JP2005333436A - Imaging apparatus, and device and method for controlling the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain images of high quality, to attain high-speed image pickup especially at the time of picking up moving images, to increase sensitivity and a dynamic range at the time of image pickup, and to suppress or remove smears generated at the time of transfer in an imaging apparatus including a CCD solid state imaging device. <P>SOLUTION: In the imaging apparatus including an image pickup part having a plurality of pixels for receiving light from the external and generating information charges, in which each pixel is provided with a plurality of transfer electrodes 30 extended in a direction intersecting with a transfer direction of information charges, and capable of accumulating and transferring information charges generated in response to light made incident on the pixels by utilizing potential wells formed by the action of the transfer electrodes 30: twelve transfer electrodes 30-1 to 30-12 continued along the transfer direction of information charges are combined as one group and any one of clock pulses ϕ<SB>1</SB>to ϕ<SB>8</SB>of eight phases is applied to respective transfer electrodes 30-1 to 30-12 included in one group to control them. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、撮像画像の画質を向上した撮像装置及び撮像装置の制御装置及びその制御方法に関する。   The present invention relates to an image pickup apparatus, an image pickup apparatus control apparatus, and a control method thereof that improve the image quality of a picked-up image.

図14にCCD固体撮像素子を備えた撮像装置100の構成を示す。撮像装置100は、CCD固体撮像素子102、タイミング制御回路104及び駆動ドライバ106を含んで構成される。CCD固体撮像素子102は、撮像部2i、蓄積部2s、水平転送部2h及び出力部2dを有する。タイミング制御回路104は、所定の周波数のクロックパルス及び外部制御信号を受けて、CCD固体撮像素子102の撮像、垂直転送、水平転送及び出力を制御する制御信号を生成する。制御信号は駆動ドライバ106に入力される。駆動ドライバ106は、タイミング制御回路104から制御信号を受けて、CCD固体撮像素子102の撮像部2i、蓄積部2s、水平転送部2h及び出力部2dのそれぞれに対して必要なタイミングでクロックパルスを出力する。   FIG. 14 shows a configuration of an imaging apparatus 100 including a CCD solid-state imaging device. The imaging apparatus 100 includes a CCD solid-state imaging device 102, a timing control circuit 104, and a drive driver 106. The CCD solid-state imaging device 102 includes an imaging unit 2i, a storage unit 2s, a horizontal transfer unit 2h, and an output unit 2d. The timing control circuit 104 receives a clock pulse of a predetermined frequency and an external control signal, and generates a control signal for controlling imaging, vertical transfer, horizontal transfer, and output of the CCD solid-state image sensor 102. The control signal is input to the drive driver 106. The drive driver 106 receives a control signal from the timing control circuit 104, and outputs a clock pulse to each of the imaging unit 2i, the storage unit 2s, the horizontal transfer unit 2h, and the output unit 2d of the CCD solid-state imaging device 102 at a necessary timing. Output.

CCD固体撮像素子102は、駆動ドライバ106からのクロックを受けて、撮像、垂直転送、水平転送及び出力を行う。撮像部2iには受光画素がマトリックス状に配置されており、撮像部2iに入射された光が各ビットを構成する受光画素により光電変換されて情報電荷が生成される。垂直転送クロックの印加によって、撮像部2iにおいて生成された情報電荷の2次元配列は撮像部2iの垂直シフトレジスタにより蓄積部2sに高速で転送される。これにより、1フレーム分の情報電荷が蓄積部2sの垂直シフトレジスタに保持される。続いて、情報電荷は1行分ずつ蓄積部2sから水平転送部2hへ転送される。さらに、水平転送クロックの印加によって、情報電荷は1画素単位で水平転送部2hから出力部2dへ転送される。出力部2dは1画素毎の電荷量を電圧値に変換し、その電圧値の変化がCCDの出力とされる。   The CCD solid-state imaging device 102 receives a clock from the drive driver 106 and performs imaging, vertical transfer, horizontal transfer, and output. In the imaging unit 2i, light receiving pixels are arranged in a matrix, and light incident on the imaging unit 2i is photoelectrically converted by the light receiving pixels constituting each bit to generate information charges. By applying the vertical transfer clock, the two-dimensional array of information charges generated in the imaging unit 2i is transferred to the storage unit 2s at high speed by the vertical shift register of the imaging unit 2i. As a result, the information charge for one frame is held in the vertical shift register of the storage unit 2s. Subsequently, the information charges are transferred from the storage unit 2s to the horizontal transfer unit 2h line by line. Furthermore, by applying a horizontal transfer clock, information charges are transferred from the horizontal transfer unit 2h to the output unit 2d in units of pixels. The output unit 2d converts the charge amount for each pixel into a voltage value, and the change in the voltage value is used as the output of the CCD.

撮像部2i及び蓄積部2sは、図15の素子内部の平面図に示すように、半導体基板の表面領域に形成された垂直シフトレジスタから構成される。垂直シフトレジスタは、垂直方向(図15の縦方向)に向けて互いに平行に延伸された分離領域14によって区画された複数のチャネル領域22と、チャネル領域22に交差する複数の転送電極24−1〜24−3から構成される。従来の固体撮像素子では、隣接する3つの転送電極24−1,24−2,24−3の組が1つの画素を構成している。この一組の転送電極24−1,24−2,24−3の各々に対して所定の周期の転送クロックφ1〜φ3を印加することによって撮像部2iで生成された情報電荷を転送することができる。 The imaging unit 2i and the storage unit 2s are configured by a vertical shift register formed in the surface region of the semiconductor substrate, as shown in the plan view inside the element of FIG. The vertical shift register includes a plurality of channel regions 22 defined by separation regions 14 extending in parallel to each other in the vertical direction (vertical direction in FIG. 15), and a plurality of transfer electrodes 24-1 intersecting the channel region 22. To 24-3. In the conventional solid-state imaging device, a set of three adjacent transfer electrodes 24-1, 24-2, 24-3 constitutes one pixel. Information charges generated by the imaging unit 2i are transferred by applying transfer clocks φ 1 to φ 3 having a predetermined cycle to each of the set of transfer electrodes 24-1, 24-2, 24-3. be able to.

図16に、撮像時におけるチャネル領域22に沿ったNウェル12内のポテンシャル分布の様子を示す。撮像時には、1組の転送電極24−1,24−2,24−3のうち1つの転送電極(例えば、転送電極24−2)をオン状態にすると共に、残りの転送電極(例えば、転送電極24−1,24−3)をオフ状態にすることにより、オン状態とした転送電極下のチャネル領域22にポテンシャル井戸50を形成する。各画素で生成された情報電荷はこのポテンシャル井戸50に蓄積される。   FIG. 16 shows the potential distribution in the N well 12 along the channel region 22 during imaging. At the time of imaging, one transfer electrode (for example, transfer electrode 24-2) of the set of transfer electrodes 24-1, 24-2, 24-3 is turned on, and the remaining transfer electrodes (for example, transfer electrodes) 24-1 and 24-3) are turned off to form the potential well 50 in the channel region 22 under the transfer electrode that is turned on. Information charges generated in each pixel are accumulated in the potential well 50.

転送時には、図17に示すように、1画素を構成する3つの転送電極24−1,24−2,24−3の組み合わせ毎に3相の転送クロックφ1〜φ3が印加され、転送電極24−1,24−2,24−3の下にあるチャネル領域22のポテンシャルが制御されて情報電荷が転送される。 At the time of transfer, as shown in FIG. 17, three-phase transfer clocks φ 1 to φ 3 are applied for each combination of the three transfer electrodes 24-1, 24-2, 24-3 constituting one pixel, and the transfer electrodes Information charges are transferred by controlling the potential of the channel region 22 below 24-1, 24-2, 24-3.

また、カラー画像を対象とするCCD固体撮像装置では、図6に示すように、垂直転送方向に沿って赤(R)を透過するフィルタと緑(G)を透過するフィルタとを交互に配置した列と、緑(G)を透過するフィルタと青(B)を透過するフィルタとを交互に配置した列と、を垂直転送方向と交差する方向に交互に配列することによってマトリクス状の画素配列を構成し、カラー画像の取得を可能としている。   Further, in a CCD solid-state imaging device for a color image, as shown in FIG. 6, filters that transmit red (R) and filters that transmit green (G) are alternately arranged along the vertical transfer direction. A matrix-like pixel arrangement is obtained by alternately arranging columns and columns in which filters that transmit green (G) and filters that transmit blue (B) are alternately arranged in a direction crossing the vertical transfer direction. The color image can be acquired.

