JP2005312077A - 高周波回路モジュールおよび通信機 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 誘電体と誘電体に挟まれた内導体102とを備えた多層回路基体と、内導体に電気的に接続される同軸線路107とを有し、多層回路基体に内導体と接続される回路素子を実装する高周波回路モジュールにおいて、誘電体の一部を除去することによって、内導体の端部が露出した第1の露出部106と、露出した内導体の端部と電気的に接続される同軸線路が露出面に載置される第2の露出部204とが設けられ、第1の露出部の露出面と第2の露出部の露出面との間で段差が設けられ、第1の露出部で、露出した内導体の端部と同軸線路の中心導体とが電気的に接続される。
【選択図】 図4
Description
前記第1の露出部の露出面と前記第2の露出部の露出面との間で段差が設けられ、前記第1の露出部で、露出した前記内導体の端部と前記同軸線路の中心導体とが電気的に接続されることを特徴とする。
また、本発明の高周波回路モジュールは、誘電体と前記誘電体に挟まれた内導体とを備えた多層回路基体と、該内導体に電気的に接続される同軸線路とを有し、該多層回路基体に該内導体と接続される回路素子を実装する高周波回路モジュールにおいて、
前記誘電体の一部を除去することによって、前記多層回路基体の端部に前記内導体の端部が露出した露出部を設け、前記露出部で、露出した前記内導体の端部と前記同軸線路の中心導体とが電気的に接続され、
前記同軸線路を貫通させる孔を備え且つ露出した前記内導体の端部と前記同軸線路の中心導体との接続部分を少なくとも覆う導体ケースを有し、
前記導体ケースは前記孔において前記同軸線路の外導体と電気的に接続されるとともに、前記多層回路基体の前記誘電体を間に挟む導体に電気的に接続されており、
前記導電ケースと前記接続部分との間の間隔が、前記接続部分における特性インピーダンスと、前記同軸線路の特性インピーダンスと、前記誘電体に挟まれた内導体を有するストリップ線路の特性インピーダンスとが整合するように設定されていることを特徴とする。
また、本発明の通信機は、上記高周波回路モジュールを高周波信号処理部に搭載することを特徴とする。
図1(a)は、本発明の実施形態1の高周波集積回路モジュールを概念的に示した斜視図である。図1(b)は、図1(a)の同軸線路方向の断面図である。図1(b)には、導体線であるところの内導体102を第1及び第2のグランド103、104が設けられた誘電体で挟んでなるストリップ線路105が形成されたたとえば2層構造からなる多層回路基板101を搭載した高周波集積回路モジュールを示している。
図2(a)は、本発明の実施形態2の高周波集積回路モジュールを概念的に示した斜視図である。図2(b)は、図2(a)の同軸線路方向の断面図である。図2において、204は同軸線路107に構造的に負荷をかかりにくくするために設けた露出接続部である。なお、図2では、図1に示した部分と同様の部分には、同一符号を付している。
図3(a)は、本発明の実施形態3の高周波集積回路モジュールを概念的に示した斜視図である。図3(b)は、図3(a)の同軸線路方向の断面図である。本実施形態では、5層構造の多層回路基板301を用いている。
図4(a)は、本発明の実施形態4の高周波集積回路モジュールを概念的に示した斜視図である。図4(b)は、図4(a)の同軸線路方向の断面図である。図4(c)は、図4(b)のA−A’面における断面図である。図4(d)は、図4(b)のB−B’面における断面図である。図4において、403は多層回路基板301の端部である。なお、図4では、図3に示した部分と同様の部分には、同一符号を付している。
図5(a)は、本発明の実施形態5の高周波集積回路モジュールを概念的に示した斜視図である。図5(b)は、図5(a)の同軸線路方向の断面図である。図5(c)は、図5(b)のA−A’面における断面図である。図5(d)は、図5(b)のB−B’面における断面図である。図5(e)は、図5(b)のC−C’面における断面図である。
図6(a)は、本発明の実施形態6の高周波集積回路モジュールを概念的に示した斜視図である。図6(b)は、図6(a)の同軸線路方向の断面図である。本実施形態では、多層回路基板301の幅Wと露出接続部106,204の幅とを一致させている。なお、図6では、図5に示した部分と同様の部分には、同一符号を付している。ちなみに、幅Wはたとえばここでは2mm程度としている。
