecting portion that connects the pair of plate portions. A W-phase electrode heat dissipation plate terminal sandwiches the two W-phase arm switching modules, and a pair of plate portions electrically connected to the outer surface of the W-phase arm switching transistor element and the W-phase arm diode element And a connecting portion that connects the pair of plate portions. The positive electrode terminal is electrically connected to the first inter-element conductor portion for the U-phase arm, the first inter-element conductor portion for the V-phase arm, and the first inter-conductor conductor portion for the W-phase arm. It is a connected terminal. The negative electrode terminal is electrically connected to the second inter-element conductor portion for the U-phase arm, the second inter-conductor conductor portion for the V-phase arm, and the second inter-conductor conductor portion for the W-phase arm. It is a connected terminal.

なお、Ｕ相電極放熱板端子は、Ｕ相電極端子と両面放熱板としての役割を有している。また、Ｖ相電極放熱板端子は、Ｖ相電極端子と両面放熱板としての役割を有している。また、Ｗ相電極放熱板端子は、Ｗ相電極端子と両面放熱板としての役割を有している。   The U-phase electrode heat dissipation plate terminal serves as a U-phase electrode terminal and a double-sided heat dissipation plate. Moreover, the V-phase electrode heat sink terminal has a role as a V-phase electrode terminal and a double-side heat sink. Further, the W-phase electrode heat dissipation plate terminal serves as a W-phase electrode terminal and a double-sided heat dissipation plate.

（１）本発明の半導体装置の効果
本発明の半導体装置によれば、複数の半導体素子を積層しているので、高密度実装が可能となる。このことにより、半導体装置全体の小型化を図ることができる。さらに、本発明の半導体装置は、導電性放熱板のうちの一対の板部により半導体素子の両面放熱を行うことができるので、良好な放熱性を確保することができる。さらに、導電性放熱板が積層された複数の半導体素子のうち両端側に設けられた半導体素子の外側面に電気的に接続しているので、導電性放熱板の何れか１カ所のみから外部端子に電気的接続を行えばよい。つまり、従来のようにそれぞれの放熱板から外部端子に電気的接続を行う必要がない。また、そもそも導電性放熱板は電気的に導通しているので、従来のような２つの放熱板を絶縁する必要もない。つまり、本発明の半導体装置によれば、外部端子と接続する製造工程及び半導体装置そのものの製造工程の容易化を図ることができる。 (1) Effect of the semiconductor device of the present invention According to the semiconductor device of the present invention, since a plurality of semiconductor elements are stacked, high-density mounting is possible. As a result, the overall size of the semiconductor device can be reduced. Further, since the semiconductor device of the present invention can perform heat radiation on both sides of the semiconductor element by the pair of plate portions of the conductive heat radiation plate, it is possible to ensure good heat radiation. Furthermore, since it is electrically connected to the outer surface of the semiconductor element provided on both ends of the plurality of semiconductor elements on which the conductive heat sink is laminated, the external terminal can be connected from only one place of the conductive heat sink. The electrical connection may be made. That is, it is not necessary to make an electrical connection from each heat sink to the external terminal as in the prior art. In addition, since the conductive heat sink is electrically conductive in the first place, it is not necessary to insulate the conventional two heat sinks. That is, according to the semiconductor device of the present invention, the manufacturing process for connecting to the external terminal and the manufacturing process of the semiconductor device itself can be facilitated.

（２）本発明の第１の三相インバータ装置及び第２の三相インバータ装置の効果
本発明の三相インバータ装置によれば、並列接続されたスイッチングトランジスタ素子とダイオード素子とが積層されているので、高密度実装が可能となる。すなわち、三相インバータ装置の小型化を図ることができる。さらに、本発明の三相インバータ装置は、電極放熱板端子のうちの一対の板部によりスイッチングトランジスタ素子及びダイオード素子の両面放熱を行うことができるので、良好な放熱性を確保することができる。さらに、電極放熱板端子が積層されたスイッチングトランジスタ素子及びダイオード素子の外側面に電気的に接続しているので、電極放熱板端子の何れか１カ所のみから外部端子に電気的接続を行えばよい。つまり、従来のようにそれぞれの放熱板から外部端子に電気的接続を行う必要がない。また、そもそも１つの電極放熱板端子は電気的に導通しているので、従来のような２つの放熱板を絶縁する必要もない。つまり、本発明の三相インバータ装置によれば、外部端子との接続する製造工程及び三相インバータ装置そのものの製造工程の容易化を図ることができる。 (2) Effects of the first three-phase inverter device and the second three-phase inverter device of the present invention According to the three-phase inverter device of the present invention, the switching transistor elements and the diode elements connected in parallel are stacked. Therefore, high-density mounting becomes possible. That is, it is possible to reduce the size of the three-phase inverter device. Furthermore, since the three-phase inverter device of the present invention can perform both-side heat dissipation of the switching transistor element and the diode element by the pair of plate portions of the electrode heat dissipation plate terminals, it is possible to ensure good heat dissipation. Further, since the electrode heat sink terminals are electrically connected to the outer surfaces of the switching transistor element and the diode element in which the electrode heat sink terminals are stacked, it is only necessary to make an electrical connection from only one of the electrode heat sink terminals to the external terminals. . That is, it is not necessary to make an electrical connection from each heat sink to the external terminal as in the prior art. In addition, since one electrode heat dissipation plate terminal is electrically conductive in the first place, it is not necessary to insulate the conventional two heat dissipation plates. That is, according to the three-phase inverter device of the present invention, it is possible to facilitate the manufacturing process of connecting to the external terminal and the manufacturing process of the three-phase inverter device itself.

次に、実施形態を挙げ、本発明をより詳しく説明する。   Next, the present invention will be described in more detail with reference to embodiments.

（１）本発明の半導体装置の実施形態
本発明の半導体装置は、上述したように、半導体素子モジュールと、導電性放熱板とを備える。ここで、前記導電性放熱板の前記一対の板部は、略平行であることが好ましい。これにより、半導体装置を例えば扁平形状とすることができ、半導体装置全体としてまとまりよく小型化を図ることができる。さらに、一対の板部を略平行とすることにより、導電性放熱板自身の製造容易化及び半導体装置全体の製造容易化を図ることができる。ただし、一対の板部は略平行でなく、例えば、一対の板部間の距離が異なるようにしてもよい。さらに、一対の板部は、平板状に限られることなく、曲板状や凹凸状など種々の形状からなるようにしてもよい。 (1) Embodiment of Semiconductor Device of the Present Invention As described above, the semiconductor device of the present invention includes a semiconductor element module and a conductive heat sink. Here, it is preferable that the pair of plate portions of the conductive heat radiating plate are substantially parallel. As a result, the semiconductor device can be made flat, for example, and the semiconductor device as a whole can be reduced in size and size. Furthermore, by making the pair of plate portions substantially parallel, it is possible to facilitate manufacture of the conductive heat dissipation plate itself and manufacture of the entire semiconductor device. However, the pair of plate portions is not substantially parallel, and for example, the distance between the pair of plate portions may be different. Furthermore, the pair of plate portions is not limited to a flat plate shape, and may be formed in various shapes such as a curved plate shape and an uneven shape.

また、前記導電性放熱板は、電極端子としてもよい。導電性放熱板を電極端子とすることにより、導電性放熱板に直接的に外部電極などを接続することができる。その結果、半導体装置の電極端子を別途設ける必要がなく、小型化及び製造工程の容易化を図ることができる。   Further, the conductive heat sink may be an electrode terminal. By using the conductive heat sink as an electrode terminal, an external electrode or the like can be directly connected to the conductive heat sink. As a result, there is no need to separately provide an electrode terminal of the semiconductor device, and the size reduction and the manufacturing process can be facilitated.

また、前記半導体素子は、前記素子間導電体部の一方側の面に複数設けられるようにしてもよい。すなわち、一対の板部のうち一方の板部と素子間導電体部との間に、複数の半導体素子が設けられることになる。   A plurality of the semiconductor elements may be provided on one surface of the inter-element conductor portion. That is, a plurality of semiconductor elements are provided between one of the pair of plate portions and the inter-element conductor portion.

また、前記半導体素子モジュールは複数であって、前記導電性放熱板は、複数の前記半導体素子モジュールを挟み込むようにしてもよい。ただし、それぞれの半導体素子モジュールのうちの両端側に設けられた半導体素子の外側面の何れかの端子が、同電位となるように設ける必要がある。これにより、複数の半導体素子モジュールの電気的接続を導電性放熱板により直接的に行うことができるので、複数の半導体素子モジュール間のインダクタンスを低減することができる。さらに、一の導電性放熱板により複数の半導体素子モジュールを挟み込むことができるので、半導体装置の小型化を図ることができる。さらに、導電性放熱板を電極端子とする場合には、電極端子の数を減少させることができる。   Further, there may be a plurality of the semiconductor element modules, and the conductive heat sink may sandwich the plurality of semiconductor element modules. However, it is necessary to provide one of the terminals on the outer surface of the semiconductor element provided at both ends of each semiconductor element module so as to have the same potential. Thereby, since the electrical connection of the plurality of semiconductor element modules can be directly performed by the conductive heat sink, the inductance between the plurality of semiconductor element modules can be reduced. Furthermore, since a plurality of semiconductor element modules can be sandwiched by one conductive heat radiating plate, the semiconductor device can be miniaturized. Furthermore, when the conductive heat sink is used as an electrode terminal, the number of electrode terminals can be reduced.

また、前記導電性放熱板は、前記一対の板部及び前記連結部を一体成形した略コの字型の断面形状からなるようにしてもよい。このように導電性放熱板を一体成形することにより、部品点数の低減を図ることができる。さらに、略コの字型の断面形状とすることにより、略コの字の開口側から半導体素子モジュールを設けることができるので、比較的容易に半導体素子モジュールを設けることができる。さらに、略コの字型の断面形状とすることにより、半導体素子モジュールを確実に挟み込むことができ、良好な放熱性を得ることができる。ここで、略コの字型とは、コの字型のみならず、例えば、くの字型及びＣ字型などを含む。   The conductive heat radiating plate may have a substantially U-shaped cross-sectional shape in which the pair of plate portions and the connecting portion are integrally formed. Thus, by integrally molding the conductive heat sink, the number of parts can be reduced. Furthermore, since the semiconductor element module can be provided from the substantially U-shaped opening side by adopting a substantially U-shaped cross-sectional shape, the semiconductor element module can be provided relatively easily. Further, by adopting a substantially U-shaped cross-sectional shape, the semiconductor element module can be securely sandwiched and good heat dissipation can be obtained. Here, the substantially U-shape includes not only the U-shape but also, for example, the Ku-shape and C-shape.

また、前記導電性放熱板は、少なくとも前記一対の板部のうち一方の前記板部を含む第１導電性放熱板部と、少なくとも前記一対の板部のうち他方の前記板部を含み前記第１導電性放熱板部に電気的に接続され前記第１導電性放熱板部に固定された第２導電性放熱板部と、を有するようにしてもよい。導電性放熱板を第１導電性放熱板部と第２導電性放熱板部とに分割することにより、半導体素子モジュールを非常に容易に設けることができる。なお、第１導電性放熱板部と第２導電性放熱板部とは、例えばビスにより固定してもよいし、導電性接着剤などにより固定してもよい。そして、第１導電性放熱板部と第２導電性放熱板部との当接部位には、例えば、導電性樹脂やはんだなどを設けることが好ましい。導電性樹脂やはんだなどを設けることにより、第１導電性放熱板部と第２導電性放熱板部との電気的接続を確実に行うことができる。   The conductive heat sink includes at least a first conductive heat sink including at least one of the pair of plates, and at least the other of the pair of plates. A second conductive heat dissipation plate portion electrically connected to the first conductive heat dissipation plate portion and fixed to the first conductive heat dissipation plate portion. By dividing the conductive heat radiating plate into the first conductive heat radiating plate portion and the second conductive heat radiating plate portion, the semiconductor element module can be provided very easily. The first conductive heat radiating plate portion and the second conductive heat radiating plate portion may be fixed by screws, for example, or may be fixed by a conductive adhesive or the like. And it is preferable to provide conductive resin, solder, etc. in the contact part of a 1st conductive heat sink part and a 2nd conductive heat sink part, for example. By providing conductive resin, solder, or the like, electrical connection between the first conductive heat radiating plate portion and the second conductive heat radiating plate portion can be reliably performed.

なお、前記第２導電性放熱板部は、前記第１導電性放熱板部に複数箇所で固定されるようにしてもよい。第１導電性放熱板部と第２導電性放熱板部とを複数箇所で固定することにより、半導体素子モジュールを確実に固定することができる。   The second conductive heat radiating plate portion may be fixed to the first conductive heat radiating plate portion at a plurality of locations. The semiconductor element module can be reliably fixed by fixing the first conductive heat dissipation plate portion and the second conductive heat dissipation plate portion at a plurality of locations.

また、前記複数の半導体素子は、スイッチングトランジスタ素子及びダイオード素子であるとしてもよい。スイッチングトランジスタ素子とダイオード素子とは、例えば、インバータ回路などに非常に多く利用されている。具体的には、スイッチングトランジスタ素子とダイオード素子が並列接続された回路がインバータ回路に用いられている。そこで、本発明の複数の半導体素子をスイッチングトランジスタ素子及びダイオード素子とすることにより、当該半導体装置を用いる装置の小型化などを図ることができる。ここで、スイッチングトランジスタ素子は、例えば、トランジスタ素子、ＦＥＴ素子、ＭＯＳＦＥＴ素子、ＩＧＢＴ素子などである。   The plurality of semiconductor elements may be switching transistor elements and diode elements. Switching transistor elements and diode elements are used very often in, for example, inverter circuits. Specifically, a circuit in which a switching transistor element and a diode element are connected in parallel is used for an inverter circuit. Therefore, by using a plurality of semiconductor elements of the present invention as switching transistor elements and diode elements, it is possible to reduce the size of a device using the semiconductor device. Here, the switching transistor element is, for example, a transistor element, a FET element, a MOSFET element, or an IGBT element.

ここで、例えば、スイッチングトランジスタ素子のコレクタ（ドレイン）側とダイオード素子のカソード側とを接続し、かつ、スイッチングトランジスタ素子のエミッタ（ソース）側とダイオード素子のアノード側とを接続するように構成するとする。この場合、導電性放熱板は、コレクタ（ドレイン）側及びカソード側の電極、若しくは、エミッタ（ソース）側及びアノードが側の電極の何れかとなる。なお、スイッチングトランジスタ素子のゲート（ベース）側の電極は、例えば、ワイヤボンディングにより接続してもよいし、電極端子に接続してもよいし、導電性放熱板の表面側に絶縁層を介して形成された配線回路に接続してもよい。   Here, for example, the collector (drain) side of the switching transistor element and the cathode side of the diode element are connected, and the emitter (source) side of the switching transistor element and the anode side of the diode element are connected. To do. In this case, the conductive heat radiating plate is either a collector (drain) side and cathode side electrode, or an emitter (source) side and anode side electrode. The gate (base) side electrode of the switching transistor element may be connected by, for example, wire bonding, an electrode terminal, or an insulating layer on the surface side of the conductive heat sink. You may connect to the formed wiring circuit.

また、前記半導体装置は、インバータ装置に用いられる半導体装置としてもよい。インバータ装置とは、いわゆるフルブリッジ回路により構成されるインバータ装置や三相インバータ装置を含む。もちろん、本発明の半導体装置は、インバータ装置の他、ＤＣ−ＤＣコンバータなどに適用することもできる。   The semiconductor device may be a semiconductor device used for an inverter device. The inverter device includes an inverter device constituted by a so-called full bridge circuit and a three-phase inverter device. Needless to say, the semiconductor device of the present invention can be applied to a DC-DC converter or the like in addition to the inverter device.

（２）本発明の三相インバータ装置の実施形態
（２．１）本発明の第１の三相インバータ装置の実施形態
本発明の第１の三相インバータ装置は、上述したように、３つの上アーム用スイッチングモジュールと、３つの下アーム用スイッチングモジュールと、正極電極放熱板端子と、負極電極放熱板端子と、Ｕ相電極端子と、Ｖ相電極端子と、Ｗ相電極端子とを備える。ここで、前記Ｕ相電極端子は、第１の前記上アーム用素子間導電体部及び第１の前記下アーム用素子間導電体部に一体成形され、前記Ｖ相電極端子は、第２の前記上アーム用素子間導電体部及び第２の前記下アーム用素子間導電体部に一体成形され、前記Ｗ相電極端子は、第３の前記上アーム用素子間導電体部及び第３の前記下アーム用素子間導電体部に一体成形されるようにしてもよい。 (2) Embodiment of the three-phase inverter device of the present invention (2.1) Embodiment of the first three-phase inverter device of the present invention As described above, the first three-phase inverter device of the present invention includes three An upper arm switching module, three lower arm switching modules, a positive electrode heat dissipation plate terminal, a negative electrode heat dissipation plate terminal, a U phase electrode terminal, a V phase electrode terminal, and a W phase electrode terminal are provided. Here, the U-phase electrode terminal is integrally formed with the first inter-element conductor portion for the upper arm and the first inter-element conductor portion for the lower arm, and the V-phase electrode terminal is The upper arm inter-element conductor part and the second lower arm inter-element conductor part are integrally formed, and the W-phase electrode terminal is connected to the third upper arm inter-element conductor part and a third The lower arm inter-element conductor may be integrally formed.