特開2001−166284号公報JP 2001-166284 A 特開平6−112467号公報JP-A-6-112467

しかしながら、上記従来の撮像装置及びその制御方法では、1つの転送電極毎に情報電荷を順次送り出して転送を行う。そのため、垂直転送時間が長くなり、高品質の画像を得ることができない問題が発生していた。   However, in the conventional imaging apparatus and the control method thereof, information charges are sequentially sent out for each transfer electrode to perform transfer. As a result, the vertical transfer time becomes long, and there is a problem that a high-quality image cannot be obtained.

例えば、撮像部2iにメカシャッタが設けられていない場合や動画撮影時のようにシャッタを閉じずに連続して撮影を行う場合、電荷を転送する期間中にも撮像部2iの各画素に入射し続ける光によって電荷が発生し続ける。この電荷はスミアと呼ばれるノイズの原因となる。なお、ノイズの原因となる電荷をスミア電荷と呼ぶ。撮像部2iから蓄積部2sへと情報電荷を転送する時間が長くなると共にスミア電荷量は増加し、撮影された画像に強いノイズとして残ることとなる。   For example, when the image pickup unit 2i is not provided with a mechanical shutter, or when shooting continuously without closing the shutter as in moving image shooting, the light is incident on each pixel of the image pickup unit 2i even during the period during which charges are transferred. Electric charges continue to be generated by the continued light. This electric charge causes noise called smear. The charge that causes noise is called smear charge. As the time for transferring information charges from the imaging unit 2i to the storage unit 2s becomes longer, the amount of smear charge increases, and the captured image remains as strong noise.

また、撮像部2iにおいて1組となる転送電極のうち1つのみをオン状態として撮像を行う場合では、撮像時におけるポテンシャル井戸に蓄積可能な電荷量は限られており、輝度が高い撮影対象物からの光を受けた場合等において十分な感度やダイナミックレンジを得ることができなかった。さらには、撮像期間中に発生する情報電荷量がポテンシャル井戸の容量を越えてしまい、得られた画像のダイナミックレンジが低下してしまう場合もあった。   Further, in the case where imaging is performed with only one of the pair of transfer electrodes being turned on in the imaging unit 2i, the amount of charge that can be accumulated in the potential well at the time of imaging is limited, and the imaging target having high luminance Sufficient sensitivity and dynamic range could not be obtained when receiving light from Furthermore, the amount of information charges generated during the imaging period may exceed the capacity of the potential well, and the dynamic range of the obtained image may be reduced.

本発明は、上記従来技術の問題を鑑み、より高品質の画像を得ることができる撮像装置、撮像装置の制御装置及び撮像装置の制御方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide an imaging apparatus, an imaging apparatus control apparatus, and an imaging apparatus control method capable of obtaining a higher quality image in view of the above-described problems of the related art.

本発明は、外部からの光を受けて情報電荷を生成する複数の画素を有し、各画素は情報電荷の転送方向と交差する方向に向けて延伸された複数の転送電極を備える撮像部を含み、画素に入射される光に応答して発生した情報電荷を転送電極の作用により形成したポテンシャル井戸を利用して蓄積及び転送する撮像装置であって、前記情報電荷の転送方向に沿って連続する12の転送電極群を1組として、1組に含まれる各転送電極には8相のクロックパルスのいずれか1つが印加されることを特徴とする。   The present invention includes an imaging unit including a plurality of pixels that generate information charges by receiving light from the outside, and each pixel includes a plurality of transfer electrodes that extend in a direction that intersects the transfer direction of the information charges. An imaging device for storing and transferring information charges generated in response to light incident on a pixel by using a potential well formed by the action of a transfer electrode, which is continuous along the transfer direction of the information charges The 12 transfer electrode groups are set as one set, and any one of 8-phase clock pulses is applied to each transfer electrode included in the set.

このように8相の独立したクロックパルスを1組の転送電極群に含まれるいずれかの転送電極に印加することによって、撮像時には、実質的に互いに分離された複数のポテンシャル井戸に情報電荷を蓄積し、転送時には、転送方向に沿って連続する2つの転送電極毎に実質的に同相のクロックパルスを印加することによって前記情報電荷を転送する。   Information charges are accumulated in a plurality of potential wells that are substantially separated from each other during imaging by applying 8-phase independent clock pulses to any one of the transfer electrodes included in a set of transfer electrodes. At the time of transfer, the information charges are transferred by applying substantially in-phase clock pulses to every two transfer electrodes that are continuous along the transfer direction.

また、撮像時において少なくとも2つのポテンシャル井戸に蓄積された情報電荷を転送方向に沿って加算合成した後に転送することも好適である。このとき、前記加算合成される情報電荷は、異なる長さの撮像期間において少なくとも2つのポテンシャル井戸に蓄積された情報電荷であることが好適である。これにより、強い光が入射した場合でも、各画素に蓄積されるべきである理想的な情報電荷量に相当する信号を推定することができる。   It is also preferable to transfer information charges accumulated in at least two potential wells at the time of imaging after adding and synthesizing them along the transfer direction. At this time, it is preferable that the information charges to be added and combined are information charges accumulated in at least two potential wells in imaging periods having different lengths. Thereby, even when strong light is incident, it is possible to estimate a signal corresponding to an ideal amount of information charge that should be accumulated in each pixel.

より具体的には、前記1組の転送電極群は、情報電荷の転送方向に沿って第1から第12の転送電極が順に配置されたものであり、第1の転送電極及び第7の転送電極に第1の相のクロックパルスが印加され、第2の転送電極に第2の相のクロックパルスが印加され、第3の転送電極及び第9の転送電極に第3の相のクロックパルスが印加され、第4の転送電極及び第10の転送電極に第4の相のクロックパルスが印加され、第5の転送電極に第5の相のクロックパルスが印加され、第6の転送電極及び第12の転送電極に第6の相のクロックパルスが印加され、第8の転送電極に第7の相のクロックパルスが印加され、第11の転送電極に第8の相のクロックパルスが印加される構成とすることが好適である。   More specifically, the one set of transfer electrode groups includes first to twelfth transfer electrodes arranged in order along the information charge transfer direction, and the first transfer electrode and the seventh transfer electrode. A first phase clock pulse is applied to the electrodes, a second phase clock pulse is applied to the second transfer electrode, and a third phase clock pulse is applied to the third transfer electrode and the ninth transfer electrode. The fourth phase clock pulse is applied to the fourth transfer electrode and the tenth transfer electrode, the fifth phase clock pulse is applied to the fifth transfer electrode, and the sixth transfer electrode and the tenth transfer electrode A sixth phase clock pulse is applied to the 12 transfer electrodes, a seventh phase clock pulse is applied to the eighth transfer electrode, and an eighth phase clock pulse is applied to the eleventh transfer electrode. A configuration is preferable.

カラー画像を撮影対象とする場合には、前記1組の転送電極群が配置された画素群は、異なる2つ以上の波長領域のいずれかに応答して発生する情報電荷を蓄積するものであって、情報電荷の転送方向に沿って連続する3つの転送電極が1つの波長領域に応答して発生する情報電荷を蓄積する画素に対応することが好適である。   When a color image is to be photographed, the pixel group in which the one set of transfer electrode groups is arranged accumulates information charges generated in response to one of two or more different wavelength regions. Thus, it is preferable that three transfer electrodes continuous along the information charge transfer direction correspond to a pixel that stores information charges generated in response to one wavelength region.

このような撮像装置は、外部からの光を受けて情報電荷を生成する複数の画素を有し、各画素は情報電荷の転送方向と交差する方向に向けて延伸された複数の転送電極を備える撮像部を含み、画素に入射される光に応答して発生した情報電荷を転送電極の作用により形成したポテンシャル井戸を利用して蓄積及び転送する撮像装置の制御装置であって、前記情報電荷の転送方向に沿って連続する12の転送電極群を1組として、1組に含まれる各転送電極に8相のクロックパルスのいずれか1つを印加する制御装置を備えることによって実現することができる。   Such an imaging device has a plurality of pixels that generate information charges by receiving light from the outside, and each pixel includes a plurality of transfer electrodes that extend in a direction that intersects the transfer direction of the information charges. A control device for an imaging device including an imaging unit and storing and transferring information charges generated in response to light incident on a pixel using a potential well formed by the action of a transfer electrode, This can be realized by providing a control device that applies one of the eight-phase clock pulses to each transfer electrode included in one set of twelve transfer electrode groups that are continuous along the transfer direction. .

