JP2005338534A - 波長可変フィルタおよび波長可変フィルタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】構造、製造工程を簡易なものとすることができ、小型化が図れ、さらに、可視光に対しても波長分離が可能な波長可変フィルタおよび波長可変フィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンで構成され、可動部３１と可動部３１を変位可能に支持する支持部とを備えた第１の基板と、第１の基板に対向する第２の基板２と、第１のギャップ２１を利用し、可動部３１を第２の基板２に対して変位させることにより、第２のギャップ２２の間隔を変更する駆動部とを備え、可動部３１の第２のギャップ２２に対応する部位に設けられた第１の反射膜２００と第２の基板２の可動部３１と対向する面に設けられた第２の反射膜２１０との間において第２のギャップ２２を介して干渉を生じさせる波長可変フィルタ１であって、可動部３１は、第１の反射膜２００に対応する部位に開口部３１１を有することを特徴とする。
【選択図】図２
【解決手段】シリコンで構成され、可動部３１と可動部３１を変位可能に支持する支持部とを備えた第１の基板と、第１の基板に対向する第２の基板２と、第１のギャップ２１を利用し、可動部３１を第２の基板２に対して変位させることにより、第２のギャップ２２の間隔を変更する駆動部とを備え、可動部３１の第２のギャップ２２に対応する部位に設けられた第１の反射膜２００と第２の基板２の可動部３１と対向する面に設けられた第２の反射膜２１０との間において第２のギャップ２２を介して干渉を生じさせる波長可変フィルタ１であって、可動部３１は、第１の反射膜２００に対応する部位に開口部３１１を有することを特徴とする。
【選択図】図２
Description
本発明は、波長可変フィルタおよび波長可変フィルタの製造方法に関するものである。
赤外光の各波長における強度分布を調べる波長可変フィルタ(Ｏｐｔｉｃａｌ Ｔｕｎａｂｌｅ Ｆｉｌｔｅｒ)が知られている。
本発明に関わる波長可変フィルタの関連特許は、以下のようなものがある。
＜表面マイクロマシニングによるフィルタ＞
従来の波長可変フィルタの可変ギャップの厚みは、犠牲層の厚みのみにより制御される。この方法によると、犠牲層の製膜条件によって厚さにバラツキが生じてしまい、薄膜と駆動電極との間のクーロン力が一定ではなく、安定した駆動が得られないという問題がある。
また、可動部を基板の上に突出させた構造となっているため、波長可変フィルタの厚みが大きい（例えば、特許文献１参照）。
本発明に関わる波長可変フィルタの関連特許は、以下のようなものがある。
＜表面マイクロマシニングによるフィルタ＞
従来の波長可変フィルタの可変ギャップの厚みは、犠牲層の厚みのみにより制御される。この方法によると、犠牲層の製膜条件によって厚さにバラツキが生じてしまい、薄膜と駆動電極との間のクーロン力が一定ではなく、安定した駆動が得られないという問題がある。
また、可動部を基板の上に突出させた構造となっているため、波長可変フィルタの厚みが大きい（例えば、特許文献１参照）。
＜ＳＯＩウエハーを用いたフィルタ＞
一方、ＵＳ６３４１０３９では、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハーのＳｉＯ２層を犠牲層として用い、可変ギャップを形成している。これによれば、可変ギャップを制御よく形成することができる。
しかしながら、駆動電極と可動部との間に絶縁構造が形成されていないため、大きな静電引力が発生した際に、可動部と駆動電極が貼り付きを起こしてしまうという問題がある（例えば、特許文献２参照）。
一方、ＵＳ６３４１０３９では、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハーのＳｉＯ２層を犠牲層として用い、可変ギャップを形成している。これによれば、可変ギャップを制御よく形成することができる。
しかしながら、駆動電極と可動部との間に絶縁構造が形成されていないため、大きな静電引力が発生した際に、可動部と駆動電極が貼り付きを起こしてしまうという問題がある（例えば、特許文献２参照）。
＜両方式に共通する問題点＞
最終的に犠牲層をリリースして可変ギャップを形成するが、リリース用の液体を犠牲層に導入するためのリリースホールが必要となる。このため、クーロン力が作用する面積が減少し、駆動電圧が増加してしまうという問題がある。また、可変ギャップが小さいと、犠牲層をリリースする際に薄膜と駆動電極基板の間に水の表面張力によるスティッキングと呼ばれる貼り付き現象が発生する。これらより、犠牲層をリリースしないような構造が求められている。
さらに、可動部の光が透過する部位がシリコンで形成されているため、赤外光の波長分離以外には、用いることができないという問題がある。
最終的に犠牲層をリリースして可変ギャップを形成するが、リリース用の液体を犠牲層に導入するためのリリースホールが必要となる。このため、クーロン力が作用する面積が減少し、駆動電圧が増加してしまうという問題がある。また、可変ギャップが小さいと、犠牲層をリリースする際に薄膜と駆動電極基板の間に水の表面張力によるスティッキングと呼ばれる貼り付き現象が発生する。これらより、犠牲層をリリースしないような構造が求められている。
さらに、可動部の光が透過する部位がシリコンで形成されているため、赤外光の波長分離以外には、用いることができないという問題がある。
本発明の目的は、構造、製造工程を簡易なものとすることができ、小型化が図れ、さらに、様々な波長の光に対しても波長分離が可能な波長可変フィルタおよび波長可変フィルタの製造方法を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の波長可変フィルタは、シリコンで構成され、可動部と該可動部を変位可能に支持する支持部とを備えた第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部の前記第２のギャップに対応する部位に設けられた第１の反射膜と、
前記第２の基板の前記可動部と対向する面に設けられた第２の反射膜と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備え、
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間において反射を繰り返し、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる波長可変フィルタであって、
前記可動部は、前記第１の反射膜に対応する部位に開口部を有することを特徴とする。
本発明の波長可変フィルタは、シリコンで構成され、可動部と該可動部を変位可能に支持する支持部とを備えた第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部の前記第２のギャップに対応する部位に設けられた第１の反射膜と、
前記第２の基板の前記可動部と対向する面に設けられた第２の反射膜と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備え、
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間において反射を繰り返し、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる波長可変フィルタであって、
前記可動部は、前記第１の反射膜に対応する部位に開口部を有することを特徴とする。
第１の反射膜に対応する部位に開口部を有することにより、第１の反射膜と第２の反射膜との間で干渉を生じた光が開口部を通過して出射するため、可視光に対しても波長分離が可能となる。また可動部と、第２の基板との間に第１のギャップおよび第２のギャップを設けることにより、構造を簡素化することができ、装置の小型化を図ることができる。また、第１の反射膜と、第２の反射膜との間において反射を繰り返し、干渉を生じさせるため、光の損失を抑えることができる。
本発明の波長可変フィルタは、シリコンで構成され、可動部と該可動部を変位可能に支持する支持部とを備えた第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部の前記第２のギャップに対応する部位に設けられた第１の反射膜と、
前記第２の基板の前記可動部と対向する面に設けられた第２の反射膜と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備え、
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間において反射を繰り返し、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる波長可変フィルタであって、
前記可動部は、前記第１の反射膜に対応する部位に開口部を有することを特徴とする。
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部の前記第２のギャップに対応する部位に設けられた第１の反射膜と、
前記第２の基板の前記可動部と対向する面に設けられた第２の反射膜と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備え、
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間において反射を繰り返し、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる波長可変フィルタであって、
前記可動部は、前記第１の反射膜に対応する部位に開口部を有することを特徴とする。
第１の反射膜に対応する部位に開口部を有することにより、干渉を生じた光が開口部を通過して出射するため、可視光に対しても波長分離が可能となる。また、第２の基板に第１のギャップおよび第２のギャップを設けることにより、構造をより簡素化することができ、装置の小型化を図ることができる。また、第１の反射膜と、第２の反射膜との間において反射を繰り返し、干渉を生じさせるため、光の損失を抑えることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１の反射膜は、前記第１の基板の前記第２の基板と対向する面側に設けられていることが好ましい。
これにより、構造を簡易なものとすることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１の反射膜の、前記第１の基板の前記第２の基板と対向する面側に設けられている部分は、前記開口部を覆って、かつ、前記可動部より小さく設けられていることが好ましい。
これにより、駆動部を効率よく駆動することができる。
これにより、構造を簡易なものとすることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１の反射膜の、前記第１の基板の前記第２の基板と対向する面側に設けられている部分は、前記開口部を覆って、かつ、前記可動部より小さく設けられていることが好ましい。
これにより、駆動部を効率よく駆動することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１の反射膜は、前記開口部内に設けられていることが好ましい。
これにより、第１の基板の第２の基板に対する反りが防止され、測定精度の高い波長可変フィルタを提供することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１の反射膜は、前記可動部の前記第２のギャップと反対側の面側に設けられていることが好ましい。
これにより、第１の基板の第２の基板に対する反りが防止され、測定精度の高い波長可変フィルタを実現することができる。
これにより、第１の基板の第２の基板に対する反りが防止され、測定精度の高い波長可変フィルタを提供することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１の反射膜は、前記可動部の前記第２のギャップと反対側の面側に設けられていることが好ましい。
これにより、第１の基板の第２の基板に対する反りが防止され、測定精度の高い波長可変フィルタを実現することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１の反射膜の、前記可動部の前記第２のギャップと反対側の面側に設けられている部分は、前記開口部を覆って、かつ、前記可動部より小さく設けられていることが好ましい。
これにより、駆動部を効率よく駆動することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１の反射膜および前記第２の反射膜は、それぞれ多層膜であることが好ましい。
これにより、膜厚を容易に変化させることができ、反射膜の製造を容易なものとすることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１の反射膜は、絶縁膜であることが好ましい。
これにより、可動部と第２の基板との間に、簡易な構成で、確実な絶縁構造を形成することができる。
これにより、駆動部を効率よく駆動することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１の反射膜および前記第２の反射膜は、それぞれ多層膜であることが好ましい。
これにより、膜厚を容易に変化させることができ、反射膜の製造を容易なものとすることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１の反射膜は、絶縁膜であることが好ましい。
これにより、可動部と第２の基板との間に、簡易な構成で、確実な絶縁構造を形成することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記可動部の前記第２のギャップと反対側の面と、前記第２の基板の前記第２のギャップの反対側の面との少なくとも一方に反射防止膜を有することが好ましい。
これにより、光の反射を抑制し、光を効率的に透過させることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記反射防止膜は、多層膜であることが好ましい。
これにより、膜厚を容易に変化させることができ、反射防止膜の製造を容易なものとすることができる。
これにより、光の反射を抑制し、光を効率的に透過させることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記反射防止膜は、多層膜であることが好ましい。
これにより、膜厚を容易に変化させることができ、反射防止膜の製造を容易なものとすることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第２の基板は、前記第２のギャップと反対側に光を入射および／または出射させる光透過部を有することが好ましい。
