JP2005340319A - 光源装置、照明装置、露光装置、露光方法および調整方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 既存の資産である水銀ランプなどを用いた露光装置に対して、水銀ランプよりも色々な面で優れた性能の固体光源を使用可能にする。
【解決手段】被照射面を照明する照明装置で、集光鏡2の焦点位置とは異なる位置に配置され、且つ所定の発散状態を有する光束を供給する固体光源101a〜dと、固体光源101a〜dからの光束を焦点位置に導き、且つ焦点位置から集光鏡2に向けて発散状態となるように光束を変換する発散状態変換手段102〜104とを備える。
【選択図】 図1
【解決手段】被照射面を照明する照明装置で、集光鏡2の焦点位置とは異なる位置に配置され、且つ所定の発散状態を有する光束を供給する固体光源101a〜dと、固体光源101a〜dからの光束を焦点位置に導き、且つ焦点位置から集光鏡2に向けて発散状態となるように光束を変換する発散状態変換手段102〜104とを備える。
【選択図】 図1
Description
この発明は、所望の発散角を有する光束を供給する光源装置、該光源装置からの光束に基づいて被照射面を照明する照明装置、該照明装置を備えた露光装置、該照明装置を用いた露光方法、並びに露光装置の調整方法にに関するものである。
従来、半導体露光装置あるいは液晶基板露光装置のような、光源部からの光を所望の面に照射し精密なパターンを基板上に形成する投影露光装置の光源として、波長約360nm〜440nm程度の紫外領域においては主に水銀ランプなどが用いられていた。この水銀ランプの寿命は、概ね500時間〜1000時間程度であることから、定期的にランプ交換が必要となり露光装置のユーザにとっては大きな負担となっていた。また、高照度確保のために高電力が必要であり、またそれに伴う発熱対策などが必要になるなど、高いランニングコストの問題や、経時劣化などの要因に伴う破裂の危険性を有していた。
特開2003−203844号公報
これに対して発光ダイオード(LED)や半導体レーザ(LD)などの固体光源は、水銀ランプなどに比べて発光効率が高く、そのため省電力、小発熱という特長を持ち大幅なランニングコストの低減を実現できる。また寿命も3000時間程度のものもあるため、交換にかかる負担も少なく、経時劣化などの要因に伴う破裂の危険性もない。さらに最近では、波長365nmで100mw程度の高い光出力を達成した紫外LEDなども開発されている。
発光ダイオードや半導体レーザなどの固体光源を投影露光装置に用いる場合には、上述のようなメリットを享受できるが、従来の水銀ランプ等を用いた光源を有する投影露光装置を所有するユーザの視点に立てば、新たな露光装置を導入するコストは決して低いものではないことから、ユーザが現有する露光装置を使用できる期間においては、新規露光装置への移行が促進されない。
この発明の課題は、ユーザの既存資産である水銀ランプなどの光源を用いた露光装置に固体光源の使用を可能にすることである。
発光ダイオードや半導体レーザなどの固体光源を投影露光装置に用いる場合には、上述のようなメリットを享受できるが、従来の水銀ランプ等を用いた光源を有する投影露光装置を所有するユーザの視点に立てば、新たな露光装置を導入するコストは決して低いものではないことから、ユーザが現有する露光装置を使用できる期間においては、新規露光装置への移行が促進されない。
この発明の課題は、ユーザの既存資産である水銀ランプなどの光源を用いた露光装置に固体光源の使用を可能にすることである。
上述の目的を達成するために、本発明にかかる光源装置は、光源からの光束を集光鏡で整えて被照射面を照明する照明装置に用いられる光源装置において、前記集光鏡の焦点位置とは異なる位置に配置され、且つ所定の発散状態を有する光束を供給する固体光源と、;前記固体光源からの前記光束を前記焦点位置近傍に導き、且つ前記焦点位置近傍から前記集光鏡に向けて発散状態となるように前記光束を変換する発散状態変換手段と;を備えることを特徴とする。
また、本発明にかかる照明装置は、前記光源装置を備え、前記光源装置からの光束に基づいて被照射面を照明することを特徴とする。
また、本発明のある態様にかかる露光装置は、感光性基板上に所定のパターンを転写する露光装置であって、前記照明装置を備えていることを特徴とする。
また、本発明にかかる露光方法は、感光性基板上に所定のパターンを転写する露光方法であって、前記所定のパターンを準備する工程と;前記所定をパターンに対して前記照明装置を用いて照明光を供給する工程と;前記照明された前記所定のパターンを前記感光性基板へ転写する工程とを備えていることを特徴とする。
また、本発明にかかる露光装置の調整方法は、光源からの光束を集光鏡で整えてマスクを照明する照明光学系を備え、照明された前記マスクのパターンを感光性基板へ転写する露光装置の調整方法であって、所定の発散状態を有する光束を供給する固体光源を準備する工程と;該固体光源からの前記光束の前記所定の発散状態が予め前記照明光学系の光源として用いることが可能なランプ光源からの放射光が有する発散状態とほぼ等しくなるように前記光束を変換する工程と;前記変換された発散状態を有する光束を前記ランプ光源が設定されていた位置の近傍から発散するように設定する工程と;を備えていることを特徴とする。
また、本発明の別の態様にかかる露光装置は、前記調整方法に従って調整されることを特徴とする。
また、本発明にかかる照明装置は、前記光源装置を備え、前記光源装置からの光束に基づいて被照射面を照明することを特徴とする。
また、本発明のある態様にかかる露光装置は、感光性基板上に所定のパターンを転写する露光装置であって、前記照明装置を備えていることを特徴とする。
また、本発明にかかる露光方法は、感光性基板上に所定のパターンを転写する露光方法であって、前記所定のパターンを準備する工程と;前記所定をパターンに対して前記照明装置を用いて照明光を供給する工程と;前記照明された前記所定のパターンを前記感光性基板へ転写する工程とを備えていることを特徴とする。
また、本発明にかかる露光装置の調整方法は、光源からの光束を集光鏡で整えてマスクを照明する照明光学系を備え、照明された前記マスクのパターンを感光性基板へ転写する露光装置の調整方法であって、所定の発散状態を有する光束を供給する固体光源を準備する工程と;該固体光源からの前記光束の前記所定の発散状態が予め前記照明光学系の光源として用いることが可能なランプ光源からの放射光が有する発散状態とほぼ等しくなるように前記光束を変換する工程と;前記変換された発散状態を有する光束を前記ランプ光源が設定されていた位置の近傍から発散するように設定する工程と;を備えていることを特徴とする。
また、本発明の別の態様にかかる露光装置は、前記調整方法に従って調整されることを特徴とする。
この発明にかかる光源装置によれば、既存の照明装置のランプ光源を、照明装置の設定を大幅に変更することなく、ランプ光源とは異なる発散角特性を有する固体光源に置き換えることが可能となる。
また、この発明にかかる照明装置によれば、当該照明装置のランプ光源とは異なる発散角特性を有する固体光源に変更しても、照明装置の設定を大幅に変更することなく、性能を維持することができる。
また、この発明にかかる露光装置によれば、当該露光装置のランプ光源とは異なる発散角特性を有する固体光源に変更しても、露光装置本体の設定を大幅に変更することなく、性能を維持することができる。
また、この発明にかかる露光方法によれば、ランプ光源とは異なる発散角特性を有する固体光源からの露光光を用いても、当初の性能、すなわちランプ光源装着時の性能を維持することができる。
また、この発明にかかる露光装置の調整方法によれば、露光装置本体の設定を大幅に変更することなく、露光装置のランプ光源を固体光源に置き換えることが可能となる。
また、この発明にかかる照明装置によれば、当該照明装置のランプ光源とは異なる発散角特性を有する固体光源に変更しても、照明装置の設定を大幅に変更することなく、性能を維持することができる。
また、この発明にかかる露光装置によれば、当該露光装置のランプ光源とは異なる発散角特性を有する固体光源に変更しても、露光装置本体の設定を大幅に変更することなく、性能を維持することができる。
また、この発明にかかる露光方法によれば、ランプ光源とは異なる発散角特性を有する固体光源からの露光光を用いても、当初の性能、すなわちランプ光源装着時の性能を維持することができる。
また、この発明にかかる露光装置の調整方法によれば、露光装置本体の設定を大幅に変更することなく、露光装置のランプ光源を固体光源に置き換えることが可能となる。
以下、図面を参照して、この発明の実施形態を説明する。
図1は、本発明にかかる光源装置を備えた投影露光装置の第1実施形態の概略構成を示す図である。なお、図1においては、XYZ座標系を採用している。本実施形態においては、マスクM上に形成された液晶表示素子のパターンの像を基板としてのプレートP上に一括転写するステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置に適用した場合を例に挙げて説明する。
尚、以下の説明においては、各図中に示したXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。XYZ直交座標系は、X軸及びY軸がプレートPに対して平行となるよう設定され、Z軸がプレートPに対して直交する方向に設定されている。図中のXYZ座標系は、実際にはXY平面が水平面に平行な面に設定され、Z軸が鉛直上方向に設定される。
図1において、本発明にかかる光源装置1(詳細は後述する)は、楕円鏡2の第1焦点位置の近傍に、光源像を形成するように配置されている。楕円鏡2を介した光源装置1からの紫外域波長(例えば365nmや405nm)の光束は、ダイクロイックミラー3を経た後に、楕円鏡2の第2焦点位置に集光し、この位置に光源像の像を形成する。この第2焦点位置の近傍には、露光光のON/OFFを行うためのシャッタ4が配置されている。シャッタ4を経た光束は、楕円鏡2の第2焦点位置近傍に前側焦点が位置決めされたコリメートレンズ5を介してほぼ平行光束に変換される。コリメートレンズ5からの光束の光路中には、露光波長域の光束のみを透過させる波長選択フィルタ6が配置されており、この波長選択フィルタ6を経由した光束は、複数の棒状レンズエレメントを2次元マトリックス状に集積して形成されたフライアイ・インテグレータ12に入射する。このフライアイ・インテグレータ12の射出面近傍には、各々の棒状レンズエレメントにより集光された光源像の集合体、すなわち面光源が形成される。
尚、以下の説明においては、各図中に示したXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。XYZ直交座標系は、X軸及びY軸がプレートPに対して平行となるよう設定され、Z軸がプレートPに対して直交する方向に設定されている。図中のXYZ座標系は、実際にはXY平面が水平面に平行な面に設定され、Z軸が鉛直上方向に設定される。
図1において、本発明にかかる光源装置1(詳細は後述する)は、楕円鏡2の第1焦点位置の近傍に、光源像を形成するように配置されている。楕円鏡2を介した光源装置1からの紫外域波長(例えば365nmや405nm)の光束は、ダイクロイックミラー3を経た後に、楕円鏡2の第2焦点位置に集光し、この位置に光源像の像を形成する。この第2焦点位置の近傍には、露光光のON/OFFを行うためのシャッタ4が配置されている。シャッタ4を経た光束は、楕円鏡2の第2焦点位置近傍に前側焦点が位置決めされたコリメートレンズ5を介してほぼ平行光束に変換される。コリメートレンズ5からの光束の光路中には、露光波長域の光束のみを透過させる波長選択フィルタ6が配置されており、この波長選択フィルタ6を経由した光束は、複数の棒状レンズエレメントを2次元マトリックス状に集積して形成されたフライアイ・インテグレータ12に入射する。このフライアイ・インテグレータ12の射出面近傍には、各々の棒状レンズエレメントにより集光された光源像の集合体、すなわち面光源が形成される。
図1の実施形態では、面光源が形成される位置に、円形状の開口部を有する照明開口絞り13が配置されている。なお、この面光源形成位置は、後述する投影光学系PLの瞳位置とほぼ共役であり、照明光学系の照明瞳と呼ばれる。なお、照明開口絞りの開口部の形状は、輪帯形状であっても良い。また、照明に寄与する面光源の範囲を可変に規定するための可変開口部を有する可変開口絞りであっても良い。ここで、照明開口絞り13が可変開口絞りである場合には、この可変開口部の開口径を変化させることにより、照明条件を決定するσ値(投影光学系PLの瞳面の開口径に対するその瞳面上での二次光源像の開口径の比)を可変とすることが可能である。