これにより、それぞれの上アーム用素子間導電体部と下アーム用素子間導電体部と各相の電極端子との電気的接続を直接的に行うことができるので、上アーム用素子間導電体部と下アーム用素子間導電体部との間及び各素子間導電体部と各相電極端子との間におけるインダクタンスを低減することができる。さらに、製造工程の容易化を図ることができる。各相電極端子が上アーム用素子間導電体部及び下アーム用素子間導電体部に一体成形されていない場合には、両者の電気的接続を行うための製造工程が必要であった。しかし、本発明によれば、各相電極端子と上アーム用素子間導電体部及び下アーム用素子間導電体部とが一体成形されているので、前記電気的接続のための製造工程が不要となる。   As a result, the upper arm inter-element conductor, the lower arm inter-element conductor, and the electrode terminals of each phase can be directly connected, so that the upper arm inter-element conductor It is possible to reduce the inductance between the part and the lower-arm inter-element conductor part and between each inter-element conductor part and each phase electrode terminal. Furthermore, the manufacturing process can be facilitated. When each phase electrode terminal is not integrally formed with the upper arm inter-element conductor portion and the lower arm inter-element conductor portion, a manufacturing process for electrical connection between them is required. However, according to the present invention, each phase electrode terminal, the inter-element conductor for the upper arm and the inter-element conductor for the lower arm are integrally formed, so that the manufacturing process for the electrical connection is unnecessary. It becomes.

（２．２）本発明の第２の三相インバータ装置の実施形態
本発明の第２の三相インバータ装置は、上述したように、２つのＵ相アーム用スイッチングモジュールと、２つのＶ相アーム用スイッチングモジュールと、２つのＷ相アーム用スイッチングモジュールと、Ｕ相電極放熱板端子と、Ｖ相電極放熱板端子と、Ｗ相電極放熱板端子と、正極電極端子と、負極電極端子とを備える。ここで、前記正極電極端子は、第１の前記Ｕ相アーム用素子間導電体部、第１の前記Ｖ相アーム用素子間導電体部及び第１の前記Ｗ相アーム用素子間導電体部に一体成形され、前記負極電極端子は、第２の前記Ｕ相アーム用素子間導電体部、第２の前記Ｖ相アーム用素子間導電体部及び第２の前記Ｗ相アーム用素子間導電体部に一体成形されるようにしてもよい。 (2.2) Embodiment of Second Three-Phase Inverter Device of the Present Invention As described above, the second three-phase inverter device of the present invention includes two U-phase arm switching modules and two V-phase arms. Switching module, two W-phase arm switching modules, a U-phase electrode heat sink terminal, a V-phase electrode heat sink terminal, a W-phase electrode heat sink terminal, a positive electrode terminal, and a negative electrode terminal . Here, the positive electrode terminal includes the first inter-element conductor portion for the U-phase arm, the first inter-element conductor portion for the V-phase arm, and the first inter-conductor conductor portion for the W-phase arm. And the negative electrode terminal includes a second inter-element conductor portion for the U-phase arm, a second inter-element conductor portion for the V-phase arm, and a second inter-element conductor for the W-phase arm. It may be formed integrally with the body part.

これにより、それぞれのＵ相アーム用素子間導電体部とＶ相アーム用素子間導電体部とＷ相アーム用素子間導電体部と正極又は負極電極端子との電気的接続を直接的に行うことができるので、各相アーム用素子間導電体部の間及び各相アーム用素子間導電体部と正極又は負極電極端子との間におけるインダクタンスを低減することができる。さらに、製造工程の容易化を図ることができる。正極又は負極電極端子が各相アーム用素子間導電体部に一体成形されていない場合には、両者の電気的接続を行うための製造工程が必要であった。しかし、本発明によれば、正極又は負極電極端子と各相アーム用素子間導電体部とが一体成形されているので、前記電気的接続のための製造工程が不要となる。   As a result, the electrical connection between the U-arm inter-element conductor part, the V-phase arm inter-element conductor part, the W-phase arm inter-element conductor part, and the positive or negative electrode terminal is directly performed. Therefore, the inductance between each phase arm inter-element conductor part and between each phase arm inter-element conductor part and the positive electrode or negative electrode terminal can be reduced. Furthermore, the manufacturing process can be facilitated. When the positive electrode or the negative electrode terminal is not integrally formed with the inter-element conductor for each phase arm, a manufacturing process for electrically connecting them is necessary. However, according to the present invention, since the positive or negative electrode terminal and the inter-element conductor for each phase arm are integrally formed, the manufacturing process for the electrical connection becomes unnecessary.

次に、実施例を挙げて、本発明をより具体的に説明する。なお、以下に示す第１実施例〜第４実施例については、１又は２のＩＧＢＴモジュールを含む半導体装置の実施例であって、第５実施例及び第６実施例は三相インバータ装置の実施例である。   Next, an Example is given and this invention is demonstrated more concretely. In addition, about 1st Example-4th Example shown below, it is an Example of the semiconductor device containing 1 or 2 IGBT modules, Comprising: 5th Example and 6th Example are implementation of a three-phase inverter apparatus. It is an example.

（１）第１実施例の半導体装置
第１実施例の半導体装置について図１及び図２を参照して説明する。図１は、第１実施例の半導体装置の側面図である。図２は、第１実施例の半導体装置の回路構成図である。 (1) Semiconductor Device of First Embodiment A semiconductor device of the first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a side view of the semiconductor device of the first embodiment. FIG. 2 is a circuit configuration diagram of the semiconductor device of the first embodiment.

（１．１）第１実施例の半導体装置の回路
まず、図２を参照して第１実施例の半導体装置の回路構成を説明する。図２に示すように、第１実施例の半導体装置は、ＩＧＢＴ素子Ｔとダイオード素子Ｄとが並列に接続されている。具体的には、ＩＧＢＴ素子Ｔのコレクタ側とダイオード素子Ｄのカソード側とが接続され、ＩＧＢＴ素子Ｔのエミッタ側とダイオード素子Ｄのアノード側とが接続されている。 (1.1) Circuit of Semiconductor Device of First Example First, the circuit configuration of the semiconductor device of the first example will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2, in the semiconductor device of the first embodiment, an IGBT element T and a diode element D are connected in parallel. Specifically, the collector side of the IGBT element T and the cathode side of the diode element D are connected, and the emitter side of the IGBT element T and the anode side of the diode element D are connected.

（１．２）第１実施例の半導体装置の構成
次に、図１を参照して、第１実施例の半導体装置について詳細に説明する。図１に示すように、第１実施例の半導体装置は、ＩＧＢＴモジュール（半導体素子モジュール）１と、コレクタ側電極端子（導電性放熱板）２と、エミッタ側電極端子４とから構成される。ＩＧＢＴモジュール１は、ＩＧＢＴ素子Ｔと、ダイオード素子Ｄと、素子間導電体部３と、ゲート配線５とから構成される。そして、図１に示すように、ＩＧＢＴ素子Ｔと、ダイオード素子Ｄと、素子間導電体部３とは、積層されている。 (1.2) Configuration of Semiconductor Device of First Example Next, the semiconductor device of the first example will be described in detail with reference to FIG. As shown in FIG. 1, the semiconductor device of the first embodiment includes an IGBT module (semiconductor element module) 1, a collector side electrode terminal (conductive heat dissipation plate) 2, and an emitter side electrode terminal 4. The IGBT module 1 includes an IGBT element T, a diode element D, an inter-element conductor portion 3, and a gate wiring 5. As shown in FIG. 1, the IGBT element T, the diode element D, and the inter-element conductor portion 3 are stacked.

ＩＧＢＴ素子Ｔは、平板状からなり、図１の下面側をコレクタ側とし、図１の上面側をエミッタ側とし、図１の上面側の端側にゲートパッドが設けられるように構成されている。素子間導電体部３は、平板状の導電性金属材料からなり、ＩＧＢＴ素子Ｔの上面側に導電性樹脂７を介して積層されている。具体的には、素子間導電体部３は、ＩＧＢＴ素子Ｔのエミッタ側に電気的に接続するように設けられている。   The IGBT element T has a flat plate shape, and is configured such that the lower surface side of FIG. 1 is the collector side, the upper surface side of FIG. 1 is the emitter side, and a gate pad is provided on the upper surface side of FIG. . The inter-element conductor 3 is made of a flat conductive metal material, and is laminated on the upper surface side of the IGBT element T with a conductive resin 7 interposed therebetween. Specifically, the inter-element conductor 3 is provided so as to be electrically connected to the emitter side of the IGBT element T.

ダイオード素子Ｄは、図１の下面側をアノード側、図１の上面側をカソード側となるように設けられている。そして、ダイオード素子Ｄは、素子間導電体部３の上面側に導電性樹脂８を介して積層されている。すなわち、ダイオード素子Ｄのアノード側（内側面）とＩＧＢＴ素子Ｔのエミッタ側（内側面）とが対向するように設けられている。具体的には、ダイオード素子Ｄは、アノード側が素子間導電体部３に電気的に接続するように設けられている。つまり、ダイオード素子Ｄのアノード側は、素子間導電体部３を介して、ＩＧＢＴ素子Ｔのエミッタ側に電気的に接続されている。   The diode element D is provided so that the lower surface side in FIG. 1 is the anode side and the upper surface side in FIG. 1 is the cathode side. The diode element D is laminated on the upper surface side of the inter-element conductor portion 3 via the conductive resin 8. That is, the anode side (inner side surface) of the diode element D and the emitter side (inner side surface) of the IGBT element T are provided to face each other. Specifically, the diode element D is provided such that the anode side is electrically connected to the inter-element conductor 3. That is, the anode side of the diode element D is electrically connected to the emitter side of the IGBT element T via the inter-element conductor 3.

なお、上記関係により、素子間導電体部３は、ＩＧＢＴ素子Ｔのエミッタ側（内側面）とダイオード素子Ｄのアノード側（内側面）との間に設けられ、かつ、ＩＧＢＴ素子Ｔのエミッタ側とダイオード素子Ｄのアノード側に電気的に接続されていることになる。   Due to the above relationship, the inter-element conductor 3 is provided between the emitter side (inner side surface) of the IGBT element T and the anode side (inner side surface) of the diode element D, and the emitter side of the IGBT element T. Are electrically connected to the anode side of the diode element D.

ゲート配線５は、一端側がＩＧＢＴ素子Ｔの上面側のゲートパッドにワイヤボンディングされている。なお、ゲート配線５の他端側は、図示しないが、後述するコレクタ側電極端子２の外部側に引き出されている。   One end of the gate wiring 5 is wire-bonded to a gate pad on the upper surface side of the IGBT element T. Although not shown, the other end side of the gate wiring 5 is drawn to the outside of the collector side electrode terminal 2 described later.

コレクタ側電極端子２は、断面形状が略コの字型形状からなる。具体的には、コレクタ側電極端子２は、一対の板部２ａ、２ｂと、連結部２ｃとから構成される。一対の板部２ａ、２ｂは、平板状からなり、それぞれ略平行に設けられている。連結部２ｃは、一対の板部２ａ、２ｂに対してほぼ垂直に立設され、一対の板部２ａ、２ｂの一端側に一体的に連結されている。このコレクタ側電極端子２は、導電性金属材料からなる。   The collector-side electrode terminal 2 has a substantially U-shaped cross section. Specifically, the collector-side electrode terminal 2 includes a pair of plate portions 2a and 2b and a connecting portion 2c. A pair of board part 2a, 2b consists of flat form, and is provided substantially parallel, respectively. The connecting portion 2c is erected substantially perpendicular to the pair of plate portions 2a and 2b, and is integrally connected to one end side of the pair of plate portions 2a and 2b. The collector side electrode terminal 2 is made of a conductive metal material.

そして、コレクタ側電極端子２の一対の板部２ａ、２ｂの間には、上述したＩＧＢＴモジュール１が挟み込むように設けられている。詳細には、コレクタ側電極端子２の上面側の板部２ａは、導電性樹脂９を介してダイオード素子Ｄの上面側に電気的に接続されている。すなわち、コレクタ側電極端子２の上面側の板部２ａは、ダイオード素子Ｄのカソード側（外側面）に電気的に接続されている。また、コレクタ側電極端子２の下面側の板部２ｂは、導電性樹脂６を介してＩＧＢＴ素子Ｔの下面側に電気的に接続されている。すなわち、コレクタ側電極端子２の下面側の板部２ｂは、ＩＧＢＴ素子Ｔのコレクタ側（外側面）に電気的に接続されている。つまり、コレクタ側電極端子２は、ＩＧＢＴ素子Ｔのコレクタ側とダイオード素子Ｄのカソード側とを電気的に接続している。   The IGBT module 1 described above is provided between the pair of plate portions 2a, 2b of the collector-side electrode terminal 2 so as to be sandwiched therebetween. Specifically, the plate portion 2 a on the upper surface side of the collector-side electrode terminal 2 is electrically connected to the upper surface side of the diode element D through the conductive resin 9. That is, the plate portion 2 a on the upper surface side of the collector-side electrode terminal 2 is electrically connected to the cathode side (outer surface) of the diode element D. Further, the lower plate portion 2 b of the collector-side electrode terminal 2 is electrically connected to the lower surface side of the IGBT element T via the conductive resin 6. In other words, the plate portion 2 b on the lower surface side of the collector-side electrode terminal 2 is electrically connected to the collector side (outer surface) of the IGBT element T. That is, the collector-side electrode terminal 2 electrically connects the collector side of the IGBT element T and the cathode side of the diode element D.

ここで、コレクタ側電極端子２は、導電性金属材料からなり、導電性樹脂６を介してＩＧＢＴ素子Ｔに接続され、かつ、導電性樹脂９を介してダイオード素子Ｄに接続されている。従って、コレクタ側電極端子２は、ＩＧＢＴ素子Ｔ及びダイオード素子Ｄの発熱を外部へ伝達する作用を有する。すなわち、コレクタ側電極端子２は、ＩＧＢＴ素子Ｔ及びダイオード素子Ｄの放熱板としての役割を有することになる。なお、コレクタ側電極端子２の一対の板部２ａ、２ｂによりＩＧＢＴモジュール１を挟み込むように設けられているので、ＩＧＢＴモジュール１を上下両面側から放熱することができる。つまり、放熱性に非常に優れている。   Here, the collector-side electrode terminal 2 is made of a conductive metal material, connected to the IGBT element T via the conductive resin 6, and connected to the diode element D via the conductive resin 9. Therefore, the collector-side electrode terminal 2 has a function of transmitting heat generated by the IGBT element T and the diode element D to the outside. That is, the collector-side electrode terminal 2 serves as a heat sink for the IGBT element T and the diode element D. Since the IGBT module 1 is provided so as to be sandwiched between the pair of plate portions 2a and 2b of the collector-side electrode terminal 2, the IGBT module 1 can be radiated from both the upper and lower surfaces. That is, it is very excellent in heat dissipation.

エミッタ側電極端子４は、平板細長状の導電性金属材料からなる。このエミッタ側電極端子４は、素子間導電体部３に一体的に成形されている。具体的には、エミッタ側電極端子４の一端側が素子間導電体部３の一側面に一体的に接合している。すなわち、エミッタ側電極端子４は、素子間導電体部３の一側面から側方に向かって伸長するように設けられている。さらに具体的には、エミッタ側電極端子４は、コレクタ側電極端子２の側面のうち連結部２ｃが設けられていない部分、すなわちコレクタ側電極端子２の開口側に、伸長するように設けられている。なお、図１においては、エミッタ側電極端子４が伸長する位置は、一対の板部２ａ、２ｂに対して連結部２ｃが設けられている側の反対側としている。   The emitter side electrode terminal 4 is made of a flat and long conductive metal material. The emitter side electrode terminal 4 is formed integrally with the inter-element conductor 3. Specifically, one end side of the emitter-side electrode terminal 4 is integrally joined to one side surface of the inter-element conductor portion 3. That is, the emitter-side electrode terminal 4 is provided so as to extend from one side surface of the inter-element conductor portion 3 toward the side. More specifically, the emitter-side electrode terminal 4 is provided so as to extend to a portion of the side surface of the collector-side electrode terminal 2 where the connecting portion 2c is not provided, that is, to the opening side of the collector-side electrode terminal 2. Yes. In FIG. 1, the position where the emitter-side electrode terminal 4 extends is opposite to the side where the connecting portion 2c is provided with respect to the pair of plate portions 2a and 2b.

そして、コレクタ側電極端子２のうち一対の板部２ａ、２ｂにより挟まれる範囲１０には、樹脂によりモールド又はポッティングする。すなわち、一対の板部２ａ、２ｂにより挟まれる範囲１０に設けられたＩＧＢＴモジュール１とコレクタ側電極端子２とエミッタ電極端子４の一部との一体性を高めることができる。ただし、エミッタ側電極端子４の他端側及びゲート配線５の他端側は、モールド又はポッティングされた樹脂の外部側に伸長している。   The range 10 between the collector-side electrode terminals 2 between the pair of plate portions 2a and 2b is molded or potted with resin. That is, the integrity of the IGBT module 1, the collector-side electrode terminal 2, and a part of the emitter electrode terminal 4 provided in the range 10 sandwiched between the pair of plate portions 2a and 2b can be enhanced. However, the other end side of the emitter-side electrode terminal 4 and the other end side of the gate wiring 5 extend to the outside of the molded or potted resin.