これにより、光を効率よく透過させることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第２の基板は、前記可動部と対向する面に、前記第１のギャップに対応する第１の凹部と、前記第２のギャップに対応し、前記第１の凹部より深さが深い第２の凹部とを有することが好ましい。
可動部の駆動用のギャップと、光を干渉させるためのギャップとが同一基板に設けられているため、構造および製造工程を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。
これにより、光を効率よく透過させることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第２の基板は、前記可動部と対向する面に、前記第１のギャップに対応する第１の凹部と、前記第２のギャップに対応し、前記第１の凹部より深さが深い第２の凹部とを有することが好ましい。
可動部の駆動用のギャップと、光を干渉させるためのギャップとが同一基板に設けられているため、構造および製造工程を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１の凹部は、前記第２の凹部の外側に、該第２の凹部に連続して設けられていることが好ましい。
これにより、光を効率よく透過させることができる。また、駆動部を安定して駆動することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記駆動部は、クーロン力により可動部を変位させるよう構成されていることが好ましい。
これにより、可動部を安定して駆動することができる。
これにより、光を効率よく透過させることができる。また、駆動部を安定して駆動することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記駆動部は、クーロン力により可動部を変位させるよう構成されていることが好ましい。
これにより、可動部を安定して駆動することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第２の基板の前記第１のギャップに対応する面に駆動電極が設けられていることが好ましい。
これにより、可動部をより安定して駆動することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１のギャップおよび前記第２のギャップは、それぞれエッチング法により設けられたものであることが好ましい。
これにより、精度の高い第１のギャップおよび第２のギャップが得られる。
これにより、可動部をより安定して駆動することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１のギャップおよび前記第２のギャップは、それぞれエッチング法により設けられたものであることが好ましい。
これにより、精度の高い第１のギャップおよび第２のギャップが得られる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記可動部は、平面視で略円形をなしていることが好ましい。
これにより、可動部を効率よく駆動することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記開口部は、平面視で前記可動部の形状と略同一形状をなしていることが好ましい。
これにより、可動部を効率よく駆動することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記開口部は、平面視で前記可動部の形状と略同一形状をなしていることが好ましい。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第２の基板は、ガラスで構成されていることが好ましい。
これにより、精度の高い第２の基板を製造することができ、光を効率よく透過させる波長可変フィルタを実現することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記ガラスは、アルカリ金属を含有したガラスであることが好ましい。
これにより、製造をさらに容易に行うことができるとともに、第１の基板と第２の基板とを強固に、かつ高い密着性をもって接合することができる。
これにより、精度の高い第２の基板を製造することができ、光を効率よく透過させる波長可変フィルタを実現することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記ガラスは、アルカリ金属を含有したガラスであることが好ましい。
これにより、製造をさらに容易に行うことができるとともに、第１の基板と第２の基板とを強固に、かつ高い密着性をもって接合することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法は、シリコンで構成され、可動部と該可動部を変位可能に支持する支持部とを有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部の前記第２のギャップに対応する部位に設けられた第１の反射膜と、
前記第２の基板の前記可動部と対向する面に設けられた第２の反射膜と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備え、
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間において反射を繰り返し、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる波長可変フィルタの製造方法であって、
第１の基板用基材に開口部を設ける工程と、
前記開口部内に前記第１の反射膜を形成する工程と、
光透過性を有する第２の基板用基材に前記第１のギャップと前記第２のギャップとを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
前記第２の基板の前記第２のギャップに対応する部位に前記第２の反射膜を形成する工程と、
前記第１の基板用基材と前記第２の基板とを、前記第１の基板用基材に形成された前記第１の反射膜と前記第２の基板に形成された前記第２の反射膜とが対向するように接合する接合工程と、
前記第１の基板用基材に対して除去処理を行って所定の部位を除去することにより、前記開口部を有する前記可動部および前記支持部を形成する除去工程とを有することを特徴とする。
これにより、容易かつ確実に、第１の反射膜と第２の反射膜との間で干渉を生じた光が出射するための開口部を有する可動部を備えた波長可変フィルタを製造することができる。
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部の前記第２のギャップに対応する部位に設けられた第１の反射膜と、
前記第２の基板の前記可動部と対向する面に設けられた第２の反射膜と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備え、
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間において反射を繰り返し、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる波長可変フィルタの製造方法であって、
第１の基板用基材に開口部を設ける工程と、
前記開口部内に前記第１の反射膜を形成する工程と、
光透過性を有する第２の基板用基材に前記第１のギャップと前記第２のギャップとを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
前記第２の基板の前記第２のギャップに対応する部位に前記第２の反射膜を形成する工程と、
前記第１の基板用基材と前記第２の基板とを、前記第１の基板用基材に形成された前記第１の反射膜と前記第２の基板に形成された前記第２の反射膜とが対向するように接合する接合工程と、
前記第１の基板用基材に対して除去処理を行って所定の部位を除去することにより、前記開口部を有する前記可動部および前記支持部を形成する除去工程とを有することを特徴とする。
これにより、容易かつ確実に、第１の反射膜と第２の反射膜との間で干渉を生じた光が出射するための開口部を有する可動部を備えた波長可変フィルタを製造することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記開口内に第１の反射膜を形成する工程は、前記第１の基板用基材上の一方の面の前記第１の反射膜を設けない部位にマスクを形成する工程と、前記第１の基板用基材の前記マスクを形成した面側に反射膜を設ける工程と、前記マスクを除去する工程とを有することが好ましい。
これにより、容易かつ確実に、開口内に第１の反射膜を形成することができる。
これにより、容易かつ確実に、開口内に第１の反射膜を形成することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、主としてシリコンで構成されたシリコン層、絶縁層およびベース層がこの順で積層された積層基板を前記第１の基板用基材とし、前記接合工程において、前記シリコン層側から前記積層基板を前記第２の基板と接合し、この後に、前記除去工程において、前記第１の基板用基材に対して前記除去処理を行って前記ベース層と、前記絶縁層と、前記シリコン層の一部とを除去することにより前記可動部および前記支持部を形成することが好ましい。
これにより、より容易に開口部を有する可動部と、支持部とを形成することができる。
これにより、より容易に開口部を有する可動部と、支持部とを形成することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法は、シリコンで構成され、可動部と該可動部を変位可能に支持する支持部とを有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部の前記第２のギャップに対応する部位に設けられた第１の反射膜と、
前記第２の基板の前記可動部と対向する面に設けられた第２の反射膜と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備え、
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間において反射を繰り返し、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる波長可変フィルタの製造方法であって、
第１の基板用基材に開口部を設ける工程と、
前記開口部を覆うように前記開口部内および前記開口部の近傍の前記第１の基板用基材上に反射膜を一体的に形成する工程と、
光透過性を有する第２の基板用基材に前記第１のギャップと前記第２のギャップとを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
前記第２の基板の前記第２のギャップに対応する部位に前記第２の反射膜を形成する工程と、
前記第１の基板用基材と前記第２の基板とを、前記第１の基板用基材に形成された前記反射膜と前記第２の基板に形成された前記第２の反射膜とが対向するように接合する接合工程と、
前記第１の基板用基材の前記第２の基板と接合されている面の反対の面側に前記開口部を覆うように前記開口部および該開口部の近傍にさらに反射膜を形成して前記第１の反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記第１の基板用基材に対して除去処理を行って所定の部位を除去することにより、前記第１の反射膜に対応する部位に前記開口部を有する前記可動部および前記支持部を形成する除去工程とを有することを特徴とする。
これにより、容易かつ確実に、開口部を有する可動部を備えた波長可変フィルタを製造することができる。
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部の前記第２のギャップに対応する部位に設けられた第１の反射膜と、
前記第２の基板の前記可動部と対向する面に設けられた第２の反射膜と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備え、
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間において反射を繰り返し、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる波長可変フィルタの製造方法であって、
第１の基板用基材に開口部を設ける工程と、
前記開口部を覆うように前記開口部内および前記開口部の近傍の前記第１の基板用基材上に反射膜を一体的に形成する工程と、
光透過性を有する第２の基板用基材に前記第１のギャップと前記第２のギャップとを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
前記第２の基板の前記第２のギャップに対応する部位に前記第２の反射膜を形成する工程と、
前記第１の基板用基材と前記第２の基板とを、前記第１の基板用基材に形成された前記反射膜と前記第２の基板に形成された前記第２の反射膜とが対向するように接合する接合工程と、
前記第１の基板用基材の前記第２の基板と接合されている面の反対の面側に前記開口部を覆うように前記開口部および該開口部の近傍にさらに反射膜を形成して前記第１の反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記第１の基板用基材に対して除去処理を行って所定の部位を除去することにより、前記第１の反射膜に対応する部位に前記開口部を有する前記可動部および前記支持部を形成する除去工程とを有することを特徴とする。
これにより、容易かつ確実に、開口部を有する可動部を備えた波長可変フィルタを製造することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法は、シリコンで構成され、可動部と該可動部を変位可能に支持する支持部とを有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部の前記第２のギャップに対応する部位に設けられた第１の反射膜と、
前記第２の基板の前記可動部と対向する面に設けられた第２の反射膜と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備え、
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間において反射を繰り返し、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる波長可変フィルタの製造方法であって、
第１の基板用基材に開口部を設ける工程と、
前記開口部を覆うように前記開口部内および前記第１の基板用基材上の前記可動部となる部位に反射膜を一体的に形成する工程と、
光透過性を有する第２の基板用基材に前記第１のギャップと前記第２のギャップとを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
前記第２の基板の前記第２のギャップに対応する部位に前記第２の反射膜を形成する工程と、