これによって、外部からの光を受けて情報電荷を生成する複数の画素を有し、各画素は情報電荷の転送方向と交差する方向に向けて延伸された複数の転送電極を備える撮像部を含み、画素に入射される光に応答して発生した情報電荷を転送電極の作用により形成したポテンシャル井戸を利用して蓄積及び転送する撮像装置の制御方法であって、前記情報電荷の転送方向に沿って連続する12の転送電極群を1組として、1組に含まれる各転送電極に8相のクロックパルスのいずれか1つを印加する制御方法を具現化することができる。   Accordingly, the image sensor includes a plurality of pixels that generate information charges by receiving light from the outside, and each pixel includes an imaging unit that includes a plurality of transfer electrodes extended in a direction intersecting the information charge transfer direction. A control method of an imaging apparatus for storing and transferring information charges generated in response to light incident on a pixel by using a potential well formed by the action of a transfer electrode, wherein the information charges are transferred along the information charge transfer direction. A control method of applying any one of eight-phase clock pulses to each of the transfer electrodes included in one set can be realized with a set of twelve transfer electrode groups as one set.

本発明によれば、CCD固体撮像素子を含む撮像装置において、高品質の画像を得ることができる。特に、動画の撮像時において高速撮像を可能とし、撮像時における感度及びダイナミックレンジを高くすることができる。また、転送時に発生するスミアを抑制又は除去することができる。   According to the present invention, a high-quality image can be obtained in an imaging apparatus including a CCD solid-state imaging device. In particular, it is possible to perform high-speed imaging when capturing a moving image, and to increase sensitivity and dynamic range during imaging. In addition, it is possible to suppress or eliminate smear that occurs during transfer.

本発明の実施の形態における撮像装置200は、図1に示すように、CCD固体撮像素子202、タイミング制御回路204、駆動ドライバ206及び出力信号処理部208を含んで構成される。   As shown in FIG. 1, the imaging apparatus 200 according to the embodiment of the present invention includes a CCD solid-state imaging device 202, a timing control circuit 204, a drive driver 206, and an output signal processing unit 208.

CCD固体撮像素子202は、撮像部2i、蓄積部2s、水平転送部2h及び出力部2dを有する。また、タイミング制御回路204は、所定の周波数のクロックパルス及び外部制御信号を受けて、CCD固体撮像素子202の撮像、垂直転送、水平転送及び出力を制御する制御信号を生成する。これらの制御信号は、タイミング制御回路204から駆動ドライバ206へ入力される。駆動ドライバ206は、タイミング制御回路204から制御信号を受けて、CCD固体撮像素子202の撮像部2i、蓄積部2s、水平転送部2h及び出力部2dに各々に対して必要なタイミングでクロックパルスを出力する。出力信号処理部208は、出力部2dから出力されたCCD固体撮像素子202の出力信号に対してスミア除去等の処理を施した後、装置外部へ出力信号を出力する。   The CCD solid-state imaging device 202 includes an imaging unit 2i, a storage unit 2s, a horizontal transfer unit 2h, and an output unit 2d. The timing control circuit 204 receives a clock pulse of a predetermined frequency and an external control signal, and generates a control signal for controlling imaging, vertical transfer, horizontal transfer, and output of the CCD solid-state imaging device 202. These control signals are input from the timing control circuit 204 to the drive driver 206. The drive driver 206 receives a control signal from the timing control circuit 204, and sends clock pulses to the image pickup unit 2i, storage unit 2s, horizontal transfer unit 2h, and output unit 2d of the CCD solid-state image pickup device 202 at necessary timings. Output. The output signal processing unit 208 performs processing such as smear removal on the output signal of the CCD solid-state imaging device 202 output from the output unit 2d, and then outputs the output signal to the outside of the apparatus.

撮像部2i及び蓄積部2sは、従来技術と同様に、垂直方向(図1の縦方向)に互いに平行に延伸された複数のチャネル領域とそれに交差する複数の転送電極とから構成される垂直シフトレジスタを含み、各シフトレジスタの各ビットはそれぞれ2次元行列として配置された受光画素の1つとして機能する。   As in the prior art, the imaging unit 2i and the storage unit 2s are each composed of a plurality of channel regions extending in parallel to each other in the vertical direction (vertical direction in FIG. 1) and a plurality of transfer electrodes intersecting the vertical shift region. Each bit of each shift register functions as one of light receiving pixels arranged as a two-dimensional matrix.

撮像部2iは、図2〜4に示すように、半導体基板10の表面領域に形成された複数のシフトレジスタから構成される。図2は本願の撮像部2iの一部を示す模式的な平面図、図3及び図4はそれぞれ図2のC−C線及びD−D線に沿った側断面図である。   As shown in FIGS. 2 to 4, the imaging unit 2 i includes a plurality of shift registers formed in the surface region of the semiconductor substrate 10. FIG. 2 is a schematic plan view showing a part of the imaging unit 2i of the present application, and FIGS. 3 and 4 are side sectional views taken along lines CC and DD in FIG. 2, respectively.

図3及び図4に示すように、本実施の形態における撮像部2iは従来の撮像装置における撮像部と同様の断面構造を有する。すなわち、N型半導体基板9内にPウェル(PW)11が形成され、その上にNウェル12が形成され、このPウェル11の表面領域にN型の不純物が高濃度に添加されたNウェル12が形成される。さらに、Nウェル12に所定の間隔をもって互いに平行にP型不純物領域からなる分離領域14が形成される。分離領域14は、隣接するチャネル領域の間にポテンシャル障壁を形成し、これらの分離領域14に挟まれた領域が電気的に区画され、情報電荷の転送経路であるチャネル領域22となる。   As shown in FIGS. 3 and 4, the imaging unit 2 i in the present embodiment has the same cross-sectional structure as the imaging unit in the conventional imaging device. That is, a P-well (PW) 11 is formed in an N-type semiconductor substrate 9, an N-well 12 is formed thereon, and an N-well in which N-type impurities are added to the surface region of the P-well 11 at a high concentration. 12 is formed. Further, isolation regions 14 made of P-type impurity regions are formed in the N well 12 in parallel with each other at a predetermined interval. The isolation region 14 forms a potential barrier between adjacent channel regions, and a region sandwiched between the isolation regions 14 is electrically partitioned to become a channel region 22 that is a transfer path of information charges.

また、半導体基板9の表面上には絶縁膜13が成膜される。図2に示すように、この絶縁膜13を挟んでチャネル領域22の延伸方向に直交するように、ポリシリコン膜等からなる複数の転送電極30(30−1〜30−12)が互いに平行に繰り返し配置される。   An insulating film 13 is formed on the surface of the semiconductor substrate 9. As shown in FIG. 2, a plurality of transfer electrodes 30 (30-1 to 30-12) made of a polysilicon film or the like are parallel to each other so as to be orthogonal to the extending direction of the channel region 22 with the insulating film 13 interposed therebetween. Repeatedly placed.

本実施の形態では、カラー画像を撮影対象とする撮像装置200について説明を行う。カラー画像を撮影対象とする撮像装置200では、異なる色の波長成分に応答して発生した情報電荷を蓄積する画素が所定の周期で繰り返し配置されたマトリックス状の画素配列の構成となる。例えば、図5に示すように、垂直転送方向に沿って連続する3つの転送電極をそれぞれ1組として赤(R)を透過するフィルタ32−Rと緑(G)を透過するフィルタ32−Gとを交互に配置した列34−1と、青(B)を透過するフィルタ32−Bと緑(G)を透過するフィルタ32−Gとを交互に配置した列34−2と、を垂直転送方向と交差する方向に交互に配列する。これによって、図6に示すように、各々が複数の電極(ここでは3つ)によって制御されるR,G,Bの画素がマトリクス状に配置された画素配列が構成される。   In the present embodiment, an imaging apparatus 200 that captures a color image will be described. The imaging apparatus 200 that captures a color image has a matrix pixel arrangement in which pixels that accumulate information charges generated in response to wavelength components of different colors are repeatedly arranged at a predetermined period. For example, as shown in FIG. 5, a filter 32-R that transmits red (R) and a filter 32-G that transmits green (G) each including three transfer electrodes that are continuous in the vertical transfer direction as a set, Are arranged in the vertical transfer direction. The row 34-1 is alternately arranged, and the row 34-2 is alternately arranged with the filter 32-B that transmits blue (B) and the filter 32-G that transmits green (G). Are alternately arranged in the direction intersecting As a result, as shown in FIG. 6, a pixel array is formed in which R, G, and B pixels each controlled by a plurality of electrodes (three in this case) are arranged in a matrix.