このように構成される第１実施例の半導体装置によれば、ＩＧＢＴ素子Ｔとダイオード素子Ｄとを積層しているので、高密度実装が可能となる。従って、半導体装置の小型化を図ることができる。さらに、第１実施例の半導体装置は、コレクタ側電極端子２の一対の板部２ａ、２ｂにより素子の両面放熱を行うことができるので、良好な放熱性を得ることができる。さらに、コレクタ側電極端子２は一体的に成形されているので、このコレクタ側電極端子２の何れか１カ所のみから外部端子に電気的接続を行えばよい。さらに、コレクタ側電極端子２が一体的に成形されているので、部品点数を少なくすることができる。   According to the semiconductor device of the first embodiment configured as described above, since the IGBT element T and the diode element D are stacked, high-density mounting is possible. Therefore, it is possible to reduce the size of the semiconductor device. Furthermore, since the semiconductor device of the first embodiment can perform heat radiation on both sides of the element by the pair of plate portions 2a and 2b of the collector-side electrode terminal 2, good heat dissipation can be obtained. Furthermore, since the collector side electrode terminal 2 is integrally formed, it is only necessary to make an electrical connection to the external terminal from any one of the collector side electrode terminals 2. Furthermore, since the collector-side electrode terminal 2 is integrally formed, the number of parts can be reduced.

（２）第１実施例の半導体装置の変形例
上記第１実施例の半導体装置においては、ＩＧＢＴ素子Ｔのゲート側電極端子としてゲート配線のみを用い、このゲート配線５をＩＧＢＴ素子Ｔのゲートパッドにワイヤボンディングを行っているが、ゲート側電極端子はこれに限られるものではない。例えば、ゲート側電極端子として、ゲート配線とゲート金属製端子板とを用いるようにしてもよい。すなわち、ゲート配線の一端側をＩＧＢＴ素子Ｔのゲートパッドにワイヤボンディングにより接続し、ゲート配線の他端側をゲート金属製端子板の一端側にワイヤボンディングにより接続する。そして、ゲート金属製端子板の他端側が、上述したモールド又はポッティングされた樹脂の外部側に伸長するように設ける。なお、ゲート金属製端子板は、コレクタ側電極端子２のうち下面側の板部２ｂに絶縁層を介して設けるようにしてもよい。 (2) Modification of Semiconductor Device of First Example In the semiconductor device of the first example, only the gate wiring is used as the gate side electrode terminal of the IGBT element T, and this gate wiring 5 is used as the gate pad of the IGBT element T. However, the gate-side electrode terminal is not limited to this. For example, a gate wiring and a gate metal terminal plate may be used as the gate side electrode terminal. That is, one end of the gate wiring is connected to the gate pad of the IGBT element T by wire bonding, and the other end of the gate wiring is connected to one end of the gate metal terminal board by wire bonding. Then, the other end side of the gate metal terminal plate is provided so as to extend to the outside of the above-described molded or potted resin. The gate metal terminal plate may be provided on the lower plate portion 2b of the collector-side electrode terminal 2 via an insulating layer.

また、ゲート側電極端子は、コレクタ側電極端子２のうちの下面側の板部２ｂの上面側に絶縁層を介して形成した配線回路を用いてもよい。この場合、ＩＧＢＴ素子Ｔのゲートパッドと配線回路との間は、ゲート配線をワイヤボンディングすることにより電気的接続すればよい。また、ＩＧＢＴ素子Ｔのゲートパッドを図１の下面側に設けるように構成し、ＩＧＢＴ素子Ｔの下面側に設けられたゲートパッドと配線回路とを直接的に電気的接続を行うようにしてもよい。   The gate-side electrode terminal may be a wiring circuit formed on the upper surface side of the lower plate portion 2b of the collector-side electrode terminal 2 via an insulating layer. In this case, the gate pad of the IGBT element T and the wiring circuit may be electrically connected by wire bonding of the gate wiring. Further, the gate pad of the IGBT element T may be provided on the lower surface side of FIG. 1, and the gate pad provided on the lower surface side of the IGBT element T and the wiring circuit may be directly electrically connected. Good.

また、上記第１実施例の半導体装置においては、コレクタ側電極端子２と各素子Ｔ、Ｄとの間、及び、素子間導電体部３と各素子Ｔ、Ｄとの間には導電性樹脂を用いたが、導電性樹脂の他、はんだなどの導電性材料を用いることができる。   In the semiconductor device of the first embodiment, a conductive resin is provided between the collector-side electrode terminal 2 and each element T, D, and between the inter-element conductor 3 and each element T, D. However, in addition to the conductive resin, a conductive material such as solder can be used.

（３）第２実施例の半導体装置
次に、第２実施例の半導体装置について図３を参照して説明する。図３は、第２実施例の半導体装置の側面図である。ここで、第２実施例の半導体装置において、上述した第１実施例の半導体装置と同一構成については同一符号を付して詳細な説明を省略する。なお、第２実施例の半導体装置は、第１実施例の半導体装置に対してコレクタ側電極端子のみが相違する。 (3) Semiconductor Device of Second Embodiment Next, a semiconductor device of the second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a side view of the semiconductor device of the second embodiment. Here, in the semiconductor device of the second embodiment, the same components as those of the semiconductor device of the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted. The semiconductor device of the second embodiment differs from the semiconductor device of the first embodiment only in the collector side electrode terminal.

図３に示すように、第２実施例の半導体装置のコレクタ側電極端子は、上側コレクタ側電極端子（第１導電性放熱板部）１１と下側コレクタ側電極端子（第２導電性放熱板部）１２とから構成される。上側コレクタ側電極端子１１は、導電性金属材料からなり、２つの平面部分が段差を有する断面形状に形成されている。具体的には、上側コレクタ側電極端子１１は、上側板部１１ａと、上側接合部（連結部）１１ｂと、上側連結部（連結部）１１ｃとから構成される。上側板部１１ａは、ほぼ平板状に形成されており、下面側が導電性樹脂９を介してダイオード素子Ｄの上面側に電気的に接続されている。すなわち、上側板部１１ａは、ダイオード素子Ｄのカソード側（外側面）に電気的に接続されている。上側接合部１１ｂは、上側板部１１ａにほぼ平行で、ＩＧＢＴモジュール１の高さのほぼ半分の高さだけ下方へずれた位置に設けられている。さらに、この上側接合部１１ｂには貫通孔が形成されている。上側連結部１１ｃは、上側板部１１ａの図３の左側端と上側接合部１１ｂの図３の右側端とを連結している。   As shown in FIG. 3, the collector-side electrode terminal of the semiconductor device of the second embodiment includes an upper collector-side electrode terminal (first conductive heat radiating plate portion) 11 and a lower collector-side electrode terminal (second conductive heat radiating plate). Part) 12. The upper collector side electrode terminal 11 is made of a conductive metal material, and is formed in a cross-sectional shape in which two planar portions have steps. Specifically, the upper collector side electrode terminal 11 includes an upper plate portion 11a, an upper joint portion (connection portion) 11b, and an upper connection portion (connection portion) 11c. The upper plate portion 11 a is formed in a substantially flat plate shape, and the lower surface side is electrically connected to the upper surface side of the diode element D through the conductive resin 9. That is, the upper plate part 11a is electrically connected to the cathode side (outer surface) of the diode element D. The upper joint portion 11b is provided at a position that is substantially parallel to the upper plate portion 11a and shifted downward by a height that is substantially half the height of the IGBT module 1. Further, a through hole is formed in the upper joint portion 11b. The upper connecting portion 11c connects the left end of the upper plate portion 11a in FIG. 3 and the right end in FIG. 3 of the upper joint portion 11b.

下側コレクタ側電極端子１２は、導電性金属材料からなり、２つの平面部分が段差を有する断面形状に形成されている。具体的には、下側コレクタ側電極端子１２は、下側板部１２ａと、下側接合部（連結部）１２ｂと、下側連結部（連結部）１２ｃとから構成される。下側板部１２ａは、ほぼ平板状に形成されており、上面側が導電性樹脂６を介してＩＧＢＴ素子Ｔの下面側に電気的に接続されている。すなわち、下側板部１２ａは、ＩＧＢＴ素子Ｔのコレクタ側（外側面）に電気的に接続されている。そして、この下側板部１２ａは、上側板部１１ａに平行となるように設けられている。つまり、下側板部１２ａと上側板部１１ａとにより、ＩＧＢＴモジュール１を挟み込むように設けられている。下側接合部１２ｂは、下側板部１２ａにほぼ平行で、ＩＧＢＴモジュール１の高さのほぼ半分の高さだけ上方へずれた位置に設けられている。さらに、この下側接合部１２ｂには貫通孔が形成されている。この下側接合部１２ｂの貫通孔は、上側接合部１１ｂの貫通孔と一致する位置に形成されている。下側連結部１２ｃは、下側板部１２ａの図３の左側端と下側接合部１２ｂの図３の右側端とを連結している。   The lower collector-side electrode terminal 12 is made of a conductive metal material, and is formed in a cross-sectional shape in which two planar portions have steps. Specifically, the lower collector-side electrode terminal 12 includes a lower plate portion 12a, a lower joint portion (connection portion) 12b, and a lower connection portion (connection portion) 12c. The lower plate portion 12 a is formed in a substantially flat plate shape, and the upper surface side is electrically connected to the lower surface side of the IGBT element T via the conductive resin 6. That is, the lower plate portion 12a is electrically connected to the collector side (outer surface) of the IGBT element T. And this lower side board part 12a is provided so that it may become parallel to the upper side board part 11a. That is, the IGBT module 1 is sandwiched between the lower plate portion 12a and the upper plate portion 11a. The lower joint portion 12b is provided at a position that is substantially parallel to the lower plate portion 12a and shifted upward by a height that is substantially half the height of the IGBT module 1. Further, a through hole is formed in the lower joint portion 12b. The through hole of the lower joint 12b is formed at a position that matches the through hole of the upper joint 11b. The lower connecting portion 12c connects the left end of the lower plate portion 12a in FIG. 3 and the right end of FIG. 3 in the lower joint portion 12b.

そして、上側接合部１１ｂの貫通孔と下側接合部１２ｂの貫通孔とにビス１３を挿入して、上側コレクタ側電極端子１１と下側コレクタ側電極端子１２とが一体的に連結される。さらに、上側コレクタ側電極端子１１と下側コレクタ側電極端子１２とは、電気的にも接続されている。具体的には、上側接合部１１ｂの下面側と下側接合部１２ｂの上面側とを接触させることにより、両者の電気的接続を行っている。なお、上側接合部１１ｂと下側接合部１２ｂとの間に導電性樹脂などを設けてもよい。   And the screw | thread 13 is inserted in the through-hole of the upper side junction part 11b, and the through-hole of the lower side junction part 12b, and the upper collector side electrode terminal 11 and the lower collector side electrode terminal 12 are connected integrally. Furthermore, the upper collector side electrode terminal 11 and the lower collector side electrode terminal 12 are also electrically connected. Specifically, the lower surface side of the upper joint portion 11b and the upper surface side of the lower joint portion 12b are brought into contact with each other to make electrical connection therebetween. In addition, you may provide conductive resin etc. between the upper side junction part 11b and the lower side junction part 12b.

そして、上側コレクタ側電極端子１１と下側コレクタ側電極端子１２とにより囲まれる範囲１４には、樹脂によりモールド又はポッティングする。すなわち、上側コレクタ側電極端子１１と下側コレクタ側電極端子１２とにより囲まれる範囲１４に設けられたＩＧＢＴモジュール１とコレクタ側電極端子１１、１２との一体性を高めることができる。ただし、エミッタ側電極端子４の他端側及びゲート配線５の他端側は、モールド又はポッティングされた樹脂の外部側に伸長している。   The range 14 surrounded by the upper collector side electrode terminal 11 and the lower collector side electrode terminal 12 is molded or potted with resin. That is, the integrity of the IGBT module 1 provided in the range 14 surrounded by the upper collector side electrode terminal 11 and the lower collector side electrode terminal 12 and the collector side electrode terminals 11 and 12 can be enhanced. However, the other end side of the emitter-side electrode terminal 4 and the other end side of the gate wiring 5 extend to the outside of the molded or potted resin.

このように構成される第２実施例の半導体装置によれば、上記第１実施例の半導体装置における高密度実装及び良好な放熱性と同様の効果を奏することができる。さらに、コレクタ側電極端子を上側コレクタ側電極端子１１と下側コレクタ側電極端子１２とに分割したことにより、ＩＧＢＴモジュール１を非常に容易に設けることができる。   According to the semiconductor device of the second embodiment configured as described above, the same effects as high-density mounting and good heat dissipation in the semiconductor device of the first embodiment can be obtained. Furthermore, by dividing the collector side electrode terminal into the upper collector side electrode terminal 11 and the lower collector side electrode terminal 12, the IGBT module 1 can be provided very easily.

（４）第２実施例の半導体装置の変形例
上記第２実施例の半導体装置においては、上側コレクタ電極端子１１と下側コレクタ側電極端子１２とをビスにより固定したが、これに限られるものではない。例えば、上側コレクタ側電極端子１１と下側コレクタ側電極端子１２との当接部位に導電性樹脂などの導電性接着剤のみにより両者を接合してもよい。 (4) Modified Example of Semiconductor Device of Second Embodiment In the semiconductor device of the second embodiment, the upper collector electrode terminal 11 and the lower collector side electrode terminal 12 are fixed with screws, but the present invention is not limited to this. is not. For example, the upper collector side electrode terminal 11 and the lower collector side electrode terminal 12 may be joined to each other only by a conductive adhesive such as a conductive resin.

また、上記第２実施例の半導体装置においては、上側コレクタ電極端子１１と下側コレクタ側電極端子１２を対称な形状としたが、これに限られるものではない。例えば、下側コレクタ側電極端子１２をほぼ平板状とし、上側コレクタ側電極端子１１の接合部１１ｂと平板状の下側コレクタ側電極端子１２とを接合するようにしてもよい。このような形状とすることにより、例えば、半導体装置を他の部品へ取付ける際の取付性が良好となるなどの効果を奏する。なお、上記第２実施例の半導体装置に示したように、上側コレクタ側電極端子１１と下側コレクタ側電極端子１２とを対称な形状とした場合には、実質的に両者は同一形状部品とすることができるので、部品種類点数を低減することができる効果を奏する。   In the semiconductor device of the second embodiment, the upper collector electrode terminal 11 and the lower collector electrode terminal 12 are symmetrical, but the present invention is not limited to this. For example, the lower collector side electrode terminal 12 may have a substantially flat plate shape, and the joining portion 11b of the upper collector side electrode terminal 11 and the flat plate-like lower collector side electrode terminal 12 may be joined. By adopting such a shape, for example, there is an effect that the attachment property when the semiconductor device is attached to other components is improved. As shown in the semiconductor device of the second embodiment, when the upper collector side electrode terminal 11 and the lower collector side electrode terminal 12 are symmetric, they are substantially the same shape parts. As a result, it is possible to reduce the number of component types.

（５）第３実施例の半導体装置
次に、第３実施例の半導体装置について図４を参照して説明する。図４は、第３実施例の半導体装置の側面図である。ここで、第３実施例の半導体装置において、上述した第１実施例の半導体装置と同一構成については同一符号を付して詳細な説明を省略する。なお、第３実施例の半導体装置は、第１実施例の半導体装置に対してコレクタ側電極端子のみが相違する。 (5) Semiconductor Device of Third Embodiment Next, a semiconductor device of the third embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a side view of the semiconductor device of the third embodiment. Here, in the semiconductor device of the third embodiment, the same components as those of the semiconductor device of the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted. The semiconductor device of the third embodiment differs from the semiconductor device of the first embodiment only in the collector side electrode terminal.

図４に示すように、第３実施例の半導体装置のコレクタ側電極端子は、上側コレクタ側電極端子（第１導電性放熱板部）２１と下側コレクタ側電極端子（第２導電性放熱板部）２２とから構成される。上側コレクタ側電極端子２１は、導電性金属材料からなり、３つの平面部分を有しており中央の平面部分が図４の上側に凸設した断面形状に形成されている。具体的には、上側コレクタ側電極端子２１は、上側板部２１ａと、上側第１接合部（連結部）２１ｂと、上側第２接合部（連結部）２１ｃと、上側第１連結部（連結部）２１ｄと、上側第２連結部（連結部）２１ｅとから構成される。上側板部２１ａは、ほぼ平板状に形成されており、下面側が導電性樹脂９を介してダイオード素子Ｄの上面側に電気的に接続されている。すなわち、上側板部２１ａは、ダイオード素子Ｄのカソード側に電気的に接続されている。上側第１接合部２１ｂは、上側板部２１ａにほぼ平行で図４の左側であって、ＩＧＢＴモジュール１の高さのほぼ半分の高さだけ下方へずれた位置に設けられている。さらに、この上側第１接合部２１ｂには貫通孔が形成されている。上側第２接合部２１ｃは、上側板部２１ａにほぼ平行で図４の右側であって、上側第１接合部２１ｂと同一高さに設けられている。上側第１連結部２１ｄは、上側板部２１ａの図４の左側端と上側第１接合部２１ｂの図４の右側端とを連結している。上側第２連結部２１ｅは、上側板部２１ａの図４の右側端と上側第２接合部２１ｃの図４の左側端とを連結している。   As shown in FIG. 4, the collector-side electrode terminal of the semiconductor device of the third embodiment includes an upper collector-side electrode terminal (first conductive heat radiating plate portion) 21 and a lower collector-side electrode terminal (second conductive heat radiating plate). Part) 22. The upper collector side electrode terminal 21 is made of a conductive metal material, has three plane portions, and is formed in a cross-sectional shape in which the central plane portion protrudes upward in FIG. Specifically, the upper collector-side electrode terminal 21 includes an upper plate portion 21a, an upper first joint portion (connection portion) 21b, an upper second joint portion (connection portion) 21c, and an upper first connection portion (connection). Part) 21d and an upper second connecting part (connecting part) 21e. The upper plate portion 21 a is formed in a substantially flat plate shape, and the lower surface side is electrically connected to the upper surface side of the diode element D through the conductive resin 9. That is, the upper plate portion 21a is electrically connected to the cathode side of the diode element D. The upper first joint portion 21b is provided at a position that is substantially parallel to the upper plate portion 21a and on the left side in FIG. 4 and is shifted downward by a height that is approximately half the height of the IGBT module 1. Further, a through hole is formed in the upper first joint portion 21b. The upper second joint portion 21c is substantially parallel to the upper plate portion 21a, is on the right side of FIG. 4, and is provided at the same height as the upper first joint portion 21b. The upper first connecting portion 21d connects the left end in FIG. 4 of the upper plate portion 21a and the right end in FIG. 4 of the upper first joint portion 21b. The upper second connecting portion 21e connects the right end in FIG. 4 of the upper plate portion 21a and the left end in FIG. 4 of the upper second joint portion 21c.