前記第１の基板用基材と前記第２の基板とを、前記第１の基板用基材に形成された前記反射膜と前記第２の基板に形成された前記第２の反射膜とが対向するように接合する接合工程と、
前記第１の基板用基材の前記第２の基板と接合されている面の反対の面側に前記開口部を覆うように、前記第１の基板用基材上の前記可動部となる部位に前記開口部および該開口部の近傍にさらに反射膜を形成して前記第１の反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記第１の基板用基材に対して除去処理を行って所定の部位を除去することにより、前記第１の反射膜に対応する部位に前記開口部を有する前記可動部および前記支持部を形成する除去工程とを有することを特徴とする。
これにより、容易かつ確実に、開口部内、開口部上および開口部の近傍に第１の反射膜が形成された可動部を備えた波長可変フィルタを製造することができる。
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部の前記第２のギャップに対応する部位に設けられた第１の反射膜と、
前記第２の基板の前記可動部と対向する面に設けられた第２の反射膜と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備え、
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間において反射を繰り返し、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる波長可変フィルタの製造方法であって、
第１の基板用基材に開口部を設ける工程と、
前記開口部を覆うように前記開口部内および前記第１の基板用基材上の前記可動部となる部位に反射膜を一体的に形成する工程と、
光透過性を有する第２の基板用基材に前記第１のギャップと前記第２のギャップとを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
前記第２の基板の前記第２のギャップに対応する部位に前記第２の反射膜を形成する工程と、
前記第１の基板用基材と前記第２の基板とを、前記第１の基板用基材に形成された前記反射膜と前記第２の基板に形成された前記第２の反射膜とが対向するように接合する接合工程と、
前記第１の基板用基材の前記第２の基板と接合されている面の反対の面側に前記開口部を覆うように、前記第１の基板用基材上の前記可動部となる部位に前記開口部および該開口部の近傍にさらに反射膜を形成して前記第１の反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記第１の基板用基材に対して除去処理を行って所定の部位を除去することにより、前記第１の反射膜に対応する部位に前記開口部を有する前記可動部および前記支持部を形成する除去工程とを有することを特徴とする。
これにより、容易かつ確実に、開口部内、開口部上および開口部の近傍に第１の反射膜が形成された可動部を備えた波長可変フィルタを製造することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記開口部内および前記開口部の近傍の前記第１の基板用基材上に反射膜を一体的に形成する工程は、前記第１の基板用基材上の一方の面の前記反射膜を設けない部位にマスクを形成する工程と、前記第１の基板用基材の前記マスクを形成した面側に反射膜を設ける工程と、前記マスクを除去する工程とを有することが好ましい。
これにより、容易に開口部内および開口部の近傍の第１の基板用基材上に反射膜を一体的に形成することができる。
これにより、容易に開口部内および開口部の近傍の第１の基板用基材上に反射膜を一体的に形成することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、主としてシリコンで構成されたシリコン層、絶縁層およびベース層がこの順で積層された積層基板を前記第１の基板用基材とし、前記接合工程において、前記シリコン層側から前記積層基板を前記第２の基板と接合し、その後、前記除去工程において、前記第１の基板用基材に対して前記除去処理を行って前記ベース層および前記絶縁層を除去し、この後、前記反射膜形成工程を行い、この後、前記除去工程において前記シリコン層に対して前記除去処理を行って前記可動部および前記支持部を形成することが好ましい。
これにより、容易かつ確実に、所望の反射膜が設けられた可動部を備えた波長可変フィルタを製造することができる。
これにより、容易かつ確実に、所望の反射膜が設けられた可動部を備えた波長可変フィルタを製造することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記積層基板は、前記シリコン層上に、主としてＳｉＯ２で構成された前記絶縁層と、主としてシリコンで構成された前記ベース層とがこの順で積層されてなるＳＯＩ基板、または、前記シリコン層上に、主としてＳｉＯ２で構成された絶縁層と、主としてＳａｐｐｈｉｒｅで構成された前記ベース層とがこの順で積層されてなるＳＯＳ基板であることが好ましい。
これにより、精度の高い積層基板を容易に得ることができる。
これにより、精度の高い積層基板を容易に得ることができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法は、シリコンで構成され、可動部と該可動部を変位可能に支持する支持部とを有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部の前記第２のギャップに対応する部位に設けられた第１の反射膜と、
前記第２の基板の前記可動部と対向する面に設けられた第２の反射膜と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備え、
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間において反射を繰り返し、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる波長可変フィルタの製造方法であって、
主としてシリコンで構成される第１の基板用基材上の前記可動部となる部位に、前記第１の反射膜を形成する工程と、
光透過性を有する第２の基板用基材に前記第１のギャップと前記第２のギャップとを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
前記第２の基板の前記第２のギャップに対応する部位に前記第２の反射膜を形成する工程と、
前記第１の基板用基材と前記第２の基板とを、前記第１の基板用基材に形成された前記第１の反射膜と前記第２の基板に形成された前記第２の反射膜とが対向するように接合する接合工程と、
前記第１の基板用基材に対して除去処理を行って所定の部位を除去することにより、前記第１の反射膜に対応する部位に該第１の反射膜で覆われるように開口部を形成し、該開口部を有する前記可動部および前記支持部を形成する除去工程とを有することを特徴とする。
これにより、容易かつ確実に、第１の反射膜と第２の反射膜との間で干渉を生じた光が出射するための開口部を有する可動部を備えた波長可変フィルタを製造することができる。
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部の前記第２のギャップに対応する部位に設けられた第１の反射膜と、
前記第２の基板の前記可動部と対向する面に設けられた第２の反射膜と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備え、
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間において反射を繰り返し、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる波長可変フィルタの製造方法であって、
主としてシリコンで構成される第１の基板用基材上の前記可動部となる部位に、前記第１の反射膜を形成する工程と、
光透過性を有する第２の基板用基材に前記第１のギャップと前記第２のギャップとを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
前記第２の基板の前記第２のギャップに対応する部位に前記第２の反射膜を形成する工程と、
前記第１の基板用基材と前記第２の基板とを、前記第１の基板用基材に形成された前記第１の反射膜と前記第２の基板に形成された前記第２の反射膜とが対向するように接合する接合工程と、
前記第１の基板用基材に対して除去処理を行って所定の部位を除去することにより、前記第１の反射膜に対応する部位に該第１の反射膜で覆われるように開口部を形成し、該開口部を有する前記可動部および前記支持部を形成する除去工程とを有することを特徴とする。
これにより、容易かつ確実に、第１の反射膜と第２の反射膜との間で干渉を生じた光が出射するための開口部を有する可動部を備えた波長可変フィルタを製造することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記第１の基板用基材を所望の厚みにする工程を有することが好ましい。
これにより、容易かつ確実に第２の反射膜を形成することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記第２の反射膜を形成する工程は、前記第２の基板の前記反射膜を設けない部位にマスクを形成する工程と、前記第２の基板の前記第２のギャップを有する面側に反射膜を設ける工程と、前記マスクを除去する工程とを有することが好ましい。
これにより、容易に第２の反射膜を形成することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記除去処理では、エッチング法を用いることが好ましい。
これにより、容易に、かつ、精度の高い可動部および支持部を得ることができる。
これにより、容易かつ確実に第２の反射膜を形成することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記第２の反射膜を形成する工程は、前記第２の基板の前記反射膜を設けない部位にマスクを形成する工程と、前記第２の基板の前記第２のギャップを有する面側に反射膜を設ける工程と、前記マスクを除去する工程とを有することが好ましい。
これにより、容易に第２の反射膜を形成することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記除去処理では、エッチング法を用いることが好ましい。
これにより、容易に、かつ、精度の高い可動部および支持部を得ることができる。
以下、本発明の波長可変フィルタを添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の波長可変フィルタの第１実施形態を示す平面図（上面図）、図２は、図１のＡ−Ａ線での断面図、図３は、本発明の波長可変フィルタの第１実施形態におけるワイヤを取り付けた状態を示す図、図４は、本発明の波長可変フィルタの動作の１例を説明する図である。また、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１は、本発明の波長可変フィルタの第１実施形態を示す平面図（上面図）、図２は、図１のＡ−Ａ線での断面図、図３は、本発明の波長可変フィルタの第１実施形態におけるワイヤを取り付けた状態を示す図、図４は、本発明の波長可変フィルタの動作の１例を説明する図である。また、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
波長可変フィルタ１は、例えば、波長可変フィルタ１内に入射した光のうち、所定の周波数に対応する光（干渉光）を出射させる装置であり、図２に示すように、導電性および光透過性を有する第１の基板３と、第１の基板３に対向する第２の基板２と、これら第１の基板３と、第２の基板２との間に設けられた第１のギャップ２１および第２のギャップ２２とを有している。
第１の基板３は、シリコン（Ｓｉ）で構成されており、中央部に配置され平面視で略円形状をなす可動部３１と、可動部３１を図２中上下方向に変位（移動）可能に支持する支持部３２と、固定部３３とを有している。
可動部３１には、平面視で略円形の開口部３１１を有している。この開口部３１１は、可動部３１を形成する円に対して同心円状に形成されている。
この開口部３１１は、本実施形態では、第２のギャップ２２を介して後述する第２の凹部２２１の上側（上部）に設けられている。
なお、可動部３１および開口部３１１の形状は、図示のものに限られないのは言うまでもない。
可動部３１には、平面視で略円形の開口部３１１を有している。この開口部３１１は、可動部３１を形成する円に対して同心円状に形成されている。
この開口部３１１は、本実施形態では、第２のギャップ２２を介して後述する第２の凹部２２１の上側（上部）に設けられている。
なお、可動部３１および開口部３１１の形状は、図示のものに限られないのは言うまでもない。
可動部３１の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、１〜５００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましい。可動部３１の厚さを上記のものとすることにより、可動部３１の駆動効率をより高くすることができる。なお可動部の駆動については、後述する。
可動部３１には、第２の凹部２２１と対向する面（可動部３１の下面）に、光を効率的に反射させる第１の反射膜（ＨＲコート）２００が開口部３１１を覆って、かつ、可動部３１より平面視で小さく（小さい径で）設けられている。
この第１の反射膜２００は、絶縁性を有している。すなわち、第１の反射膜２００は、絶縁膜を兼ねる。
なお、可動部３１および開口部３１１の形状は、図示の形状に特に限定されないが、開口部３１１の形状は、可動部３１の形状と略同一形状をなしているのが好ましい。
可動部３１には、第２の凹部２２１と対向する面（可動部３１の下面）に、光を効率的に反射させる第１の反射膜（ＨＲコート）２００が開口部３１１を覆って、かつ、可動部３１より平面視で小さく（小さい径で）設けられている。
この第１の反射膜２００は、絶縁性を有している。すなわち、第１の反射膜２００は、絶縁膜を兼ねる。
なお、可動部３１および開口部３１１の形状は、図示の形状に特に限定されないが、開口部３１１の形状は、可動部３１の形状と略同一形状をなしているのが好ましい。
図１中の中央付近には、弾性（可撓性）を有する４つの支持部３２が、それぞれ可動部３１と固定部３３とに一体的に形成されている。
この支持部３２は、可動部３１の外周側面に、開口部８により仕切られて等角度間隔（９０°間隔）で、設けられている。
なお、支持部３２の数は必ずしも４つに限定されず、例えば、２つ、３つ、または、５つ以上でもよい。また、支持部３２の形状は、図示のものに限定されない。
この支持部３２は、可動部３１の外周側面に、開口部８により仕切られて等角度間隔（９０°間隔）で、設けられている。
なお、支持部３２の数は必ずしも４つに限定されず、例えば、２つ、３つ、または、５つ以上でもよい。また、支持部３２の形状は、図示のものに限定されない。