照明開口絞り13からの光は、ビームスプリッタ14を経た後、面光源形成位置に前側焦点が位置決めされたコンデンサレンズ系15により集光され、マスクM上のパターン領域と相似形状である矩形状の開口部を有する照明視野絞り30を重畳的に照明する。
照明開口絞り13からの光は、ビームスプリッタ14を経た後、面光源形成位置に前側焦点が位置決めされたコンデンサレンズ系15により集光され、マスクM上のパターン領域と相似形状である矩形状の開口部を有する照明視野絞り30を重畳的に照明する。
照明視野絞り30を通過した光束は、照明視野絞り30とマスクMのパターン面(プレートP面)とを光学的に共役にする照明視野絞り結像光学系31a〜31c、及び照明視野絞り結像光学系内に配置された光路折り曲げ鏡32を通過してマスクM上に達する。このとき、マスクM上には、照明視野絞り30の開口部の像である照明領域が形成される。
マスクMは、マスクホルダMH(不図示)により保持され、このマスクホルダMHはマスクステージMS上においてXY平面に平行に保持されている
マスクMに形成されたパターンからの光は、投影光学系PLを介して、感光性材料が塗布されたプレートP上の露光フィールド内に、マスクM上のパターン領域内のパターンの像を形成する。この投影光学系PLの瞳位置近傍には、口径が可変の開口絞りASが配置されている。
プレートPは、プレートホルダPH(不図示)により保持され、このプレートホルダPHは、XY平面内で移動可能なプレートステージPSに取り付けられている。このプレートステージPSには、露光時のプレートステージPSの位置、ひいてはプレートP上の露光領域の位置を制御するための不図示のステージコントローラが接続されている。
照明光学系(2〜31)に設けられる上記ビームスプリッタ14を介した光は、光電変換素子よりなるインテグレータセンサ17で受光される。このインテグレータセンサ17の光電変換信号が、不図示のピークホールド回路及びA/D変換器を介して主制御系20に供給される。インテグレータセンサ17の出力と、プレートPの表面上に照射される光の単位面積当たりのエネルギー(露光量)との相関係数は予め求められて主制御系20内に記憶されている。
主制御系20は、プレートPが載置されるプレートステージを制御する不図示のステージコントローラからのステージ系の動作情報と、インテグレータセンサ17から出力される光電変換信号とに応じて、シャッタ4の開閉動作を制御するシャッタ駆動部34へ制御信号を送り、マスクMに照明光学系ILからの照明光を照射するタイミング及び照明光の強度を制御する。
マスクMは、マスクホルダMH(不図示)により保持され、このマスクホルダMHはマスクステージMS上においてXY平面に平行に保持されている
マスクMに形成されたパターンからの光は、投影光学系PLを介して、感光性材料が塗布されたプレートP上の露光フィールド内に、マスクM上のパターン領域内のパターンの像を形成する。この投影光学系PLの瞳位置近傍には、口径が可変の開口絞りASが配置されている。
プレートPは、プレートホルダPH(不図示)により保持され、このプレートホルダPHは、XY平面内で移動可能なプレートステージPSに取り付けられている。このプレートステージPSには、露光時のプレートステージPSの位置、ひいてはプレートP上の露光領域の位置を制御するための不図示のステージコントローラが接続されている。
照明光学系(2〜31)に設けられる上記ビームスプリッタ14を介した光は、光電変換素子よりなるインテグレータセンサ17で受光される。このインテグレータセンサ17の光電変換信号が、不図示のピークホールド回路及びA/D変換器を介して主制御系20に供給される。インテグレータセンサ17の出力と、プレートPの表面上に照射される光の単位面積当たりのエネルギー(露光量)との相関係数は予め求められて主制御系20内に記憶されている。
主制御系20は、プレートPが載置されるプレートステージを制御する不図示のステージコントローラからのステージ系の動作情報と、インテグレータセンサ17から出力される光電変換信号とに応じて、シャッタ4の開閉動作を制御するシャッタ駆動部34へ制御信号を送り、マスクMに照明光学系ILからの照明光を照射するタイミング及び照明光の強度を制御する。
さて、光源装置1は、複数の固体光源を備えた固体光源ユニット101a〜101d、当該固体光源ユニット101a〜101dからの光束を所定位置へ導くための光ファイバ束102、光ファイバ束102の射出端に形成される発光部を再結像させるリレー光学系103、及び発光部の像が形成される位置の近傍にリレー光学系103と共軸となるように配置された円錐反射面を備える円錐反射鏡104とを備えている。以下、図2を参照して詳述する。
図2は光源装置1の構成を概略的に示す図である。図2において、図1の固体光源ユニット101a〜101d中の複数の固体光源のうちの1つを固体光源101a1として示す。この固体光源としては、たとえばLED(発光ダイオード)またはLD(レーザダイオード)等を適用することができる。この固体光源101a1からの所定の発散状態の光束(所定の発散角を有する光束)は、集光レンズ101a2により集光されて、光ファイバ素線102aの入射端102a1に集光する。この集光レンズ101a2は、複数の固体光源のそれぞれに対応して図1の固体光源ユニット101a〜101dに設けられている。
図1に示した光ファイバ束102は、図2に示すように複数の光ファイバ素線を束ねて構成されている。なお、図2では例示的に6本の光ファイバ素線102a〜102fのみを示している。光ファイバ素線102aの入射端102a1から入射した光束、及び他の光ファイバ素線102b〜102fを介した光束は、光ファイバ束102の射出端102Eから射出される。
図2は光源装置1の構成を概略的に示す図である。図2において、図1の固体光源ユニット101a〜101d中の複数の固体光源のうちの1つを固体光源101a1として示す。この固体光源としては、たとえばLED(発光ダイオード)またはLD(レーザダイオード)等を適用することができる。この固体光源101a1からの所定の発散状態の光束(所定の発散角を有する光束)は、集光レンズ101a2により集光されて、光ファイバ素線102aの入射端102a1に集光する。この集光レンズ101a2は、複数の固体光源のそれぞれに対応して図1の固体光源ユニット101a〜101dに設けられている。
図1に示した光ファイバ束102は、図2に示すように複数の光ファイバ素線を束ねて構成されている。なお、図2では例示的に6本の光ファイバ素線102a〜102fのみを示している。光ファイバ素線102aの入射端102a1から入射した光束、及び他の光ファイバ素線102b〜102fを介した光束は、光ファイバ束102の射出端102Eから射出される。
光ファイバ束102の射出端102Eからの光束は、リレー光学系103を介した後に、その射出側に光ファイバ束102の射出端102Eの像LSIを形成する。この像LSIが光源像に対応する。この光源像LSI形成位置の近傍には、リレー光学系103の光軸AXと共軸の円錐反射面を備える円錐反射鏡104が配置されており、リレー光学系103からの光束は、この円錐反射鏡104の円錐反射面で反射される。
光ファイバ束102の射出端102Eからの光束のうち、リレー光学系103の光軸AX上からの光線51,52は、リレー光学系103を介した後、円錐反射面104の頂点近傍で反射されて、光線61,62となり不図示の楕円鏡へ向かう。また、光ファイバ102の射出端102Eからの光束のうち、リレー光学系103の最大物高に対応する位置からの光線53〜55は、リレー光学系103を介した後、円錐反射面104で反射されて、光線63〜65となり不図示の楕円鏡へ向かう。ここで、光線51が光線61に対応しており、光線52が光線62に対応している。そして、光線53はリレー光学系103に関する主光線であり、光線63に対応している。また、光線54は光線64に対応しており、光線55は光線65に対応している。ここで、光線61と光線65とが円錐反射鏡104からの光束の最周辺光線となり、これらの光線61,65がなす角が円錐反射鏡104、ひいては光源装置1からの発散光束の発散角に対応している。
光ファイバ束102の射出端102Eからの光束のうち、リレー光学系103の光軸AX上からの光線51,52は、リレー光学系103を介した後、円錐反射面104の頂点近傍で反射されて、光線61,62となり不図示の楕円鏡へ向かう。また、光ファイバ102の射出端102Eからの光束のうち、リレー光学系103の最大物高に対応する位置からの光線53〜55は、リレー光学系103を介した後、円錐反射面104で反射されて、光線63〜65となり不図示の楕円鏡へ向かう。ここで、光線51が光線61に対応しており、光線52が光線62に対応している。そして、光線53はリレー光学系103に関する主光線であり、光線63に対応している。また、光線54は光線64に対応しており、光線55は光線65に対応している。ここで、光線61と光線65とが円錐反射鏡104からの光束の最周辺光線となり、これらの光線61,65がなす角が円錐反射鏡104、ひいては光源装置1からの発散光束の発散角に対応している。
光ファイバの開口数(最大受光角)は、通常0.3程度、本実施形態のような紫外域では0.2程度である。従って、本実施形態において、光ファイバ束102の射出端102Eからの光束の開口数は0.2程度となる。一方、既存の照明装置のランプ光源の配光特性は±40〜50度程度、即ち開口数0.64〜0.76程度であるため、光ファイバ束102からの光束の開口数を、既存の照明装置のランプ光源の開口数に合わせる必要がある。そのために、本実施形態では、リレー光学系103に縮小倍率を与え、光ファイバ102の射出端からの光束の開口数を大きくしている。
具体的には、光線51,52で表される光ファイバ束102の射出端102Eにおける光軸AX上からの光束の開口数を、縮小倍率を持つリレー光学系103を経ることにより縮小倍率分だけ大きくし、同様に光線53〜55で表される光ファイバ束102の射出端102Aにおける最周縁からの光束の開口数を、縮小倍率を持つリレー光学系103を経ることにより縮小倍率分だけ大きくしている。
また、円錐反射鏡104の円錐反射鏡によって、ほぼ一方向へ進行するリレー光学系103からの光束を、リレー光学系103の光軸AXを中心とする半径方向に進行する光束に効率よく変換している。
具体的には、光線51,52で表される光ファイバ束102の射出端102Eにおける光軸AX上からの光束の開口数を、縮小倍率を持つリレー光学系103を経ることにより縮小倍率分だけ大きくし、同様に光線53〜55で表される光ファイバ束102の射出端102Aにおける最周縁からの光束の開口数を、縮小倍率を持つリレー光学系103を経ることにより縮小倍率分だけ大きくしている。
また、円錐反射鏡104の円錐反射鏡によって、ほぼ一方向へ進行するリレー光学系103からの光束を、リレー光学系103の光軸AXを中心とする半径方向に進行する光束に効率よく変換している。
このように、本実施形態では、光ファイバ束により制限される発散角をリレー光学系により既存の照明装置のランプ光源の開口数に実質的に合わせるとともに、円錐反射面により既存の照明装置のランプ光源の配光特性に実質的に合わせているため、光源装置からの光束が照明装置を通過する状態を、ランプ光源が設けられていた場合における状態とほぼ同じとすることができる。このため、ランプ光源を置き換えた場合であっても照明装置の光学調整をし直す必要がない。
さて、図1に戻って、主制御系20は、シャッタ駆動部34へシャッタ4の開閉動作を制御する制御信号を送るとともに、光源制御ユニット105へ複数の固体光源を備えた固体光源ユニット101a〜101dの点滅動作を制御する制御信号を送るように構成されている。
露光動作時には、主制御系20は、光源制御ユニット105へ制御信号を送り、複数の固体光源ユニット101a〜101dを点灯させる。この動作とともに、シャッタ駆動部34へ制御信号を送りシャッタ4を開放させる。これにより、複数の固体光源ユニット101a〜101dからの光は、光ファイバ束102、リレー光学系103および円錐反射鏡104を経由し、楕円鏡2の第2焦点位置近傍から所定の発散角で楕円鏡2へ向かう。楕円鏡2で反射された光束は、ダイクロイックミラー3を経由して、シャッタ4を経て、上述した順で照明光学系の各光学部材を通過して、マスクMを照明する。
なお、上述の例では、シャッタ4の開閉動作に連動して固体光源ユニット101a〜101dの点滅を制御したが、固体光源ユニット101a〜101dを点灯したままにしておき、シャッタの開閉動作のみを行っても良い。
さて、図1に戻って、主制御系20は、シャッタ駆動部34へシャッタ4の開閉動作を制御する制御信号を送るとともに、光源制御ユニット105へ複数の固体光源を備えた固体光源ユニット101a〜101dの点滅動作を制御する制御信号を送るように構成されている。