本実施の形態では、隣接する12の転送電極30−1〜30−12を1組の転送電極群として、1組の転送電極群に含まれる転送電極30−1〜30−12の各々に8相のクロックパルスφ1〜φ8のいずれか1つを印加することによって撮像及び情報電荷の転送を行う。具体的には、転送電極30−1にクロックパルスφ1、転送電極30−2にクロックパルスφ2、転送電極30−3にクロックパルスφ3、転送電極30−4にクロックパルスφ4、転送電極30−5にクロックパルスφ5、転送電極30−6にクロックパルスφ6、転送電極30−7にクロックパルスφ1、転送電極30−8にクロックパルスφ7、転送電極30−9にクロックパルスφ3、転送電極30−10にクロックパルスφ4、転送電極30−11にクロックパルスφ8、転送電極30−12にクロックパルスφ6がそれぞれ印加される。 In the present embodiment, twelve adjacent transfer electrodes 30-1 to 30-12 are set as one set of transfer electrode groups, and each of transfer electrodes 30-1 to 30-12 included in one set of transfer electrode groups is set to eight. Imaging and information charge transfer are performed by applying any one of the phase clock pulses φ 1 to φ 8 . Specifically, clock pulses phi 1 to the transfer electrodes 30-1, clock pulses phi 2 to the transfer electrodes 30-2, clock pulses phi 3 to the transfer electrodes 30-3, clock pulses phi 4 to the transfer electrodes 30-4, transfer clock pulses phi 5 to the electrodes 30-5, transfer clock pulses phi 6 to the electrodes 30-6, transfer clock pulses phi 1 to the electrodes 30-7, clock pulses phi 7 to the transfer electrodes 30-8, the clock to the transfer electrodes 30-9 A pulse φ 3 , a clock pulse φ 4 is applied to the transfer electrode 30-10, a clock pulse φ 8 is applied to the transfer electrode 30-11, and a clock pulse φ 6 is applied to the transfer electrode 30-12.

撮像装置200における撮像(情報電荷の蓄積)及び情報電荷の転送は、タイミング制御回路204を用いて転送電極30−1〜30−12に印加されるクロックパルスφ1〜φ8の電圧を独立に制御することによって行うことができる。そこで、図7に撮像から転送までのタイミングチャートを示し、転送電極の制御について説明を行う。また、図8には、時刻T1〜T8における各転送電極30−1〜30−12下におけるポテンシャルの変化の様子を示す。横軸は撮像部2iにおける転送方向に沿った位置を示し、縦軸が各位置でのポテンシャルを示す。このとき、図中の下が正電位側、上が負電位側となる。 Imaging (accumulation of information charges) and transfer of information charges in the imaging apparatus 200 are performed by independently applying voltages of clock pulses φ 1 to φ 8 applied to the transfer electrodes 30-1 to 30-12 using the timing control circuit 204. It can be done by controlling. FIG. 7 shows a timing chart from imaging to transfer, and the control of the transfer electrode will be described. Further, in FIG. 8 shows a change of the potential in each transfer electrode 30-1~30-12 lower at time T 1 through T 8. The horizontal axis indicates the position along the transfer direction in the imaging unit 2i, and the vertical axis indicates the potential at each position. At this time, the lower side in the figure is the positive potential side and the upper side is the negative potential side.

駆動ドライバ206は、タイミング制御回路204からの制御信号を受けて、クロックパルスφ1〜φ8をそれぞれ転送電極30−1〜30−12に印加する。CCD固体撮像素子202のN型半導体基板(N−SUB)10は基板電位Vsubに固定される。 The driving driver 206 receives the control signal from the timing control circuit 204 and applies clock pulses φ 1 to φ 8 to the transfer electrodes 30-1 to 30-12, respectively. The N-type semiconductor substrate (N-SUB) 10 of the CCD solid-state imaging device 202 is fixed to the substrate potential Vsub .

時刻T0は、撮像前の初期状態である。このとき、クロックパルスφ1〜φ8の総てがオフとされ、図8に示すように、転送電極30−1〜30−12下にはポテンシャル井戸は形成されず、電荷は基板10へ排出される。 Time T 0 is an initial state before imaging. At this time, all of the clock pulses φ 1 to φ 8 are turned off, and no potential well is formed under the transfer electrodes 30-1 to 30-12 as shown in FIG. Is done.

時刻T1では、1組とされた画素群のうち両端の画素にポテンシャル井戸が形成されるようにクロックパルスが制御される。ここでは、クロックパルスφ2,φ5,φ7,φ8がオンとされ、転送電極30−2,30−5,30−8及び30−11下にポテンシャル井戸が形成される。オン状態となった転送電極30−2,30−5,30−8及び30−11の周囲に入射した光に応じて発生した情報電荷はこれらのポテンシャル井戸に蓄積される。 At time T 1 , the clock pulse is controlled so that potential wells are formed in the pixels at both ends of the pixel group made into one set. Here, clock pulses φ 2 , φ 5 , φ 7 , and φ 8 are turned on, and potential wells are formed under the transfer electrodes 30-2, 30-5, 30-8, and 30-11. Information charges generated in response to light incident around the transfer electrodes 30-2, 30-5, 30-8, and 30-11 in the on state are accumulated in these potential wells.

本実施の形態では、例えば、図5に示したCCD固体撮像素子202の列34−1では、図8に示すように、左からR,G,R,Gの組が繰り返し配置され、Rに対応する画素では赤の波長成分に応じて発生した情報電荷が蓄積され、Gに対応する画素では緑の波長成分に応じて発生した情報電荷が蓄積される。B,Gが繰り返し配置された列についても同様に青の波長成分及び緑の波長成分に対応する情報電荷が蓄積される。   In the present embodiment, for example, in the row 34-1 of the CCD solid-state imaging device 202 shown in FIG. 5, a set of R, G, R, G is repeatedly arranged from the left as shown in FIG. The information charge generated according to the red wavelength component is stored in the corresponding pixel, and the information charge generated according to the green wavelength component is stored in the pixel corresponding to G. Similarly, the information charges corresponding to the blue wavelength component and the green wavelength component are accumulated in the columns where B and G are repeatedly arranged.

時刻T2では、情報電荷の排出が行われる。時刻T3からの情報電荷の転送開始直前に転送電極30−5及び30−8に印加されているクロックパルスφ5及びφ7がオフとされ、これらの電極下のポテンシャル井戸に蓄積されていた情報電荷が基板10へ排出される。これによって、転送電極30−2及び30−11下に形成されたポテンシャル井戸にそれぞれ赤の波長領域による情報電荷と緑の波長領域による情報電荷が蓄積された状態となる。 At time T 2, the discharge of the information charges is performed. Clock pulses phi 5 and phi 7 is applied to the transfer electrodes 30-5 and 30-8 in the transfer immediately before the start of the information charges from the time T 3 is turned off, it has been accumulated in the potential well under the electrodes Information charges are discharged to the substrate 10. As a result, information charges in the red wavelength region and information charges in the green wavelength region are accumulated in the potential wells formed under the transfer electrodes 30-2 and 30-11, respectively.

時刻T3では、情報電荷の再配列が行われる。情報電荷が1つのポテンシャル井戸に纏められる。時刻T3では、クロックパルスφ2,φ8に加えて、クロックパルスφ3,φ4,φ7がオンとされ、転送電極30−2及び30−11下のポテンシャル井戸に蓄積されていた情報電荷が複数の電極下に形成されたポテンシャル井戸に分散される。 At time T 3 , information charges are rearranged. Information charges are collected in one potential well. At time T 3 , the clock pulses φ 3 , φ 4 , and φ 7 are turned on in addition to the clock pulses φ 2 and φ 8 , and information stored in the potential wells under the transfer electrodes 30-2 and 30-11. The charge is dispersed in a potential well formed under a plurality of electrodes.