固定部３３は、支持部３２を介して、可動部３１に接続されている。
図１に示すように、固定部３３には、導電性を有する端子台１０が設けられている。この端子台１０と固定部３３とは、電気的に接続されている。
また、固定部３３の後述する導電層２３１および端子台９に対応する部位には、開口３３１が設けられている。
図１に示すように、固定部３３には、導電性を有する端子台１０が設けられている。この端子台１０と固定部３３とは、電気的に接続されている。
また、固定部３３の後述する導電層２３１および端子台９に対応する部位には、開口３３１が設けられている。
第１の基板３は、固定部３３において、第２の基板２と接合されている。
第２の基板２は、光透過性を備えており、可動部３１と対向する面に、第１の凹部２１１および第１の凹部２１１より深さが深い第２の凹部２２１を有している。
このような第２の基板２の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、１０〜２０００μｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００μｍ程度であるのがより好ましい。
また、第１の凹部２１１は、第２の凹部２２１の外側に、第２の凹部２２１に連続して設けられている。
第２の基板２は、光透過性を備えており、可動部３１と対向する面に、第１の凹部２１１および第１の凹部２１１より深さが深い第２の凹部２２１を有している。
このような第２の基板２の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、１０〜２０００μｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００μｍ程度であるのがより好ましい。
また、第１の凹部２１１は、第２の凹部２２１の外側に、第２の凹部２２１に連続して設けられている。
第１の凹部２１１の外形形状は、可動部３１の外形形状に対応し、第１の凹部２１１の寸法（外形寸法）は、可動部３１より少し大きく設定されている。
また、この第２の凹部２２１の外形形状は、可動部３１の外形形状に対応し、第２の凹部２２１の寸法は、可動部３１より少し小さく設定されている。
これにより、第１の凹部２１１と、可動部３１の外周部（外側部）とが、互いに対向する。
この第１の凹部２１１内の空間は、第１のギャップ２１となるものである。すなわち、可動部３１と、第１の凹部２１１とが、第１のギャップ２１を画成している。
同様に、この第２の凹部２２１内の空間は、第２のギャップ２２となるものである。すなわち、可動部３１と、第２の凹部２２１とが、第１のギャップ２１を画成している。
この第１のギャップ２１の厚さ(平均)は、用途などにより適宜選択され、特に限定されないが、０．５〜２０μｍ程度であるのが好ましい。
また、第２のギャップ２２の厚さ(平均)は、用途などにより適宜選択され、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましい。
また、この第２の凹部２２１の外形形状は、可動部３１の外形形状に対応し、第２の凹部２２１の寸法は、可動部３１より少し小さく設定されている。
これにより、第１の凹部２１１と、可動部３１の外周部（外側部）とが、互いに対向する。
この第１の凹部２１１内の空間は、第１のギャップ２１となるものである。すなわち、可動部３１と、第１の凹部２１１とが、第１のギャップ２１を画成している。
同様に、この第２の凹部２２１内の空間は、第２のギャップ２２となるものである。すなわち、可動部３１と、第２の凹部２２１とが、第１のギャップ２１を画成している。
この第１のギャップ２１の厚さ(平均)は、用途などにより適宜選択され、特に限定されないが、０．５〜２０μｍ程度であるのが好ましい。
また、第２のギャップ２２の厚さ(平均)は、用途などにより適宜選択され、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましい。
第１の凹部２１１の上面には、導電性を有する駆動電極２３が設けられている。また、第２の基板２上には、駆動電極２３から同じく導電性を有する端子台９に渡って、層状（膜状）をなす導電層２３１が設けられている。すなわち端子台９と駆動電極２３とは、導電層２３１を介して電気的に接続されている。この導電層２３１は、平面視で第１の基板３に対して所定距離離間して設けられている。
このような駆動電極２３および導電層２３１の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、０．１〜５μｍ程度であるのが好ましい。
このような駆動電極２３および導電層２３１の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、０．１〜５μｍ程度であるのが好ましい。
第２の凹部２２１の所定の部位には、第２の反射膜２１０が設けられている。この第２の反射膜２１０としては、特に限定されないが、例えば、第１の反射膜２００と同様のものを用いるのが好ましい。
第２の反射膜２１０は、第２のギャップ２２を介して第１の反射膜２００と対向するように設けられている。この第２の反射膜２１０は、平面視で、少なくとも開口部３１１の全体に重なるように（第２の反射膜２１０を開口部３１１に投影したとき、開口部３１１に対応する部分および近傍の領域に位置するように）設けられている。
第２の反射膜２１０は、第２のギャップ２２を介して第１の反射膜２００と対向するように設けられている。この第２の反射膜２１０は、平面視で、少なくとも開口部３１１の全体に重なるように（第２の反射膜２１０を開口部３１１に投影したとき、開口部３１１に対応する部分および近傍の領域に位置するように）設けられている。
図２に示すように、第２の基板２の下面が光入射部２４を構成している。この光入射部２４から、波長可変フィルタ１に光が入射されるようになっている。また、光入射部２４の表面には、光の反射を抑制する反射防止膜（ＡＲコート）１００が設けられている。
ところで、図３に示すように、この波長可変フィルタ１の端子台９および端子台１０から、図示しない回路基板に、それぞれワイヤ５０、５０を例えば、はんだなどのろう材で接続した場合には、可動部３１と駆動電極２３とが、それぞれワイヤ５０、５０および回路基板を介して、図示しない電源に接続され、可動部３１と、駆動電極２３との間に電圧を印加することができる。
これら駆動電極２３と、可動部３１との間に電圧が印加されると、駆動電極２３と、可動部３１とが逆極性に帯電して、両者の間にクーロン力が発生し、このクーロン力によって、可動部３１は、図２中下方向に移動し、静止する。
ところで、図３に示すように、この波長可変フィルタ１の端子台９および端子台１０から、図示しない回路基板に、それぞれワイヤ５０、５０を例えば、はんだなどのろう材で接続した場合には、可動部３１と駆動電極２３とが、それぞれワイヤ５０、５０および回路基板を介して、図示しない電源に接続され、可動部３１と、駆動電極２３との間に電圧を印加することができる。
これら駆動電極２３と、可動部３１との間に電圧が印加されると、駆動電極２３と、可動部３１とが逆極性に帯電して、両者の間にクーロン力が発生し、このクーロン力によって、可動部３１は、図２中下方向に移動し、静止する。
この場合例えば、印加電圧を連続的、段階的に変化させることによって、可動部３１を第２の基板２に対して上下方向の所定の位置に移動させることができる。
これにより、距離ｘを所定の距離に調節（変更）することができ、後述するように所定の波長の光（干渉光）を出射させることが可能となる。
駆動電極２３と、第１のギャップ２１と、可動部３１の外周部とで、クーロン力によって駆動する方式の駆動部（アクチュエータ）の主要部が構成される。
これにより、距離ｘを所定の距離に調節（変更）することができ、後述するように所定の波長の光（干渉光）を出射させることが可能となる。
駆動電極２３と、第１のギャップ２１と、可動部３１の外周部とで、クーロン力によって駆動する方式の駆動部（アクチュエータ）の主要部が構成される。
次に、本発明の波長可変フィルタの動作（作用）について図４を用いて説明する。
図４に示すように、光源３００から出射された光Ｌは、光入射部２４から入射する。すなわち、光Ｌは、反射防止膜１００、第２の基板２および第２の反射膜２１０を透過し、第２のギャップ２２に入射する。
入射した光Ｌは、第１の反射膜２００と第２の反射膜２１０との間において反射を繰り返し、干渉を生じる。この際、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０により、光Ｌの損失を抑えることができる。
前記光Ｌの干渉の結果、距離ｘに対応した所定の波長の光（干渉光）は、第１の反射膜２００を透過し、開口部３１１を介して可動部３１の上面から出射する。
図４に示すように、光源３００から出射された光Ｌは、光入射部２４から入射する。すなわち、光Ｌは、反射防止膜１００、第２の基板２および第２の反射膜２１０を透過し、第２のギャップ２２に入射する。
入射した光Ｌは、第１の反射膜２００と第２の反射膜２１０との間において反射を繰り返し、干渉を生じる。この際、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０により、光Ｌの損失を抑えることができる。
前記光Ｌの干渉の結果、距離ｘに対応した所定の波長の光（干渉光）は、第１の反射膜２００を透過し、開口部３１１を介して可動部３１の上面から出射する。
以上説明したように、この波長可変フィルタ１によれば、可動部３１に開口部３１１を設け、その開口部３１１を介して光を出射させることにより、赤外光に限られず、可視光等の様々な光の波長分離が可能となる。
また、第１の反射膜２００は絶縁膜で形成されているため、駆動電極２３と、可動部３１との接触の際のショートを防ぐことができる。
また、第１の反射膜２００は絶縁膜で形成されているため、駆動電極２３と、可動部３１との接触の際のショートを防ぐことができる。
また、本実施形態では、可動部３１は、平面視で略円形状をなしているため、可動部３１を効率よく駆動することができる。
また、本実施形態では、端子台９および端子台１０を設けることにより、波長可変フィルタ１の一方の面側から容易に電源を供給することができる。
なお、本実施形態では、光入射部２４から光を入射したが、可動部３１の上面から光を入射してもよい。その場合、光入射部２４から出射してもよいし、可動部３１の上面から出射してもよい。
また、本実施形態では、端子台９および端子台１０を設けることにより、波長可変フィルタ１の一方の面側から容易に電源を供給することができる。
なお、本実施形態では、光入射部２４から光を入射したが、可動部３１の上面から光を入射してもよい。その場合、光入射部２４から出射してもよいし、可動部３１の上面から出射してもよい。
また、本実施形態では、光入射部２４から入射した光を可動部３１の上面から出射したが、光入射部２４から入射した光を光入射部２４から出射してもよい。
また、本実施形態では、駆動部の構成は、クーロン力を用いた構成としたが、本発明は、これに限られない。
また、本実施形態では、端子台９、端子台１０、導電層２３１および開口３３１を設けたが、なくてもよい。
また、本実施形態では、駆動部の構成は、クーロン力を用いた構成としたが、本発明は、これに限られない。
また、本実施形態では、端子台９、端子台１０、導電層２３１および開口３３１を設けたが、なくてもよい。
次に、本発明の波長可変フィルタの製造方法について、図１に示す波長可変フィルタを製造する場合を一例として説明する。
図５〜図９は、第１実施形態の波長可変フィルタの製造方法を説明する図（製造工程を模式的に示す図）である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図５〜図９は、第１実施形態の波長可変フィルタの製造方法を説明する図（製造工程を模式的に示す図）である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
波長可変フィルタ１の製造に先立って、光透過性を有する透明基板（第２の基板用基材）５を用意する。透明基板５には、厚さが均一で、たわみや傷のないものが好適に用いられる。透明基板５の材料としては、特に限定されず、例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ナトリウムガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、シリコン等が挙げられるが、例えば、ナトリウム（Ｎａ）のようなアルカリ金属を含有したガラスが好ましい。
このような観点からは、ソーダガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ナトリウムガラス等を用いることができ、例えば、コーニング社製のパイレックスガラス（登録商標）等が好適に用いられる。特に、陽極接合時に透明基板５を加熱するため、後述するシリコン層（活性層）７３と熱膨張係数がほぼ等しいものが好ましい。
このような観点からは、ソーダガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ナトリウムガラス等を用いることができ、例えば、コーニング社製のパイレックスガラス（登録商標）等が好適に用いられる。特に、陽極接合時に透明基板５を加熱するため、後述するシリコン層（活性層）７３と熱膨張係数がほぼ等しいものが好ましい。
以下、製造方法を説明するが、製造工程を[１]から[９]の工程に大別し、順番に説明する。
[１]透明基板５を用いて第２の基板２を製造する工程
まず、図５（ａ）に示すように、透明基板５上面および下面にマスク層６を形成（マスキング）する。
[１]透明基板５を用いて第２の基板２を製造する工程
まず、図５（ａ）に示すように、透明基板５上面および下面にマスク層６を形成（マスキング）する。
マスク層６を構成する材料としては、例えば、Ａｕ／Ｃｒ、Ａｕ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ｃｒ、Ｐｔ／Ｔｉなどの金属、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン等が挙げられる。マスク層６にシリコンを用いると、マスク層６と透明基板５との密着性が向上する。マスク層６に金属を用いると、形成されるマスク層６の視認性が向上する。
マスク層６の厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１μｍ程度とすることが好ましく、０．０９〜０．１１μｍ程度とすることがより好ましい。マスク層６が薄すぎると、透明基板５を十分に保護できない場合があり、マスク層６が厚すぎると、マスク層６の内部応力によりマスク層６が剥がれ易くなる場合がある。
マスク層６は、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法、蒸着法等の気相成膜法、メッキ法等により形成することができる。
マスク層６は、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法、蒸着法等の気相成膜法、メッキ法等により形成することができる。