露光動作時には、主制御系20は、光源制御ユニット105へ制御信号を送り、複数の固体光源ユニット101a〜101dを点灯させる。この動作とともに、シャッタ駆動部34へ制御信号を送りシャッタ4を開放させる。これにより、複数の固体光源ユニット101a〜101dからの光は、光ファイバ束102、リレー光学系103および円錐反射鏡104を経由し、楕円鏡2の第2焦点位置近傍から所定の発散角で楕円鏡2へ向かう。楕円鏡2で反射された光束は、ダイクロイックミラー3を経由して、シャッタ4を経て、上述した順で照明光学系の各光学部材を通過して、マスクMを照明する。
なお、上述の例では、シャッタ4の開閉動作に連動して固体光源ユニット101a〜101dの点滅を制御したが、固体光源ユニット101a〜101dを点灯したままにしておき、シャッタの開閉動作のみを行っても良い。
次に、図3を参照して、光源装置1の構成を説明する。図3において、リレー光学系103はケーシング106により保持されている。そして、光ファイバ束102は、可撓性の管107内に密封収容されており、この管107の一端は、ケーシング106内に取り付けられている。この管107の一端には光透過性の板が設けられており、この光透過性の板を介して光ファイバ102の射出端からの光が供給される。なお、この管107の一端には、ケーシング106内で図中XY平面内の位置が調整可能となるように、ファイバ端調整機構108が設けられている。また、円錐反射鏡104は台座109上に取り付けられており、この台座109は、支柱110を介してケーシング106に取り付けられている。また、台座109の裏側(円錐反射鏡104と反対側)にはヒートシンク109Hが取り付けられており、このヒートシンク109Hは、投影露光装置の口金冷却用のノズル2Aからの気体により空冷される。これにより、光が集中する円錐反射鏡104自体の温度を安定的に維持し、円錐反射鏡の熱変形等を防ぐことができる。
さて、ケーシング106の下側(円錐反射鏡104とは反対側)の形状は、水銀ランプの口金部と同一形状となるように形成されている。そして、このケーシング106の下端部は、投影露光装置のランプハウス中の保持部111によって、楕円鏡2とは独立に保持される。この保持部111は、保持したケーシング106の位置を調整可能な位置調整機構112を備えている。位置調整機構112は、連結部材113により保持部111と連結されており、保持部111により保持されているケーシング106をX軸、Y軸及びZ軸方向に沿って移動可能にする。この位置調整機構112により、楕円鏡2に対するケーシング106の相対的な位置決めが可能となる。すなわち、楕円鏡2に対する光源装置1からの光束の発散原点の位置調整が可能となる。
さて、ケーシング106の下側(円錐反射鏡104とは反対側)の形状は、水銀ランプの口金部と同一形状となるように形成されている。そして、このケーシング106の下端部は、投影露光装置のランプハウス中の保持部111によって、楕円鏡2とは独立に保持される。この保持部111は、保持したケーシング106の位置を調整可能な位置調整機構112を備えている。位置調整機構112は、連結部材113により保持部111と連結されており、保持部111により保持されているケーシング106をX軸、Y軸及びZ軸方向に沿って移動可能にする。この位置調整機構112により、楕円鏡2に対するケーシング106の相対的な位置決めが可能となる。すなわち、楕円鏡2に対する光源装置1からの光束の発散原点の位置調整が可能となる。
なお、ダイクロイックミラー3の透過側の光路には、ダイクロイックミラー3を透過した漏れ光を図示なきランプ位置モニタ系へ導くためのハーフミラー114が配置されている。このようなランプ位置モニタ系は、例えば特開昭63-311220号に開示されている。
次に、図4のフローチャートを参照して、この実施形態にかかる投影露光装置の調整方法の説明を行う。
まず、高圧水銀ランプからなる光源を有する投影露光装置から高圧水銀ランプからなる光源を取り除く(ステップS10)。次に、光源装置1のケーシング106を高圧水銀ランプが取り付けられていた保持部111に取り付ける(ステップS11)。
そして、主制御系20からシャッタ駆動部34への制御用ケーブルを分岐させ、光源制御ユニット105と主制御系20とを電気的に接続する(ステップS12)。
次に、図4のフローチャートを参照して、この実施形態にかかる投影露光装置の調整方法の説明を行う。
まず、高圧水銀ランプからなる光源を有する投影露光装置から高圧水銀ランプからなる光源を取り除く(ステップS10)。次に、光源装置1のケーシング106を高圧水銀ランプが取り付けられていた保持部111に取り付ける(ステップS11)。
そして、主制御系20からシャッタ駆動部34への制御用ケーブルを分岐させ、光源制御ユニット105と主制御系20とを電気的に接続する(ステップS12)。
次に、光源装置1を点灯させ、投影露光装置の照明装置中にあるランプ位置モニタ系を用いて、光源装置1の光束の発散原点(本実施形態では円錐反射鏡104の頂点近傍の光源像LSI形成位置)の位置を確認しつつ、この発散原点が楕円鏡2の第2焦点位置となるように位置調整機構112を用いてケーシング106の位置を調整する(ステップS13)。以上の調整を行うことにより、光源装置1を備えた投影露光装置の調整が終了する。 さて、一般的に投影露光装置に取り付けられているランプ光源は、投影露光装置の種類によってその特性(例えば配光分布等々)が異なっている。本実施形態の光源装置1では、発散角変更光学系としてのリレー光学系103による倍率調整や、光源像LSI側のテレセントリック性調整、光源像LSIの形成位置の調整(フォーカス調整)を行うことにより、光源装置1の発散特性を調整することが可能である。
上述したように、光ファイバ束102からの光束の開口数に対して、リレー光学系103から射出される光束の開口数がその縮小倍率分だけ大きくなっていることから、このリレー光学系103の倍率を変更することにより、リレー光学系103から円錐反射鏡104へ向かう光束の開口数を変更することができ、ひいては円錐反射鏡104から楕円鏡2へ向けて発散される光束の発散角を変更することができる。
また、リレー光学系103のテレセントリック性調整について図5を参照して説明する。なお、図5において図2と同一の機能を有する部材には同一の符号を付している。
図5(a)はリレー光学系103が像側(光源像LSI側)がテレセントリック(射出瞳位置が無限遠)である状態を示し、図5(b)はリレー光学系103が非テレセントリックである状態(射出瞳位置が近く図5(a)の状態に対して近くなった状態)を示す。
上述したように、光ファイバ束102からの光束の開口数に対して、リレー光学系103から射出される光束の開口数がその縮小倍率分だけ大きくなっていることから、このリレー光学系103の倍率を変更することにより、リレー光学系103から円錐反射鏡104へ向かう光束の開口数を変更することができ、ひいては円錐反射鏡104から楕円鏡2へ向けて発散される光束の発散角を変更することができる。
また、リレー光学系103のテレセントリック性調整について図5を参照して説明する。なお、図5において図2と同一の機能を有する部材には同一の符号を付している。
図5(a)はリレー光学系103が像側(光源像LSI側)がテレセントリック(射出瞳位置が無限遠)である状態を示し、図5(b)はリレー光学系103が非テレセントリックである状態(射出瞳位置が近く図5(a)の状態に対して近くなった状態)を示す。
図5(a),(b)を比較するとわかるように、図5(b)の状態では、リレー光学系103からの主光線63が光軸に対して発散光線となるため、光線64,65で表される軸外光束が発散状態となる。円錐反射鏡104からの光束の発散角は、光線61,65がなす角であるため、主光線63が光軸に対して発散状態となると、円錐反射鏡104からの光束の発散角が広がることがわかる。このように、リレー光学系103の射出側(光源像LSI側)のテレセントリック性を調整することで、円錐反射鏡104からの光束の発散角を変更することができる。
また、本実施形態の光源装置1では、偏向手段としての円錐反射鏡104の頂角を変更することにより、光源装置1の発散特性を調整することが可能である。以下、図6を参照して説明する。なお、図6において図2、図5と同一の機能を有する部材には同一の符号を付している。
図6(a)は偏向手段としての円錐反射鏡104の頂角が45度である基準状態を示し、図6(b)は偏向手段としての円錐反射鏡104aの頂角を図6(a)の基準状態と比して小さくした状態を示す。なお、図6(b)においては、基準状態の円錐反射鏡104を破線で併せて示している。
図6(a),(b)を比較するとわかるように、円錐反射鏡の頂角を小さくすることにより、光線61,65がなす角に対応する円錐反射鏡からの光束の発散角が広がる。このように、円錐反射鏡の頂角を変更する、言い換えると偏向手段の円錐係数を変更することによって円錐反射鏡(偏向手段)からの光束の発散状態を調整することができる。
また、本実施形態の光源装置1では、偏向手段としての円錐反射鏡104の頂角を変更することにより、光源装置1の発散特性を調整することが可能である。以下、図6を参照して説明する。なお、図6において図2、図5と同一の機能を有する部材には同一の符号を付している。
図6(a)は偏向手段としての円錐反射鏡104の頂角が45度である基準状態を示し、図6(b)は偏向手段としての円錐反射鏡104aの頂角を図6(a)の基準状態と比して小さくした状態を示す。なお、図6(b)においては、基準状態の円錐反射鏡104を破線で併せて示している。
図6(a),(b)を比較するとわかるように、円錐反射鏡の頂角を小さくすることにより、光線61,65がなす角に対応する円錐反射鏡からの光束の発散角が広がる。このように、円錐反射鏡の頂角を変更する、言い換えると偏向手段の円錐係数を変更することによって円錐反射鏡(偏向手段)からの光束の発散状態を調整することができる。
次に図7,8を参照して、固体光源ユニット中の固体光源周りの構成を説明する。図7は、固体光源として半導体レーザ(レーザダイオード(LD))を適用した場合における固体光源ユニット101aのうちの1つの固体光源モジュール1010の構成を示す図である。なお、固体光源ユニット101a自体は複数の固体光源モジュール1010を備えており、他の固体光源ユニット101b〜101dの構成は固体光源101aの構成と同一であるため、ここでの説明を省略する。
図7において、固体光源モジュール1010は、例えば405nmのレーザ光を供給する半導体レーザ1011、第1レンズ1012、第2レンズ1013、光ファイバ素線102a及び気密ケース1020等を備えている。
半導体レーザ1011は、第1レンズ1012との間に所定の間隔をおいて、ベース1021上にチップキャリア1022を介して設けられている。ベース1021は、気密ケース1020内に設けた温度制御用のペルチェ素子1023の上方に配置されている。ベース1021は、例えば主要部分が銅製で、第1レンズ1012を設置する部分がステンレス製の複合材で形成することができる。
図7において、固体光源モジュール1010は、例えば405nmのレーザ光を供給する半導体レーザ1011、第1レンズ1012、第2レンズ1013、光ファイバ素線102a及び気密ケース1020等を備えている。
半導体レーザ1011は、第1レンズ1012との間に所定の間隔をおいて、ベース1021上にチップキャリア1022を介して設けられている。ベース1021は、気密ケース1020内に設けた温度制御用のペルチェ素子1023の上方に配置されている。ベース1021は、例えば主要部分が銅製で、第1レンズ1012を設置する部分がステンレス製の複合材で形成することができる。
ここで、ベース1021は、チップキャリア1022を挟んで第1レンズ1012と対向する側にキャリア1024が固定され、キャリア1024の半導体レーザ1011と対向する位置にモニタ用のフォトダイオード1024aが設けられている。
第1レンズ1012は、レンズホルダ1012aに保持されたコリメータレンズ1012bを備えている。レンズホルダ1012aは、ベース21に溶接固定されている。コリメータレンズ1012bとしては、半導体レーザ1011の非点収差を補正するための非球面レンズを用いることができる。第2レンズ1013は、レンズホルダ1013aに保持された周辺部分を円筒状に削り出した球レンズ1013bを備えている。レンズホルダ1013aは、光軸に垂直な面内で位置調整され、気密ケース1020の挿着円筒1020aに固定されている。
光ファイバ束102を構成する1つの光ファイバ素線である光ファイバ素線102aは、その先端側が金属筒1015内に接着されて保護されている。金属筒1015は、調整部材1016の最適位置に溶接固定されている。ここにおいて、金属筒1015を、調整部材1016内で光ファイバ素線102aの光軸方向に沿って移動させた後に固定することにより、最適位置に調整することができる。