時刻T4以降では、情報電荷の転送が開始される。このとき、転送方向に沿って連続する少なくとも2つの転送電極に対して実質的に同相のクロックパルスを供給することにより転送が行われることに特徴を有する。本実施の形態では、図7のタイミングチャートに示すように、クロックパルスφ1とφ6との組,φ2とφ3とφ7の組,φ4とφ5とφ8の組、がそれぞれ同相で駆動される。これによって、図8に示すように、転送方向に沿って連続して配置されている転送電極30−12と転送電極30−1の組と転送電極30−6と転送電極30−7の組とが同相で駆動され、転送電極30−2と転送電極30−3の組及び転送電極30−8と転送電極30−9の組とが同相で駆動され、転送電極30−4と転送電極30−5の組及び転送電極30−10と転送電極30−11の組とが同相で駆動され、連続する2つの転送電極の下に形成されたポテンシャル井戸を1つの転送単位として情報電荷が順次転送される。 In the time T 4 or later, the transfer of information charge is started. At this time, the transfer is performed by supplying substantially in-phase clock pulses to at least two transfer electrodes continuous in the transfer direction. In the present embodiment, as shown in the timing chart of FIG. 7, a set of clock pulses φ 1 and φ 6 , a set of φ 2 , φ 3 and φ 7, and a set of φ 4 , φ 5 and φ 8 are Each is driven in phase. As a result, as shown in FIG. 8, a set of the transfer electrode 30-12 and the transfer electrode 30-1, and a set of the transfer electrode 30-6 and the transfer electrode 30-7 which are continuously arranged along the transfer direction. Are driven in the same phase, the set of the transfer electrode 30-2 and the transfer electrode 30-3 and the set of the transfer electrode 30-8 and the transfer electrode 30-9 are driven in the same phase, and the transfer electrode 30-4 and the transfer electrode 30- 5 and the transfer electrode 30-10 and the transfer electrode 30-11 are driven in the same phase, and information charges are sequentially transferred with a potential well formed below two continuous transfer electrodes as one transfer unit. The

具体的には、図7に示すように、時刻T4ではクロックパルスφ1,φ4,φ5,φ6,φ8がオフ、クロックパルスφ2,φ3,φ7がオンとされ、時刻T5ではクロックパルスφ1とφ6がオフ、クロックパルスφ2,φ3,φ4,φ5,φ7,φ8がオンとされ、時刻T6ではクロックパルスφ1,φ2,φ3,φ6,φ7がオフ、クロックパルスφ4,φ5,φ8がオンとされる。これによって、図8に示すように、時刻T4では転送電極30−2と転送電極30−3の組及び転送電極30−8と転送電極30−9の組の下に形成されたポテンシャル井戸に蓄積されていた情報電荷が、転送電極30−4と転送電極30−5の組及び転送電極30−10と転送電極30−11の組の下に新たに形成されたポテンシャル井戸に転送される。さらに、時刻T7ではクロックパルスφ2とφ3とφ7がオフ、クロックパルスφ1,φ4,φ5,φ6,φ8がオンとされ、時刻T8ではクロックパルスφ2,φ3,φ4,φ5,φ8がオフ、クロックパルスφ1とφ6がオンとされる。これによって、図8に示すように、時刻T6では転送電極30−4と転送電極30−5の組及び転送電極30−10と転送電極30−11の組の下に形成されたポテンシャル井戸に蓄積されていた情報電荷が、転送電極30−12と転送電極30−1の組及び転送電極30−6と転送電極30−7の組の下に新たに形成されたポテンシャル井戸に転送される。同様に、転送電極30−1〜30−12に印加されるクロックパルスφ1〜φ8を変化させていくことによって情報電荷を順次転送することができる。また、他の列についても同様に転送が行われる。 Specifically, as shown in FIG. 7, at time T 4 , clock pulses φ 1 , φ 4 , φ 5 , φ 6 , φ 8 are turned off, and clock pulses φ 2 , φ 3 , φ 7 are turned on, At time T 5 , clock pulses φ 1 and φ 6 are turned off, clock pulses φ 2 , φ 3 , φ 4 , φ 5 , φ 7 , and φ 8 are turned on, and at time T 6 , clock pulses φ 1 , φ 2 , φ 3 , φ 6 , φ 7 are turned off, and clock pulses φ 4 , φ 5 , φ 8 are turned on. Thus, as shown in FIG. 8, at time T 4 and the transfer electrodes 30-2 to set and the potential wells formed under the set of transfer electrodes 30-8 and the transfer electrode 30-9 of the transfer electrodes 30-3 The stored information charges are transferred to a potential well newly formed under the pair of transfer electrode 30-4 and transfer electrode 30-5 and the pair of transfer electrode 30-10 and transfer electrode 30-11. Further, at time T 7 , clock pulses φ 2 , φ 3, and φ 7 are turned off, clock pulses φ 1 , φ 4 , φ 5 , φ 6 , and φ 8 are turned on, and at time T 8 , clock pulses φ 2 , φ 3, φ 4, φ 5, φ 8 is turned off, the clock pulses phi 1 and phi 6 is turned on. Thus, as shown in FIG. 8, the set and the potential wells formed under the set of transfer electrodes 30-10 and the transfer electrodes 30-11 of the transfer and the transfer electrode 30-4 at time T 6 electrodes 30-5 The stored information charges are transferred to a potential well newly formed under the pair of the transfer electrode 30-12 and the transfer electrode 30-1 and the pair of the transfer electrode 30-6 and the transfer electrode 30-7. Similarly, information charges can be sequentially transferred by changing the clock pulses φ 1 to φ 8 applied to the transfer electrodes 30-1 to 30-12. Similarly, transfer is performed for other columns.

なお、本実施の形態では、クロックパルスφ1とφ6との組,φ2とφ3とφ7の組,φ4とφ5とφ8の組、がそれぞれ完全に同相で駆動される場合を示したが、実質的に同相として駆動されれば良く、図9に示すように、転送方向に沿ってポテンシャルが滑らかに変動するようにそれぞれの組の中で転送電極に供給するクロックパルスに遅延を持たせても良い。このように遅延を持たせることで、滑らかに情報電荷を転送することが可能となる。 In this embodiment, a set of clock pulses φ 1 and φ 6 , a set of φ 2 , φ 3 and φ 7, and a set of φ 4 , φ 5 and φ 8 are driven completely in phase, respectively. As shown in FIG. 9, the clock pulses supplied to the transfer electrodes in each set so that the potential varies smoothly along the transfer direction, as shown in FIG. May be delayed. By providing such a delay, information charges can be transferred smoothly.

このように、転送時において、複数の転送電極を1組として制御を行うことによって、撮像部2iから情報電荷を高速に転送することができる。その結果、転送時に発生するスミアを抑制することができる。例えば、本実施の形態のように2つの転送電極を1組に纏めて制御した場合には従来の制御方法と比べて約2倍の転送速度で転送を行うことができる。同様の転送方法は、蓄積部2sに対しても適用することができる。   Thus, at the time of transfer, by controlling a plurality of transfer electrodes as a set, information charges can be transferred from the imaging unit 2i at high speed. As a result, it is possible to suppress smear that occurs during transfer. For example, when two transfer electrodes are collectively controlled as in the present embodiment, transfer can be performed at a transfer rate approximately twice that of the conventional control method. A similar transfer method can be applied to the storage unit 2s.

以上のように、本実施の形態によれば、撮像部2i及び蓄積部2sにおいて情報電荷の高速転送を実現することができ、スミア電荷の発生を抑制させた高品質の画像を得ることができる。従って、撮像部2iに機械的なシャッタが設けられている場合でも、動画のように低解像度の高速転送を連続して行うときにはシャッタを開放したまま連続して撮像を行うことができる。また、制御しなければならないクロックパルスを8相にまで少なくすることによって、高速転送を実現しつつ、クロックパルスの制御を容易にすることができる。   As described above, according to the present embodiment, high-speed transfer of information charges can be realized in the imaging unit 2i and the storage unit 2s, and a high-quality image in which generation of smear charges is suppressed can be obtained. . Therefore, even when a mechanical shutter is provided in the imaging unit 2i, when performing high-speed transfer with low resolution continuously like a moving image, imaging can be continuously performed with the shutter opened. Further, by reducing the number of clock pulses that need to be controlled to 8 phases, it is possible to easily control the clock pulses while realizing high-speed transfer.

また、複数の転送電極下のポテンシャル井戸を纏めて情報電荷の転送を制御するための最も少ないクロックパルスの相数が8相であり、撮像装置に設ける電極端子を最も少なくすることができ、素子サイズを小さくするためにも最も適している。   Further, the number of phases of the smallest clock pulse for controlling the transfer of information charges by collecting the potential wells under the plurality of transfer electrodes is eight, and the number of electrode terminals provided in the imaging device can be minimized. It is most suitable for reducing the size.

なお、従来と同様に、1つの画素に対応する転送電極30−1〜30−3,30−4〜30−6,30−7〜30−9,30−10〜30−12に対して転送電極30−1(φ1),30−4(φ4),30−7(φ1),30−10(φ4)、転送電極30−2(φ2),30−5(φ5),30−8(φ7),30−11(φ8)、転送電極30−3(φ3),30−6(φ6),30−9(φ3),30−12(φ6)とをそれぞれ同相のクロックパルスで制御することもできる。このように、1つの転送電極毎に情報電荷を順次転送していくことによって高解像度の画像を撮影し、低速の転送を行うことも可能である。 As in the prior art, transfer is performed to the transfer electrodes 30-1 to 30-3, 30-4 to 30-6, 30-7 to 30-9, and 30-10 to 30-12 corresponding to one pixel. electrodes 30-1 (φ 1), 30-4 ( φ 4), 30-7 (φ 1), 30-10 (φ 4), transfer electrodes 30-2 (φ 2), 30-5 ( φ 5) , 30-8 (φ 7), 30-11 (φ 8), transfer electrodes 30-3 (φ 3), 30-6 ( φ 6), 30-9 (φ 3), 30-12 (φ 6) And can be controlled by clock pulses having the same phase. As described above, by sequentially transferring information charges for each transfer electrode, it is possible to capture a high-resolution image and perform low-speed transfer.