下側コレクタ側電極端子２２は、導電性金属材料からなり、３つの平面部分を有しており中央の平面部分が図４の下側に凸設した断面形状に形成されている。具体的には、下側コレクタ側電極端子２２は、下側板部２２ａと、下側第１接合部（連結部）２２ｂと、下側第２接合部（連結部）２２ｃと、下側第１連結部（連結部）２２ｄと、下側第２連結部（連結部）２２ｅとから構成される。下側板部２２ａは、ほぼ平板状に形成されており、上面側が導電性樹脂６を介してＩＧＢＴ素子Ｔの下面側に電気的に接続されている。すなわち、下側板部２２ａは、ＩＧＢＴ素子Ｔのコレクタ側に電気的に接続されている。そして、この下側板部２２ａは、上側板部２１ａに平行となるように設けられている。つまり、下側板部２２ａと上側板部２１ａとにより、ＩＧＢＴモジュール１を挟み込むように設けられている。下側第１接合部２２ｂは、下側板部２２ａにほぼ平行で図４の左側であって、ＩＧＢＴモジュール１の高さのほぼ半分の高さだけ上方へずれた位置に設けられている。さらに、この下側第１接合部２２ｂには貫通孔が形成されている。この下側第１接合部２２ｂの貫通孔は、上側第１接合部２１ｂの貫通孔と一致する位置に形成されている。下側第２接合部２２ｃは、下側板部２２ａにほぼ平行で図４の右側であって、下側第１接合部２２ｂと同一高さに設けられている。さらに、この下側第２接合部２２ｃには貫通孔が形成されている。この下側第２接合部２２ｃの貫通孔は、上側第２接合部２１ｃの貫通孔と一致する位置に形成されている。下側第１連結部２２ｄは、下側板部２２ａの図４の左側端と下側第１接合部２２ｂの図４の右側端とを連結している。下側第２連結部２２ｅは、下側板部２２ａの図４の右側端と下側第２接合部２２ｅの図４の左側端とを連結している。   The lower collector side electrode terminal 22 is made of a conductive metal material, has three plane portions, and is formed in a cross-sectional shape in which the central plane portion protrudes downward in FIG. Specifically, the lower collector side electrode terminal 22 includes a lower plate portion 22a, a lower first joint portion (connecting portion) 22b, a lower second joint portion (connecting portion) 22c, and a lower first portion. It is comprised from the connection part (connection part) 22d and the lower 2nd connection part (connection part) 22e. The lower plate portion 22 a is formed in a substantially flat plate shape, and the upper surface side is electrically connected to the lower surface side of the IGBT element T via the conductive resin 6. That is, the lower plate portion 22a is electrically connected to the collector side of the IGBT element T. The lower plate portion 22a is provided so as to be parallel to the upper plate portion 21a. That is, the IGBT module 1 is sandwiched between the lower plate portion 22a and the upper plate portion 21a. The lower first joint portion 22b is provided at a position that is substantially parallel to the lower plate portion 22a and on the left side in FIG. 4 and is shifted upward by approximately half the height of the IGBT module 1. Further, a through hole is formed in the lower first joint portion 22b. The through hole of the lower first joint portion 22b is formed at a position that coincides with the through hole of the upper first joint portion 21b. The lower second joint portion 22c is substantially parallel to the lower plate portion 22a, is on the right side of FIG. 4, and is provided at the same height as the lower first joint portion 22b. Furthermore, a through hole is formed in the lower second joint portion 22c. The through hole of the lower second joint portion 22c is formed at a position that coincides with the through hole of the upper second joint portion 21c. The lower first connecting portion 22d connects the left end in FIG. 4 of the lower plate portion 22a and the right end in FIG. 4 of the lower first joining portion 22b. The lower second connecting portion 22e connects the right end of FIG. 4 of the lower plate portion 22a and the left end of FIG. 4 of the lower second joint portion 22e.

そして、上側第１接合部２１ｂの貫通孔と下側第１接合部２２ｂの貫通孔とにビス２３を挿入し、上側第２接合部２１ｃの貫通孔と下側第２接合部２２ｃの貫通孔とにビス２４を挿入し、上側コレクタ側電極端子２１と下側コレクタ側電極端子２２とが一体的に連結される。さらに、上側コレクタ側電極端子２１と下側コレクタ側電極端子２２とは、電気的にも接続されている。具体的には、上側第１接合部２１ｂの下面側と下側第１接合部２２ｂの上面側とを接触させることにより、両者の電気的接続を行っている。さらに、上側第２接合部２１ｃの下面側と下側第２接合部２２ｃの上面側とを接触させることにより、両者の電気的接続を行っている。なお、上側第１接合部２１ｂと下側第１接合部２２ｂとの間、及び、上側第２接合部２１ｃと下側第２接合部２２ｃとの間に導電性樹脂などを設けてもよい。   Then, screws 23 are inserted into the through hole of the upper first joint portion 21b and the through hole of the lower first joint portion 22b, and the through hole of the upper second joint portion 21c and the through hole of the lower second joint portion 22c. Screws 24 are inserted into the upper collector-side electrode terminal 21 and the lower collector-side electrode terminal 22 are integrally connected. Furthermore, the upper collector side electrode terminal 21 and the lower collector side electrode terminal 22 are also electrically connected. Specifically, the lower surface side of the upper first joint portion 21b and the upper surface side of the lower first joint portion 22b are brought into contact with each other to make electrical connection therebetween. Further, the lower surface side of the upper second joint portion 21c and the upper surface side of the lower second joint portion 22c are brought into contact with each other to make electrical connection therebetween. In addition, you may provide conductive resin etc. between the upper side 1st junction part 21b and the lower side 1st junction part 22b, and between the upper side 2nd junction part 21c and the lower side 2nd junction part 22c.

そして、エミッタ側電極端子４は、図４の手前側に向かって伸長するようにしている。また、上側コレクタ側電極端子２１と下側コレクタ側電極端子２２とにより囲まれる範囲２５には、樹脂によりモールド又はポッティングする。すなわち、上側コレクタ側電極端子２１と下側コレクタ側電極端子２２とにより囲まれる範囲２５に設けられたＩＧＢＴモジュール１とコレクタ側電極端子２１、２２との一体性を高めることができる。ただし、エミッタ側電極端子４の他端側及びゲート配線５の他端側は、モールド又はポッティングされた樹脂の外部側に伸長している。   And the emitter side electrode terminal 4 is extended toward the near side of FIG. The range 25 surrounded by the upper collector side electrode terminal 21 and the lower collector side electrode terminal 22 is molded or potted with resin. That is, the integrity of the IGBT module 1 provided in the range 25 surrounded by the upper collector side electrode terminal 21 and the lower collector side electrode terminal 22 and the collector side electrode terminals 21 and 22 can be enhanced. However, the other end side of the emitter-side electrode terminal 4 and the other end side of the gate wiring 5 extend to the outside of the molded or potted resin.

このように構成される第３実施例の半導体装置によれば、上記第１実施例の半導体装置における高密度実装及び良好な放熱性と同様の効果を奏することができる。さらに、上記第２実施例の半導体装置におけるＩＧＢＴモジュールを非常に容易に設けることができる。さらに、分割したコレクタ側電極端子を複数箇所で固定することにより、ＩＧＢＴモジュールを確実に固定することができる。   According to the semiconductor device of the third embodiment configured as described above, the same effects as high-density mounting and good heat dissipation in the semiconductor device of the first embodiment can be obtained. Furthermore, the IGBT module in the semiconductor device of the second embodiment can be provided very easily. Furthermore, the IGBT module can be reliably fixed by fixing the divided collector-side electrode terminals at a plurality of locations.

（６）第４実施例における半導体装置
第４実施例の半導体装置について図５及び図６を参照して説明する。図５は、第４実施例の半導体装置の側面図である。図６は、第４実施例の半導体装置の回路構成図である。 (6) Semiconductor Device in Fourth Embodiment A semiconductor device in the fourth embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a side view of the semiconductor device according to the fourth embodiment. FIG. 6 is a circuit configuration diagram of the semiconductor device of the fourth embodiment.

（６．１）第４実施例の半導体装置の回路
まず、図６を参照して第４実施例の半導体装置の回路構成を説明する。図６に示すように、第４実施例の半導体装置は、２つのＩＧＢＴ素子Ｔａ、Ｔｂが直列接続されており、それぞれのＩＧＢＴ素子Ｔａ、Ｔｂにダイオード素子Ｄａ、Ｄｂが並列に接続されている。具体的には、第１のＩＧＢＴ素子Ｔａのコレクタ側と第１のダイオード素子Ｄａのカソード側とが接続され、第１のＩＧＢＴ素子Ｔａのエミッタ側と第１のダイオード素子Ｄａのアノード側とが接続されている。第２のＩＧＢＴ素子Ｔｂのコレクタ側と第２のダイオード素子Ｄｂのカソード側とが接続され、第２のＩＧＢＴ素子Ｔｂのエミッタ側と第２のダイオード素子Ｄｂのアノード側とが接続されている。そして、第１のＩＧＢＴ素子Ｔａのコレクタ側及び第１のダイオード素子Ｄａのカソード側が、正極電極端子に接続されている。第２のＩＧＢＴ素子Ｔｂのエミッタ側及び第２のダイオード素子Ｄｂのアノード側が、負極電極端子に接続されている。さらに、第１のＩＧＢＴ素子Ｔａのエミッタ側と第２のＩＧＢＴ素子Ｔｂのコレクタ側とＵ相電極端子とが接続されている。 (6.1) Circuit of Semiconductor Device of Fourth Embodiment First, the circuit configuration of the semiconductor device of the fourth embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 6, in the semiconductor device of the fourth embodiment, two IGBT elements Ta and Tb are connected in series, and diode elements Da and Db are connected in parallel to the respective IGBT elements Ta and Tb. . Specifically, the collector side of the first IGBT element Ta and the cathode side of the first diode element Da are connected, and the emitter side of the first IGBT element Ta and the anode side of the first diode element Da are connected. It is connected. The collector side of the second IGBT element Tb and the cathode side of the second diode element Db are connected, and the emitter side of the second IGBT element Tb and the anode side of the second diode element Db are connected. The collector side of the first IGBT element Ta and the cathode side of the first diode element Da are connected to the positive electrode terminal. The emitter side of the second IGBT element Tb and the anode side of the second diode element Db are connected to the negative electrode terminal. Furthermore, the emitter side of the first IGBT element Ta, the collector side of the second IGBT element Tb, and the U-phase electrode terminal are connected.

（６．２）第４実施例の半導体装置の構成
次に、図５を参照して、第４実施例の半導体装置について詳細に説明する。図５に示すように、第４実施例の半導体装置は、２つのＩＧＢＴモジュール（半導体素子モジュール）１ａ、１ｂと、Ｕ相電極端子（導電性放熱板）３１、３２と、正極電極端子４ａと、負極電極端子４ｂとから構成される。第１のＩＧＢＴモジュール１ａは、第１のＩＧＢＴ素子Ｔａと、第１のダイオード素子Ｄａと、第１の素子間導電体部３ａと、第１のゲート配線５ａとから構成される。そして、図５に示すように、第１のＩＧＢＴ素子Ｔａと、第１のダイオード素子Ｄａと、第１の素子間導電体部３ａとは、積層されている。第２のＩＧＢＴモジュール１ｂは、第２のＩＧＢＴ素子Ｔｂと、第２のダイオード素子Ｄｂと、第２の素子間導電体部３ｂと、第２のゲート配線５ｂとから構成される。そして、図５に示すように、第２のＩＧＢＴ素子Ｔｂと、第２のダイオード素子Ｄｂと、第２の素子間導電体部３ｂとは、積層されている。 (6.2) Configuration of Semiconductor Device of Fourth Example Next, the semiconductor device of the fourth example will be described in detail with reference to FIG. As shown in FIG. 5, the semiconductor device of the fourth embodiment includes two IGBT modules (semiconductor element modules) 1a and 1b, U-phase electrode terminals (conductive heat sinks) 31 and 32, and a positive electrode terminal 4a. And the negative electrode terminal 4b. The first IGBT module 1a includes a first IGBT element Ta, a first diode element Da, a first inter-element conductor portion 3a, and a first gate wiring 5a. As shown in FIG. 5, the first IGBT element Ta, the first diode element Da, and the first inter-element conductor portion 3a are stacked. The second IGBT module 1b is composed of a second IGBT element Tb, a second diode element Db, a second inter-element conductor 3b, and a second gate wiring 5b. As shown in FIG. 5, the second IGBT element Tb, the second diode element Db, and the second inter-element conductor 3b are stacked.

第１のＩＧＢＴ素子Ｔａは、平板状からなり、図５の下面側をエミッタ側とし、図５の上面側をコレクタ側とし、図５の上面側の端側にゲートパッドが設けられるように構成されている。第１の素子間導電体部３ａは、平板状の導電性金属材料からなり、第１のＩＧＢＴ素子Ｔａの上面側に導電性樹脂７ａを介して積層されている。具体的には、第１の素子間導電体部３ａは、第１のＩＧＢＴ素子Ｔａのコレクタ側に電気的に接続するように設けられている。   The first IGBT element Ta has a flat plate shape, and is configured such that the lower surface side of FIG. 5 is an emitter side, the upper surface side of FIG. 5 is a collector side, and a gate pad is provided on the upper end side of FIG. Has been. The first inter-element conductor portion 3a is made of a flat conductive metal material and is laminated on the upper surface side of the first IGBT element Ta via the conductive resin 7a. Specifically, the first inter-element conductor 3a is provided so as to be electrically connected to the collector side of the first IGBT element Ta.

第１のダイオード素子Ｄａは、図５の下面側をカソード側、図５の上面側をアノード側となるように設けられている。そして、第１のダイオード素子Ｄａは、第１の素子間導電体部３ａの上面側に導電性樹脂８ａを介して積層されている。すなわち、第１のダイオード素子Ｄａのカソード側（内側面）と第１のＩＧＢＴ素子Ｔａのコレクタ側（内側面）とが対向するように設けられている。具体的には、第１のダイオード素子Ｄａは、カソード側が第１の素子間導電体部３ａに電気的に接続するように設けられている。つまり、第１のダイオード素子Ｄａのカソード側は、第１の素子間導電体部３ａを介して、第１のＩＧＢＴ素子Ｔａのコレクタ側に電気的に接続されている。   The first diode element Da is provided such that the lower surface side in FIG. 5 is the cathode side and the upper surface side in FIG. 5 is the anode side. The first diode element Da is stacked on the upper surface side of the first inter-element conductor portion 3a via the conductive resin 8a. That is, the cathode side (inner side surface) of the first diode element Da and the collector side (inner side surface) of the first IGBT element Ta are provided to face each other. Specifically, the first diode element Da is provided such that the cathode side is electrically connected to the first inter-element conductor portion 3a. That is, the cathode side of the first diode element Da is electrically connected to the collector side of the first IGBT element Ta via the first inter-element conductor 3a.

なお、上記関係により、第１の素子間導電体部３ａは、第１のＩＧＢＴ素子Ｔａのコレクタ側（内側面）と第１のダイオード素子Ｄａのカソード側（内側面）との間に設けられ、かつ、第１のＩＧＢＴ素子Ｔａのコレクタ側と第１のダイオード素子Ｄａのカソード側に電気的に接続されていることになる。   Due to the above relationship, the first inter-element conductor portion 3a is provided between the collector side (inner side surface) of the first IGBT element Ta and the cathode side (inner side surface) of the first diode element Da. And it is electrically connected to the collector side of the first IGBT element Ta and the cathode side of the first diode element Da.

第１のゲート配線５ａは、一端側が第１のＩＧＢＴ素子Ｔａの上面側のゲートパッドにワイヤボンディングされている。なお、第１のゲート配線５ａの他端側は、図示しないが、後述するＵ相電極端子３１、３２の外部側に引き出されている。   One end of the first gate wiring 5a is wire-bonded to the gate pad on the upper surface side of the first IGBT element Ta. Although not shown, the other end side of the first gate wiring 5a is drawn to the outside of U-phase electrode terminals 31 and 32 described later.

第２のＩＧＢＴモジュール１ｂは、上記第１実施例の半導体装置におけるＩＧＢＴモジュール１と同一構成からなる。なお、第４実施例の半導体装置における第２のＩＧＢＴ素子Ｔｂ、第２のダイオード素子Ｄｂ、第２の素子間導電体部３ｂ、第２のゲート配線５ｂ、導電性樹脂６ｂ、７ｂ、８ｂ、９ｂは、第１実施例の半導体装置におけるＩＧＢＴ素子Ｔ、ダイオード素子Ｄ、素子間導電体部３、ゲート配線５、導電性樹脂６、７、８、９に相当する。つまり、第２のＩＧＢＴ素子Ｔｂのエミッタ側と第２のダイオード素子Ｄｂのアノード側とが対向して設けられており、両者が第２の素子間導電体部３ｂを介して電気的に接続されている。   The second IGBT module 1b has the same configuration as the IGBT module 1 in the semiconductor device of the first embodiment. In the semiconductor device of the fourth embodiment, the second IGBT element Tb, the second diode element Db, the second inter-element conductor 3b, the second gate wiring 5b, the conductive resins 6b, 7b, 8b, Reference numeral 9b corresponds to the IGBT element T, the diode element D, the inter-element conductor 3, the gate wiring 5, and the conductive resins 6, 7, 8, and 9 in the semiconductor device of the first embodiment. That is, the emitter side of the second IGBT element Tb and the anode side of the second diode element Db are provided to face each other, and both are electrically connected via the second inter-element conductor 3b. ing.