ここで、半導体レーザ1011に戻り光が入射することを防止するために、第1レンズ1012と第2レンズ1013との間のコリメート光路中に光アイソレータ1016が設けられている。この光アイソレータ1016は、気密ケース1020の装着円筒1020aに固定された保持部材1016aとこの保持部材1016aに保持された光アイソレータ1016bを備えている。
第1レンズ1012は、レンズホルダ1012aに保持されたコリメータレンズ1012bを備えている。レンズホルダ1012aは、ベース21に溶接固定されている。コリメータレンズ1012bとしては、半導体レーザ1011の非点収差を補正するための非球面レンズを用いることができる。第2レンズ1013は、レンズホルダ1013aに保持された周辺部分を円筒状に削り出した球レンズ1013bを備えている。レンズホルダ1013aは、光軸に垂直な面内で位置調整され、気密ケース1020の挿着円筒1020aに固定されている。
光ファイバ束102を構成する1つの光ファイバ素線である光ファイバ素線102aは、その先端側が金属筒1015内に接着されて保護されている。金属筒1015は、調整部材1016の最適位置に溶接固定されている。ここにおいて、金属筒1015を、調整部材1016内で光ファイバ素線102aの光軸方向に沿って移動させた後に固定することにより、最適位置に調整することができる。
ここで、半導体レーザ1011に戻り光が入射することを防止するために、第1レンズ1012と第2レンズ1013との間のコリメート光路中に光アイソレータ1016が設けられている。この光アイソレータ1016は、気密ケース1020の装着円筒1020aに固定された保持部材1016aとこの保持部材1016aに保持された光アイソレータ1016bを備えている。
半導体レーザ1011からのレーザ光は、第1レンズ1012、光アイソレータ1016及び第2レンズ1013を順に介して、光ファイバ素線102aの最大受光角に応じた開口数で光ファイバ102aに入射する。
なお、上述の例では、波長405nmのレーザ光を供給する半導体レーザを適用したが、波長はこれに限られるものではない。
図8は、固体光源として発光ダイオード(LED)を適用した場合における固体光源ユニット101aの一例の構成を示す図である。図8に示すように、固体光源ユニット101aは、複数の発光ダイオードチップ1017a〜1017d、レンズアレイ1018及び複数の発光ダイオードチップ1017a〜1017dを冷却するためのペルチェ素子1023等を備えている。
図8において、複数の発光ダイオードチップ1017a〜1017dのそれぞれは、マウント部1019a〜1019dにマウントされ、これらのマウント部1019a〜1019dを介してペルチェ素子1023によって冷却される。複数の発光ダイオードチップ1017a〜1017dからの紫外光(例えば365nm、370nm、385nm、395nm等々)は、これら複数の発光ダイオードチップ1017a〜1017dの射出側近傍に位置決めされたレンズアレイ1018によりそれぞれ集光されて、光ファイバ素線102a〜102dの入射端102a1〜102d1に達する。
なお、上述の例では、波長405nmのレーザ光を供給する半導体レーザを適用したが、波長はこれに限られるものではない。
図8は、固体光源として発光ダイオード(LED)を適用した場合における固体光源ユニット101aの一例の構成を示す図である。図8に示すように、固体光源ユニット101aは、複数の発光ダイオードチップ1017a〜1017d、レンズアレイ1018及び複数の発光ダイオードチップ1017a〜1017dを冷却するためのペルチェ素子1023等を備えている。
図8において、複数の発光ダイオードチップ1017a〜1017dのそれぞれは、マウント部1019a〜1019dにマウントされ、これらのマウント部1019a〜1019dを介してペルチェ素子1023によって冷却される。複数の発光ダイオードチップ1017a〜1017dからの紫外光(例えば365nm、370nm、385nm、395nm等々)は、これら複数の発光ダイオードチップ1017a〜1017dの射出側近傍に位置決めされたレンズアレイ1018によりそれぞれ集光されて、光ファイバ素線102a〜102dの入射端102a1〜102d1に達する。
なお、図8では、4つの発光ダイオードチップ1017a〜1017dを備えた例を示したが、1つの固体光源ユニット101aに設けられる発光ダイオードチップの数は4つには限定されず、必要となるパワーに応じて適宜その数を設定すれば良い。また、別の固体光源ユニット101b〜101dの構成は上記固体光源ユニットと同様であるため、その説明を省略する。
また、図7に示した半導体レーザを固体光源として適用した固体光源ユニットと、図8に示した発光ダイオードを固体光源として適用した固体光源ユニットとを併用しても良い。
なお、光ファイバ束102を構成する複数の光ファイバ素線のうちの少なくとも1つに可視光を供給する固体光源を光学的に接続しておけば、上述した光源装置1の発散原点の調整を行うときに可視光の元で行うことが可能となる。なお、このとき、ランプ位置モニタ系を介して目視で位置調整を行うことを考慮すると、可視光を供給する固体光源として発光ダイオード(LED)を適用することが望ましい。
さて、上述の第1実施形態では、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置を例に挙げて説明したが、投影光学系PLに対してマスクMと基板としてのプレートPとを相対的に移動させつつマスクMに形成されたパターンの像をプレートPに転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置にも適用可能である。
このようなステップ・アンド・スキャン方式の露光装置では、マスクM上に非スキャン方向に延びた形状の照明領域を形成するために、フライアイ・インテグレータを構成するレンズエレメントの断面形状を長方形状としている。そして、これらフライアイ・インテグレータを構成するレンズエレメントの射出面側に光源装置1による光源像LSIの像が形成されることになる。ここで、長方形状の断面を持つレンズエレメントで構成されたフライアイ・インテグレータにおける面光源の充填率を向上させるためには、光源像LSIの形状を長方形状として、レンズエレメントの長方形状の射出面全体に光源像LSIの像を形成することが考えられる。図9(a)〜(d)は、光源装置1の光ファイバ束102の射出端面の形状の例を示す図である。図9(a)や図9(b)に示すように、光ファイバ束102の射出端面の形状を長方形状や楕円形状とすることによって、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置に適用される長方形状の断面を持つレンズエレメントで構成されたフライアイ・インテグレータにおける面光源の充填率を向上させることが可能となる。なお、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置に適用されるインテグレータが内面反射型のロッド型インテグレータである場合であっても、図9(a)や図9(b)に示すように、光ファイバ束102の射出端面の形状を長方形状や楕円形状として、光源装11による光源像LSIの像をロッド型インテグレータの入射面近傍に形成する構成とすれば、同様にロッド型インテグレータが形成する(虚像からなる)面光源の充填率を向上させることができる。
また、図7に示した半導体レーザを固体光源として適用した固体光源ユニットと、図8に示した発光ダイオードを固体光源として適用した固体光源ユニットとを併用しても良い。
なお、光ファイバ束102を構成する複数の光ファイバ素線のうちの少なくとも1つに可視光を供給する固体光源を光学的に接続しておけば、上述した光源装置1の発散原点の調整を行うときに可視光の元で行うことが可能となる。なお、このとき、ランプ位置モニタ系を介して目視で位置調整を行うことを考慮すると、可視光を供給する固体光源として発光ダイオード(LED)を適用することが望ましい。
さて、上述の第1実施形態では、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置を例に挙げて説明したが、投影光学系PLに対してマスクMと基板としてのプレートPとを相対的に移動させつつマスクMに形成されたパターンの像をプレートPに転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置にも適用可能である。
このようなステップ・アンド・スキャン方式の露光装置では、マスクM上に非スキャン方向に延びた形状の照明領域を形成するために、フライアイ・インテグレータを構成するレンズエレメントの断面形状を長方形状としている。そして、これらフライアイ・インテグレータを構成するレンズエレメントの射出面側に光源装置1による光源像LSIの像が形成されることになる。ここで、長方形状の断面を持つレンズエレメントで構成されたフライアイ・インテグレータにおける面光源の充填率を向上させるためには、光源像LSIの形状を長方形状として、レンズエレメントの長方形状の射出面全体に光源像LSIの像を形成することが考えられる。図9(a)〜(d)は、光源装置1の光ファイバ束102の射出端面の形状の例を示す図である。図9(a)や図9(b)に示すように、光ファイバ束102の射出端面の形状を長方形状や楕円形状とすることによって、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置に適用される長方形状の断面を持つレンズエレメントで構成されたフライアイ・インテグレータにおける面光源の充填率を向上させることが可能となる。なお、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置に適用されるインテグレータが内面反射型のロッド型インテグレータである場合であっても、図9(a)や図9(b)に示すように、光ファイバ束102の射出端面の形状を長方形状や楕円形状として、光源装11による光源像LSIの像をロッド型インテグレータの入射面近傍に形成する構成とすれば、同様にロッド型インテグレータが形成する(虚像からなる)面光源の充填率を向上させることができる。
また、上述の第1実施形態のようにほぼ正方形状の照明領域を形成するために、フライアイ・インテグレータ12の各レンズエレメントの断面形状をほぼ正方形状とする場合には、図9(c)に示すように光ファイバ束102の射出端面を円形状とするか、ほぼ正方形状とすれば良い。
また、円錐反射鏡104の円錐反射面の頂点近傍における製造誤差等に起因する悪影響を避けるために、図9(d)に示すように光ファイバ束102の射出端面を、光軸近傍に無効領域を有する形状とすることも考えられる。これにより、円錐反射鏡104の円錐反射面の頂点近傍に形成される光源像LSIが光軸近傍には形成されないこととなり、円錐反射鏡の円錐反射面の頂点に光を到達させないことができ、製造誤差等による悪影響(例えばフレア等)を防止することができる。
また、円錐反射鏡104の円錐反射面の頂点近傍における製造誤差等に起因する悪影響を避けるために、図9(d)に示すように光ファイバ束102の射出端面を、光軸近傍に無効領域を有する形状とすることも考えられる。これにより、円錐反射鏡104の円錐反射面の頂点近傍に形成される光源像LSIが光軸近傍には形成されないこととなり、円錐反射鏡の円錐反射面の頂点に光を到達させないことができ、製造誤差等による悪影響(例えばフレア等)を防止することができる。
図10を参照して、本発明の第2実施形態を説明する。図10は、本発明にかかる第2実施形態による露光装置の全体の概略構成を示す斜視図である。本実施形態においては、複数の反射屈折型の投影光学ユニットPL1〜PL5からなる投影光学系PLに対してマスクMと基板としてのプレートPとを相対的に移動させつつマスクMに形成された液晶表示素子のパターンDPの像を基板としてのプレートP上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置に適用した場合を例に挙げて説明する。
なお、以下の説明においては、各図中に示したXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。XYZ直交座標系は、X軸及びY軸がプレートPに対して平行となるよう設定され、Z軸がプレートPに対して直交する方向に設定されている。図中のXYZ座標系は、実際にはXY平面が水平面に平行な面に設定され、Z軸が鉛直上方向に設定される。また、本実施形態ではマスクM及びプレートPを移動させる方向(走査方向)をX軸方向に設定している。