次に、図５（ｂ）に示すように、マスク層６に、開口６３を形成する。
開口６３は、例えば、第１の凹部２１１を形成する位置に設ける。また、開口６３の形状（平面形状）は、形成する第１の凹部２１１の形状（平面形状）に対応させる。
この開口６３は、例えば、フォトリソグラフィー法により形成することができる。具体的には、まず、マスク層６上に、開口６３に対応したパターンを有するレジスト層（図示せず）を形成する。次に、かかるレジスト層をマスクとして、マスク層６の一部を除去する。次に、前記レジスト層を除去する。これにより、開口６３が形成される。なお、マスク層６の一部除去は、例えば、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸＋硝酸水溶液、アルカリ水溶液等の剥離液への浸漬（ウェットエッチング）などにより行うことができる。
開口６３は、例えば、第１の凹部２１１を形成する位置に設ける。また、開口６３の形状（平面形状）は、形成する第１の凹部２１１の形状（平面形状）に対応させる。
この開口６３は、例えば、フォトリソグラフィー法により形成することができる。具体的には、まず、マスク層６上に、開口６３に対応したパターンを有するレジスト層（図示せず）を形成する。次に、かかるレジスト層をマスクとして、マスク層６の一部を除去する。次に、前記レジスト層を除去する。これにより、開口６３が形成される。なお、マスク層６の一部除去は、例えば、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸＋硝酸水溶液、アルカリ水溶液等の剥離液への浸漬（ウェットエッチング）などにより行うことができる。
次に、図５（ｃ）に示すように、透明基板５上に第１の凹部２１１を形成する。
第１の凹部２１１の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、ドライエッチング法、ウェットエッチング法等のエッチング法などが挙げられる。エッチングを行うことにより、透明基板５は、開口６３より等方的に食刻され、円柱状を有する第１の凹部２１１が形成される。
第１の凹部２１１の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、ドライエッチング法、ウェットエッチング法等のエッチング法などが挙げられる。エッチングを行うことにより、透明基板５は、開口６３より等方的に食刻され、円柱状を有する第１の凹部２１１が形成される。
特に、ウェットエッチング法によると、より理想的な円柱状に近い第１の凹部２１１を形成することができる。なお、ウェットエッチングを行う際のエッチング液としては、例えばフッ酸系エッチング液などが好適に用いられる。このとき、エッチング液にグリセリン等のアルコール（特に多価アルコール）を添加すると、第１の凹部２１１の表面が極めて滑らかなものとなる。
次に、マスク層６を除去する。
これは、例えば、アルカリ水溶液（例えばテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液等）、塩酸＋硝酸水溶液、フッ酸＋硝酸水溶液等の剥離液（除去液）への浸漬（ウェットエッチング）、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチングなどにより行うことができる。
特に、透明基板５を除去液に浸漬することによりマスク層６を除去すると、簡易な操作で、効率よく、マスク層６を除去できる。
これは、例えば、アルカリ水溶液（例えばテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液等）、塩酸＋硝酸水溶液、フッ酸＋硝酸水溶液等の剥離液（除去液）への浸漬（ウェットエッチング）、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチングなどにより行うことができる。
特に、透明基板５を除去液に浸漬することによりマスク層６を除去すると、簡易な操作で、効率よく、マスク層６を除去できる。
以上により、図５（ｄ）に示すように、透明基板５上に、第１の凹部２１１が所定の位置に形成される。
第２の凹部２２１は、第１の凹部２１１と同様にして、製造、用意することができる。
また、第２の凹部２２１を製造するとき、形成する開口の面積、または、エッチング条件（例えばエッチング時間、エッチング温度、エッチング液の組成等）のうちの少なくとも１つを、第１の凹部２１１を製造する際の条件と異なるものとすることが好ましい。このように、第２の凹部２２１の製造条件を第１の凹部２１１の製造条件と一部異なるものとすると、第１の凹部２１１の半径と第２の凹部２２１の半径とを異なるものとすることが容易となる。
以上により、図６（ｅ）に示すように、第１の凹部２１１と第２の凹部２２１とが所定の位置に形成された第２の基板２が得られる。
第２の凹部２２１は、第１の凹部２１１と同様にして、製造、用意することができる。
また、第２の凹部２２１を製造するとき、形成する開口の面積、または、エッチング条件（例えばエッチング時間、エッチング温度、エッチング液の組成等）のうちの少なくとも１つを、第１の凹部２１１を製造する際の条件と異なるものとすることが好ましい。このように、第２の凹部２２１の製造条件を第１の凹部２１１の製造条件と一部異なるものとすると、第１の凹部２１１の半径と第２の凹部２２１の半径とを異なるものとすることが容易となる。
以上により、図６（ｅ）に示すように、第１の凹部２１１と第２の凹部２２１とが所定の位置に形成された第２の基板２が得られる。
[２]駆動電極２３を形成する工程
次に、図６（ｆ）に示すように、駆動電極２３を形成する。
駆動電極２３を構成する材料としては、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ａｕなどの金属、カーボンやチタンなどを分散した樹脂、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、ＩＴＯのような透明導電材料等が挙げられる。
この駆動電極２３の厚さは、例えば、０．１〜０．２μｍが好ましい。
次に、図６（ｆ）に示すように、駆動電極２３を形成する。
駆動電極２３を構成する材料としては、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ａｕなどの金属、カーボンやチタンなどを分散した樹脂、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、ＩＴＯのような透明導電材料等が挙げられる。
この駆動電極２３の厚さは、例えば、０．１〜０．２μｍが好ましい。
駆動電極２３は、第１の凹部２１１上に設ける。また、駆動電極２３の形状（平面形状）は、形成する第１の凹部２１１の形状（平面形状）に対応していることが好ましい。
この駆動電極２３は、例えば、蒸着法、スパッタ法またはイオンプレーティング法等により形成することができる。また、かかる方法にフォトリソグラフィー法を組み合わせてもよい。具体的には、まず、駆動電極２３に対応したパターンを有するレジスト層（図示せず）を形成する。このレジスト層を構成する材料としては、例えば、Ｃｒ／Ａｕ／Ｃｒ
等が挙げられる。
この駆動電極２３は、例えば、蒸着法、スパッタ法またはイオンプレーティング法等により形成することができる。また、かかる方法にフォトリソグラフィー法を組み合わせてもよい。具体的には、まず、駆動電極２３に対応したパターンを有するレジスト層（図示せず）を形成する。このレジスト層を構成する材料としては、例えば、Ｃｒ／Ａｕ／Ｃｒ
等が挙げられる。
次に、かかるレジスト層をマスクとして、マスクの一部を除去する。これにより、駆動電極２３が形成される。なお、マスクの一部除去は、例えば、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸＋硝酸水溶液、アルカリ水溶液等の剥離液への浸漬（ウェットエッチング）などにより行うことができる。
また、導電層２３１も前述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。なお、導電層２３１が必要ない場合は、設けなくてもよい。
また、導電層２３１も前述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。なお、導電層２３１が必要ない場合は、設けなくてもよい。
[３]第２の基板２に第２の反射膜２１０を形成する工程
次に、第２の基板２に第２の反射膜２１０を形成する。これは、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。具体的には、図６（ｇ）に示すように、第２の基板２の上面の所定の部位にレジスト層６１を形成する。
次に、図７（ｈ）に示すように、透明基板５の上面全体に反射膜２１３を成膜する。この成膜方法としては、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法、蒸着法等の気相成膜法等により形成することができる。
次に、第２の基板２に第２の反射膜２１０を形成する。これは、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。具体的には、図６（ｇ）に示すように、第２の基板２の上面の所定の部位にレジスト層６１を形成する。
次に、図７（ｈ）に示すように、透明基板５の上面全体に反射膜２１３を成膜する。この成膜方法としては、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法、蒸着法等の気相成膜法等により形成することができる。
次に、レジスト層６１を除去（剥離）することにより（リフトオフ）、反射膜２１３のうちの所定の部位が除去され、第２の反射膜２１０が形成される。
なお、工程[２]にて導電層２３１を形成した場合には、本工程において導電層２３１上にレジスト層６１を形成しないのが好ましい。これにより、導電層２３１上に反射膜２１３が形成される。本実施形態の反射膜は絶縁膜を兼ねているため、導電層２３１と、第１の基板３とのショートを防止することができる絶縁膜を容易に形成することができる。
なお、工程[２]にて導電層２３１を形成した場合には、本工程において導電層２３１上にレジスト層６１を形成しないのが好ましい。これにより、導電層２３１上に反射膜２１３が形成される。本実施形態の反射膜は絶縁膜を兼ねているため、導電層２３１と、第１の基板３とのショートを防止することができる絶縁膜を容易に形成することができる。
[４]反射防止膜を形成する工程
その後、透明基板５の下面に反射防止膜１００を形成する。この成膜方法としては、例えば、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法、蒸着法等の気相成膜法等により形成することができる。反射防止膜１００の形成時期は特に限定されず、これ以降の工程中または全工程の終了後に形成してもよい。
なお、本製造工程では、反射防止膜１００と、第１の反射膜２００と、第２の反射膜２１０とを、多層膜で形成する。
その後、透明基板５の下面に反射防止膜１００を形成する。この成膜方法としては、例えば、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法、蒸着法等の気相成膜法等により形成することができる。反射防止膜１００の形成時期は特に限定されず、これ以降の工程中または全工程の終了後に形成してもよい。
なお、本製造工程では、反射防止膜１００と、第１の反射膜２００と、第２の反射膜２１０とを、多層膜で形成する。
多層膜を構成する材料としては、例えばＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＮ等が挙げられる。
これらを交互に積層することにより、所定の厚さの多層膜を設けることができる。
多層膜の各層の厚さ、層数、材質を設定（調整）することによって、所定の波長の光を透過または反射させることができる多層膜を形成することができる（特性を変化させることができる）。例えば、反射膜の場合は、各層の厚さを設定することにより反射率を調整することができ、各層の層数を設定することにより、反射する光の波長を調整することができる。
これにより、所望の特性を有する反射防止膜１００、第１の反射膜２００、第２の反射膜２１０とを容易に形成することができる。
また、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０の全体の厚さは、特に限定されないが、例えば、０．１〜１２μｍが好ましい。
これらを交互に積層することにより、所定の厚さの多層膜を設けることができる。
多層膜の各層の厚さ、層数、材質を設定（調整）することによって、所定の波長の光を透過または反射させることができる多層膜を形成することができる（特性を変化させることができる）。例えば、反射膜の場合は、各層の厚さを設定することにより反射率を調整することができ、各層の層数を設定することにより、反射する光の波長を調整することができる。
これにより、所望の特性を有する反射防止膜１００、第１の反射膜２００、第２の反射膜２１０とを容易に形成することができる。
また、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０の全体の厚さは、特に限定されないが、例えば、０．１〜１２μｍが好ましい。
以上により、図７（ｉ）に示すように、透明基板５上に、第１の凹部２１１と第２の凹部２２１と、駆動電極２３と第１の反射膜２００と、反射防止膜１００とが所定の位置に形成された第２の基板２が得られる。
また、本実施形態では、反射防止膜１００、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０を多層膜で形成したが、反射防止膜および反射膜をそれぞれ単層膜で形成してもよい。
また、本実施形態では、反射防止膜１００、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０を多層膜で形成したが、反射防止膜および反射膜をそれぞれ単層膜で形成してもよい。
[５]ウエハー７に第１の反射膜を形成する工程
まず、ウエハー（第１の基板用基材）７を用意する。このウエハー７は、単層で、表面が鏡面にできる特性を有することが好ましい。かかる観点から、ウエハー７としては、シリコン（Ｓｉ）基板が好ましい。
次に、図８（ｊ）に示すように、ウエハー７の上側に、可動部３１となる部位に（後述する接合の工程後において、第２の凹部２２１（第２のギャップ２２）と対向するように）、第１の反射膜２００を設ける。
まず、ウエハー（第１の基板用基材）７を用意する。このウエハー７は、単層で、表面が鏡面にできる特性を有することが好ましい。かかる観点から、ウエハー７としては、シリコン（Ｓｉ）基板が好ましい。
次に、図８（ｊ）に示すように、ウエハー７の上側に、可動部３１となる部位に（後述する接合の工程後において、第２の凹部２２１（第２のギャップ２２）と対向するように）、第１の反射膜２００を設ける。
[６]ウエハー７と第２の基板とを接合する工程（接合工程）
次に、図８（ｋ）に示すように、ウエハー７の第１の反射膜２００が設けられた面側と、第２の基板２の第２の凹部２２１が形成された面側とが対向するように接合する。
