JP2005303019A - 直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯およびそれを用いたインダクタンス部品 - Google Patents
直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯およびそれを用いたインダクタンス部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005303019A JP2005303019A JP2004117419A JP2004117419A JP2005303019A JP 2005303019 A JP2005303019 A JP 2005303019A JP 2004117419 A JP2004117419 A JP 2004117419A JP 2004117419 A JP2004117419 A JP 2004117419A JP 2005303019 A JP2005303019 A JP 2005303019A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- core
- magnet
- thin film
- magnetic core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
【課題】 優れたコアロス特性と直流重畳特性を有する直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯およびそれを用いたインダクタンス部品を得る。
【解決手段】 磁路の少なくとも1箇所以上にギャップを有する磁芯であって、そのギャップ部に固有保磁力が5K×103/4πA/m以上、Tcが300℃以上の希土類磁石薄膜をスパッタリング、または蒸着する直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯であって、前記希土類磁石薄膜は、フェライト系の基板の上に形成されており、前記フェライト系の基板が、前記ギャップに配置されており、前記直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯と、前記磁芯の磁路に施された、少なくとも1ターン以上の巻線4とで構成されたインダクタンス部品10とする。
【選択図】 図3
Description
本発明は、スイッチング電源などに使用されるのに好適な、直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯およびそれを用いたインダクタンス部品に関する。
チョークコイル用及びトランス用磁芯には、良好な直流重畳特性が求められており、高周波用の磁芯にはフェライトや圧粉磁芯が使用されている。フェライト磁芯は、初透磁率が高く飽和磁束密度が小さい、圧粉磁芯は初透磁率が低く飽和磁束密度が高い、という材料物性に由来した特徴がある。従って、圧粉磁芯は、トロイダル形状で用いられることが多く、フェライトは、例えばE型コアの中足にギャップを挿入してEEコアで用いられることが多い。
しかし、近年の電子機器の小型化に伴う電子部品の小型化の要求により、より大きな重畳磁界における、より高い透磁率が強く求められている。一般に、直流重畳特性を向上させるためには、飽和磁化の高い磁芯を選択する事、つまり高磁界で磁気飽和しない磁芯の選択が必須とされている。しかし、飽和磁化は材料の組成で必然的に決まるものであり、無限に高く出来るものではない。そのため、従来の直流重畳特性を向上させる手段は、わずかな飽和磁化の向上に多大な労力が費やされている割には、直流重畳特性は期待されている程伸びていないのが現状であった。
その解決手段として、磁路の一箇所以上にギャップを挿入し、そのギャップに永久磁石を挿入することが従来から検討されてきた。この方法は、直流重畳特性を向上させるには優れた方法であるが、一方で金属焼結磁石を用いると磁芯のコアロスの増大が著しく、またフェライト磁石を用いると重畳特性が安定しない等、とても実用に耐え得るものではなかった。これらを解決する手段として、例えば特許文献1では、永久磁石として保磁力の高い希土類磁石粉末とバインダーとを混合し圧縮成形したボンド磁石を挿入することが示されており、直流重畳特性とコアの温度上昇が改善されたことが示されている。
しかし、近年、電源に対する電力変換効率向上の要求は、ますます厳しくなっており、チョークコイル用及びトランス用のコアについても単にコア温度を測定するだけでは優劣が判断不能なレベルとなっている。そのため、コアロス測定装置による測定結果の判断が不可欠であり、実際、本発明者等が検討を行った結果、特許文献1に示された抵抗率の値ではコアロス特性が劣化することが明らかになった。そこで、我々は、先願特許として特許文献2等にギャップに挿入する永久磁石として10k×103/4πA/m以上の固有保磁力、300℃以上のTc、1.0Ω・cm以上の比抵抗の永久磁石を挿入することでコアロスを低下させることなく、良好な直流重畳特性が得られることを発見している。
しかしながら、これらは磁石粉末を樹脂と混合し、ボンド磁石として作製するために、膜厚は数十ミクロン以上になり、超小型の磁芯に挿入するには膜厚が大きすぎた。これらを解決するために、磁石粉末粒径を小さくして膜厚を小さくしようとすると、保磁力や角型性が悪くなり、磁石特性が劣化するという問題が生じる。電子機器の小型化のニーズに対応させるため、ギャップに挿入する永久磁石が低膜厚化でき、且つ、高保磁力と高残留磁束密度、高Tc、低損失をあわせ持つバイアス磁石の開発が必要である。
