JP2005322832A - 配線基板およびそれを使用したチップ形電子部品 - Google Patents
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Abstract
特に、トランスファモ−ルド法で小形で低背・高密度の端面電極を有するチップ形部品とするには困難であった。
【解決手段】上記の課題を解決するため、トランスファモ−ルド法に最適な配線基板を形成し、充填部材が充填されている非貫通導通穴を有する配線基板と、前記配線基板に搭載する部品素子と、前記搭載した部品素子を被覆する封止物質と、前記配線基板の非貫通導通穴のほぼ中心を分割切断して形成する非貫通導通溝を外部との電気的な接続をする端面電極とする電子部品であって、この充填部材の下端は配線基板の下端面に陥没してなる非貫通導通溝であり、この非貫通導通溝の下端面の陥没部に金属導体が露呈した端面電極を形成するチップ形電子部品を供給する。
【選択図】 図4
Description
配線基板に電子部品素子を実装し、その後配線基板の配線パタ−ンや電子部品素子を樹脂モ−ルドして樹脂封止をし端面電極を有するチップ形電子部品とするには、貫通導通穴の内部に封止樹脂が侵入しないように貫通導通穴の上面側(樹脂封止側)に封止樹脂が配線基板の貫通導通穴に侵入しないように封止樹脂の侵入を阻止する阻止部材(フィルム、テ−プ、基材など)を配線基板の上面側に新たに設けなければならない。
これは、貫通導通穴の上面側に樹脂の侵入を阻止する部材にフィルム、テ−プなどの絶縁膜を使用するものである。
しかし、貫通導通穴の上面を塞ぐ部材が絶縁テ−プ、フィルム状などの絶縁性の膜状体は通常薄い絶縁性被膜であると実装した電子部品素子を樹脂で封止する圧力が高くなると、この圧力によって絶縁性膜状体が陥没したり、破けたり、貫通導通穴の内部に封止樹脂が侵入する。
この薄い絶縁性膜状体(被膜)は、機械的強度が不足し、樹脂で封止する熱や圧力が高いトランスファモ−ルド法では、高い圧力と熱によって非貫通導通穴の薄い被膜が陥没したり、破損する危険性が多いため厚い絶縁体が必要となりチップ形電子部品の低背化、薄厚化、高密度化が困難となる。
この非貫通導通穴を閉鎖する導体は通常薄い被膜であるため、機械的な抗張力が不足し、樹脂で封止する温度や圧力が高いトランスファモ−ルド法では、高い圧力と熱によって非貫通導通穴の薄い被膜が陥没したり、破損し品質低下と端面電極不良が発生する危険性が多い。
上記の防止部材を配線基板の上面に張り合わせる為、チップ形電子部品の低背化、薄厚化、高密度化が困難となり、また分割切断時の端面電極の不良発生と接続信頼性が低下していた。
本発明は、トランスファモ−ルド法の高温の熱や高い圧力に耐えうる封止樹脂の侵入を阻止する防止部材を貫通導通穴の穴内の部品搭載面側のみに形成して、超薄型でかつ小型、高精細の非貫通導通穴とするものである。
特に充填部材が充填されている多数の非貫通導通穴を有する大版の配線基板に部品素子又は電子部品を一定の配列で搭載し、前記搭載した多数の部品素子又は電子部品の全体を封止物質で平坦に被覆した後、前記大版の配線基板に一定の配列で形成された多数の非貫通導通穴を複数の分割切断線で分割切断して非貫通導通溝からなる複数の端面電極を個々のチップ形電子部品に効率良く多数形成する高品質と高い接続信頼性で大量生産するものである。
また、配線基板の非貫通導通穴のほぼ中心を多分割切断して超薄型でかつ小型、高精細の端面電極を形成するものである。
また、端面電極は一つの面に複数個形成することも、対面又は対角に非対称に形成してもよく、さらにチップ形電子部品の一つの角部(コーナー)にのみ設けても良い。
本願の配線基板は多層配線板のブラインドビアとは構成も形成方法も単純で両面配線基板の両面外層導体を電気的に直接接続する充填部材を非貫通導通穴内部の上方(部品搭載面側)のみに充填した非貫通導通穴を形成できる。
また、充填部材の下端は貫通導通穴の下面から均一な安定した深さで陥没してなる陥没部には、はんだ付け性のよい金属導体が露呈した端面電極を形成するものであるから接続信頼性の高い高密度の外部との電気的な接続をする端面電極が形成できる。
以下、図1を参照してアディティブ法で説明する。
まず、乳液状の接着剤が塗布された絶縁基材2の所定の箇所にNCドリリングマシンにより、穴明け加工を施して貫通穴とする。次にこの多数の貫通穴と絶縁基材2の両面の所定の箇所に所望する形状で銅めっきをし、絶縁基材2の両面に所定の形状のパタ−ンである銅めっき導体4(外層導体)と、この絶縁基材2の両面に形成されたパタ−ン(外層導体)を電気的に直接接続する貫通穴内壁のめっき導体4で貫通導通穴(めっきスル−ホ−ル)を形成する。