なお、以下の説明においては、各図中に示したXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。XYZ直交座標系は、X軸及びY軸がプレートPに対して平行となるよう設定され、Z軸がプレートPに対して直交する方向に設定されている。図中のXYZ座標系は、実際にはXY平面が水平面に平行な面に設定され、Z軸が鉛直上方向に設定される。また、本実施形態ではマスクM及びプレートPを移動させる方向(走査方向)をX軸方向に設定している。
本実施形態の露光装置は、マスクステージ(図10では不図示)上においてマスクホルダ(不図示)を介してXY平面に平行に支持されたマスクMを均一に照明するための照明光学系ILを備えている。図11は、照明光学系ILの側面図であり、図10に示した部材と同一の部材には同一の符号を付してある。図10及び図11を参照すると、照明光学系ILは、第1実施形態と同様の光源装置1を備えている。光源装置1からの光束の発散原点は楕円鏡2の第1焦点位置に配置されているため、光源1から射出された照明光束は、ダイクロイックミラー3を介して、楕円鏡2の第2焦点位置に光源像を形成する。
尚、本実施形態では、光源1から射出された光が楕円鏡2の内面に形成された反射膜及びダイクロイックミラー3で反射されることにより、所要の波長域(本実施形態ではg線(436nm)の光、h線(405nm)の光、及びi線(365nm)の光を含む300nm以上の波長域)の光による光源像が楕円鏡2の第2焦点位置に形成される。つまり、g線、h線、及びi線を含む波長域以外の露光する上で不必要となる成分は楕円鏡2及びダイクロイックミラー3で反射される際に除去される。
尚、本実施形態では、光源1から射出された光が楕円鏡2の内面に形成された反射膜及びダイクロイックミラー3で反射されることにより、所要の波長域(本実施形態ではg線(436nm)の光、h線(405nm)の光、及びi線(365nm)の光を含む300nm以上の波長域)の光による光源像が楕円鏡2の第2焦点位置に形成される。つまり、g線、h線、及びi線を含む波長域以外の露光する上で不必要となる成分は楕円鏡2及びダイクロイックミラー3で反射される際に除去される。
楕円鏡2の第2焦点位置にはシャッタ4が配置されている。シャッタ4は、光軸AX1に対して斜めに配置された開口板4a(図11参照)と開口板4aに形成された開口を遮蔽又は開放する遮蔽板4b(図11参照)とから構成される。シャッタ4を楕円鏡2の第2焦点位置に配置するのは、光源1から射出された照明光束が集束されているため遮蔽板4bの少ない移動量で開口板4aに形成された開口を遮蔽することができるとともに、開口を通過する照明光束の光量を急激に可変させてることによりパルス状の照明光束を得るためである。
楕円鏡2の第2焦点位置に形成された光源像からの発散光束は、コリメートレンズ5によってほぼ平行光束に変換されて波長選択フィルタ6に入射する。波長選択フィルタ6はg線、h線、及びi線を含む波長域の光束のみを透過させるものである。波長選択フィルタ6を通過した光はリレーレンズ8を介して再び結像する。この結像位置の近傍にはライトガイド9の入射端9aが配置されている。ライトガイド9は、例えば多数のファイバ素線をランダムに束ねて構成されたランダムライトガイドファイバであって、光源装置1の数(図10では1つ)と同じ数の入射端9aと、投影光学系PLを構成する投影光学ユニットの数(図10では5つ)と同じ数の射出端9b〜9f(図11では射出端9bだけを示す)とを備えている。こうして、ライトガイド9の入射端9aへ入射した光は、その内部を伝播した後、5つの射出端9b〜9fから分割されて射出される。尚、1つの光源1のみでは光量が不足する場合には、複数の光源を設けるとともに、各光源に対して設けられた複数の入射端を有し、各々の入射端から入射した光をほぼ同じ光量に分割して各射出端9b〜9fから射出するライトガイドを設けることが好ましい。
楕円鏡2の第2焦点位置に形成された光源像からの発散光束は、コリメートレンズ5によってほぼ平行光束に変換されて波長選択フィルタ6に入射する。波長選択フィルタ6はg線、h線、及びi線を含む波長域の光束のみを透過させるものである。波長選択フィルタ6を通過した光はリレーレンズ8を介して再び結像する。この結像位置の近傍にはライトガイド9の入射端9aが配置されている。ライトガイド9は、例えば多数のファイバ素線をランダムに束ねて構成されたランダムライトガイドファイバであって、光源装置1の数(図10では1つ)と同じ数の入射端9aと、投影光学系PLを構成する投影光学ユニットの数(図10では5つ)と同じ数の射出端9b〜9f(図11では射出端9bだけを示す)とを備えている。こうして、ライトガイド9の入射端9aへ入射した光は、その内部を伝播した後、5つの射出端9b〜9fから分割されて射出される。尚、1つの光源1のみでは光量が不足する場合には、複数の光源を設けるとともに、各光源に対して設けられた複数の入射端を有し、各々の入射端から入射した光をほぼ同じ光量に分割して各射出端9b〜9fから射出するライトガイドを設けることが好ましい。
図11に示したように、ライトガイド9の入射端9aには、連続的に位置を可変することができるように構成されたブレード10が配置されている。このブレード10は、ライトガイド9の入射端9aの一部を遮光することによって、ライトガイド9の5つの射出端9b〜9f各々から射出される光の強度を連続的に可変するためのものである。ブレード10のライトガイド9の入射端9aに対する遮光量の制御は、図11中の主制御系20が駆動装置19を制御することによって行われる。
ライトガイド9の射出端9bとマスクMとの間には、コリメートレンズ11b、フライアイ・インテグレータ12b、開口絞り13b(図10では図示省略)、ビームスプリッタ14b(図10では図示省略)、及びコンデンサーレンズ系15bが順に配置されている。同様に、ライトガイド9の各射出端9c〜9fとマスクMとの間には、コリメートレンズ11c〜11f、フライアイ・インテグレータ12c〜12f、開口絞り13c〜13f、ビームスプリッタ14c〜14f、及びコンデンサーレンズ系15c〜15fがそれぞれ順に配置されている。
なお、ここでは、説明の簡単化のために、ライトガイド9の射出端9b〜9fとマスクMとの間に設けられる光学部材の構成を、ライトガイド9の射出端9bとマスクMとの間に設けられたコリメートレンズ11b、フライアイ・インテグレータ12b、開口絞り13b、ビームスプリッタ14b、及びコンデンサーレンズ系15bを代表させて説明する。
ライトガイド9の射出端9bとマスクMとの間には、コリメートレンズ11b、フライアイ・インテグレータ12b、開口絞り13b(図10では図示省略)、ビームスプリッタ14b(図10では図示省略)、及びコンデンサーレンズ系15bが順に配置されている。同様に、ライトガイド9の各射出端9c〜9fとマスクMとの間には、コリメートレンズ11c〜11f、フライアイ・インテグレータ12c〜12f、開口絞り13c〜13f、ビームスプリッタ14c〜14f、及びコンデンサーレンズ系15c〜15fがそれぞれ順に配置されている。
なお、ここでは、説明の簡単化のために、ライトガイド9の射出端9b〜9fとマスクMとの間に設けられる光学部材の構成を、ライトガイド9の射出端9bとマスクMとの間に設けられたコリメートレンズ11b、フライアイ・インテグレータ12b、開口絞り13b、ビームスプリッタ14b、及びコンデンサーレンズ系15bを代表させて説明する。
ライトガイド9の射出端9bから射出された発散光束は、コリメートレンズ11bによりほぼ平行な光束に変換された後、フライアイ・インテグレータ12bに入射する。フライアイ・インテグレータ12bは、多数の正レンズエレメントをその中心軸線が光軸AX2に沿って延びるように縦横に且つ稠密に配列することによって構成されている。従って、フライアイ・インテグレータ12bに入射した光束は、多数のレンズエレメントにより波面分割され、その後側焦点面(即ち、射出面の近傍)にレンズエレメントの数と同数の光源像からなる二次光源を形成する。即ち、フライアイ・インテグレータ12bの後側焦点面には、実質的な面光源が形成される。
フライアイ・インテグレータ12bの後側焦点面に形成された多数の二次光源からの光束は、フライアイ・インテグレータ12bの後側焦点面の近傍に配置された開口絞り13bにより制限された後、ビームスプリッタ14bを介して、コンデンサーレンズ系15bに入射する。尚、開口絞り13bは、対応する投影光学ユニットPL1の瞳面と光学的にほぼ共役な位置に配置され、照明に寄与する二次光源の範囲を規定するための可変開口部を有する。開口絞り13bは、この可変開口部の開口径を変化させることにより、照明条件を決定するσ値(投影光学系PLを構成する各投影光学ユニットPL1〜PL5の瞳面の開口径に対するその瞳面上での二次光源像の開口径の比)を所望の値に設定する。
フライアイ・インテグレータ12bの後側焦点面に形成された多数の二次光源からの光束は、フライアイ・インテグレータ12bの後側焦点面の近傍に配置された開口絞り13bにより制限された後、ビームスプリッタ14bを介して、コンデンサーレンズ系15bに入射する。尚、開口絞り13bは、対応する投影光学ユニットPL1の瞳面と光学的にほぼ共役な位置に配置され、照明に寄与する二次光源の範囲を規定するための可変開口部を有する。開口絞り13bは、この可変開口部の開口径を変化させることにより、照明条件を決定するσ値(投影光学系PLを構成する各投影光学ユニットPL1〜PL5の瞳面の開口径に対するその瞳面上での二次光源像の開口径の比)を所望の値に設定する。
コンデンサーレンズ系15bを介した光束は、パターンDPが形成されたマスクMを重畳的に照明する。尚、パターンDPは、本発明にいう第1面に配置される。ライトガイド9の他の射出端9c〜9fから射出された発散光束も同様に、コリメートレンズ11c〜11f、フライアイ・インテグレータ12c〜12f、開口絞り13c〜13f、ビームスプリッタ14c〜14f、及びコンデンサーレンズ系15c〜15fを順に介してマスクMを重畳的にそれぞれ照明する。即ち、照明光学系ILは、マスクM上においてY軸方向に並んだ複数(図10では合計で5つ)の台形状の領域を照明する。
一方、照明光学系ILに設けられる上記ビームスプリッタ14bを介した光は、図11に示すように、集光レンズ16bを介して光電変換素子よりなるインテグレータセンサ17bで受光される。このインテグレータセンサ17bの光電変換信号が、不図示のピークホールド回路及びA/D変換器を介して主制御系20に供給される。インテグレータセンサ17bの出力と、プレートPの表面(第2面)上に照射される光の単位面積当たりのエネルギー(露光量)との相関係数は予め求められて主制御系20内に記憶されている。
主制御系20は、プレートPが載置されるプレートステージ及びマスクMが載置されるマスクステージMSを制御する不図示のステージコントローラからのステージ系の動作情報に同期してシャッタ4の開閉動作を制御するとともに、インテグレータセンサ17bから出力される光電変換信号に応じて駆動装置19に対して制御信号を出力し、マスクMに照明光学系ILからの照明光を照射するタイミング及び照明光の強度を制御する。
一方、照明光学系ILに設けられる上記ビームスプリッタ14bを介した光は、図11に示すように、集光レンズ16bを介して光電変換素子よりなるインテグレータセンサ17bで受光される。このインテグレータセンサ17bの光電変換信号が、不図示のピークホールド回路及びA/D変換器を介して主制御系20に供給される。インテグレータセンサ17bの出力と、プレートPの表面(第2面)上に照射される光の単位面積当たりのエネルギー(露光量)との相関係数は予め求められて主制御系20内に記憶されている。
主制御系20は、プレートPが載置されるプレートステージ及びマスクMが載置されるマスクステージMSを制御する不図示のステージコントローラからのステージ系の動作情報に同期してシャッタ4の開閉動作を制御するとともに、インテグレータセンサ17bから出力される光電変換信号に応じて駆動装置19に対して制御信号を出力し、マスクMに照明光学系ILからの照明光を照射するタイミング及び照明光の強度を制御する。
なお、照明光学系ILは、その照明光学特性(テレセントリシティ及び照度むら)を可変することができるように構成されている。照明光学特性を調整する方法の詳細については、例えば特開2001−305743号公報、特開2001−313250号公報、及び特開平10−189427号公報を参照されたい。また、照度むらの調整については、マスク面(プレート面)近傍又はマスク面(プレート面)と光学的に共役な面若しくはその近傍に走査方向の開口の幅が走査方向と直交する方向(非走査方向)において異なるような視野絞りを配置することによって補正することも可能である。この補正方法の詳細については、例えば特開平7−142313号公報等を参照されたい。尚、かかる補正方法において、視野絞りの開口の幅を異ならせるのではなく、透過特性が非走査方向において照度むらを補正し得る分布を有する濃度分布フィルタを設ける構成であっても良い。