Ｕ相電極端子は、上側Ｕ相電極端子（第１導電性放熱板部）３１と下側Ｕ相電極端子（第２導電性放熱板部）３２とから構成される。ここで、第４実施例の半導体装置におけるＵ相電極端子は、上記第３実施例の半導体装置のコレクタ側電極端子とほぼ同一構成からなる。なお、上側Ｕ相電極端子３１は、第３実施例の半導体装置の上側コレクタ側電極端子２１に相当し、下側Ｕ相電極端子３２は、第３実施例の半導体装置の下側コレクタ側電極端子２２に相当する。ただし、上側Ｕ相電極端子３１及び下側Ｕ相電極端子３２は、第３実施例の半導体装置における上側コレクタ側電極端子２１及び下側コレクタ側電極端子２２に対して、板部の幅が長く形成されている点が相違する。   The U-phase electrode terminal includes an upper U-phase electrode terminal (first conductive heat radiating plate portion) 31 and a lower U-phase electrode terminal (second conductive heat radiating plate portion) 32. Here, the U-phase electrode terminal in the semiconductor device of the fourth embodiment has substantially the same configuration as the collector-side electrode terminal of the semiconductor device of the third embodiment. The upper U-phase electrode terminal 31 corresponds to the upper collector-side electrode terminal 21 of the semiconductor device of the third embodiment, and the lower U-phase electrode terminal 32 is the lower collector-side electrode of the semiconductor device of the third embodiment. It corresponds to the terminal 22. However, the upper U-phase electrode terminal 31 and the lower U-phase electrode terminal 32 have longer plate portions than the upper collector-side electrode terminal 21 and the lower collector-side electrode terminal 22 in the semiconductor device of the third embodiment. It differs in that it is formed.

そして、上側Ｕ相電極端子３１の上側板部は、下面側が導電性樹脂９ａを介して第１のダイオード素子Ｄａの上面側に電気的に接続され、導電性樹脂９ｂを介して第２のダイオード素子Ｄｂの上面側に電気的に接続されている。すなわち、上側Ｕ相電極端子３１の上側板部は、第１のダイオード素子Ｄａのアノード側及び第２のダイオード素子Ｄｂのカソード側に電気的に接続されている。   The upper plate portion of the upper U-phase electrode terminal 31 has the lower surface side electrically connected to the upper surface side of the first diode element Da via the conductive resin 9a, and the second diode via the conductive resin 9b. It is electrically connected to the upper surface side of the element Db. That is, the upper plate portion of the upper U-phase electrode terminal 31 is electrically connected to the anode side of the first diode element Da and the cathode side of the second diode element Db.

また、下側Ｕ相電極端子３２の下側板部は、上面側が導電性樹脂６ａを介して第１のＩＧＢＴ素子Ｔａの下面側に電気的に接続され、導電性樹脂６ｂを介して第２のＩＧＢＴ素子Ｔｂの下面側に電気的に接続されている。すなわち、下側Ｕ相電極端子３２の下側板部は、第１のＩＧＢＴ素子Ｔａのエミッタ側及び第２のＩＧＢＴ素子Ｔｂのコレクタ側に電気的に接続されている。   Further, the lower plate portion of the lower U-phase electrode terminal 32 is electrically connected to the lower surface side of the first IGBT element Ta via the conductive resin 6a and the second plate portion via the conductive resin 6b. It is electrically connected to the lower surface side of the IGBT element Tb. That is, the lower plate portion of the lower U-phase electrode terminal 32 is electrically connected to the emitter side of the first IGBT element Ta and the collector side of the second IGBT element Tb.

正極電極端子４ａは、平板細長状の導電性金属材料からなる。この正極電極端子４ａは、第１の素子間導電体部３ａに一体的に成形されている。具体的には、正極電極端子４ａの一端側が第１の素子間導電体部３ａの一側面に一体的に接合している。すなわち、正極電極端子４ａは、第１の素子間導電体部３ａの一側面から側方に向かって伸長するように設けられている。さらに具体的には、正極電極端子４ａは、Ｕ相電極端子３１、３２の開口側に伸長するように設けられている。なお、図５においては、正極電極端子４ａが伸長する位置は、第１のＩＧＢＴモジュール１ａの手前側としている。   The positive electrode terminal 4a is made of a flat and long conductive metal material. The positive electrode terminal 4a is formed integrally with the first inter-element conductor 3a. Specifically, one end side of the positive electrode terminal 4a is integrally joined to one side surface of the first inter-element conductor portion 3a. That is, the positive electrode terminal 4a is provided so as to extend from one side surface of the first inter-element conductor portion 3a to the side. More specifically, the positive electrode terminal 4 a is provided so as to extend to the opening side of the U-phase electrode terminals 31 and 32. In FIG. 5, the position where the positive electrode terminal 4a extends is the front side of the first IGBT module 1a.

負極電極端子４ｂは、平板細長状の導電性金属材料からなる。この負極電極端子４ｂは、第２の素子間導電体部３ｂに一体的に成形されている。具体的には、負極電極端子４ｂの一端側が第２の素子間導電体部３ｂの一側面に一体的に接合している。すなわち、負極電極端子４ｂは、第２の素子間導電体部３ｂの一側面から側方に向かって伸長するように設けられている。さらに具体的には、負極電極端子４ｂは、Ｕ相電極端子３１、３２の開口側に伸長するように設けられている。なお、図５においては、負極電極端子４ｂが伸長する位置は、第２のＩＧＢＴモジュール１ｂの手前側としている。   The negative electrode terminal 4b is made of a flat and long conductive metal material. The negative electrode terminal 4b is formed integrally with the second inter-element conductor 3b. Specifically, one end side of the negative electrode terminal 4b is integrally joined to one side surface of the second inter-element conductor portion 3b. That is, the negative electrode terminal 4b is provided so as to extend from one side surface of the second inter-element conductor portion 3b to the side. More specifically, the negative electrode terminal 4 b is provided so as to extend to the opening side of the U-phase electrode terminals 31 and 32. In FIG. 5, the position where the negative electrode terminal 4b extends is the front side of the second IGBT module 1b.

そして、上側Ｕ相電極端子３１と下側Ｕ相電極端子３２とにより囲まれる範囲３３には、樹脂によりモールド又はポッティングする。すなわち、上側Ｕ相電極端子３１と下側Ｕ相電極端子３２とにより囲まれる範囲３３に設けられた第１のＩＧＢＴモジュール１ａ及び第２のＩＧＢＴモジュール１ｂとＵ相電極端子３１、３２と正極電極端子４ａと負極電極端子４ｂとの一体性を高めることができる。ただし、正極電極端子４ａの他端側、負極電極端子４ｂの他端側、第１のゲート配線５ａの他端側、及び第２のゲート配線５ｂの他端側は、モールド又はポッティングされた樹脂の外部側に伸長している。   The range 33 surrounded by the upper U-phase electrode terminal 31 and the lower U-phase electrode terminal 32 is molded or potted with resin. That is, the first IGBT module 1a and the second IGBT module 1b, the U-phase electrode terminals 31 and 32, and the positive electrode provided in the range 33 surrounded by the upper U-phase electrode terminal 31 and the lower U-phase electrode terminal 32. The integrity of the terminal 4a and the negative electrode terminal 4b can be enhanced. However, the other end side of the positive electrode terminal 4a, the other end side of the negative electrode terminal 4b, the other end side of the first gate wiring 5a, and the other end side of the second gate wiring 5b are molded or potted resin. Extends to the outside.

（７）第５実施例の三相インバータ装置
第５実施例の三相インバータ装置について図７〜図１１を参照して説明する。図７（ａ）は、第５実施例の三相インバータ装置の斜視図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）における樹脂をモールド又はポッティングする前の三相インバータ装置の斜視図である。図７（ｃ）は、図７（ｂ）における負極電極端子４１ａ、４１ｂを取り除いた三相インバータ装置の斜視図である。図８は、図７（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。図９は、図７（ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。図１０は、図７（ｂ）のＣ−Ｃ断面図である。図１１は、第５実施例の三相インバータ装置の回路構成図である。 (7) Three-phase inverter device of fifth embodiment A three-phase inverter device of the fifth embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 7A is a perspective view of the three-phase inverter device of the fifth embodiment. FIG. 7B is a perspective view of the three-phase inverter device before the resin in FIG. 7A is molded or potted. FIG. 7C is a perspective view of the three-phase inverter device from which the negative electrode terminals 41a and 41b in FIG. 7B are removed. FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. FIG. 11 is a circuit configuration diagram of the three-phase inverter device of the fifth embodiment.

（７．１）第５実施例の三相インバータ装置の回路
まず、図１１を参照して第５実施例の三相インバータ装置の回路構成を説明する。図１１に示すように、第５実施例の三相インバータ装置は、ＩＧＢＴ素子Ｔとダイオード素子Ｄが並列に接続された１組のモジュールＭが合計６組接続されている。具体的には、２組ずつのモジュールＭがそれぞれ直列に接続され、これらの直列接続された２組のモジュールＭが並列に３列接続されている。以下、それぞれのモジュールＭを、第１上アームＭｃ、第１下アームＭｄ、第２上アームＭｅ、第２下アームＭｆ、第３上アームＭｇ、第３下アームＭｈとする。また、それぞれのアームＭｃ〜Ｍｈを構成するＩＧＢＴ素子Ｔ及びダイオード素子Ｄは、それぞれＩＧＢＴ素子Ｔｃ〜Ｔｈ及びダイオード素子Ｄｃ〜Ｄｈとする。 (7.1) Circuit of Three-Phase Inverter Device of Fifth Embodiment First, the circuit configuration of the three-phase inverter device of the fifth embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 11, in the three-phase inverter device of the fifth embodiment, a total of six sets of one set of modules M in which IGBT elements T and diode elements D are connected in parallel are connected. Specifically, two sets of modules M are connected in series, and two sets of these modules M connected in series are connected in parallel in three rows. Hereinafter, the modules M are referred to as a first upper arm Mc, a first lower arm Md, a second upper arm Me, a second lower arm Mf, a third upper arm Mg, and a third lower arm Mh. The IGBT elements T and the diode elements D constituting the arms Mc to Mh are respectively referred to as IGBT elements Tc to Th and diode elements Dc to Dh.

そして、第１上アームＭｃと第２上アームＭｅと第３上アームＭｇのＩＧＢＴ素子Ｔｃ、Ｔｅ、Ｔｇのコレクタ側が、正極電極端子に接続されている。第１下アームＭｄと第２下アームＭｆと第３下アームＭｈのＩＧＢＴ素子Ｔｄ、Ｔｆ、Ｔｈのエミッタ側が、負極電極端子に接続されている。さらに、第１上アームＭｃのエミッタ側及び第１下アームＭｄのコレクタ側がＵ相電極端子に接続されている。第２上アームＭｅのエミッタ側及び第２下アームＭｆのコレクタ側がＶ相電極端子に接続されている。第３上アームＭｇのエミッタ側及び第３下アームＭｈのコレクタ側がＷ相電極端子に接続されている。   The collector sides of the IGBT elements Tc, Te, Tg of the first upper arm Mc, the second upper arm Me, and the third upper arm Mg are connected to the positive electrode terminal. The emitter sides of the IGBT elements Td, Tf, Th of the first lower arm Md, the second lower arm Mf, and the third lower arm Mh are connected to the negative electrode terminal. Furthermore, the emitter side of the first upper arm Mc and the collector side of the first lower arm Md are connected to the U-phase electrode terminal. The emitter side of the second upper arm Me and the collector side of the second lower arm Mf are connected to the V-phase electrode terminal. The emitter side of the third upper arm Mg and the collector side of the third lower arm Mh are connected to the W-phase electrode terminal.

（７．２）第５実施例の三相インバータ装置の構成
次に、図７〜図１０を参照して、第５実施例の三相インバータ装置について詳細に説明する。第５実施例の三相インバータ装置は、上アーム用ＩＧＢＴモジュール（上アーム用スイッチングモジュール）１ｃ、１ｅ、１ｇと、下アーム用ＩＧＢＴモジュール（下アーム用スイッチングモジュール）１ｄ、１ｆ、１ｈと、正極電極端子（正極電極放熱板端子）４１ａ、４２ａと、負極電極端子（負極電極放熱板端子）４１ｂ、４２ｂと、Ｕ相電極端子４ｕと、Ｖ相電極端子４ｖと、Ｗ相電極端子４ｗと、樹脂１０ａとから構成される。 (7.2) Configuration of Three-Phase Inverter Device of Fifth Embodiment Next, the three-phase inverter device of the fifth embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 7 to 10. The three-phase inverter device of the fifth embodiment includes an upper arm IGBT module (upper arm switching module) 1c, 1e, 1g, a lower arm IGBT module (lower arm switching module) 1d, 1f, 1h, and a positive electrode. Electrode terminals (positive electrode heat radiation plate terminals) 41a, 42a, negative electrode terminals (negative electrode electrode heat radiation plate terminals) 41b, 42b, U-phase electrode terminal 4u, V-phase electrode terminal 4v, W-phase electrode terminal 4w, And the resin 10a.

（７．２．１）三相インバータ装置の外観構成
まず、第５実施例の三相インバータ装置の外観構成について、図７（ａ）を参照して説明する。三相インバータ装置の外観構成は、図７（ａ）に示すように、正極電極端子４１ａ、４２ａと負極電極端子４１ｂ、４２ｂとが隣接して設けられており、その両端側からＵ相電極端子４ｕとＶ相電極端子４ｖとＷ相電極端子４ｗとが伸長している。さらに、正極電極端子４１ａ、４２ａの内部側及び負極電極端子４１ｂ、４２ｂの内部側、並びに、正極電極端子４１ａ、４２ａと負極電極端子４１ｂ、４２ｂとの中間部分は、樹脂１０ａによりモールド又はポッティングされている。なお、樹脂１０ａは、正極電極端子４１ａ、４２ａ及び負極電極端子４１ｂ、４２ｂの外側の一部分にもモールド又はポッティングされている。 (7.2.1) External configuration of three-phase inverter device First, the external configuration of the three-phase inverter device of the fifth embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 7A, the external configuration of the three-phase inverter device is such that positive electrode terminals 41a and 42a and negative electrode terminals 41b and 42b are provided adjacent to each other, and U-phase electrode terminals from both ends thereof. 4u, the V-phase electrode terminal 4v, and the W-phase electrode terminal 4w extend. Further, the inner side of the positive electrode terminals 41a and 42a, the inner side of the negative electrode terminals 41b and 42b, and the intermediate part between the positive electrode terminals 41a and 42a and the negative electrode terminals 41b and 42b are molded or potted with the resin 10a. ing. The resin 10a is also molded or potted on part of the outer sides of the positive electrode terminals 41a and 42a and the negative electrode terminals 41b and 42b.

そして、正極電極端子４１ａ、４２ａと負極電極端子４１ｂ、４２ｂとの間からは、ゲート金属製端子板５ｇが伸長している。すなわち、モールド又はポッティングされた樹脂１０ａの外側に６本のゲート金属製端子板５ｇが伸長している。なお、これらのゲート金属製端子板５ｇは、上方側に向かって屈曲されている。   A gate metal terminal plate 5g extends between the positive electrode terminals 41a and 42a and the negative electrode terminals 41b and 42b. That is, six gate metal terminal boards 5g extend outside the molded or potted resin 10a. These gate metal terminal plates 5g are bent upward.

（７．２．２）正極電極端子の内部側の構成
次に、正極電極端子４１ａ、４２ａの内部側について、図７（ｃ）、図８及び図１０を参照して説明する。図７（ｃ）及び図８に示すように、正極電極端子４１ａ、４２ａの内部側には、第１上アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｃと、第２上アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｅと、第３上アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｇとが設けられている。 (7.2.2) Configuration on the Internal Side of the Positive Electrode Terminal Next, the internal side of the positive electrode terminals 41a and 42a will be described with reference to FIG. 7 (c), FIG. 8 and FIG. As shown in FIGS. 7C and 8, the first upper arm IGBT module 1 c, the second upper arm IGBT module 1 e, and the third upper arm use are disposed inside the positive electrode terminals 41 a and 42 a. An IGBT module 1g is provided.

ここで、第１上アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｃは、上述した第１上アームＭｃの回路を形成するモジュールである。第２上アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｅは、上述した第２上アームＭｅの回路を形成するモジュールである。第３上アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｇは、上述した第３上アームＭｇの回路を形成するモジュールである。   Here, the first upper arm IGBT module 1c is a module that forms the circuit of the first upper arm Mc described above. The second upper arm IGBT module 1e is a module that forms a circuit of the above-described second upper arm Me. The third upper arm IGBT module 1g is a module for forming the above-described circuit of the third upper arm Mg.