この接合は、例えば陽極接合により行うことができる。陽極接合は、例えば、次のようにして行う。まず、第２の基板２を図示しない直流電源のマイナス端子に、ウエハー７を図示しない直流電源のプラス端子にそれぞれ接続する。そして、第２の基板２を加熱しながら電圧を印加する。この加熱により、第２の基板２中のＮａ＋が移動しやすくなる。このＮａ＋の移動により、第２の基板２の接合面はマイナスに帯電し、ウエハー７の接合面はプラスに帯電する。この結果、第２の基板２とウエハー７とは強固に接合される。
本製造工程では、接合の方法として陽極接合を用いたが、これに限らず、例えば、加熱加圧接続、接着剤、低融点ガラスにより接合しても良い。また、別個の層を介してウエハー７と、第２の基板２とを接合してもよい。
[７]ウエハー７を所望の厚みにする工程
次に、図８（ｌ）に示すように、研磨や研削等によりウエハー７を所望の厚さにする。なお、用意したウエハー７が適切な厚さである場合は、本工程は設けなくてもよい。
次に、図８（ｋ）に示すように、ウエハー７の第１の反射膜２００が設けられた面側と、第２の基板２の第２の凹部２２１が形成された面側とが対向するように接合する。
この接合は、例えば陽極接合により行うことができる。陽極接合は、例えば、次のようにして行う。まず、第２の基板２を図示しない直流電源のマイナス端子に、ウエハー７を図示しない直流電源のプラス端子にそれぞれ接続する。そして、第２の基板２を加熱しながら電圧を印加する。この加熱により、第２の基板２中のＮａ＋が移動しやすくなる。このＮａ＋の移動により、第２の基板２の接合面はマイナスに帯電し、ウエハー７の接合面はプラスに帯電する。この結果、第２の基板２とウエハー７とは強固に接合される。
本製造工程では、接合の方法として陽極接合を用いたが、これに限らず、例えば、加熱加圧接続、接着剤、低融点ガラスにより接合しても良い。また、別個の層を介してウエハー７と、第２の基板２とを接合してもよい。
[７]ウエハー７を所望の厚みにする工程
次に、図８（ｌ）に示すように、研磨や研削等によりウエハー７を所望の厚さにする。なお、用意したウエハー７が適切な厚さである場合は、本工程は設けなくてもよい。
[８]可動部３１と、支持部３２（図示せず）と、固定部３３とを形成する工程（除去工程）
次に、可動部３１、支持部３２および導電層２３１の形状（平面形状）に対応したパターンを有するレジスト層（図示せず）を形成する。次に、ドライエッチング法、特にＩＣＰエッチング（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ−Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｅｔｃｈｉｎｇ）にて、ウエハー７をエッチングし、開口部８および開口部３１１を形成する。これにより、図９（ｍ）に示すように第１の反射膜２００に対応する部位に、第１の反射膜２００で覆われるように開口部３１１が形成された可動部３１と、支持部３２（図示せず）と、固定部３３とが形成される。
次に、可動部３１、支持部３２および導電層２３１の形状（平面形状）に対応したパターンを有するレジスト層（図示せず）を形成する。次に、ドライエッチング法、特にＩＣＰエッチング（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ−Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｅｔｃｈｉｎｇ）にて、ウエハー７をエッチングし、開口部８および開口部３１１を形成する。これにより、図９（ｍ）に示すように第１の反射膜２００に対応する部位に、第１の反射膜２００で覆われるように開口部３１１が形成された可動部３１と、支持部３２（図示せず）と、固定部３３とが形成される。
本工程では、ＩＣＰエッチングを行う。すなわち、エッチング用ガスによるエッチングと、デポジッション用ガスによる保護膜の形成とを、交互に繰り返し行って、可動部３１を形成する。
前記エッチング用ガスとしては、例えば、ＳＦ６等が挙げられ、また、前記デポジッション用ガスとしては、例えば、Ｃ４Ｆ８等が挙げられる。
これにより、シリコン層７３のみがエッチングされ、また、ドライエッチングなので、他の部位に影響を与えることなく、可動部３１と、支持部３２と、固定部３３とを精度良く、確実に形成することができる。
前記エッチング用ガスとしては、例えば、ＳＦ６等が挙げられ、また、前記デポジッション用ガスとしては、例えば、Ｃ４Ｆ８等が挙げられる。
これにより、シリコン層７３のみがエッチングされ、また、ドライエッチングなので、他の部位に影響を与えることなく、可動部３１と、支持部３２と、固定部３３とを精度良く、確実に形成することができる。
このように、可動部３１と、支持部３２と、固定部３３との形成においては、ドライエッチング法、特にＩＣＰエッチングを用いるので、特に可動部３１を、容易、確実かつ精度良く形成することができる。
なお、本発明では、本工程において、例えば、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）等の前記と異なるドライエッチング法を用いて可動部３１と、支持部３２と、固定部３３とを形成してもよく、また、ドライエッチング法以外の方法を用いて可動部３１と、支持部３２と、固定部３３とを形成してもよい。
また、導電層２３１を設けた場合には、本工程において、シリコン層７３の導電層２３１および端子台９に対応する部位に対してもエッチングを施すことにより容易に開口３３１を形成することができる。
なお、本発明では、本工程において、例えば、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）等の前記と異なるドライエッチング法を用いて可動部３１と、支持部３２と、固定部３３とを形成してもよく、また、ドライエッチング法以外の方法を用いて可動部３１と、支持部３２と、固定部３３とを形成してもよい。
また、導電層２３１を設けた場合には、本工程において、シリコン層７３の導電層２３１および端子台９に対応する部位に対してもエッチングを施すことにより容易に開口３３１を形成することができる。
[９]端子台９および端子台１０を形成する工程
次に、端子台９および端子台１０を形成する。端子台を必要としない場合は、この工程はなくてもよい。
次に、端子台９および端子台１０を形成する。端子台を必要としない場合は、この工程はなくてもよい。
以上説明したように、この波長可変フィルタ１の製造方法によれば、第１の基板３はシリコンで形成されているため、可動部３１と、支持部３２と、固定部３３とを一体的に形成することができ、製造工程を簡易なものとすることができる。
また、第１のギャップ２１（可動部３１の駆動用のギャップ）と第２のギャップ２２（波長可変フィルタ１の光を通過、または反射させる機能を有するギャップ）が第２の基板２（同一基板）に設けてあるため、波長可変フィルタ１の構造を簡易なものとすることができる。特に第１のギャップ２１を形成するための製造工程を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。
また、第１のギャップ２１（可動部３１の駆動用のギャップ）と第２のギャップ２２（波長可変フィルタ１の光を通過、または反射させる機能を有するギャップ）が第２の基板２（同一基板）に設けてあるため、波長可変フィルタ１の構造を簡易なものとすることができる。特に第１のギャップ２１を形成するための製造工程を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。
また、本発明では、可動部を形成する際に、リリースホールも必要としないため、工程を簡易なものとすることができ、クーロン力が作用する面積を減少させることなく、印加電圧を低くすることができる。
また、本実施形態においては、反射防止膜１００と、第１の反射膜２００と第２の反射膜２１０とは絶縁膜で構成されている。
これにより、スティッキング（可動部３１と駆動電極２３との貼り付き）の発生を防ぐことができ、確実な絶縁構造を形成できる。
また、本実施形態においては、反射防止膜１００と、第１の反射膜２００と第２の反射膜２１０とは絶縁膜で構成されている。
これにより、スティッキング（可動部３１と駆動電極２３との貼り付き）の発生を防ぐことができ、確実な絶縁構造を形成できる。
以上述べた効果に加えて、図１に示す波長可変フィルタ１は、比較的安価に製造できるという利点を有している。
なお、本製造方法においては、導電層は、パターニングにより設けたが、透明基板に溝を設けて、その溝に導電層を形成してもよい。
また、第１の凹部２１１の表面に反射膜を設けてもよい。この場合、反射膜は絶縁膜であるのが好ましい。反射膜を絶縁膜で作成した場合、可動部と、駆動電極２３との間のより確実な絶縁構造を形成できる。
なお、本製造方法においては、導電層は、パターニングにより設けたが、透明基板に溝を設けて、その溝に導電層を形成してもよい。
また、第１の凹部２１１の表面に反射膜を設けてもよい。この場合、反射膜は絶縁膜であるのが好ましい。反射膜を絶縁膜で作成した場合、可動部と、駆動電極２３との間のより確実な絶縁構造を形成できる。
また、可動部３１の第２の凹部２２１と対向する面の反対面側（可動部３１の上面）に反射防止膜を設けてもよい。これにより、干渉した光の反射を抑制し、光を効率的に透過させることができる。
また、本実施形態においては、反射防止膜１００、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０が、絶縁膜を兼ねているが、これに限られず、例えば、絶縁膜を別途設けてもよい。その場合、熱酸化によるＳｉＯ２層や、ＴＥＯＳ−ＣＶＤにて形成したＳｉＯ２層等が好適に用いられる。
また、本実施形態においては、反射防止膜１００、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０が、絶縁膜を兼ねているが、これに限られず、例えば、絶縁膜を別途設けてもよい。その場合、熱酸化によるＳｉＯ２層や、ＴＥＯＳ−ＣＶＤにて形成したＳｉＯ２層等が好適に用いられる。
また、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０を誘電体で形成することもできる。この場合においても、反射膜を多層膜を構成するのが好ましく、その材料としては、特に限定されないが、例えば、可視光領域に対してする組み合わせとしては、ＺｎＳと、Ｎａ３ＡｌＦ６、紫外域、例えば、３００ｎｍ〜４００ｎｍ領域に対する組み合わせとしては、Ｓｂ２Ｏ３とＮａ３ＡｌＦ６膜、赤外域、例えば１．８〜２０μｍの領域では、Ｇｅ、３．５μｍ〜４０μｍの領域では、ＰｂＴｅ、近赤外では、ＳｉＯ、ＣａＦ２、ＭｇＦ２、ＣｅＦ３、ＴｈＦ４等が挙げられる。
これらを交互に積層することにより、所定の厚さの多層膜を設けることができる。
これらを交互に積層することにより、所定の厚さの多層膜を設けることができる。
次に、本発明の波長可変フィルタの第２実施形態について説明する。
図１０は、本発明の波長可変フィルタの第２実施形態を示す断面図である。
以下、第２実施形態の波長可変フィルタ１について、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態の波長可変フィルタ１は、第１の反射膜２００の形状が異なっている。
図１０に示すように、第２実施形態の波長可変フィルタ１では、可動部３１の開口部３１１内に第１の反射膜２００が設けられている（埋め込まれている）。
図１０は、本発明の波長可変フィルタの第２実施形態を示す断面図である。
以下、第２実施形態の波長可変フィルタ１について、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態の波長可変フィルタ１は、第１の反射膜２００の形状が異なっている。
図１０に示すように、第２実施形態の波長可変フィルタ１では、可動部３１の開口部３１１内に第１の反射膜２００が設けられている（埋め込まれている）。
次に、第２実施形態の波長可変フィルタの製造方法について説明する。
以下、製造方法について説明するが、第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図１１〜図１３は、第２実施形態の波長可変フィルタの製造方法を説明する図である。第２実施形態の波長可変フィルタの製造方法は、工程[５]以降が異なること以外は、前記第１実施形態の製造方法と同様である。以下、工程[５]以降について説明する。
以下、製造方法について説明するが、第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図１１〜図１３は、第２実施形態の波長可変フィルタの製造方法を説明する図である。第２実施形態の波長可変フィルタの製造方法は、工程[５]以降が異なること以外は、前記第１実施形態の製造方法と同様である。以下、工程[５]以降について説明する。
[５]ウエハー７に開口部３１１を形成する工程
まず、ウエハー（第１の基板用基材）７を用意する。このウエハー７は、表面が鏡面にできる特性を有することが好ましい。かかる観点から、ウエハー７としては、例えばＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、ＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板等を用いることができる。
まず、ウエハー（第１の基板用基材）７を用意する。このウエハー７は、表面が鏡面にできる特性を有することが好ましい。かかる観点から、ウエハー７としては、例えばＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、ＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板等を用いることができる。
本製造工程においては、ウエハー７として、ＳＯＩ基板を使用する。ＳＯＩ基板は、シリコンで構成されたベース層７１、ＳｉＯ２層（絶縁層）７２、シリコン層（活性層）７３の３層の積層体（積層基板）で構成されている。このウエハー７を構成する各層のうち、ベース層７１およびＳｉＯ２層７２は除去される部分、シリコン層７３は、第１の基板３に加工される部分である。
このウエハー７の厚さは、特に限定されないが、特にシリコン層７３は、１０〜１００μｍ程度が好ましい。このようなウエハー７を用いることにより容易に第１の基板３を製造することができる。
このウエハー７に対して図１１（ｎ）に示すように、エッチング処理を施しシリコン層７３の一部を除去し、開口部３１１を形成する。
このウエハー７に対して図１１（ｎ）に示すように、エッチング処理を施しシリコン層７３の一部を除去し、開口部３１１を形成する。
[６]開口部３１１に第１の反射膜２００を形成する工程
次に、図１１（ｏ）に示すように、シリコン層７３上の所定の部位にレジスト層７４を塗布する。
次に、図１１（ｐ）に示すように、ウエハー７の上面に反射膜２０１を成膜する。この反射膜２０１は、反射膜２１３の成膜と同様の方法を用いて成膜することができる。
