JP2005332249A - メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリのデータ転送方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フラッシュメモリ10は、データを入出力するブロックを例えば2つ備え、フラッシュメモリインターフェース26は、フラッシュメモリ10の各ブロックに対応するインターフェースを2つ備え、また、監視制御部を備える。監視制御部は、2つのインターフェースから送信される処理要求信号に対して、2つのインターフェースによるデータ転送が交互に行われるように、許可信号の送信タイミングを設定し、この許可信号を2つのインターフェースに送信する。
【選択図】図1
Description
このときには、ブロックと称される予め定められた数のメモリセルが、全て同時に消去状態になる。この一括消去動作は、一般に、「ブロック消去」と称されている。
データを記憶する複数のフラッシュメモリとの間でデータ転送を行うメモリコントローラにおいて、
前記複数のフラッシュメモリとの間でデータ転送を行うためのデータを記憶するデータ記憶部と、
前記データ記憶部と前記各フラッシュメモリとの間に、前記各フラッシュメモリに対応して備えられ、データ転送を要求する処理要求信号を送信し、データ転送を許可する許可信号を受信して、対応するフラッシュメモリと前記データ記憶部との間でデータ転送を行う複数のデータ転送部と、
前記複数のデータ転送部から送信された複数の処理要求信号を受信して、前記各データ転送部によるデータ転送が順番に行われるように送信タイミングを設定した許可信号を、前記各データ転送部に送信する転送制御部と、を備えたことを特徴とする。
前記データ記憶部は、前記転送対象のデータを保持するものとして、前記各フラッシュメモリの各ページに対応する量のデータ保持が可能な複数のデータ保持部が備えられたものであり、
前記各データ保持部は、データが供給されたものから順に、データが排出されるように構成されたものであってもよい。
データを記憶する複数のフラッシュメモリと、
請求項1乃至4のいずれか1項に記載のメモリコントローラと、を備えたことを特徴とする。
データを記憶する複数のフラッシュメモリとの間でデータ転送を行うために、前記各フラッシュメモリに対応して備えられた複数のデータ転送部から、データ転送を要求する処理要求信号を受信するステップと、
前記各フラッシュメモリとのデータ転送が順番に行われるように、前記データ転送を許可するための許可信号を送信する送信タイミングを設定するステップと、
前記送信タイミングに従って、各データ転送部に前記許可信号を送信するステップと、を備えたことを特徴とする。
本実施形態に係るフラッシュメモリシステムの構成を図1に示す。
本実施形態に係るフラッシュメモリシステム1は、通常、ホストシステム2に着脱可能に装着されて使用され、ホストシステム2に対して一種の外部記憶装置として用いられるものである。
バッファ24は、処理要求信号REQ1’に応答して許可信号ACK1を監視制御部27に送信する。監視制御部27は、バッファ24から許可信号ACK1を受信してインターフェース26−1に許可信号ACK1’を送信する。監視制御部27は、インターフェース26−1に許可信号ACK1’を送信すると、インターフェース26−1が次にデータ転送を行う順序をインターフェース26−0よりも後として記憶する。
バッファ24は、処理要求信号REQ0’に応答して許可信号ACK0を監視制御部27に送信する。監視制御部27は、バッファ24から許可信号ACK0を受信してインターフェース26−0に許可信号ACK0’を送信する。監視制御部27は、インターフェース26−0に許可信号ACK0’を送信すると、インターフェース26−0が次にデータ転送を行う順序をインターフェース26−1よりも後として記憶する。
フラッシュメモリシステム1がホストシステム2に装着されると、フラッシュメモリシステム1は、外部バス31を介してホストシステム2に接続される。
フラッシュメモリシステム1は、供給されたデータを、ホストインターフェース21を介してコントローラ20の内部に取り込む。
インターフェース26−0,26−1に接続されたフラッシュメモリ10は、図8(a)、(c)に示すように、時刻t10、t11(t10<t11)において、ビジー信号として、それぞれ、信号S12,信号S10をL(低)レベルからHレベル(高レベル)に立ち上げるものとする。尚、ビジー信号のLレベルは、処理中であることを示し、Hレベルは、待機中であることを示す。
ステップ2:データ保持部24Bのデータ→チップ10−1
ステップ3:データ保持部24Cのデータ→チップ10−0
ステップ4:データ保持部24Aのデータ→チップ10−1
ステップ5:データ保持部24Bのデータ→チップ10−0
・・・
フラッシュメモリ10からのデータの読み出し処理についても、監視制御部27は、データの書き込み処理と同じように、図7(a)〜(c)に示すパターン1〜3に従って、処理要求信号と許可信号との送信タイミングを調整する。