また、本実施の形態では、フレームトランスファー型のCCD固体撮像素子を含む撮像装置を対象としたが本発明の適用範囲はこれに限定されるものではない。例えば、インターライン型のCCD固体撮像素子を含む撮像装置にも適用することができる。   In this embodiment, an imaging apparatus including a frame transfer type CCD solid-state imaging device is targeted. However, the scope of application of the present invention is not limited to this. For example, the present invention can also be applied to an imaging device including an interline CCD solid-state imaging device.

<変形例1>
上記実施の形態における撮像装置の制御方法を応用することによって、撮像時にポテンシャル井戸の飽和レベルを超える情報電荷が発生するような強い光が入射された場合に理想的な情報電荷量を推定することもできる。但し、カラー撮影を対象とするものでなく、モノクロ撮影を対象とする場合に限定されるので、以下ではカラーフィルタを備えない撮像装置について説明を行う。
<Modification 1>
By applying the control method of the imaging apparatus in the above embodiment, an ideal information charge amount is estimated when strong light that generates information charges exceeding the saturation level of the potential well is incident during imaging. You can also. However, since the present invention is not limited to color photography but limited to monochrome photography, an imaging apparatus that does not include a color filter will be described below.

図10に撮像時及び再配列時におけるタイミングチャートを示し、転送電極の制御について説明を行う。また、図11には、図10の時刻T1〜T3における各転送電極30−1〜30−12下におけるポテンシャルの変化の様子を示す。横軸は撮像部2iにおける転送方向に沿った位置を示し、縦軸が各位置でのポテンシャルを示す。このとき、図中の下が正電位側、上が負電位側となる。 FIG. 10 shows a timing chart at the time of imaging and rearrangement, and the control of the transfer electrode will be described. Further, in FIG. 11 shows a change of the potential in each transfer electrode 30-1~30-12 lower at time T 1 through T 3 in FIG. 10. The horizontal axis indicates the position along the transfer direction in the imaging unit 2i, and the vertical axis indicates the potential at each position. At this time, the lower side in the figure is the positive potential side and the upper side is the negative potential side.

駆動ドライバ206は、タイミング制御回路204からの制御信号を受けて、図2及び図11に示すようにクロックパルスφ1〜φ8をそれぞれ転送電極30−1〜30−12に印加する。CCD固体撮像素子202のN型半導体基板(N−SUB)10は基板電位Vsubに固定される。 The driving driver 206 receives the control signal from the timing control circuit 204 and applies clock pulses φ 1 to φ 8 to the transfer electrodes 30-1 to 30-12, respectively, as shown in FIGS. The N-type semiconductor substrate (N-SUB) 10 of the CCD solid-state imaging device 202 is fixed to the substrate potential Vsub .

時刻T0では、クロックパルスφ1〜φ9の総てがオフとされ、図11に示すように、転送電極30−1〜30−12下にはポテンシャル井戸は形成されず、電荷は基板10へ排出される。時刻T1では、クロックパルスφ2及びφ8のみがオンとされ、転送電極30−2及び30−11の下にポテンシャル井戸が形成される。オン状態となった転送電極30−2及び30−11の周囲に入射した光に応じて発生した情報電荷はこれらのポテンシャル井戸に蓄積される。次に、時刻T2では、クロックパルスφ2及びφ8に加えて、クロックパルスφ5及びφ7がオンとされ、転送電極30−5及び30−8下にポテンシャル井戸が形成される。オン状態となった転送電極30−5及び30−8の周囲に入射した光に応じて発生した情報電荷はこれらのポテンシャル井戸に蓄積される。時刻T3では、情報電荷の再配列が行われる。転送電極30−2と転送電極30−5に蓄積された情報電荷が纏められ、転送電極30−8及び30−11に蓄積された情報電荷が纏められるように再配列が実行される。以下は、上記実施の形態の時刻T4以降と同様に情報電荷が転送される。 At time T 0 , all of the clock pulses φ 1 to φ 9 are turned off, and no potential well is formed under the transfer electrodes 30-1 to 30-12 as shown in FIG. Is discharged. At time T 1 , only the clock pulses φ 2 and φ 8 are turned on, and a potential well is formed under the transfer electrodes 30-2 and 30-11. Information charges generated in response to light incident around the transfer electrodes 30-2 and 30-11 in the on state are accumulated in these potential wells. Next, at time T 2, in addition to the clock pulses phi 2 and phi 8, clock pulses phi 5 and phi 7 are turned on, the potential well is formed below the transfer electrodes 30-5 and 30-8. Information charges generated in response to light incident around the transfer electrodes 30-5 and 30-8 in the on state are accumulated in these potential wells. At time T 3 , information charges are rearranged. The rearrangement is executed so that the information charges accumulated in the transfer electrodes 30-2 and 30-5 are collected and the information charges accumulated in the transfer electrodes 30-8 and 30-11 are collected. Hereinafter, like the time T 4 after the above-mentioned embodiment the information charges are transferred.

すなわち、撮像時において転送電極30−2及び転送電極30−11の下には撮像期間Tと等しいオンゲート期間THだけポテンシャル井戸が形成され、転送電極30−5及び30−8の下にはオンゲート期間THより短いオンゲート期間TLだけポテンシャル井戸が形成される。 That is, during imaging, a potential well is formed under the transfer electrode 30-2 and the transfer electrode 30-11 for an on-gate period T H equal to the imaging period T, and under the transfer electrodes 30-5 and 30-8. A potential well is formed for an on-gate period T L shorter than the period T H.

このとき、タイミング制御回路204は、前回のフレームにおける最大信号強度に応じてオンゲート期間TH及びTLを制御することが好適である。最大信号強度が小さいほどオフゲート期間が長くなるように、最大信号強度が大きいほどオンゲート期間が長くなるように制御を行う。これは、連続して撮像される画像に含まれる最大信号強度は大きく変化しない傾向があることを利用して撮像期間の制御を行うものである。なお、前回の撮像から長時間が経過した場合や確実に十分なダイナミックレンジを確保したい場合には、一旦予備的に1フレームの画像を撮像及び出力して最大信号強度を検出し、その最大信号強度に基づいて撮像期間の設定を行った後に本番としての撮像を行うものとすることが好ましい。 At this time, it is preferable that the timing control circuit 204 controls the on-gate periods T H and T L according to the maximum signal strength in the previous frame. Control is performed such that the smaller the maximum signal strength, the longer the off-gate period, and the larger the maximum signal strength, the longer the on-gate period. This is to control the imaging period by utilizing the fact that the maximum signal intensity included in continuously captured images does not tend to change greatly. When a long time has elapsed since the previous imaging or when it is desired to ensure a sufficient dynamic range, a maximum image intensity is detected by temporarily capturing and outputting an image of one frame, and the maximum signal It is preferable to perform actual imaging after setting the imaging period based on the intensity.

撮像部2iの画素に入射される光が弱い場合、図12に示すように、単位時間当たりに各画素のポテンシャル井戸に蓄積される情報電荷(図12のラインEの傾き)は小さくなる。このような場合、オンゲート期間TH及びTLで蓄積される情報電荷QH,total及びQL,totalは各ポテンシャル井戸の飽和レベルQmaxよりも小さくなり、十分なダイナミックレンジを確保することができる。 When the light incident on the pixel of the imaging unit 2i is weak, as shown in FIG. 12, the information charge (inclination of the line E in FIG. 12) accumulated in the potential well of each pixel per unit time becomes small. In such a case, the information charges Q H, total and Q L, total accumulated in the on-gate periods T H and T L are smaller than the saturation level Q max of each potential well, so that a sufficient dynamic range can be secured. it can.