次に、図１１（ｑ）に示すように、レジスト層７４を除去（剥離）する（リフトオフ）。
これにより、反射膜２０１のうちの所定の部位が除去され、開口部３１１内に本実施形態の第１の反射膜２００が形成される。
[７]ウエハー７と第２の基板とを接合する工程（接合工程）
次に、図１２（ｒ）に示すように、ウエハー７をシリコン層７３と、第２の基板２の第２の凹部２２１が形成された面とが対向するように接合する。この接合は、例えば、第１実施形態の工程[６]で説明した接合方法により行うことができる。
次に、図１１（ｏ）に示すように、シリコン層７３上の所定の部位にレジスト層７４を塗布する。
次に、図１１（ｐ）に示すように、ウエハー７の上面に反射膜２０１を成膜する。この反射膜２０１は、反射膜２１３の成膜と同様の方法を用いて成膜することができる。
次に、図１１（ｑ）に示すように、レジスト層７４を除去（剥離）する（リフトオフ）。
これにより、反射膜２０１のうちの所定の部位が除去され、開口部３１１内に本実施形態の第１の反射膜２００が形成される。
[７]ウエハー７と第２の基板とを接合する工程（接合工程）
次に、図１２（ｒ）に示すように、ウエハー７をシリコン層７３と、第２の基板２の第２の凹部２２１が形成された面とが対向するように接合する。この接合は、例えば、第１実施形態の工程[６]で説明した接合方法により行うことができる。
[８]可動部３１および支持部３２を形成する工程（除去工程）
次に、図１２（ｓ）に示すように、エッチングや研磨を行ってベース層７１を除去する。
エッチング方法としては、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングが用いられるが、ドライエッチングを用いるのが好ましい。いずれの場合も、ベース層７１の除去のとき、ＳｉＯ２層７２がストッパーとなるが、ドライエッチングは、エッチング液を用いないので、駆動電極２３に対向しているシリコン層７３の損傷を好適に防ぐことができる。これにより、歩留まりの高い波長可変フィルタ１を製造できる。
次に、図１２（ｓ）に示すように、エッチングや研磨を行ってベース層７１を除去する。
エッチング方法としては、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングが用いられるが、ドライエッチングを用いるのが好ましい。いずれの場合も、ベース層７１の除去のとき、ＳｉＯ２層７２がストッパーとなるが、ドライエッチングは、エッチング液を用いないので、駆動電極２３に対向しているシリコン層７３の損傷を好適に防ぐことができる。これにより、歩留まりの高い波長可変フィルタ１を製造できる。
以下、ウェットエッチングの場合について説明する。接合された状態のウエハー７および第２の基板２を、例えば、１〜４０重量％の濃度のＫＯＨ水溶液に入れる。ＫＯＨ水溶液の濃度は、１０重量％前後が最適である。このエッチングの反応式は下記のとおりである。
Ｓｉ＋２ＫＯＨ＋Ｈ２Ｏ→Ｋ２ＳｉＯ３＋２Ｈ２
ＫＯＨ水溶液によるベース層７１のエッチングレートは、ＳｉＯ２層７２のエッチングレートより相当大きいので、ＳｉＯ２層７２がエッチングのストッパーとして機能する。なお、この工程で用いられるエッチング液としては、ＫＯＨ水溶液以外に、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）水溶液、ＥＰＤ（エチレンジアミン−ピロカテコール−ジアジン）水溶液またはヒドラジン水溶液等がある。ウェットエッチングによれば、バッチ処理が可能なので、生産性を向上させることができる。
Ｓｉ＋２ＫＯＨ＋Ｈ２Ｏ→Ｋ２ＳｉＯ３＋２Ｈ２
ＫＯＨ水溶液によるベース層７１のエッチングレートは、ＳｉＯ２層７２のエッチングレートより相当大きいので、ＳｉＯ２層７２がエッチングのストッパーとして機能する。なお、この工程で用いられるエッチング液としては、ＫＯＨ水溶液以外に、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）水溶液、ＥＰＤ（エチレンジアミン−ピロカテコール−ジアジン）水溶液またはヒドラジン水溶液等がある。ウェットエッチングによれば、バッチ処理が可能なので、生産性を向上させることができる。
次に、ドライエッチングの場合について説明する。接合された状態のウエハー７および第２の基板２を、チャンバー内に入れる。チャンバー内に、例えば、圧力３９０ＰａのＸｅＦ２を６０秒間導入する。このエッチングの反応式は下記のとおりである。
２ＸｅＦ２＋Ｓｉ→２Ｘｅ＋ＳｉＦ４
ＸｅＦ２によるドライエッチングによれば、ベース層７１のエッチングレートは、ＳｉＯ２層７２のエッチングレートより相当大きいので、ＳｉＯ２層７２がエッチングのストッパーとして機能する。このエッチングはプラズマによるものでないので、除去する部位以外の部位にダメージが及びにくい。なお、ＸｅＦ２の代わりに、例えば、ＣＦ４やＳＦ６によるプラズマエッチングを用いることもできる。
研磨の方法としては、従来公知のものを用いることができるため説明を省略する。
２ＸｅＦ２＋Ｓｉ→２Ｘｅ＋ＳｉＦ４
ＸｅＦ２によるドライエッチングによれば、ベース層７１のエッチングレートは、ＳｉＯ２層７２のエッチングレートより相当大きいので、ＳｉＯ２層７２がエッチングのストッパーとして機能する。このエッチングはプラズマによるものでないので、除去する部位以外の部位にダメージが及びにくい。なお、ＸｅＦ２の代わりに、例えば、ＣＦ４やＳＦ６によるプラズマエッチングを用いることもできる。
研磨の方法としては、従来公知のものを用いることができるため説明を省略する。
次に、図１２（ｔ）に示すように、エッチングを行ってＳｉＯ２層７２を除去する。エッチングを行う場合には、フッ酸を含むエッチング液を用いるのが好ましい。これにより、ＳｉＯ２層７２を好適に除去することができる。
次に、エッチング法を用いて、シリコン層７３をエッチングし、開口部８および開口部３１１を形成する。これにより、図１３（ｕ）に示すように、可動部３１と、支持部３２（図示せず）と、固定部３３とが形成される。なお、エッチング方法としては、第１実施形態で述べたものと同様のものを用いることができる。
次に、エッチング法を用いて、シリコン層７３をエッチングし、開口部８および開口部３１１を形成する。これにより、図１３（ｕ）に示すように、可動部３１と、支持部３２（図示せず）と、固定部３３とが形成される。なお、エッチング方法としては、第１実施形態で述べたものと同様のものを用いることができる。
以上の工程により本実施形態の波長可変フィルタ１を製造することができる。
この波長可変フィルタ１によれば、前述した第１実施形態の波長可変フィルタ１と同様の効果が得られる。
そして、この波長可変フィルタ１では、第１の反射膜２００が可動部３１の開口部３１１内に設けられているため、可動部３１と第１の反射膜２００との温度変化時の熱膨張係数の相違による反り、たわみ等が効果的に防止される。このため、波長可変フィルタ１を例えば、分光光度計等の波長分析装置として用いた場合、装置の安定性が向上し、波長の検出精度の劣化を容易かつ確実に防止することができ、装置全体の寿命を長くすることができる。
この波長可変フィルタ１によれば、前述した第１実施形態の波長可変フィルタ１と同様の効果が得られる。
そして、この波長可変フィルタ１では、第１の反射膜２００が可動部３１の開口部３１１内に設けられているため、可動部３１と第１の反射膜２００との温度変化時の熱膨張係数の相違による反り、たわみ等が効果的に防止される。このため、波長可変フィルタ１を例えば、分光光度計等の波長分析装置として用いた場合、装置の安定性が向上し、波長の検出精度の劣化を容易かつ確実に防止することができ、装置全体の寿命を長くすることができる。
次に、本発明の波長可変フィルタの第３実施形態について説明する。
図１４は、本発明の波長可変フィルタの第３実施形態を示す断面図である。また、以下の説明では、図１４中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」、と言う。
以下、第３実施形態の波長可変フィルタ１について、前述した第２実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図１４は、本発明の波長可変フィルタの第３実施形態を示す断面図である。また、以下の説明では、図１４中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」、と言う。
以下、第３実施形態の波長可変フィルタ１について、前述した第２実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第３実施形態の波長可変フィルタ１は、第１の反射膜２００の形状が異なっている。
図１４に示すように、第２実施形態の波長可変フィルタ１では、可動部３１の開口部３１１内と、可動部３１の上面および下面と、開口部３１１の上面および下面の近傍とに一体的に第１の反射膜２００が設けられている。すなわち、第１の反射膜２００が、開口部３１１の近傍において、可動部３１を挟むように設けられている。
また、第１の反射膜２００は、可動部３１の上面および下面側から開口部３１１を覆って、かつ、可動部３１より小さく（小径に）設けられている。
図１４に示すように、第２実施形態の波長可変フィルタ１では、可動部３１の開口部３１１内と、可動部３１の上面および下面と、開口部３１１の上面および下面の近傍とに一体的に第１の反射膜２００が設けられている。すなわち、第１の反射膜２００が、開口部３１１の近傍において、可動部３１を挟むように設けられている。
また、第１の反射膜２００は、可動部３１の上面および下面側から開口部３１１を覆って、かつ、可動部３１より小さく（小径に）設けられている。
次に、第３実施形態の波長可変フィルタの製造方法について説明する。
以下、製造方法について説明するが、第２実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図１５〜図１６は、第３実施形態の波長可変フィルタの製造方法を説明する図である。 第３実施形態の波長可変フィルタの製造方法は、工程[５]以降が異なること以外は、前記第２実施形態の製造方法と同様である。以下、工程[５]以降について説明する。
以下、製造方法について説明するが、第２実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図１５〜図１６は、第３実施形態の波長可変フィルタの製造方法を説明する図である。 第３実施形態の波長可変フィルタの製造方法は、工程[５]以降が異なること以外は、前記第２実施形態の製造方法と同様である。以下、工程[５]以降について説明する。
[５]ウエハー７に第１の反射膜を形成する工程
まず、ウエハー７を用意する。このウエハー７は、第２実施形態で挙げたものと同様のものを用いることができる。本製造工程においては、ウエハー７として、ＳＯＩ基板を使用する。
次に、図１５（ｖ）に示すように、エッチング処理を施しシリコン層７３の一部を除去し、開口部３１１を形成する。
まず、ウエハー７を用意する。このウエハー７は、第２実施形態で挙げたものと同様のものを用いることができる。本製造工程においては、ウエハー７として、ＳＯＩ基板を使用する。
次に、図１５（ｖ）に示すように、エッチング処理を施しシリコン層７３の一部を除去し、開口部３１１を形成する。
次に、図１５（ｗ）に示すように、シリコン層７３上の所定の部位にレジスト層７４を塗布する。この際、本実施形態では、開口部３１１の近傍を除いてレジスト層７４を塗布する。
次に、図１５（ｘ）に示すように、ウエハー７の上面に反射膜２０１を成膜する。この反射膜２０１は、例えば、反射膜２１３の成膜と同様の方法を用いて成膜することができる。
次に、図１５（ｙ）に示すように、レジスト層７４を除去（剥離）する（リフトオフ）。
これにより、ウエハー７上の開口部３１１内および開口部３１１の近傍に（ウエハー７の可動部３１となる部位に）反射膜２０２が形成される。
次に、図１５（ｘ）に示すように、ウエハー７の上面に反射膜２０１を成膜する。この反射膜２０１は、例えば、反射膜２１３の成膜と同様の方法を用いて成膜することができる。
次に、図１５（ｙ）に示すように、レジスト層７４を除去（剥離）する（リフトオフ）。
これにより、ウエハー７上の開口部３１１内および開口部３１１の近傍に（ウエハー７の可動部３１となる部位に）反射膜２０２が形成される。
[６]ウエハー７と第２の基板とを接合する工程（接合工程）
次に、第２実施形態での工程[７]で述べたように、ウエハー７と、第２の基板２とを接合する。
[７]ベース層７１およびＳｉＯ２層７２を除去する工程（除去工程）
次に、第２実施形態での工程[８]で述べたように、ベース層７１およびＳｉＯ２層７２を除去する。
次に、第２実施形態での工程[７]で述べたように、ウエハー７と、第２の基板２とを接合する。
[７]ベース層７１およびＳｉＯ２層７２を除去する工程（除去工程）
次に、第２実施形態での工程[８]で述べたように、ベース層７１およびＳｉＯ２層７２を除去する。
[８]第１の反射膜２００を形成する工程（反射膜形成工程）
次に、図１６（ｚ）に示すように、反射膜を追加成膜する。これは本実施形態の工程[５]で行った方法と同様にして成膜することができる。これにより、第１の反射膜２００が開口部３１１上および開口部３１１の近傍に（シリコン層７３の可動部３１となる部位に）形成される。
次に、図１６（ｚ）に示すように、反射膜を追加成膜する。これは本実施形態の工程[５]で行った方法と同様にして成膜することができる。これにより、第１の反射膜２００が開口部３１１上および開口部３１１の近傍に（シリコン層７３の可動部３１となる部位に）形成される。
[９]可動部３１と支持部３２を形成する工程（除去工程）
その後、エッチング法を用いて、シリコン層７３をエッチングし、開口部８および開口部３１１を形成する。これにより、図１６（α）に示すように、可動部３１と、支持部３２（図示せず）と、固定部３３とが形成される。なお、エッチング方法としては、第１実施形態で述べたものと同様のものを用いることができる。
その後、エッチング法を用いて、シリコン層７３をエッチングし、開口部８および開口部３１１を形成する。これにより、図１６（α）に示すように、可動部３１と、支持部３２（図示せず）と、固定部３３とが形成される。なお、エッチング方法としては、第１実施形態で述べたものと同様のものを用いることができる。
以上の工程により本実施形態の波長可変フィルタ１を製造することができる。
この波長可変フィルタ１によれば、前述した第２実施形態の波長可変フィルタ１と同様の効果が得られる。
そして、この波長可変フィルタ１では、第１の反射膜２００が、上下方向から可動部３１を挟むような形状をなしているため（第１の反射膜２００が可動部３１の上面と下面とに略対称に設けられているため）、可動部３１と第１の反射膜２００との間に応力が生じる場合においても、垂直方向（図１４中上下方向）に受ける力が、可動部３１の上面に形成されている第１の反射膜２００の部位と可動部３１の下面に形成されている第１の反射膜２００の部位とで互いに打ち消しあい、可動部３１から第１の反射膜２００が剥離しにくいという利点がある。
この波長可変フィルタ１によれば、前述した第２実施形態の波長可変フィルタ１と同様の効果が得られる。