次に上記貫通導通穴内部の上方(部品搭載面側)のみに充填部材6を充填し非貫通導通穴7を形成する。
通常では上記充填部材6は配線基板の板厚の50%以上としてトランスファモ−ルド法の高温・高圧に耐えうる封止樹脂の侵入を阻止できる阻止部材とする。
また、充填部材6の下端は非貫通導通穴7の下面から均一な安定した深さで陥没してなる凹形の陥没部には、はんだ付け性のよい金属導体が露呈した端面電極を形成するものである
それから充填した充填部材6を半硬化し、非貫通導通穴7の充填部材6の上端面が平坦となるように研磨する。
この非貫通導通穴7の下端面の非貫通導通穴の凹形状の陥没部の非貫通導通穴7内壁には金属導体が露呈している。
次にこの配線基板1の部品搭載面に電子部品素子を実装した後、該非貫通導通穴7の分割切断線18上で端面電極用の非貫通導通穴7のほぼ中心を分割切断(ダイシングカット)して非貫通導通溝となる端面電極を形成するものである。
まず、図2に示すように、配線基板1の非貫通導通穴7内の穴埋め充填部材6を配線基板1の下面側から炭酸ガスレーザー加工により余分の穴埋め樹脂を除去した後、この絶縁基材2の非貫通導通穴7の下端部に形成する陥没部の内壁と底面部及び下部の下面外層導体面、そして非貫通導通穴7の上端面と上部外層導体部面にめっき導体8を形成する。
従って、配線基板1の部品搭載面の上部外層導体と下面外層導体のめっき導体8とは非貫通導通穴7内の内壁のめっき導体4を介して電気的に接続される。
大版の配線基板101の分割切断線18上、又はその交点には非貫通導通穴7が多数配置されている。本例では非貫通導通穴7は長穴非貫通導通穴とし分割切断線18の線上(辺)と交点(角部)に配置した。
この大版の配線基板101に部品素子10を分割される個々の配線基板1に対応して一定の配列で部品素子10を多数搭載し、前記搭載した多数の部品素子10の全体を封止物質15で平坦に被覆した後、前記大版の配線基板101に一定の配列で形成された多数の非貫通導通穴7のほぼ中心の複数の縦.横との分割切断線18で分割切断して非貫通導通溝からなる複数の端面電極を個々のチップ形電子部品の側面の下部に効率良く多数形成する。
尚、充填部材6の下端は貫通導通穴の下面から均一な深さで陥没してなるエポキシ樹脂系の部材である非貫通導通溝13を有するチップ形電子部品105とする。
この端面電極9の下端部に形成する凹形状に陥没している非貫通導通溝13は半田付け性のよい金属導体が露呈しており、この非貫通導通溝13の内周部が半円筒状で下端部のみが外部に露呈した端面電極9となり電気的及びはんだ接続信頼性の高い端面電極9を形成するものである。
樹脂の軟化点温度(Tg)はエポキシ樹脂系は120〜140℃、アクリル樹脂系は70〜100℃であり、樹脂の軟化点温度が低いと穴埋め樹脂が軟化し変形したり、非貫通導通穴から抜けてしまう。
7…非貫通導通穴、8…金属導体、9…端面電極、10…部品素子
13…非貫通導通溝、15…封止樹脂、18…分割切断線。
Claims (3)
- 複数の非貫通導通穴を配置する配線基板において、この配線基板の該非貫通導通穴を介して両面の外層導体を電気的に直接接続する非貫通導通穴であり、前記配線基板の非貫通導通穴は非貫通導通穴内部の上方(部品搭載面側)のみに充填された充填部材と、この充填部材の下部は金属導体が露呈した凹形陥没部とからなる非貫通導通穴を有する配線基板。
- 多数の貫通導通穴を有する大版の配線基板と、前記貫通導通穴の上面を塞ぐ封止物質の侵入を防ぐ防止部材と、前記配線基板に搭載する部品素子又は電子部品と、前記搭載した部品素子又は電子部品を被覆する封止物質とから形成される電子部品において、前記の封止物質の侵入を防ぐ防止部材を不要とし、大版の配線基板の貫通導通穴内部の部品搭載面側のみに充填された充填部材で封止物質の侵入を防止する非貫通導通穴とし、該非貫通導通穴は非貫通導通穴内部の上方のみに充填された充填部材と、この非貫通導通穴内の充填部材の下部は金属導体が露呈した凹形陥没部とからなる非貫通導通穴であり、大版の配線基板に部品素子又は電子部品を搭載し、前記搭載した部品素子又は電子部品を封止物質で被覆した後、該大版配線基板の非貫通導通穴のほぼ中心を多分割切断して形成する非貫通導通溝を外部との電気的な接続をする端面電極(側面電極)とすることを特徴とするチップ形電子部品。
- 請求項2のチップ形電子部品において、端面電極が少なくとも一つの対面、又は対角に形成されていることを特徴とするチップ形電子部品。
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