本発明の課題は、上記問題点に鑑み、優れたコアロス特性と直流重畳特性を有する直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯およびそれを用いたインダクタンス部品を提供することである。
本発明は、前記課題を達成するべく挿入する永久磁石について検討した結果、磁芯のギャップ部に希土類磁石をスパッタリングすることにより、高保磁力、高残留磁束密度、且つ、数ミクロンオーダーからサブミクロンオーダーの低膜厚の磁石を挿入することに成功した。これらは、樹脂を使わないので、ボンド磁石に比べ高Br化ができ、しかも、配向が容易なことより、更なる高バイアスが期待される。しかしながら、これらは磁石部分の抵抗が低く、磁芯を高周波で使う際に大きな渦電流損失が生じ、効率が悪くなるという大きな問題点が生じる。
そこで我々は、この問題を解決すべく、スパッタリングした薄膜をメッシュ状に切断加工、もしくはスパッタ時にメッシュ状のマスクをすることにより、高周波使用時の渦電流半径を小さくし、渦電流損失を改善することに成功した。これにより、優れた直流重畳特性が得られ、しかもコアロス特性の劣化が生じない超小型バイアス磁芯を形成できることを発見した。スパッタリング、または蒸着する希土類磁石の種類は、ReCo5系、Re2Fe14B系、Re(Fe1-xTMx)12系などあるが、リフロー条件及び耐酸化性、信頼性を考慮すると、Tcが300℃以上、保磁力が5K×103/4πA/m以上の磁石薄膜に限定される。
チョークコイル用及びトランス用磁芯としては、軟磁気特性を有する材料であれば、なんでも有効であるが、一般的にはMnZn系フェライト又はNiZn系フェライト、圧粉磁芯、珪素鋼板、アモルファス等が用いられる。また、磁芯の形状についても特に制限があるわけではなく、トロイダルコア、EEコア、EIコア等あらゆる形状の磁芯に本発明の適用が可能である。これらコアの磁路の少なくとも1箇所以上にギャップを設け、そのギャップに希土類永久磁石をスパッタ、または蒸着する。ギャップ長に特に制限はないが、ギャップ長が狭すぎると直流重畳特性が劣化し、またギャップ長が広すぎると透磁率が低下しすぎるので、おのずから挿入するギャップ長は決まってくる。次に、ギャップにスパッタ、または蒸着される永久磁石に対する要求特性は、固有保磁力については信頼性の確保とヒステリシス損失を抑えるため5K×103/4πA/m以上の保磁力が必要である。また、スパッタ、または蒸着時にメッシュ状のマスクをするか、もしくはスパッタ・蒸着時に切断加工により細分化することにより、渦電流損失の劣化を抑えることができる。
即ち、本発明は、磁路の少なくとも1箇所以上にギャップを有する磁芯であって、そのギャップ部に固有保磁力が5K×103/4πA/m以上、Tcが300℃以上の希土類磁石薄膜をスパッタリング、または蒸着する直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯である。
また、本発明は、前記希土類磁石薄膜は、スパッタリング、または蒸着時にマスクすることにより、蒸着後の面内方向の薄膜の平均径が1mm以下に細分化された直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯である。
また、本発明は、前記希土類磁石薄膜はスパッタリング、または蒸着後に加工することにより、面内方向の薄膜の平均粒径が1mm以下に細分化されている直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯である。
また、本発明は、前記希土類磁石薄膜は、フェライト系の基板の上に形成されており、前記フェライト系の基板が、前記ギャップに配置された直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯である。
また、本発明は、前記希土類磁石薄膜は非磁性材料の基板の上に形成されており、前記非磁性材料の基板が、前記ギャップに配置された直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯である。
また、本発明は、前記記載の直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯と、前記磁芯の磁路に施された、少なくとも1ターン以上の巻線とで構成されたインダクタンス部品である。
本発明によれば、優れたコアロス特性と直流重畳特性を有する直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯およびそれを用いたインダクタンス部品を提供できる。
本発明の実施の形態による直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯およびそれを用いたインダクタンス部品について、以下説明する。
本発明の直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯は、磁路の少なくとも1箇所以上にギャップを有する磁芯であって、そのギャップ部に固有保磁力が5K×103/4πA/m以上、Tcが300℃以上の希土類磁石薄膜をスパッタリング、または蒸着する直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯であって、前記希土類磁石薄膜は、スパッタリング、または蒸着時にマスクすることにより、蒸着後の面内方向の薄膜の平均径が1mm以下に細分化されている。