撮像部2iの画素に入射される光が強い場合、図13に示すように、単位時間当たりに画素に蓄積される情報電荷(図13のラインFの傾き)は大きくなり、長いオンゲート期間THだけオン状態となる転送電極30−2の下のポテンシャル井戸に蓄積される情報電荷QH,totalはポテンシャル井戸の飽和レベルを超える。一方、短いオンゲート期間TLだけオン状態となる転送電極30−7の下のポテンシャル井戸に蓄積される情報電荷QL,totalはポテンシャル井戸の飽和レベルを超えない。従って、情報電荷QH,totalとQL,totalとの和である出力情報電荷量Qtotalは、図13のラインGのようにニー特性を示す。 When the light incident on the pixel of the imaging unit 2i is strong, as shown in FIG. 13, the information charge accumulated in the pixel per unit time (the slope of the line F in FIG. 13) becomes large, and the long on-gate period T H The information charge Q H, total stored in the potential well under the transfer electrode 30-2 that is in the ON state only exceeds the saturation level of the potential well. On the other hand, the information charge Q L, total stored in the potential well below the transfer electrode 30-7 that is in the on state only for a short on-gate period T L does not exceed the saturation level of the potential well. Therefore, the output information charge amount Q total which is the sum of the information charges Q H, total and Q L, total exhibits knee characteristics as shown by the line G in FIG.

オンゲート期間THで蓄積された情報電荷量QH,totalは出力情報電荷量Qtotalから数式(1)を用いて算出することができる。同様に、短いオンゲート期間TLで蓄積された情報電荷量QL,totalは出力情報電荷量Qtotalから数式(2)を用いて算出することができる。ただし、このようにして算出された情報電荷量QH,totalが1つの転送電極に相当するポテンシャル井戸の飽和レベルQmaxを超える値として算出された場合には、撮像部2iの画素に入射される光が強いと想定され、情報電荷量QH,total及び情報電荷量QL,totalは数式(3)及び(4)によりそれぞれ再計算する必要がある。CCD固体撮像素子202の撮像部2iにおける飽和レベルQmaxは予め求めておくことができる。 The information charge amount Q H, total accumulated in the on-gate period T H can be calculated from the output information charge amount Q total using Equation (1). Similarly, the information charge amount Q L, total accumulated in the short on-gate period T L can be calculated from the output information charge amount Q total using Equation (2). However, when the information charge amount Q H, total calculated in this way is calculated as a value exceeding the saturation level Q max of the potential well corresponding to one transfer electrode, it is incident on the pixel of the imaging unit 2i. Therefore, the information charge amount Q H, total and the information charge amount Q L, total need to be recalculated by the equations (3) and (4), respectively. The saturation level Q max in the imaging unit 2 i of the CCD solid-state imaging device 202 can be obtained in advance.

Figure 2005333436
Figure 2005333436

転送時に撮像部2iで発生するスミア電荷の影響が無いと仮定すると、短いオンゲート期間TLに蓄積された情報電荷量QL,totalと、ポテンシャル井戸が飽和しない程度の十分な容量を有している場合に長いオンゲート期間THにおいて1画素分のポテンシャル井戸に蓄積されるべき理想的な情報電荷Qidealとの比QL,total/Qidealはオンゲート期間の比TL/THに等しくなる。従って、理想的な情報電荷量Qidealは数式(5)及び(6)に基づいて算出することができる。 Assuming that there is no effect of smear charges generated in the imaging unit 2i during transfer, the information charge amount Q L, total accumulated in the short on-gate period T L and a sufficient capacity not to saturate the potential well are provided. equal to the ratio Q L, total / Q ideal ratio of oN-gate period T L / T H of the ideal information charges Q ideal to be accumulated in one pixel of the potential well in the long-gate period T H when there . Therefore, the ideal information charge amount Q ideal can be calculated based on Equations (5) and (6).

Figure 2005333436
Figure 2005333436

予め1画素当たりのポテンシャル井戸の飽和レベルQmax(又は、飽和レベルQmaxに相当する出力信号値)を調べておくことによって、撮像期間に蓄積されるべき理想的な出力情報電荷量Qitotalを求めることができる。 By examining the saturation level Q max of the potential well per pixel (or the output signal value corresponding to the saturation level Q max ) in advance , the ideal output information charge amount Q itotal to be accumulated in the imaging period is determined . Can be sought.

そこで、CCD固体撮像素子202からの出力信号に基づいて出力信号処理部208で以上の処理を行うことによって理想的な出力信号Sidealを求めることができる。すなわち、理想的な出力信号Sidealは情報電荷量Qitotalに比例する信号であるので、情報電荷量Qitotalに所定の係数を掛けることにより出力信号Sidealを算出することができる。 Therefore, the ideal output signal S ideal can be obtained by performing the above processing in the output signal processing unit 208 based on the output signal from the CCD solid-state imaging device 202. That is, the ideal output signal S ideal since is a signal proportional to the information amount of charge Q Itotal, it is possible to calculate the output signal S ideal by applying a predetermined coefficient information charge amount Q Itotal.

以上のように、本変形例1によれば、1組の画素群において異なるオンゲート期間TH及びTLで情報電荷を蓄積することによって、撮像部2iの画素に入射される光が強い場合でも、光の強度に応じた正しい情報電荷量や出力信号を求めることができる。従って、画像信号において十分なダイナミックレンジを得ることができる。 As described above, according to the first modification, even when the light incident on the pixels of the imaging unit 2i is strong by accumulating information charges in different on-gate periods T H and T L in one set of pixel groups. Therefore, it is possible to obtain the correct information charge amount and output signal according to the light intensity. Therefore, a sufficient dynamic range can be obtained in the image signal.

また、転送時に撮像部2iで発生するスミア電荷の発生がある場合では、出力信号処理部208において、算出された理想的な情報電荷量Qidealに基づいて一般的なオフセットスミア除去法を適用することによって転送時に重畳されたスミア電荷を除去することもできる。 When smear charges are generated in the imaging unit 2i during transfer, the output signal processing unit 208 applies a general offset smear removal method based on the calculated ideal information charge amount Q ideal. Thus, it is possible to remove smear charges superimposed at the time of transfer.

本発明の実施の形態における撮像装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the imaging device in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態におけるCCD固体撮像素子の撮像部の内部構成の平面図を示す図である。It is a figure which shows the top view of the internal structure of the imaging part of the CCD solid-state image sensor in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態におけるCCD固体撮像素子の撮像部の内部構成の断面図を示す図である。It is a figure which shows sectional drawing of the internal structure of the imaging part of the CCD solid-state image sensor in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態におけるCCD固体撮像素子の撮像部の内部構成の断面図を示す図である。It is a figure which shows sectional drawing of the internal structure of the imaging part of the CCD solid-state image sensor in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態におけるCCD固体撮像素子のカラーフィルタの配置を示す図である。It is a figure which shows arrangement | positioning of the color filter of the CCD solid-state image sensor in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態におけるCCD固体撮像素子のカラーフィルタの配列を示す図である。It is a figure which shows the arrangement | sequence of the color filter of the CCD solid-state image sensor in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態におけるCCD固体撮像素子に供給されるクロックパルスのタイミングチャートを示す図である。It is a figure which shows the timing chart of the clock pulse supplied to the CCD solid-state image sensor in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態における各転送電極下のポテンシャルの状態変化を示す図である。It is a figure which shows the state change of the potential under each transfer electrode in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態において各転送電極下のポテンシャルを滑らかに変化させたときの状態変化を示す図である。It is a figure which shows a state change when the potential under each transfer electrode is changed smoothly in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態の変形例1におけるCCD固体撮像素子に供給されるクロックパルスのタイミングチャートを示す図である。It is a figure which shows the timing chart of the clock pulse supplied to the CCD solid-state image sensor in the modification 1 of embodiment of this invention. 本発明の実施の形態の変形例1における各転送電極下のポテンシャルの状態変化を示す図である。It is a figure which shows the state change of the potential under each transfer electrode in the modification 1 of embodiment of this invention. 本発明の実施の形態の変形例1における撮像期間における情報電荷の蓄積の様子を説明する図である。It is a figure explaining the mode of accumulation | storage of the information charge in the imaging period in the modification 1 of embodiment of this invention. 本発明の実施の形態の変形例1における撮像期間における情報電荷の蓄積の様子を説明する図である。It is a figure explaining the mode of accumulation | storage of the information charge in the imaging period in the modification 1 of embodiment of this invention. 従来の撮像装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the conventional imaging device. 従来のCCD固体撮像素子の撮像部の内部構成の平面図を示す図である。It is a figure which shows the top view of the internal structure of the imaging part of the conventional CCD solid-state image sensor. 撮像時における情報電荷の蓄積を説明する図である。It is a figure explaining accumulation | storage of the information charge at the time of imaging. 従来のCCD固体撮像素子における撮像時及び転送時に転送電極へ供給されるクロックパルスのタイミングチャートを示す図である。It is a figure which shows the timing chart of the clock pulse supplied to the transfer electrode at the time of the imaging in the conventional CCD solid-state image sensor, and transfer.