図7(a)は、図5に示した高周波集積回路モジュールとその送受信端子付近を覆う導電体であるところの銅などからなる金属ケースの斜視図である。図7(b)は、図7(a)の同軸線路方向の断面図である。図7(c)は図7(a)の状態から高周波集積回路モジュールに金属ケース701を装着してこれらを半田付けにより接着固定している様子を示す図である。
図10は、図3に示す高周波集積回路モジュールの露出接続部106の上部を金属平板901で覆った状態を示す斜視図である。金属平板901には、同軸線路107の外径と同程度の大きさの直径を有する孔905を備えており、孔905に同軸線路107を通して、金属平板901と同軸線路107とを半田904で接着固定し、さらに、金属平板901と高周波集積回路モジュールとを半田907で接着固定している。
図12(a)は、本発明の実施形態9の高周波集積回路モジュールを概念的に示した斜視図である。図12(b)は、図12(a)の同軸線路方向の断面図である。本実施形態では、通常使用されるストリップ線路105及び同軸線路107の特性インピーダンスを50Ω程度とするための手法を説明する。
図13は、図6に示した高周波集積回路モジュールとその送受信端子付近を覆う銅などからなる金属ケースの斜視図である。図13(b)は、図13(a)の同軸線路方向の断面図である。図13(c)は、図13(a)の状態から高周波集積回路モジュールに金属ケース1201を装着してこれらを半田により接着固定している様子を示す図である。
102 内導体
103 第1のグランド
104 第2のグランド
105 ストリップ線路
106,204 露出接続部
107 同軸線路
108 中心導体
109 露出部
110,113,317 半田
111 ヴィア
112 外導体
307 第3のグランド
308 第4のグランド
309 ヴィア
311 第5のグランド
403 端部
505 切り欠き
701 金属ケース
702 金属平板
709 金属平板
711 孔
Claims (9)
- 誘電体と前記誘電体に挟まれた内導体とを備えた多層回路基体と、該内導体に電気的に接続される同軸線路とを有し、該多層回路基体に該内導体と接続される回路素子を実装する高周波回路モジュールにおいて、
前記誘電体の一部を除去することによって、前記内導体の端部が露出した第1の露出部と、露出した前記内導体の端部と電気的に接続される前記同軸線路が露出面に載置される第2の露出部とが設けられ、
前記第1の露出部の露出面と前記第2の露出部の露出面との間で段差が設けられ、前記第1の露出部で、露出した前記内導体の端部と前記同軸線路の中心導体とが電気的に接続されることを特徴とする高周波回路モジュール。 - 前記同軸線路が取り出せるような孔を設けた導電ケースで、露出した前記内導体の端部と前記同軸線路の中心導体との接続部分を覆うことを特徴とする請求項1に記載の高周波回路モジュール。
- 前記第1の露出部は、前記回路素子からの電磁波の影響を受けにくい位置に設けることを特徴とする請求項1又は2に記載の高周波回路モジュール。
- 前記内導体は、露出した前記内導体の端部と前記同軸線路の中心導体との接続部分に向けてテーパ状に形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の高周波回路モジュール。
- 前記第2の露出部の露出面の一部はグランドの表面であって、前記同軸線路の外導体を該グランドに導通させていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の高周波回路モジュール。
- 前記導電ケースと、露出した前記内導体の端部と前記同軸線路の中心導体との接続部分との間隔を変えることにより該接続部分における特性インピーダンスをマッチングさせることを特徴とする請求項3から5のいずれか1項に記載の高周波回路モジュール。
- 露出した前記内導体の端部と前記同軸線路の中心導体との接続部分を挟んで前記第1の露出部に対向する前記多層回路基体の誘電体の厚さを変えることにより該接続部分における特性インピーダンスをマッチングさせることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の高周波回路モジュール。
- 前記誘電体はセラミック又はアルミナであることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の高周波回路モジュール。
- 請求項1から8のいずれか1項に記載の高周波回路モジュールを高周波信号処理部に搭載することを特徴とする通信機。
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