また、本発明の直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯は、磁路の少なくとも1箇所以上にギャップを有する磁芯であって、そのギャップ部に固有保磁力が5K×103/4πA/m以上、Tcが300℃以上の希土類磁石薄膜をスパッタリング、または蒸着する直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯であって、前記希土類磁石薄膜は、スパッタリング、または蒸着後に加工することにより、面内方向の薄膜の平均粒径が1mm以下に細分化されている。
ここで、前記希土類磁石薄膜は、フェライト系の基板の上に形成されており、前記フェライト系の基板が、前記ギャップに配置されている。
このように、スパッタリングした薄膜をメッシュ状に切断加工、もしくはスパッタ時にメッシュ状のマスクをすることにより、高周波使用時の渦電流半径を小さくし、渦電流損失を改善することに成功した。これにより、優れた直流重畳特性が得られ、しかもコアロス特性の劣化が生じない超小型バイアス磁芯を形成できる。スパッタリング、または蒸着する希土類磁石の種類はReCo5系、Re2Fe14B系、Re(Fe1-xTMx)12系などあるが、リフロー条件及び耐酸化性、信頼性を考慮するとTcが300℃以上、保磁力が5K×103/4πA/m以上の磁石薄膜に限定される。
ここで、チョークコイル用及びトランス用磁芯としては軟磁気特性を有する材料であればなんでも有効であるが、一般的にはMnZn系フェライト又はNiZn系フェライト、圧粉磁芯、珪素鋼板、アモルファス等が用いられる。また、磁芯の形状についても特に制限があるわけではなく、トロイダルコア、EEコア、EIコア等あらゆる形状の磁芯に本発明の適用が可能である。
ここで、ギャップにスパッタ、または蒸着される永久磁石に対する要求特性は、固有保磁力については信頼性の確保とヒステリシス損失を抑えるため5K×103/4πA/m以上の保磁力が必要である。またスパッタ、または蒸着時にメッシュ状のマスクをするか、もしくはスパッタ・蒸着時に切断加工により細分化することにより、渦電流損失の劣化を抑えることができる。
また、前記希土類磁石薄膜は、アルミナ系の基板の上に形成されており、前記アルミナ系の基板が、前記ギャップに配置されている。ここで、前記の直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯と、前記磁芯の磁路に施された、少なくとも1ターン以上の巻線とでインダクタンス部品が構成される。
以下に、フェライトコアのギャップ上にSmCo5薄膜を作製し、そのコアの特性を測定し、比較を行った例を示す。試料はSmCo5ターゲット(ターゲット直径:38mm)を用い、DCマグネトロンスパッタ装置を用いてフェライトコア基板上に作製した。製膜速度は50nm/minで0.1mbarのAr(99.9999%)雰囲気中で作製した。また、スパッタ時に線径:0.1mmで目開きが、それぞれ0.5mm、1mm、1.5mmの3種類のメッシュでマスクをして、10.9mm×7.5mm×3mmのファライトコア板に約30μmの膜厚までスパッタを行なった。その後、作製されたSmCo5薄膜を800℃・Ar雰囲気中で20分間加熱を行った。
(実験方法)
作製条件
DCマグネトロンスパッタ装置
基板:MnZnフェライト板:10.9mm×7.5mm×3mm
マスク:メッシュ(線径:0.1mm、目開き:0.5mm、1mm、1.5mm)
着磁:4Tパルス着磁
雰囲気:Ar・0.1mbar
作製条件
DCマグネトロンスパッタ装置
基板:MnZnフェライト板:10.9mm×7.5mm×3mm
マスク:メッシュ(線径:0.1mm、目開き:0.5mm、1mm、1.5mm)
着磁:4Tパルス着磁
雰囲気:Ar・0.1mbar
(B−H特性測定)
・測定装置:VSM
・最大印加磁界:25k×103/4πA/m
(周波数特性)
・Yokogawa・Hewlett Packard製4194Aインピーダンスアナライザー
・交流磁場周波数:1kHz〜15MHz
(直流重畳特性)
・Hewlett Packard製4284ALCRメーター
・交流磁場周波数:100kHz
・重畳磁場:0〜500×103/4πA/m
・測定装置:VSM
・最大印加磁界:25k×103/4πA/m
(周波数特性)
・Yokogawa・Hewlett Packard製4194Aインピーダンスアナライザー
・交流磁場周波数:1kHz〜15MHz
(直流重畳特性)
・Hewlett Packard製4284ALCRメーター
・交流磁場周波数:100kHz
・重畳磁場:0〜500×103/4πA/m
また、作製された試料の磁気特性の結果を表1に示す。
固有保磁力については、信頼性の確保するため5K×103/4πA/m以上の保磁力が必要である。スパッタされたSmCo5薄膜は、保磁力が5K×103/4πA/m以上となり、Brも7500×10-4Tと、ボンド磁石に比較し、大きな値を示した。実験に用いたフェライトコアは、Mn−Zn系フェライト材(NECトーキン製BH2コア)で作製された磁路長7.5cm、実効断面積0.74cm2のEEコアであり、その中芯に3.05mmのギャップ加工をした。厚さ3mmフェライト板にスパッタされた3種類のSmCo5磁石を約4Tのパルス磁場で磁路方向に着磁後、そのギャップ部に挿入した。