具体的には、第１〜第３上アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｃ、１ｅ、１ｇは、上記第１実施例の半導体装置におけるＩＧＢＴモジュール１とほぼ同一構成からなる。従って、図７（ｃ）、図８及び図１０においては、第１実施例の半導体装置と同一構成については同一符号を付して説明を省略する。なお、第５実施例の三相インバータ装置におけるＩＧＢＴ素子Ｔｃ、Ｔｅ、Ｔｇ及びダイオード素子Ｄｃ、Ｄｅ、Ｄｇは、第１実施例の半導体装置におけるＩＧＢＴ素子Ｔ及びダイオード素子Ｄに相当する。つまり、ＩＧＢＴ素子Ｔｃ、Ｔｅ、Ｔｇのエミッタ側とダイオード素子Ｄｃ、Ｄｅ、Ｄｇのアノード側とがそれぞれ対向して設けられており、両者が素子間導電体部３を介して電気的に接続されている。また、第５実施例の三相インバータ装置におけるＵ相電極端子４ｕ、Ｖ相電極端子４ｖ、及びＷ相電極端子４ｗは、第１実施例の半導体装置におけるエミッタ側電極端子４に相当する。つまり、それぞれの素子間導電体部３は、Ｕ相電極端子４ｕ、Ｖ相電極端子４ｖ、Ｗ相電極端子４ｗに一体的に成形されている。なお、図１０に示すように、Ｕ相電極端子４ｕ、Ｖ相電極端子４ｖ、及びＷ相電極端子４ｗは、素子間導電体部３の両端側に一体的に成形されている。   Specifically, the first to third upper arm IGBT modules 1c, 1e, and 1g have substantially the same configuration as the IGBT module 1 in the semiconductor device of the first embodiment. Therefore, in FIG. 7C, FIG. 8 and FIG. 10, the same components as those of the semiconductor device of the first embodiment are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted. The IGBT elements Tc, Te, Tg and the diode elements Dc, De, Dg in the three-phase inverter device of the fifth embodiment correspond to the IGBT elements T and the diode elements D in the semiconductor device of the first embodiment. That is, the emitter side of the IGBT elements Tc, Te, Tg and the anode side of the diode elements Dc, De, Dg are provided to face each other, and both are electrically connected via the inter-element conductor section 3. ing. The U-phase electrode terminal 4u, the V-phase electrode terminal 4v, and the W-phase electrode terminal 4w in the three-phase inverter device of the fifth embodiment correspond to the emitter-side electrode terminal 4 in the semiconductor device of the first embodiment. That is, each inter-element conductor 3 is integrally formed with a U-phase electrode terminal 4u, a V-phase electrode terminal 4v, and a W-phase electrode terminal 4w. As shown in FIG. 10, the U-phase electrode terminal 4 u, the V-phase electrode terminal 4 v, and the W-phase electrode terminal 4 w are integrally formed on both end sides of the inter-element conductor portion 3.

正極電極端子は、上側正極電極端子（第１導電性放熱板部）４１ａと下側正極電極端子（第２導電性放熱板部）４２ａとから構成される。上側正極電極端子４１ａは、導電性金属材料からなり、図８の上側に凸設した断面形状に形成されている。そして、上側正極電極端子４１ａの凸設面（板部）の下面側が、導電性樹脂９を介してダイオード素子Ｄｃ、Ｄｅ、Ｄｇの上面側に電気的に接続されている。すなわち、上側正極電極端子４１ａは、ダイオード素子Ｄｃ、Ｄｅ、Ｄｇのカソード側に電気的に接続されている。   The positive electrode terminal includes an upper positive electrode terminal (first conductive heat radiating plate portion) 41a and a lower positive electrode terminal (second conductive heat radiating plate portion) 42a. The upper positive electrode terminal 41a is made of a conductive metal material, and has a cross-sectional shape that protrudes upward in FIG. The lower surface side of the projecting surface (plate portion) of the upper positive electrode terminal 41a is electrically connected to the upper surface side of the diode elements Dc, De, Dg via the conductive resin 9. That is, the upper positive electrode terminal 41a is electrically connected to the cathode side of the diode elements Dc, De, Dg.

下側正極電極端子４２ａは、導電性金属材料からなり、ほぼ平板状に形成されている。この下側正極電極端子４２ａの上面側が、導電性樹脂６を介してＩＧＢＴ素子Ｔｃ、Ｔｅ、Ｔｇの下面側に電気的に接続されている。すなわち、下側正極電極端子４２ａは、ＩＧＢＴ素子Ｔｃ、Ｔｅ、Ｔｇのコレクタ側に電気的に接続されている。そして、この下側正極電極端子４２ａは、上側正極電極端子４１ａの凸設面に対して平行に設けられている。つまり、上側正極電極端子４１ａと下側正極電極端子４２ａとにより、第１〜第３上アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｃ、１ｅ、１ｇを挟み込むように設けられている。さらに、下側正極電極端子４２ａは、上側正極電極端子４１ａの両端側面に導電性接着剤を介して接着している。   The lower positive electrode terminal 42a is made of a conductive metal material and has a substantially flat plate shape. The upper surface side of the lower positive electrode terminal 42 a is electrically connected to the lower surface side of the IGBT elements Tc, Te, Tg via the conductive resin 6. That is, the lower positive electrode terminal 42a is electrically connected to the collector side of the IGBT elements Tc, Te, Tg. The lower positive electrode terminal 42a is provided in parallel to the convex surface of the upper positive electrode terminal 41a. In other words, the first to third upper arm IGBT modules 1c, 1e, and 1g are sandwiched between the upper positive electrode terminal 41a and the lower positive electrode terminal 42a. Further, the lower positive electrode terminal 42a is bonded to both side surfaces of the upper positive electrode terminal 41a via a conductive adhesive.

なお、第１〜第３上アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｃ、１ｅ、１ｇのゲート側電極端子は、図７（ｃ）に示すように、ゲート配線５とゲート金属製端子板５ｇとから構成される。このゲート側電極端子は、第１〜第３上アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｃ、１ｅ、１ｇに対してそれぞれ備えられている。ゲート金属製端子板５ｇは、下側正極電極端子４２ａの上面側に絶縁層を介して設けられた接合部分と、この接合部分から樹脂１０ａ（図７（ａ）に示す）の外側に伸長される伸長部分とからなる。さらに、詳細には、ゲート金属製端子板５ｇの接合部分は、それぞれのＩＧＢＴ素子Ｔｃ、Ｔｅ、Ｔｇ付近に設けられており、正極電極端子４１ａ、４２ａと負極電極端子４１ｂ、４２ｂとの間側に向かって伸長している。さらに、それぞれのゲート金属製端子板５ｇの伸長部分は、Ｕ相電極端子４ｕ又はＶ相電極端子４ｖの下方側を通過して設けられている。   The gate-side electrode terminals of the first to third upper arm IGBT modules 1c, 1e, and 1g are composed of a gate wiring 5 and a gate metal terminal plate 5g, as shown in FIG. 7C. The gate-side electrode terminals are provided for the first to third upper arm IGBT modules 1c, 1e, and 1g, respectively. The gate metal terminal plate 5g is extended to the outside of the resin 10a (shown in FIG. 7 (a)), and a joint portion provided on the upper surface side of the lower positive electrode terminal 42a via an insulating layer. And an elongated portion. More specifically, the joint portion of the gate metal terminal plate 5g is provided in the vicinity of each IGBT element Tc, Te, Tg, and between the positive electrode terminals 41a, 42a and the negative electrode terminals 41b, 42b. It extends toward. Furthermore, the extended part of each gate metal terminal board 5g is provided through the lower side of the U-phase electrode terminal 4u or the V-phase electrode terminal 4v.

そして、ゲート配線５は、一端側がＩＧＢＴ素子Ｔｃ、Ｔｅ、Ｔｇのゲートパッドにワイヤボンディングされており、他端側がゲート金属製端子板５ｇの接合部分にワイヤボンディングされている。   One end of the gate wiring 5 is wire-bonded to the gate pad of the IGBT elements Tc, Te, Tg, and the other end is wire-bonded to the joint portion of the gate metal terminal plate 5g.

（７．２．３）負極電極端子の内部側の構成
次に、負極電極端子４１ｂ、４２ｂの内部側について、図７（ｃ）、図９及び図１０を参照して説明する。図７（ｃ）及び図９に示すように、負極電極端子４１ｂ、４２ｂの内部側には、第１下アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｄと、第２下アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｆと、第３下アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｈとが設けられている。 (7.2.3) Configuration on the Inner Side of the Negative Electrode Terminal Next, the inner side of the negative electrode terminals 41b and 42b will be described with reference to FIG. 7C, FIG. 9 and FIG. As shown in FIGS. 7C and 9, on the inner side of the negative electrode terminals 41b and 42b, the first lower arm IGBT module 1d, the second lower arm IGBT module 1f, and the third lower arm use are provided. An IGBT module 1h is provided.

ここで、第１下アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｄは、上述した第１下アームＭｄの回路を形成するモジュールである。第２下アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｆは、上述した第２下アームＭｆの回路を形成するモジュールである。第３下アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｈは、上述した第３下アームＭｈの回路を形成するモジュールである。   Here, the first lower arm IGBT module 1d is a module that forms the circuit of the first lower arm Md described above. The second lower arm IGBT module 1f is a module that forms the circuit of the second lower arm Mf described above. The third lower arm IGBT module 1h is a module that forms the circuit of the third lower arm Mh described above.

具体的には、第１〜第３下アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｄ、１ｆ、１ｈは、上記第４実施例の半導体装置における第１のＩＧＢＴモジュール１ａとほぼ同一構成からなる。従って、図７（ｃ）、図９及び図１０においては、第４実施例の半導体装置と同一構成については同一符号を付して説明を省略する。なお、第５実施例の三相インバータ装置におけるＩＧＢＴ素子Ｔｄ、Ｔｆ、Ｔｈ及びダイオード素子Ｄｄ、Ｄｆ、Ｄｈは、第４実施例の半導体装置における第１のＩＧＢＴ素子Ｔａ及び第１のダイオード素子Ｄａに相当する。つまり、ＩＧＢＴ素子Ｔｄ、Ｔｆ、Ｔｈのコレクタ側とダイオード素子Ｄｄ、Ｄｆ、Ｄｈのカソード側とがそれぞれ対向して設けられており、両者が素子間導電体部３ａを介して電気的に接続されている。また、第５実施例の三相インバータ装置におけるＵ相電極端子４ｕ、Ｖ相電極端子４ｖ、及びＷ相電極端子４ｗは、第４実施例の半導体装置における正極電極端子４ａに相当する。つまり、素子間導電体部３ａは、Ｕ相電極端子４ｕ、Ｖ相電極端子４ｖ、Ｗ相電極端子４ｗに一体的に成形されている。なお、図１０に示すように、Ｕ相電極端子４ｕ、Ｖ相電極端子４ｖ、及びＷ相電極端子４ｗは、素子間導電体部３ａの両端側に一体的に成形されている。   Specifically, the first to third lower arm IGBT modules 1d, 1f, and 1h have substantially the same configuration as the first IGBT module 1a in the semiconductor device of the fourth embodiment. Therefore, in FIG. 7C, FIG. 9 and FIG. 10, the same components as those of the semiconductor device of the fourth embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. The IGBT elements Td, Tf, Th and the diode elements Dd, Df, Dh in the three-phase inverter device of the fifth embodiment are the first IGBT element Ta and the first diode element Da in the semiconductor device of the fourth embodiment. It corresponds to. In other words, the collector side of the IGBT elements Td, Tf, Th and the cathode side of the diode elements Dd, Df, Dh are provided facing each other, and both are electrically connected via the inter-element conductor 3a. ing. Moreover, the U-phase electrode terminal 4u, the V-phase electrode terminal 4v, and the W-phase electrode terminal 4w in the three-phase inverter device of the fifth embodiment correspond to the positive electrode terminal 4a in the semiconductor device of the fourth embodiment. That is, the inter-element conductor 3a is integrally formed with the U-phase electrode terminal 4u, the V-phase electrode terminal 4v, and the W-phase electrode terminal 4w. As shown in FIG. 10, the U-phase electrode terminal 4u, the V-phase electrode terminal 4v, and the W-phase electrode terminal 4w are integrally formed on both end sides of the inter-element conductor portion 3a.

負極電極端子は、上側負極電極端子（第１導電性放熱板部）４１ｂと下側負極電極端子（第２導電性放熱板部）４２ｂとから構成される。上側負極電極端子４１ｂは、導電性金属材料からなり、図９の上側に凸設した断面形状に形成されている。そして、上側負極電極端子４１ａｂ凸設面（板部）の下面側が、導電性樹脂９ａを介してダイオード素子Ｄｄ、Ｄｆ、Ｄｈの上面側に電気的に接続されている。すなわち、上側負極電極端子４１ｂは、ダイオード素子Ｄｄ、Ｄｆ、Ｄｈのアノード側に電気的に接続されている。   The negative electrode terminal includes an upper negative electrode terminal (first conductive heat radiating plate portion) 41b and a lower negative electrode terminal (second conductive heat radiating plate portion) 42b. The upper negative electrode terminal 41b is made of a conductive metal material, and has a cross-sectional shape that protrudes upward in FIG. The lower surface side of the upper negative electrode terminal 41ab projecting surface (plate portion) is electrically connected to the upper surface side of the diode elements Dd, Df, and Dh via the conductive resin 9a. That is, the upper negative electrode terminal 41b is electrically connected to the anode side of the diode elements Dd, Df, Dh.

下側負極電極端子４２ｂは、導電性金属材料からなり、ほぼ平板状に形成されている。この下側負極電極端子４２ｂの上面側が、導電性樹脂６ａを介してＩＧＢＴ素子Ｔｄ、Ｔｆ、Ｔｈの下面側に電気的に接続されている。すなわち、下側負極電極端子４２ｂは、ＩＧＢＴ素子Ｔｄ、Ｔｆ、Ｔｈのエミッタ側に電気的に接続されている。そして、この下側負極電極端子４２ｂは、上側負極電極端子４１ｂの凸設面に対して平行に設けられている。つまり、上側負極電極端子４１ｂと下側負極電極端子４２ｂとにより、第１〜第３下アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｄ、１ｆ、１ｈを挟み込むように設けられている。さらに、下側負極電極端子４２ｂは、上側負極電極端子４１ｂの両端側面に導電性接着剤を介して接着している。   The lower negative electrode terminal 42b is made of a conductive metal material and has a substantially flat plate shape. The upper surface side of the lower negative electrode terminal 42b is electrically connected to the lower surface side of the IGBT elements Td, Tf, Th through the conductive resin 6a. That is, the lower negative electrode terminal 42b is electrically connected to the emitter side of the IGBT elements Td, Tf, Th. The lower negative electrode terminal 42b is provided in parallel to the convex surface of the upper negative electrode terminal 41b. That is, the upper negative electrode terminal 41b and the lower negative electrode terminal 42b are provided so as to sandwich the first to third lower arm IGBT modules 1d, 1f, and 1h. Further, the lower negative electrode terminal 42b is bonded to both side surfaces of the upper negative electrode terminal 41b via a conductive adhesive.

なお、第１〜第３下アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｄ、１ｆ、１ｈゲート側電極端子は、図７（ｃ）に示すように、ゲート配線５とゲート金属製端子板５ｇとから構成される。このゲート側電極端子は、第１〜第３下アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｄ、１ｆ、１ｈに対してそれぞれ備えられている。ゲート金属製端子板５ｇは、下側正極電極端子４２ｂの上面側に絶縁層を介して設けられた接合部分と、この接合部分から樹脂１０ａ（図７（ａ）に示す）の外側に伸長される伸長部分とからなる。さらに、詳細には、ゲート金属製端子板５ｇの接合部分は、それぞれのＩＧＢＴ素子Ｔｃ、Ｔｅ、Ｔｇ付近に設けられており、正極電極端子４１ａ、４２ａと負極電極端子４１ｂ、４２ｂとの間側に向かって伸長している。さらに、それぞれのゲート金属製端子板５ｇの伸長部分は、Ｕ相電極端子４ｕ又はＶ相電極端子４ｖの下方側を通過して設けられている。   The first to third lower arm IGBT modules 1d, 1f, and 1h gate-side electrode terminals are composed of a gate wiring 5 and a gate metal terminal plate 5g, as shown in FIG. 7C. The gate-side electrode terminals are provided for the first to third lower arm IGBT modules 1d, 1f, and 1h, respectively. The gate metal terminal plate 5g is extended to the outer side of the resin 10a (shown in FIG. 7A) from a joint portion provided on the upper surface side of the lower positive electrode terminal 42b via an insulating layer. And an elongated portion. More specifically, the joint portion of the gate metal terminal plate 5g is provided in the vicinity of each IGBT element Tc, Te, Tg, and between the positive electrode terminals 41a, 42a and the negative electrode terminals 41b, 42b. It extends toward. Furthermore, the extended part of each gate metal terminal board 5g is provided through the lower side of the U-phase electrode terminal 4u or the V-phase electrode terminal 4v.

そして、ゲート配線５は、一端側がＩＧＢＴ素子Ｔｃ、Ｔｅ、Ｔｇのゲートパッドにワイヤボンディングされており、他端側がゲート金属製端子板５ｇの接合部分にワイヤボンディングされている。   One end of the gate wiring 5 is wire-bonded to the gate pad of the IGBT elements Tc, Te, Tg, and the other end is wire-bonded to the joint portion of the gate metal terminal plate 5g.