そして、この波長可変フィルタ１では、第１の反射膜２００が、上下方向から可動部３１を挟むような形状をなしているため（第１の反射膜２００が可動部３１の上面と下面とに略対称に設けられているため）、可動部３１と第１の反射膜２００との間に応力が生じる場合においても、垂直方向（図１４中上下方向）に受ける力が、可動部３１の上面に形成されている第１の反射膜２００の部位と可動部３１の下面に形成されている第１の反射膜２００の部位とで互いに打ち消しあい、可動部３１から第１の反射膜２００が剥離しにくいという利点がある。
以上、本発明の波長可変フィルタを、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。
また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）（工程）を組み合わせたものであってもよい。
また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）（工程）を組み合わせたものであってもよい。
また、本発明の波長可変フィルタの用途は、特に限定されず、例えば、ＵＶ吸収スペクトルや、画像描画デバイスの検査等が挙げられる。また、その際に例えば、波長可変フィルタに波長を測定したい被測定物（試料）を流路を設けることにより、その被測定物を測定するコンパクトな分析装置を実現することができる。また、この波長可変フィルタから出射する干渉光を受光する受光素子や、その干渉光を分析するマイクロコンピュータなどを付加することもできる。
さらに、駆動電極２３と、可動部３１との間のギャップの容量、駆動電極２３と、可動部３１との間に印加する電圧、波長可変フィルタ１から出射した光等、各種の情報に基づいてギャップ量（距離ｘ）の検出を行い、その情報を前記マイクロコンピュータにフィードバックすることもできる。
さらに、駆動電極２３と、可動部３１との間のギャップの容量、駆動電極２３と、可動部３１との間に印加する電圧、波長可変フィルタ１から出射した光等、各種の情報に基づいてギャップ量（距離ｘ）の検出を行い、その情報を前記マイクロコンピュータにフィードバックすることもできる。
１……波長可変フィルタ ２……第２の基板 ２１……第１のギャップ ２１１……第１の凹部 ２２……第２のギャップ ２２１……第２の凹部 ２３……駆動電極 ２３１……導電層 ２４……光入射部 ３……第１の基板 ３１……可動部 ３１１……開口部 ３２……支持部 ３３……固定部 ３３１……開口 ５……透明基板 ５０……ワイヤ ６……マスク層 ６１……レジスト層 ６２、６３……開口 ７……ウエハー ７１……ベース層 ７２……ＳｉＯ２層 ７３……シリコン層 ７４……レジスト層 ８……開口部 ９、１０……端子台 １００……反射防止膜 ２００……第１の反射膜 ２０１、２０２、２１３……反射膜 ２１０……第２の反射膜 ３００……光源 Ｌ……光 ｘ……距離
Claims (16)
- シリコンで構成され、可動部と該可動部を変位可能に支持する支持部とを備えた第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部の前記第２のギャップに対応する部位に設けられた第１の反射膜と、
前記第２の基板の前記可動部と対向する面に設けられた第２の反射膜と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備え、
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間において反射を繰り返し、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる波長可変フィルタであって、
前記可動部は、前記第１の反射膜に対応する部位に開口部を有することを特徴とする波長可変フィルタ。 - シリコンで構成され、可動部と該可動部を変位可能に支持する支持部とを備えた第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部の前記第２のギャップに対応する部位に設けられた第１の反射膜と、
前記第２の基板の前記可動部と対向する面に設けられた第２の反射膜と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備え、
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間において反射を繰り返し、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる波長可変フィルタであって、
前記可動部は、前記第１の反射膜に対応する部位に開口部を有することを特徴とする波長可変フィルタ。 - 前記第１の反射膜は、前記第１の基板の前記第２の基板と対向する面側に設けられている請求項１または２に記載の波長可変フィルタ。
- 前記第１の反射膜の、前記第１の基板の前記第２の基板と対向する面側に設けられている部分は、前記開口部を覆って、かつ、前記可動部より小さく設けられている請求項３に記載の波長可変フィルタ。
- 前記第１の反射膜は、前記開口部内に設けられている請求項１ないし４のいずれかに記載の波長可変フィルタ。
- 前記第１の反射膜は、前記可動部の前記第２のギャップと反対側の面側に設けられている請求項１ないし５のいずれかに記載の波長可変フィルタ。
- 前記第１の反射膜の、前記可動部の前記第２のギャップと反対側の面側に設けられている部分は、前記開口部を覆って、かつ、前記可動部より小さく設けられている請求項６に記載の波長可変フィルタ。
- シリコンで構成され、可動部と該可動部を変位可能に支持する支持部とを有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部の前記第２のギャップに対応する部位に設けられた第１の反射膜と、
前記第２の基板の前記可動部と対向する面に設けられた第２の反射膜と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備え、
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間において反射を繰り返し、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる波長可変フィルタの製造方法であって、
第１の基板用基材に開口部を設ける工程と、
前記開口部内に前記第１の反射膜を形成する工程と、
光透過性を有する第２の基板用基材に前記第１のギャップと前記第２のギャップとを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
前記第２の基板の前記第２のギャップに対応する部位に前記第２の反射膜を形成する工程と、
前記第１の基板用基材と前記第２の基板とを、前記第１の基板用基材に形成された前記第１の反射膜と前記第２の基板に形成された前記第２の反射膜とが対向するように接合する接合工程と、
前記第１の基板用基材に対して除去処理を行って所定の部位を除去することにより、前記開口部を有する前記可動部および前記支持部を形成する除去工程とを有することを特徴とする波長可変フィルタの製造方法。 - 前記開口内に第１の反射膜を形成する工程は、前記第１の基板用基材上の一方の面の前記第１の反射膜を設けない部位にマスクを形成する工程と、前記第１の基板用基材の前記マスクを形成した面側に反射膜を設ける工程と、前記マスクを除去する工程とを有する請求項８に記載の波長可変フィルタの製造方法。
- 主としてシリコンで構成されたシリコン層、絶縁層およびベース層がこの順で積層された積層基板を前記第１の基板用基材とし、前記接合工程において、前記シリコン層側から前記積層基板を前記第２の基板と接合し、この後に、前記除去工程において、前記第１の基板用基材に対して前記除去処理を行って前記ベース層と、前記絶縁層と、前記シリコン層の一部とを除去することにより前記可動部および前記支持部を形成する請求項８または９に記載の波長可変フィルタの製造方法。
- シリコンで構成され、可動部と該可動部を変位可能に支持する支持部とを有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部の前記第２のギャップに対応する部位に設けられた第１の反射膜と、
前記第２の基板の前記可動部と対向する面に設けられた第２の反射膜と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備え、
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間において反射を繰り返し、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる波長可変フィルタの製造方法であって、
第１の基板用基材に開口部を設ける工程と、
前記開口部を覆うように前記開口部内および前記開口部の近傍の前記第１の基板用基材上に反射膜を一体的に形成する工程と、
光透過性を有する第２の基板用基材に前記第１のギャップと前記第２のギャップとを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
前記第２の基板の前記第２のギャップに対応する部位に前記第２の反射膜を形成する工程と、
前記第１の基板用基材と前記第２の基板とを、前記第１の基板用基材に形成された前記反射膜と前記第２の基板に形成された前記第２の反射膜とが対向するように接合する接合工程と、
前記第１の基板用基材の前記第２の基板と接合されている面の反対の面側に前記開口部を覆うように前記開口部および該開口部の近傍にさらに反射膜を形成して前記第１の反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記第１の基板用基材に対して除去処理を行って所定の部位を除去することにより、前記第１の反射膜に対応する部位に前記開口部を有する前記可動部および前記支持部を形成する除去工程とを有することを特徴とする波長可変フィルタの製造方法。 - シリコンで構成され、可動部と該可動部を変位可能に支持する支持部とを有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部の前記第２のギャップに対応する部位に設けられた第１の反射膜と、
前記第２の基板の前記可動部と対向する面に設けられた第２の反射膜と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備え、
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間において反射を繰り返し、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる波長可変フィルタの製造方法であって、
第１の基板用基材に開口部を設ける工程と、
前記開口部を覆うように前記開口部内および前記第１の基板用基材上の前記可動部となる部位に反射膜を一体的に形成する工程と、
光透過性を有する第２の基板用基材に前記第１のギャップと前記第２のギャップとを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
前記第２の基板の前記第２のギャップに対応する部位に前記第２の反射膜を形成する工程と、
前記第１の基板用基材と前記第２の基板とを、前記第１の基板用基材に形成された前記反射膜と前記第２の基板に形成された前記第２の反射膜とが対向するように接合する接合工程と、
前記第１の基板用基材の前記第２の基板と接合されている面の反対の面側に前記開口部を覆うように、前記第１の基板用基材上の前記可動部となる部位に前記開口部および該開口部の近傍にさらに反射膜を形成して前記第１の反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記第１の基板用基材に対して除去処理を行って所定の部位を除去することにより、前記第１の反射膜に対応する部位に前記開口部を有する前記可動部および前記支持部を形成する除去工程とを有することを特徴とする波長可変フィルタの製造方法。 - 前記開口部内および前記開口部の近傍の前記第１の基板用基材上に反射膜を一体的に形成する工程は、前記第１の基板用基材上の一方の面の前記反射膜を設けない部位にマスクを形成する工程と、前記第１の基板用基材の前記マスクを形成した面側に反射膜を設ける工程と、前記マスクを除去する工程とを有する請求項１１または１２に記載の波長可変フィルタの製造方法。
- 主としてシリコンで構成されたシリコン層、絶縁層およびベース層がこの順で積層された積層基板を前記第１の基板用基材とし、前記接合工程において、前記シリコン層側から前記積層基板を前記第２の基板と接合し、その後、前記除去工程において、前記第１の基板用基材に対して前記除去処理を行って前記ベース層および前記絶縁層を除去し、この後、前記反射膜形成工程を行い、この後、前記除去工程において前記シリコン層に対して前記除去処理を行って前記可動部および前記支持部を形成する請求項１１ないし１３のいずれかに記載の波長可変フィルタの製造方法。
- シリコンで構成され、可動部と該可動部を変位可能に支持する支持部とを有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部の前記第２のギャップに対応する部位に設けられた第１の反射膜と、
前記第２の基板の前記可動部と対向する面に設けられた第２の反射膜と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備え、
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間において反射を繰り返し、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる波長可変フィルタの製造方法であって、
主としてシリコンで構成される第１の基板用基材上の前記可動部となる部位に、前記第１の反射膜を形成する工程と、
光透過性を有する第２の基板用基材に前記第１のギャップと前記第２のギャップとを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
前記第２の基板の前記第２のギャップに対応する部位に前記第２の反射膜を形成する工程と、
前記第１の基板用基材と前記第２の基板とを、前記第１の基板用基材に形成された前記第１の反射膜と前記第２の基板に形成された前記第２の反射膜とが対向するように接合する接合工程と、
前記第１の基板用基材に対して除去処理を行って所定の部位を除去することにより、前記第１の反射膜に対応する部位に該第１の反射膜で覆われるように開口部を形成し、該開口部を有する前記可動部および前記支持部を形成する除去工程とを有することを特徴とする波長可変フィルタの製造方法。 - 前記第２の反射膜を形成する工程は、前記第２の基板の前記反射膜を設けない部位にマスクを形成する工程と、前記第２の基板の前記第２のギャップを有する面側に反射膜を設ける工程と、前記マスクを除去する工程とを有する請求項８ないし１５のいずれかに記載の波長可変フィルタの製造方法。
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