符号の説明Explanation of symbols

2d 出力部、2i 撮像部、2h 水平転送部、2s 蓄積部、9 半導体基板、10 半導体基板(N−SUB)、11,12 ウェル、13 絶縁膜、14 分離領域、22 チャネル領域、24 転送電極、30 転送電極、32 フィルタ、34 画素の列、50 ポテンシャル井戸、100 撮像装置、102 CCD固体撮像素子、104 タイミング制御回路、106 駆動ドライバ、200 撮像装置、202 CCD固体撮像素子、204 タイミング制御回路、206 駆動ドライバ、208 出力信号処理部。   2d output unit, 2i imaging unit, 2h horizontal transfer unit, 2s storage unit, 9 semiconductor substrate, 10 semiconductor substrate (N-SUB), 11, 12 well, 13 insulating film, 14 isolation region, 22 channel region, 24 transfer electrode , 30 transfer electrode, 32 filter, 34 pixel row, 50 potential well, 100 imaging device, 102 CCD solid-state imaging device, 104 timing control circuit, 106 drive driver, 200 imaging device, 202 CCD solid-state imaging device, 204 timing control circuit 206 Drive driver, 208 Output signal processing unit.

Claims (10)

外部からの光を受けて情報電荷を生成する複数の画素を有し、各画素は情報電荷の転送方向と交差する方向に向けて延伸された複数の転送電極を備える撮像部を含み、
画素に入射される光に応答して発生した情報電荷を転送電極の作用により形成したポテンシャル井戸を利用して蓄積及び転送する撮像装置であって、
前記情報電荷の転送方向に沿って連続する12の転送電極群を1組として、1組に含まれる各転送電極には8相のクロックパルスのいずれか1つが印加されることを特徴とする撮像装置。
It has a plurality of pixels that generate information charges by receiving light from the outside, and each pixel includes an imaging unit that includes a plurality of transfer electrodes extended in a direction crossing the information charge transfer direction,
An imaging device that accumulates and transfers information charges generated in response to light incident on a pixel using a potential well formed by the action of a transfer electrode,
An image pickup characterized in that a group of twelve transfer electrodes continuous along the information charge transfer direction is one set, and any one of eight-phase clock pulses is applied to each transfer electrode included in the set. apparatus.
請求項1に記載の撮像装置において、
撮像時には、実質的に互いに分離された複数のポテンシャル井戸に情報電荷を蓄積し、
転送時には、転送方向に沿って連続する2つの転送電極毎に実質的に同相のクロックパルスを印加することによって前記情報電荷を転送することを特徴とする撮像装置。
The imaging device according to claim 1,
During imaging, information charges are accumulated in a plurality of potential wells substantially separated from each other,
At the time of transfer, the information charge is transferred by applying substantially in-phase clock pulses to every two transfer electrodes that are continuous along the transfer direction.
請求項1又は2に記載の撮像装置において、
撮像時において少なくとも2つのポテンシャル井戸に蓄積された情報電荷を転送方向に沿って加算合成した後に転送することを特徴とする撮像装置。
The imaging device according to claim 1 or 2,
An image pickup apparatus that transfers information charges accumulated in at least two potential wells at the time of image pickup after being added and synthesized along a transfer direction.
請求項3に記載の撮像装置において、
前記加算合成される情報電荷は、異なる長さの撮像期間において少なくとも2つのポテンシャル井戸に蓄積された情報電荷であることを特徴とする撮像装置。
The imaging device according to claim 3.
The information charge to be added and combined is information charge accumulated in at least two potential wells in imaging periods of different lengths.
請求項1〜4のいずれか1つに記載の撮像装置において、
前記1組の転送電極群は、情報電荷の転送方向に沿って第1から第12の転送電極が順に配置されたものであり、
第1の転送電極及び第7の転送電極に第1の相のクロックパルスが印加され、
第2の転送電極に第2の相のクロックパルスが印加され、
第3の転送電極及び第9の転送電極に第3の相のクロックパルスが印加され、
第4の転送電極及び第10の転送電極に第4の相のクロックパルスが印加され、
第5の転送電極に第5の相のクロックパルスが印加され、
第6の転送電極及び第12の転送電極に第6の相のクロックパルスが印加され、
第8の転送電極に第7の相のクロックパルスが印加され、
第11の転送電極に第8の相のクロックパルスが印加されることを特徴とする撮像装置。
In the imaging device according to any one of claims 1 to 4,
The one set of transfer electrode groups includes first to twelfth transfer electrodes arranged in order along a transfer direction of information charges,
A first phase clock pulse is applied to the first transfer electrode and the seventh transfer electrode,
A second phase clock pulse is applied to the second transfer electrode;
A third phase clock pulse is applied to the third transfer electrode and the ninth transfer electrode,
A fourth phase clock pulse is applied to the fourth transfer electrode and the tenth transfer electrode,
A fifth phase clock pulse is applied to the fifth transfer electrode;
A sixth phase clock pulse is applied to the sixth transfer electrode and the twelfth transfer electrode,
A seventh phase clock pulse is applied to the eighth transfer electrode;
An imaging device, wherein an eighth phase clock pulse is applied to the eleventh transfer electrode.
請求項1〜4のいずれか1つに記載の撮像装置において、
前記1組の転送電極群が配置された画素群は、異なる2つ以上の波長領域のいずれかに応答して発生する情報電荷を蓄積するものであって、
情報電荷の転送方向に沿って連続する3つの転送電極が1つの波長領域に応答して発生する情報電荷を蓄積する画素に対応することを特徴とする撮像装置。
In the imaging device according to any one of claims 1 to 4,
The pixel group in which the one set of transfer electrode groups is arranged accumulates information charges generated in response to any of two or more different wavelength regions,
An imaging apparatus, wherein three transfer electrodes that are continuous along a transfer direction of information charges correspond to pixels that store information charges generated in response to one wavelength region.
外部からの光を受けて情報電荷を生成する複数の画素を有し、各画素は情報電荷の転送方向と交差する方向に向けて延伸された複数の転送電極を備える撮像部を含み、画素に入射される光に応答して発生した情報電荷を転送電極の作用により形成したポテンシャル井戸を利用して蓄積及び転送する撮像装置、
の制御装置であって、
前記情報電荷の転送方向に沿って連続する12の転送電極群を1組として、1組に含まれる各転送電極に8相のクロックパルスのいずれか1つを印加することを特徴とする制御装置。
The pixel includes a plurality of pixels that generate information charges by receiving light from the outside, and each pixel includes an imaging unit that includes a plurality of transfer electrodes that extend in a direction intersecting the information charge transfer direction. An imaging device for storing and transferring information charges generated in response to incident light using a potential well formed by the action of a transfer electrode;
A control device of
A control device characterized in that a group of twelve transfer electrodes continuous along the information charge transfer direction is set as one set, and any one of eight-phase clock pulses is applied to each transfer electrode included in the set. .
請求項7に記載の制御装置において、
情報電荷の転送時には、転送方向に沿って連続する2つの転送電極毎に実質的に同相のクロックパルスを印加することを特徴とする制御装置。
The control device according to claim 7,
A control device characterized by applying substantially in-phase clock pulses to each of two transfer electrodes that are continuous along the transfer direction when transferring information charges.
外部からの光を受けて情報電荷を生成する複数の画素を有し、各画素は情報電荷の転送方向と交差する方向に向けて延伸された複数の転送電極を備える撮像部を含み、画素に入射される光に応答して発生した情報電荷を転送電極の作用により形成したポテンシャル井戸を利用して蓄積及び転送する撮像装置、
の制御方法であって、
前記情報電荷の転送方向に沿って連続する12の転送電極群を1組として、1組に含まれる各転送電極に8相のクロックパルスのいずれか1つを印加することを特徴とする制御方法。
The pixel includes a plurality of pixels that generate information charges by receiving light from the outside, and each pixel includes an imaging unit that includes a plurality of transfer electrodes that extend in a direction intersecting the information charge transfer direction. An imaging device that stores and transfers information charges generated in response to incident light using a potential well formed by the action of a transfer electrode;
Control method,
A control method characterized in that one set of 12 transfer electrode groups that are continuous along the information charge transfer direction is applied to any one of eight-phase clock pulses to each transfer electrode included in one set. .
請求項9に記載の制御方法において、
情報電荷の転送時には、転送方向に沿って連続する2つの転送電極毎に実質的に同相のクロックパルスを印加することを特徴とする制御方法。
The control method according to claim 9, wherein
A control method characterized by applying substantially in-phase clock pulses to each of two continuous transfer electrodes along the transfer direction when transferring information charges.
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