（８）第６実施例の三相インバータ装置
第６実施例の三相インバータ装置について図１２〜図１４を参照して説明する。図１２は、第６実施例の三相インバータ装置のうち樹脂をモールド又はポッティングする前の状態の斜視図である。図１３は、図１２のＤ−Ｄ断面図である。図１４は、図１２のＥ−Ｅ断面図である。 (8) Three-phase inverter device of sixth embodiment A three-phase inverter device of the sixth embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 12 is a perspective view of a state before molding or potting resin in the three-phase inverter device of the sixth embodiment. 13 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line EE in FIG.

（８．１）第６実施例の三相インバータ装置の回路
第６実施例の三相インバータ装置の回路構成は、図１０に示す上記第５実施例の三相インバータ装置の回路構成と同一であるので説明を省略する。 (8.1) Circuit of the three-phase inverter device of the sixth embodiment The circuit configuration of the three-phase inverter device of the sixth embodiment is the same as the circuit configuration of the three-phase inverter device of the fifth embodiment shown in FIG. Since there is, explanation is omitted.

（８．２）第６実施例の三相インバータ装置の構成
次に、第６実施例の三相インバータ装置の構成について詳細に説明する。図１２に示すように、第６実施例の三相インバータ装置は、Ｕ相アーム用ＩＧＢＴモジュール（Ｕ相アーム用スイッチングモジュール）１ｃ、１ｄと、Ｖ相アーム用ＩＧＢＴモジュール（Ｖ相アーム用スイッチングモジュール）１ｅ、１ｆと、Ｗ相アーム用ＩＧＢＴモジュール（Ｗ相アーム用スイッチングモジュール）１ｇ、１ｈと、正極電極端子４ｐと、負極電極端子４ｎと、Ｕ相電極端子（Ｕ相電極放熱板端子）５１ａ、５２ａと、Ｖ相電極端子（Ｖ相電極放熱板端子）５１ｂ、５２ｂと、Ｗ相電極端子（Ｗ相電極放熱板端子）５１ｃ、５２ｃと、樹脂とから構成される。 (8.2) Configuration of Three-Phase Inverter Device of Sixth Embodiment Next, the configuration of the three-phase inverter device of the sixth embodiment will be described in detail. As shown in FIG. 12, the three-phase inverter device of the sixth embodiment includes U-phase arm IGBT modules (U-phase arm switching modules) 1c and 1d, and V-phase arm IGBT modules (V-phase arm switching modules). ) 1e, 1f, W-phase arm IGBT module (W-phase arm switching module) 1g, 1h, positive electrode terminal 4p, negative electrode terminal 4n, U-phase electrode terminal (U-phase electrode heat dissipation plate terminal) 51a , 52a, V-phase electrode terminals (V-phase electrode heat dissipation plate terminals) 51b, 52b, W-phase electrode terminals (W-phase electrode heat dissipation plate terminals) 51c, 52c, and a resin.

（８．２．１）三相インバータ装置の外観構成
まず、第６実施例の三相インバータ装置の外観構成について、図１２を参照して説明する。三相インバータ装置の外観構成は、図１２に示すように、Ｕ相電極端子５１ａ、５２ａとＶ相電極端子５１ｂ、５２ｂとＷ相電極端子５１ｃ、５２ｃとが隣接して設けられており、その両端側から正極電極端子４ｐと負極電極端子４ｎとが伸長している。さらに、Ｕ相電極端子５１ａ、５２ａの内部側、Ｖ相電極端子５１ｂ、５２ｂの内部側及びＷ相電極端子５１ｃ、５２ｃの内部側、並びに、各相電極端子５１ａ、５２ａ、５１ｂ、５２ｂ、５１ｃ、５２ｃの中間部分は、樹脂（図７（ａ）参照）によりモールド又はポッティングされている。なお、この樹脂は、Ｕ相電極端子５１ａ、５２ａ及びＷ相電極端子５１ｃ、５２ｃの外側の一部分にもモールド又はポッティングされている。 (8.2.1) External configuration of three-phase inverter device First, the external configuration of the three-phase inverter device of the sixth embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 12, the three-phase inverter device has U-phase electrode terminals 51a and 52a, V-phase electrode terminals 51b and 52b, and W-phase electrode terminals 51c and 52c adjacent to each other. The positive electrode terminal 4p and the negative electrode terminal 4n extend from both ends. Furthermore, the inner side of the U-phase electrode terminals 51a and 52a, the inner side of the V-phase electrode terminals 51b and 52b, the inner side of the W-phase electrode terminals 51c and 52c, and the phase electrode terminals 51a, 52a, 51b, 52b, and 51c. , 52c is molded or potted with resin (see FIG. 7A). This resin is also molded or potted in part of the outside of the U-phase electrode terminals 51a and 52a and the W-phase electrode terminals 51c and 52c.

そして、Ｕ相電極端子５１ａ、５２ａとＶ相電極端子５１ｂ、５２ｂとの間からは、Ｕ相用及びＶ相用のゲート金属製端子板５ｇが伸長している。さらに、Ｖ相電極端子５１ｂ、５２ｂとＷ相電極端子５１ｃ、５２ｃとの間からは、Ｗ相用のゲート金属製端子板５ｇが伸長している。すなわち、モールド又はポッティングされた樹脂の外側に合計６本のゲート金属製端子板５ｇが伸長している。なお、これらのゲート金属製端子板５ｇは、上方側に向かって屈曲されている。   A gate metal terminal plate 5g for U phase and V phase extends from between the U phase electrode terminals 51a, 52a and the V phase electrode terminals 51b, 52b. Furthermore, a W-phase metal gate terminal plate 5g extends between the V-phase electrode terminals 51b and 52b and the W-phase electrode terminals 51c and 52c. That is, a total of six gate metal terminal plates 5g extend outside the molded or potted resin. These gate metal terminal plates 5g are bent upward.

（８．２．２）各相電極端子の内部側の構成
次に、各相電極端子５１ａ、５２ａ、５１ｂ、５２ｂ、５１ｃ、５２ｃの内部側について、図１３及び図１４を参照して説明する。図１３に示すように、Ｕ相電極端子５１ａ、５２ａの内部側と、Ｖ相電極端子５１ｂ、５２ｂの内部側と、Ｗ相電極端子５１ｃ、５２ｃの内部側とは、同一構成からなる。ただし実際には、上述したように、Ｕ相電極端子５１ａ、５２ａの内部側には、第１上アームＭｃの回路を形成するＵ相上アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｃと、上述した第１上アームＭｄの回路を形成するＵ相下アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｄとが設けられている。また、Ｖ相電極端子５１ｂ、５２ｂの内部側には、上述した第２上アームＭｅの回路を形成するＶ相上アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｅと、上述した第２下アームＭｆの回路を形成するＶ相下アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｆとが設けられている。Ｗ相電極端子５１ｃ、５２ｃの内部側には、上述した第３上アームＭｇの回路を形成するＷ相上アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｇと、上述した第３下アームＭｈの回路を形成するＷ相下アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｈとが設けられている。 (8.2.2) Configuration on the Inner Side of Each Phase Electrode Terminal Next, the inner side of each phase electrode terminal 51a, 52a, 51b, 52b, 51c, 52c will be described with reference to FIG. 13 and FIG. . As shown in FIG. 13, the inner side of U-phase electrode terminals 51a and 52a, the inner side of V-phase electrode terminals 51b and 52b, and the inner side of W-phase electrode terminals 51c and 52c have the same configuration. However, actually, as described above, the U-phase upper arm IGBT module 1c that forms the circuit of the first upper arm Mc and the first upper arm Md described above are provided inside the U-phase electrode terminals 51a and 52a. The U-phase lower arm IGBT module 1d forming the circuit of FIG. Further, on the inner side of the V-phase electrode terminals 51b and 52b, the V-phase upper arm IGBT module 1e that forms the circuit of the second upper arm Me described above and the V that forms the circuit of the second lower arm Mf described above. An IGBT module for a lower arm 1f is provided. On the inner side of the W-phase electrode terminals 51c, 52c, there is a W-phase upper arm IGBT module 1g that forms the above-described third upper arm Mg circuit, and a W-phase bottom that forms the above-described third lower arm Mh circuit. An IGBT module for arm 1h is provided.

具体的には、各相上アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｃ、１ｅ、１ｇは、上記第４実施例の半導体装置におけるＩＧＢＴモジュール１ａと同一構成からなる。従って、図１３及び図１４においては、第４実施例の半導体装置と同一構成については同一符号を付して説明を省略する。なお、第６実施例の三相インバータ装置におけるＩＧＢＴ素子Ｔｃ、Ｔｅ、Ｔｇ及びダイオード素子Ｄｃ、Ｄｅ、Ｄｇは、第４実施例の半導体装置におけるＩＧＢＴ素子Ｔａ及びダイオード素子Ｄａに相当する。つまり、ＩＧＢＴ素子Ｔｃ、Ｔｅ、Ｔｇのコレクタ側とダイオード素子Ｄｃ、Ｄｅ、Ｄｇのカソード側とがそれぞれ対向して設けられており、両者が素子間導電体部３ａを介して電気的に接続されている。また、第６実施例の三相インバータ装置におけるＩＧＢＴ素子Ｔｄ、Ｔｆ、Ｔｈ及びダイオード素子Ｄｄ、Ｄｆ、Ｄｈは、第４実施例の半導体装置におけるＩＧＢＴ素子Ｔｂ及びダイオード素子Ｄｂに相当する。つまり、ＩＧＢＴ素子Ｔｄ、Ｔｆ、Ｔｈのエミッタ側とダイオード素子Ｄｄ、Ｄｆ、Ｄｈのアノード側とがそれぞれ対向して設けられており、両者が素子間導電体部３ｂを介して電気的に接続されている。   Specifically, each phase upper arm IGBT module 1c, 1e, 1g has the same configuration as the IGBT module 1a in the semiconductor device of the fourth embodiment. Therefore, in FIGS. 13 and 14, the same components as those of the semiconductor device of the fourth embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. The IGBT elements Tc, Te, Tg and the diode elements Dc, De, Dg in the three-phase inverter device of the sixth embodiment correspond to the IGBT element Ta and the diode element Da in the semiconductor device of the fourth embodiment. That is, the collector side of the IGBT elements Tc, Te, Tg and the cathode side of the diode elements Dc, De, Dg are provided to face each other, and both are electrically connected via the inter-element conductor 3a. ing. Further, the IGBT elements Td, Tf, Th and the diode elements Dd, Df, Dh in the three-phase inverter device of the sixth embodiment correspond to the IGBT element Tb and the diode element Db in the semiconductor device of the fourth embodiment. In other words, the emitter side of the IGBT elements Td, Tf, Th and the anode side of the diode elements Dd, Df, Dh are provided facing each other, and both are electrically connected via the inter-element conductor 3b. ing.

また、第６実施例の三相インバータ装置における正極電極端子４ｐ及び負極電極端子４ｎは、第４実施例の半導体装置における正極電極端子４ａ及び負極電極端子４ｂに相当する。つまり、正極電極端子４ｐは素子間導電体部３ａに一体的に成形され、負極電極端子４ｎは素子間導電体部３ｂに一体的に成形されている。なお、図１４に示すように、正極電極端子４ｐ及び負極電極端子４ｎは、素子間導電体部３ａ、３ｂの両端側に一体的に成形されている。   In addition, the positive electrode terminal 4p and the negative electrode terminal 4n in the three-phase inverter device of the sixth embodiment correspond to the positive electrode terminal 4a and the negative electrode terminal 4b in the semiconductor device of the fourth embodiment. That is, the positive electrode terminal 4p is integrally formed with the inter-element conductor portion 3a, and the negative electrode terminal 4n is integrally formed with the inter-element conductor portion 3b. As shown in FIG. 14, the positive electrode terminal 4p and the negative electrode terminal 4n are integrally formed on both end sides of the inter-element conductor portions 3a and 3b.

各相電極端子は、上側各相電極端子（第１導電性放熱板部）５１ａ、５１ｂ、５１ｃと下側各相電極端子（第２導電性放熱板部）５２ａ、５２ｂ、５２ｃとから構成される。上側各相電極端子５１ａ、５１ｂ、５１ｃは、導電性金属材料からなり、図１３の上側に凸設した断面形状に形成されている。そして、上側各相電極端子５１ａ、５１ｂ、５１ｃの凸設面（板部）の下面側が、導電性樹脂９ａを介してダイオード素子Ｄｃ、Ｄｅ、Ｄｇの上面側に電気的に接続され、導電性樹脂９ｂを介してダイオード素子Ｄｄ、Ｄｆ、Ｄｈの上面側に電気的に接続されている。すなわち、上側各相電極端子５１ａ、５１ｂ、５１ｃは、ダイオード素子Ｄｃ、Ｄｅ、Ｄｇのアノード側に電気的に接続され、ダイオード素子Ｄｄ、Ｄｆ、Ｄｈのカソード側に電気的に接続されている。   Each phase electrode terminal is composed of upper phase electrode terminals (first conductive heat radiation plate portions) 51a, 51b, 51c and lower phase electrode terminals (second conductive heat radiation plate portions) 52a, 52b, 52c. The Each upper phase electrode terminal 51a, 51b, 51c is made of a conductive metal material, and is formed in a cross-sectional shape protruding on the upper side of FIG. And the lower surface side of the convex surface (plate part) of each upper side electrode terminal 51a, 51b, 51c is electrically connected to the upper surface side of diode element Dc, De, Dg via the conductive resin 9a, and is electrically conductive. It is electrically connected to the upper surface side of the diode elements Dd, Df, Dh through the resin 9b. That is, the upper phase electrode terminals 51a, 51b, and 51c are electrically connected to the anode sides of the diode elements Dc, De, and Dg, and are electrically connected to the cathode sides of the diode elements Dd, Df, and Dh.

下側各相電極端子５２ａ、５２ｂ、５２ｃは、導電性金属材料からなり、ほぼ平板状に形成されている。この下側各相電極端子５２ａ、５２ｂ、５２ｃの上面側が、導電性樹脂６ａを介してＩＧＢＴ素子Ｔｃ、Ｔｅ、Ｔｇの下面側に電気的に接続され、導電性樹脂６ｂを介してＩＧＢＴ素子Ｔｄ、Ｔｆ、Ｔｈの下面側に電気的に接続されている。すなわち、下側各相電極端子５２ａ、５２ｂ、５２ｃは、ＩＧＢＴ素子Ｔｃ、Ｔｅ、Ｔｇのエミッタ側に電気的に接続され、ＩＧＢＴ素子Ｔｄ、Ｔｆ、Ｔｈのコレクタ側に電気的に接続されている。そして、この下側各相電極端子５２ａ、５２ｂ、５２ｃは、上側各相電極端子５１ａ、５１ｂ、５１ｃの凸設面に対して平行に設けられている。つまり、上側各相電極端子５１ａ、５１ｂ、５１ｃと下側各相電極端子５２ａ、５２ｂ、５２ｃとにより、各相アーム用ＩＧＢＴモジュール１ｃ〜１ｈを挟み込むように設けられている。さらに、下側各相電極端子５２ａ、５２ｂ、５２ｃは、上側各相電極端子５１ａ、５１ｂ、５１ｃの両端側面に導電性接着剤を介して接着している。   The lower phase electrode terminals 52a, 52b, and 52c are made of a conductive metal material and are formed in a substantially flat plate shape. The upper surface side of each lower phase electrode terminal 52a, 52b, 52c is electrically connected to the lower surface side of the IGBT elements Tc, Te, Tg via the conductive resin 6a, and the IGBT element Td via the conductive resin 6b. , Tf, Th are electrically connected to the lower surface side. That is, the lower phase electrode terminals 52a, 52b, and 52c are electrically connected to the emitter side of the IGBT elements Tc, Te, and Tg, and are electrically connected to the collector side of the IGBT elements Td, Tf, and Th. . The lower phase electrode terminals 52a, 52b, and 52c are provided in parallel to the convex surfaces of the upper phase electrode terminals 51a, 51b, and 51c. That is, each phase arm IGBT module 1c-1h is sandwiched between the upper phase electrode terminals 51a, 51b, 51c and the lower phase electrode terminals 52a, 52b, 52c. Further, the lower phase electrode terminals 52a, 52b, and 52c are bonded to both side surfaces of the upper phase electrode terminals 51a, 51b, and 51c via a conductive adhesive.