マスクM上の各照明領域からの光は、各照明領域に対応するようにY軸方向に沿って配列された複数(図10では合計で5つ)の投影光学ユニットPL1〜PL5からなる投影光学系PLに入射する。本実施形態の投影光学ユニットについては、例えば特開平8−255746号公報や特開2000−39557号公報に開示されているものを適用することができる。
マスクM上に形成されたパターンDPは、照明光学系ILからの照明光(露光光)により、ほぼ均一の照度で照明される。マスクM上の各照明領域に形成されたパターンDPからの光は、各投影光学ユニットPL1〜PL5へそれぞれ入射し、これら各投影光学ユニットPL1〜PL5の内部に中間像を形成した後、各投影光学ユニットPL1〜PL5から射出され、プレートP上において対応する露光領域にパターンDPの二次像を形成する。ここで、二次像のX軸方向における横倍率及びY軸方向における横倍率はともに+1倍である。即ち、各投影光学ユニットPL1〜PL5を介してプレートP上に形成されるパターンDPの像は等倍の正立正像であり、各投影光学ユニットPL1〜PL5は等倍正立系を構成している。なお、本実施形態における各投影光学ユニットPL1〜PL5は、マスクM側及びプレートP側においてほぼテレセントリックとなる。即ち、各投影光学ユニットPL1〜PL5は、ほぼ両側(マスクM側及びプレートP側)にテレセントリックな光学系である。
マスクM上の各照明領域からの光は、各照明領域に対応するようにY軸方向に沿って配列された複数(図10では合計で5つ)の投影光学ユニットPL1〜PL5からなる投影光学系PLに入射する。本実施形態の投影光学ユニットについては、例えば特開平8−255746号公報や特開2000−39557号公報に開示されているものを適用することができる。
マスクM上に形成されたパターンDPは、照明光学系ILからの照明光(露光光)により、ほぼ均一の照度で照明される。マスクM上の各照明領域に形成されたパターンDPからの光は、各投影光学ユニットPL1〜PL5へそれぞれ入射し、これら各投影光学ユニットPL1〜PL5の内部に中間像を形成した後、各投影光学ユニットPL1〜PL5から射出され、プレートP上において対応する露光領域にパターンDPの二次像を形成する。ここで、二次像のX軸方向における横倍率及びY軸方向における横倍率はともに+1倍である。即ち、各投影光学ユニットPL1〜PL5を介してプレートP上に形成されるパターンDPの像は等倍の正立正像であり、各投影光学ユニットPL1〜PL5は等倍正立系を構成している。なお、本実施形態における各投影光学ユニットPL1〜PL5は、マスクM側及びプレートP側においてほぼテレセントリックとなる。即ち、各投影光学ユニットPL1〜PL5は、ほぼ両側(マスクM側及びプレートP側)にテレセントリックな光学系である。
こうして、複数の投影光学ユニットPL1〜PL5から構成された投影光学系PLを介した光は、プレートステージ(図10では不図示)PS上において不図示のプレートホルダを介してXY平面に平行に支持されたプレートP上にパターンDPの像を形成する。即ち、上述したように、各投影光学ユニットPL1〜PL5は等倍正立系として構成されているので、感光性基板であるプレートP上において各照明領域に対応するようにY軸方向に並んだ複数の台形状の露光領域には、パターンDPの等倍正立像が形成される。
図10に戻り、前述したマスクステージMSには、マスクステージMSを走査方向であるX軸方向に沿って移動させるための長いストロークを有する走査駆動系(不図示)が設けられている。また、マスクステージMSを走査直交方向であるY軸方向に沿って微小量だけ移動させるとともにZ軸廻りに微小量だけ回転させるための一対のアライメント駆動系(不図示)が設けられている。そして、マスクステージMSの位置座標が移動鏡25を用いたレーザ干渉計(不図示)によって計測され且つ位置制御されるように構成されている。更に、マスクステージMSは、Z方向の位置が可変に構成されている。
同様の駆動系が、プレートステージPSにも設けられている。即ち、プレートステージPSを走査方向であるX軸方向に沿って移動させるための長いストロークを有する走査駆動系(不図示)、プレートステージPSを走査直交方向であるY軸方向に沿って微小量だけ移動させるとともにZ軸廻りに微小量だけ回転させるための一対のアライメント駆動系(不図示)が設けられている。そして、プレートステージPSの位置座標が移動鏡26を用いたレーザ干渉計(不図示)によって計測され且つ位置制御されるように構成されている。プレートステージPSもマスクステージMSと同様にZ方向に移動可能に構成されている。マスクステージMS及びプレートステージPSのZ方向の位置は、主制御系20によって制御される。
図10に戻り、前述したマスクステージMSには、マスクステージMSを走査方向であるX軸方向に沿って移動させるための長いストロークを有する走査駆動系(不図示)が設けられている。また、マスクステージMSを走査直交方向であるY軸方向に沿って微小量だけ移動させるとともにZ軸廻りに微小量だけ回転させるための一対のアライメント駆動系(不図示)が設けられている。そして、マスクステージMSの位置座標が移動鏡25を用いたレーザ干渉計(不図示)によって計測され且つ位置制御されるように構成されている。更に、マスクステージMSは、Z方向の位置が可変に構成されている。
同様の駆動系が、プレートステージPSにも設けられている。即ち、プレートステージPSを走査方向であるX軸方向に沿って移動させるための長いストロークを有する走査駆動系(不図示)、プレートステージPSを走査直交方向であるY軸方向に沿って微小量だけ移動させるとともにZ軸廻りに微小量だけ回転させるための一対のアライメント駆動系(不図示)が設けられている。そして、プレートステージPSの位置座標が移動鏡26を用いたレーザ干渉計(不図示)によって計測され且つ位置制御されるように構成されている。プレートステージPSもマスクステージMSと同様にZ方向に移動可能に構成されている。マスクステージMS及びプレートステージPSのZ方向の位置は、主制御系20によって制御される。
更に、マスクMとプレートPとをXY平面に沿って相対的に位置合わせするための手段として、一対のアライメント系27a,27bがマスクMの上方に配置されている。アライメント系27a,27bとしては、投影光学ユニットPL1,PL5を介して計測された基準部材28(プレートステージPSの基準位置を定める部材)の位置と、プレートP上に形成されたプレートアライメントマークの位置との相対位置とによりプレートPの位置を求める方式のアライメント系(所謂、TTL(Through The Lens)方式のアライメント系)、又は、マスクM上に形成されたマスクアライメントマークとプレートP上に形成されたプレートアライメントマークとの相対位置を画像処理により求める方式のアライメント系(所謂、TTM(Through The Mask)方式のアライメント系)を用いることができる。本実施形態では、TTL方式のアライメント系が設けられているとする。
また、本実施形態の露光装置は、プレートステージPS上に、投影光学系PLを介してプレートP上に照射される光の照度を測定するための照度測定部29が固定されており、またプレートP上に照射される光(像)の空間分布を計測するための空間像計測装置24が設けられている。
また、本実施形態の露光装置は、プレートステージPS上に、投影光学系PLを介してプレートP上に照射される光の照度を測定するための照度測定部29が固定されており、またプレートP上に照射される光(像)の空間分布を計測するための空間像計測装置24が設けられている。
以上、本発明の第2実施形態による露光装置の構成について説明したが、次に露光時の動作について説明する。尚、以下の説明においては、複数枚のプレートに対して行われる1つの露光工程(例えば、TFTを形成する際に行われる露光工程、又は、カラーフィルタを形成する際に行われる露光工程)を行う際の露光装置の動作について説明する。
工程が開始すると、まず主制御系20が露光動作に必要な各種の情報(レシピ)を読み込む。次に、主制御系20は、光源1から光を射出させて、光源1からの光が照明光学系IL及び投影光学ユニットPL1〜PL5各々を介してプレートステージPS上に照射されている状態にして、照度測定部29を用いてプレートステージPSに照射される光の照度むらを測定する。そして、照度むらの測定結果に基づいて、照明光学系ILの光学特性(照度むら、テレセントリシティー等)を調整する。
次に、マスクステージMSに形成されている基準パターンを照明領域に移動させるとともに、空間像計測装置24に設けられている検出ユニットと投影光学ユニットPL1,PL3,PL5の投影領域とをX軸方向に整列させ、露光光を基準パターンに照射して基準パターンの像を検出ユニットで計測する。同様に、検出ユニットと投影光学ユニットPL2,PL4の投影領域とをX軸方向に整列させて、基準パターンの像を計測する。このようにして、主制御系20は、各投影光学ユニットPL1〜PL5各々から投影される基準パターンの像の配列、大きさ、位置、及び回転量、並びに各種の収差を求めて、投影光学ユニットPL1〜PL5の光学特性を検出する。
工程が開始すると、まず主制御系20が露光動作に必要な各種の情報(レシピ)を読み込む。次に、主制御系20は、光源1から光を射出させて、光源1からの光が照明光学系IL及び投影光学ユニットPL1〜PL5各々を介してプレートステージPS上に照射されている状態にして、照度測定部29を用いてプレートステージPSに照射される光の照度むらを測定する。そして、照度むらの測定結果に基づいて、照明光学系ILの光学特性(照度むら、テレセントリシティー等)を調整する。
次に、マスクステージMSに形成されている基準パターンを照明領域に移動させるとともに、空間像計測装置24に設けられている検出ユニットと投影光学ユニットPL1,PL3,PL5の投影領域とをX軸方向に整列させ、露光光を基準パターンに照射して基準パターンの像を検出ユニットで計測する。同様に、検出ユニットと投影光学ユニットPL2,PL4の投影領域とをX軸方向に整列させて、基準パターンの像を計測する。このようにして、主制御系20は、各投影光学ユニットPL1〜PL5各々から投影される基準パターンの像の配列、大きさ、位置、及び回転量、並びに各種の収差を求めて、投影光学ユニットPL1〜PL5の光学特性を検出する。
投影光学ユニットPL1〜PL5の光学特性が得られると、主制御系20は投影光学ユニットPL1〜PL5各々の結像特性、例えば各投影光学ユニットPL1〜PL5の像面側(プレートP側)の焦点位置、投影光学ユニットPL1〜PL5各々の像の投影位置(典型的にはXY平面内の位置)や姿勢(典型的にはZ軸周りの像回転)、投影光学ユニットPL1〜PL5における倍率等を補正する。また、主制御系20は、必要に応じて、各収差の補正に有効なレンズを光軸方向又は光軸直交方向に沿って移動させたり、光軸に対して傾斜させたりすることにより、回転対称収差や非回転対称収差を補正する。また、主制御系20は、必要に応じて、各投影光学ユニット中の視野絞りをXY平面に沿って移動させたりZ軸廻りに回転させたりすることにより、視野絞り像の像位置の変動及び像回転を補正する。
更に、各投影光学ユニットPL1〜PL5の光学特性を調整するのみならず、投影光学ユニットPL1〜PL5各々のZ方向の位置、マスクステージMSのZ方向の位置、又はプレートステージPSのZ方向の位置を調整することにより、投影光学ユニットPL1〜PL5のベストフォーカス位置にマスクM及びプレートPが配置されるようにする。
以上の照明光学系ILの照明光学特性の調整及び投影光学系PLの投影光学特性の調整が終了すると、アライメント系27a,27bを照明光学系ILの照明領域内に配置し、各々のアライメント系27a,27bで基準部材28の位置を計測する。ここで、アライメント系27a,27bは予め投影光学系PLを介して計測した基準部材28の位置とプレートPに形成されたプレートアライメントマークの位置との相対関係により、プレートステージPS上に載置されたプレートPの位置を求めている。
以上の工程が終了すると、主制御系20は、レシピに従って、マスクMを搬入してマスクステージMS上に載置するとともに、プレートを搬入してプレートステージPS上に載置する。そして、アライメント系27a,27bを用いてプレートPSの位置を計測した後、この計測結果に基づいてマスクMとプレートPとの相対的な位置合わせを行う。尚、プレートPには複数のショット領域が予め設定されているため、主制御系20のマスクMのパターンを転写すべきショット領域が、露光領域の近傍に配置されるように位置合わせする。そして、照明光学系ILから射出される露光光をマスクMの一部に照射し、マスクMとプレートPとをX方向に移動させつつ、マスクMに形成されているパターンDPの一部を投影光学系PLを介してプレートPのショット領域に順次転写する。