このコアの直流重畳特性、周波数特性の測定を行なった。また、比較のため、スパッタされていないフェライト板のみを挿入したコアの測定も行なった(挿入後はGAP50μm)。この結果をそれぞれ図1、図2に示す。
図1より、フェライトコアのみに比べ、SmCo薄膜を挿入したコアは、50%以上重畳特性が伸び、良好な特性を示すことが分かった。また、メッシュの異なる3試料については重畳特性にほとんど違いは見られなかった。
図2より、周波数特性はSmCo薄膜を挿入したコアは0.5mm、1.0mmメッシュについては、フェライトコアのみの値とほぼ変わらない良好な特性を示すことが分かった。また、1.5mmメッシュについては1000kHzから周波数特性が落ち始め、大きく特性が劣化することが分かった。これは渦電流半径が大きくなったために、周波数統制が劣化したものと理解される。
以上より、スパッタにより作製された1.0mm以下に細分化されたSmCo5薄膜は、良好な直流重畳特性を示し、周波数特性も磁石を挿入しないコアとほぼ変わらない優れた特性を示すことが分かった。本実施例では、SmCo5をスパッタしたが、保磁力さえ5K×103/4πA/m以上あれば、NdFeB系等の他の希土類磁石を挿入しても同様な特性が出ることは容易に想像がつく。また、同様に、本実施例ではスパッタ時にメッシュをマスクにして行い、磁石を細分化させたが、マスクをしないでスパッタを行い、その後、レーザー加工等でスパッタ膜を切断しても同様な特性が出ることは容易に想像がつく。
図3は、インダクタンス部品の説明図である。図3に示すように、E型フェライトコア1と、E型フェライトコア2と、その合体した中足部に、フェライト基板3bと、その上に形成された希土類磁石薄膜3aとで磁芯11が形成され、中足部に巻線4が巻かれて、インダクタンス部品10が構成されている。E型フェライトコア1と、E型フェライトコア2は、MnZn系フェライト、あるいはNiZn系フェライトが選択される。また、フェライト基板3bは、同じくMnZn系フェライト、あるいはNiZn系フェライトが選択され、E型フェライトコア1と、E型フェライトコア2と同じ材質でも良いし、あるいは、異なる材質でも良い。
1,2 E型フェライトコア
3a 希土類磁石薄膜
3b フェライト基板
4 巻線
10 インダクタンス部品
3a 希土類磁石薄膜
3b フェライト基板
4 巻線
10 インダクタンス部品
Claims (6)
- 磁路の少なくとも1箇所以上にギャップを有する磁芯であって、そのギャップ部に固有保磁力が5K×103/4πA/m以上、Tcが300℃以上の希土類磁石薄膜がスパッタリング、または蒸着により形成されたことを特徴とする直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯。
- 前記希土類磁石薄膜は、スパッタリング、または蒸着時にマスクすることにより、蒸着後の面内方向の薄膜の平均径が1mm以下に細分化されたことを特徴とする請求項1に記載の直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯。
- 前記希土類磁石薄膜は、スパッタリング、または蒸着後に加工することにより、面内方向の薄膜の平均粒径が1mm以下に細分化されていることを特徴とする請求項1に記載の直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯。
- 前記希土類磁石薄膜は、フェライト系の基板の上に形成されており、前記フェライト系の基板が、前記ギャップに配置されたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯。
- 前記希土類磁石薄膜は、非磁性材料の基板の上に形成されており、前記非磁性材料の基板が、前記ギャップに配置されたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯。
- 請求項1なし5のいずれかに記載の直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯と、前記磁芯の磁路に施された、少なくとも1ターン以上の巻線とで構成されたことを特徴とするインダクタンス部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004117419A JP2005303019A (ja) | 2004-04-13 | 2004-04-13 | 直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯およびそれを用いたインダクタンス部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004117419A JP2005303019A (ja) | 2004-04-13 | 2004-04-13 | 直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯およびそれを用いたインダクタンス部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005303019A true JP2005303019A (ja) | 2005-10-27 |
Family