第１実施例の半導体装置の側面図である。1 is a side view of a semiconductor device according to a first embodiment. 第１実施例の半導体装置の回路構成図である。It is a circuit block diagram of the semiconductor device of 1st Example. 第２実施例の半導体装置の側面図である。It is a side view of the semiconductor device of 2nd Example. 第３実施例の半導体装置の側面図である。It is a side view of the semiconductor device of 3rd Example. 第４実施例の半導体装置の側面図である。It is a side view of the semiconductor device of 4th Example. 第４実施例の半導体装置の回路構成図である。It is a circuit block diagram of the semiconductor device of 4th Example. 第５実施例の三相インバータ装置の斜視図である。It is a perspective view of the three-phase inverter apparatus of 5th Example. 図７のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図７のＢ−Ｂ断面図である。It is BB sectional drawing of FIG. 図７のＣ−Ｃ断面図である。It is CC sectional drawing of FIG. 第５実施例の三相インバータ装置の回路構成図である。It is a circuit block diagram of the three-phase inverter apparatus of 5th Example. 第６実施例の三相インバータ装置の斜視図である。It is a perspective view of the three-phase inverter apparatus of 6th Example. 図１２のＤ−Ｄ断面図である。It is DD sectional drawing of FIG. 図１２のＥ−Ｅ断面図である。It is EE sectional drawing of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１、１ａ〜１ｈ：ＩＧＢＴモジュール（半導体素子モジュール）、 ２：コレクタ側電極端子（導電性放熱板）、 ２ａ、２ｂ：一対の板部、 ２ｃ：連結部、 Ｔ、Ｔａ〜Ｔｈ：ＩＧＢＴ素子、 Ｄ、Ｄａ〜Ｄｈ：ダイオード素子、 ３、３ａ、３ｂ：素子間導電体部、 ４：エミッタ側電極端子、 ４ｕ：Ｕ相電極端子、 ４ｖ：Ｖ相電極端子、 ４ｗ：Ｗ相電極端子、 ４ｐ：正極電極端子、 ４ｎ：負極電極端子、 ５、５ａ、５ｂ：ゲート配線、 ５ｇ：ゲート金属製端子板、 ６、７、８、９、６ａ、７ａ、８ａ、９ａ、６ｂ、７ｂ、８ｂ、９ｂ、：導電性樹脂、 １０ａ：樹脂、 １１：上側コレクタ側電極端子（第１導電性放熱板部）、 １１ａ：上側板部、 １１ｂ：上側接合部（連結部）、 １１ｃ：上側連結部（連結部）、 １２：下側コレクタ側電極端子（第２導電性放熱板部）、 １２ａ：下側板部、 １２ｂ：下側接合部（連結部）、 １２ｃ：下側連結部（連結部）、 ２１：上側コレクタ側電極端子（第１導電性放熱板部）、 ２１ａ：上側板部、 ２１ｂ：上側第１接合部（連結部）、 ２１ｃ：上側第２接合部（連結部）、 ２１ｄ：上側第１連結部（連結部）、 ２１ｅ：上側第２連結部（連結部）、 ２２：下側コレクタ側電極端子（第２導電性放熱板部）、 ２２ａ：下側板部、 ２２ｂ：下側第１接合部（連結部）、 ２２ｃ：下側第２接合部（連結部）、 ２２ｄ：下側第１連結部（連結部）、 ２２ｅ：下側第２連結部（連結部）、 ３１：上側Ｕ相電極端子（第１導電性放熱板部）、 ３２：下側Ｕ相電極端子（第２導電性放熱板部）、 ４１ａ上側正極電極端子（第１導電性放熱板部）：、 ４１ｂ：上側負極電極端子（第１導電性放熱板部）、 ４２ａ：下側正極電極端子（第２導電性放熱板部）、 ４２ｂ：下側負極電極端子（第２導電性放熱板部）、 ５１ａ、５２ａ：Ｕ相電極端子（Ｕ相電極放熱板端子）、 ５１ｂ、５２ｂ：Ｖ相電極端子（Ｖ相電極放熱板端子）、 ５１ｃ、５２ｃ：Ｗ相電極端子（Ｗ相電極放熱板端子） 1, 1a to 1h: IGBT module (semiconductor element module), 2: collector-side electrode terminal (conductive heat dissipation plate), 2a, 2b: a pair of plate parts, 2c: connecting part, T, Ta-Th: IGBT element, D, Da to Dh: diode elements 3, 3a, 3b: inter-element conductors, 4: emitter-side electrode terminals, 4u: U-phase electrode terminals, 4v: V-phase electrode terminals, 4w: W-phase electrode terminals, 4p : Positive electrode terminal, 4n: negative electrode terminal, 5, 5a, 5b: gate wiring, 5g: gate metal terminal plate, 6, 7, 8, 9, 6a, 7a, 8a, 9a, 6b, 7b, 8b, 9b ,: Conductive resin, 10a: Resin, 11: Upper collector side electrode terminal (first conductive heat radiation plate part), 11a: Upper plate part, 11b: Upper joint part (connecting part), 11c: Upper connecting part ( Connecting part), 12: Side collector side electrode terminal (second conductive heat dissipation plate part), 12a: lower side plate part, 12b: lower side joint part (connection part), 12c: lower side connection part (connection part), 21: upper collector side electrode terminal (First conductive heat radiating plate portion), 21a: upper plate portion, 21b: upper first joint portion (connecting portion), 21c: upper second joint portion (connecting portion), 21d: upper first connecting portion (connecting portion) ), 21e: upper second connecting portion (connecting portion), 22: lower collector side electrode terminal (second conductive heat dissipating plate portion), 22a: lower plate portion, 22b: lower first connecting portion (connecting portion) 22c: lower second connecting portion (connecting portion), 22d: lower first connecting portion (connecting portion), 22e: lower second connecting portion (connecting portion), 31: upper U-phase electrode terminal (first Conductive heat sink part), 32: lower U-phase electrode terminal (second conductive heat sink part), 41a upper positive electrode Polar terminal (first conductive heat sink): 41b: Upper negative electrode terminal (first conductive heat sink), 42a: Lower positive electrode terminal (second conductive heat sink), 42b: Lower side Negative electrode terminal (second conductive heat sink part), 51a, 52a: U phase electrode terminal (U phase electrode heat sink terminal), 51b, 52b: V phase electrode terminal (V phase electrode heat sink terminal), 51c, 52c : W-phase electrode terminal (W-phase electrode heat sink terminal)

Claims (12)

積層された複数の半導体素子と、前記複数の半導体素子の内側面の間に設けられ前記複数の半導体素子の内側面に電気的に接続された素子間導電体部と、を有する半導体素子モジュールと、
前記半導体素子モジュールを挟み込み前記複数の半導体素子のうち両端側に設けられた半導体素子の外側面に電気的に接続された一対の板部と、該一対の板部を連結する連結部と、を有する導電性放熱板と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。 A semiconductor element module comprising: a plurality of stacked semiconductor elements; and an inter-element conductor provided between the inner side surfaces of the plurality of semiconductor elements and electrically connected to the inner side surfaces of the plurality of semiconductor elements; ,
A pair of plate portions that are electrically connected to the outer surfaces of the semiconductor elements provided on both ends of the plurality of semiconductor elements with the semiconductor element module interposed therebetween, and a connecting portion that connects the pair of plate portions. A conductive heat sink having,
A semiconductor device comprising: 前記一対の板部は、略平行であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the pair of plate portions are substantially parallel to each other. 前記半導体素子は、前記素子間導電体部の一方側の面に複数設けられたことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein a plurality of the semiconductor elements are provided on one surface of the inter-element conductor portion. 前記半導体素子モジュールは複数であって、
前記導電性放熱板は、複数の前記半導体素子モジュールを挟み込むことを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の半導体装置。 The semiconductor element module is plural,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the conductive heat sink sandwiches a plurality of the semiconductor element modules. 前記導電性放熱板は、前記一対の板部及び前記連結部を一体成形した略コの字型の断面形状からなることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の半導体装置。   5. The semiconductor device according to claim 1, wherein the conductive heat dissipation plate has a substantially U-shaped cross-sectional shape in which the pair of plate portions and the connection portion are integrally formed. . 前記導電性放熱板は、
少なくとも前記一対の板部のうち一方の前記板部を含む第１導電性放熱板部と、
少なくとも前記一対の板部のうち他方の前記板部を含み前記第１導電性放熱板部に電気的に接続され前記第１導電性放熱板部に固定された第２導電性放熱板部と、
を有することを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の半導体装置。 The conductive heat sink is
A first conductive heat dissipating plate portion including at least one of the pair of plate portions;
A second conductive heat dissipation plate portion including at least the other plate portion of the pair of plate portions and electrically connected to the first conductive heat dissipation plate portion and fixed to the first conductive heat dissipation plate portion;
The semiconductor device according to claim 1, comprising: 前記複数の半導体素子は、スイッチングトランジスタ素子及びダイオード素子であることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the plurality of semiconductor elements are a switching transistor element and a diode element. 前記半導体装置は、インバータ装置に用いられる半導体装置であることを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is a semiconductor device used for an inverter device. 積層された上アーム用スイッチングトランジスタ素子及び上アーム用ダイオード素子と、該上アーム用スイッチングトランジスタ素子と該上アーム用ダイオード素子との内側面の間に設けられ該上アーム用スイッチングトランジスタ素子及び該上アーム用ダイオード素子の内側面に電気的に接続された上アーム用素子間導電体部と、を有する３つの上アーム用スイッチングモジュールと、
積層された下アーム用スイッチングトランジスタ素子及び下アーム用ダイオード素子と、該下アーム用スイッチングトランジスタ素子と該下アーム用ダイオード素子との内側面の間に設けられ該下アーム用スイッチングトランジスタ素子及び該下アーム用ダイオード素子の内側面に電気的に接続された下アーム用素子間導電体部と、を有する３つの下アーム用スイッチングモジュールと、
３つの前記上アーム用スイッチングモジュールを挟み込み前記上アーム用スイッチングトランジスタ素子及び前記上アーム用ダイオード素子の外側面に電気的に接続された一対の板部と該一対の板部を連結する連結部と、を有する正極電極放熱板端子と、
３つの前記下アーム用スイッチングモジュールを挟み込み前記下アーム用スイッチングトランジスタ素子及び前記下アーム用ダイオード素子の外側面に電気的に接続された一対の板部と該一対の板部を連結する連結部と、を有する負極電極放熱板端子と、
第１の前記上アーム用素子間導電体部及び第１の前記下アーム用素子間導電体部に電気的に接続されたＵ相電極端子と、
第２の前記上アーム用素子間導電体部及び第２の前記下アーム用素子間導電体部に電気的に接続されたＶ相電極端子と、
第３の前記上アーム用素子間導電体部及び第３の前記下アーム用素子間導電体部に電気的に接続されたＷ相電極端子と、
を備えたことを特徴とする三相インバータ装置。 The upper arm switching transistor element and the upper arm diode element, and the upper arm switching transistor element and the upper arm switching transistor element provided between inner surfaces of the upper arm switching transistor element and the upper arm diode element. Three upper arm switching modules each including an upper arm inter-element conductor electrically connected to the inner surface of the arm diode element;
The lower arm switching transistor element and the lower arm diode element, and the lower arm switching transistor element and the lower arm provided between inner surfaces of the lower arm switching transistor element and the lower arm diode element, which are stacked. Three lower arm switching modules having lower arm inter-element conductors electrically connected to the inner surface of the arm diode element;
A pair of plate portions sandwiched between the three upper arm switching modules and electrically connected to outer surfaces of the upper arm switching transistor element and the upper arm diode element; and a connecting portion for connecting the pair of plate portions; A positive electrode heat dissipation plate terminal having,
A pair of plate portions sandwiched between the three lower arm switching modules and electrically connected to the outer surfaces of the lower arm switching transistor element and the lower arm diode element; and a connecting portion for connecting the pair of plate portions; A negative electrode heat dissipation plate terminal having,
A U-phase electrode terminal electrically connected to the first inter-element conductor for upper arm and the first inter-element conductor for lower arm;
A V-phase electrode terminal electrically connected to the second inter-element conductor for upper arm and the second inter-element conductor for lower arm;
A W-phase electrode terminal electrically connected to the third inter-element conductor for upper arm and the third inter-element conductor for lower arm;
A three-phase inverter device comprising: 前記Ｕ相電極端子は、第１の前記上アーム用素子間導電体部及び第１の前記下アーム用素子間導電体部に一体成形され、
前記Ｖ相電極端子は、第２の前記上アーム用素子間導電体部及び第２の前記下アーム用素子間導電体部に一体成形され、
前記Ｗ相電極端子は、第３の前記上アーム用素子間導電体部及び第３の前記下アーム用素子間導電体部に一体成形されたことを特徴とする請求項９記載の三相インバータ装置。 The U-phase electrode terminal is integrally formed with the first inter-element conductor for upper arm and the first inter-element conductor for lower arm,
The V-phase electrode terminal is formed integrally with the second inter-element conductor for upper arm and the second inter-element conductor for lower arm,
10. The three-phase inverter according to claim 9, wherein the W-phase electrode terminal is integrally formed with the third inter-element conductor for upper arm and the third inter-element conductor for lower arm. apparatus. 積層されたＵ相アーム用スイッチングトランジスタ素子及びＵ相アーム用ダイオード素子と、該Ｕ相アーム用スイッチングトランジスタ素子と該Ｕ相アーム用ダイオード素子との内側面の間に設けられ該Ｕ相アーム用スイッチングトランジスタ素子及び該Ｕ相アーム用ダイオード素子の内側面に電気的に接続されたＵ相アーム用素子間導電体部と、を有する２つのＵ相アーム用スイッチングモジュールと、
積層されたＶ相アーム用スイッチングトランジスタ素子及びＶ相アーム用ダイオード素子と、該Ｖ相アーム用スイッチングトランジスタ素子と該Ｖ相アーム用ダイオード素子との内側面の間に設けられ該Ｖ相アーム用スイッチングトランジスタ素子及び該Ｖ相アーム用ダイオード素子の内側面に電気的に接続されたＶ相アーム用素子間導電体部と、を有する２つのＶ相アーム用スイッチングモジュールと、
積層されたＷ相アーム用スイッチングトランジスタ素子及びＷ相アーム用ダイオード素子と、該Ｗ相アーム用スイッチングトランジスタ素子と該Ｗ相アーム用ダイオード素子との内側面の間に設けられ該Ｗ相アーム用スイッチングトランジスタ素子及び該Ｗ相アーム用ダイオード素子の内側面に電気的に接続されたＷ相アーム用素子間導電体部と、を有する２つのＷ相アーム用スイッチングモジュールと、
２つの前記Ｕ相アーム用スイッチングモジュールを挟み込み前記Ｕ相アーム用スイッチングトランジスタ素子及び前記Ｕ相アーム用ダイオード素子の外側面に電気的に接続された一対の板部と該一対の板部を連結する連結部と、を有するＵ相電極放熱板端子と、
２つの前記Ｖ相アーム用スイッチングモジュールを挟み込み前記Ｖ相アーム用スイッチングトランジスタ素子及び前記Ｖ相アーム用ダイオード素子の外側面に電気的に接続された一対の板部と該一対の板部を連結する連結部と、を有するＶ相電極放熱板端子と、
２つの前記Ｗ相アーム用スイッチングモジュールを挟み込み前記Ｗ相アーム用スイッチングトランジスタ素子及び前記Ｗ相アーム用ダイオード素子の外側面に電気的に接続された一対の板部と該一対の板部を連結する連結部と、を有するＷ相電極放熱板端子と、
第１の前記Ｕ相アーム用素子間導電体部、第１の前記Ｖ相アーム用素子間導電体部及び第１の前記Ｗ相アーム用素子間導電体部に電気的に接続された正極電極端子と、
第２の前記Ｕ相アーム用素子間導電体部、第２の前記Ｖ相アーム用素子間導電体部及び第２の前記Ｗ相アーム用素子間導電体部に電気的に接続された負極電極端子と、
を備えたことを特徴とする三相インバータ装置。 The switching transistor element for U-phase arm and the diode element for U-phase arm, and the switching for U-phase arm provided between the inner side surfaces of the switching transistor element for U-phase arm and the diode element for U-phase arm are stacked. Two U-phase arm switching modules having a transistor element and a U-phase arm inter-element conductor electrically connected to the inner surface of the U-phase arm diode element;
The V-phase arm switching transistor element and the V-phase arm diode element, and the V-phase arm switching element provided between the inner surfaces of the V-phase arm switching transistor element and the V-phase arm diode element. Two V-phase arm switching modules having a transistor element and a V-phase arm inter-element conductor portion electrically connected to the inner surface of the V-phase arm diode element;
The W-phase arm switching transistor element and the W-phase arm diode element, and the W-phase arm switching element provided between inner surfaces of the W-phase arm switching transistor element and the W-phase arm diode element. Two W-phase arm switching modules having a transistor element and a W-phase arm inter-element conductor electrically connected to the inner surface of the W-phase arm diode element;
A pair of plate portions electrically connected to outer surfaces of the U-phase arm switching transistor element and the U-phase arm diode element are connected with the pair of plate portions sandwiched between the two U-phase arm switching modules. A U-phase electrode heat dissipating plate terminal having a connecting portion;
A pair of plate portions electrically connected to outer surfaces of the V-phase arm switching transistor element and the V-phase arm diode element are connected to the pair of plate portions by sandwiching the two V-phase arm switching modules. A V-phase electrode heat dissipating plate terminal having a connecting portion;
A pair of plate portions electrically connected to the outer surfaces of the W-phase arm switching transistor element and the W-phase arm diode element are connected with the pair of plate portions sandwiched between the two W-phase arm switching modules. A W-phase electrode heat sink terminal having a connecting portion;
A positive electrode electrically connected to the first inter-element conductor portion for the U-phase arm, the first inter-conductor conductor portion for the V-phase arm, and the first inter-conductor conductor portion for the W-phase arm. A terminal,
A negative electrode electrically connected to the second inter-element conductor for U-phase arm, the second inter-element conductor for V-phase arm, and the second inter-element conductor for W-phase arm A terminal,
A three-phase inverter device comprising: 前記正極電極端子は、第１の前記Ｕ相アーム用素子間導電体部、第１の前記Ｖ相アーム用素子間導電体部及び第１の前記Ｗ相アーム用素子間導電体部に一体成形され、
前記負極電極端子は、第２の前記Ｕ相アーム用素子間導電体部、第２の前記Ｖ相アーム用素子間導電体部及び第２の前記Ｗ相アーム用素子間導電体部に一体成形されたことを特徴とする請求項１１記載の三相インバータ装置。 The positive electrode terminal is integrally formed in the first inter-element conductor portion for the U-phase arm, the first inter-conductor conductor portion for the V-phase arm, and the first inter-conductor conductor portion for the W-phase arm. And
The negative electrode terminal is formed integrally with the second inter-element conductor for U-phase arm, the second inter-element conductor for V-phase arm, and the second inter-element conductor for W-phase arm. The three-phase inverter device according to claim 11, wherein the three-phase inverter device is provided.
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