更に、各投影光学ユニットPL1〜PL5の光学特性を調整するのみならず、投影光学ユニットPL1〜PL5各々のZ方向の位置、マスクステージMSのZ方向の位置、又はプレートステージPSのZ方向の位置を調整することにより、投影光学ユニットPL1〜PL5のベストフォーカス位置にマスクM及びプレートPが配置されるようにする。
以上の照明光学系ILの照明光学特性の調整及び投影光学系PLの投影光学特性の調整が終了すると、アライメント系27a,27bを照明光学系ILの照明領域内に配置し、各々のアライメント系27a,27bで基準部材28の位置を計測する。ここで、アライメント系27a,27bは予め投影光学系PLを介して計測した基準部材28の位置とプレートPに形成されたプレートアライメントマークの位置との相対関係により、プレートステージPS上に載置されたプレートPの位置を求めている。
以上の工程が終了すると、主制御系20は、レシピに従って、マスクMを搬入してマスクステージMS上に載置するとともに、プレートを搬入してプレートステージPS上に載置する。そして、アライメント系27a,27bを用いてプレートPSの位置を計測した後、この計測結果に基づいてマスクMとプレートPとの相対的な位置合わせを行う。尚、プレートPには複数のショット領域が予め設定されているため、主制御系20のマスクMのパターンを転写すべきショット領域が、露光領域の近傍に配置されるように位置合わせする。そして、照明光学系ILから射出される露光光をマスクMの一部に照射し、マスクMとプレートPとをX方向に移動させつつ、マスクMに形成されているパターンDPの一部を投影光学系PLを介してプレートPのショット領域に順次転写する。
1つのショット領域の露光が終了すると、主制御系20はレシピの内容に基づいて、次に露光すべきショット領域が有るか否かを判断する。露光すべきショット領域が有ると判断した場合には、マスクステージMS上に載置されているマスクを交換し、他のショット領域の露光を行う。一方、露光すべきショット領域が無いと判断した場合には、全てのプレートに対して露光が終了したか否かが判断される。全てのプレートに対して露光が終了していない場合には、マスクステージMS上のマスクMを交換するとともに、露光を終えたプレートPを搬出して新たなプレートPを搬入し、新たに搬入されたプレートに対する露光処理を行う。一方、全てのプレートに対して露光が終了した場合には、一連の処理が終了する。
さて、上述の第1及び第2実施形態では、円錐反射鏡104の頂点近傍に光ファイバ束102の射出端面の像である光源像LSIを形成したが、円錐反射鏡104の頂点近傍に光ファイバ束102の射出端面の光学的フーリエ変換面を形成するように、すなわち円錐反射鏡104の頂点近傍をケーラー照明するように構成しても良い。図12は、円錐反射鏡104の頂点近傍に光ファイバ束102の射出端面の光学的フーリエ変換面を形成する構成の光源装置1の要部を概略的に示す図である。なお、図12において、図2と同一の機能を有する部材には同一の符号を付している。
さて、上述の第1及び第2実施形態では、円錐反射鏡104の頂点近傍に光ファイバ束102の射出端面の像である光源像LSIを形成したが、円錐反射鏡104の頂点近傍に光ファイバ束102の射出端面の光学的フーリエ変換面を形成するように、すなわち円錐反射鏡104の頂点近傍をケーラー照明するように構成しても良い。図12は、円錐反射鏡104の頂点近傍に光ファイバ束102の射出端面の光学的フーリエ変換面を形成する構成の光源装置1の要部を概略的に示す図である。なお、図12において、図2と同一の機能を有する部材には同一の符号を付している。
図12においては、光源装置1の一部、即ち図示なき固体光源からの光を伝達する光ファイバ束102、前側焦点が光ファイバ束102の射出端102E近傍に位置決めされた集光光学系103F及び集光光学系の後側焦点位置近傍に頂点が位置決めされた円錐反射面を持つ円錐反射鏡104のみを図示している。
光ファイバ束102の射出端102Eからの光束のうち、集光光学系103Fの光軸AX上からの光線51,52は、集光光学系103Fを介した後、円錐反射鏡104の円錐反射面で反射されて、光線61,62となり不図示の楕円鏡へ向かう。また、光ファイバ102の射出端102Eからの光束のうち、集光光学系103Fの最大物高に対応する位置からの光線53〜58、集光光学系103Fを介した後、円錐反射鏡104の円錐反射面で反射されて、光線63〜68となり不図示の楕円鏡へ向かう。ここで、光線51が光線61に対応しており、光線52が光線62に対応している。そして、光線53及び光線56は集光光学系103Fに関する主光線であり、それぞれ光線63及び66に対応している。また、光線54は光線64に、光線55は光線65に、光線57は光線67に、そして光線58は光線68に対応している。ここで、光線64と光線66との対または光線63と光線68との対が円錐反射鏡104からの光束の最周辺光線となり、これらの光線64,67がなす角または光線63,68がなす角が円錐反射鏡104、ひいては光源装置1からの発散光束の発散角に対応している。
このように、本実施形態の光源装置は、円錐反射鏡の頂点近傍に光ファイバ束102の射出端面102Eの像を形成するものには限定されない。
また、上述の各実施形態並びに変形例では、偏向手段として円錐反射鏡を用いたが、例えば四角錐や六角錐、八角錐等の多角錐形状の反射面を有する角錐反射鏡を用いても良い。なお、このような円錐反射鏡や角錐反射鏡では、メリジオナル面内でパワーを有しないが、パワーを有するように(メリジオナル面内で曲率を有するように)しても良い。
光ファイバ束102の射出端102Eからの光束のうち、集光光学系103Fの光軸AX上からの光線51,52は、集光光学系103Fを介した後、円錐反射鏡104の円錐反射面で反射されて、光線61,62となり不図示の楕円鏡へ向かう。また、光ファイバ102の射出端102Eからの光束のうち、集光光学系103Fの最大物高に対応する位置からの光線53〜58、集光光学系103Fを介した後、円錐反射鏡104の円錐反射面で反射されて、光線63〜68となり不図示の楕円鏡へ向かう。ここで、光線51が光線61に対応しており、光線52が光線62に対応している。そして、光線53及び光線56は集光光学系103Fに関する主光線であり、それぞれ光線63及び66に対応している。また、光線54は光線64に、光線55は光線65に、光線57は光線67に、そして光線58は光線68に対応している。ここで、光線64と光線66との対または光線63と光線68との対が円錐反射鏡104からの光束の最周辺光線となり、これらの光線64,67がなす角または光線63,68がなす角が円錐反射鏡104、ひいては光源装置1からの発散光束の発散角に対応している。
このように、本実施形態の光源装置は、円錐反射鏡の頂点近傍に光ファイバ束102の射出端面102Eの像を形成するものには限定されない。
また、上述の各実施形態並びに変形例では、偏向手段として円錐反射鏡を用いたが、例えば四角錐や六角錐、八角錐等の多角錐形状の反射面を有する角錐反射鏡を用いても良い。なお、このような円錐反射鏡や角錐反射鏡では、メリジオナル面内でパワーを有しないが、パワーを有するように(メリジオナル面内で曲率を有するように)しても良い。
図13は、円錐反射鏡104に替えて、回転双曲面形状の反射面を有する双曲面反射鏡1041を適用した光源装置の要部を示す概略構成図である。図13において、図2の光源装置1と異なる点は、円錐反射鏡104を双曲面反射鏡1041とした点だけであり、以下ではその相違点についてだけ説明する。
図13において、双曲面反射鏡1041は、メリジオナル面内に位置する双曲線を光軸を中心として回転して得られる双曲面形状の反射面を備えている。この双曲面反射鏡1041の双曲面反射面は2葉双曲面のうちの一方の双曲面形状を有している。そして、双曲面反射鏡1041は、2葉双曲面のうちの他方の双曲面の焦点の位置の近傍に光源像LSIが形成される。この光源像LSIからの光線が双曲面反射鏡1041にて反射されて図示なき楕円鏡へ向かう。このとき、光源像LSIからの光線は、双曲面反射鏡1041の双曲面反射面(一方の双曲面形状を有する反射面)の焦点から発散されたように振る舞うことになる。ここで、双曲面反射鏡1041の双曲面反射面の円錐係数や頂点曲率、光軸方向の位置を適宜設定することによって、光源像LSIからの光束の発散角を所望の値に設定することができる。
また、上述の実施形態及び変形例では、反射面の数が1面のみであったが、反射面の数は1面には限定されない。図14は、円錐反射鏡104に替えて、2面の反射面1042,1043を適用した光源装置の要部を示す概略構成図である。図14において、図13の光源装置と異なる点は、双曲面反射鏡1041を2つの双曲面反射面1042,1043とした点だけであり、以下ではその相違点についてだけ説明する。
図13において、双曲面反射鏡1041は、メリジオナル面内に位置する双曲線を光軸を中心として回転して得られる双曲面形状の反射面を備えている。この双曲面反射鏡1041の双曲面反射面は2葉双曲面のうちの一方の双曲面形状を有している。そして、双曲面反射鏡1041は、2葉双曲面のうちの他方の双曲面の焦点の位置の近傍に光源像LSIが形成される。この光源像LSIからの光線が双曲面反射鏡1041にて反射されて図示なき楕円鏡へ向かう。このとき、光源像LSIからの光線は、双曲面反射鏡1041の双曲面反射面(一方の双曲面形状を有する反射面)の焦点から発散されたように振る舞うことになる。ここで、双曲面反射鏡1041の双曲面反射面の円錐係数や頂点曲率、光軸方向の位置を適宜設定することによって、光源像LSIからの光束の発散角を所望の値に設定することができる。
また、上述の実施形態及び変形例では、反射面の数が1面のみであったが、反射面の数は1面には限定されない。図14は、円錐反射鏡104に替えて、2面の反射面1042,1043を適用した光源装置の要部を示す概略構成図である。図14において、図13の光源装置と異なる点は、双曲面反射鏡1041を2つの双曲面反射面1042,1043とした点だけであり、以下ではその相違点についてだけ説明する。
図14において、リレー光学系103の光軸AXに沿った射出側には、光軸AXを回転対称軸とする回転対称双曲面形状を有し且つリレー光学系103側に凸面を向けた双曲面反射面1042が配置されており、この双曲面反射面1042のリレー光学系103側には、光軸AXを回転対称軸とする回転対称双曲面形状を有し且つ双曲面反射面1042側に凸面を向けた双曲面反射面1043が配置されている。ここで、双曲面反射面1043は、リレー光学系103からの光束を双曲面反射面1042へ導くための中心開口部を備えている。
図14において、リレー光学系103は、上述の例と同様に、光ファイバ束102の射出端面102Eからの光束に基づいて射出端面102の像である光源像を形成する。そして、光源像からの発散光束は、双曲面反射面1042にて反射されてさらに発散した後、双曲面反射面1043にて発散するように反射され、図示なき楕円鏡へ向かう。
このように図14の例では、互いに対向する凸形状の反射面の対を用いて、リレー光学系103からの光束を発散させると共に偏向させて、所望の発散状態を得ている。
なお、図13及び図14の例では、双曲面反射面を適用したが、反射面形状は双曲面には限定されず、例えば球面や、回転対称楕円面、回転対称放物面等の回転対称非球面を適用することが可能である。
また、図15に示すように、回転対称非球面である回転対称双曲面形状を有する双曲面反射面1044の頂点近傍に、光ファイバ束102の射出端面の光学的フーリエ変換面を形成するように、すなわち双曲面反射面1044の頂点近傍をケーラー照明するように構成しても良い。
図14において、リレー光学系103は、上述の例と同様に、光ファイバ束102の射出端面102Eからの光束に基づいて射出端面102の像である光源像を形成する。そして、光源像からの発散光束は、双曲面反射面1042にて反射されてさらに発散した後、双曲面反射面1043にて発散するように反射され、図示なき楕円鏡へ向かう。
このように図14の例では、互いに対向する凸形状の反射面の対を用いて、リレー光学系103からの光束を発散させると共に偏向させて、所望の発散状態を得ている。
なお、図13及び図14の例では、双曲面反射面を適用したが、反射面形状は双曲面には限定されず、例えば球面や、回転対称楕円面、回転対称放物面等の回転対称非球面を適用することが可能である。
また、図15に示すように、回転対称非球面である回転対称双曲面形状を有する双曲面反射面1044の頂点近傍に、光ファイバ束102の射出端面の光学的フーリエ変換面を形成するように、すなわち双曲面反射面1044の頂点近傍をケーラー照明するように構成しても良い。
また、上述の実施形態並びに変形例では、偏向手段として反射面を用いたが、その代わりに回折光学素子や屈折プリズムを適用しても良い。