ID=35334158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004117419A Pending JP2005303019A (ja) | 2004-04-13 | 2004-04-13 | 直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯およびそれを用いたインダクタンス部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005303019A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103021631A (zh) * | 2011-09-21 | 2013-04-03 | Lg伊诺特有限公司 | 变压器 |
CN105140004A (zh) * | 2015-09-14 | 2015-12-09 | 广东新昇电业科技股份有限公司 | 提高ac相导磁率的三相金属磁粉芯电抗器 |
CN106663521A (zh) * | 2014-07-01 | 2017-05-10 | 金东勋 | 可变电感器及其制造方法 |
-
2004
- 2004-04-13 JP JP2004117419A patent/JP2005303019A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103021631A (zh) * | 2011-09-21 | 2013-04-03 | Lg伊诺特有限公司 | 变压器 |
CN103021631B (zh) * | 2011-09-21 | 2016-01-27 | Lg伊诺特有限公司 | 变压器 |
CN106663521A (zh) * | 2014-07-01 | 2017-05-10 | 金东勋 | 可变电感器及其制造方法 |
US10037845B2 (en) | 2014-07-01 | 2018-07-31 | Dong-hun Kim | Variable inductor and method for manufacturing the same |
CN105140004A (zh) * | 2015-09-14 | 2015-12-09 | 广东新昇电业科技股份有限公司 | 提高ac相导磁率的三相金属磁粉芯电抗器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012238892A (ja) | バイアスギャップインダクタとその製造方法 | |
JPWO2002021543A1 (ja) | 永久磁石、それを磁気バイアス用磁石とした磁気コア、およびそれを用いたインダクタンス部品 | |
JP2002083722A (ja) | インダクタ及びトランス | |
JP4773254B2 (ja) | 高周波磁性薄膜及び高周波電子デバイス | |
JP2011171772A (ja) | 間隙を設けた非晶質金属系の磁性コア | |
TW540071B (en) | Magnetic core having magnetically biasing bond magnet and inductance part using the same | |
US20080075975A1 (en) | Magnetic cores for inductors and transformers and method of manufacture | |
KR20020041773A (ko) | 입자 표면이 내산화성 금속으로 피복된 자기 분말을포함하는 본드 자석으로 이루어진 자기 코어 및 그 자기코어를 포함하는 인덕턴스 부품 | |
US20150064362A1 (en) | Planar inductors with closed magnetic loops | |
US20100061877A1 (en) | Magnetic materials, and methods of formation | |
JP2007081239A (ja) | 磁気デバイスおよびそれを用いたスイッチング電源 | |
JP2005303019A (ja) | 直流磁気バイアス用磁石を有する磁芯およびそれを用いたインダクタンス部品 | |
WO2006109615A1 (ja) | 積層型永久磁石 | |
JP2016063068A (ja) | 磁性材料およびデバイス | |
JP2002231540A (ja) | 磁気バイアス用磁石を有する磁気コア及びそれを用いたインダクタンス部品 | |
JP2006032466A (ja) | 磁芯およびそれを用いた線輪部品 | |
JP2003197436A (ja) | 磁気素子用コア、これを用いた磁気素子、その磁気素子の製造方法およびその磁気素子を用いたスイッチング電源 | |
JP2003109832A (ja) | 磁気コア及びそれを用いたインダクタンス部品 | |
JP2003100509A (ja) | 磁気コア及びそれを用いたインダクタンス部品 | |
JP2019102709A (ja) | 軟磁性金属薄膜および薄膜インダクタ | |
JP2004207552A (ja) | 複合コア | |
JP2002175918A (ja) | インダクタ | |
JP2004356152A (ja) | 磁芯およびそれを用いたインダクタンス部品 | |
JP2007042931A (ja) | 線輪部品およびその製造方法 | |
JP2005019715A (ja) | 磁芯およびそれを用いたインダクタンス部品 |