インターフェース26−0,26−1は、それぞれ、コマンド信号C、アドレス信号Aを、順次、フラッシュメモリ10に出力する。コマンド信号Cは、フラッシュメモリ10から、データを読み出すコマンドである。
ステップ2:チップ10−1のデータ→データ保持部24B
ステップ3:チップ10−0のデータ→データ保持部24C
ステップ4:チップ10−1のデータ→データ保持部24A
ステップ5:チップ10−0のデータ→データ保持部24B
・・・
例えば、上記実施の形態では、フラッシュメモリ10に対するインターフェース26−0,26−1を、独立した2系統のバスで構成した場合について説明した。しかし、系統数は、特に限定されるものではなく、3系統以上のバスで構成されてもよい。
2 ホストシステム
10 フラッシュメモリ
10−0,10−1 チップ
20 コントローラ
24 バッファ
26 フラッシュメモリインターフェース
26−0,26−1 インターフェース
27 監視制御部
Claims (6)
- データを記憶する複数のフラッシュメモリとの間でデータ転送を行うメモリコントローラにおいて、
前記複数のフラッシュメモリとの間でデータ転送を行うためのデータを記憶するデータ記憶部と、
前記データ記憶部と前記各フラッシュメモリとの間に、前記各フラッシュメモリに対応して備えられ、データ転送を要求する処理要求信号を送信し、データ転送を許可する許可信号を受信して、対応するフラッシュメモリと前記データ記憶部との間でデータ転送を行う複数のデータ転送部と、
前記複数のデータ転送部から送信された複数の処理要求信号を受信して、前記各データ転送部によるデータ転送が順番に行われるように送信タイミングを設定した許可信号を、前記各データ転送部に送信する転送制御部と、を備えた、
ことを特徴とするメモリコントローラ。 - 前記各フラッシュメモリは、ページ単位でデータの入出力が行われるものであって、
前記データ記憶部は、前記転送対象のデータを保持するものとして、前記各フラッシュメモリの各ページに対応する量のデータ保持が可能な複数のデータ保持部が備えられたものであり、
前記各データ保持部は、データが供給されたものから順に、データが排出されるように構成されたものである、
ことを特徴とする請求項1に記載のメモリコントローラ。 - 前記転送制御部は、前記データ記憶部と前記各フラッシュメモリとの間で行われるデータ転送の順序を判別し、前記順序が後と判別したデータ転送部からの処理要求信号を、前記順序が先と判別したデータ転送部からの処理要求信号よりも先に受信したときは、前記順序が先と判別したデータ転送部に許可信号を送信して前記対応するフラッシュメモリとの間でデータ転送が行われてから、前記順序が後と判別したデータ転送部に許可信号を送信するように、前記各データ転送部への許可信号の送信タイミングを設定する、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のメモリコントローラ。 - 前記転送制御部は、前記フラッシュメモリとの間でデータ転送を行ったデータ転送部が次にデータ転送を行うべき順序を最後尾とする、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のメモリコントローラ。 - データを記憶する複数のフラッシュメモリと、
請求項1乃至4のいずれか1項に記載のメモリコントローラと、を備えた、
ことを特徴とするフラッシュメモリシステム。 - データを記憶する複数のフラッシュメモリとの間でデータ転送を行うために、前記各フラッシュメモリに対応して備えられた複数のデータ転送部から、データ転送を要求する処理要求信号を受信するステップと、
前記各フラッシュメモリとのデータ転送が順番に行われるように、前記データ転送を許可するための許可信号を送信する送信タイミングを設定するステップと、
前記送信タイミングに従って、各データ転送部に前記許可信号を送信するステップと、を備えた、
ことを特徴とするフラッシュメモリのデータ転送方法。
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JP2004150628A JP4273038B2 (ja) | 2004-05-20 | 2004-05-20 | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリのデータ転送方法 |
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JP2007334863A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Samsung Electronics Co Ltd | フラッシュメモリシステム、そのプログラムのためのホストシステム及びプログラム方法 |
JP2008052728A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Samsung Electronics Co Ltd | フラッシュメモリシステム及びそのプログラム方法 |
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