また、上述の実施形態並びに変形例では、光源装置1からの発散角を、ランプ光源の発散角に整合させていたが、光源装置1からの発散光束の配光分布を、ランプ光源の配光分布に整合させても良い。
また、光源装置1の固体光源として複数の半導体レーザ(LD)を用いる場合には、複数の半導体レーザからの光の偏光状態が非偏光状態と見なせるように、各々の半導体レーザからの偏光状態を互いに異なるようにしておくことが好ましい。ここで、複数の半導体レーザのうちの半分を所定の偏光方向となるように設定し、他の半分を当該所定の偏光方向と直交する偏光方向となるように設定して、近似的に非偏光状態としても良い。
また、液晶表示素子(LCD)中の液晶を配向させるための液晶配向膜に直線偏光を照射することによって、配向膜の方向を任意の方向に制御する手法が知られているが、このような手法を実現するための露光装置に、本実施形態の光源装置1を適用する場合には、光源装置1の固体光源として複数の半導体レーザ(LD)を用い、楕円鏡2で反射された後の光束の偏光状態が所定の直線偏光となるように、各々の半導体レーザの偏光状態を設定しておくことが好ましい。
また、上述の実施形態並びに変形例では、光源装置1からの発散角を、ランプ光源の発散角に整合させていたが、光源装置1からの発散光束の配光分布を、ランプ光源の配光分布に整合させても良い。
また、光源装置1の固体光源として複数の半導体レーザ(LD)を用いる場合には、複数の半導体レーザからの光の偏光状態が非偏光状態と見なせるように、各々の半導体レーザからの偏光状態を互いに異なるようにしておくことが好ましい。ここで、複数の半導体レーザのうちの半分を所定の偏光方向となるように設定し、他の半分を当該所定の偏光方向と直交する偏光方向となるように設定して、近似的に非偏光状態としても良い。
また、液晶表示素子(LCD)中の液晶を配向させるための液晶配向膜に直線偏光を照射することによって、配向膜の方向を任意の方向に制御する手法が知られているが、このような手法を実現するための露光装置に、本実施形態の光源装置1を適用する場合には、光源装置1の固体光源として複数の半導体レーザ(LD)を用い、楕円鏡2で反射された後の光束の偏光状態が所定の直線偏光となるように、各々の半導体レーザの偏光状態を設定しておくことが好ましい。
さて、上述の各実施形態にかかる露光装置では、照明光学装置によってマスクを照明し(照明工程)、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板に露光する(露光工程)ことにより、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。以下、実施形態の露光装置を用いて感光基板としてのウエハ(プレート)等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る半導体デバイスの製造方法を、図16のフローチャートを参照して説明する。
先ず、図16のステップS301において、1ロットのウエハ上に金属膜が蒸着される。次のステップS302において、その1ロットのウエハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップS303において、本実施形態の露光装置を用いて、マスク上のパターンの像がその投影光学系を介して、その1ロットのウエハ上の各ショット領域に順次露光転写される。即ち、照明光学装置によりマスクを照明し(照明工程)、マスクのパターンをウエハ上に転写する(露光工程)。
その後、ステップS304において、その1ロットのウエハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップS305において、その1ロットのウエハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウエハ上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。
また、上述の各実施形態にかかる露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図17のフローチャートを参照して、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を製造する方法を説明する。
図17において、パターン形成工程S401では、実施形態の露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板(レジストが塗布されたガラス基板等)に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程S402へ移行する。
先ず、図16のステップS301において、1ロットのウエハ上に金属膜が蒸着される。次のステップS302において、その1ロットのウエハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップS303において、本実施形態の露光装置を用いて、マスク上のパターンの像がその投影光学系を介して、その1ロットのウエハ上の各ショット領域に順次露光転写される。即ち、照明光学装置によりマスクを照明し(照明工程)、マスクのパターンをウエハ上に転写する(露光工程)。
その後、ステップS304において、その1ロットのウエハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップS305において、その1ロットのウエハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウエハ上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。
また、上述の各実施形態にかかる露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図17のフローチャートを参照して、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を製造する方法を説明する。
図17において、パターン形成工程S401では、実施形態の露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板(レジストが塗布されたガラス基板等)に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程S402へ移行する。
次に、カラーフィルタ形成工程S402では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応した3つのドットの組がマトリックス状に多数配列され、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列したカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程S402の後に、セル組み立て工程S403が実行される。セル組み立て工程S403では、パターン形成工程S401にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルタ形成工程S402にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。セル組み立て工程S403では、例えば、パターン形成工程S401にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程S402にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル(液晶セル)を製造する。
その後、モジュール組み立て工程S404にて、組み立てられた液晶パネル(液晶セル)の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。
その後、モジュール組み立て工程S404にて、組み立てられた液晶パネル(液晶セル)の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。
1…光源装置、2…楕円鏡、3…ダイクロイックミラー、4…シャッタ、5…コリメートレンズ、6…波長選択フィルタ、12…フライアイ・インテグレータ、13…照明開口絞り、14…ビームスプリッタ、15…コンデンサレンズ、30…照明視野絞り、31a〜31c…照明視野絞り結像光学系、101a〜d…固体光源ユニット、102…光ファイバ束、103…リレー光学系、104…円錐反射鏡、105…光源制御ユニット、AS…開口絞り、M…マスク、MS…マスクステージ、PL…投影光学系、P…プレート、PS…プレートステージ
Claims (17)
- 光源からの光束を集光鏡で整えて被照射面を照明する照明装置に用いられる光源装置において、
前記集光鏡の焦点位置とは異なる位置に配置され、且つ所定の発散状態を有する光束を供給する固体光源と、
前記固体光源からの前記光束を前記焦点位置近傍に導き、且つ前記焦点位置近傍から前記集光鏡に向けて発散状態となるように前記光束を変換する発散状態変換手段とを備えることを特徴とする光源装置。 - 前記発散状態変換手段は、前記固体光源からの前記光束を導くライトガイドと、該ライトガイドから射出される光束の発散角を変更する発散角変更光学系とを備えていることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
- 前記発散状態変換手段は、前記発散角変更光学系からの光束の進行方向を偏向する偏向手段を備えていることを特徴とする請求項2に記載の光源装置。
- 前記偏向手段は、前記焦点位置の近傍に位置決めされることを特徴とする請求項3に記載の光源装置。
- 前記偏向手段は、円錐状の反射面を備えていることを特徴とする請求項4に記載の光源装置。
- 前記発散角変更光学系は、前記照明装置中で焦点位置の近傍に、前記ライトガイドの端面の像を形成することを特徴とする請求項2乃至請求項5の何れか一項に記載の光源装置。
- 前記発散角変更光学系は、縮小倍率を有していることを特徴とする請求項6に記載の光源装置。
- 前記偏向手段は前記集光鏡と対向するようにしつつ、前記発散状態変換手段の少なくとも一部を保持する保持部材を備え、
該保持部材は、前記取付部材に取り付け可能に構成されることを特徴とする請求項3乃至請求項7の何れか一項に記載の光源装置。 - 請求項1乃至請求項8の何れか一項に記載の光源装置を備え、該光源装置からの光束に基づいて被照射面を照明することを特徴とする照明装置。
- 感光性基板上に所定のパターンを転写する露光装置において、
請求項9に記載の照明装置を備えていることを特徴とする露光装置。 - 感光性基板上に所定のパターンを転写する露光方法において、
前記所定のパターンを準備する工程と、
前記所定をパターンに対して請求項9記載の照明装置を用いて照明光を供給する工程と、
前記照明された前記所定のパターンを前記感光性基板へ転写する工程とを備えていることを特徴とする露光方法。 - 光源からの光束を集光鏡で整えてマスクを照明する照明光学系を備え、照明された前記マスクのパターンを感光性基板へ転写する露光装置の調整方法において、
所定の発散状態を有する光束を供給する固体光源を準備する第1工程と、
該固体光源からの前記光束の前記所定の発散状態が予め前記照明光学系の光源として用いることが可能なランプ光源からの放射光が有する発散状態とほぼ等しくなるように前記光束を変換する第2工程と、
前記変換された発散状態を有する光束を前記ランプ光源が設定されていた位置の近傍から発散するように設定する第3工程と、
を備えていることを特徴とする調整方法。 - 前記第2工程は、ライトガイドを用いて前記固体光源からの前記光束を導く工程と、
該ライトガイドから射出される光束の発散角を変更する工程とを備えていることを特徴とする請求項12に記載の調整方法。 - 前記第2工程は、発散角が変更された光束の進行方向を偏向する工程を備えていることを特徴とする請求項12又は請求項13に記載の調整方法。
- 前記第2工程は、前記ランプ光源が設定されていた位置の近傍に前記ライトガイドの端面の像を形成する工程を備えていることを特徴とする請求項13に記載の調整方法。
- 前記ランプ光源は所定の取付部材を介して前記照明装置に取り付けられるものであって、
前記第2工程で用いられる光学部材の少なくとも一部を、前記取付部材に取り付る工程を備えていることを特徴とする請求項12乃至請求項16の何れか一項に記載の調整方法。 - 請求項12乃至請求項16の何れか一項に記載の調整方法に従って調整されたことを特徴とする露光装置。
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2004
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